JP2013051338A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 第１導電型の半導体基板と、
   前記半導体基板上に順に積層された第１の光吸収層、多重反射層、第２の光吸収層、及び、前記第１及び第２の光吸収層より大きいバンドギャップを持つ窓層と、
   前記窓層の一部に設けられた第２導電型の第１の不純物拡散領域と、
   前記第１の不純物拡散領域上に設けられ、光が入射する開口を持つ上部電極と、
   前記半導体基板の下面に設けられた下部電極と、
   前記第１の不純物拡散領域の外側に設けられたメサ溝と、
   前記メサ溝を挟んで前記第１の不純物拡散領域の反対側に設けられ、前記第１の光吸収層に達する第２の不純物拡散領域と、
   前記第２の不純物拡散領域を介して前記第１の光吸収層に接続された金属膜とを備えることを特徴とする半導体受光素子。
2. 前記金属膜は前記上部電極及び前記下部電極とは電気的に接続されていないことを特徴とする請求項１に記載の半導体受光素子。
3. 前記メサ溝は、前記第２の光吸収層及び前記窓層に設けられ、
   前記第２の不純物拡散領域は、前記第１の光吸収層、前記多重反射層、前記第２の光吸収層、及び前記窓層に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体受光素子。
4. 前記メサ溝は、前記半導体基板に設けられ、
   前記第２の不純物拡散領域は、前記半導体基板及び前記第１の光吸収層に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体受光素子。
5. 前記多重反射層と前記第２の光吸収層との間に設けられ、前記第１及び第２の光吸収層より大きいバンドギャップを持つ障壁層を更に備えることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体受光素子。
6. 前記障壁層と前記第２の光吸収層との間に設けられたＡｌＩｎＡｓ増倍層を更に備えることを特徴とする請求項５に記載の半導体受光素子。