JP2013042096A - Photosensitive resin composition for optical imprint, hardened material, resist substrate, and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

Photosensitive resin composition for optical imprint, hardened material, resist substrate, and manufacturing method of semiconductor device Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosensitive resin for an optical imprint containing a photoinitiator highly sensitive to light and having high compatibility with a chemical compound or high solubility to a chemical compound.SOLUTION: The photosensitive resin composition for an optical imprint contains: (A) a photoinitiator represented by the general formula (I); and (B) a compound having one or more polymerizable reactive group. The viscosity of the composition at 25°C is 25 cPs or less.

Description

本発明は、光インプリント用感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を露光することにより得られる硬化物、レジスト基板及び半導体装置の製造方法に関する。さらに詳しくは、重合性反応基を1つ以上有する化合物との相溶性又は重合性反応基を1つ以上有する化合物に対する溶解性が高く、光に対する感度が高い光重合開始剤を含有する、解像度及び深部硬化性に優れる感光性樹脂組成物であって、テンプレートの凹部への充填性が高い一方、露光後の硬化物はテンプレートからの剥離性に優れると共に基板との密着性に優れ、硬化物の凹凸形状の湾曲や欠けが極めて少なく、硬化収縮率が低く、かつドライエッチング耐性に優れた光インプリント用感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を露光することにより得られる硬化物、並びにレジスト基板及び半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a photosensitive resin composition for photoimprinting, a cured product obtained by exposing the photosensitive resin composition, a resist substrate, and a method for manufacturing a semiconductor device. More specifically, it contains a photopolymerization initiator that is highly compatible with a compound having one or more polymerizable reactive groups or highly soluble in a compound having one or more polymerizable reactive groups and has high sensitivity to light. It is a photosensitive resin composition having excellent deep-part curability, and has a high filling property into the recesses of the template, while the cured product after exposure has excellent peelability from the template and excellent adhesion to the substrate. Photosensitive resin composition for photoimprint having extremely low unevenness and curvature, chipping shrinkage, and excellent dry etching resistance, a cured product obtained by exposing the photosensitive resin composition, and The present invention relates to a resist substrate and a method for manufacturing a semiconductor device.

インプリントは数十nm〜数百μmの凹凸形状を形成する際に用いられる技術の一つである。
その中でも、光を用いて凹凸形状を転写形成する方法は光インプリントと言われ、露光装置や電子線描画装置といった高価なプロセス装置を用いることなく微細な凹凸形状が低コストで作製できることから、近年注目を集めている。光インプリントは、基板表面に塗布又は滴下した光硬化性樹脂組成物に微細な凹凸形状を有する型部材(一般的に、テンプレート、スタンパ、モールドなどと呼ばれる。)を接触させ、凹凸形状の凹部に感光性樹脂組成物を充填させた後、充填された樹脂組成物を光で硬化させ、硬化した樹脂からテンプレートを離型し、微細形状を等倍転写する凹凸形成技術であり、凹凸形状がnm(ナノメートル)サイズの場合を特に光ナノインプリントという。
光インプリントでは、テンプレートの凹部内への感光性樹脂組成物の充填性を高くする必要があり、且つ、テンプレートからの離型性に優れ、基板との密着性を良くする必要があることが知られており、特に凹凸形状がnm(ナノメートル)サイズの場合には、これらに関して高い性能が要求される。インプリント工程における硬化樹脂と基板との密着性の向上については、種々検討されている。例えば、シランカップリング剤を感光性樹脂組成物に含有させることによって、基板密着性を向上する方法が知られている(特許文献1及び2参照)。また、インプリント工程における硬化樹脂と基板との密着に関するトラブルは、硬化樹脂とテンプレートとの剥離力(離型性)とも密接に関わっている。離型性向上に関して、離型剤としてフッ素系材料やシリコン系材料を用いることが報告されている(特許文献3及び4参照)。これらの方法は添加剤としての改良方法であるため、適用範囲は広いが、塗布装置への付着や硬化膜のエッチング時の装置の汚染等、用途によってはフッ素原子やケイ素原子を用いることができない場合がある。
このように、テンプレートの凹部内への感光性樹脂組成物の充填性を高くし、且つ、テンプレートからの離型性に優れ、基板との密着性を良くすることは容易なことではなく、高解像度をいかにして達成し得るか、現在も検討がなされている。ここで、高感度及び高解像度等を達成し得る感光性樹脂組成物を得る方法として、光重合開始剤としてオキシムエステル化合物を用いることが提案されている(特許文献5〜9参照)。
Imprinting is one of the techniques used when forming uneven shapes of several tens of nm to several hundreds of μm.
Among them, the method of transferring the concavo-convex shape using light is referred to as optical imprint, and since a fine concavo-convex shape can be produced at low cost without using an expensive process device such as an exposure apparatus or an electron beam drawing apparatus, Has attracted attention in recent years. In optical imprinting, a mold member (generally referred to as a template, stamper, mold, or the like) having a fine concavo-convex shape is brought into contact with a photocurable resin composition applied or dripped onto a substrate surface to form a concavo-convex concave portion. Is a concavo-convex forming technique in which after the photosensitive resin composition is filled, the filled resin composition is cured with light, the template is released from the cured resin, and the fine shape is transferred at the same magnification. The case of nm (nanometer) size is particularly called optical nanoimprint.
In optical imprinting, it is necessary to increase the filling property of the photosensitive resin composition into the recesses of the template, and it is necessary to improve the releasability from the template and to improve the adhesion to the substrate. In particular, when the concavo-convex shape is nm (nanometer) size, high performance is required for these. Various studies have been made on improving the adhesion between the cured resin and the substrate in the imprint process. For example, a method for improving substrate adhesion by incorporating a silane coupling agent into a photosensitive resin composition is known (see Patent Documents 1 and 2). In addition, troubles related to the adhesion between the cured resin and the substrate in the imprint process are also closely related to the peeling force (release property) between the cured resin and the template. With respect to improvement in mold release properties, it has been reported that fluorine-based materials or silicon-based materials are used as mold release agents (see Patent Documents 3 and 4). Since these methods are improved methods as additives, they have a wide range of applications, but fluorine atoms and silicon atoms cannot be used depending on applications such as adhesion to coating devices and contamination of devices during etching of cured films. There is a case.
As described above, it is not easy to increase the filling property of the photosensitive resin composition into the recesses of the template, to be excellent in releasability from the template, and to improve the adhesion to the substrate. There is still a study of how resolution can be achieved. Here, using a oxime ester compound as a photoinitiator is proposed as a method of obtaining the photosensitive resin composition which can achieve high sensitivity, high resolution, etc. (refer patent documents 5-9).

特開2007−84625号公報JP 2007-84625 A 特開2008−105414号公報JP 2008-105414 A 特開2007−1250号公報JP 2007-1250 A 特開2005−84561号公報JP-A-2005-84561 特許第3860170号明細書Japanese Patent No. 3860170 特開2006−36750号公報JP 2006-36750 A 特許第3992725号明細書Japanese Patent No. 3993725 特開2010−37542号公報JP 2010-37542 A 韓国公開特許第2009−0046108号公報Korean Published Patent No. 2009-0046108

特許文献5〜9に記載の光重合開始剤では、重合性反応基を1つ以上有する化合物との相溶性又は重合性反応基を1つ以上有する化合物に対する溶解性が不十分であり、使用条件に制限がある。また、これらの光重合開始剤では、光に対する感度にはまだ改善の余地がある。そのため、従来の課題を解決し得る新規構造の光重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物を提供すること自体が有意義なことであり、当該技術分野に求められていることでもある。   In the photopolymerization initiators described in Patent Documents 5 to 9, compatibility with a compound having one or more polymerizable reactive groups or solubility in a compound having one or more polymerizable reactive groups is insufficient, and the use conditions There are limitations. Further, these photopolymerization initiators still have room for improvement in sensitivity to light. Therefore, it is meaningful to provide a photosensitive resin composition containing a photopolymerization initiator having a novel structure capable of solving the conventional problems, and is also required in the technical field.

よって、本発明の課題は、重合性反応基を1つ以上有する化合物との相溶性又は重合性反応基を1つ以上有する化合物に対する溶解性が高く、光に対する感度が高い光重合開始剤を含有する、解像度及び深部硬化性に優れる感光性樹脂組成物であって、テンプレートの凹部への充填性が高い一方、露光後の硬化物はテンプレートからの剥離性に優れると共に基板との密着性に優れ、硬化物の凹凸形状の湾曲や欠けが極めて少なく、硬化収縮率が低く、かつドライエッチング耐性に優れた光インプリント用感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を露光することにより得られる硬化物、並びにレジスト基板及び半導体装置の製造方法を提供することである。   Accordingly, an object of the present invention is to contain a photopolymerization initiator that is highly compatible with a compound having one or more polymerizable reactive groups or highly soluble in a compound having one or more polymerizable reactive groups and has high sensitivity to light. The photosensitive resin composition is excellent in resolution and deep part curability, and has a high filling property in the recesses of the template, while the cured product after the exposure has excellent peelability from the template and excellent adhesion to the substrate. , A photosensitive resin composition for photoimprinting, which has very little unevenness or curvature or chipping in a cured product, has a low cure shrinkage, and is excellent in dry etching resistance, and is obtained by exposing the photosensitive resin composition. It is providing the manufacturing method of hardened | cured material, a resist substrate, and a semiconductor device.

本発明者は、前記課題を達成するために鋭意研究を重ねた結果、後述する一般式(I)で表される特定構造の光重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物であれば、前記課題を解決し得ることを見出した。
すなわち、本発明は、下記[1]〜[8]に関する。
[1](A)下記一般式(I)で表される光重合開始剤及び
(B)重合性反応基を1つ以上有する化合物
を含有し、25℃における粘度が25cPs以下である光インプリント用感光性樹脂組成物。
(式中、R1〜R11は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜20のアルケニル基、置換もしくは無置換の環形成原子数3〜10のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数4〜20のシクロアルケニル基、ヒドロキシル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数2〜20のアルケニルオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルカノイル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜20のアルケノイル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜14のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数3〜14のヘテロ環基を示す。R3は、R4又はR5と一緒になって環を形成していてもよい。R4は、R5と一緒になって環を形成していてもよい。
また、Arは、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜14のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜14のヘテロアリール基を示す。
Wは、単結合又は酸素原子を示す。Zは、単結合、酸素原子又は>NR3’(R3’は、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基を示すか、又はR3’はR3とつながって、窒素原子と共に環を形成している。)を示す。
nは、1〜10の整数を示す。nが2〜10の整数の場合、複数のR4及びR5は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。)
[2]上記[1]に記載の光インプリント用感光性樹脂組成物であって、該感光性樹脂組成物を1.5μlの純水接触角が112°±5°の基板上に40±5pl(ピコリットル)の液滴として滴下して、1気圧及び25℃にて1分放置した場合の該液滴の直径の変化が15%以内である、光インプリント用感光性樹脂組成物。
[3]前記一般式(I)において、Zが酸素原子であり、R3が炭素数1〜18のアルコキシ基で置換された、炭素数1〜20のアルキル基である、上記[1]又は[2]に記載の光インプリント用感光性樹脂組成物。
[4]さらに(C)成分として界面活性剤を含有する、上記[1]〜[3]のいずれかに記載の光インプリント用感光性樹脂組成物。
[5]前記(B)成分が(メタ)アクリロイル基を有する化合物である、上記[1]〜[4]のいずれかに記載の光インプリント用感光性樹脂組成物。
[6]上記[1]〜[5]のいずれかに記載の光インプリント用感光性樹脂組成物を露光することにより得られる硬化物。
[7]下記工程(1)〜(4)をこの順に有する、レジスト基板の製造方法。
(1)基板上又は基板に積層した密着層上に、上記[1]〜[5]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物をインクジェット方式によって付着させる工程。
(2)前記工程(1)によって付着した感光性樹脂組成物の上から、前記基板又は基板に積層した密着層上に対して、凹凸形状を表面に有するテンプレートを接触させ、前記凹凸形状内に感光性樹脂組成物を充填させる工程。
(3)露光により前記感光性樹脂組成物を硬化させ、基板上又は基板に積層した密着層上に、レジスト凹凸形状を形成する工程。
(4)レジスト凹凸形状が形成された基板からテンプレートを剥離する工程。
[8]下記工程(5)〜(7)をこの順に有する、半導体装置の製造方法。
(5)上記[7]に記載の製造方法で得たレジスト基板において、レジスト凹凸形状の凹部を基板が露出するまでドライエッチング加工する工程。
(6)前記工程(5)にて現れた基板の露出部分をさらにドライエッチング加工し、基板自体に凹部を形成する工程。
(7)基板上のレジストを除去する工程、又は、基板に密着層が積層している場合には該密着層とレジストとを共に除去する工程。
As a result of intensive studies to achieve the above-mentioned problems, the present inventor is a photosensitive resin composition containing a photopolymerization initiator having a specific structure represented by the general formula (I) described later, We found that the problem could be solved.
That is, the present invention relates to the following [1] to [8].
[1] (A) a photopolymerization initiator represented by the following general formula (I) and (B) a photoimprint having a compound having one or more polymerizable reactive groups and having a viscosity at 25 ° C. of 25 cPs or less Photosensitive resin composition.
Wherein R 1 to R 11 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, Or an unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 10 ring atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkenyl group having 4 to 20 carbon atoms, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or Unsubstituted alkenyloxy group having 2 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkanoyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkenoyl group having 2 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted ring forming carbon number .R 3 showing a 6-14 aryl group, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group ring atoms 3-14, to form a ring together with R 4 or R 5 Good .R 4 may form a ring together with R 5.
Ar represents a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 14 ring carbon atoms or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 14 ring atoms.
W represents a single bond or an oxygen atom. Z represents a single bond, an oxygen atom, or> NR 3 ′ (R 3 ′ represents a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or R 3 ′ is connected to R 3 together with a nitrogen atom. Forming a ring).
n represents an integer of 1 to 10. When n is an integer of 2 to 10, a plurality of R 4 and R 5 may be the same or different. )
[2] The photosensitive resin composition for photoimprints according to [1] above, wherein the photosensitive resin composition is placed on a substrate having 1.5 μl of pure water contact angle of 112 ° ± 5 ° and 40 ±. A photosensitive resin composition for photoimprinting, in which the change in the diameter of the droplets is within 15% when dropped as 5 pl (picoliter) droplets and left at 1 atmosphere and 25 ° C. for 1 minute.
[3] In the general formula (I), [1] or [1] above, wherein Z is an oxygen atom, and R 3 is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms substituted with an alkoxy group having 1 to 18 carbon atoms. The photosensitive resin composition for photoimprints according to [2].
[4] The photosensitive resin composition for photoimprints according to any one of [1] to [3], further comprising a surfactant as the component (C).
[5] The photosensitive resin composition for photoimprints according to any one of [1] to [4], wherein the component (B) is a compound having a (meth) acryloyl group.
[6] A cured product obtained by exposing the photosensitive resin composition for photoimprints according to any one of [1] to [5] above.
[7] A method for manufacturing a resist substrate, comprising the following steps (1) to (4) in this order.
(1) A step of attaching the photosensitive resin composition according to any one of the above [1] to [5] to the substrate or an adhesion layer laminated on the substrate by an inkjet method.
(2) From above the photosensitive resin composition attached in the step (1), a template having a concavo-convex shape is brought into contact with the substrate or an adhesion layer laminated on the substrate, and the concavo-convex shape is brought into contact with the substrate. A step of filling a photosensitive resin composition.
(3) The process which hardens the said photosensitive resin composition by exposure, and forms a resist uneven | corrugated shape on the contact | adherence layer laminated | stacked on the board | substrate or the board | substrate.
(4) The process of peeling a template from the board | substrate with which the resist uneven | corrugated shape was formed.
[8] A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the following steps (5) to (7) in this order.
(5) In the resist substrate obtained by the manufacturing method according to the above [7], a step of dry etching the resist concave-convex recess until the substrate is exposed.
(6) A step of further subjecting the exposed portion of the substrate appearing in the step (5) to dry etching to form a recess in the substrate itself.
(7) A step of removing the resist on the substrate, or a step of removing both the adhesion layer and the resist when the adhesion layer is laminated on the substrate.

本発明の光インプリント用感光性樹脂組成物は、重合性反応基を1つ以上有する化合物との相溶性又は重合性反応基を1つ以上有する化合物に対する溶解性が高く、光に対する感度が高い光重合開始剤を含有する、解像度及び深部硬化性に優れる感光性樹脂組成物である。そして、テンプレートの凹部への充填性が高い一方、露光後の硬化物はテンプレートからの剥離性に優れると共に基板との密着性に優れ、硬化物の凹凸形状の湾曲や欠けが極めて少なく、硬化収縮率が低く、かつドライエッチング耐性に優れている。また、低粘度(25cPs以下)であるため、インクジェットによる塗布が可能である。   The photosensitive resin composition for photoimprinting of the present invention is highly compatible with a compound having one or more polymerizable reactive groups or highly soluble in a compound having one or more polymerizable reactive groups, and has high sensitivity to light. It is the photosensitive resin composition which is excellent in the resolution and deep part sclerosis | hardenability containing a photoinitiator. And while the filling property of the concave portion of the template is high, the cured product after the exposure is excellent in the peelability from the template and the adhesiveness with the substrate, and the cured product has very little unevenness in the shape and curvature of the cured product and cure shrinkage. The rate is low and the dry etching resistance is excellent. In addition, since it has a low viscosity (25 cPs or less), it can be applied by inkjet.

実施例6にて得た、ライン線幅24nmのレジストパターンのSEM写真である。7 is a SEM photograph of a resist pattern obtained in Example 6 and having a line width of 24 nm. 実施例6にて得た、ライン線幅32nmのレジストパターンのSEM写真である。7 is a SEM photograph of a resist pattern obtained in Example 6 and having a line line width of 32 nm.

[光インプリント用感光性樹脂組成物]
本発明の光インプリント用感光性樹脂組成物は、(A)下記一般式(I)で表される光重合開始剤及び(B)重合性反応基を1つ以上有する化合物を含有し、25℃における粘度が25cPs以下である光インプリント用感光性樹脂組成物。
(式中、R1〜R11は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜20のアルケニル基、置換もしくは無置換の環形成原子数3〜10のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数4〜20のシクロアルケニル基、ヒドロキシル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数2〜20のアルケニルオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルカノイル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜20のアルケノイル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜14のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数3〜14のヘテロ環基を示す。R3は、R4又はR5と一緒になって環を形成していてもよい。R4は、R5と一緒になって環を形成していてもよい。
また、Arは、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜14のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜14のヘテロアリール基を示す。
Wは、単結合又は酸素原子を示す。Zは、単結合、酸素原子又は>NR3’(R3’は、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基を示すか、又はR3’はR3とつながって、窒素原子と共に環を形成している。)を示す。
nは、1〜10の整数を示す。nが2〜10の整数の場合、複数のR4及びR5は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。)
[Photosensitive resin composition for photoimprint]
The photosensitive resin composition for photoimprinting of the present invention comprises (A) a photopolymerization initiator represented by the following general formula (I) and (B) a compound having one or more polymerizable reactive groups, and 25 A photosensitive resin composition for photoimprinting having a viscosity at 25 ° C. of 25 cPs or less.
Wherein R 1 to R 11 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, Or an unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 10 ring atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkenyl group having 4 to 20 carbon atoms, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or Unsubstituted alkenyloxy group having 2 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkanoyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkenoyl group having 2 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted ring forming carbon number .R 3 showing a 6-14 aryl group, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group ring atoms 3-14, to form a ring together with R 4 or R 5 Good .R 4 may form a ring together with R 5.
Ar represents a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 14 ring carbon atoms or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 14 ring atoms.
W represents a single bond or an oxygen atom. Z represents a single bond, an oxygen atom, or> NR 3 ′ (R 3 ′ represents a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or R 3 ′ is connected to R 3 together with a nitrogen atom. Forming a ring).
n represents an integer of 1 to 10. When n is an integer of 2 to 10, a plurality of R 4 and R 5 may be the same or different. )

〔(A)光重合開始剤〕
本発明で使用する(A)成分の光重合開始剤は、前記一般式(I)で表されるものである。
一般式(I)で表される光重合開始剤の中でも、本発明の効果の観点から、Zが酸素原子(O)であり、R3が炭素数1〜18のアルコキシ基で置換された、炭素数1〜20のアルキル基であるものが好ましい。また、同様の観点から、下記一般式(I−a)で表される光重合開始剤(W:単結合、Z:酸素原子の場合に相当する。)及び下記一般式(I−b)で表される光重合開始剤(nが1の場合に相当する。)が好ましい。
[(A) Photopolymerization initiator]
The photopolymerization initiator (A) used in the present invention is represented by the general formula (I).
Among the photopolymerization initiators represented by the general formula (I), from the viewpoint of the effect of the present invention, Z is an oxygen atom (O), and R 3 is substituted with an alkoxy group having 1 to 18 carbon atoms. What is a C1-C20 alkyl group is preferable. From the same viewpoint, the photopolymerization initiator represented by the following general formula (Ia) (W: corresponds to a single bond, Z: an oxygen atom) and the following general formula (Ib) Preferred is a photopolymerization initiator (corresponding to the case where n is 1).

上記式中、R1〜R11は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜20のアルケニル基、置換もしくは無置換の環形成原子数3〜10のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数4〜20のシクロアルケニル基、ヒドロキシル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数2〜20のアルケニルオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルカノイル基、炭素数2〜20のアルケノイル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜14のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数3〜14のヘテロ環基を示す。なお、一般式(I−a)においては、R3は、R4又はR5と一緒になって環を形成していてもよく、また、R4は、R5と一緒になって環を形成していてもよい。
また、Arは、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜14のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜14のヘテロアリール基を示す。
一般式(I−b)中のWは、単結合又は酸素原子を示す。また、一般式(I−b)中のZは、単結合、酸素原子又は>NR3’(R3’は、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基を示すか、又はR3’はR3とつながって、窒素原子と共に環を形成している。)を示す。
一般式(I−a)中のnは、1〜10の整数を示す。nが2〜10の整数の場合、複数のR4及びR5は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
In the above formulae, R 1 to R 11 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, and a substituted group. Or an unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 10 ring atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkenyl group having 4 to 20 carbon atoms, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or Unsubstituted alkenyloxy group having 2 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkanoyl group having 1 to 20 carbon atoms, alkenoyl group having 2 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted aryl having 6 to 14 ring carbon atoms A group or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 3 to 14 ring atoms; In the general formula (Ia), R 3 may be combined with R 4 or R 5 to form a ring, and R 4 is combined with R 5 to form a ring. It may be formed.
Ar represents a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 14 ring carbon atoms or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 14 ring atoms.
W in the general formula (Ib) represents a single bond or an oxygen atom. Z in the general formula (Ib) represents a single bond, an oxygen atom, or> NR 3 ′ (R 3 ′ represents a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or R 3 'Is connected to R 3 to form a ring together with the nitrogen atom.
N in general formula (Ia) shows the integer of 1-10. When n is an integer of 2 to 10, a plurality of R 4 and R 5 may be the same or different.

(一般式(I)、(I−a)及び(I−b)中の各基について)
nとしては、後述する重合性反応基を1つ以上有する化合物との相溶性(以下、単に相溶性と称することがある。)又は重合性反応基を1つ以上有する化合への溶解性(以下、単に溶解性と称することがある。)の観点及び製造容易性の観点から、2〜8の整数が好ましく、2〜4の整数がより好ましく、2がさらに好ましい。
1〜R11がそれぞれ独立して示すハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
1〜R11がそれぞれ独立して示す炭素数1〜20のアルキル基としては、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、2−エチル−n−オクチル基、n−デシル基、n−ドデシル基等が挙げられる。これらの中でも、相溶性又は溶解性の観点及び製造容易性の観点から、炭素数1〜10のアルキル基が好ましく、炭素数1〜5のアルキル基がより好ましい。
1〜R11がそれぞれ独立して示す炭素数2〜20のアルケニル基としては、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、例えばビニル基、アリル基、7−オクテニル基等が挙げられる。これらの中でも、相溶性又は溶解性の観点及び製造容易性の観点から、炭素数2〜10のアルケニル基が好ましく、炭素数2〜6のアルケニル基がより好ましい。
1〜R11がそれぞれ独立して示す環形成原子数3〜10のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等が挙げられる。これらの中でも、相溶性又は溶解性の観点及び製造容易性の観点から、環形成原子数3〜6のシクロアルキル基が好ましい。
1〜R11がそれぞれ独立して示す炭素数4〜20のシクロアルケニル基としては、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘキサジエニル基、シクロオクテニル基等が挙げられる。これらの中でも、相溶性又は溶解性の観点及び製造容易性の観点から、炭素数4〜10のシクロアルケニル基が好ましく、炭素数4〜6のシクロアルケニル基がより好ましい。
(About each group in general formula (I), (Ia) and (Ib))
n is a compatibility with a compound having one or more polymerizable reactive groups described later (hereinafter sometimes simply referred to as “compatible”) or a solubility in a compound having one or more polymerizable reactive groups (hereinafter referred to as “compatibility”). From the viewpoint of simple solubility, and the ease of production, an integer of 2 to 8 is preferable, an integer of 2 to 4 is more preferable, and 2 is more preferable.
As a halogen atom which R < 1 > -R < 11 > shows each independently, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom etc. are mentioned, for example.
The alkyl group having 1 to 20 carbon atoms independently represented by R 1 to R 11 may be linear or branched. For example, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl Group, isobutyl group, t-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, n-hexyl group, n-octyl group, 2-ethyl-n-octyl group, n-decyl group, n-dodecyl group and the like. . Among these, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable, and an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable from the viewpoints of compatibility or solubility and ease of production.
The alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms independently represented by R 1 to R 11 may be linear or branched, and examples thereof include a vinyl group, an allyl group, and a 7-octenyl group. Among these, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms is preferable and an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms is more preferable from the viewpoints of compatibility or solubility and ease of production.
Examples of the cycloalkyl group having 3 to 10 ring atoms independently represented by R 1 to R 11 include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cyclooctyl group. Among these, a cycloalkyl group having 3 to 6 ring atoms is preferable from the viewpoints of compatibility or solubility and ease of production.
Examples of the C 4-20 cycloalkenyl group independently represented by R 1 to R 11 include a cyclopentenyl group, a cyclohexenyl group, a cyclohexadienyl group, a cyclooctenyl group, and the like. Among these, a C4-C10 cycloalkenyl group is preferable and a C4-C6 cycloalkenyl group is more preferable from the viewpoints of compatibility or solubility and ease of production.

1〜R11がそれぞれ独立して示す炭素数1〜20のアルコキシ基としては、アルキル基部位が、前記した炭素数1〜20のアルキル基であるものが挙げられる。これらの中でも、相溶性又は溶解性の観点及び製造容易性の観点から、炭素数1〜10のアルコキシ基が好ましく、炭素数1〜5のアルコキシ基がより好ましい。
1〜R11がそれぞれ独立して示す炭素数2〜20のアルケニルオキシ基としては、アルケニル基部位が、前記した炭素数2〜20のアルケニル基であるものが挙げられる。これらの中でも、相溶性又は溶解性の観点及び製造容易性の観点から、炭素数2〜10のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素数2〜6のアルケニルオキシ基がより好ましい。
1〜R11がそれぞれ独立して示す炭素数1〜20のアルカノイル基としては、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、例えばメタノイル基、エタノイル基、n−プロパノイル基、イソプロパノイル基、n−ブタノイル基、t−ブタノイル基、n−ヘキサノイル基、n−オクタノイル基、n−デカノイル基、n−ドデカノイル基等が挙げられる。これらの中でも、相溶性又は溶解性の観点及び製造容易性の観点から、炭素数1〜10のアルカノイル基が好ましく、炭素数1〜5のアルカノイル基がより好ましい。
1〜R11がそれぞれ独立して示す炭素数2〜20のアルケノイル基としては、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、例えばエテノイル基、n−プロペノイル基、イソプロペノイル基、n−ブテノイル基、t−ブテノイル基、n−ヘキセノイル基、n−オクテノイル基、n−デセノイル基、n−ドデセノイル基等が挙げられる。これらの中でも、相溶性又は溶解性の観点及び製造容易性の観点から、炭素数2〜10のアルケノイル基が好ましく、炭素数2〜6のアルケノイル基がより好ましい。
As C1-C20 alkoxy group which R < 1 > -R < 11 > shows each independently, what an alkyl group site | part is an above-described C1-C20 alkyl group is mentioned. Among these, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms is preferable and an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable from the viewpoints of compatibility or solubility and ease of production.
Examples of the alkenyloxy group having 2 to 20 carbon atoms independently represented by R 1 to R 11 include those in which the alkenyl group moiety is the aforementioned alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms. Among these, an alkenyloxy group having 2 to 10 carbon atoms is preferable and an alkenyloxy group having 2 to 6 carbon atoms is more preferable from the viewpoints of compatibility or solubility and ease of production.
The alkanoyl group having 1 to 20 carbon atoms independently represented by R 1 to R 11 may be linear or branched. For example, methanoyl group, ethanoyl group, n-propanoyl group, isopropanoyl group, n -Butanoyl group, t-butanoyl group, n-hexanoyl group, n-octanoyl group, n-decanoyl group, n-dodecanoyl group, etc. are mentioned. Among these, an alkanoyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable and an alkanoyl group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable from the viewpoints of compatibility or solubility and ease of production.
The alkenoyl group having 2 to 20 carbon atoms independently represented by R 1 to R 11 may be linear or branched. For example, ethenoyl group, n-propenoyl group, isopropenoyl group, n-butenoyl group, t -Butenoyl group, n-hexenoyl group, n-octenoyl group, n-decenoyl group, n-dodecenoyl group, etc. are mentioned. Among these, an alkenoyl group having 2 to 10 carbon atoms is preferable and an alkenoyl group having 2 to 6 carbon atoms is more preferable from the viewpoints of compatibility or solubility and ease of production.

1〜R11がそれぞれ独立して示す環形成炭素数6〜14のアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基、アントリル基が挙げられる。
1〜R11がそれぞれ独立して示す環形成原子数3〜14のヘテロ環基としては、例えば2−フラニル基、2−チオフェニル基、2−ピリジニル基、下記式(A)で表される基(以下、置換基(A)と称する。)
等の環形成原子数5〜14の不飽和ヘテロ環基;2−テトラヒドロフリル基、3−テトラヒドロフリル基、ピロリジニル基、ピペリジニル基、2,2,6,6−トリメチルピペリジン−4−イル基
等の環形成原子数3〜10の飽和ヘテロ環基が挙げられる。これらの中でも、相溶性又は溶解性の観点及び製造容易性の観点から、環形成原子数5〜6の不飽和ヘテロ環基、環形成原子数3〜6の飽和ヘテロ環基が好ましい。
Examples of the aryl group having 6 to 14 ring carbon atoms independently represented by R 1 to R 11 include a phenyl group, a naphthyl group, and an anthryl group.
Examples of the heterocyclic group having 3 to 14 ring atoms independently represented by R 1 to R 11 include a 2-furanyl group, a 2-thiophenyl group, a 2-pyridinyl group, and the following formula (A). Group (hereinafter referred to as substituent (A))
An unsaturated heterocyclic group having 5 to 14 ring atoms such as 2-tetrahydrofuryl group, 3-tetrahydrofuryl group, pyrrolidinyl group, piperidinyl group, 2,2,6,6-trimethylpiperidin-4-yl group, etc. And a saturated heterocyclic group having 3 to 10 ring atoms. Among these, an unsaturated heterocyclic group having 5 to 6 ring atoms and a saturated heterocyclic group having 3 to 6 ring atoms are preferable from the viewpoints of compatibility or solubility and ease of production.

また、前記した「R3とR4又はR5が一緒になって環を形成する」というのは、n=2、Wが単結合及びZが酸素原子である場合を例に挙げると下記式で説明され、右側に例示した環が具体例として挙げられる。
The above-mentioned “R 3 and R 4 or R 5 together form a ring” means that n = 2, W is a single bond, and Z is an oxygen atom. The ring illustrated in the right side and exemplified on the right side is given as a specific example.

4とR5が一緒になって形成する環としては、例えば、シクロペンチル環、シクロオクチル環等の環形成炭素数3〜10(好ましくは3〜6)の環が挙げられる。 Examples of the ring formed by combining R 4 and R 5 include rings having 3 to 10 (preferably 3 to 6) ring carbon atoms such as a cyclopentyl ring and a cyclooctyl ring.

なお、R1〜R11がそれぞれ独立して示す、前記アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルカノイル基、アルケノイル基、アリール基及びヘテロ環基は、置換基を有していてもよい。
1〜R11がそれぞれ独立して示すアルキル基、アルケニル基の置換基としては、ヒドロキシル基;カルボキシル基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等の直鎖状又は分岐鎖状の炭素数1〜18(好ましくは1〜10、より好ましくは1〜5)のアルコキシ基;直鎖状又は分岐鎖状の炭素数2〜18(好ましくは2〜10、より好ましくは2〜6)のアルケニルオキシ基;直鎖状又は分岐鎖状の炭素数2〜18(好ましくは2〜10、より好ましくは2〜6)のアルケニルチオ基;直鎖状又は分岐鎖状の炭素数1〜18(好ましくは1〜10、より好ましくは1〜5)のアルキルチオ基;炭素数5〜18(好ましくは5〜10)のシクロアルケニル基;シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数3〜18(好ましくは3〜10、より好ましくは3〜6)のシクロアルキル基;フェノキシ基等の環形成炭素数6〜10のアリールオキシ基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子;酸素原子(=O);硫黄原子(=S);シアノ基;ニトロ基;トリメチルシリル基等のトリアルキルシリル基;トリメトキシシリル基等のトリアルコキシシリル基;フェニル基、ナフチル基、アントリル基等の環形成炭素数6〜14(好ましくは6〜10)のアリール基;−COR12;−OCOR13;−NR1415;−NHCOR16;−NHCOOR17;−CONR1819;−COOR20;−SO3NR2122;−SO323;エポキシ基やテトラヒドロフラニル基等の環形成原子数3〜6の環状エーテル基、2−チエニル基、2−ピリジル基、フリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、モルホリノ基、前記置換基(A)等の飽和もしくは不飽和の環形成原子数3〜10(好ましくは3〜6)のヘテロ環基等が挙げられる。
上記一般式中、R12〜R23は、それぞれ独立に、炭素数1〜20の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、環形成炭素数6〜14のアリール基を示す。該アルキル基、アリール基としては、R1〜R11の場合と同じものが挙げられる。
The alkyl group, alkenyl group, cycloalkyl group, cycloalkenyl group, alkoxy group, alkenyloxy group, alkanoyl group, alkenoyl group, aryl group and heterocyclic group, which R 1 to R 11 independently represent, It may have a substituent.
Examples of the substituent for the alkyl group and alkenyl group independently represented by R 1 to R 11 include a hydroxyl group; a carboxyl group; a linear or branched chain having 1 to 1 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, and a propoxy group. 18 (preferably 1 to 10, more preferably 1 to 5) alkoxy group; linear or branched alkenyloxy group having 2 to 18 carbon atoms (preferably 2 to 10 and more preferably 2 to 6) Linear or branched alkenylthio group having 2 to 18 carbon atoms (preferably 2 to 10, more preferably 2 to 6 carbon atoms); linear or branched carbon number 1 to 18 (preferably 1) -10, more preferably 1-5) alkylthio group; C5-C18 (preferably 5-10) cycloalkenyl group; C3-C18 (preferably cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.) 3-10, more preferably 3-6) cycloalkyl group; aryloxy group having 6-10 ring-forming carbon atoms such as phenoxy group; halogen atom such as fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom; Oxygen atom (= O); sulfur atom (= S); cyano group; nitro group; trialkylsilyl group such as trimethylsilyl group; trialkoxysilyl group such as trimethoxysilyl group; phenyl group, naphthyl group, anthryl group, etc. an aryl group ring carbon 6 to 14 (preferably 6~10); -COR 12; -OCOR 13 ; -NR 14 R 15; -NHCOR 16; -NHCOOR 17; -CONR 18 R 19; -COOR 20; -SO 3 NR 21 R 22; -SO 3 R 23; epoxy group and a tetrahydrofuranyl group ring atoms 3-6 cyclic ether groups such as, 2-thienyl, 2-pyridyl Group, a furyl group, a thiazolyl group, a benzothiazolyl group, a morpholino group, a saturated or unsaturated heterocyclic group having 3 to 10 (preferably 3 to 6) ring atoms such as the substituent (A), and the like. .
In said general formula, R < 12 > -R < 23 > shows a C1-C20 linear or branched alkyl group and a C6-C14 aryl group each independently formed. Examples of the alkyl group and aryl group include the same groups as in R 1 to R 11 .

1〜R11がそれぞれ独立して示すアルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルカノイル基、アルケノイル基の置換基としては、ヒドロキシル基;カルボキシル基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等の直鎖状又は分岐鎖状の炭素数1〜18(好ましくは1〜10、より好ましくは1〜5)のアルコキシ基;直鎖状又は分岐鎖状の炭素数2〜18(好ましくは2〜10、より好ましくは2〜6)のアルケニルオキシ基;直鎖状又は分岐鎖状の炭素数2〜18(好ましくは2〜10、より好ましくは2〜6)のアルケニルチオ基;直鎖状又は分岐鎖状の炭素数1〜18(好ましくは1〜10、より好ましくは1〜5)のアルキルチオ基;炭素数5〜18(好ましくは5〜10)のシクロアルケニル基;シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数3〜18(好ましくは3〜10、より好ましくは3〜6)のシクロアルキル基;フェノキシ基等の環形成炭素数6〜10のアリールオキシ基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子;酸素原子(=O);硫黄原子(=S);シアノ基;ニトロ基;トリメチルシリル基等のトリアルキルシリル基;トリメトキシシリル基等のトリアルコキシシリル基;フェニル基、ナフチル基、アントリル基等の環形成炭素数6〜14(好ましくは6〜10)のアリール基;−COR12;−OCOR13;−NR1415;−NHCOR16;−NHCOOR17;−CONR1819;−COOR20;−SO3NR2122;−SO323;エポキシ基やテトラヒドロフラニル基等の環形成原子数3〜6の環状エーテル基、2−チエニル基、2−ピリジル基、フリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、モルホリノ基、前記置換基(A)等の飽和もしくは不飽和の環形成原子数3〜10(好ましくは3〜6)のヘテロ環基等が挙げられる(式中、R12〜R23は、前記定義の通りである。)。 Examples of the substituent for the alkoxy group, alkenyloxy group, alkanoyl group, and alkenoyl group independently represented by R 1 to R 11 include hydroxyl group; carboxyl group; linear or branched such as methoxy group, ethoxy group, and propoxy group A linear alkoxy group having 1 to 18 carbon atoms (preferably 1 to 10, more preferably 1 to 5); linear or branched carbon atom having 2 to 18 carbon atoms (preferably 2 to 10 carbon atoms, more preferably 2 carbon atoms) To 6) alkenyloxy group; linear or branched alkenylthio group having 2 to 18 carbon atoms (preferably 2 to 10, more preferably 2 to 6); linear or branched carbon number 1-18 (preferably 1-10, more preferably 1-5) alkylthio group; C5-C18 (preferably 5-10) cycloalkenyl group; cyclopropyl group, cyclopentyl group A cycloalkyl group having 3 to 18 carbon atoms (preferably 3 to 10, more preferably 3 to 6) such as a cyclohexyl group; an aryloxy group having 6 to 10 ring carbon atoms such as a phenoxy group; a fluorine atom, a chlorine atom, Halogen atoms such as bromine atom and iodine atom; oxygen atom (= O); sulfur atom (= S); cyano group; nitro group; trialkylsilyl group such as trimethylsilyl group; trialkoxysilyl group such as trimethoxysilyl group; phenyl group, a naphthyl group, an aryl group having 6 to 14 ring-forming carbon atoms, such as anthryl group (preferably 6~10); -COR 12; -OCOR 13 ; -NR 14 R 15; -NHCOR 16; -NHCOOR 17; -CONR 18 R 19; -COOR 20; -SO 3 NR 21 R 22; -SO 3 R 23; an epoxy group or a tetrahydrofuranyl group ring atoms 3-6 3 to 10 (preferably 3) saturated or unsaturated ring-forming atoms such as a cyclic ether group, 2-thienyl group, 2-pyridyl group, furyl group, thiazolyl group, benzothiazolyl group, morpholino group and the substituent (A) -6) and the like (wherein R 12 to R 23 are as defined above).

1〜R11がそれぞれ独立して示すシクロアルキル基、シクロアルケニル基の置換基としては、ヒドロキシル基;カルボキシル基;メチル基、エチル基等の直鎖又は分岐状の炭素数1〜18(好ましくは1〜10、より好ましくは1〜5)のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等の直鎖状又は分岐鎖状の炭素数1〜18(好ましくは1〜10、より好ましくは1〜5)のアルコキシ基;直鎖状又は分岐鎖状の炭素数2〜18(好ましくは2〜10、より好ましくは2〜6)のアルケニルオキシ基;直鎖状又は分岐鎖状の炭素数2〜18(好ましくは2〜10、より好ましくは2〜6)のアルケニルチオ基;ビニル基、アリル基等の炭素数2〜18(好ましくは2〜10、より好ましくは2〜6)の直鎖又は分岐状のアルケニル基;直鎖状又は分岐鎖状の炭素数1〜18(好ましくは1〜10、より好ましくは1〜5)のアルキルチオ基;炭素数5〜18(好ましくは5〜10)のシクロアルケニル基;フェノキシ基等の環形成炭素数6〜10のアリールオキシ基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子;酸素原子(=O);硫黄原子(=S);シアノ基;ニトロ基;トリメチルシリル基等のトリアルキルシリル基;トリメトキシシリル基等のトリアルコキシシリル基;フェニル基、ナフチル基、アントリル基等の環形成炭素数6〜14(好ましくは6〜10)のアリール基;−COR12;−OCOR13;−NR1415;−NHCOR16;−NHCOOR17;−CONR1819;−COOR20;−SO3NR2122;−SO323;エポキシ基やテトラヒドロフラニル基等の環形成原子数3〜6の環状エーテル基、2−チエニル基、2−ピリジル基、フリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、モルホリノ基、前記置換基(A)等の飽和もしくは不飽和の環形成原子数3〜10(好ましくは3〜6)のヘテロ環基等が挙げられる(式中、R12〜R23は、前記定義の通りである。)。 Examples of the substituent for the cycloalkyl group and cycloalkenyl group independently represented by R 1 to R 11 include a hydroxyl group; a carboxyl group; a linear or branched carbon number of 1 to 18 such as a methyl group and an ethyl group (preferably Is an alkyl group of 1 to 10, more preferably 1 to 5); linear or branched carbon number of 1 to 18 (preferably 1 to 10, more preferably 1) such as a methoxy group, an ethoxy group, or a propoxy group To 5) alkoxy group; linear or branched alkenyloxy group having 2 to 18 carbon atoms (preferably 2 to 10, more preferably 2 to 6); linear or branched carbon number 2 -18 (preferably 2 to 10, more preferably 2 to 6) alkenylthio group; straight chain having 2 to 18 carbon atoms (preferably 2 to 10, more preferably 2 to 6) such as vinyl group and allyl group Or branched alkeni A linear or branched alkylthio group having 1 to 18 (preferably 1 to 10, more preferably 1 to 5) carbon atoms; a cycloalkenyl group having 5 to 18 (preferably 5 to 10) carbon atoms; Aryloxy groups having 6 to 10 ring carbon atoms such as phenoxy group; halogen atoms such as fluorine atom, chlorine atom, bromine atom and iodine atom; oxygen atom (= O); sulfur atom (= S); cyano group; A trialkylsilyl group such as a trimethylsilyl group; a trialkoxysilyl group such as a trimethoxysilyl group; an aryl group having 6 to 14 (preferably 6 to 10) ring carbon atoms such as a phenyl group, a naphthyl group, and an anthryl group; -COR 12; -OCOR 13; -NR 14 R 15; -NHCOR 16; -NHCOOR 17; -CONR 18 R 19; -COOR 20; -SO 3 NR 21 R 22; -SO 3 R 23 A cyclic ether group having 3 to 6 ring atoms such as an epoxy group and a tetrahydrofuranyl group, a 2-thienyl group, a 2-pyridyl group, a furyl group, a thiazolyl group, a benzothiazolyl group, a morpholino group, the substituent (A), etc. Examples thereof include a saturated or unsaturated heterocyclic group having 3 to 10 (preferably 3 to 6) ring-forming atoms (wherein R 12 to R 23 are as defined above).

1〜R11がそれぞれ独立して示すアリール基、ヘテロ環基の置換基としては、ヒドロキシル基;カルボキシル基;メチル基、エチル基等の直鎖又は分岐状の炭素数1〜18(好ましくは1〜10、より好ましくは1〜5)のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等の直鎖状又は分岐鎖状の炭素数1〜18(好ましくは1〜10、より好ましくは1〜5)のアルコキシ基;直鎖状又は分岐鎖状の炭素数2〜18(好ましくは2〜10、より好ましくは2〜6)のアルケニルオキシ基;直鎖状又は分岐鎖状の炭素数2〜18(好ましくは2〜10、より好ましくは2〜6)のアルケニルチオ基;直鎖状又は分岐鎖状の炭素数1〜18(好ましくは1〜10、より好ましくは1〜5)のアルキルチオ基;ビニル基、アリル基等の直鎖状又は分岐鎖状の炭素数2〜18(好ましくは2〜10、より好ましくは2〜6)のアルケニル基;炭素数5〜18(好ましくは5〜10)のシクロアルケニル基;シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数3〜18(好ましくは3〜10、より好ましくは3〜6)のシクロアルキル基;フェノキシ基等の環形成炭素数6〜10のアリールオキシ基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子;シアノ基;ニトロ基;トリメチルシリル基等のトリアルキルシリル基;トリメトキシシリル基等のトリアルコキシシリル基;−COR12;−OCOR13;−NR1415;−NHCOR16;−NHCOOR17;−CONR1819;−COOR20;−SO3NR2122;−SO323;エポキシ基やテトラヒドロフラニル基等の環形成原子数3〜6の環状エーテル基、2−チエニル基、2−ピリジル基、フリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、モルホリノ基、前記置換基(A)等の飽和もしくは不飽和の環形成原子数3〜10(好ましくは3〜6)のヘテロ環基等が挙げられる(式中、R12〜R23は、前記定義の通りである。)。 Examples of the substituent for the aryl group and heterocyclic group independently represented by R 1 to R 11 include a hydroxyl group; a carboxyl group; a linear or branched C 1-18 (preferably a methyl group, an ethyl group, etc. 1-10, more preferably 1-5) alkyl group; linear or branched C1-C18 such as methoxy group, ethoxy group, propoxy group, etc. (preferably 1-10, more preferably 1-10) 5) an alkoxy group; a linear or branched alkenyloxy group having 2 to 18 (preferably 2 to 10, more preferably 2 to 6) carbon atoms; a linear or branched chain having 2 to 2 carbon atoms 18 (preferably 2 to 10, more preferably 2 to 6) alkenylthio group; linear or branched alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms (preferably 1 to 10, more preferably 1 to 5 carbon atoms) ; Straight of vinyl group, allyl group, etc. Or a branched chain alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms (preferably 2 to 10, more preferably 2 to 6); a cycloalkenyl group having 5 to 18 carbon atoms (preferably 5 to 10); a cyclopropyl group; A cycloalkyl group having 3 to 18 carbon atoms (preferably 3 to 10, more preferably 3 to 6) such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group; an aryloxy group having 6 to 10 ring carbon atoms such as a phenoxy group; a fluorine atom; trialkoxysilyl group such as trimethoxysilyl group; a trialkylsilyl group such as trimethylsilyl group; a cyano group; a nitro group chlorine atom, a bromine atom, a halogen atom such as iodine atom -COR 12; -OCOR 13; -NR 14 R 15; -NHCOR 16; -NHCOOR 17 ; -CONR 18 R 19; -COOR 20; -SO 3 NR 21 R 22; -SO 3 R 23; epoxy Saturation of a cyclic ether group having 3 to 6 ring atoms such as a group or a tetrahydrofuranyl group, a 2-thienyl group, a 2-pyridyl group, a furyl group, a thiazolyl group, a benzothiazolyl group, a morpholino group, or the substituent (A) Alternatively, an unsaturated heterocyclic group having 3 to 10 (preferably 3 to 6) unsaturated ring-forming atoms may be mentioned (wherein R 12 to R 23 are as defined above).

また、Arが示す環形成炭素数6〜14のアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基、アントリル基、クリセニル基、フェナントレニル基、アズレニル基、アセナフチレニル基等が挙げられる。これらの中でも、相溶性又は溶解性の観点及び製造容易性の観点から、環形成炭素数6〜10のアリール基が好ましく、フェニル基がさらに好ましい。Arが示す環形成原子数5〜14のヘテロアリール基としては、例えば2−フラニル基、2−チオフェニル基、2−ピリジニル基等が挙げられる。これらの中でも、相溶性又は溶解性の観点及び製造容易性の観点から、環形成原子数5〜6のへテロアリール基が好ましく、2−フラニル基、2−チオフェニル基がより好ましい。
これらのアリール基及びヘテロアリール基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、前記したR1〜R11がそれぞれ独立して示すアリール基の置換基と同じものが挙げられ、それらの中でも、炭素数1〜18(好ましくは1〜10、より好ましくは1〜5)のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
なお、該置換基がアルキル基又はアルケニル基である場合、Arと共に縮合環を形成していてもよく、例えばフルオレン環、インデン環等を形成していてもよい。
Examples of the aryl group having 6 to 14 ring carbon atoms represented by Ar include a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a chrycenyl group, a phenanthrenyl group, an azulenyl group, and an acenaphthylenyl group. Among these, an aryl group having 6 to 10 ring carbon atoms is preferable and a phenyl group is more preferable from the viewpoints of compatibility or solubility and ease of production. Examples of the heteroaryl group having 5 to 14 ring atoms represented by Ar include a 2-furanyl group, a 2-thiophenyl group, and a 2-pyridinyl group. Among these, a heteroaryl group having 5 to 6 ring atoms is preferable, and a 2-furanyl group and a 2-thiophenyl group are more preferable from the viewpoints of compatibility or solubility and ease of production.
These aryl groups and heteroaryl groups may have a substituent. Examples of the substituent include the same substituents as the aryl group independently represented by R 1 to R 11 described above, and among them, the number of carbon atoms is 1 to 18 (preferably 1 to 10, more preferably The alkyl group of 1-5) is preferable and a methyl group is more preferable.
In addition, when this substituent is an alkyl group or an alkenyl group, it may form a condensed ring with Ar, for example, a fluorene ring, an indene ring, or the like.

Zが表す>NR3’中のR3’は、前述の通り、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基を示すか、又はR3’はR3とつながって、窒素原子と共に環を形成している。
該炭素数1〜20のアルキル基としては、R1〜R11の場合と同じものが挙げられ、好ましいものも同じものが挙げられ、メチル基が特に好ましい。
また、R3’はR3とつながって、窒素原子と共に形成する環の具体例としては、モルホリン環、ピロリジン環、ピペリジン環、ピペコリン環、ピペラジン環などが挙げられる。これらの中でも、モルホリン環が好ましい。
WとZの組み合わせとしては、Wが単結合の場合、Zは酸素原子又は>Nr3’が好ましく、Wが酸素原子の場合、Zは単結合又は酸素原子が好ましい。
Z represents> NR 3 'R 3' in has, as described above, or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or R 3 'is connected to the R 3, ring together with the nitrogen atom Is forming.
As the alkyl group of carbon number 1 to 20, it includes the same ones as in R 1 to R 11, preferably also the same thing can be mentioned those, a methyl group is particularly preferred.
Specific examples of the ring formed by connecting R 3 'to R 3 together with the nitrogen atom include a morpholine ring, a pyrrolidine ring, a piperidine ring, a pipecoline ring, and a piperazine ring. Among these, a morpholine ring is preferable.
As a combination of W and Z, when W is a single bond, Z is preferably an oxygen atom or> Nr 3 ′, and when W is an oxygen atom, Z is preferably a single bond or an oxygen atom.

さらに、一般式(I−a)において、本発明の効果の観点から、(a)R1、R2及びR3が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基であり、nが2であり、複数のR4及びR5が、それぞれ独立に、水素原子又は置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基であり、Arが、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜14のアリール基である光重合開始剤、(b)R1、R2及びR3が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基であり、nが2であり、複数のR4及びR5が、それぞれ独立に、水素原子又は置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基であり、Arが、置換もしくは無置換の環形成炭素数5〜14のヘテロアリール基である光重合開始剤、(c)R1及びR2が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基であり、R3が置換もしくは無置換の炭素数3〜18のシクロアルキル基であり、nが2であり、複数のR4及びR5が、それぞれ独立に、水素原子又は置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基である光重合開始剤、(d)R1及びR2が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基であり、R3が環形成原子数3〜6の環状エーテル基で置換された炭素数1〜20のアルキル基であり、nが2であり、複数のR4及びR5が、それぞれ独立に、水素原子又は置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基である光重合開始剤も好ましい。さらに、感光性樹脂組成物における光重合開始剤の含有量の低減の観点から、上記(a)及び(b)の場合は、分子量が515以下であることが好ましく、500以下であることがより好ましく、上記(c)及び(d)の場合は、分子量が550以下であることが好ましい。
さらに、本発明の効果の観点、及び光重合開始剤の分解物による重合物の汚染や装置の汚染を低減する観点から、上記の好ましい光重合開始剤において、R4〜R11がそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜20のアルキル基であることがより好ましい。なお、各基の好ましいものは、前記した通りである。
以下に、光重合開始剤(I−a)の具体例を示すが、特にこれらに制限されるものではない。
Furthermore, in the general formula (Ia), from the viewpoint of the effect of the present invention, (a) R 1 , R 2 and R 3 are each independently a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. Yes, n is 2, each of R 4 and R 5 is independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and Ar is a substituted or unsubstituted ring. A photopolymerization initiator which is an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, (b) R 1 , R 2 and R 3 are each independently a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and n is A plurality of R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and Ar is a substituted or unsubstituted ring carbon number of 5 to 5; 14 photoinitiators which are 14 heteroaryl groups, (c) R 1 and R 2 is each independently a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, R 3 is a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 18 carbon atoms, n is 2, R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, (d) R 1 and R 2 are each independently substituted Or an unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, R 3 is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms substituted with a cyclic ether group having 3 to 6 ring atoms, and n is 2. A photopolymerization initiator in which a plurality of R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms is also preferred. Furthermore, from the viewpoint of reducing the content of the photopolymerization initiator in the photosensitive resin composition, in the case of (a) and (b) above, the molecular weight is preferably 515 or less, more preferably 500 or less. Preferably, in the cases (c) and (d), the molecular weight is preferably 550 or less.
Furthermore, from the viewpoint of the effect of the present invention and from the viewpoint of reducing contamination of the polymer by the decomposition product of the photopolymerization initiator and contamination of the apparatus, in the preferable photopolymerization initiator, R 4 to R 11 are each independently More preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. In addition, the preferable thing of each group is as above-mentioned.
Specific examples of the photopolymerization initiator (Ia) are shown below, but are not particularly limited thereto.

さらに、一般式(I−b)において、本発明の効果の観点から、(e)R1及びR3が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基であり、Wが酸素原子であり、Zが単結合又は酸素原子であり、Arが、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜14のアリール基である光重合開始剤、(f)R1及びR3が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基であり、R2が、−OCOR13(R13は、前記定義の通りである。)又は−COOR20(R20は、炭素数1〜20のアルキル基又は環形成炭素数6〜14のアリール基を示す。)で表されるエステル基を有する炭素数1〜20のアルキル基であり、Wが酸素原子であり、Zが単結合又は酸素原子であり、Arが、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜14のアリール基である光重合開始剤、(g)R1及びR3が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基であり、Wが単結合であり、Zが>NR3’(R3’は、前記定義のとおりである。)であり、Arが、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜14のアリール基である光重合開始剤、(h)R1及びR3が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基であり、R2が、−OCOR13(R13は、前記定義の通りである。)又は−COOR20(R20は、炭素数1〜20のアルキル基又は環形成炭素数6〜14のアリール基を示す。)で表されるエステル基を有する炭素数1〜20のアルキル基であり、Wが単結合であり、Zが>NR3’(R3’は、前記定義のとおりである。)であり、Arが、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜14のアリール基である光重合開始剤、(i)R1が、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基であり、R3が水素原子であり、Wが単結合であり、Zが酸素原子であり、Arが、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜14のアリール基である光重合開始剤も好ましい。
なお、上記(g)の光重合開始剤においては、>NR3’中のR3’はR3とつながって、窒素原子と共に環を形成しているのも好ましく、モルホリン環を形成しているのがより好ましい。
さらに、本発明の効果の観点、及び光重合開始剤の分解物による重合物の汚染や装置の汚染を低減する観点から、上記の好ましい光重合開始剤において、R4〜R11がそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜20のアルキル基であることがより好ましい。なお、各基の好ましいものは、前記した通りである。
以下に、光重合開始剤(I−b)の具体例を示すが、特にこれらに制限されるものではない。
Furthermore, in general formula (Ib), from the viewpoint of the effect of the present invention, (e) R 1 and R 3 are each independently a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and W Is an oxygen atom, Z is a single bond or an oxygen atom, Ar is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 14 ring carbon atoms, (f) R 1 and R 3 are , Each independently a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and R 2 is —OCOR 13 (R 13 is as defined above) or —COOR 20 (R 20 is An alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 14 ring carbon atoms.) Is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and W is an oxygen atom. Is a single bond or an oxygen atom, and Ar is a substituted or unsubstituted ring Photoinitiator is an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, (g) R 1 and R 3, each independently, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, W represents a single bond And Z is> NR 3 ′ (R 3 ′ is as defined above), and Ar is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 14 ring carbon atoms, (H) R 1 and R 3 are each independently a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and R 2 is —OCOR 13 (R 13 is as defined above.) Or —COOR 20 (R 20 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 14 ring carbon atoms) and an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms having an ester group. , W is a single bond, Z is> NR 3 '(R 3' are as defined above.) There, Ar is, the photoinitiator is a substituted or unsubstituted ring forming aryl group having 6 to 14 carbon atoms, (i) R 1 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, A photopolymerization initiator in which R 3 is a hydrogen atom, W is a single bond, Z is an oxygen atom, and Ar is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 14 ring carbon atoms is also preferable.
In the above photopolymerization initiator (g), R 3 ′ in> NR 3 ′ is preferably connected to R 3 to form a ring with a nitrogen atom, and forms a morpholine ring. Is more preferable.
Furthermore, from the viewpoint of the effect of the present invention and from the viewpoint of reducing contamination of the polymer by the decomposition product of the photopolymerization initiator and contamination of the apparatus, in the preferable photopolymerization initiator, R 4 to R 11 are each independently More preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. In addition, the preferable thing of each group is as above-mentioned.
Specific examples of the photopolymerization initiator (Ib) are shown below, but are not particularly limited thereto.

なお、(A)成分として使用する光重合開始剤としては、前述の通り一般式(I−a)においてn=2であることが好ましく、具体的には下記一般式(I−a1)で表される光重合開始剤が好ましい。
上記式(I−a1)中、R1〜R3、R6〜R11及びArは、前記定義の通りである。R4’及びR5’は、それぞれR4及びR5の定義と同じであり、好ましいものも同じである。
In addition, as a photoinitiator used as (A) component, it is preferable that it is n = 2 in general formula (Ia) as above-mentioned, Specifically, it represents with the following general formula (I-a1). Preferred is a photopolymerization initiator.
In the above formula (I-a1), R 1 to R 3 , R 6 to R 11 and Ar are as defined above. R 4 ′ and R 5 ′ have the same definitions as R 4 and R 5 , respectively, and preferred ones are also the same.

((A)光重合開始剤の製造方法)
(A)成分の光重合開始剤(I)の製造方法に特に制限は無いが、例えば、以下の光重合開始剤(I−a)の製造方法や光重合開始剤(I−b)の製造方法によって容易に製造することができる。
〔1.光重合開始剤(I−a)の製造方法〕
光重合開始剤(I−a)の製造方法に特に制限は無いが、例えば、下記工程1〜工程4によって、容易に製造することができる。
((A) Method for producing photopolymerization initiator)
(A) Although there is no restriction | limiting in particular in the manufacturing method of the photoinitiator (I) of a component, For example, the manufacturing method of the following photoinitiators (Ia) and manufacture of a photoinitiator (Ib) It can be easily manufactured by a method.
[1. Method for producing photopolymerization initiator (Ia)]
Although there is no restriction | limiting in particular in the manufacturing method of a photoinitiator (Ia), For example, it can manufacture easily by the following process 1-process 4.

(工程1)
工程1としては、例えば、前記カルバゾール誘導体(1)とZ(CR45nCOOR3(Zは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子を示す。また、R3、R4及びR5は、前記定義の通りである。)で表されるハロゲン化物とを、塩基の存在下に反応させる工程が挙げられる。該工程により、下記一般式(3a)で表されるカルボニルアルキル基導入体が得られる。
(式中、R3〜R11は、前記定義の通りであり、好ましいものも同じである。)
前記塩基としては、n−ブチルリチウム、t−ブチルリチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられる。反応温度は、通常、好ましくは0〜200℃であり、反応時間は通常、好ましくは2〜100時間である。
(Process 1)
Step 1 includes, for example, the carbazole derivative (1) and Z (CR 4 R 5 ) n COOR 3 (Z represents a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, or an iodine atom. R 3 , R 4 and R 5 are as defined above.) In the presence of a base. By this step, a carbonylalkyl group-introduced product represented by the following general formula (3a) is obtained.
(In the formula, R 3 to R 11 are as defined above, and preferred ones are also the same.)
Examples of the base include n-butyl lithium, t-butyl lithium, sodium hydroxide, potassium hydroxide and the like. The reaction temperature is usually preferably 0 to 200 ° C., and the reaction time is usually preferably 2 to 100 hours.

なお、一般式(I−a)においてn=2の光重合開始剤を製造する場合、工程1は、以下の工程であると製造が容易であり、好ましい。
下記一般式(1)
(式中、R6〜R11は、前記定義の通りであり、好ましいものも同じである。)
で表されるカルバゾール誘導体[以下、カルバゾール誘導体(1)と称する。]と、下記一般式(2a)
In addition, when manufacturing the photoinitiator of n = 2 in general formula (Ia), manufacture is easy and it is preferable that the process 1 is the following processes.
The following general formula (1)
(In the formula, R 6 to R 11 are as defined above, and preferred ones are also the same.)
[Hereinafter referred to as a carbazole derivative (1). And the following general formula (2a)

(式中、R3、R4’及びR5’は、前記定義の通りであり、好ましいものも同じである。)
で表されるアクリレート誘導体[以下、アクリレート誘導体(2a)と称する。]とを塩基の存在下に反応させることにより、下記一般式(3a’)
(In the formula, R 3 , R 4 ′ and R 5 ′ are as defined above, and preferred ones are also the same.)
An acrylate derivative represented by the formula [hereinafter referred to as an acrylate derivative (2a). And in the presence of a base, the following general formula (3a ′)

(式中、R3、R4’、R5’及びR6〜R11は、前記定義の通りであり、好ましいものも同じである。)
で表されるカルボニルアルキル基導入体[以下、カルボニルアルキル基導入体(3a’)と称する。]を得る工程。
以下、n=2の光重合開始剤を製造する場合に好ましいとするこの工程1について、詳細に説明する。
(In the formula, R 3 , R 4 ′, R 5 ′ and R 6 to R 11 are as defined above, and preferred ones are also the same.)
Embedded image [hereinafter referred to as carbonylalkyl group-introduced product (3a ′)]. The process of obtaining.
Hereinafter, this step 1 which is preferable when producing a photopolymerization initiator of n = 2 will be described in detail.

工程1で使用するアクリレート誘導体(2a)の使用量に特に制限は無いが、カルバゾール誘導体(1)1モルに対して、好ましくは0.5〜2モル、より好ましくは0.8〜1.2モルであり、未反応物を低減する観点から、ほぼ等量で反応させることがさらに好ましい。
工程1は、塩基の存在下に実施する。該塩基としては、Michael付加反応に使用し得る塩基であればよく、有機塩基、無機塩基のいずれも用いることができる。有機塩基としては、例えばピリジン、ジアザビシクロウンデセン(DBU)、ジアザビシクロノネン(DBN)等が挙げられる。無機塩基としては、例えば炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩;炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム等のアルカリ土類金属炭酸塩;炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩;水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物;水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸化物等が挙げられる。これらの中でも、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ土類金属炭酸塩が好ましく、アルカリ金属炭酸塩がより好ましく、炭酸カリウムがさらに好ましい。
該塩基の使用量に特に制限は無いが、反応効率及び製造コストの観点から、カルバゾール誘導体(1)1モルに対して、好ましくは0.5〜2モル、より好ましくは0.8〜1.2モルであり、ほぼ等量で使用することがさらに好ましい。
工程1は、溶媒の存在下に実施することが好ましい。該溶媒としては、カルバゾール誘導体(1)、アクリレート誘導体(2a)及び塩基を溶解し得る溶媒を適宜選択すればよい。具体的には、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチスルホキシド(DMSO)、塩化メチレン等が挙げられる。
Although there is no restriction | limiting in particular in the usage-amount of the acrylate derivative (2a) used at the process 1, Preferably it is 0.5-2 mol with respect to 1 mol of carbazole derivatives (1), More preferably, it is 0.8-1.2. From the viewpoint of reducing unreacted substances, it is more preferable to carry out the reaction in substantially equal amounts.
Step 1 is performed in the presence of a base. The base may be any base that can be used for the Michael addition reaction, and any of organic bases and inorganic bases can be used. Examples of the organic base include pyridine, diazabicycloundecene (DBU), diazabicyclononene (DBN), and the like. Examples of the inorganic base include alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate; alkaline earth metal carbonates such as magnesium carbonate and calcium carbonate; alkali metal hydrogen carbonates such as sodium hydrogen carbonate and potassium hydrogen carbonate; sodium hydroxide And alkali metal hydroxides such as potassium hydroxide; alkaline earth metal hydroxides such as magnesium hydroxide and calcium hydroxide. Among these, alkali metal carbonates and alkaline earth metal carbonates are preferable, alkali metal carbonates are more preferable, and potassium carbonate is more preferable.
Although there is no restriction | limiting in particular in the usage-amount of this base, From a viewpoint of reaction efficiency and manufacturing cost, Preferably it is 0.5-2 mol with respect to 1 mol of carbazole derivative (1), More preferably, it is 0.8-1. More preferably, it is 2 moles and is used in an approximately equal amount.
Step 1 is preferably performed in the presence of a solvent. What is necessary is just to select suitably the solvent which can melt | dissolve a carbazole derivative (1), an acrylate derivative (2a), and a base as this solvent. Specific examples include dimethylformamide (DMF), dimethylsulfoxide (DMSO), methylene chloride and the like.

工程1の反応温度に特に制限は無いが、通常、好ましくは10〜50℃、より好ましくは15〜40℃、さらに好ましくは15〜30℃で実施する。反応時間は、カルバゾール誘導体(1)、アクリレート誘導体(2a)及び塩基の種類や使用量並びに反応温度等によっても異なるが、通常、2時間〜48時間程度である。
工程1の実施形態に特に制限は無く、例えばカルバゾール誘導体(1)、アクリレート誘導体(2a)及び塩基を全て溶媒中に添加し、好ましくは前記温度で攪拌することにより、カルボニルアルキル基導入体(3a’)を得ることができる。
Although there is no restriction | limiting in particular in the reaction temperature of the process 1, Usually, it is preferably 10-50 degreeC, More preferably, it is 15-40 degreeC, More preferably, it implements at 15-30 degreeC. The reaction time varies depending on the kind and amount of the carbazole derivative (1), acrylate derivative (2a) and base, the reaction temperature, etc., but is usually about 2 to 48 hours.
The embodiment of Step 1 is not particularly limited, and for example, all of the carbazole derivative (1), the acrylate derivative (2a) and the base are added to a solvent, and preferably stirred at the above temperature to thereby introduce the carbonylalkyl group-introduced compound (3a ') Can get.

反応終了後、得られた反応混合液から、抽出等の通常の有機化合物の分離手段によって、カルボニルアルキル基導入体(3a)や(3a’)を得ることができる。適宜、蒸留、カラムクロマトグラフィー、再結晶等の、通常の有機化合物の精製手段によって精製することにより、カルボニルアルキル基導入体(3a)や(3a’)の純度を高めることもできる。   After the completion of the reaction, the carbonylalkyl group-introduced product (3a) or (3a ′) can be obtained from the resulting reaction mixture by an ordinary organic compound separation means such as extraction. The purity of the carbonylalkyl group-introduced product (3a) or (3a ′) can also be increased by appropriately purifying by a usual organic compound purification means such as distillation, column chromatography, recrystallization and the like.

以下、前記工程1で得られるカルボニルアルキル基導入体(3a)又は(3a’)を用いた工程2〜4について説明するが、便宜上、n=2に相当するカルボニルアルキル基導入体(3a’)については省略して記載する。
(工程2)
工程2は、工程1で得られたカルボニルアルキル基導入体(3a)と下記一般式(4)、(5)
(式中、Xは、ハロゲン原子又は−OC(=O)Arを示し、X’は、ハロゲン原子又は−OC(=O)R2を示す。Ar及びR2は、前記定義の通りであり、好ましいものも同じである。)
で表される2つのアシル化剤[以下、それぞれアシル化剤(4)、アシル化剤(5)と称する。]とをルイス酸の存在下に反応させることにより、下記一般式(6a)
Hereinafter, Steps 2 to 4 using the carbonylalkyl group-introduced body (3a) or (3a ′) obtained in Step 1 will be described. For convenience, the carbonylalkyl group-introduced body (3a ′) corresponding to n = 2 is described. Will be omitted.
(Process 2)
In step 2, the carbonylalkyl group-introduced product (3a) obtained in step 1 and the following general formulas (4) and (5)
(In the formula, X represents a halogen atom or —OC (═O) Ar, and X ′ represents a halogen atom or —OC (═O) R 2. Ar and R 2 are as defined above. The preferred one is also the same.)
These are referred to as acylating agent (4) and acylating agent (5), respectively. In the presence of a Lewis acid, the following general formula (6a)

(式中、R2〜R11及びArは、前記定義の通りであり、好ましいものも同じである。)
で表されるジケトン体[以下、ジケトン体(6a)と称する。]を得る工程である。
(Wherein R 2 to R 11 and Ar are as defined above, and preferred ones are also the same).
[Hereinafter referred to as a diketone body (6a). ] Is a step of obtaining.

上記式中、X、X’がそれぞれ独立に示すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、塩素原子が好ましい。
工程2において、カルボニルアルキル基導入体(3a)と、アシル化剤(4)及び(5)との反応は、目的とするジケトン体(6a)の収率の観点から、カルボニルアルキル基導入体(3a)とアシル化剤(4)とを反応させた後、次いでアシル化剤(5)を反応させることが好ましい。
アシル化剤(4)及び(5)の使用量は、カルボニルアルキル基導入体(3a)にそれぞれのアシル基を1つずつ導入する観点から、カルボニルアルキル基導入体(3a)1モルに対して、それぞれ好ましくは0.8〜1.3モル、より好ましくは1〜1.3モルであり、未反応物を低減する観点から、ほぼ等量で反応させることがさらに好ましい。特に、カルボニルアルキル基導入体(3a)とアシル化剤(4)とを反応させた後、次いでアシル化剤(5)を反応させる場合には、アシル化剤(5)の使用量は、前記範囲を超えても何ら問題ないが、あまり過剰であってもそれに見合う収率が得られるわけではなく、いたずらに生産コストがかさむことになり得る。
工程2は、ルイス酸の存在下に実施する。ルイス酸としては、塩化アルミニウム、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体が好ましい。ルイス酸の使用量は、ジケトン体(6a)の収率の観点から、アシル化剤(4)又は(5)1モルに対して、通常、好ましくは0.8〜2.5モル、より好ましくは1〜2モルである。
In the above formula, examples of the halogen atom independently represented by X and X ′ include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a chlorine atom is preferred.
In step 2, the reaction of the carbonylalkyl group-introduced product (3a) with the acylating agents (4) and (5) is carried out from the viewpoint of the yield of the desired diketone product (6a). It is preferable to react the acylating agent (5) after reacting 3a) with the acylating agent (4).
The amount of the acylating agents (4) and (5) used is from the viewpoint of introducing one acyl group into the carbonylalkyl group-introduced product (3a), and 1 mole of the carbonylalkyl group-introduced product (3a). These are preferably 0.8 to 1.3 mol, more preferably 1 to 1.3 mol, respectively, and from the viewpoint of reducing unreacted substances, it is more preferable to carry out the reaction in substantially equal amounts. In particular, when the carbonyl alkyl group-introduced product (3a) and the acylating agent (4) are reacted and then the acylating agent (5) is reacted, the amount of the acylating agent (5) used is as described above. If it exceeds the range, there is no problem, but if it is too much, a yield corresponding to it will not be obtained, and the production cost may be unnecessarily high.
Step 2 is performed in the presence of a Lewis acid. As the Lewis acid, aluminum chloride and boron trifluoride diethyl ether complex are preferable. From the viewpoint of the yield of the diketone body (6a), the amount of Lewis acid used is usually preferably 0.8 to 2.5 moles, more preferably 1 mole per acylating agent (4) or (5). Is 1-2 mol.

工程2は、溶媒の存在下に実施することが好ましい。該溶媒としては、通常のFriedel−Craftsアシル化反応に使用し得る溶媒であれば特に制限は無い。具体的には、ジクロロメタン、ニトロベンゼン、アセトン、アセトニトリル等が挙げられる。
工程2の反応温度は、反応開始時は−50〜5℃(好ましくは−10〜5℃)とし、反応が進行するにしたがって、徐々に室温(15〜25℃程度)へ戻すことが好ましい。反応時間は、カルボニルアルキル基導入体(3a)、アシル化剤(4)及び(5)の種類及び使用量、並びに反応温度によっても異なるが、通常、好ましくは1〜30時間である。なお、アシル化剤(4)及び(5)の両方がハロゲン化アシル又は酸無水物である場合、カルボニルアルキル基導入体(3a)とアシル化剤(4)とを反応させた後、生成物を単離することなく引き続きアシル化剤(5)と反応させることもできる。その場合、カルボニルアルキル基導入体(3a)とアシル化剤(4)との反応時間は、30分〜5時間程度(好ましくは30分〜3時間)とし、一方、カルボニルアルキル基導入体(3a)とアシル化剤(5)との反応時間を、30分〜24時間程度(好ましくは30分〜18時間)と長めに設けて十分に反応させることが好ましい。
Step 2 is preferably performed in the presence of a solvent. The solvent is not particularly limited as long as it is a solvent that can be used in a normal Friedel-Crafts acylation reaction. Specific examples include dichloromethane, nitrobenzene, acetone, acetonitrile and the like.
The reaction temperature in step 2 is preferably −50 to 5 ° C. (preferably −10 to 5 ° C.) at the start of the reaction, and gradually returned to room temperature (about 15 to 25 ° C.) as the reaction proceeds. The reaction time varies depending on the type and amount of the carbonylalkyl group-introduced product (3a), acylating agents (4) and (5), and the reaction temperature, but it is usually preferably 1 to 30 hours. When both of the acylating agents (4) and (5) are acyl halides or acid anhydrides, the product is obtained after reacting the carbonylalkyl group-introduced product (3a) with the acylating agent (4). Can be subsequently reacted with the acylating agent (5) without isolation. In that case, the reaction time of the carbonylalkyl group-introduced product (3a) and the acylating agent (4) is about 30 minutes to 5 hours (preferably 30 minutes to 3 hours), while the carbonylalkyl group-introduced product (3a ) And the acylating agent (5) are preferably provided with a long reaction time of about 30 minutes to 24 hours (preferably 30 minutes to 18 hours) for sufficient reaction.

収率の観点から、工程2の好ましい実施形態を以下に2通り説明する。
[1]氷浴で冷却しながらカルボニルアルキル基導入体(3a)及びアシル化剤(4)を適宜溶媒中で混合し、その混合溶液へルイス酸をゆっくり(好ましくは5分〜1時間、より好ましくは10分〜40分かけて)添加し、添加終了後、室温へ戻して一定時間(30分〜5時間程度)攪拌を続ける。好ましくは、抽出及び洗浄等の通常の有機化合物の分離手段を行うことによって、一旦、生成物を分離取得する。
こうして得られた生成物を適宜溶媒に溶解し、氷浴で冷却しながらアシル化剤(5)を添加し、そこへルイス酸をゆっくり(好ましくは5分〜1時間、より好ましくは10分〜40分かけて)添加し、添加終了後、室温へ戻して一定時間(30分〜24時間程度)攪拌を続けることにより、ジケトン体(6a)を得ることができる。
[2]氷浴で冷却しながらカルボニルアルキル基導入体(3a)を適宜溶媒と混合してから、ルイス酸をゆっくり(好ましくは5分〜1時間、より好ましくは10分〜40分かけて)添加し、得られた混合溶液へアシル化剤(4)をゆっくり(好ましくは5分〜1時間、より好ましくは10分〜40分かけて)添加した後、室温へ戻して一定時間(30分〜5時間程度)攪拌を続ける。再び氷浴で冷却しながらルイス酸をゆっくり(好ましくは5分〜1時間、より好ましくは10分〜40分かけて)添加し、得られた混合溶液へアシル化剤(5)をゆっくり(好ましくは5分〜1時間、より好ましくは10分〜40分かけて)添加した後、室温へ戻して一定時間以上(好ましくは30分〜24時間程度)攪拌を続けることにより、ジケトン体(6a)を得ることができる。
なお、反応終了後、得られた反応混合液から、抽出等の通常の有機化合物の分離手段によって、ジケトン体(6a)を得ることができる。適宜、蒸留、カラムクロマトグラフィー、再結晶等の、通常の有機化合物の精製手段によって精製することにより、ジケトン体(6a)の純度を高めることもできる。
From the viewpoint of yield, two preferred embodiments of step 2 are described below.
[1] The carbonylalkyl group-introduced product (3a) and the acylating agent (4) are appropriately mixed in a solvent while cooling in an ice bath, and the Lewis acid is slowly added to the mixed solution (preferably 5 minutes to 1 hour, more (Preferably over 10 to 40 minutes), and after the addition is completed, the temperature is returned to room temperature and stirring is continued for a certain time (about 30 to 5 hours). Preferably, the product is once separated and obtained by performing usual organic compound separation means such as extraction and washing.
The product thus obtained is appropriately dissolved in a solvent, the acylating agent (5) is added while cooling in an ice bath, and the Lewis acid is slowly added thereto (preferably 5 minutes to 1 hour, more preferably 10 minutes to (Over 40 minutes), and after completion of the addition, the mixture is returned to room temperature and stirred for a certain time (about 30 minutes to 24 hours) to obtain the diketone body (6a).
[2] The carbonyl alkyl group-introduced product (3a) is appropriately mixed with a solvent while cooling in an ice bath, and then the Lewis acid is slowly added (preferably 5 minutes to 1 hour, more preferably 10 minutes to 40 minutes). The acylating agent (4) is added slowly (preferably over 5 minutes to 1 hour, more preferably over 10 minutes to 40 minutes) to the resulting mixed solution, and then returned to room temperature for a certain time (30 minutes). Continue stirring for ~ 5 hours. The Lewis acid is added slowly (preferably over 5 minutes to 1 hour, more preferably over 10 minutes to 40 minutes) while cooling in an ice bath again, and the acylating agent (5) is added slowly (preferably over 10 minutes to 40 minutes). Is added for 5 minutes to 1 hour, more preferably over 10 minutes to 40 minutes, and then returned to room temperature and continued to be stirred for a predetermined time or longer (preferably about 30 minutes to 24 hours) to thereby obtain a diketone product (6a). Can be obtained.
In addition, after completion | finish of reaction, diketone body (6a) can be obtained from the obtained reaction liquid mixture by the isolation | separation means of normal organic compounds, such as extraction. The purity of the diketone body (6a) can also be increased by appropriately purifying by a usual means for purifying organic compounds such as distillation, column chromatography, recrystallization and the like.

(工程3)
工程3は、工程2で得られたジケトン体(6a)とヒドロキシルアミンを反応させることにより、下記一般式(7a)
(式中、R2〜R11及びArは、前記定義の通りであり、好ましいものも同じである。)
で表されるオキシム体[以下、オキシム体(7a)と称する。]を得る工程である。
(Process 3)
Step 3 is a reaction of the diketone body (6a) obtained in Step 2 with hydroxylamine to give the following general formula (7a).
(Wherein R 2 to R 11 and Ar are as defined above, and preferred ones are also the same).
[Hereinafter referred to as the oxime body (7a). ] Is a step of obtaining.

工程3においては、ヒドロキシルアミン供給源としては、特に制限されるものではないが、塩化ヒドロキシルアミンが好ましい。該塩化ヒドロキシルアミンは、例えば水中で酢酸ナトリウム、等と反応させることにより、ヒドロキシルアミンの水溶液を得ることができる。
ヒドロキシルアミン(塩化ヒドロキシルアミン)の使用量は、ジケトン体(6a)1モルに対して、好ましくは0.8〜2モル、より好ましくは1〜1.5モル、さらに好ましくは1〜1.3モルであり、未反応物を低減する観点から、ほぼ等量で反応させることがさらに好ましい。
工程3は、溶媒の存在下に実施することが好ましい。溶媒としては、水溶性有機溶媒が好ましく、該水溶性有機溶媒としては、例えばメタノール、エタノール等のアルコール類、ジメチルホルムアミド(DMF)等が好ましい。
In step 3, the hydroxylamine source is not particularly limited, but hydroxylamine chloride is preferred. The hydroxylamine chloride can be reacted with, for example, sodium acetate in water to obtain an aqueous solution of hydroxylamine.
The amount of hydroxylamine (hydroxylamine chloride) to be used is preferably 0.8 to 2 mol, more preferably 1 to 1.5 mol, and still more preferably 1 to 1.3 mol, per 1 mol of the diketone body (6a). From the viewpoint of reducing unreacted substances, it is more preferable to carry out the reaction in substantially equal amounts.
Step 3 is preferably performed in the presence of a solvent. As the solvent, a water-soluble organic solvent is preferable, and as the water-soluble organic solvent, for example, alcohols such as methanol and ethanol, dimethylformamide (DMF) and the like are preferable.

工程3の反応温度に特に制限は無いが、オキシム体(7a)の収率の観点からは、通常、好ましくは40〜160℃、より好ましくは50〜140℃、さらに好ましくは70〜110℃である。反応時間は、ジケトン体(6a)の種類及び使用量、並びに反応温度によっても異なるが、通常、好ましくは2〜20時間、より好ましくは4〜12時間である。
工程3の実施形態に特に制限は無く、例えば、塩化ヒドロキシルアミンと酢酸ナトリウムを水中で混合してヒドロキシルアミンの水溶液を得ておき、そこへジケトン体(6a)及び溶媒を添加して、好ましくは前記温度範囲で攪拌することにより、オキシム体(7a)を得ることができる。
反応終了後、得られた反応混合液から、抽出等の通常の有機化合物の分離手段によって、オキシム体(7a)を得ることができる。適宜、蒸留、カラムクロマトグラフィー、再結晶等の、通常の有機化合物の精製手段によって精製することにより、オキシム体(7a)の純度を高めることもできる。
Although there is no restriction | limiting in particular in the reaction temperature of the process 3, From a viewpoint of the yield of an oxime body (7a), Usually, Preferably it is 40-160 degreeC, More preferably, it is 50-140 degreeC, More preferably, it is 70-110 degreeC. is there. Although reaction time changes also with the kind and usage-amount of diketone body (6a), and reaction temperature, Usually, it is preferably 2 to 20 hours, More preferably, it is 4 to 12 hours.
There is no particular limitation on the embodiment of step 3. For example, hydroxylamine chloride and sodium acetate are mixed in water to obtain an aqueous solution of hydroxylamine, and a diketone (6a) and a solvent are added thereto, preferably An oxime body (7a) can be obtained by stirring in the said temperature range.
After completion of the reaction, the oxime body (7a) can be obtained from the resulting reaction mixture by an ordinary organic compound separation means such as extraction. The purity of the oxime body (7a) can also be increased by appropriately purifying by a usual means for purifying organic compounds such as distillation, column chromatography, recrystallization and the like.

(工程4)
工程4は、工程3で得られたオキシム体(7a)と下記一般式(8)
(式中、Yは、ハロゲン原子又は−OC(=O)R1を示す。R1は、前記定義の通りであり、好ましいものも同じである。)
で表されるエステル化剤[以下、エステル化剤(8)と称する。]とを反応させることにより、下記一般式(I−a)
(Process 4)
Step 4 includes the oxime (7a) obtained in Step 3 and the following general formula (8):
(In the formula, Y represents a halogen atom or —OC (═O) R 1. R 1 is as defined above, and preferred ones are also the same.)
The esterifying agent represented by the formula [hereinafter referred to as esterifying agent (8). And the following general formula (Ia):

(式中、R1〜R11及びArは、前記定義の通りである。)
で表される光重合開始剤[以下、光重合開始剤(I−a)と称する。]を得る工程である。
(Wherein R 1 to R 11 and Ar are as defined above.)
[Hereinafter referred to as photopolymerization initiator (Ia). ] Is a step of obtaining.

上記式中、Yが示すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、塩素原子が好ましい。
工程4で使用するエステル化剤(8)の使用量に特に制限は無いが、オキシム体(7a)1モルに対して、好ましくは0.5〜2モル、より好ましくは0.8〜1.2モルであり、未反応物を低減する観点から、ほぼ等量で反応させることがさらに好ましい。
工程4は、反応を促進するために、塩基の存在下に実施してもよい。塩基としては、有機塩基や無機塩基が挙げられる。有機塩基としては、例えばトリエチルアミン、トリブチルアミン等のアミン類;ピリジン等の含窒素複素環式芳香族化合物等が挙げられる。無機塩基としては、例えば炭酸ナトリウム等のアルカリ金属炭酸塩;炭酸マグネシウム等のアルカリ土類金属炭酸塩;水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物;水酸化マグネシウム等のアルカリ土類金属水酸化物等が挙げられる。これらの中でも、有機塩基が好ましく、アミン類、含窒素複素環式芳香族化合物がより好ましく、反応効率及び製造コストの観点から、トリエチルアミン、ピリジンがさらに好ましい。
塩基を使用する場合、その使用量は、光重合開始剤(I−a)の収率及び製造コストの観点から、オキシム体(7a)1モルに対して、好ましくは1〜5モル、より好ましくは1.5〜3モルである。
In the above formula, examples of the halogen atom represented by Y include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a chlorine atom is preferable.
Although there is no restriction | limiting in particular in the usage-amount of the esterifying agent (8) used at the process 4, Preferably it is 0.5-2 mol with respect to 1 mol of oxime bodies (7a), More preferably, 0.8-1. From the viewpoint of reducing unreacted substances, it is more preferable to carry out the reaction in substantially the same amount.
Step 4 may be performed in the presence of a base to promote the reaction. Examples of the base include organic bases and inorganic bases. Examples of the organic base include amines such as triethylamine and tributylamine; nitrogen-containing heterocyclic aromatic compounds such as pyridine. Examples of the inorganic base include alkali metal carbonates such as sodium carbonate; alkaline earth metal carbonates such as magnesium carbonate; alkali metal hydroxides such as sodium hydroxide; alkaline earth metal hydroxides such as magnesium hydroxide Is mentioned. Among these, organic bases are preferable, amines and nitrogen-containing heterocyclic aromatic compounds are more preferable, and triethylamine and pyridine are more preferable from the viewpoint of reaction efficiency and production cost.
When a base is used, the amount used is preferably from 1 to 5 mol, more preferably from 1 mol of the oxime (7a), from the viewpoint of the yield of the photopolymerization initiator (Ia) and the production cost. Is 1.5-3 mol.

工程4は、溶媒の存在下に実施することが好ましい。溶媒としては、t−ブチルメチルエーテル、エチルメチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン(THF)等のエーテル類が好ましく挙げられる。
工程4の反応温度は、反応開始時は−50〜5℃(好ましくは−10〜5℃)とし、反応が進行するにしたがって、徐々に室温(15〜25℃程度)へ戻すことが好ましい。反応時間は、オキシム体(7a)、エステル化剤(8)の種類及び使用量、並びに反応温度によっても異なるが、通常、好ましくは0.5〜10時間、より好ましくは1〜5時間である。
工程4の実施形態に特に制限は無く、例えばオキシム体(7a)及びエステル化剤(8)を適宜溶媒中で混合し、そこへ塩基を滴下し、滴下終了後、反応液の温度を徐々に室温へ戻して攪拌を続けることにより、光重合開始剤(I−a)を得ることができる。
反応終了後、得られた反応混合液から、抽出等の通常の有機化合物の分離手段によって、光重合開始剤(I−a)を得ることができる。適宜、蒸留、カラムクロマトグラフィー、再結晶等の、通常の有機化合物の精製手段によって精製することにより、光重合開始剤(I−a)の純度を高めることもできる。
Step 4 is preferably performed in the presence of a solvent. Preferred examples of the solvent include ethers such as t-butyl methyl ether, ethyl methyl ether, cyclopentyl methyl ether, and tetrahydrofuran (THF).
The reaction temperature in step 4 is preferably −50 to 5 ° C. (preferably −10 to 5 ° C.) at the start of the reaction, and gradually returned to room temperature (about 15 to 25 ° C.) as the reaction proceeds. The reaction time varies depending on the type and amount of the oxime (7a) and esterifying agent (8), and the reaction temperature, but is usually preferably 0.5 to 10 hours, more preferably 1 to 5 hours. .
There is no restriction | limiting in particular in embodiment of process 4, For example, an oxime body (7a) and esterifying agent (8) are mixed in a solvent suitably, a base is dripped there, and the temperature of a reaction liquid is gradually made to drop after completion | finish of dripping. The photopolymerization initiator (Ia) can be obtained by returning to room temperature and continuing stirring.
After the completion of the reaction, the photopolymerization initiator (Ia) can be obtained from the resulting reaction mixture by an ordinary organic compound separation means such as extraction. The purity of the photopolymerization initiator (Ia) can also be increased by appropriately purifying by a usual organic compound purification means such as distillation, column chromatography, recrystallization and the like.

こうして得られる光重合開始剤(I−a)は、カルバゾール骨格中の窒素原子に、エステル基を含有する特殊な置換基が付いている。そのため、感光性樹脂組成物中の重合性反応基を1つ以上有する化合物(特に(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物)との相溶性又は重合性反応基を1つ以上有する化合物への溶解性が高くなっているものと推測する。そのため、感光性樹脂組成物の光に対する感度や、解像度及び深部硬化性が高くなると考えられる。さらに、該組成物は基板との密着性が良好である一方、硬化後にはテンプレートからの剥離性に優れる。
なお、該光重合開始剤(I−a)は、露光時の光により発生する分解物による重合物の汚染や装置の汚染が無い。
In the photopolymerization initiator (Ia) thus obtained, a special substituent containing an ester group is attached to the nitrogen atom in the carbazole skeleton. Therefore, compatibility with a compound having at least one polymerizable reactive group in the photosensitive resin composition (particularly a compound having a (meth) acryloyloxy group) or solubility in a compound having at least one polymerizable reactive group. I guess that is high. Therefore, it is thought that the sensitivity to light of the photosensitive resin composition, resolution, and deep part curability are increased. Furthermore, the composition has good adhesion to the substrate, but is excellent in peelability from the template after curing.
In addition, this photoinitiator (Ia) does not have the contamination of the polymer by the decomposition product generated with the light at the time of exposure, and contamination of an apparatus.

〔2.光重合開始剤(I−b)の製造方法〕
光重合開始剤(I−b)の製造方法に特に制限は無いが、例えば、下記工程1〜工程4によって、容易に製造することができる。
[2. Method for producing photopolymerization initiator (Ib)]
Although there is no restriction | limiting in particular in the manufacturing method of a photoinitiator (Ib), For example, it can manufacture easily by the following process 1-process 4.

(工程1)
工程1は、W及びZによって製造方法が異なるため、以下に場合分けして説明する。
<Wが単結合であり、Zが>NR3’である場合>
下記一般式(1)
(式中、R6〜R11は、前記定義の通りであり、好ましいものも同じである。)
で表されるカルバゾール誘導体[以下、カルバゾール誘導体(1)と称する。]と、下記一般式(2b)
(Process 1)
Since the manufacturing method of Step 1 is different depending on W and Z, each case will be described below.
<When W is a single bond and Z is> NR 3 '>
The following general formula (1)
(In the formula, R 6 to R 11 are as defined above, and preferred ones are also the same.)
[Hereinafter referred to as a carbazole derivative (1). And the following general formula (2b)

(式中、R3、R3’、R4及びR5は、前記定義の通りであり、好ましいものも同じである。)
で表されるアクリルアミド誘導体[以下、アクリルアミド誘導体(2b)と称する。]とを塩基の存在下に反応させることにより、下記一般式(3b)
(In the formula, R 3 , R 3 ′, R 4 and R 5 are as defined above, and preferred ones are also the same.)
[Hereinafter referred to as acrylamide derivative (2b). And in the presence of a base, the following general formula (3b)

(式中、R3、R3’、R4〜R11は、前記定義の通りであり、好ましいものも同じである。)
で表されるアミド基導入体[以下、アミド基導入体(3b)と称する。]を得る工程である。
(In the formula, R 3 , R 3 ′ and R 4 to R 11 are as defined above, and preferred ones are also the same.)
[In the following, it is referred to as an amide group introduced product (3b). ] Is a step of obtaining.

工程1で使用するアクリルアミド誘導体(2b)の使用量に特に制限は無いが、カルバゾール誘導体(1)1モルに対して、好ましくは0.5〜2モル、より好ましくは0.8〜1.2モルであり、未反応物を低減する観点から、ほぼ等量で反応させることがさらに好ましい。
工程1は、塩基の存在下に実施する。該塩基としては、Michael付加反応に使用し得る塩基を用いることができ、特に制限は無く、有機塩基、無機塩基のいずれも用いることができる。有機塩基としては、例えばピリジン、ジアザビシクロウンデセン(DBU)、ジアザビシクロノネン(DBN)等が挙げられ、求核性の低い塩基が好ましく、DBU、DBNがより好ましい。無機塩基としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩;炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム等のアルカリ土類金属炭酸塩;炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩;水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物;水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸化物等が挙げられる。これらの中でも、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ土類金属炭酸塩が好ましく、アルカリ金属炭酸塩がより好ましく、炭酸カリウムがさらに好ましい。
該塩基の使用量に特に制限は無いが、反応効率及び製造コストの観点から、カルバゾール誘導体(1)1モルに対して、好ましくは0.5〜2モル、より好ましくは0.8〜1.2モルであり、ほぼ等量で使用することがさらに好ましい。
工程1は、溶媒の存在下に実施することが好ましい。該溶媒としては、カルバゾール誘導体(1)、アクリルアミド誘導体(2b)及び塩基を溶解し得る溶媒を適宜選択すればよい。具体的には、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチスルホキシド(DMSO)、塩化メチレン等が挙げられる。
Although there is no restriction | limiting in particular in the usage-amount of the acrylamide derivative (2b) used at the process 1, Preferably it is 0.5-2 mol with respect to 1 mol of carbazole derivatives (1), More preferably, it is 0.8-1.2. From the viewpoint of reducing unreacted substances, it is more preferable to carry out the reaction in substantially equal amounts.
Step 1 is performed in the presence of a base. As the base, a base that can be used for the Michael addition reaction can be used, and there is no particular limitation, and either an organic base or an inorganic base can be used. Examples of the organic base include pyridine, diazabicycloundecene (DBU), diazabicyclononene (DBN), and the like. Bases with low nucleophilicity are preferable, and DBU and DBN are more preferable. Examples of the inorganic base include alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate; alkaline earth metal carbonates such as magnesium carbonate and calcium carbonate; alkali metal hydrogen carbonates such as sodium hydrogen carbonate and potassium hydrogen carbonate; Examples include alkali metal hydroxides such as sodium and potassium hydroxide; alkaline earth metal hydroxides such as magnesium hydroxide and calcium hydroxide. Among these, alkali metal carbonates and alkaline earth metal carbonates are preferable, alkali metal carbonates are more preferable, and potassium carbonate is more preferable.
Although there is no restriction | limiting in particular in the usage-amount of this base, From a viewpoint of reaction efficiency and manufacturing cost, Preferably it is 0.5-2 mol with respect to 1 mol of carbazole derivative (1), More preferably, it is 0.8-1. More preferably, it is 2 moles and is used in an approximately equal amount.
Step 1 is preferably performed in the presence of a solvent. What is necessary is just to select suitably the solvent which can melt | dissolve a carbazole derivative (1), an acrylamide derivative (2b), and a base as this solvent. Specific examples include dimethylformamide (DMF), dimethylsulfoxide (DMSO), methylene chloride and the like.

工程1の反応温度に特に制限は無いが、通常、好ましくは10〜50℃、より好ましくは15〜40℃、さらに好ましくは15〜30℃で実施する。反応圧力に特に制限は無いが、1気圧、つまり常圧下に実施することが好ましい。反応時間は、カルバゾール誘導体(1)、アクリルアミド誘導体(2b)及び塩基の種類や使用量並びに反応温度や反応圧力等によっても異なるが、通常、好ましくは2時間〜48時間程度である。
工程1の実施形態に特に制限は無く、例えばカルバゾール誘導体(1)、アクリルアミド誘導体(2b)及び塩基を全て溶媒中に添加し、好ましくは前記温度で攪拌することにより、アミド基導入体(3b)を製造することができる。
反応終了後、得られた反応混合液から、抽出等の通常の有機化合物の分離手段によって、アミド基導入体(3b)を得ることができる。適宜、蒸留、カラムクロマトグラフィー、再結晶等の、通常の有機化合物の精製手段によって精製することにより、アミド基導入体(3b)の純度を高めることもできる。
Although there is no restriction | limiting in particular in the reaction temperature of the process 1, Usually, it is preferably 10-50 degreeC, More preferably, it is 15-40 degreeC, More preferably, it implements at 15-30 degreeC. Although there is no restriction | limiting in particular in the reaction pressure, Implementing under 1 atmosphere, ie, a normal pressure, is preferable. The reaction time varies depending on the type and amount of the carbazole derivative (1), acrylamide derivative (2b) and base, reaction temperature, reaction pressure, etc., but it is usually preferably about 2 to 48 hours.
There is no restriction | limiting in particular in embodiment of process 1, For example, carbazole derivative (1), acrylamide derivative (2b), and a base are all added to a solvent, Preferably it is stirred at the said temperature, Amide group introduction body (3b) Can be manufactured.
After the completion of the reaction, the amide group-introduced product (3b) can be obtained from the resulting reaction mixture by an ordinary organic compound separation means such as extraction. The purity of the amide group-introduced product (3b) can also be increased by appropriately purifying by a usual organic compound purification means such as distillation, column chromatography, recrystallization and the like.

−別法−
アミド基導入体(3b)の製造には、次の方法を採用することもできる。
前記カルバゾール誘導体(1)と下記一般式(2b’)
(式中、R4及びR5は前記定義の通りである。R24は、炭素数1〜5のアルキル基を示す。)
で表されるカルボン酸基導入剤[以下、カルボン酸基導入剤(2b’)と称する。]とを塩基の存在下に反応(第1反応)させて得られる下記一般式
(式中、R4〜R11は、前記定義の通りであり、好ましいものも同じである。)
で表されるカルボン酸基含有カルバゾール誘導体を、例えば塩化チオニルの存在下にHNR33’(R3及びR3’は、前記定義の通りであり、好ましいものも同じである。)で表されるアミンと反応(第2反応)させることにより、アミド基導入体(3b)を得る方法である。該アミド基導入体(3b)としては、市販品を用いることもできる。
なお、R24が示す炭素数1〜5のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基が好ましい。
-Alternative method-
The following method can also be adopted for the production of the amide group-introduced product (3b).
The carbazole derivative (1) and the following general formula (2b ′)
(In the formula, R 4 and R 5 are as defined above. R 24 represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.)
[Hereinafter referred to as a carboxylic acid group introducing agent (2b ′). ] In the presence of a base (first reaction)
(In the formula, R 4 to R 11 are as defined above, and preferred ones are also the same.)
In the presence of thionyl chloride, for example, HNR 3 R 3 ′ (R 3 and R 3 ′ are as defined above, and preferred ones are also the same). This is a method for obtaining an amide group-introduced product (3b) by reacting with the amine to be reacted (second reaction). A commercial item can also be used as this amide group introduction | transduction body (3b).
As the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms represented by R 24, a methyl group, an ethyl group, n- propyl group, an isopropyl group, n- butyl group, an isobutyl group, a t- butyl group and the like can be mentioned. Among these, a methyl group and an ethyl group are preferable.

前記第1反応で使用する塩基としては特に制限は無く、有機塩基、無機塩基のいずれも用いることができる。有機塩基としては、例えばピリジン、ジアザビシクロウンデセン(DBU)、ジアザビシクロノネン(DBN)等が挙げられ、求核性の低い塩基が好ましく、DBU、DBNがより好ましい。無機塩基としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩;炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム等のアルカリ土類金属炭酸塩;炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩;水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物;水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸化物等が挙げられる。これらの中でも、塩基としては、無機塩基が好ましく、アルカリ金属水酸化物がより好ましい。
該塩基の使用量に特に制限は無いが、反応効率及び製造コストの観点から、カルバゾール誘導体(1)1モルに対して、好ましくは0.5〜2モル、より好ましくは0.8〜1.2モルであり、ほぼ等量で使用することがさらに好ましい。
第1反応は、溶媒の存在下に実施することが好ましい。溶媒としては、カルバゾール誘導体(1)、カルボン酸基導入剤(2b’)及び前記塩基を溶解し得る溶媒を適宜選択すればよい。具体的には、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチスルホキシド(DMSO)、塩化メチレン等が挙げられ、DMFが好ましい。
There is no restriction | limiting in particular as a base used by said 1st reaction, Both an organic base and an inorganic base can be used. Examples of the organic base include pyridine, diazabicycloundecene (DBU), diazabicyclononene (DBN), and the like. Bases with low nucleophilicity are preferable, and DBU and DBN are more preferable. Examples of the inorganic base include alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate; alkaline earth metal carbonates such as magnesium carbonate and calcium carbonate; alkali metal hydrogen carbonates such as sodium hydrogen carbonate and potassium hydrogen carbonate; Examples include alkali metal hydroxides such as sodium and potassium hydroxide; alkaline earth metal hydroxides such as magnesium hydroxide and calcium hydroxide. Among these, as the base, an inorganic base is preferable, and an alkali metal hydroxide is more preferable.
Although there is no restriction | limiting in particular in the usage-amount of this base, From a viewpoint of reaction efficiency and manufacturing cost, Preferably it is 0.5-2 mol with respect to 1 mol of carbazole derivative (1), More preferably, it is 0.8-1. More preferably, it is 2 moles and is used in an approximately equal amount.
The first reaction is preferably carried out in the presence of a solvent. What is necessary is just to select suitably the solvent which can melt | dissolve a carbazole derivative (1), a carboxylic acid group introduction | transduction agent (2b '), and the said base as a solvent. Specific examples include dimethylformamide (DMF), dimethylsulfoxide (DMSO), methylene chloride and the like, and DMF is preferred.

第1反応の反応温度に特に制限は無いが、通常、好ましくは10〜50℃、より好ましくは15〜40℃、さらに好ましくは15〜30℃で実施する。第1反応の反応圧力に特に制限は無いが、1気圧、つまり常圧下に実施することが好ましい。反応時間は、カルバゾール誘導体(1)及び塩基の種類や使用量、及びカルボン酸基導入剤(2b’)の使用量並びに反応温度及び反応圧力等によっても異なるが、通常、好ましくは2時間〜48時間程度である。
第1反応の実施形態に特に制限は無く、例えばカルバゾール誘導体(1)、カルボン酸基導入剤(2b’)及び塩基を全て溶媒中に添加し、好ましくは前記温度で攪拌することにより、カルボン酸基含有カルバゾール誘導体を製造することができる。
第1反応終了後、抽出等の通常の有機化合物の分離手段によって、前記カルボン酸基含有カルバゾール誘導体を得ることができる。適宜、蒸留、カラムクロマトグラフィー、再結晶等の、通常の有機化合物の精製手段によって精製することにより、該カルボン酸基含有カルバゾール誘導体の純度を高めることもできる。
Although there is no restriction | limiting in particular in the reaction temperature of 1st reaction, Preferably it is 10-50 degreeC, More preferably, it is 15-40 degreeC, More preferably, it implements at 15-30 degreeC. Although there is no restriction | limiting in particular in the reaction pressure of a 1st reaction, Implementing under 1 atmosphere, ie, a normal pressure, is preferable. The reaction time varies depending on the type and amount of the carbazole derivative (1) and base, the amount of the carboxylic acid group introducing agent (2b ′), the reaction temperature, the reaction pressure, and the like, but it is usually preferably 2 hours to 48 hours. It is about time.
There is no particular limitation on the embodiment of the first reaction. For example, the carbazole derivative (1), the carboxylic acid group introducing agent (2b ′) and the base are all added to the solvent, and preferably stirred at the above temperature to obtain the carboxylic acid. A group-containing carbazole derivative can be produced.
After completion of the first reaction, the carboxylic acid group-containing carbazole derivative can be obtained by an ordinary organic compound separation means such as extraction. The purity of the carboxylic acid group-containing carbazole derivative can be increased by appropriately purifying by a usual organic compound purification means such as distillation, column chromatography, recrystallization and the like.

第2反応で使用する塩化チオニルの使用量は、第1反応で使用するカルバゾール誘導体(1)1モルに対して、好ましくは1〜10モル程度使用すればよく、より好ましくは2〜5モル程度である。
第2反応で使用するHNR33’で表されるアミンの使用量は、第1反応で使用するカルバゾール誘導体(1)1モルに対して、好ましくは1〜10モル程度使用すればよく、より好ましくは2〜7モル程度である。
第2反応は、溶媒の存在下に実施することが好ましい。溶媒としては、前記カルボン酸基含有カルバゾール誘導体、前記アミンを溶解し得る溶媒であれば特に制限は無い。例えば、ジクロロメタン、ニトロベンゼン、アセトン、アセトニトリル等が挙げられ、アセトニトリルが好ましい。
The amount of thionyl chloride used in the second reaction is preferably about 1 to 10 mol, more preferably about 2 to 5 mol, per 1 mol of the carbazole derivative (1) used in the first reaction. It is.
The amount of the amine represented by HNR 3 R 3 ′ used in the second reaction is preferably about 1 to 10 mol per 1 mol of the carbazole derivative (1) used in the first reaction, More preferably, it is about 2-7 mol.
The second reaction is preferably carried out in the presence of a solvent. The solvent is not particularly limited as long as it is a solvent capable of dissolving the carboxylic acid group-containing carbazole derivative and the amine. For example, dichloromethane, nitrobenzene, acetone, acetonitrile and the like can be mentioned, and acetonitrile is preferable.

第2反応の反応温度に特に制限は無いが、通常、好ましくは10〜50℃、より好ましくは15〜40℃、さらに好ましくは15〜30℃で実施する。第2反応の反応圧力に特に制限は無いが、1気圧、つまり常圧下に実施することが好ましい。反応時間は、前記カルボン酸基含有カルバゾール誘導体、前記アミン及び塩基の種類や使用量並びに反応温度及び反応圧力等によっても異なるが、通常、好ましくは1時間〜10時間程度である。
第2反応の実施形態に特に制限は無いが、例えば前記カルボン酸基含有カルバゾール誘導体と前記アミンとを溶媒中に添加し、そこへ塩化チオニルを滴下し、滴下終了後、好ましくは前記温度で攪拌することにより、アミド基導入体(3b)を製造することができる。
反応終了後、得られた反応混合液から、抽出等の通常の有機化合物の分離手段によって、アミド基導入体(3b)を得ることができる。適宜、蒸留、カラムクロマトグラフィー、再結晶等の、通常の有機化合物の精製手段によって精製することにより、アミド基導入体(3b)の純度を高めることもできる。
Although there is no restriction | limiting in particular in the reaction temperature of 2nd reaction, Preferably it is 10-50 degreeC, More preferably, it is 15-40 degreeC, More preferably, it implements at 15-30 degreeC. Although there is no restriction | limiting in particular in the reaction pressure of a 2nd reaction, Implementing under 1 atmosphere, ie, a normal pressure, is preferable. The reaction time varies depending on the type and amount of the carboxylic acid group-containing carbazole derivative, amine and base, reaction temperature, reaction pressure, and the like, but is usually preferably about 1 hour to 10 hours.
The embodiment of the second reaction is not particularly limited. For example, the carboxylic acid group-containing carbazole derivative and the amine are added to a solvent, and thionyl chloride is added dropwise thereto. After completion of the addition, stirring is preferably performed at the temperature. By doing so, an amide group-introduced product (3b) can be produced.
After the completion of the reaction, the amide group-introduced product (3b) can be obtained from the resulting reaction mixture by an ordinary organic compound separation means such as extraction. The purity of the amide group-introduced product (3b) can also be increased by appropriately purifying by a usual organic compound purification means such as distillation, column chromatography, recrystallization and the like.

<Wが酸素原子であり、Zが単結合である場合>
前記カルバゾール誘導体(1)と炭酸エチレンを塩基の存在下に反応(第1反応)させて得られる、下記一般式
<When W is an oxygen atom and Z is a single bond>
The following general formula obtained by reacting the carbazole derivative (1) with ethylene carbonate in the presence of a base (first reaction).

(式中、R6〜R11は、前記定義の通りであり、好ましいものも同じである。) (In the formula, R 6 to R 11 are as defined above, and preferred ones are also the same.)

で表されるヒドロキシル基含有カルバゾール誘導体を、塩基の存在下にR3COY(R3は、前記定義の通りであり、好ましいものも同じである。また、Yは、ハロゲン原子を示す。)で表されるアシルハライドと反応(第2反応)させることにより、下記一般式(3b’)
(式中、R3〜R11は、前記定義の通りであり、好ましいものも同じである。)
で表されるエステル基導入体[以下、エステル基導入体(3b’)と称する。]を得る方法が好ましい。
In the presence of a base, the hydroxyl group-containing carbazole derivative is R 3 COY (where R 3 is as defined above, and the preferred one is also the same. Y represents a halogen atom). By reacting with the acyl halide represented (second reaction), the following general formula (3b ′)
(In the formula, R 3 to R 11 are as defined above, and preferred ones are also the same.)
An ester group-introduced body represented by the formula [hereinafter referred to as an ester group-introduced body (3b ′). ] Is preferable.

前記第1反応で使用する炭酸エチレンの使用量は、カルバゾール誘導体(1)1モルに対して、好ましくは0.7〜15モル、より好ましくは1〜10モルである。
第1反応で使用する塩基としては、有機塩基が好ましく、例えばトリエチルアミン、トリブチルアミン等のアミン類;ピリジン等の含窒素複素環式芳香族化合物等が挙げられる。これらの中でも、アミン類が好ましく、トリエチルアミンがより好ましい。該塩基の使用量に特に制限は無いが、反応効率及び製造コストの観点から、カルバゾール誘導体(1)1モルに対して、好ましくは0.5〜2モル、より好ましくは0.8〜1.2モルであり、ほぼ等量で使用することがさらに好ましい。
第1反応は、溶媒の存在下に実施することが好ましい。溶媒としては、カルバゾール誘導体(1)や炭酸エチレン、並びに前記塩基を溶解し得る溶媒を適宜選択すればよい。具体的には、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチスルホキシド(DMSO)、塩化メチレン等が挙げられ、DMFが好ましい。
The amount of ethylene carbonate used in the first reaction is preferably 0.7 to 15 mol, more preferably 1 to 10 mol, relative to 1 mol of the carbazole derivative (1).
The base used in the first reaction is preferably an organic base, and examples thereof include amines such as triethylamine and tributylamine; nitrogen-containing heterocyclic aromatic compounds such as pyridine. Among these, amines are preferable, and triethylamine is more preferable. Although there is no restriction | limiting in particular in the usage-amount of this base, From a viewpoint of reaction efficiency and manufacturing cost, Preferably it is 0.5-2 mol with respect to 1 mol of carbazole derivative (1), More preferably, it is 0.8-1. More preferably, it is 2 moles and is used in an approximately equal amount.
The first reaction is preferably carried out in the presence of a solvent. What is necessary is just to select suitably the solvent which can melt | dissolve a carbazole derivative (1), ethylene carbonate, and the said base as a solvent. Specific examples include dimethylformamide (DMF), dimethylsulfoxide (DMSO), methylene chloride and the like, and DMF is preferred.

第1反応の反応温度に特に制限は無いが、通常、好ましくは60〜130℃、より好ましくは80〜120℃、さらに好ましくは90〜110℃で実施する。第1反応の反応圧力に特に制限は無いが、1気圧、つまり常圧下に実施することが好ましい。反応時間は、カルバゾール誘導体(1)及び塩基の種類や使用量、炭酸エチレンの使用量、並びに反応温度及び反応圧力等によっても異なるが、通常、好ましくは1時間〜10時間程度である。
第1反応の実施形態に特に制限は無く、例えばカルバゾール誘導体(1)、炭酸エチレン及び塩基を全て溶媒中に添加し、好ましくは前記温度で攪拌することにより、前記ヒドロキシル基含有カルバゾール誘導体を製造することができる。
第1反応終了後、得られた反応混合液から、抽出等の通常の有機化合物の分離手段によって、前記ヒドロキシル基含有カルバゾール誘導体を得ることができる。適宜、蒸留、カラムクロマトグラフィー、再結晶等の、通常の有機化合物の精製手段によって精製することにより、該ヒドロキシル基含有カルバゾール誘導体の純度を高めることもできる。
Although there is no restriction | limiting in particular in the reaction temperature of 1st reaction, Usually, it is preferably 60-130 degreeC, More preferably, it is 80-120 degreeC, More preferably, it implements at 90-110 degreeC. Although there is no restriction | limiting in particular in the reaction pressure of a 1st reaction, Implementing under 1 atmosphere, ie, a normal pressure, is preferable. The reaction time varies depending on the type and amount of the carbazole derivative (1) and base, the amount of ethylene carbonate used, the reaction temperature, the reaction pressure, and the like, but is usually preferably about 1 hour to 10 hours.
The embodiment of the first reaction is not particularly limited, and for example, the carbazole derivative (1), ethylene carbonate and base are all added to a solvent, and preferably stirred at the temperature to produce the hydroxyl group-containing carbazole derivative. be able to.
After the completion of the first reaction, the hydroxyl group-containing carbazole derivative can be obtained from the obtained reaction mixture by an ordinary organic compound separation means such as extraction. The purity of the hydroxyl group-containing carbazole derivative can also be increased by appropriately purifying by a usual organic compound purification means such as distillation, column chromatography, recrystallization and the like.

第2反応で使用するR3COYで表されるアシルハライドとしては、アシルクロリド、アシルヨージド等が挙げられ、アシルクロリドが好ましい。
該アシルハライドの使用量は、第1反応で使用するカルバゾール誘導体(1)1モルに対して、好ましくは0.7〜3モル程度、より好ましくは1〜2モルであり、ほぼ等量で使用することがさらに好ましい。
第2反応で使用する塩基としては、例えばトリエチルアミン、トリブチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン等のアミン類が好ましい。塩基の使用量は、前記アシルハライド1モルに対して、好ましくは0.7〜3モル程度、より好ましくは1〜2モルであり、ほぼ等量で使用することがさらに好ましい。
第2反応は、溶媒の存在下に実施することが好ましい。溶媒としては、通常のアシル化反応に使用し得る溶媒を使用でき、反応を阻害しない限り特に制限は無い。具体的には、ジクロロメタン、ニトロベンゼン、アセトン、アセトニトリル等が挙げられ、アセトニトリルが好ましい。
Examples of the acyl halide represented by R 3 COY used in the second reaction include acyl chloride and acyl iodide, and acyl chloride is preferred.
The amount of the acyl halide used is preferably about 0.7 to 3 moles, more preferably 1 to 2 moles per mole of the carbazole derivative (1) used in the first reaction. More preferably.
As the base used in the second reaction, for example, amines such as triethylamine, tributylamine and diisopropylethylamine are preferable. The amount of the base used is preferably about 0.7 to 3 mol, more preferably 1 to 2 mol, more preferably about 1 to 2 mol, relative to 1 mol of the acyl halide.
The second reaction is preferably carried out in the presence of a solvent. As the solvent, a solvent that can be used in a usual acylation reaction can be used, and there is no particular limitation as long as the reaction is not inhibited. Specific examples include dichloromethane, nitrobenzene, acetone, acetonitrile and the like, and acetonitrile is preferred.

第2反応の反応温度に特に制限は無いが、通常、好ましくは10〜50℃、より好ましくは15〜40℃、さらに好ましくは15〜30℃で実施する。第2反応の反応圧力に特に制限は無いが、1気圧、つまり常圧下に実施することが好ましい。反応時間は、前記ヒドロキシル基含有カルバゾール誘導体、前記アシルハライド及び塩基の種類や使用量並びに反応温度及び反応圧力等によっても異なるが、通常、好ましくは1時間〜10時間程度である。
第2反応の実施形態に特に制限は無いが、例えば前記ヒドロキシル基含有カルバゾール誘導体と前記アシルハライドと塩基とを全て溶媒中に添加し、好ましくは前記温度で攪拌することにより、エステル基導入体(3b’)を製造することができる。
反応終了後、得られた反応混合液から、抽出等の通常の有機化合物の分離手段によって、エステル基導入体(3b’)を得ることができる。適宜、蒸留、カラムクロマトグラフィー、再結晶等の、通常の有機化合物の精製手段によって精製することにより、エステル基導入体(3b’)の純度を高めることもできる。
Although there is no restriction | limiting in particular in the reaction temperature of 2nd reaction, Preferably it is 10-50 degreeC, More preferably, it is 15-40 degreeC, More preferably, it implements at 15-30 degreeC. Although there is no restriction | limiting in particular in the reaction pressure of a 2nd reaction, Implementing under 1 atmosphere, ie, a normal pressure, is preferable. The reaction time varies depending on the types and amounts of the hydroxyl group-containing carbazole derivative, acyl halide and base, reaction temperature, reaction pressure, and the like, but is usually preferably about 1 hour to 10 hours.
The embodiment of the second reaction is not particularly limited. For example, the hydroxyl group-containing carbazole derivative, the acyl halide, and the base are all added to a solvent, and preferably stirred at the temperature, thereby introducing an ester group-introduced product ( 3b ′) can be produced.
After completion of the reaction, an ester group-introduced product (3b ′) can be obtained from the resulting reaction mixture by a usual organic compound separation means such as extraction. The purity of the ester group-introduced product (3b ′) can also be increased by appropriately purifying by a usual organic compound purification means such as distillation, column chromatography, recrystallization and the like.

(工程2)
工程2は、工程1で得られたアミド基導入体(3b)又はエステル基導入体(3b’)[以下、便宜上、これらをまとめて、官能基導入体(3b)と称する。]と、下記一般式(4)、(5)
(式中、Xは、ハロゲン原子又は−OC(=O)Arを示し、X’は、ハロゲン原子又は−OC(=O)R2を示す。Ar及びR2は、前記定義の通りであり、好ましいものも同じである。)
で表される2つのアシル化剤[以下、それぞれアシル化剤(4)、アシル化剤(5)と称する。]とをルイス酸の存在下に反応させることにより、下記一般式(6b)
(Process 2)
In step 2, the amide group introduced product (3b) or ester group introduced product (3b ′) obtained in step 1 [hereinafter, these are collectively referred to as a functional group introduced product (3b) for convenience. ] And the following general formulas (4) and (5)
(In the formula, X represents a halogen atom or —OC (═O) Ar, and X ′ represents a halogen atom or —OC (═O) R 2. Ar and R 2 are as defined above. The preferred one is also the same.)
These are referred to as acylating agent (4) and acylating agent (5), respectively. In the presence of a Lewis acid, the following general formula (6b)

(式中、R2〜R11、Ar、W及びZは、前記定義の通りであり、好ましいものも同じである。)
で表されるジケトン体[以下、ジケトン体(6b)と称する。]を得る工程である。
(In the formula, R 2 to R 11 , Ar, W and Z are as defined above, and preferred ones are also the same.)
[Hereinafter referred to as a diketone body (6b). ] Is a step of obtaining.

上記式中、X、X’がそれぞれ独立に示すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、塩素原子が好ましい。
工程2において、官能基導入体(3b)と、アシル化剤(4)及び(5)との反応は、目的とするジケトン体(6b)の収率の観点から、官能基導入体(3b)とアシル化剤(4)とを反応させた後、次いでアシル化剤(5)を反応させることが好ましい。
アシル化剤(4)及び(5)の使用量は、官能基導入体(3b)にそれぞれのアシル基を1つずつ導入する観点から、官能基導入体(3b)1モルに対して、それぞれ好ましくは0.8〜1.3モル、より好ましくは1〜1.3モルであり、未反応物を低減する観点から、ほぼ等量で反応させることがさらに好ましい。特に、官能基導入体(3b)とアシル化剤(4)とを反応させた後、次いでアシル化剤(5)を反応させる場合には、アシル化剤(5)の使用量は、前記範囲を超えても何ら問題ないが、あまり過剰であってもそれに見合う収率が得られるわけではなく、いたずらに生産コストがかさむことになり得る。
工程2は、ルイス酸の存在下に実施する。ルイス酸としては、塩化アルミニウム、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体が好ましい。ルイス酸の使用量は、ジケトン体(6b)の収率の観点から、アシル化剤(4)又は(5)1モルに対して、通常、好ましくは0.8〜2.5モル、より好ましくは1〜2モルである。
In the above formula, examples of the halogen atom independently represented by X and X ′ include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a chlorine atom is preferred.
In step 2, the reaction between the functional group-introduced product (3b) and the acylating agents (4) and (5) is performed in terms of the yield of the desired diketone product (6b). It is preferable to react the acylating agent (5) with the acylating agent (4).
The amount of the acylating agent (4) and (5) used is from the viewpoint of introducing each acyl group into the functional group-introduced body (3b) one by one with respect to 1 mol of the functional group-introduced body (3b). Preferably it is 0.8-1.3 mol, More preferably, it is 1-1.3 mol, and it is still more preferable to make it react in a substantially equal amount from a viewpoint of reducing an unreacted substance. In particular, when the functional group-introduced product (3b) and the acylating agent (4) are reacted, and then the acylating agent (5) is reacted, the amount of the acylating agent (5) used is within the above range. There is no problem if the amount exceeds the limit, but even if the amount is excessively large, the yield corresponding to that is not obtained, and the production cost may be unnecessarily high.
Step 2 is performed in the presence of a Lewis acid. As the Lewis acid, aluminum chloride and boron trifluoride diethyl ether complex are preferable. The amount of Lewis acid used is usually preferably from 0.8 to 2.5 mol, more preferably from 1 mol of the acylating agent (4) or (5) from the viewpoint of the yield of the diketone body (6b). Is 1-2 mol.

工程2は、溶媒の存在下に実施することが好ましい。該溶媒としては、通常のFriedel−Craftsアシル化反応に使用し得る溶媒であれば特に制限は無い。具体的には、ジクロロメタン、ニトロベンゼン、アセトン、アセトニトリル等が挙げられる。
工程2の反応温度は、反応開始時は−50〜5℃(好ましくは−10〜5℃)とし、反応が進行するにしたがって、徐々に室温(15〜25℃程度)へ戻すことが好ましい。反応時間は、官能基導入体(3b)、アシル化剤(4)及び(5)の種類及び使用量、並びに反応温度によっても異なるが、通常、好ましくは1〜30時間である。なお、アシル化剤(4)及び(5)の両方がハロゲン化アシル又は酸無水物である場合、官能基導入体(3b)とアシル化剤(4)とを反応させた後、生成物を単離することなく引き続きアシル化剤(5)と反応させることもできる。その場合、官能基導入体(3b)とアシル化剤(4)との反応時間は、30分〜5時間程度(好ましくは30分〜3時間)とし、一方、官能基導入体(3b)とアシル化剤(5)との反応時間を、30分〜24時間程度(好ましくは30分〜18時間)と長めに設けて十分に反応させることが好ましい。
Step 2 is preferably performed in the presence of a solvent. The solvent is not particularly limited as long as it is a solvent that can be used in a normal Friedel-Crafts acylation reaction. Specific examples include dichloromethane, nitrobenzene, acetone, acetonitrile and the like.
The reaction temperature in step 2 is preferably −50 to 5 ° C. (preferably −10 to 5 ° C.) at the start of the reaction, and gradually returned to room temperature (about 15 to 25 ° C.) as the reaction proceeds. The reaction time varies depending on the type and amount of the functional group-introduced product (3b), acylating agents (4) and (5), and the reaction temperature, but is usually preferably 1 to 30 hours. When both of the acylating agents (4) and (5) are acyl halides or acid anhydrides, after reacting the functional group-introducing body (3b) with the acylating agent (4), the product is It can also be reacted with the acylating agent (5) without isolation. In that case, the reaction time of the functional group-introduced body (3b) and the acylating agent (4) is about 30 minutes to 5 hours (preferably 30 minutes to 3 hours), while the functional group-introduced body (3b) and It is preferable that the reaction time with the acylating agent (5) is sufficiently long to be about 30 minutes to 24 hours (preferably 30 minutes to 18 hours) for sufficient reaction.

収率の観点から、工程2の好ましい実施形態の1つを説明する。例えば、氷浴で冷却しながら官能基導入体(3b)を適宜溶媒と混合し、その混合溶液へルイス酸をゆっくり(好ましくは5分〜1時間、より好ましくは10分〜40分かけて)添加し、添加終了後、アシル化剤(4)をゆっくり(好ましくは5分〜1時間、より好ましくは10分〜40分かけて)添加し、室温へ戻して一定時間(30分〜5時間程度)攪拌を続ける。再び、氷浴で冷却しながらアシル化剤(5)を添加し、そこへルイス酸をゆっくり(好ましくは5分〜1時間、より好ましくは10分〜40分かけて)添加し、添加終了後、室温へ戻して一定時間(30分〜24時間程度)攪拌を続けることにより、ジケトン体(6b)を得ることができる。
反応終了後、得られた反応混合液から、抽出等の通常の有機化合物の分離手段によって、ジケトン体(6b)を得ることができる。適宜、蒸留、カラムクロマトグラフィー、再結晶等の、通常の有機化合物の精製手段によって精製することにより、ジケトン体(6b)の純度を高めることもできる。
From the viewpoint of yield, one preferred embodiment of step 2 will be described. For example, the functional group-introducing body (3b) is appropriately mixed with a solvent while cooling in an ice bath, and the Lewis acid is slowly added to the mixed solution (preferably 5 minutes to 1 hour, more preferably 10 minutes to 40 minutes). After the addition, the acylating agent (4) is added slowly (preferably over 5 minutes to 1 hour, more preferably over 10 minutes to 40 minutes), and returned to room temperature for a certain time (30 minutes to 5 hours) Degree) Continue stirring. Again, the acylating agent (5) is added while cooling in an ice bath, and the Lewis acid is slowly added thereto (preferably over 5 minutes to 1 hour, more preferably over 10 minutes to 40 minutes). The diketone body (6b) can be obtained by returning to room temperature and continuing stirring for a certain period of time (about 30 minutes to 24 hours).
After completion of the reaction, the diketone body (6b) can be obtained from the resulting reaction mixture by an ordinary organic compound separation means such as extraction. The purity of the diketone body (6b) can also be increased by appropriately purifying by a usual organic compound purification means such as distillation, column chromatography, recrystallization and the like.

(工程3)
工程3は、工程2で得られたジケトン体(6b)とヒドロキシルアミンを反応させることにより、下記一般式(7b)
(式中、R2〜R11、Ar、W及びZは、前記定義の通りであり、好ましいものも同じである。)
で表されるオキシム体[以下、オキシム体(7b)と称する。]を得る工程である。
(Process 3)
Step 3 is a reaction of the diketone body (6b) obtained in Step 2 with hydroxylamine to give the following general formula (7b):
(In the formula, R 2 to R 11 , Ar, W and Z are as defined above, and preferred ones are also the same.)
[Hereinafter referred to as the oxime body (7b). ] Is a step of obtaining.

工程3においては、ヒドロキシルアミン供給源としては、特に制限されるものではないが、塩化ヒドロキシルアミンが好ましい。該塩化ヒドロキシルアミンは、例えば水中で酢酸ナトリウム、等と反応させることにより、ヒドロキシルアミンの水溶液を得ることができる。
ヒドロキシルアミン(塩化ヒドロキシルアミン)の使用量は、ジケトン体(6b)1モルに対して、好ましくは0.8〜2モル、より好ましくは1〜1.5モル、さらに好ましくは1〜1.3モルであり、未反応物を低減する観点から、ほぼ等量で反応させることがさらに好ましい。
工程3は、溶媒の存在下に実施することが好ましい。溶媒としては、水溶性有機溶媒が好ましく、該水溶性有機溶媒としては、例えばメタノール、エタノール等のアルコール類、ジメチルホルムアミド(DMF)等が好ましい。
In step 3, the hydroxylamine source is not particularly limited, but hydroxylamine chloride is preferred. The hydroxylamine chloride can be reacted with, for example, sodium acetate in water to obtain an aqueous solution of hydroxylamine.
The amount of hydroxylamine (hydroxylamine chloride) to be used is preferably 0.8 to 2 mol, more preferably 1 to 1.5 mol, and still more preferably 1 to 1.3 mol, per 1 mol of the diketone body (6b). From the viewpoint of reducing unreacted substances, it is more preferable to carry out the reaction in substantially equal amounts.
Step 3 is preferably performed in the presence of a solvent. As the solvent, a water-soluble organic solvent is preferable, and as the water-soluble organic solvent, for example, alcohols such as methanol and ethanol, dimethylformamide (DMF) and the like are preferable.

工程3の反応温度に特に制限は無いが、オキシム体(7b)の収率の観点からは、通常、好ましくは40〜160℃、より好ましくは50〜140℃、さらに好ましくは70〜110℃である。反応時間は、ジケトン体(6b)の種類及び使用量、並びに反応温度によっても異なるが、通常、好ましくは0.5〜20時間、より好ましくは1〜12時間である。
工程3の実施形態に特に制限は無く、例えば、塩化ヒドロキシルアミンと酢酸ナトリウムを水中で混合してヒドロキシルアミンの水溶液を得ておき、そこへジケトン体(6b)及び溶媒を添加して、好ましくは前記温度範囲で攪拌することにより、オキシム体(7b)を得ることができる。
反応終了後、得られた反応混合液から、抽出等の通常の有機化合物の分離手段によって、オキシム体(7b)を得ることができる。適宜、蒸留、カラムクロマトグラフィー、再結晶等の、通常の有機化合物の精製手段によって精製することにより、オキシム体(7b)の純度を高めることもできる。
Although there is no restriction | limiting in particular in the reaction temperature of the process 3, From a viewpoint of the yield of an oxime body (7b), Usually, Preferably it is 40-160 degreeC, More preferably, it is 50-140 degreeC, More preferably, it is 70-110 degreeC. is there. Although reaction time changes also with the kind and usage-amount of diketone body (6b), and reaction temperature, Usually, it is preferably 0.5 to 20 hours, More preferably, it is 1 to 12 hours.
There is no particular limitation on the embodiment of Step 3. For example, hydroxylamine chloride and sodium acetate are mixed in water to obtain an aqueous solution of hydroxylamine, and a diketone (6b) and a solvent are added thereto, preferably An oxime body (7b) can be obtained by stirring in the said temperature range.
After completion of the reaction, the oxime body (7b) can be obtained from the resulting reaction mixture by an ordinary organic compound separation means such as extraction. The purity of the oxime body (7b) can also be increased by appropriately purifying by a usual means for purifying organic compounds such as distillation, column chromatography, recrystallization and the like.

(工程4)
工程4は、工程3で得られたオキシム体(7b)と下記一般式(8)
(式中、Yは、ハロゲン原子又は−OC(=O)R1を示す。R1は、前記定義の通りであり、好ましいものも同じである。)
で表されるエステル化剤[以下、エステル化剤(8)と称する。]とを反応させることにより、下記一般式(I−b)
(Process 4)
Step 4 includes the oxime body (7b) obtained in Step 3 and the following general formula (8):
(In the formula, Y represents a halogen atom or —OC (═O) R 1. R 1 is as defined above, and preferred ones are also the same.)
The esterifying agent represented by the formula [hereinafter referred to as esterifying agent (8). And the following general formula (Ib):

(式中、R1〜R11、Ar、W及びZは、前記定義の通りである。)
で表される光重合開始剤[以下、光重合開始剤(I−b)と称する。]を得る工程である。
(Wherein R 1 to R 11 , Ar, W and Z are as defined above.)
Photopolymerization initiator represented by the formula [hereinafter referred to as photopolymerization initiator (Ib). ] Is a step of obtaining.

上記式中、Yが示すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、塩素原子が好ましい。
工程4で使用するエステル化剤(8)の使用量に特に制限は無いが、オキシム体(7b)1モルに対して、好ましくは0.5〜2モル、より好ましくは0.8〜1.2モルであり、未反応物を低減する観点から、ほぼ等量で反応させることがさらに好ましい。
工程4は、反応を促進するために、塩基の存在下に実施してもよい。塩基としては、有機塩基や無機塩基が挙げられる。有機塩基としては、例えばトリエチルアミン、トリブチルアミン等のアミン類;ピリジン等の含窒素複素環式芳香族化合物等が挙げられる。無機塩基としては、例えば炭酸ナトリウム等のアルカリ金属炭酸塩;炭酸マグネシウム等のアルカリ土類金属炭酸塩;水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物;水酸化マグネシウム等のアルカリ土類金属水酸化物等が挙げられる。これらの中でも、有機塩基が好ましく、アミン類、含窒素複素環式芳香族化合物がより好ましく、反応効率及び製造コストの観点から、トリエチルアミン、ピリジンがさらに好ましい。
工程4にて塩基を使用する場合、その使用量は、光重合開始剤(I−b)の収率及び製造コストの観点から、オキシム体(7b)1モルに対して、好ましくは1〜5モル、より好ましくは1.5〜3モルである。
In the above formula, examples of the halogen atom represented by Y include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a chlorine atom is preferable.
Although there is no restriction | limiting in particular in the usage-amount of the esterifying agent (8) used at the process 4, Preferably it is 0.5-2 mol with respect to 1 mol of oxime bodies (7b), More preferably, it is 0.8-1. From the viewpoint of reducing unreacted substances, it is more preferable to carry out the reaction in substantially the same amount.
Step 4 may be performed in the presence of a base to promote the reaction. Examples of the base include organic bases and inorganic bases. Examples of the organic base include amines such as triethylamine and tributylamine; nitrogen-containing heterocyclic aromatic compounds such as pyridine. Examples of the inorganic base include alkali metal carbonates such as sodium carbonate; alkaline earth metal carbonates such as magnesium carbonate; alkali metal hydroxides such as sodium hydroxide; alkaline earth metal hydroxides such as magnesium hydroxide Is mentioned. Among these, organic bases are preferable, amines and nitrogen-containing heterocyclic aromatic compounds are more preferable, and triethylamine and pyridine are more preferable from the viewpoint of reaction efficiency and production cost.
When using a base in Step 4, the amount used is preferably 1 to 5 with respect to 1 mol of the oxime (7b) from the viewpoint of the yield of the photopolymerization initiator (Ib) and the production cost. Mol, more preferably 1.5 to 3 mol.

工程4は、溶媒の存在下に実施することが好ましい。溶媒としては、t−ブチルメチルエーテル、エチルメチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン(THF)等のエーテル類が好ましく挙げられる。
工程4の反応温度は、反応開始時は−50〜5℃(好ましくは−10〜5℃)とし、反応が進行するにしたがって、徐々に室温(15〜25℃程度)へ戻すことが好ましい。反応時間は、オキシム体(7b)、エステル化剤(8)の種類及び使用量、並びに反応温度によっても異なるが、通常、好ましくは0.5〜10時間、より好ましくは1〜5時間である。
工程4の実施形態に特に制限は無く、例えばオキシム体(7b)及びエステル化剤(8)を適宜溶媒中で混合し、そこへ塩基を滴下し、滴下終了後、反応液の温度を徐々に室温へ戻して攪拌を続けることにより、光重合開始剤(I−b)を得ることができる。
反応終了後、得られた反応混合液から、抽出等の通常の有機化合物の分離手段によって、光重合開始剤(I−b)を得ることができる。適宜、蒸留、カラムクロマトグラフィー、再結晶等の、通常の有機化合物の精製手段によって精製することにより、光重合開始剤(I−b)の純度を高めることもできる。
Step 4 is preferably performed in the presence of a solvent. Preferred examples of the solvent include ethers such as t-butyl methyl ether, ethyl methyl ether, cyclopentyl methyl ether, and tetrahydrofuran (THF).
The reaction temperature in step 4 is preferably −50 to 5 ° C. (preferably −10 to 5 ° C.) at the start of the reaction, and gradually returned to room temperature (about 15 to 25 ° C.) as the reaction proceeds. The reaction time varies depending on the type and amount of the oxime (7b) and esterifying agent (8), and the reaction temperature, but is usually preferably 0.5 to 10 hours, more preferably 1 to 5 hours. .
There is no restriction | limiting in particular in embodiment of process 4, For example, an oxime body (7b) and an esterifying agent (8) are mixed in a solvent suitably, a base is dripped there, and the temperature of a reaction liquid is gradually made to drop after completion | finish of dripping. By returning to room temperature and continuing stirring, the photopolymerization initiator (Ib) can be obtained.
After the completion of the reaction, the photopolymerization initiator (Ib) can be obtained from the resulting reaction mixture by an ordinary organic compound separation means such as extraction. The purity of the photopolymerization initiator (Ib) can also be increased by appropriately purifying by a usual organic compound purification means such as distillation, column chromatography, recrystallization and the like.

こうして得られる光重合開始剤(I−b)は、カルバゾール骨格中の窒素原子に、エステル基又はアミド結合(若しくは環を形成したアミド結合)を含有する特殊な置換基が付いている。そのため、感光性樹脂組成物中の重合性反応基を1つ以上有する化合物(特に(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物)との相溶性又は重合性反応基を1つ以上有する化合物への溶解性が高くなっているものと推測する。そのため、感光性樹脂組成物の光に対する感度や、解像度及び深部硬化性が高くなると考えられる。さらに、該組成物は基板との密着性が良好である一方、硬化後にはテンプレートからの剥離性に優れる。
なお、該光重合開始剤(I−b)は、露光時の光により発生する分解物による重合物の汚染や装置の汚染が無い。
The photopolymerization initiator (Ib) thus obtained has a special substituent containing an ester group or an amide bond (or an amide bond forming a ring) on the nitrogen atom in the carbazole skeleton. Therefore, compatibility with a compound having at least one polymerizable reactive group in the photosensitive resin composition (particularly a compound having a (meth) acryloyloxy group) or solubility in a compound having at least one polymerizable reactive group. I guess that is high. Therefore, it is thought that the sensitivity to light of the photosensitive resin composition, resolution, and deep part curability are increased. Furthermore, the composition has good adhesion to the substrate, but is excellent in peelability from the template after curing.
In addition, this photoinitiator (Ib) does not have the contamination of the polymer by the decomposition product generated with the light at the time of exposure, and contamination of an apparatus.

〔(B)重合性反応基を1つ以上有する化合物〕
本発明の光インプリント用感光性樹脂組成物は、前記(A)成分と共に、(B)成分として重合性反応基を1つ以上有する化合物を含有する。重合性反応基を1つ以上有する化合物としては、エチレン性不飽和結合基を1つ以上有する化合物、エポキシ化合物、ビニルエーテル化合物、スチレン系化合物が好ましく、エチレン性不飽和結合基を1つ以上有する化合物がより好ましい。該エチレン性不飽和結合基としては、(メタ)アクリロイル基が好ましく、(メタ)アクリロイルオキシ基がより好ましい。なお、エチレン性不飽和結合基を1つ以上有する化合物において、エチレン性不飽和結合基は6つ以下であることが好ましく、5つ以下であることがより好ましい。
本発明の光インプリント用感光性樹脂組成物は、(B)成分として少なくとも1種以上を含み、(B)成分を2種以上用いる場合には、架橋剤や反応性希釈剤として機能し得るものを含んでいてもよい。言うまでも無く、いずれも重合性反応基を1つ以上有する化合物である。
[(B) Compound having one or more polymerizable reactive groups]
The photosensitive resin composition for optical imprinting of the present invention contains a compound having one or more polymerizable reactive groups as the component (B) together with the component (A). The compound having one or more polymerizable reactive groups is preferably a compound having one or more ethylenically unsaturated bond groups, an epoxy compound, a vinyl ether compound, or a styrene compound, and a compound having one or more ethylenically unsaturated bond groups. Is more preferable. As the ethylenically unsaturated bond group, a (meth) acryloyl group is preferable, and a (meth) acryloyloxy group is more preferable. In the compound having one or more ethylenically unsaturated bond groups, the number of ethylenically unsaturated bond groups is preferably 6 or less, and more preferably 5 or less.
The photosensitive resin composition for optical imprinting of the present invention contains at least one or more types as the component (B), and when two or more types of the component (B) are used, can function as a crosslinking agent or a reactive diluent. Things may be included. Needless to say, all are compounds having one or more polymerizable reactive groups.

重合性反応基を1つ有する化合物としては、例えばシクロヘキシル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル(メタ)アクリレート、アダマンチル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシアダマンチル(メタ)アクリレート、2−メチル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシルカルビトール(メタ)アクリレート、2−アクリロイルオキシエチルフタレート、2−アクリロイルオキシ2−ヒドロキシエチルフタレート、2−アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタレート、2−アクリロイルオキシプロピルフタレート、2−エチル−2−ブチルプロパンジオールアクリレート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、3−メトキシブチル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、アクリル酸ダイマー、脂肪族エポキシ(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、2−フェニルエチル(メタ)アクリレート、3−フェニルプロピル(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、9−アントリルメチル(メタ)アクリレート、ブタンジオールモノ(メタ)アクリレート、ブトキシエチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、カプロラクトン(メタ)アクリレート、セチル(メタ)アクリレート、エチレンオキシド(以下、「EO」と称する。)変性クレゾール(メタ)アクリレート、ジプロピレングリコール(メタ)アクリレート、エトキシ化フェニル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、イソアミル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、イソオクチル(メタ)アクリレート、イソミリスチル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、メトキシジプロピレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシトリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシトリエチレングリコール(メタ)アクリレート、メチル(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールベンゾエート(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、オクチル(メタ)アクリレート、パラクミルフェノキシエチレングリコール(メタ)アクリレート、エピクロロヒドリン変性フェノキシアクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、フェノキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシヘキサエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシテトラエチレングリコール(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、EO変性コハク酸(メタ)アクリレート、t−ブチル(メタ)アクリレート、t−ブチルシクロヘキシル(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、トリブロモフェニル(メタ)アクリレート、EO変性トリブロモフェニル(メタ)アクリレート、トリドデシル(メタ)アクリレート、トリフルオロエチル(メタ)アクリレート、ウレタンモノ(メタ)アクリレート、p−イソプロペニルフェノール、4−ビニルピリジン、N−メチルアクリルアミド、N,N−ジメチルアクリルアミド、N−アクリロイルモルホリン、N,N−ジエチルアクリルアミド、N−ヒドロキシエチルアクリルアミド、N,N−ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、ジエチルアミノエチル(メタ)アクリレート、N−シクロヘキシルマレイミド、スチレン、α−メチルスチレン、アクリロニトリル、ビニルカプロラクタム、ビニルカルバゾール、1−ビニルイミダゾール、2−メチル−1−ビニルイミダゾール、イミドアクリレート、ビニルオキサゾリン、(メタ)アクリロイルモルホリン等が挙げられるが、特にこれらに制限されるものではない。
重合性反応基を1つ有する化合物としては、ドライエッチング耐性の観点から、少なくとも芳香族環又は脂環式骨格を有する(メタ)アクリル酸エステル(好ましくはフェノキシエチルアクリレート、9−アントリルメチル(メタ)アクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート)を含むことが好ましい。
重合性反応基を1つ有する化合物のうち、粘度の低い化合物(例えば、粘度(25℃)5mPs以下。)は、反応性希釈剤として機能し得る。反応性希釈剤としては、ベンジルアクリレートが好ましい。感光性樹脂組成物の粘度が高い場合に、反応性希釈剤を含有させることによって粘度を低く調整することができる。
Examples of the compound having one polymerizable reactive group include cyclohexyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxyethyl (meth) acrylate, and adamantyl (meth). Acrylate, 3-hydroxyadamantyl (meth) acrylate, 2-methyl-2-adamantyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl carbitol (meth) acrylate, 2-acryloyloxyethyl phthalate, 2- Acryloyloxy 2-hydroxyethyl phthalate, 2-acryloyloxyethyl hexahydrophthalate, 2-acryloyloxypropyl phthalate, 2-ethyl-2-butylpropanediol Relate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 3-methoxybutyl (meth) acrylate, 4-hydroxy Butyl (meth) acrylate, acrylic acid dimer, aliphatic epoxy (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, 2-phenylethyl (meth) acrylate, 3-phenylpropyl (meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, 9 -Anthrylmethyl (meth) acrylate, butanediol mono (meth) acrylate, butoxyethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, caprolactone (meth) acrylate, cetyl (meth) acrylate Relate, ethylene oxide (hereinafter referred to as “EO”) modified cresol (meth) acrylate, dipropylene glycol (meth) acrylate, ethoxylated phenyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) acrylate, isobornyl ( (Meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, isomyristyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, methoxydipropylene glycol (meth) acrylate, methoxytripropylene glycol (meth) acrylate, methoxypolyethylene glycol (Meth) acrylate, methoxytriethylene glycol (meth) acrylate, methyl (meth) acrylate, neopentyl glycol benzo Ate (meth) acrylate, nonylphenoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, nonylphenoxypolypropylene glycol (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, paracumylphenoxyethylene glycol (meth) acrylate, epichlorohydrin modified phenoxy acrylate, phenoxyethyl (Meth) acrylate, phenoxydiethylene glycol (meth) acrylate, phenoxyhexaethylene glycol (meth) acrylate, phenoxytetraethylene glycol (meth) acrylate, polyethylene glycol (meth) acrylate, polyethylene glycol-polypropylene glycol (meth) acrylate, polypropylene glycol ( (Meth) acrylate, stearyl (meth) Acrylate, EO-modified succinic acid (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, t-butylcyclohexyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, caprolactone-modified tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, tribromophenyl ( (Meth) acrylate, EO-modified tribromophenyl (meth) acrylate, tridodecyl (meth) acrylate, trifluoroethyl (meth) acrylate, urethane mono (meth) acrylate, p-isopropenylphenol, 4-vinylpyridine, N-methylacrylamide N, N-dimethylacrylamide, N-acryloylmorpholine, N, N-diethylacrylamide, N-hydroxyethylacrylamide, N, N-dimethylaminoethyl ( Acrylate), diethylaminoethyl (meth) acrylate, N-cyclohexylmaleimide, styrene, α-methylstyrene, acrylonitrile, vinylcaprolactam, vinylcarbazole, 1-vinylimidazole, 2-methyl-1-vinylimidazole, imidoacrylate, vinyloxazoline , (Meth) acryloylmorpholine and the like, but are not particularly limited thereto.
As a compound having one polymerizable reactive group, a (meth) acrylic acid ester (preferably phenoxyethyl acrylate, 9-anthrylmethyl (meth) having at least an aromatic ring or an alicyclic skeleton is used from the viewpoint of dry etching resistance. ) Acrylate, isobornyl acrylate, dicyclopentenyloxy acrylate, dicyclopentenyloxyethyl acrylate).
Of the compounds having one polymerizable reactive group, a compound having a low viscosity (for example, a viscosity (25 ° C.) of 5 mPs or less) can function as a reactive diluent. As the reactive diluent, benzyl acrylate is preferred. When the viscosity of the photosensitive resin composition is high, the viscosity can be adjusted low by including a reactive diluent.

また、重合性反応基を2つ有する化合物としては、例えばエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル(メタ)アクリレート、ジメチロールジシクロペンタンジ(メタ)アクリレート、ジ(メタ)アクリル化イソシアヌレート、1,3−ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−へキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、1,3−アダマンチルジアクリレート、1,3−アダマンタンジメタノールジアクリレート、EO変性1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、エピクロロヒドリン変性1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、アリロキシポリエチレングリコールアクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、EO変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、PO変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、EO変性ビスフェノールFジ(メタ)アクリレート、エピクロロヒドリン変性ヘキサヒドロフタル酸ジアクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、EO変性ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロピレンオキシド(以下、「PO」と称する。)変性ネオペンチルグリコールジアクリレート、カプロラクトン変性ヒドロキシピバリン酸エステルネオペンチルグリコール、ステアリン酸変性ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、エピクロロヒドリン変性フタル酸ジ(メタ)アクリレート、ポリ(エチレングリコール−テトラメチレングリコール)ジ(メタ)アクリレート、ポリ(プロピレングリコール−テトラメチレングリコール)ジ(メタ)アクリレート、ポリエステルジアクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、エピクロロヒドリン変性プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、シリコーンジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコール変性トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、EO変性トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリグリセロールジ(メタ)アクリレート、ジプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジビニルエチレン尿素、ジビニルプロピレン尿素、N,N−メチレンビスアクリルアミドが挙げられるが、特にこれらに制限されるものではない。
重合性反応基を2つ以上有する化合物は架橋剤として機能し得るものであり、ドライエッチング耐性の改善に貢献する。架橋剤としては、エチレングリコールジアクリレートが好ましい。
Examples of the compound having two polymerizable reactive groups include ethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, and tricyclodecane dimethanol di (meth). Acrylate, diethylene glycol monoethyl ether (meth) acrylate, dimethylol dicyclopentane di (meth) acrylate, di (meth) acrylated isocyanurate, 1,3-butylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (Meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, nonanediol di (meth) acrylate, 1,3-adamantyl diacrylate, 1,3-adamantane dimethanol diacrylate, EO modified 1 6-hexanediol di (meth) acrylate, epichlorohydrin modified 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, allyloxy polyethylene glycol acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, EO modified bisphenol A di (Meth) acrylate, PO modified bisphenol A di (meth) acrylate, modified bisphenol A di (meth) acrylate, EO modified bisphenol F di (meth) acrylate, epichlorohydrin modified hexahydrophthalic acid diacrylate, hydroxypivalic acid neo Pentyl glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, EO-modified neopentyl glycol diacrylate, propylene oxide (hereinafter referred to as “PO”) modified neo Nylglycol diacrylate, caprolactone-modified hydroxypivalate ester neopentyl glycol, stearic acid-modified pentaerythritol di (meth) acrylate, epichlorohydrin-modified phthalic acid di (meth) acrylate, poly (ethylene glycol-tetramethylene glycol) di (Meth) acrylate, poly (propylene glycol-tetramethylene glycol) di (meth) acrylate, polyester diacrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, epichlorohydrin modified propylene glycol di (meth) ) Acrylate, silicone di (meth) acrylate, neopentyl glycol modified trimethylolpropane di (meth) acrylate, Ripropylene glycol di (meth) acrylate, EO-modified tripropylene glycol di (meth) acrylate, triglycerol di (meth) acrylate, dipropylene glycol di (meth) acrylate, divinylethyleneurea, divinylpropyleneurea, N, N-methylene Although bisacrylamide is mentioned, it is not restricted to these in particular.
A compound having two or more polymerizable reactive groups can function as a crosslinking agent, and contributes to improvement in dry etching resistance. As the crosslinking agent, ethylene glycol diacrylate is preferred.

さらに、重合性反応基を3つ以上有する化合物としては、例えばプロパン−1,2,3−トリオールトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールエタントリ(メタ)アクリレート、エピクロロヒドリン変性グリセロールトリ(メタ)アクリレート、EO変性グリセロールトリ(メタ)アクリレート、PO変性グリセロールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、EO変性リン酸トリアクリレート、カプロラクトン変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、EO変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、PO変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリス(アクリロキシエチル)イソシアヌレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールポリ(メタ)アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールエトキシテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート等が挙げられるが、特にこれらに制限されるものではない。   Furthermore, examples of the compound having three or more polymerizable reactive groups include propane-1,2,3-triol tri (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, trimethylolethane tri (meth) acrylate, epi Chlorohydrin modified glycerol tri (meth) acrylate, EO modified glycerol tri (meth) acrylate, PO modified glycerol tri (meth) acrylate, pentaerythritol triacrylate, EO modified phosphate triacrylate, caprolactone modified trimethylolpropane tri (meth) Acrylate, EO-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, PO-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tris (acryloxyethyl) isocyanurate, dipentaene Thritol hexa (meth) acrylate, caprolactone modified dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol hydroxypenta (meth) acrylate, alkyl modified dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol poly (meth) acrylate, alkyl Modified dipentaerythritol tri (meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol ethoxytetra (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, etc. are mentioned, but not particularly limited thereto. .

(B)成分の分子量(高分子の場合には粘度平均分子量)としては、感光性樹脂組成物の粘度の観点から、好ましくは3,000以下、より好ましくは2,000以下、さらに好ましくは1,000以下、特に好ましくは500以下である。
(B)成分としては、感光性樹脂組成物を光インプリント用とする観点から、25℃における蒸気圧が、好ましくは5Torr(約666Pa)以下、より好ましくは1Torr(約133Pa)以下、さらに好ましくは0.1Torr(約13.3Pa)以下、特に好ましくは0.01Torr(約1.3Pa)以下のものを用いる。
蒸気圧の測定方法には特に制限はなく、公知の方法を採用すればよい。例えば、静止法、沸点法、アイソテニスコープ法、気体流通法、示差熱量測定(DSC)法、絶対法などが挙げられる。そのほか、蒸気圧が物性データベースに記載されているものもある。
The molecular weight of component (B) (viscosity average molecular weight in the case of a polymer) is preferably 3,000 or less, more preferably 2,000 or less, and even more preferably 1 from the viewpoint of the viscosity of the photosensitive resin composition. 1,000 or less, particularly preferably 500 or less.
As the component (B), the vapor pressure at 25 ° C. is preferably 5 Torr (about 666 Pa) or less, more preferably 1 Torr (about 133 Pa) or less, more preferably from the viewpoint of using the photosensitive resin composition for photoimprinting. Is 0.1 Torr (about 13.3 Pa) or less, particularly preferably 0.01 Torr (about 1.3 Pa) or less.
There is no restriction | limiting in particular in the measuring method of vapor pressure, What is necessary is just to employ | adopt a well-known method. Examples thereof include a static method, a boiling point method, an isoteniscope method, a gas flow method, a differential calorimetry (DSC) method, and an absolute method. In addition, the vapor pressure is described in the physical property database.

本発明の光インプリント用感光性樹脂組成物においては、(B)成分として2種以上を含有し、その中に架橋剤や反応性希釈剤として機能し得るものを有することが好ましい。好ましい使用比率としては、架橋剤が0〜80質量%(より好ましくは1〜50質量%、さらに好ましくは5〜30質量%)、反応性希釈剤が0〜80質量%(より好ましくは1〜50質量%、さらに好ましくは5〜45質量%)である。なお、残部はレジスト用メインモノマーと言われることもある。前記範囲で架橋剤や反応性希釈剤を含有することにより、光インプリント用感光性樹脂組成物のドライエッチング耐性が一層優れたものとなる。   In the photosensitive resin composition for optical imprints of the present invention, it is preferable to contain two or more types as the component (B), and to have a component that can function as a crosslinking agent or a reactive diluent. As a preferable use ratio, the crosslinking agent is 0 to 80% by mass (more preferably 1 to 50% by mass, more preferably 5 to 30% by mass), and the reactive diluent is 0 to 80% by mass (more preferably 1 to 50% by mass). 50 mass%, more preferably 5 to 45 mass%). The remainder may be referred to as a resist main monomer. By containing a crosslinking agent and a reactive diluent in the above range, the dry etching resistance of the photosensitive resin composition for photoimprinting is further improved.

〔(C)界面活性剤〕
本発明の感光性樹脂組成物には、感光性樹脂組成物の基板又は基板に積層した密着層に対する濡れ性、テンプレートの凹凸への充填性、光硬化した樹脂組成物の基板又は基板に積層した密着層に対する密着性、光硬化した樹脂組成物とテンプレートとの剥離力(離型性)などをさらに向上する目的で、さらに(C)成分として界面活性剤を含有させてもよい。
界面活性剤としては公知のものを用いることができるが、光硬化した樹脂組成物の中で塩になり異物化しないようにする観点から、ノニオン系界面活性剤が好ましい。
ノニオン系界面活性剤としては、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテ−ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類、メチルパーフルオロオクタノエート、メチルトリフルオロアセテート、エチルペンタフルオロプロピオネート、エチルパーフルオロブチレート、メチルペンタフルオロベンゾエート、メチル2,3,4,5,6−ペンタフルオロフェニルアセテート、メチルノナデカフルオロデカノエート、商品名フロラードFC−430、FC−431(住友スリーエム株式会社製)、商品名サーフロン「S−382」(旭硝子株式会社製)、EFTOP「EF−122A、122B、122C、EF−121、EF−126、EF−127、MF−100」(株式会社トーケムプロダクツ製)、商品名PF−636、PF−6320、PF−656、PF−6520(いずれもOMNOVA社)、商品名フタージェントFT250、FT251、DFX18(いずれも株式会社ネオス製)、商品名ユニダインDS−401、DS−403、DS−451(いずれもダイキン工業株式会社製)、商品名メガフアック171、172、173、178K、178A、(いずれもDIC株式会社製)、商品名SI−10シリーズ(竹本油脂株式会社製)、メガファックペインタッド31(DIC株式会社製)、KP−341(信越化学工業株式会社製)、FZ−2191(東レ・ダウコーニング株式会社製)、商品名X−70−090、X−70−091、X−70−092、X−70−093、(いずれも信越化学工業株式会社製)、商品名メガフアックR−08、XRB−4(いずれもDIC株式会社製)、3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12−ヘンエイコサフルオロデシル(メタ)アクリレート、3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12−ヘンエイコサフルオロドデシル(メタ)アクリレート、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル(メタ)アクリレート、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロイソプロピル(メタ)アクリレート、1H,1H,2H,2H−パーフルオロデシル(メタ)アクリレート、2,2,2−トリフルオロエチル(メタ)アクリレート、2,2,3,3,4,4,4−ヘプタフルオロブチル(メタ)アクリレート、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7−ドデカフルオロヘプチル(メタ)アクリレート、2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロペンチル(メタ)アクリレート、3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8−トリデカフルオロオクチル(メタ)アクリレート、3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10−ヘプタデカフルオロデシル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリル変性シリコーン系界面活性剤等が挙げられる。
これらのうち、硬化樹脂とテンプレートとの剥離力(離型性)向上の観点から、フッ素系及び/又はシリコーン系の界面活性剤が好ましい。なお、光硬化後の樹脂組成物中に未反応物として残るのを避けるため、使用する(B)成分と同様の重合性反応基を含んでいるものを用いるのがよい。
[(C) Surfactant]
In the photosensitive resin composition of the present invention, the wettability of the photosensitive resin composition to the substrate or the adhesion layer laminated on the substrate, the filling property to the unevenness of the template, the photocured resin composition laminated on the substrate or substrate. In order to further improve the adhesion to the adhesion layer, the peeling force (release property) between the photocured resin composition and the template, a surfactant may be further contained as the component (C).
A known surfactant can be used as the surfactant, but a nonionic surfactant is preferable from the viewpoint of becoming a salt in the photocured resin composition and preventing it from becoming a foreign substance.
Nonionic surfactants include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octylphenol ether, polyoxyethylene nonylphenol Polyoxyethylene alkylaryl ethers such as ether, polyoxyethylene / polyoxypropylene block copolymers, sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate, sorbitan monooleate, sorbitan trioleate, sorbitan tristearate Sorbitan fatty acid esters such as polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene Polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters such as sorbitan monopalmitate, polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, polyoxyethylene sorbitan tristearate, methyl perfluorooctanoate, methyl trifluoroacetate , Ethyl pentafluoropropionate, ethyl perfluorobutyrate, methyl pentafluorobenzoate, methyl 2,3,4,5,6-pentafluorophenyl acetate, methyl nonadecafluorodecanoate, trade name Florard FC-430, FC-431 (manufactured by Sumitomo 3M Limited), trade name Surflon "S-382" (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), EFTOP "EF-122A, 122B, 122C, EF-121, EF-" 26, EF-127, MF-100 "(manufactured by Tochem Products Co., Ltd.), trade names PF-636, PF-6320, PF-656, PF-6520 (all of which are OMNOVA), trade names FT250, FT251 , DFX18 (all manufactured by Neos Co., Ltd.), trade names Unidyne DS-401, DS-403, DS-451 (all manufactured by Daikin Industries, Ltd.), trade names Megafuak 171, 172, 173, 178K, 178A, (any DIC Co., Ltd.), trade name SI-10 series (Takemoto Yushi Co., Ltd.), Megafuck Paintad 31 (DIC Co., Ltd.), KP-341 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), FZ-2191 (Toray Industries, Inc.) -Dow Corning Co., Ltd.), trade names X-70-090, X-70-091, X-70 -092, X-70-093 (all manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), trade name Megafuk R-08, XRB-4 (all manufactured by DIC Corporation), 3, 3, 4, 4, 5, 5 , 6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-heneicosafluorodecyl (meth) acrylate, 3,3,4,4,5 5, 6, 6, 7, 7, 8, 8, 9, 9, 10, 10, 11, 11, 12, 12, 12-heneicosafluorododecyl (meth) acrylate, 2, 2, 3, 3 , 3-pentafluoropropyl (meth) acrylate, 1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropyl (meth) acrylate, 1H, 1H, 2H, 2H-perfluorodecyl (meth) acrylate, 2,2 , 2-Trifluoroethyl (meth) a Relate, 2,2,3,3,4,4,4-heptafluorobutyl (meth) acrylate, 2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7-dodecafluoro Heptyl (meth) acrylate, 2,2,3,3,4,4,5,5-octafluoropentyl (meth) acrylate, 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7, 8,8,8-tridecafluorooctyl (meth) acrylate, 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-hepta Examples include decafluorodecyl (meth) acrylate and (meth) acryl-modified silicone surfactants.
Of these, fluorine-based and / or silicone-based surfactants are preferable from the viewpoint of improving the peeling force (release property) between the cured resin and the template. In addition, in order to avoid remaining as an unreacted substance in the resin composition after photocuring, it is preferable to use those containing a polymerizable reactive group similar to the component (B) to be used.

本発明の光インプリント用感光性樹脂組成物には、さらに必要に応じて、前記光重合開始剤(I)以外の光重合開始剤や、後述するその他の成分を含有してもよい。こうして得られる感光性樹脂組成物は、光インプリント用途に有用である。
本発明の光インプリント用感光性樹脂組成物において、(A)成分としての前記光重合開始剤(I)の含有量は、感度及び解像度などの観点から、光インプリント用感光性樹脂組成物全量に対して、好ましくは0.1〜50質量%、より好ましくは1〜20質量%、さらに好ましくは2〜15質量%、特に好ましくは2.5〜10質量%である。
また、本発明の光インプリント用感光性樹脂組成物が、前記光重合開始剤(I)以外の光重合開始剤を含有する場合、前記光重合開始剤(I)以外の光重合開始剤の含有量は、本発明の効果を著しく阻害しない限り特に制限は無いが、光重合開始剤(I)100質量部に対して、好ましくは100質量部以下、より好ましくは50質量部以下、より好ましくは20質量部以下、さらに好ましくは10質量部以下、特に好ましくは5質量部以下である。
If necessary, the photosensitive resin composition for photoimprinting of the present invention may further contain a photopolymerization initiator other than the photopolymerization initiator (I) and other components described later. The photosensitive resin composition thus obtained is useful for optical imprint applications.
In the photosensitive resin composition for photoimprinting of the present invention, the content of the photopolymerization initiator (I) as the component (A) is selected from the viewpoints of sensitivity and resolution, and the photosensitive resin composition for photoimprinting. Preferably it is 0.1-50 mass% with respect to the whole quantity, More preferably, it is 1-20 mass%, More preferably, it is 2-15 mass%, Most preferably, it is 2.5-10 mass%.
Moreover, when the photosensitive resin composition for photoimprints of this invention contains photoinitiators other than the said photoinitiator (I), photoinitiators other than the said photoinitiator (I) The content is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not significantly inhibited, but is preferably 100 parts by mass or less, more preferably 50 parts by mass or less, more preferably 100 parts by mass with respect to the photopolymerization initiator (I). Is 20 parts by mass or less, more preferably 10 parts by mass or less, and particularly preferably 5 parts by mass or less.

(その他の成分)
本発明の光インプリント用感光性樹脂組成物には、さらに必要に応じて、増感剤;離型剤;無機充填剤;導電性化合物;密着促進剤;酸化防止剤;凝集防止剤;重合停止剤;連鎖移動剤;レベリング剤;可塑剤;消泡剤;シランカップリング剤等を含有させてもよい。いずれも公知のものを用いることができる。
(Other ingredients)
If necessary, the photosensitive resin composition for photoimprinting of the present invention further includes a sensitizer; a mold release agent; an inorganic filler; a conductive compound; an adhesion promoter; an antioxidant; Stopper; chain transfer agent; leveling agent; plasticizer; antifoaming agent; silane coupling agent and the like may be contained. Any known one can be used.

(光インプリント用感光性樹脂組成物の物性・特性)
本発明の光インプリント用感光性樹脂組成物は、25℃における粘度が25cPs以下であり、好ましくは3〜20cPsであり、より好ましくは3〜15cPsであるため、非常に粘度が低く、インクジェット方式でのピコリットルオーダーでの塗布が可能である。なお、本発明において、感光性樹脂組成物の粘度は、レオメータ「AR-G2」(ティー・エイ・インスツルメント社製)を用いて、円盤プレート上に光インプリント用感光性樹脂組成物を滴下し、直径40mmの標準スチールコーンをせん断速度10〜1000(1/s)へ変化させたときの、25℃、1000(1/s)のときの値である。
また、本発明の光インプリント用感光性樹脂組成物を1.5μlの純水接触角が112°±5°の基板上に40±5pl(ピコリットル)の液滴として滴下して、1気圧及び25℃にて1分放置した場合の該液滴の直径(基板と接している面の円の直径)の変化が好ましくは15%以内であり、より好ましくは10%以内、さらに好ましくは7%以内、特に好ましくは5%以内である。つまり、組成物からの揮発物が極めて少ない又は実質的に無いものであり、実質的に一般的な溶媒(重合反応を起こさない有機溶剤)を含有しないものであると言える。そのため、インクジェット方式でピコリットルオーダーでの液滴を塗布しても、組成変化が極めて小さいか又は実質的に無く、光インプリント用感光性樹脂組成物として、特にインクジェット方式を採用して塗布する場合の光インプリント用感光性樹脂組成物として適している。
本発明の光インプリント用感光性樹脂組成物は、後述するように、レジスト基板を製造する際に使用するテンプレートの凹部への充填性が高い。つまり、テンプレートの凹部の細部にまできれいに素早く充填される。さらに、露光後の硬化物は通常使用されるテンプレート(例えば石英テンプレートなど)からの剥離性が高く、かつ基板密着性に優れており、同時に、強度が高くて湾曲や欠けが極めて少ないため、露光後の硬化物は、テンプレートの凹部を極めて高い精度で再現しており、解像度に優れている。本発明の光インプリント用感光性樹脂組成物を用いると、凹部もしくは凸部の横幅が50nm以下(約20〜40nm程度)の凹凸形状(パターンと称することもある。)を鮮明に形成することができる。
また、本発明の光インプリント用感光性樹脂組成物及びその硬化物はドライエッチング耐性が高いため、レジスト凹凸形状のアスペクト比(凸部の横幅に対する凸部の高さの比率)が小さくてもよいというメリットがある。
(Physical properties and characteristics of photosensitive resin composition for photoimprint)
The photosensitive resin composition for photoimprinting of the present invention has a viscosity at 25 ° C. of 25 cPs or less, preferably 3 to 20 cPs, more preferably 3 to 15 cPs. Application in picoliter order is possible. In the present invention, the viscosity of the photosensitive resin composition is determined by using a rheometer “AR-G2” (manufactured by TA Instruments Inc.) to apply the photosensitive resin composition for photoimprinting on a disk plate. It is a value at 25 ° C. and 1000 (1 / s) when dripping and changing a standard steel cone having a diameter of 40 mm to a shear rate of 10 to 1000 (1 / s).
In addition, the photosensitive resin composition for optical imprinting of the present invention was dropped as a droplet of 40 ± 5 pl (picoliter) onto a 1.5 μl substrate having a pure water contact angle of 112 ° ± 5 °, and 1 atm. And the change in the diameter of the droplet (the diameter of the circle on the surface in contact with the substrate) when left at 25 ° C. for 1 minute is preferably within 15%, more preferably within 10%, and even more preferably 7%. %, Particularly preferably 5% or less. That is, it can be said that the volatile matter from the composition is extremely small or substantially absent, and substantially does not contain a general solvent (an organic solvent that does not cause a polymerization reaction). Therefore, even if droplets in the picoliter order are applied by the ink jet method, the composition change is extremely small or substantially absent, and the ink is applied as a photosensitive resin composition for photoimprinting, particularly using the ink jet method. It is suitable as a photosensitive resin composition for photoimprinting.
As will be described later, the photosensitive resin composition for optical imprinting of the present invention has a high filling property in the recesses of a template used when producing a resist substrate. That is, the details of the concave portion of the template are filled cleanly and quickly. Furthermore, the cured product after exposure has high releasability from commonly used templates (such as quartz templates) and has excellent substrate adhesion. At the same time, it has high strength and has very few curves and chips. The later cured product reproduces the concave portion of the template with extremely high accuracy and is excellent in resolution. When the photosensitive resin composition for optical imprinting of the present invention is used, a concave-convex shape (sometimes referred to as a pattern) in which the width of the concave portion or convex portion is 50 nm or less (about 20 to 40 nm) is clearly formed. Can do.
Further, since the photosensitive resin composition for optical imprinting and the cured product thereof according to the present invention have high dry etching resistance, even if the aspect ratio of the resist uneven shape (the ratio of the height of the convex portion to the lateral width of the convex portion) is small. There is a merit that it is good.

[レジスト基板及び半導体装置の製造方法]
本発明において、「レジスト」とは光硬化した感光性樹脂組成物を意味し、「レジスト基板」とは基板上又は基板に積層した密着層上に感光性樹脂組成物が光硬化してなる凹凸形状(レジスト凹凸形状)が形成されたものを意味する。
レジスト基板及び半導体装置の製造方法に特に制限はなく、公知の方法を採用できる。例えば、下記工程(1)〜(4)をこの順に有するレジスト基板の製造方法、そして、さらに下記工程(5)〜(7)、さらには工程(8)をこの順に有する半導体装置の製造方法が好ましく挙げられる。
(1)基板上又は基板に積層した密着層上に、本発明の光インプリント用感光性樹脂組成物をインクジェット方式によって付着させる工程。
(2)前記工程(1)によって付着した感光性樹脂組成物の上から、前記基板又は基板に積層した密着層上に対して、凹凸形状を表面に有するテンプレートを接触させ、前記凹凸形状内に感光性樹脂組成物を充填させる工程。
(3)露光により前記感光性樹脂組成物を硬化させ、基板上又は基板に積層した密着層上に、レジスト凹凸形状を形成する工程。
(4)レジスト凹凸形状が形成された基板からテンプレートを剥離する工程。
(5)上記工程(1)〜(4)に記載の製造方法で得たレジスト基板において、レジスト凹凸形状の凹部を基板が露出するまでドライエッチング加工する工程。
(6)前記工程(5)にて現れた基板の露出部分をさらにドライエッチング加工し、基板自体に凹部を形成する工程。
(7)基板上のレジストを除去する工程、又は、基板に密着層が積層している場合には該密着層とレジストとを共に除去する工程。
(8)基板が多層からなる場合にその層の一部を除去する工程。
以下、各工程について順に説明する。
[Resist Substrate and Semiconductor Device Manufacturing Method]
In the present invention, “resist” means a photo-cured photosensitive resin composition, and “resist substrate” means irregularities formed by photo-curing the photosensitive resin composition on a substrate or an adhesion layer laminated on the substrate. This means that the shape (resist uneven shape) is formed.
There is no restriction | limiting in particular in the manufacturing method of a resist substrate and a semiconductor device, A well-known method is employable. For example, a method for manufacturing a resist substrate having the following steps (1) to (4) in this order, and a method for manufacturing a semiconductor device having the following steps (5) to (7), and further, step (8) in this order. Preferably mentioned.
(1) A step of adhering the photosensitive resin composition for optical imprinting of the present invention on the substrate or the adhesion layer laminated on the substrate by an ink jet method.
(2) From above the photosensitive resin composition attached in the step (1), a template having a concavo-convex shape is brought into contact with the substrate or an adhesion layer laminated on the substrate, and the concavo-convex shape is brought into contact with the substrate. A step of filling a photosensitive resin composition.
(3) The process which hardens the said photosensitive resin composition by exposure, and forms a resist uneven | corrugated shape on the contact | adherence layer laminated | stacked on the board | substrate or the board | substrate.
(4) The process of peeling a template from the board | substrate with which the resist uneven | corrugated shape was formed.
(5) In the resist substrate obtained by the manufacturing method described in the above steps (1) to (4), a step of performing dry etching processing on the concave portions of the resist uneven shape until the substrate is exposed.
(6) A step of further subjecting the exposed portion of the substrate appearing in the step (5) to dry etching to form a recess in the substrate itself.
(7) A step of removing the resist on the substrate, or a step of removing both the adhesion layer and the resist when the adhesion layer is laminated on the substrate.
(8) A step of removing a part of the layer when the substrate is composed of multiple layers.
Hereinafter, each process is demonstrated in order.

−工程(1)−
工程(1)で使用する基板は、用途によって適宜公知のものから選択すればよく、その材料としては、例えば、石英(SiO2);ニッケル、銅、クロム、鉄、モリブデンなどの金属、あるいはこれらの酸化物、窒化物、酸窒化物、ケイ素化物;光学フィルム;ソーダガラス、ホウ珪酸ガラス、青板ガラスなどのガラス;シリコン、窒化シリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコン、ガリウム砒素、窒化ガリウムなどの半導体;ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリイミドなどの樹脂(フィルム);酸化インジウムスズ(ITO)などの導電性基板;絶縁性基材;これらの組合せからなる複合材料などが挙げられるが、特にこれらに制限されるものではない。また、工程(1)で使用する基板としては、これらを多層に積層したものを用いてもよい。
基板上には、密着層が積層されていてもよい。該密着層は、基板と感光性樹脂組成物との密着性を向上し得るものであれば特に制限はないが、例えば、ヘキサメチルジシラザンのようなジシラザン;シランカップリング剤;酸無水物;燐酸エステルなどのような密着剤で処理したものや、石英(SiO2);シリコン、酸化シリコン;銅、クロム、鉄、モリブデンなどの金属、あるいはこれらの酸化物、窒化物、酸窒化物、ケイ素化物などからなるものが挙げられる。特に、樹脂組成物の重合性反応基と反応し得る官能基を1つ以上有するものからなることが好ましい。なお、かかる重合性反応基と反応し得る官能基を有する化合物としては、エポキシ化合物、ビニルエーテル化合物、スチレン化合物が好ましく、これらの中でもエチレン性不飽和結合基を1つ以上有する化合物がより好ましく、(メタ)アクリロイル基を有するものがさらに好ましく、特に(メタ)アクリロイルオキシ基を有するものが好ましい。重合性反応基と反応し得る官能基を有する化合物としては、例えば3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、p−スチリルトリメトキシシラン、アクリロキシメチルトリメトキシシラン、特開2009−503139号公報に開示のβ−CEA(UCB Chemical)、Ebecryl3605(UCB Chemical)、Isorad501(Schenectady International,inc)、ライトエステルP−2M(共栄社化学株式会社製)からなる群から選択される少なくとも1種が好ましい。これらは1種を単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよいし、重合したものを用いてもよい。また、密着層は多層に積層されていてもよい。なお、密着層の膜厚は、密着性能や工程(5)におけるドライエッチングの容易さの観点から、20nm以下が好ましく、より好ましくは10nm以下、さらに好ましくは5nm以下である。
工程(1)では、前記基板上又は基板に積層した密着層上に、本発明の光インプリント用感光性樹脂組成物をインクジェット方式によって付着させる。なお、インクジェット方式ではなく、スピンコート、ディップコート、エナーナイフコート、カーテンコート、ワイヤーバーコート、グラビアコートなどの方式によっても塗布することができるが、テンプレートの凹部への充填性の観点などから、インクジェット方式が好ましい。インクジェットの方式は特に限定されず、偏向制御型、発散型、サーマルインクジェット方式、ピエゾインクジェット方式、静電吸引方式、静電変位方式、音響エネルギー方式、熱変位方式、バルブ型、ERFインクジェット、放電方式などが挙げられるが、この中でも特にピエゾインクジェット方式が多様なインクに対応可能であり、微小なインク滴を吐出することができる点で好ましい。
-Step (1)-
The substrate used in the step (1) may be appropriately selected from known materials depending on the application, and examples of the material include quartz (SiO 2 ); metals such as nickel, copper, chromium, iron, molybdenum, and the like. Optical films; glasses such as soda glass, borosilicate glass, and blue glass; semiconductors such as silicon, silicon nitride, silicon oxide, amorphous silicon, gallium arsenide, and gallium nitride; Resin (film) such as polycarbonate, polypropylene, polyethylene, polyester, polyimide, etc .; conductive substrate such as indium tin oxide (ITO); insulating base material; composite materials composed of these combinations, etc. Is not to be done. Moreover, as a board | substrate used at a process (1), you may use what laminated | stacked these in multiple layers.
An adhesion layer may be laminated on the substrate. The adhesion layer is not particularly limited as long as it can improve the adhesion between the substrate and the photosensitive resin composition. For example, disilazan such as hexamethyldisilazane; silane coupling agent; acid anhydride; Treated with an adhesive such as phosphate ester, quartz (SiO 2 ); silicon, silicon oxide; metals such as copper, chromium, iron, molybdenum, or oxides, nitrides, oxynitrides, silicon The thing which consists of a chemical compound etc. is mentioned. In particular, the resin composition preferably has one or more functional groups capable of reacting with the polymerizable reactive group. The compound having a functional group capable of reacting with the polymerizable reactive group is preferably an epoxy compound, a vinyl ether compound, or a styrene compound, and more preferably a compound having one or more ethylenically unsaturated bond groups. Those having a (meth) acryloyl group are more preferred, and those having a (meth) acryloyloxy group are particularly preferred. Examples of the compound having a functional group capable of reacting with a polymerizable reactive group include 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, acryloxymethyltrimethoxysilane, β-CEA (UCB Chemical), Ebecryl 3605 (UCB Chemical), Isorad501 (Scientady International, Inc), light ester P-disclosed in JP-A-2009-503139 At least one selected from the group consisting of 2M (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) is preferred. These may be used individually by 1 type, may mix and use 2 or more types, and may use what superposed | polymerized. The adhesion layer may be laminated in multiple layers. The film thickness of the adhesion layer is preferably 20 nm or less, more preferably 10 nm or less, and further preferably 5 nm or less, from the viewpoint of adhesion performance and ease of dry etching in the step (5).
In the step (1), the photosensitive resin composition for optical imprinting of the present invention is adhered to the substrate or the adhesion layer laminated on the substrate by an inkjet method. In addition, it can be applied by a method such as spin coating, dip coating, ener knife coating, curtain coating, wire bar coating, gravure coating, etc., but from the viewpoint of filling into the recesses of the template, etc. An ink jet method is preferred. The ink jet method is not particularly limited, and deflection control type, divergence type, thermal ink jet method, piezo ink jet method, electrostatic suction method, electrostatic displacement method, acoustic energy method, thermal displacement method, bulb type, ERF ink jet, discharge method. Among them, the piezo ink jet method is particularly preferable in that it can deal with various inks and can discharge minute ink droplets.

−工程(2)−
工程(2)では、凹凸形状を有するテンプレートを、凹凸形状を有する表面側を感光性樹脂組成物に接触させ、感光性樹脂組成物をテンプレートの凹部へ充填させる。
テンプレートの材料としては、例えばシリコン、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、青板ガラス、ソーダガラス、BK−7などを用いることができ、さらに樹脂フィルムや、陽極酸化法により形成されたポーラスアルミナなどを用いてもよい。
該テンプレートは、テンプレートと感光性樹脂組成物との剥離性を高めるため、離型処理を行なったもの(離型層を設けたもの)であってもよい。例えば、ジシラザンやシリコーン系、シランカップリング剤によって処理されたテンプレートなどが挙げられる。具体的には、ヘキサメチルジシラザン、オプツールDSX(ダイキン工業)、Novec EGC−1720(住友スリーエム)、デュラサーフ HD−1100(ハーベス)、デュラサーフ HD−2100(ハーベス)、(3,3,3−トリフルオロプロピル)トリメトキシシラン(Gelest)などが挙げられる。
−工程(3)−
工程(3)では、テンプレート側から露光することによって、感光性樹脂組成物を硬化させる。
露光に用いられる光は特に限定されず、例えば、高エネルギー電離放射線、真空紫外線、近紫外線、遠紫外線、可視光線、赤外線などの領域の波長の光または放射線が挙げられる。高エネルギー電離放射線源としては、例えば、コッククロフト型加速器、ハンデグラーフ型加速器、リニヤーアクセレーター、ベータトロン、サイクロトロン等の加速器によって加速された電子線が工業的に最も便利且つ経済的に使用されるが、その他に放射性同位元素や原子炉等から放射されるγ線、X線、α線、中性子線、陽子線等の放射線が使用できる。
放射線には、例えばマイクロ波、EUVが含まれる。また、半導体レーザー光、あるいは248nmのKrFエキシマレーザー光や193nmArFエキシマレーザーなどの半導体の微細加工で用いられているレーザー光も本発明に好適に用いることができる。これらの光は、モノクロ光を用いてもよいし、複数の波長の異なる光(ミックス光)でもよい。
これらの中でも近紫外線、遠紫外線が露光に用いる光として特に好ましく、光源としては、例えば発光ダイオード(LED)、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、炭素アークランプ、太陽ランプなどが好ましい。
露光に際しては、露光時間の短縮及び副反応の抑制、未反応化合物の残留抑制の観点から、照度を好ましくは1〜140mW/cm2とする。また、積算光量は、好ましくは5〜1,000mJ/cm2、より好ましくは10〜600mJ/cm2、さらに好ましくは15〜300mJ/cm2である。
なお、露光後、熱を加えることによってさらに硬化させる工程(工程(3’))を設けてもよい。加熱温度は、好ましくは80〜280℃、より好ましくは100〜250℃、さらに好ましくは130〜250℃である。加熱時間は、好ましくは1〜60分、より好ましくは10〜40分である。
本発明の光インプリント用感光性樹脂組成物は、硬化収縮率が低く、感度が高いため、本工程によって、テンプレートの凹凸が鮮明に再現される。
-Step (2)-
In the step (2), the template having a concavo-convex shape is brought into contact with the photosensitive resin composition on the surface side having the concavo-convex shape, and the concave portion of the template is filled with the photosensitive resin composition.
As a template material, for example, silicon, quartz glass, silicate glass, calcium fluoride, blue plate glass, soda glass, BK-7, or the like can be used. Further, a resin film or porous alumina formed by an anodic oxidation method can be used. Etc. may be used.
The template may be a template subjected to a release treatment (provided with a release layer) in order to improve the peelability between the template and the photosensitive resin composition. For example, the template etc. which were processed with the disilazane, the silicone type, and the silane coupling agent are mentioned. Specifically, hexamethyldisilazane, Optool DSX (Daikin Industries), Novec EGC-1720 (Sumitomo 3M), Durasurf HD-1100 (harves), Durasurf HD-2100 (harves), (3, 3, 3 -Trifluoropropyl) trimethoxysilane (Gelest) and the like.
-Step (3)-
In the step (3), the photosensitive resin composition is cured by exposing from the template side.
The light used for the exposure is not particularly limited, and examples thereof include light or radiation having a wavelength in a region such as high energy ionizing radiation, vacuum ultraviolet light, near ultraviolet light, far ultraviolet light, visible light, and infrared light. As the high-energy ionizing radiation source, for example, an electron beam accelerated by an accelerator such as a cockcroft accelerator, a handagraaf accelerator, a linear accelerator, a betatron, or a cyclotron is industrially most conveniently and economically used. However, other radiations such as γ rays, X rays, α rays, neutron rays, proton rays emitted from radioisotopes and nuclear reactors can be used.
The radiation includes, for example, microwaves and EUV. In addition, semiconductor laser light, or laser light used in semiconductor microfabrication, such as 248 nm KrF excimer laser light or 193 nm ArF excimer laser, can also be suitably used in the present invention. These lights may be monochromatic lights, or may be lights having different wavelengths (mixed lights).
Among these, near ultraviolet rays and far ultraviolet rays are particularly preferable as light used for exposure, and examples of light sources include light emitting diodes (LEDs), low pressure mercury lamps, high pressure mercury lamps, ultrahigh pressure mercury lamps, metal halide lamps, xenon lamps, carbon arc lamps. A solar lamp or the like is preferable.
In the exposure, the illuminance is preferably 1 to 140 mW / cm 2 from the viewpoint of shortening the exposure time, suppressing side reactions, and suppressing residual unreacted compounds. Further, the integrated light quantity is preferably 5 to 1,000 mJ / cm 2 , more preferably 10 to 600 mJ / cm 2 , and still more preferably 15 to 300 mJ / cm 2 .
In addition, you may provide the process (process (3 ')) further hardened by applying heat after exposure. The heating temperature is preferably 80 to 280 ° C, more preferably 100 to 250 ° C, and still more preferably 130 to 250 ° C. The heating time is preferably 1 to 60 minutes, more preferably 10 to 40 minutes.
Since the photosensitive resin composition for optical imprinting of the present invention has a low curing shrinkage rate and high sensitivity, the unevenness of the template is clearly reproduced by this step.

−工程(4)−
工程(4)は離型工程であり、テンプレートを真上に引き上げて剥離する。レジスト凹凸形状を形成した本発明の光インプリント用感光性樹脂組成物の硬化物は、テンプレートからの剥離性に優れており、基板との密着性に優れ、かつ強度が高いため、テンプレートへ付着して残ることがなく、レジスト凹凸形状が湾曲したり欠けたりするのが抑制される。
-Step (4)-
Step (4) is a mold release step, and the template is pulled up and peeled off. The cured product of the photosensitive resin composition for optical imprinting of the present invention in which a resist concavo-convex shape is formed is excellent in peelability from the template, has excellent adhesion to the substrate, and has high strength, so that it adheres to the template. Thus, the resist uneven shape is prevented from being curved or chipped.

−工程(5),(6)−
工程(5)は、前記工程(1)〜(4)に記載の製造方法で得たレジスト基板において、レジスト凹凸形状の凹部を基板が露出するまでドライエッチング加工する工程であり、工程(6)は、前記工程(5)にて現れた基板の露出部分をさらにドライエッチング加工し、基板自体に凹部を形成する工程である。
ドライエッチング加工は、通常、ドライエッチング装置を用いて行なう。イオンエッチング(IE)モード、ICPエッチングモード、反応性イオンエッチング(RIE)モード、プラズマエッチング(PE)モードのいずれを用いてもよい。
エッチャントガスとしては、エッチングする膜に適したものを使用すればよい。エッチャントガスとしては、例えばレジスト用や密着層用には、酸素、塩素+酸素、四フッ化炭素+三フッ化メタン;a−Si/n+やs−Si用には、四フッ化炭素(又は塩素)+酸素、四フッ化炭素(又は六フッ化硫黄)+塩化水素(又は塩素);a−SiNx用には、四フッ化炭素+酸素;a−SiOx用には、四フッ化炭素+酸素、三フッ化メタン+酸素;Ta用には、四フッ化炭素(六フッ化硫黄)+酸素;MoTa/MoW用には、四フッ化炭素+酸素;Cr用には、塩素+酸素、四フッ化炭素+三フッ化メタン;Al用には、三塩化硼素+塩素、臭化水素、臭化水素+塩素、ヨウ化水素;石英用には四フッ化炭素+三フッ化メタンなどが挙げられる。
-Process (5), (6)-
Step (5) is a step of performing dry etching processing on the resist concave-convex recess until the substrate is exposed in the resist substrate obtained by the manufacturing method according to steps (1) to (4). Is a step of further subjecting the exposed portion of the substrate appearing in the step (5) to dry etching to form a recess in the substrate itself.
The dry etching process is usually performed using a dry etching apparatus. Any of an ion etching (IE) mode, an ICP etching mode, a reactive ion etching (RIE) mode, and a plasma etching (PE) mode may be used.
As the etchant gas, a gas suitable for the film to be etched may be used. Examples of the etchant gas include oxygen, chlorine + oxygen, carbon tetrafluoride + trifluoride methane for resist and adhesion layer; carbon tetrafluoride (for a-Si / n + and s-Si) ( Or chlorine) + oxygen, carbon tetrafluoride (or sulfur hexafluoride) + hydrogen chloride (or chlorine); for a-SiNx, carbon tetrafluoride + oxygen; for a-SiOx, carbon tetrafluoride + Oxygen, methane trifluoride + oxygen; for Ta, carbon tetrafluoride (sulfur hexafluoride) + oxygen; for MoTa / MoW, carbon tetrafluoride + oxygen; for Cr, chlorine + oxygen , Carbon tetrafluoride + methane trifluoride; for Al, boron trichloride + chlorine, hydrogen bromide, hydrogen bromide + chlorine, hydrogen iodide; for quartz, carbon tetrafluoride + trifluoromethane Is mentioned.

−工程(7),(8)−
工程(7)では、基板上のレジストを除去する工程、又は、基板に密着層が積層している場合には該密着層とレジストとを共に除去する。
レジストや密着層を除去する方法としては、剥離液を用いたウェット剥離方法、減圧下での酸素ガスのプラズマ放電により酸化させてガス状にして取り除く方法、オゾンと紫外線によって酸化させてガス状にして取り除く方法などが挙げられる。剥離液としては、アンモニア過酸化水素水、硫酸過酸化水素水、塩酸過酸化水素水、水酸化ナトリウム水溶液や水酸化カリウム水溶液などの水溶液系剥離液;モノエタノールアミンなどのアミンと、ジメチルスルホキシドやN−メチルピロリドンとの混合物などの有機溶剤系剥離液を使用することができる。
工程(8)では、基板が多層からなる場合にその層の一部を除去する。「その層の一部」とは、例えば2層からなる場合は上の層を指し、3層以上からなる場合は最下層以外の層を指す。基板が多層からなる場合にその層の一部を除去する方法としては、剥離液を用いたウェット剥離方法などが挙げられる。剥離液としては水酸化ナトリウム水溶液や(熱)燐酸、フッ酸液やフッ化アンモニウム液、「硝酸第2セリウムアンモニウム+過塩素酸水溶液」などを使用することができる。
以上のようにして、テンプレートの凹凸形状が転写された半導体装置に有用な基板が製造される。
半導体装置の製造においては、以上の工程に制限されるものではなく、さらにその他の公知の半導体装置の製造工程を有していてもよい。
-Steps (7), (8)-
In the step (7), the resist on the substrate is removed, or when the adhesion layer is laminated on the substrate, the adhesion layer and the resist are removed together.
As a method of removing the resist and the adhesion layer, a wet stripping method using a stripping solution, a method of removing the gas by oxidizing with a plasma discharge of oxygen gas under reduced pressure, and a gas by oxidizing with ozone and ultraviolet rays. For example. Examples of stripping solutions include aqueous hydrogen peroxide solution, aqueous hydrogen peroxide solution, aqueous hydrogen peroxide solution, aqueous solution of hydrochloric acid and hydrogen peroxide, aqueous solution of sodium hydroxide and potassium hydroxide, amine such as monoethanolamine, dimethyl sulfoxide, An organic solvent-based stripping solution such as a mixture with N-methylpyrrolidone can be used.
In step (8), when the substrate is composed of multiple layers, a part of the layer is removed. “Part of the layer” refers to, for example, an upper layer in the case of two layers, and a layer other than the lowest layer in the case of three or more layers. As a method for removing a part of the layer when the substrate is composed of multiple layers, a wet stripping method using a stripping solution may be used. As the stripping solution, a sodium hydroxide aqueous solution, (hot) phosphoric acid, a hydrofluoric acid solution or an ammonium fluoride solution, “secondary ammonium nitrate + perchloric acid aqueous solution” or the like can be used.
As described above, a substrate useful for a semiconductor device to which the uneven shape of the template is transferred is manufactured.
The manufacturing of the semiconductor device is not limited to the above steps, and may further include other known semiconductor device manufacturing steps.

次に、本発明を実施例により、さらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によって何ら限定されるものではない。   EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention still in detail, this invention is not limited at all by these examples.

<合成例1>
(工程1)
カルバゾール6.8g(40mmol)とエチルアクリレート4.0g(40mmol)及び炭酸カリウム5.5g(40mmol)をジメチルホルムアミド(DMF)に懸濁させ、室温で24時間攪拌した。反応終了後、水を添加してからさらに30分攪拌し、その後、酢酸エチルで抽出、水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を留去、乾燥することにより、淡黄色液体の上記化合物(i)9.6g(収率93%)を得た。該化合物(i)の1H−NMR測定結果を以下に示す。
<Synthesis Example 1>
(Process 1)
Carbazole (6.8 g, 40 mmol), ethyl acrylate (4.0 g, 40 mmol) and potassium carbonate (5.5 g, 40 mmol) were suspended in dimethylformamide (DMF) and stirred at room temperature for 24 hours. After completion of the reaction, water was added and the mixture was further stirred for 30 minutes, and then extracted with ethyl acetate, washed with water, dried over magnesium sulfate, the solvent was distilled off and dried, whereby the above compound as a pale yellow liquid was obtained. (I) 9.6 g (93% yield) was obtained. The 1 H-NMR measurement results of the compound (i) are shown below.

1H−NMR(400MHz,CDCl3,TMS,ppm)δ:1.15(t,3H)、2.835(t,2H)、4.08(q,2H)、4.64(t,3H)、7.215−7.254(m,2H)、7.45−7.47(m,4H)、8.08(d,2H) 1 H-NMR (400 MHz, CDCl 3 , TMS, ppm) δ: 1.15 (t, 3H), 2.835 (t, 2H), 4.08 (q, 2H), 4.64 (t, 3H) ), 7.215-7.254 (m, 2H), 7.45-7.47 (m, 4H), 8.08 (d, 2H)

(工程2)
化合物(i)2.7g(10mmol)をジクロロメタン10mlに溶解させ、氷浴で冷却しながら塩化アルミニウム2.7g(20mmol)を20分かけて添加した。得られた混合溶液へベンゾイルクロリド1.4g(11mmol)を20分かけて滴下した。その後、徐々に室温に戻してから、1時間攪拌した。再び氷浴で冷却しながら、塩化アルミニウム2.7g(20mmol)を20分かけて添加し、そこへアセチルクロリド1.2g(15mmol)を20分かけて滴下した。その後、徐々に室温に戻し一晩攪拌した。反応終了後、氷水に反応溶液を投入し、酢酸エチルで抽出した後、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥してから溶媒を留去した。
シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出液;ジクロロメタン→ノルマルヘキサン:酢酸エチル=2:1)により生成物を単離し、淡黄色固体の化合物(ii)2.8g(収率70%)を得た。該化合物(ii)の1H−NMR測定結果を以下に示す。
(Process 2)
2.7 g (10 mmol) of compound (i) was dissolved in 10 ml of dichloromethane, and 2.7 g (20 mmol) of aluminum chloride was added over 20 minutes while cooling with an ice bath. Benzoyl chloride 1.4g (11mmol) was dripped at the obtained mixed solution over 20 minutes. Thereafter, the mixture was gradually returned to room temperature and stirred for 1 hour. While cooling in an ice bath again, 2.7 g (20 mmol) of aluminum chloride was added over 20 minutes, and 1.2 g (15 mmol) of acetyl chloride was added dropwise thereto over 20 minutes. Thereafter, the mixture was gradually returned to room temperature and stirred overnight. After completion of the reaction, the reaction solution was poured into ice water, extracted with ethyl acetate, washed with water, saturated aqueous sodium hydrogen carbonate solution and saturated brine, dried over magnesium sulfate, and then the solvent was distilled off.
The product was isolated by silica gel column chromatography (eluent: dichloromethane → normal hexane: ethyl acetate = 2: 1) to obtain 2.8 g (yield 70%) of compound (ii) as a pale yellow solid. The 1 H-NMR measurement result of the compound (ii) is shown below.

1H−NMR(400MHz,CDCl3,TMS,ppm)δ:1.16(t,3H)、2.725(s,3H)、2.91(t,2H)、4.08(q,2H)、4.73(t,2H)、7.525−7.86(m,5H)、8.10(dd,2H)、8.18(dd,1H)、8.20(dd,1H)、8.625(d,1H)、8.725(d,1H) 1 H-NMR (400 MHz, CDCl 3 , TMS, ppm) δ: 1.16 (t, 3H), 2.725 (s, 3H), 2.91 (t, 2H), 4.08 (q, 2H) ), 4.73 (t, 2H), 7.525-7.86 (m, 5H), 8.10 (dd, 2H), 8.18 (dd, 1H), 8.20 (dd, 1H) 8.625 (d, 1H), 8.725 (d, 1H)

(工程3)
塩化ヒドロキシルアミン0.12g(1.7mmol)及び酢酸ナトリウム0.17g(2.0mmol)を水1.4mlに溶解させ、そこへ化合物(ii)0.60g(1.58mmol)及びエタノール11mlを添加し、7時間還流させた。
反応終了後、反応溶液の溶媒を留去し、得られた固体を水で洗浄した後、THFに溶解させ、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去することにより、淡黄色液体の化合物(iii)0.60g(収率89%)を得た。該化合物(iii)の1H−NMR測定結果を以下に示す。
(Process 3)
0.12 g (1.7 mmol) of hydroxylamine chloride and 0.17 g (2.0 mmol) of sodium acetate were dissolved in 1.4 ml of water, and 0.60 g (1.58 mmol) of compound (ii) and 11 ml of ethanol were added thereto. And refluxed for 7 hours.
After completion of the reaction, the solvent of the reaction solution was distilled off, and the resulting solid was washed with water, dissolved in THF, dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off to give a pale yellow liquid compound (iii ) 0.60 g (89% yield) was obtained. The 1 H-NMR measurement results of the compound (iii) are shown below.

1H−NMR(400MHz,CDCl3,TMS,ppm)δ:1.16(t,3H)、2.41(s,3H)、2.89(t,2H)、4.09(q,2H)、4.69(t,2H)、7.475−7.63(m,5H)、7.85(dd,1H)、8.045(dd,2H)、8.07(dd,1H)、8.325(d,1H)、8.60(d,1H) 1 H-NMR (400 MHz, CDCl 3 , TMS, ppm) δ: 1.16 (t, 3H), 2.41 (s, 3H), 2.89 (t, 2H), 4.09 (q, 2H) ), 4.69 (t, 2H), 7.475-7.63 (m, 5H), 7.85 (dd, 1H), 8.045 (dd, 2H), 8.07 (dd, 1H) 8.325 (d, 1H), 8.60 (d, 1H)

(工程4)
化合物(iii)0.60g(1.4mmol)をt−ブチルメチルエーテル7mlに溶解させ、アセチルクロリド0.11g(1.4mmol)添加し、氷浴で冷却しながらトリエチルアミン0.28ml(2.0mmol)を滴下した。徐々に室温に戻しながら3時間攪拌した。反応終了後、氷水に反応混合液を投入し、酢酸エチルで抽出した後、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥してから溶媒を留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出液;ジクロロメタン→ノルマルヘキサン:酢酸エチル=2:1)により生成物を単離し、淡黄色固体の化合物(iv)0.30g(収率70%)を得た。該化合物(iv)の物性を以下に示す。
(Process 4)
0.60 g (1.4 mmol) of compound (iii) is dissolved in 7 ml of t-butyl methyl ether, 0.11 g (1.4 mmol) of acetyl chloride is added, and 0.28 ml (2.0 mmol) of triethylamine is added while cooling in an ice bath. ) Was added dropwise. The mixture was stirred for 3 hours while gradually returning to room temperature. After completion of the reaction, the reaction mixture was poured into ice water, extracted with ethyl acetate, washed with water, saturated aqueous sodium hydrogen carbonate solution and saturated brine, dried over magnesium sulfate, and then the solvent was distilled off. The product was isolated by silica gel column chromatography (eluent: dichloromethane → normal hexane: ethyl acetate = 2: 1) to obtain 0.30 g (yield 70%) of a light yellow solid compound (iv). The physical properties of the compound (iv) are shown below.

1H−NMR(400MHz,CDCl3,TMS,ppm)δ:1.16(t,3H)、2.23(s,3H)、2.51(s,3H)、2.90(t,2H)、4.09(q,2H)、4.71(t,2H)、7.51−7.62(m,5H)、7.75(dd,2H)、7.99(dd,1H)、8.09(dd,1H)、8.46(d,1H)、8.59(d,1H)
UVスペクトル(移動層;アセトニトリル):λmax=260nm、292nm、333nm
熱分解温度(窒素ガス雰囲気下、1.5mgのサンプルを昇温速度10℃/分で加熱し、5%質量減少した時の温度):224.5℃
分子量:470.52
1 H-NMR (400 MHz, CDCl 3 , TMS, ppm) δ: 1.16 (t, 3H), 2.23 (s, 3H), 2.51 (s, 3H), 2.90 (t, 2H) ), 4.09 (q, 2H), 4.71 (t, 2H), 7.51-7.62 (m, 5H), 7.75 (dd, 2H), 7.99 (dd, 1H) 8.09 (dd, 1H), 8.46 (d, 1H), 8.59 (d, 1H)
UV spectrum (moving layer; acetonitrile): λmax = 260 nm, 292 nm, 333 nm
Thermal decomposition temperature (temperature at which a 1.5 mg sample is heated at a heating rate of 10 ° C./min under a nitrogen gas atmosphere and the mass is reduced by 5%): 224.5 ° C.
Molecular weight: 470.52

<合成例2>
合成例1の工程1において、エチルアクリレート(40mmol)の代わりにイソブチルアクリレート(40mmol)を用い、工程2において、ベンゾイルクロリド(11mmol)の代わりに2−メチルベンゾイルクロリド(11mmol)を用いたこと以外は実施例1と同様に操作を行い、下記の淡黄色固体の化合物(v)を得た。該化合物(v)の物性を以下に示す。
<Synthesis Example 2>
In Step 1 of Synthesis Example 1, isobutyl acrylate (40 mmol) was used instead of ethyl acrylate (40 mmol), and in Step 2, 2-methylbenzoyl chloride (11 mmol) was used instead of benzoyl chloride (11 mmol). The same operation as in Example 1 was performed to obtain the following pale yellow solid compound (v). The physical properties of the compound (v) are shown below.

1H−NMR(400MHz,CDCl3,TMS,ppm)δ:0.81(d,6H)、1.805(m,1H)、2.29(s,3H)、2.35(s,3H)、2.50(s,3H)、2.90(t,2H)、3.81(d,2H)、4.70(t,2H)、7.28−7.53(m,6H)、7.97(dd,1H)、8.10(dd,1H)、8.42(d,1H)、8.51(d,1H)
UVスペクトル(移動層;アセトニトリル):λmax=260nm、295.5nm、334nm
熱分解温度(窒素ガス雰囲気下、1.5mgのサンプルを昇温速度10℃/分で加熱し、5%質量減少した時の温度):236℃
分子量:512.6
1 H-NMR (400 MHz, CDCl 3 , TMS, ppm) δ: 0.81 (d, 6H), 1.805 (m, 1H), 2.29 (s, 3H), 2.35 (s, 3H) ), 2.50 (s, 3H), 2.90 (t, 2H), 3.81 (d, 2H), 4.70 (t, 2H), 7.28-7.53 (m, 6H) 7.97 (dd, 1H), 8.10 (dd, 1H), 8.42 (d, 1H), 8.51 (d, 1H)
UV spectrum (moving layer; acetonitrile): λmax = 260 nm, 295.5 nm, 334 nm
Thermal decomposition temperature (temperature at which a 1.5 mg sample was heated at a rate of temperature increase of 10 ° C./min and reduced by 5% in a nitrogen gas atmosphere): 236 ° C.
Molecular weight: 512.6

<合成例3>
合成例1の工程1において、エチルアクリレート(40mmol)の代わりに2−メトキシエチルアクリレート(40mmol)を用い、工程2において、ベンゾイルクロリド(11mmol)の代わりに2−メチルベンゾイルクロリド(11mmol)を用いたこと以外は実施例1と同様に操作を行い、下記の淡黄色固体の化合物(vi)を得た。該化合物(vi)の物性を以下に示す。
<Synthesis Example 3>
In Step 1 of Synthesis Example 1, 2-methoxyethyl acrylate (40 mmol) was used instead of ethyl acrylate (40 mmol), and in Step 2, 2-methylbenzoyl chloride (11 mmol) was used instead of benzoyl chloride (11 mmol). Except for this, the same operation as in Example 1 was carried out to obtain the following pale yellow solid compound (vi). The physical properties of the compound (vi) are shown below.

1H−NMR(400MHz,CDCl3,TMS,ppm)δ:2.29(s,3H)、2.35(s,3H)、2.50(s,3H)、2.95(t,2H)、3.32(s,3H)、3.50(t,2H)、4.19(t,2H)、4.70(t,2H)、7.30−7.54(m,6H)、7.97(dd,1H)、8.10(dd,1H)、8.42(d,1H)、8.51(d,1H)
UVスペクトル(移動層;アセトニトリル):λmax=258.5nm、296nm、334.5nm
熱分解温度(窒素ガス雰囲気下、1.5mgのサンプルを昇温速度10℃/分で加熱し、5%質量減少した時の温度):243℃
分子量:514.5
1 H-NMR (400 MHz, CDCl 3 , TMS, ppm) δ: 2.29 (s, 3H), 2.35 (s, 3H), 2.50 (s, 3H), 2.95 (t, 2H) ), 3.32 (s, 3H), 3.50 (t, 2H), 4.19 (t, 2H), 4.70 (t, 2H), 7.30-7.54 (m, 6H) 7.97 (dd, 1H), 8.10 (dd, 1H), 8.42 (d, 1H), 8.51 (d, 1H)
UV spectrum (moving layer; acetonitrile): λmax = 258.5 nm, 296 nm, 334.5 nm
Thermal decomposition temperature (temperature at which a 1.5 mg sample was heated at a heating rate of 10 ° C./min under a nitrogen gas atmosphere and the mass decreased by 5%): 243 ° C.
Molecular weight: 514.5

<合成例4>
(工程1)
カルバゾール5.0g(30mmol)をジメチルホルムアミド(DMF)6mlに溶解させ、炭酸エチレン13.2g(150mmol)とジアザビシクロウンデセン(DBU)5.5ml(037mmol)を添加し、100℃で3時間加熱還流した。冷却後、水を投入し、酢酸エチルで抽出した後、水洗してから溶媒を留去した。
次に、得られた濃縮物をアセトニトリル15mlで希釈し、そこへアセチルクロライド2g(23mmol)及びトリエチルアミン4ml(29mmol)を添加し、室温で3時間攪拌した。反応終了後、水を投入し、酢酸エチルで抽出した後、水で洗浄してから硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を留去することにより、淡黄色液体の上記化合物(vii)6.0g(収率80%)を得た。
<Synthesis Example 4>
(Process 1)
Dissolve 5.0 g (30 mmol) of carbazole in 6 ml of dimethylformamide (DMF), add 13.2 g (150 mmol) of ethylene carbonate and 5.5 ml (037 mmol) of diazabicycloundecene (DBU) and add at 100 ° C. for 3 hours. Heated to reflux. After cooling, water was added, extracted with ethyl acetate, washed with water, and then the solvent was distilled off.
Next, the obtained concentrate was diluted with 15 ml of acetonitrile, 2 g (23 mmol) of acetyl chloride and 4 ml (29 mmol) of triethylamine were added thereto, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. After completion of the reaction, water was added, extracted with ethyl acetate, washed with water, dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off to obtain 6.0 g (yield) of the above compound (vii) as a pale yellow liquid. 80%).

(工程2)
化合物(vii)2.5g(9.9mmol)をジクロロメタン10mlに溶解させ、氷浴で冷却しながら塩化アルミニウム1.5gを20分かけて添加した。その後、ベンゾイルクロリド1.4g(10.0mmol)を滴下し、徐々に室温に戻してから1時間攪拌した。
再び氷浴で冷却しながら塩化アルミニウム1.5gを20分かけて添加、そこへアセチルクロリド0.93g(11.8mmol)を添加し、徐々に室温に戻してから一時間攪拌した。
反応終了後、氷水に反応溶液を投入し、酢酸エチルで抽出した後、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、及び飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥してから溶媒を留去した。
シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出液;ジクロロメタン→ノルマルヘキサン:酢酸エチル=2:1)により化合物を単離し、淡黄色固体の化合物(viii)2.8g(収率70%)を得た。
(Process 2)
Compound (vii) (2.5 g, 9.9 mmol) was dissolved in dichloromethane (10 ml), and aluminum chloride (1.5 g) was added over 20 minutes while cooling in an ice bath. Thereafter, 1.4 g (10.0 mmol) of benzoyl chloride was added dropwise, and after gradually returning to room temperature, the mixture was stirred for 1 hour.
While cooling in an ice bath again, 1.5 g of aluminum chloride was added over 20 minutes, 0.93 g (11.8 mmol) of acetyl chloride was added thereto, and the mixture was gradually returned to room temperature and stirred for 1 hour.
After completion of the reaction, the reaction solution was poured into ice water, extracted with ethyl acetate, washed with water, saturated aqueous sodium hydrogen carbonate solution and saturated brine, dried over magnesium sulfate, and then the solvent was distilled off.
The compound was isolated by silica gel column chromatography (eluent: dichloromethane → normal hexane: ethyl acetate = 2: 1) to obtain 2.8 g (yield 70%) of a light yellow solid compound (viii).

(工程3)
塩化ヒドロキシルアミン0.38g(5.4mmol)、酢酸ナトリウム0.54g(6.4mmol)を水4.5mlに溶解させ、そこへ前記化合物(viii)2.0g(5.0mmol)及びエタノール35mlを添加し、2時間還流させた。
反応終了後、反応溶液の溶媒を留去し、得られた固体を水で洗浄した後、THFに溶解させ、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去することにより、淡黄色液体の化合物(ix)1.8g(収率89%)を得た。
(Process 3)
Hydroxylamine chloride (0.38 g, 5.4 mmol) and sodium acetate (0.54 g, 6.4 mmol) were dissolved in water (4.5 ml), and the compound (viii) (2.0 g, 5.0 mmol) and ethanol (35 ml) were added thereto. Added and refluxed for 2 hours.
After completion of the reaction, the solvent of the reaction solution was distilled off, and the resulting solid was washed with water, dissolved in THF, dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off to obtain a compound (ix ) 1.8 g (yield 89%) was obtained.

(工程4)
化合物(ix)0.8g(2.0mmol)をt−ブチルメチルエーテル10mlに溶解させ、アセチルクロライド0.16g(2.0mmol)を添加し、氷浴で冷却しながらトリエチルアミン0.4ml(2.9mmol)を滴下した。徐々に室温に戻しながら3時間攪拌した。
反応終了後、氷水に反応溶液を投入し、酢酸エチルで抽出した後、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、及び飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥してから溶媒を留去した。
シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出液;ジクロロメタン→ノルマルヘキサン:酢酸エチル=2:1)により化合物を単離し、下記物性の淡黄色固体の化合物(x)0.6g(収率70%)を得た。
(Process 4)
Compound (ix) 0.8 g (2.0 mmol) is dissolved in t-butyl methyl ether 10 ml, 0.16 g (2.0 mmol) of acetyl chloride is added, and triethylamine 0.4 ml (2. 9 mmol) was added dropwise. The mixture was stirred for 3 hours while gradually returning to room temperature.
After completion of the reaction, the reaction solution was poured into ice water, extracted with ethyl acetate, washed with water, saturated aqueous sodium hydrogen carbonate solution and saturated brine, dried over magnesium sulfate, and then the solvent was distilled off.
The compound was isolated by silica gel column chromatography (eluent: dichloromethane → normal hexane: ethyl acetate = 2: 1) to obtain 0.6 g (yield 70%) of a light yellow solid compound (x) having the following physical properties.

(化合物(x)の諸物性)
1H−NMR(400MHz,CDCl3,TMS,ppm)δ:1.93(s,3H)、2.50(s,3H)、2.85(s,3H)、4.31(t,2H)、4.40(t,2H)、7.50−7.62(m,5H)、7.75(dd,2H)、7.99(dd,1H)、8.09(dd,1H)、8.46(d,1H)、8.59(d,1H)
UVスペクトル(移動層;アセトニトリル):λmax=260nm、296nm、334nm
熱分解温度(窒素ガス雰囲気下、1.5mgのサンプルを昇温速度10℃/分で加熱し、5%質量減少した時の温度):225℃
分子量:456.49
(Physical properties of compound (x))
1 H-NMR (400 MHz, CDCl 3 , TMS, ppm) δ: 1.93 (s, 3H), 2.50 (s, 3H), 2.85 (s, 3H), 4.31 (t, 2H) ), 4.40 (t, 2H), 7.50-7.62 (m, 5H), 7.75 (dd, 2H), 7.99 (dd, 1H), 8.09 (dd, 1H) 8.46 (d, 1H), 8.59 (d, 1H)
UV spectrum (moving layer; acetonitrile): λmax = 260 nm, 296 nm, 334 nm
Thermal decomposition temperature (temperature at which a 1.5 mg sample is heated at a heating rate of 10 ° C./min under a nitrogen gas atmosphere and the mass is reduced by 5%): 225 ° C.
Molecular weight: 456.49

<合成例5>
(工程1)
9−カルバゾール−9−プロピオン酸0.96g(40mmol)をアセトニトリル10mlで溶解した後、モルホリン18g(210mmol)を添加した。得られた混合液へ塩化チオニル14g(120mmol)を滴下し、室温で3時間攪拌した。
反応終了後、水を添加してから30分攪拌した。その後、酢酸エチルで抽出し、水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥してから溶媒を留去することにより、淡黄色液体の化合物(xi)10g(収率81%)を得た。
<Synthesis Example 5>
(Process 1)
After dissolving 0.96 g (40 mmol) of 9-carbazole-9-propionic acid in 10 ml of acetonitrile, 18 g (210 mmol) of morpholine was added. To the obtained mixture, 14 g (120 mmol) of thionyl chloride was added dropwise and stirred at room temperature for 3 hours.
After completion of the reaction, water was added and stirred for 30 minutes. Thereafter, the mixture was extracted with ethyl acetate, washed with water, dried over magnesium sulfate, and then the solvent was distilled off to obtain 10 g (yield 81%) of a light yellow liquid compound (xi).

(工程2〜4)
(Process 2-4)

上記化学反応式のとおり、合成例5の工程2〜4では、合成例4の工程2〜4において、工程2で化合物(vii)の代わりに化合物(xi)を用いたこと以外は同様の操作を採用することにより、下記物性の淡黄色固体の化合物(xii)を得た。   As in the above chemical reaction formula, the same operations are performed in Steps 2 to 4 of Synthesis Example 5 except that Compound (xi) was used in Step 2 instead of Compound (vii) in Steps 2 to 4 of Synthesis Example 4. Was employed to obtain a light yellow solid compound (xii) having the following physical properties.

(化合物(xii)の諸物性)
1H−NMR(400MHz,CDCl3,TMS,ppm)δ:2.50(s,3H)、2.80(t,2H)2.85(s,3H)、2.90(br,2H)、3.00(br,2H)、3.35(br,2H)、3.46(br,2H)4.72(t,2H)、7.51−7.62(m,5H)、7.75(dd,2H)、7.99(dd,1H)、8.09(dd,1H)、8.46(d,1H)、8.59(d,1H)
UVスペクトル(移動層;アセトニトリル):λmax=260nm、292nm、335nm
熱分解温度(窒素ガス雰囲気下、1.5mgのサンプルを昇温速度10℃/分で加熱し、5%質量減少した時の温度):234℃
分子量:511.57
(Physical properties of compound (xii))
1 H-NMR (400 MHz, CDCl 3 , TMS, ppm) δ: 2.50 (s, 3H), 2.80 (t, 2H) 2.85 (s, 3H), 2.90 (br, 2H) 3.00 (br, 2H), 3.35 (br, 2H), 3.46 (br, 2H) 4.72 (t, 2H), 7.51-7.62 (m, 5H), 7 .75 (dd, 2H), 7.99 (dd, 1H), 8.09 (dd, 1H), 8.46 (d, 1H), 8.59 (d, 1H)
UV spectrum (moving layer; acetonitrile): λmax = 260 nm, 292 nm, 335 nm
Thermal decomposition temperature (temperature when a 1.5 mg sample is heated at a rate of temperature increase of 10 ° C./min under a nitrogen gas atmosphere and the mass is reduced by 5%): 234 ° C.
Molecular weight: 511.57

<実施例1〜5、比較例1及び2>相溶性(溶解性)試験
重合性反応基を1つ以上有する化合物としてジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート((B)重合性反応基を1つ以上有する化合物)と、合成例1〜5で得た光重合開始剤(化合物(iv)〜(vi)、(x)及び(xii))、下記光重合開始剤「IRGACURE OXE02」(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ(株)製、比較試験例1用。以下、「OXE02」と略称することがある。)又は下記光重合開始剤「N−1919」((株)ADEKA製、比較試験例2用)とを混合し2分間攪拌した。ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレートと光重合開始剤との混合比率は、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート100質量%に対し、光重合開始剤5.6質量%である。
ここで、目視により得られた混合物中の固体の有無を確認し、重合性反応基を1つ以上有する化合物(特に(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物)との相溶性(溶解性)の指標とした。結果を表1に示す。
<Examples 1-5, Comparative Examples 1 and 2> Compatibility (Solubility) Test As a compound having one or more polymerizable reactive groups, dicyclopentenyloxyethyl acrylate ((B) having one or more polymerizable reactive groups) Compound), the photopolymerization initiator (compounds (iv) to (vi), (x) and (xii)) obtained in Synthesis Examples 1 to 5, and the following photopolymerization initiator “IRGACURE OXE02” (Ciba Specialty Chemicals) Co., Ltd., for Comparative Test Example 1. Hereinafter, it may be abbreviated as “OXE02”) or the following photopolymerization initiator “N-1919” (manufactured by ADEKA, for Comparative Test Example 2). Mix and stir for 2 minutes. The mixing ratio of the dicyclopentenyloxyethyl acrylate and the photopolymerization initiator is 5.6% by mass of the photopolymerization initiator with respect to 100% by mass of the dicyclopentenyloxyethyl acrylate.
Here, the presence or absence of a solid in the mixture obtained by visual inspection is confirmed, and an indicator of compatibility (solubility) with a compound having at least one polymerizable reactive group (particularly a compound having a (meth) acryloyloxy group). It was. The results are shown in Table 1.

表1より、本発明で使用する光重合開始剤(I)は、重合性反応基を1つ以上有する化合物、特に(メタ)アクリレートとの相溶性が高く、無溶剤の感光性樹脂組成物を調製することが可能である。一方、比較例1及び2で用いた光重合開始剤では、(メタ)アクリレートに対する相溶性又は溶解性が不十分であり、使用条件に制限があることがわかった。   From Table 1, the photopolymerization initiator (I) used in the present invention is a solvent-free photosensitive resin composition having high compatibility with a compound having one or more polymerizable reactive groups, particularly (meth) acrylate. It is possible to prepare. On the other hand, it was found that the photopolymerization initiators used in Comparative Examples 1 and 2 have insufficient compatibility or solubility with respect to (meth) acrylate, and there are restrictions on the use conditions.

また、以下の方法によって、粘度、感度、揮発性、硬化収縮率及びエッチング耐性を評価した。
(粘度)
レオメータ「AR-G2」(ティー・エイ・インスツルメント社製)にて、円盤プレート上に光インプリント用感光性樹脂組成物を滴下し、直径40mmの標準スチールコーンをせん断速度10〜1000(1/s)へ変化させ25℃、1000(1/s)のときの値を計測値とした。
(感度)
基板上に光インプリント用感光性樹脂を0.3μL滴下、その上から5mm角のKBrを被せ窒素雰囲気の下、KBr側から20mW/cm2の照度でUV露光を行った。赤外分光装置で810cm-1のピーク減少量を経時的に記録し、アクリルモノマーのC=C結合の消失がどの程度進行しているか(反応率)を確認し、反応率80%の時の露光量を感度とした。
(揮発性)
光インプリント用感光性樹脂組成物を、インクジェット装置を用いて基板上に40±5pl(ピコリットル)の液滴として滴下して、1気圧及び25℃にて1分放置した場合の該液滴の直径の変化を調査した。基板は1.5μlの純水接触角が112°±5°のものを使用した。液滴の直径変化は、撮影された画像を元に計算したものを使用した。
(硬化収縮率)
原子間力顕微鏡(AFM)にて、転写によって得られた線幅32nmのレジストラインパターンの高さ(h1)と使用したテンプレートのスペース深さ(h0)を計測し、{(h0―h1)/h0}×100(%)の式から硬化収縮率を求めた。
(エッチング耐性)
各例に従ってレジスト膜を形成した後、ICPタイプのドライエッチング装置(エッチャントガス:酸素と塩素の混合ガス)を用いてエッチングした。エッチング前後のレジスト膜厚から単位時間あたりのレジスト膜減り量(エッチングレート[nm/sec])を算出し、ZEP520Aのエッチングレートを1とした場合の相対値を求め、エッチング耐性の指標にした。なお、ZEP520AはEB(電子線直接病画)用ポジレジストであり、エッチング耐性の高いポジレジストとして一般的に知られている。相対値が1より小さい場合はZEP520A以上にエッチング耐性が高いと言える。
Moreover, the viscosity, sensitivity, volatility, cure shrinkage rate and etching resistance were evaluated by the following methods.
(viscosity)
With a rheometer “AR-G2” (manufactured by TA Instruments Inc.), a photosensitive resin composition for photoimprinting is dropped on a disk plate, and a standard steel cone having a diameter of 40 mm is sheared at a rate of 10 to 1000 ( The value at 25 ° C. and 1000 (1 / s) was taken as the measurement value.
(sensitivity)
0.3 μL of photosensitive resin for photoimprinting was dropped on the substrate, and 5 mm square KBr was covered from above, and UV exposure was performed from the KBr side with an illuminance of 20 mW / cm 2 under a nitrogen atmosphere. The amount of peak decrease of 810 cm −1 was recorded over time with an infrared spectrometer, and it was confirmed how much the disappearance of the C═C bond of the acrylic monomer had progressed (reaction rate). When the reaction rate was 80% The exposure amount was defined as sensitivity.
(volatility)
The droplet when the photosensitive resin composition for photoimprinting is dropped as a 40 ± 5 pl (picoliter) droplet on a substrate using an inkjet apparatus and left at 1 atm and 25 ° C. for 1 minute. The change of the diameter of was investigated. The substrate used was a 1.5 μl pure water contact angle of 112 ° ± 5 °. The change in the diameter of the droplet was calculated based on the photographed image.
(Curing shrinkage)
Using an atomic force microscope (AFM), the height (h 1 ) of the resist line pattern having a line width of 32 nm obtained by transfer and the space depth (h 0 ) of the template used were measured, and {(h 0 − The cure shrinkage was determined from the formula h 1 ) / h 0 } × 100 (%).
(Etching resistance)
After forming a resist film according to each example, etching was performed using an ICP type dry etching apparatus (etchant gas: mixed gas of oxygen and chlorine). The amount of reduction of the resist film per unit time (etching rate [nm / sec]) was calculated from the resist film thickness before and after etching, and the relative value when the etching rate of ZEP520A was set to 1 was obtained and used as an index of etching resistance. ZEP520A is a positive resist for EB (electron beam direct pathology), and is generally known as a positive resist having high etching resistance. When the relative value is smaller than 1, it can be said that the etching resistance is higher than ZEP520A.

<実施例6>50nm以下の線幅のレジストパターンの形成
ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、エチレングリコールジアクリレート(架橋剤)及びベンジルアクリレート(反応性希釈剤)の3種からなる重合性反応基を1つ以上有する化合物と、合成例1で得た光重合開始剤(化合物(iv))とを混合し、光インプリント用感光性樹脂組成物を得た。3種の重合性反応基を1つ以上有する化合物と光重合開始剤との混合比率は、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ベンジルアクリレート、光重合開始剤(化合物(iv))の順に、41.4質量%、18.3質量%、34.7質量%、5.6質量%である。
得られた感光性樹脂組成物を各々、信越化学工業株式会社製の密着層(3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、商品名:KBM−5103)を積層した酸窒化クロム/石英基板上に塗布した。次に、ライン及びスペース線幅24nm又は32nmの凹凸を有するテンプレートの凹凸面を接触させた。テンプレート側から、照度20mW/cm2及び積算光量100mJ/cm2で紫外線照射(露光)してレジストパターンを形成し、テンプレートを剥離した。
次に、ICPタイプのドライエッチング装置(エッチャントガス:酸素と塩素の混合ガス)を用いて、基板が露出するまで凹部をドライエッチングし、さらにそのまま基板部位までドライエッチングした。ついで、硫酸過酸化水素水剥離液)によってレジスト及び密着層を剥離し、次いで硝酸第2セリウムアンモニウム+過塩素酸水溶液にて石英基板上の酸窒化クロムを剥離洗浄し、凹凸形状が転写された基板(半導体装置)を得た。粘度、感度、揮発性、硬化収縮率及びエッチング耐性の評価結果を表2に示す。
なお、上記方法により得られたレジストパターンのSEM写真を図1及び図2に示す。24nm及び32nmの線幅の微細なレジストパターンが鮮明に形成されていることがわかる。このことは、当該感光性樹脂組成物が、感光性樹脂組成物中の重合性反応基を1つ以上有する化合物との相溶性又は重合性反応基を1つ以上有する化合物に対する溶解性が高く、光に対する感度が高い光重合開始剤を含有する、解像度及び深部硬化性に優れる感光性樹脂組成物であって、テンプレートの凹部への充填性が高い一方、露光後の硬化物はテンプレートからの剥離性に優れると共に基板との密着性に優れ、硬化物の凹凸形状の湾曲や欠けが極めて少なく、硬化収縮率が低く、かつドライエッチング耐性に優れている感光性樹脂組成物であることを示す。
<Example 6> Formation of a resist pattern having a line width of 50 nm or less One polymerizable reactive group consisting of three types of dicyclopentenyloxyethyl acrylate, ethylene glycol diacrylate (crosslinking agent) and benzyl acrylate (reactive diluent) Two or more compounds and the photopolymerization initiator (compound (iv)) obtained in Synthesis Example 1 were mixed to obtain a photosensitive resin composition for photoimprinting. The mixing ratio of the compound having one or more of three kinds of polymerizable reactive groups and the photopolymerization initiator is as follows: dicyclopentenyloxyethyl acrylate, ethylene glycol diacrylate, benzyl acrylate, photopolymerization initiator (compound (iv)) In order, they are 41.4 mass%, 18.3 mass%, 34.7 mass%, and 5.6 mass%.
Each of the obtained photosensitive resin compositions was applied onto a chromium oxynitride / quartz substrate on which an adhesion layer (3-acryloxypropyltrimethoxysilane, trade name: KBM-5103) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. was laminated. . Next, the uneven surface of the template which has an unevenness | corrugation of a line and space line width of 24 nm or 32 nm was made to contact. From the template side, an ultraviolet ray was irradiated (exposed) at an illuminance of 20 mW / cm 2 and an integrated light amount of 100 mJ / cm 2 to form a resist pattern, and the template was peeled off.
Next, by using an ICP type dry etching apparatus (etchant gas: mixed gas of oxygen and chlorine), the concave portion was dry etched until the substrate was exposed, and further dry etched to the substrate portion as it was. Next, the resist and the adhesion layer were peeled off with a sulfuric acid hydrogen peroxide aqueous stripping solution), and then the chromium oxynitride on the quartz substrate was peeled and washed with ceric ammonium nitrate + perchloric acid aqueous solution, and the uneven shape was transferred. A substrate (semiconductor device) was obtained. Table 2 shows the evaluation results of viscosity, sensitivity, volatility, cure shrinkage, and etching resistance.
SEM photographs of the resist pattern obtained by the above method are shown in FIGS. It can be seen that fine resist patterns with line widths of 24 nm and 32 nm are clearly formed. This is because the photosensitive resin composition is highly compatible with a compound having one or more polymerizable reactive groups in the photosensitive resin composition or highly soluble in a compound having one or more polymerizable reactive groups, A photosensitive resin composition containing a photopolymerization initiator with high sensitivity to light and excellent in resolution and deep part curability, and has high filling properties in the recesses of the template, while the cured product after exposure is peeled off from the template It shows that the photosensitive resin composition is excellent in adhesiveness and adhesion to the substrate, has very little unevenness or curvature of the cured product, has a low curing shrinkage, and is excellent in dry etching resistance.

<実施例7〜10、比較例3及び4>
実施例6において、合成例1で得た光重合開始剤(化合物(iv))の代わりに、表2に記載の光重合開始剤を用いたこと以外は同様に操作を行なった。粘度、感度、揮発性、硬化収縮率及びエッチング耐性の評価結果を表2に示す。
<Examples 7 to 10, Comparative Examples 3 and 4>
In Example 6, the same operation was performed except that the photopolymerization initiator shown in Table 2 was used instead of the photopolymerization initiator (compound (iv)) obtained in Synthesis Example 1. Table 2 shows the evaluation results of viscosity, sensitivity, volatility, cure shrinkage, and etching resistance.

表2より、前記一般式(I)で表される光重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物は低粘度であり、感度が高く、揮発性及び硬化収縮率は低く、エッチング耐性は高くなった。
一方、従来の光重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物では、本発明の感光性樹脂組成物に比べて感度が乏しかった。
From Table 2, the photosensitive resin composition containing the photopolymerization initiator represented by the general formula (I) has low viscosity, high sensitivity, low volatility and curing shrinkage, and high etching resistance. It was.
On the other hand, the photosensitive resin composition containing the conventional photopolymerization initiator was poor in sensitivity as compared with the photosensitive resin composition of the present invention.

本発明の感光性樹脂組成物は、重合性反応基を1つ以上有する化合物との相溶性又は重合性反応基を1つ以上有する化合物に対する溶解性が高く、光に対する感度が高い光重合開始剤を含有する、解像度及び深部硬化性に優れる感光性樹脂組成物であって、テンプレートの凹部への充填性が高い一方、露光後の硬化物はテンプレートからの剥離性に優れると共に基板との密着性に優れ、硬化物の凹凸形状の湾曲や欠けが極めて少なく、硬化収縮率が低く、かつドライエッチング耐性に優れている感光性樹脂組成物である。そのため、光インプリント用の感光性樹脂組成物として有効に利用可能である。   The photosensitive resin composition of the present invention is a photopolymerization initiator that is highly compatible with a compound having one or more polymerizable reactive groups or highly soluble in a compound having one or more polymerizable reactive groups and has high sensitivity to light. Is a photosensitive resin composition excellent in resolution and deep part curability, and has a high filling property in the recesses of the template, while the cured product after exposure has excellent peelability from the template and adhesion to the substrate. It is a photosensitive resin composition that is excellent in resistance, has very little unevenness or curvature of the cured product, has a low cure shrinkage, and is excellent in dry etching resistance. Therefore, it can be effectively used as a photosensitive resin composition for photoimprinting.

Claims (8)

(A)下記一般式(I)で表される光重合開始剤及び
(B)重合性反応基を1つ以上有する化合物
を含有し、25℃における粘度が25cPs以下である光インプリント用感光性樹脂組成物。
(式中、R1〜R11は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜20のアルケニル基、置換もしくは無置換の環形成原子数3〜10のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数4〜20のシクロアルケニル基、ヒドロキシル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数2〜20のアルケニルオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルカノイル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜20のアルケノイル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜14のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数3〜14のヘテロ環基を示す。R3は、R4又はR5と一緒になって環を形成していてもよい。R4は、R5と一緒になって環を形成していてもよい。
また、Arは、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜14のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜14のヘテロアリール基を示す。
Wは、単結合又は酸素原子を示す。Zは、単結合、酸素原子又は>NR3’(R3’は、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基を示すか、又はR3’はR3とつながって、窒素原子と共に環を形成している。)を示す。
nは、1〜10の整数を示す。nが2〜10の整数の場合、複数のR4及びR5は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。)
(A) A photopolymerization initiator represented by the following general formula (I) and (B) a photoimprinting photosensitivity containing a compound having one or more polymerizable reactive groups and having a viscosity at 25 ° C. of 25 cPs or less. Resin composition.
Wherein R 1 to R 11 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, Or an unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 10 ring atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkenyl group having 4 to 20 carbon atoms, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or Unsubstituted alkenyloxy group having 2 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkanoyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkenoyl group having 2 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted ring forming carbon number .R 3 showing a 6-14 aryl group, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group ring atoms 3-14, to form a ring together with R 4 or R 5 Good .R 4 may form a ring together with R 5.
Ar represents a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 14 ring carbon atoms or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 14 ring atoms.
W represents a single bond or an oxygen atom. Z represents a single bond, an oxygen atom, or> NR 3 ′ (R 3 ′ represents a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or R 3 ′ is connected to R 3 together with a nitrogen atom. Forming a ring).
n represents an integer of 1 to 10. When n is an integer of 2 to 10, a plurality of R 4 and R 5 may be the same or different. )
請求項1に記載の光インプリント用感光性樹脂組成物であって、該感光性樹脂組成物を1.5μlの純水接触角が112°±5°の基板上に40±5pl(ピコリットル)の液滴として滴下して、1気圧及び25℃にて1分放置した場合の該液滴の直径の変化が15%以内である、光インプリント用感光性樹脂組成物。   The photosensitive resin composition for optical imprinting according to claim 1, wherein the photosensitive resin composition is 40 ± 5 pl (picoliter) on a substrate having a pure water contact angle of 112 ° ± 5 ° of 1.5 μl. The photosensitive resin composition for photoimprinting, wherein the change in the diameter of the droplets is within 15% when dropped at 1 atm and 25 ° C. for 1 minute. 前記一般式(I)において、Zが酸素原子であり、R3が炭素数1〜18のアルコキシ基で置換された、炭素数1〜20のアルキル基である、請求項1又は2に記載の光インプリント用感光性樹脂組成物。 3. The general formula (I) according to claim 1, wherein Z is an oxygen atom, and R 3 is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms substituted with an alkoxy group having 1 to 18 carbon atoms. Photosensitive resin composition for optical imprint. さらに(C)成分として界面活性剤を含有する、請求項1〜3のいずれかに記載の光インプリント用感光性樹脂組成物。   Furthermore, the photosensitive resin composition for optical imprints in any one of Claims 1-3 which contains surfactant as (C) component. 前記(B)成分が(メタ)アクリロイル基を有する化合物である、請求項1〜4のいずれかに記載の光インプリント用感光性樹脂組成物。   The photosensitive resin composition for optical imprints in any one of Claims 1-4 whose said (B) component is a compound which has a (meth) acryloyl group. 請求項1〜5のいずれかに記載の光インプリント用感光性樹脂組成物を露光することにより得られる硬化物。   Hardened | cured material obtained by exposing the photosensitive resin composition for optical imprints in any one of Claims 1-5. 下記工程(1)〜(4)をこの順に有する、レジスト基板の製造方法。
(1)基板上又は基板に積層した密着層上に、請求項1〜5のいずれかに記載の感光性樹脂組成物をインクジェット方式によって付着させる工程。
(2)前記工程(1)によって付着した感光性樹脂組成物の上から、前記基板又は基板に積層した密着層上に対して、凹凸形状を表面に有するテンプレートを接触させ、前記凹凸形状内に感光性樹脂組成物を充填させる工程。
(3)露光により前記感光性樹脂組成物を硬化させ、基板上又は基板に積層した密着層上に、レジスト凹凸形状を形成する工程。
(4)レジスト凹凸形状が形成された基板からテンプレートを剥離する工程。
The manufacturing method of a resist substrate which has the following process (1)-(4) in this order.
(1) The process which adheres the photosensitive resin composition in any one of Claims 1-5 on the board | substrate or the adhesion layer laminated | stacked on the board | substrate by the inkjet system.
(2) From above the photosensitive resin composition attached in the step (1), a template having a concavo-convex shape is brought into contact with the substrate or an adhesion layer laminated on the substrate, and the concavo-convex shape is brought into contact with the substrate. A step of filling a photosensitive resin composition.
(3) The process which hardens the said photosensitive resin composition by exposure, and forms a resist uneven | corrugated shape on the contact | adherence layer laminated | stacked on the board | substrate or the board | substrate.
(4) The process of peeling a template from the board | substrate with which the resist uneven | corrugated shape was formed.
下記工程(5)〜(7)をこの順に有する、半導体装置の製造方法。
(5)請求項7に記載の製造方法で得たレジスト基板において、レジスト凹凸形状の凹部を基板が露出するまでドライエッチング加工する工程。
(6)前記工程(5)にて現れた基板の露出部分をさらにドライエッチング加工し、基板自体に凹部を形成する工程。
(7)基板上のレジストを除去する工程、又は、基板に密着層が積層している場合には該密着層とレジストとを共に除去する工程。
The manufacturing method of a semiconductor device which has the following process (5)-(7) in this order.
(5) In the resist substrate obtained by the manufacturing method according to claim 7, the step of dry etching the concave portions of the concave and convex shapes of the resist until the substrate is exposed.
(6) A step of further subjecting the exposed portion of the substrate appearing in the step (5) to dry etching to form a recess in the substrate itself.
(7) A step of removing the resist on the substrate, or a step of removing both the adhesion layer and the resist when the adhesion layer is laminated on the substrate.
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