JP2013041953A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】真空容器内に配置され内部でプラズマが形成される処理室と、この処理室内に配置されその上部の載置面に処理対象のウエハが載せられるステージと、このステージ内部に配置された電極にバイアス電位を形成するための高周波電力を供給する電源とを備え、前記電源から前記高周波電力を供給しつつ前記プラズマを用いて前記ウエハを処理するプラズマ処理装置であって、前記ステージの前記載置面の外周側に配置されその上方に形成される前記バイアスの電圧の値から最大値及び最小値との差の成分Vppと直流の成分Vdcとを検出する検出器と、この検出器からの出力に基づいて前記処理中Vpp/2+|Vdc|の値を一定になるように高周波バイアス電力の出力を調節する制御器とを備えた。
【選択図】 図1
Description
本発明の実施例を図1乃至図4を用いて説明する。
ここでAは、ウエハ4のエッジから電圧検出ヘッド30の上部ピース32の上部の円柱部の上端までの距離であり、本実施例ではサセプタ27の貫通孔と連通した上面の開口との距離である。またBは、電圧検出ヘッド30の上部ピース32の上部の円柱部の直径であり、本実施例では上記開口の直径と同等である。つまり、上記の条件は、ウエハ4またはプラズマに面する電圧検出ヘッド30の上端とウエハ4との水平方向の距離は電圧検出ヘッド30の上端部の径の1/2から3倍の範囲内にされる。
2 ソレノイドコイル
3 ヨーク
4 ウエハ
5 基板ステージ
6 マイクロ波透過窓
7 円筒空洞
8 シャワープレート
11 円形導波管
12 円偏波発生器
13 矩形円形導波管変換部
14 矩形導波管
15 マイクロ波用自動整合器
16 アイソレータ
17 マグネトロン
18 コンダクタンス調節バルブ
19 ターボ分子ポンプ
20 温度調節器
21 伝熱ガス源
22 整合器
23 高周波バイアス電源
25 冷媒通路
26 絶縁膜層
27 サセプタ
28 電極カバー
29 絶縁材
30 電圧検出ヘッド
31 分圧器
32 上部ピース
33 下部ピース
34 絶縁パイプ
35 ソケット
36 プラグ
37 信号線
Claims (6)
- 真空容器内に配置され内部でプラズマが形成される処理室と、この処理室内に配置されその上部の載置面に処理対象のウエハが載せられるステージと、このステージ内部に配置された電極にバイアス電位を形成するための高周波電力を供給する電源とを備え、前記電源から前記高周波電力を供給しつつ前記プラズマを用いて前記ウエハを処理するプラズマ処理装置であって、
前記ステージの前記載置面の外周側に配置されその上方に形成される前記バイアスの電圧の値から最大値及び最小値との差の成分Vppと直流の成分Vdcとを検出する検出器と、この検出器からの出力に基づいて前記処理中Vpp/2+|Vdc|の値を一定になるように高周波バイアス電力の出力を調節する制御器とを備えたプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、前記検出器は、その上端は前記載置面の上面またはこれに載せられた状態で前記ウエハ上面と実質的に同じ高さにされて前記プラズマに面し、前記ステージと前記検出器との単位面積あたりの静電結合容量を前記ステージと前記ウエハとの単位面積あたりの静電結合容量に等しくされたプラズマ処理装置。
- 請求項1または2に記載のプラズマ処理装置であって、前記検出器の前記プラズマに面する部分は前記ウエハが前記載置面に載せられて保持された状態でこのウエハの外周縁との距離が前記プラズマに面する部分の1/2から3倍の範囲内にされたプラズマ処理装置。
- 真空容器内の処理室に配置されたステージの上部の載置面上に処理対象のウエハを載せ、前記処理室内部でプラズマを形成して、前記ステージ内部に配置された電極と電気的に接続された電源からバイアス電位を形成するための高周波電力を供給して前記プラズマを用いて前記ウエハを処理するプラズマ処理方法であって、
前記ステージの前記載置面の外周側に配置されその上方に形成される前記バイアスの電圧の値から最大値及び最小値との差の成分Vppと直流の成分Vdcとを検出する検出器からの出力に基づいて前記処理中Vpp/2+|Vdc|の値を一定になるように高周波バイアス電力の出力を調節するプラズマ処理方法。 - 請求項4に記載のプラズマ処理方法であって、前記検出器は、その上端は前記載置面の上面またはこれに載せられた状態で前記ウエハ上面と実質的に同じ高さにされて前記プラズマに面し、前記ステージと前記検出器との単位面積あたりの静電結合容量を前記ステージと前記ウエハとの単位面積あたりの静電結合容量に等しくされたプラズマ処理方法。
- 請求項4または5に記載のプラズマ処理方法であって、前記検出器の前記プラズマに面する部分は前記ウエハが前記載置面に載せられて保持された状態でこのウエハの外周縁との距離が前記プラズマに面する部分の1/2から3倍の範囲内にされたプラズマ処理方法。
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