JP2013041051A - 波長変換装置、固体レーザ装置およびレーザシステム - Google Patents
波長変換装置、固体レーザ装置およびレーザシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013041051A JP2013041051A JP2011177036A JP2011177036A JP2013041051A JP 2013041051 A JP2013041051 A JP 2013041051A JP 2011177036 A JP2011177036 A JP 2011177036A JP 2011177036 A JP2011177036 A JP 2011177036A JP 2013041051 A JP2013041051 A JP 2013041051A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength conversion
- nonlinear crystal
- laser
- wavelength
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
- H01S3/2251—ArF, i.e. argon fluoride is comprised for lasing around 193 nm
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/353—Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S3/0092—Nonlinear frequency conversion, e.g. second harmonic generation [SHG] or sum- or difference-frequency generation outside the laser cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
- H01S3/162—Solid materials characterised by an active (lasing) ion transition metal
- H01S3/1625—Solid materials characterised by an active (lasing) ion transition metal titanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
- H01S3/1631—Solid materials characterised by a crystal matrix aluminate
- H01S3/1636—Al2O3 (Sapphire)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
- H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
- H01S3/2325—Multi-pass amplifiers, e.g. regenerative amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
- H01S3/2375—Hybrid lasers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/3501—Constructional details or arrangements of non-linear optical devices, e.g. shape of non-linear crystals
- G02F1/3505—Coatings; Housings; Supports
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/353—Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
- G02F1/3544—Particular phase matching techniques
- G02F1/3546—Active phase matching, e.g. by electro- or thermo-optic tuning
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/60—Temperature independent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/04—Arrangements for thermal management
- H01S3/0401—Arrangements for thermal management of optical elements being part of laser resonator, e.g. windows, mirrors, lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
- H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
- H01S3/2316—Cascaded amplifiers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】波長変換装置は、入射する第1のレーザ光を第2のレーザ光に波長変換して出力する波長変換部と、前記波長変換部を当該波長変換部の少なくとも1つの面側から冷却する冷却機構と、を備えてもよい。
【選択図】図2
Description
1.概要
2.用語の説明
3.波長変換素子を有する固体レーザ装置とArF増幅器とを備えたレーザシステム(実施の形態1)
3.1 構成
3.2 動作
4.非線形結晶の少なくとも1面の一部に冷却機構を設置した波長変換装置(実施の形態2)
4.1 構成
4.2 動作
4.3 作用
4.4 冷却機構の例
4.4.1 空冷方式(第1例)
4.4.2 周辺冷却方式(第2例)
4.4.3 少なくとも高反射膜を介した直接冷却方式(第3例)
4.4.4 高熱熱伝導性膜を介した冷却方式(第4例)
4.4.5 高反射膜と高熱熱伝導性膜を介した冷却方式(第5例)
5.複数のプリズムと冷却機構を組みあわせた波長変換装置(実施の形態3)
5.1 入射プリズムと出射プリズムと冷却機構の組合せ(第1例)
5.2 入射プリズムと出射プリズムと冷却機構の組合せ(第2例)
5.3 入射プリズムと出射プリズムと冷却機構の組合せ(第3例)
6.非線形結晶の端面から入射または出射させる場合の冷却機構を組合せた波長変換装置(実施の形態4)
以下で例示する実施の形態では、非線形光学結晶の表面が膜によりコートされ得る。この膜は、プリズムの表面にオプティカルコンタクトさせられ得る。
KBBF結晶とは、化学式KBe2BO3F2で表される非線形光学結晶である。バースト発振とは、所定の期間に、所定の繰返し周波数で、パルスレーザ光を出力することである。光路とは、レーザ光が伝搬する経路のことである。
3.1 構成
図1Aに本開示の実施の形態1による2ステージレーザ装置の一例の概略構成を示す。図1Bに、図1Aに示す増幅装置の一例の概略構成を示す。なお、図1Bは、図1Aに示す増幅装置3の断面とは異なる断面の概略構成を示す。
固体レーザ装置2は、波長がおよそ193nmのパルスレーザ光31を出力してもよい。低コヒーレンス化光学システム4は、パルスレーザ光31のコヒーレンシーを低下させてもよい。増幅装置3は、コヒーレンシーの低下したパルスレーザ光32を増幅してパルスレーザ光33として出力してもよい。パルスレーザ光33は、例えば図示していない半導体露光機へ送られて、露光処理に使用されてもよい。
つぎに、本開示の実施の形態2による波長変換装置について、図面を用いて詳細に説明する。ただし、実施の形態2では、実施の形態1において第二波長変換素子92として例示した部分をピックアップし、その構成をより具体的に説明する。なお、第一波長変換素子91についても、以下で例示する構成と同様としてもよい。
実施の形態2では、波長変換素子(たとえばKBBF結晶)の片面に少なくとも屈折率調節用の光学素子が接触する波長変換装置を例示する。屈折率調節用の光学素子としては、プリズムを例に挙げる。図2は、実施の形態2による波長変換装置101の概略構成を模式的に示す。図2に示すように、波長変換装置101は、プリズム110と、KBBF結晶120と、冷却機構130とを含んでもよい。
つづいて、図2に示す波長変換装置101の動作を説明する。図2に示す例では、パルスレーザ光31bが、反射防止膜111を介してプリズム110に入射してもよい。パルスレーザ光31bは、たとえば波長が386.8nmの2ω光であってもよい。また、パルスレーザ光31bは、偏光方向がKBBF結晶120の結晶軸D1に対して垂直(図2の紙面に対して垂直)な直線偏光の光であってもよい。プリズム110に入射したパルスレーザ光31bは、プリズム110を透過した後、KBBF結晶120に入射してもよい。ただし、プリズム110とKBBF結晶120との間に不図示の膜が介在する場合、パルスレーザ光31bは、この膜を透過した後、KBBF結晶120に第1面から入射してもよい。
実施の形態2によれば、KBBF結晶120の片面側を冷却機構130によって直接冷却できる。これにより、KBBF結晶120の冷却効率が改善され得る。その結果、光強度の高いパルスレーザ光31bを波長変換できるので、波長変換の効率が向上し得る。また、波長変換効率の低下を抑制し得る。さらに、KBBF結晶120の温度上昇を抑制できるので、KBBF結晶120の寿命を延ばすことが可能となる。
つづいて、上述した冷却機構130を、具体的な構成を例に挙げて説明する。なお、以下の説明において、上記と同様の構成については、同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
まず、冷却機構130の第1例として、空冷式の冷却機構230を説明する。図3は、第1例による冷却機構230の概略構成を模式的に示す。図3に示すように、冷却機構230は、温度センサ231と、温度コントローラ232と、電源233と、モータ234と、ファン235とを備えてもよい。また、KBBF結晶120の第2面は、気体に触れていてもよい。この気体は、たとえば空気、窒素、HeおよびAr等の不活性ガスなど、清浄な気体であってもよい。
つぎに、冷却機構130の第2例として、液冷式の冷却機構330を説明する。図4は、第2例による冷却機構330の概略構成を模式的に示す。図5は、図4におけるヒートシンク331の概略構成を示す斜視図である。なお、以下の説明において、上記と同様の構成については、同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
つぎに、冷却機構130の第3例として、第2例による冷却機構330を変形した冷却機構430を説明する。図6は、第3例による冷却機構430の概略構成を模式的に示す。なお、以下の説明において、上記と同様の構成については、同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
つぎに、冷却機構130の第4例として、第2例による冷却機構330を変形した冷却機構530を説明する。図7は、第4例による冷却機構530の概略構成を模式的に示す。図8は、図7におけるヒートシンク331および高熱伝導部122の概略構成を示す斜視図である。なお、以下の説明において、上記と同様の構成については、同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
つぎに、冷却機構130の第5例として、第3例による高反射膜121と第4例による高熱伝導部122とを組み合わせた冷却機構630を説明する。図9は、第5例による冷却機構630の概略構成を模式的に示す。なお、以下の説明において、上記と同様の構成については、同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
つぎに、本開示の実施の形態3による波長変換装置について、図面を用いて詳細に説明する。実施の形態3では、実施の形態2と同様、実施の形態1において第二波長変換素子92として例示した部分をピックアップし、その構成をより具体的に説明する。なお、第一波長変換素子91についても、以下で例示する構成と同様としてもよい。
図10は、実施の形態3の第1例による波長変換装置201の概略構成を模式的に示す。図10に示すように、波長変換装置201は、入射プリズム211と、出射プリズム221と、KBBF結晶120と、冷却機構130とを備えてもよい。
図11は、実施の形態3の第2例による波長変換装置202の概略構成を模式的に示す。図11に示すように、波長変換装置202は、入射プリズム211と、出射プリズム221と、KBBF結晶120と、冷却機構131および132とを備えてもよい。
図12は、実施の形態3の第3例による波長変換装置203の概略構成を模式的に示す。図12に示すように、波長変換装置203は、入射プリズム211と、出射プリズム221と、KBBF結晶120と、冷却機構130および131とを備えてもよい。
つぎに、本開示の実施の形態4による波長変換装置について、図面を用いて詳細に説明する。実施の形態4では、実施の形態2と同様、実施の形態1において第二波長変換素子92として例示した部分をピックアップし、その構成をより具体的に説明する。なお、第一波長変換素子91についても、以下で例示する構成と同様としてもよい。
2 固体レーザ装置
3 増幅装置
31、31a、32、33 パルスレーザ光
31b パルスレーザ光
4 低コヒーレンス化光学システム
5 ポンピングレーザ
51、51a、51b 励起光
6 Ti:サファイアレーザ
7 増幅器
81 ビームスプリッタ
82 高反射ミラー
9 波長変換装置
91 第一波長変換素子
92 第二波長変換素子
101、201、202、203、301 波長変換装置
110 プリズム
111、112、212、222、321、322 反射防止膜
120 KBBF結晶
121 高反射膜
122 高熱伝導部
122a 貫通孔
130、130A、130B、131、132 冷却機構
230、330、430、530、630 冷却機構
231 温度センサ
231a 凹部
232 温度コントローラ
233 電源
234 モータ
235 ファン
331、431 ヒートシンク
331a 凹部
333 チラー
334 配管
335 冷却媒体
D1 結晶軸
FL 風
Claims (25)
- 入射する第1のレーザ光を第2のレーザ光に波長変換して出力する波長変換部と、
前記波長変換部を当該波長変換部の少なくとも1つの面側から冷却する冷却機構と、
を備える波長変換装置。 - 前記波長変換部は、前記第1のレーザ光を前記第2のレーザ光に波長変換する非線形結晶を含み、
前記非線形結晶は、当該非線形結晶中を伝搬する前記第1および第2のレーザ光を少なくとも1回反射する少なくとも1つの反射面を備え、
前記冷却機構は、前記非線形結晶を前記反射面のうち少なくとも1つの反射面側から冷却する、
請求項1記載の波長変換装置。 - 前記非線形結晶は、KBBFである、請求項1記載の波長変換装置。
- 前記非線形結晶に対して前記第1のレーザ光が入射する入射面に接触する屈折率調節素子をさらに備える、請求項2記載の波長変換装置。
- 前記非線形結晶は、前記屈折率調節素子との接触面にコーティング膜を備え、
前記接触面は、前記屈折率調節素子と前記コーティング膜とのオプティカルコンタクト面である、
請求項4記載の波長変換装置。 - 前記屈折率調節素子は、プリズムを含む、請求項4記載の波長変換装置。
- 前記波長変換部の温度を検出する温度センサと、
前記温度センサで検出された前記波長変換部の温度に基づいて、前記冷却機構を駆動する温度制御部と、
をさらに備える請求項1記載の波長変換装置。 - 前記冷却機構は、前記波長変換部の少なくとも1つの面へ気体を吹き付ける空冷装置を含む、請求項1記載の波長変換装置。
- 前記冷却機構は、
前記波長変換部の少なくとも1つの面と接触し、前記波長変換部よりも熱伝導率が大きい冷却部材と、
前記冷却部材を冷却する冷却装置と、
を備える、請求項1記載の波長変換装置。 - 前記冷却部材は、内部に管を備え、
前記冷却装置は、前記管内に冷却水を流す、
請求項9記載の波長変換装置。 - 前記波長変換部は、前記第1のレーザ光を前記第2のレーザ光に波長変換する非線形結晶を含み、
前記非線形結晶は、当該非線形結晶中を伝搬する前記第1および第2のレーザ光を少なくとも1回反射する少なくとも1つの反射面を備え、
前記冷却部材は、前記非線形結晶の前記反射面のうち少なくとも1つの反射面に接触する、
請求項9記載の波長変換装置。 - 前記冷却部材は、前記非線形結晶との接触面の一部に凹部を有する、請求項11記載の波長変換装置。
- 前記凹部は、前記非線形結晶の前記反射面における少なくとも前記第1および第2のレーザ光を反射する領域と対応する領域に設けられている、請求項12記載の波長変換装置。
- 前記波長変換部は、前記非線形結晶の前記反射面における少なくとも前記第1および第2のレーザ光を反射する領域に高反射膜を備える、
請求項11記載の波長変換装置。 - 前記波長変換部は、前記非線形結晶と前記冷却部材との間に、該非線形結晶よりも熱伝導率が大きい高熱伝導性部を備える、
請求項11記載の波長変換装置。 - 前記高熱伝導性部は、コーティング膜、シート部材および板部材のいずれか1つを含む、請求項15記載の波長変換装置。
- 前記高熱伝導性部は、前記非線形結晶と接触し、且つ前記非線形結晶との接触面の一部に凹部を有する、請求項15記載の波長変換装置。
- 前記凹部は、前記非線形結晶の前記反射面における少なくとも前記第1および第2のレーザ光を反射する領域と対応する領域に設けられている、請求項17記載の波長変換装置。
- 前記波長変換部は、前記非線形結晶の前記反射面における少なくとも前記第1および第2のレーザ光を反射する領域に高反射膜を備える、
請求項15記載の波長変換装置。 - 前記非線形結晶に対して前記第1のレーザ光が入射する領域に接触する第1屈折率調節素子と、
前記非線形結晶から前記第2のレーザ光が出射する領域に接触する第2屈折率調節素子と、
をさらに備える、請求項2記載の波長変換装置。 - 前記第1屈折率調節素子は、前記非線形結晶に対して前記第1のレーザ光が入射する面の一部に接触し、
前記第2屈折率調節素子は、前記非線形結晶から前記第2のレーザ光が出射する面の一部に接触し、
前記冷却機構は、前記非線形結晶に対して前記第1のレーザ光が入射する前記面および前記非線形結晶から前記第2のレーザ光が出射する前記面の両方から前記非線形結晶を冷却する、
請求項20記載の波長変換装置。 - 前記第1屈折率調節素子と前記第2屈折率調節素子とは、前記非線形結晶の同一面に離間して接触し、
前記冷却機構は、前記非線形結晶における前記第1および第2屈折率調節素子が接触する前記面と反対側の面側から前記非線形結晶を冷却し、且つ前記非線形結晶における前記第1屈折率調節素子および前記第2屈折率調節素子の間から当該非線形結晶を冷却する、
請求項20記載の波長変換装置。 - 前記非線形結晶は、
前記第1のレーザ光が入射する入射面と、
前記入射面と略直交して交わり、互いに対向する2つの反射面と、
を備え、
前記冷却機構は、前記2つの反射面それぞれから前記非線形結晶を冷却する、
請求項2記載の波長変換装置。 - レーザ光を出力するレーザと、
前記レーザ光を増幅する増幅部と、
増幅後の前記レーザ光を波長変換する、請求項1記載の波長変換装置と、
を備える固体レーザ装置。 - 請求項24記載の固体レーザ装置と、
前記固体レーザ装置から出力されたレーザ光を増幅する増幅装置と、
を備えるレーザシステム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011177036A JP2013041051A (ja) | 2011-08-12 | 2011-08-12 | 波長変換装置、固体レーザ装置およびレーザシステム |
US13/568,232 US8587863B2 (en) | 2011-08-12 | 2012-08-07 | Wavelength conversion device, solid-state laser apparatus, and laser system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011177036A JP2013041051A (ja) | 2011-08-12 | 2011-08-12 | 波長変換装置、固体レーザ装置およびレーザシステム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013041051A true JP2013041051A (ja) | 2013-02-28 |
Family
ID=47677540
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011177036A Pending JP2013041051A (ja) | 2011-08-12 | 2011-08-12 | 波長変換装置、固体レーザ装置およびレーザシステム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8587863B2 (ja) |
JP (1) | JP2013041051A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016507790A (ja) * | 2013-03-15 | 2016-03-10 | ノースロップ グラマン システムズ コーポレイションNorthrop Grumman Systems Corporation | 非線形光周波数変換のための分散熱システム |
WO2021044575A1 (ja) * | 2019-09-05 | 2021-03-11 | 日本電信電話株式会社 | 冷却装置 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9188834B2 (en) * | 2011-03-28 | 2015-11-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Wavelength conversion crystal and wavelength conversion laser device |
IL226858A0 (en) * | 2013-06-10 | 2013-12-31 | Oren Aharon | A device for lowering powerful air-cooled rays |
JP6933349B2 (ja) * | 2018-04-25 | 2021-09-08 | 国立大学法人北見工業大学 | 接合体、レーザ発振器、レーザ増幅器及び接合体の製造方法 |
US10901161B2 (en) * | 2018-09-14 | 2021-01-26 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Optical power transfer devices with an embedded active cooling chip |
CN113507035A (zh) * | 2021-09-09 | 2021-10-15 | 四川光天下激光科技有限公司 | 一种激光非线性波长转换系统 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5057644A (ja) * | 1973-09-21 | 1975-05-20 | ||
JPS6059225U (ja) * | 1983-06-17 | 1985-04-24 | 日本電気株式会社 | 非線形結晶マウント用セル |
JPH03252186A (ja) * | 1990-03-01 | 1991-11-11 | Nikon Corp | 高調波発生装置及び半導体露光装置 |
JPH04366820A (ja) * | 1991-06-13 | 1992-12-18 | Asahi Glass Co Ltd | 高調波発生装置 |
US5640480A (en) * | 1995-08-07 | 1997-06-17 | Northrop Grumman Corporation | Zig-zag quasi-phase-matched wavelength converter apparatus |
JPH11298083A (ja) * | 1998-04-15 | 1999-10-29 | Komatsu Ltd | 注入同期型狭帯域レーザ |
US6064512A (en) * | 1997-06-05 | 2000-05-16 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Patterned poled structure devices having increased aperture size, increased power handling and three dimensional patterning capabilities |
JP2001272705A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Komatsu Ltd | 波長変換装置およびその波長変換装置を備えたレーザ装置 |
JP2003005233A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-08 | Komatsu Ltd | 紫外線レーザ装置 |
JP2004363129A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-24 | Keyence Corp | 光学結晶ホルダ、固体レーザ装置、及び光学結晶の固定方法固体レーザ結晶位置決め構造とその方法 |
JP2008040293A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Optoquest Co Ltd | 波長可変波長変換器ならびに波長可変波長変換方法 |
JP2008518438A (ja) * | 2004-10-25 | 2008-05-29 | ザ・ボーイング・カンパニー | レーザーシステムの光学素子の表面冷却の装置および方法 |
JP2008286889A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Lasertec Corp | マスク検査光源、波長変換方法及びマスク検査装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01202717A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-15 | Toshiba Corp | 非線形光学素子装置 |
US5761226A (en) * | 1996-05-29 | 1998-06-02 | Eastman Kodak Company | Frequency conversion laser devices |
US5898718A (en) * | 1997-05-19 | 1999-04-27 | Altos Inc. | Method and apparatus for optimizing the output of a multi-peaked frequency harmonic generator |
JP3212931B2 (ja) * | 1997-11-26 | 2001-09-25 | 日本電気株式会社 | 波長変換方法及び波長変換素子 |
JPH11295772A (ja) * | 1998-04-15 | 1999-10-29 | Sony Corp | レーザ光発生装置およびレーザ光発生方法 |
CN1172411C (zh) | 2001-04-18 | 2004-10-20 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种非线性光学晶体激光变频耦合器 |
US7039076B2 (en) * | 2001-08-10 | 2006-05-02 | Jds Uniphase Corporation | Fiber amplifier system for producing visible light |
US7630125B2 (en) * | 2007-12-11 | 2009-12-08 | Young Optics Inc. | Laser module |
WO2010098115A1 (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-02 | パナソニック株式会社 | 波長変換レーザ光源及び画像表示装置 |
US8243764B2 (en) * | 2010-04-01 | 2012-08-14 | Tucker Derek A | Frequency conversion of a laser beam using a partially phase-mismatched nonlinear crystal |
-
2011
- 2011-08-12 JP JP2011177036A patent/JP2013041051A/ja active Pending
-
2012
- 2012-08-07 US US13/568,232 patent/US8587863B2/en active Active
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5057644A (ja) * | 1973-09-21 | 1975-05-20 | ||
JPS6059225U (ja) * | 1983-06-17 | 1985-04-24 | 日本電気株式会社 | 非線形結晶マウント用セル |
JPH03252186A (ja) * | 1990-03-01 | 1991-11-11 | Nikon Corp | 高調波発生装置及び半導体露光装置 |
JPH04366820A (ja) * | 1991-06-13 | 1992-12-18 | Asahi Glass Co Ltd | 高調波発生装置 |
US5640480A (en) * | 1995-08-07 | 1997-06-17 | Northrop Grumman Corporation | Zig-zag quasi-phase-matched wavelength converter apparatus |
US6064512A (en) * | 1997-06-05 | 2000-05-16 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Patterned poled structure devices having increased aperture size, increased power handling and three dimensional patterning capabilities |
JPH11298083A (ja) * | 1998-04-15 | 1999-10-29 | Komatsu Ltd | 注入同期型狭帯域レーザ |
JP2001272705A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Komatsu Ltd | 波長変換装置およびその波長変換装置を備えたレーザ装置 |
JP2003005233A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-08 | Komatsu Ltd | 紫外線レーザ装置 |
JP2004363129A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-24 | Keyence Corp | 光学結晶ホルダ、固体レーザ装置、及び光学結晶の固定方法固体レーザ結晶位置決め構造とその方法 |
JP2008518438A (ja) * | 2004-10-25 | 2008-05-29 | ザ・ボーイング・カンパニー | レーザーシステムの光学素子の表面冷却の装置および方法 |
JP2008040293A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Optoquest Co Ltd | 波長可変波長変換器ならびに波長可変波長変換方法 |
JP2008286889A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Lasertec Corp | マスク検査光源、波長変換方法及びマスク検査装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016507790A (ja) * | 2013-03-15 | 2016-03-10 | ノースロップ グラマン システムズ コーポレイションNorthrop Grumman Systems Corporation | 非線形光周波数変換のための分散熱システム |
WO2021044575A1 (ja) * | 2019-09-05 | 2021-03-11 | 日本電信電話株式会社 | 冷却装置 |
JPWO2021044575A1 (ja) * | 2019-09-05 | 2021-03-11 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130039372A1 (en) | 2013-02-14 |
US8587863B2 (en) | 2013-11-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8587863B2 (en) | Wavelength conversion device, solid-state laser apparatus, and laser system | |
JP5203573B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
JP2007523499A (ja) | レーザ装置 | |
KR101264225B1 (ko) | 레이저 다이오드 광펌핑 모듈을 이용한 펨토초 레이저 장치 | |
US10095084B2 (en) | Solid-state laser system and excimer laser system | |
US6667999B2 (en) | Cooling of high power laser systems | |
JP2012199425A (ja) | マスタオシレータ、レーザシステム、およびレーザ生成方法 | |
WO2016143071A1 (ja) | 固体レーザ装置、ファイバ増幅器システム、および固体レーザシステム | |
JP2013222173A (ja) | レーザ装置 | |
JP2005093624A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ | |
CN107565354B (zh) | 一种ld泵浦的高功率克尔透镜自锁模激光器 | |
Kojima et al. | Stabilization of a high-power diode-side-pumped intracavity-frequency-doubled cw Nd: YAG laser by compensating for thermal lensing of a KTP crystal and Nd: YAG rods | |
US20120236894A1 (en) | Wavelength conversion device, solid-state laser apparatus, and laser system | |
de Almeida Vieira et al. | Nd: YLF laser at 1053 nm diode side pumped at 863 nm with a near quantum-defect slope efficiency | |
JP2010034413A (ja) | 固体レーザ装置 | |
US8934510B2 (en) | Wavelength converter, wavelength converting device, solid state laser device, and laser system | |
JP2000133863A (ja) | 固体レーザ装置 | |
JP2004296671A (ja) | 固体レーザ装置 | |
JP2004039767A (ja) | Mopa式又は注入同期式レーザ装置 | |
US20230387648A1 (en) | Uv laser systems, devices, and methods | |
JP5424320B2 (ja) | 固体レーザ装置 | |
US9954339B2 (en) | Laser unit and extreme ultraviolet light generating system | |
JP2006343786A (ja) | 波長変換装置 | |
JP2012137687A (ja) | 波長変換装置及びそれを用いた紫外光生成レーザ装置 | |
JP2012168498A (ja) | 波長変換素子、固体レーザ装置およびレーザシステム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140710 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150303 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150423 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20150710 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150908 |