JP2013033569A - Substrate for suspension, suspension, suspension with element, hard disk drive, and method for manufacturing substrate for suspension - Google Patents

Substrate for suspension, suspension, suspension with element, hard disk drive, and method for manufacturing substrate for suspension Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To mainly provide a substrate for a suspension which can be grounded in a small area.SOLUTION: The substrate for a suspension of the invention has a metal support substrate, a first insulation layer formed on the metal support substrate, a first wiring layer formed on the first insulation layer, a second insulation layer formed on the first wiring layer, and a second wiring layer formed on the second insulation layer. In the substrate for a suspension, a first wiring part for ground and a second wiring part for ground are electrically connected to the metal support substrate through a viahole part penetrating the first insulation layer.

Description

本発明は、小面積でのグランドが可能なサスペンション用基板に関する。   The present invention relates to a suspension substrate capable of grounding in a small area.

近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ(HDD)も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。HDDに用いられるサスペンション用基板(フレキシャ)は、通常、金属支持基板(例えばステンレス鋼)、絶縁層(例えばポリイミド樹脂)、配線層(例えば銅)がこの順に積層された基本構造を有する。   In recent years, due to the spread of the Internet and the like, there has been a demand for an increase in the amount of information processing of personal computers and an increase in information processing speed, and along with this, the capacity of hard disk drives (HDD) incorporated in personal computers has increased. Increasing information transmission speed is required. A suspension substrate (flexure) used in an HDD generally has a basic structure in which a metal support substrate (for example, stainless steel), an insulating layer (for example, polyimide resin), and a wiring layer (for example, copper) are laminated in this order.

金属支持基板は、通常、サスペンション用基板にばね性を付与するものであるが、ばねとしての機能以外に、配線層のグランドとしての機能を付与することが知られている。例えば、特許文献1においては、金属パッドおよび金属薄板(金属支持基板)を、絶縁層を貫通し、金属めっきから構成される導通部分により、電気的に接続した磁気ヘッドサスペンションが開示されている。   The metal support substrate normally imparts spring properties to the suspension substrate, but it is known to provide a function as a ground of the wiring layer in addition to the function as a spring. For example, Patent Document 1 discloses a magnetic head suspension in which a metal pad and a metal thin plate (metal support substrate) are electrically connected through a conductive portion that penetrates an insulating layer and is made of metal plating.

一方、サスペンション用基板における配線層は、通常、特許文献1に示すように、絶縁層の同一表面上に一対で形成される(平面配列の配線層)。これに対して、特許文献2、3には、配線層を、絶縁層を介して縦に積層したもの(積層配列の配線層)が開示されている。   On the other hand, as shown in Patent Document 1, a pair of wiring layers in the suspension substrate is usually formed on the same surface of the insulating layer (wiring layers in a planar arrangement). On the other hand, Patent Documents 2 and 3 disclose a structure in which wiring layers are vertically stacked via an insulating layer (wiring layers in a stacked arrangement).

特開2006−202359号公報JP 2006-202359 A 特開2009−129490号公報JP 2009-129490 A 特開2010−146679号公報JP 2010-146679 A

HDDの高機能化に伴い、サスペンション用基板に必要とされる配線層の数は増加傾向にある。積層配列の配線層は、平面配列の配線層に比べて、構造上、配線層の数の増加に対応しやすいという利点がある。また、HDDの高機能化に伴い、サスペンション用基板に実装する素子の種類も増加傾向にある。従来のサスペンション用基板は、記録再生用素子(例えば磁気ヘッドスライダ)のみを実装していたが、これに加えて、熱アシスト用素子(例えば半導体レイザーダイオード素子)、アクチュエータ素子(例えばピエゾ素子)等を実装する場合が想定される。   As the functionality of HDDs increases, the number of wiring layers required for a suspension board is increasing. The wiring layer in the stacked arrangement has an advantage in that it can easily cope with the increase in the number of wiring layers in comparison with the wiring layer in the planar arrangement. In addition, as the functionality of HDDs increases, the types of elements mounted on suspension boards are also increasing. Conventional suspension boards have mounted only a recording / reproducing element (for example, a magnetic head slider). In addition to this, a thermal assist element (for example, a semiconductor laser diode element), an actuator element (for example, a piezo element), etc. Is assumed to be implemented.

これらの素子には、静電気による特性変化や破壊を防止するため、あるいは、基準電位の変化による誤作動を防止するため、グランド(アース)を行う必要がある。また、例えば、配線層の間のノイズを抑制するノイズシールド用配線層にも、グランドを行う必要がある。上述したように、積層配列の配線層は、平面配列の配線層に比べて、構造上、配線層の数の増加に対応しやすいという利点があるものの、配線層の数の増加傾向は顕著であり、積層配列の配線層を採用した場合であっても、デザイン上、小面積でのグランドが可能なサスペンション用基板が求められている。   These elements need to be grounded (earth) in order to prevent characteristic changes and destruction due to static electricity or to prevent malfunctions due to changes in the reference potential. Further, for example, it is necessary to ground the noise shielding wiring layer that suppresses noise between the wiring layers. As described above, the wiring layer in the stacked arrangement has an advantage that it can easily cope with the increase in the number of wiring layers in comparison with the wiring layer in the planar arrangement, but the increasing tendency of the number of wiring layers is remarkable. There is a need for a suspension substrate capable of grounding in a small area even in the case of employing a wiring layer in a stacked arrangement.

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、小面積でのグランドが可能なサスペンション用基板を提供することを主目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and a main object of the present invention is to provide a suspension substrate capable of grounding in a small area.

上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、上記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板であって、上記第一配線層と同一の材料から構成された第一グランド用配線部、および、上記第二配線層と同一の材料から構成された第二グランド用配線部が形成され、上記第一グランド用配線部および上記第二グランド用配線部が、上記第一絶縁層を貫通するビア部を介して、上記金属支持基板と電気的に接続されていることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。   In order to solve the above problems, in the present invention, a metal support substrate, a first insulating layer formed on the metal support substrate, a first wiring layer formed on the first insulating layer, and the above A suspension substrate having a second insulating layer formed on the first wiring layer and a second wiring layer formed on the second insulating layer, and made of the same material as the first wiring layer The first ground wiring portion and the second ground wiring portion formed from the same material as the second wiring layer are formed, and the first ground wiring portion and the second ground wiring portion are formed. However, the present invention provides a suspension substrate, wherein the suspension substrate is electrically connected to the metal support substrate through a via portion penetrating the first insulating layer.

本発明によれば、第一グランド用配線部および第二グランド用配線部が、共通するビア部によって、金属支持基板と電気的に接続されていることから、小面積でのグランドが可能なサスペンション用基板とすることができる。   According to the present invention, since the first ground wiring portion and the second ground wiring portion are electrically connected to the metal support substrate by the common via portion, the suspension capable of grounding in a small area. Substrate.

上記発明においては、上記第一グランド用配線部および上記第二グランド用配線部が、それぞれ開口部を有するパッド部を備え、上記第一グランド用配線部の開口部および上記第二グランド用配線部の開口部に、上記ビア部が形成され、上記ビア部が、上記第一グランド用配線部のパッド部および上記第二グランド用配線部のパッド部と、材料的な連続性を有しないビア部であることが好ましい。   In the above invention, the first ground wiring portion and the second ground wiring portion each include a pad portion having an opening, and the opening portion of the first ground wiring portion and the second ground wiring portion. In the opening, the via portion is formed, and the via portion has no material continuity with the pad portion of the first ground wiring portion and the pad portion of the second ground wiring portion. It is preferable that

上記発明においては、上記第一グランド用配線部が開口部を有するパッド部を備え、上記第二グランド用配線部がパッド部を備え、上記第一グランド用配線部の開口部に、上記ビア部が形成され、上記ビア部が、上記第二グランド用配線部のパッド部と材料的な連続性を有するビア部であることが好ましい。   In the above invention, the first ground wiring portion includes a pad portion having an opening, the second ground wiring portion includes a pad portion, and the via portion is formed in the opening of the first ground wiring portion. Preferably, the via portion is a via portion having material continuity with the pad portion of the second ground wiring portion.

上記発明においては、上記第一グランド用配線部および上記第二グランド用配線部が、それぞれパッド部を備え、上記ビア部が、上記第一グランド用配線部のパッド部と材料的な連続性を有するビア部であることが好ましい。   In the above invention, the first ground wiring portion and the second ground wiring portion each include a pad portion, and the via portion has material continuity with the pad portion of the first ground wiring portion. It is preferable that the via portion has.

上記発明においては、上記第二グランド用配線部のパッド部が、上記第一グランド用配線部のパッド部上に直接形成されていることが好ましい。両パッド部の間に第二絶縁層が存在せず、ビア部が形成される部分の厚みを薄くできるからである。   In the above invention, it is preferable that the pad portion of the second ground wiring portion is directly formed on the pad portion of the first ground wiring portion. This is because the second insulating layer does not exist between the two pad portions, and the thickness of the portion where the via portion is formed can be reduced.

上記発明においては、上記第二グランド用配線部のパッド部が、上記第一グランド用配線部のパッド部上に直接形成され、上記第二グランド用配線部の上記開口部の内側にカバー層が形成され、上記ビア部および上記第二グランド用配線部が、接触していないことが好ましい。ビア部の高さおよび形状の制御が容易になるからである。   In the above invention, the pad portion of the second ground wiring portion is formed directly on the pad portion of the first ground wiring portion, and a cover layer is formed inside the opening of the second ground wiring portion. It is preferable that the via portion and the second ground wiring portion are not in contact with each other. This is because the height and shape of the via portion can be easily controlled.

また、上記発明においては、上記第一グランド用配線部が、熱アシスト用素子のグランド用配線層であり、上記第二グランド用配線部が、記録再生用素子のグランド用配線層であることが好ましい。熱アシスト用素子をサスペンション用基板の金属支持基板側に実装し、記録再生用素子を第二配線層側に実装することが容易になるからである。   In the above invention, the first ground wiring portion is a ground wiring layer of a thermal assist element, and the second ground wiring portion is a ground wiring layer of a recording / reproducing element. preferable. This is because it is easy to mount the thermal assist element on the metal support substrate side of the suspension substrate and mount the recording / reproducing element on the second wiring layer side.

また、本発明においては、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンションを提供する。   The present invention also provides a suspension comprising the above-described suspension substrate and a load beam provided on the surface of the suspension substrate on the metal support substrate side.

本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、小面積でのグランドが可能なサスペンションとすることができる。   According to the present invention, a suspension capable of grounding in a small area can be obtained by using the suspension substrate described above.

また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。   The present invention also provides an element-equipped suspension comprising the above-described suspension and a recording / reproducing element disposed on the suspension.

本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、小面積でのグランドが可能な素子付サスペンションとすることができる。   According to the present invention, by using the above-described suspension, a suspension with an element capable of grounding in a small area can be obtained.

また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブを提供する。   The present invention also provides a hard disk drive having the above-described suspension with an element.

本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。   According to the present invention, a hard disk drive with higher functionality can be obtained by using the above-described suspension with an element.

また、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、上記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記第一配線層および第一グランド用配線部を同時に形成する第一配線層形成工程と、上記第二配線層および第二グランド用配線部を同時に形成する第二配線層形成工程と、上記第一グランド用配線部および上記第二グランド用配線部を、上記金属支持基板と電気的に接続し、かつ、上記第一絶縁層を貫通するビア部を形成するビア部形成工程と、を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。   In the present invention, the metal support substrate, the first insulating layer formed on the metal support substrate, the first wiring layer formed on the first insulating layer, and the first wiring layer A method for manufacturing a suspension board having a formed second insulating layer and a second wiring layer formed on the second insulating layer, wherein the first wiring layer and the first ground wiring portion are A first wiring layer forming step for simultaneously forming, a second wiring layer forming step for simultaneously forming the second wiring layer and the second ground wiring portion, the first ground wiring portion and the second ground wiring portion. And a via part forming step of forming a via part penetrating the first insulating layer and electrically connecting to the metal supporting board. .

本発明によれば、第一グランド用配線部および第二グランド用配線部を、金属支持基板と電気的に接続するビア部を形成することにより、小面積でのグランドが可能なサスペンション用基板を得ることができる。   According to the present invention, a suspension substrate capable of grounding in a small area is formed by forming a via portion that electrically connects the first ground wiring portion and the second ground wiring portion to the metal support substrate. Can be obtained.

本発明のサスペンション用基板は、小面積でのグランドが可能になるという効果を奏する。   The suspension substrate of the present invention has an effect that a small area can be grounded.

積層配列の配線層を有するサスペンション用基板の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the board | substrate for suspension which has the wiring layer of a lamination | stacking arrangement | sequence. 本発明におけるビア部周辺の一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the via | veer part periphery in this invention. 図2(b)のA−A断面図である。It is AA sectional drawing of FIG.2 (b). 第一実施態様のサスペンション用基板を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the board | substrate for suspensions of a 1st embodiment. 第一実施態様のサスペンション用基板を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the board | substrate for suspensions of a 1st embodiment. 第一実施態様のサスペンション用基板を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the board | substrate for suspensions of a 1st embodiment. 第二実施態様のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the board | substrate for suspensions of a 2nd embodiment. 第二実施態様のサスペンション用基板を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the board | substrate for suspensions of a 2nd embodiment. 第二実施態様のサスペンション用基板を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the board | substrate for suspensions of a 2nd embodiment. 第三実施態様のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the board | substrate for suspensions of a 3rd embodiment. 第三実施態様のサスペンション用基板を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the board | substrate for suspensions of a 3rd embodiment. 第三実施態様のサスペンション用基板を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the board | substrate for suspensions of a 3rd embodiment. その他の実施態様のサスペンション用基板を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the board | substrate for suspensions of other embodiment. 本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the suspension of this invention. 本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the suspension with an element of this invention. 本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the hard disk drive of this invention. 第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the manufacturing method of the board | substrate for suspensions of a 1st embodiment. 第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the manufacturing method of the board | substrate for suspensions of a 2nd embodiment. 第三実施態様のサスペンション用基板の製造方法を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the manufacturing method of the board | substrate for suspensions of a 3rd embodiment.

以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブ、およびサスペンション用基板の製造方法について詳細に説明する。   Hereinafter, the suspension substrate, suspension, suspension with element, hard disk drive, and manufacturing method of the suspension substrate of the present invention will be described in detail.

A.サスペンション用基板
本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、上記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板であって、上記第一配線層と同一の材料から構成された第一グランド用配線部、および、上記第二配線層と同一の材料から構成された第二グランド用配線部が形成され、上記第一グランド用配線部および上記第二グランド用配線部が、上記第一絶縁層を貫通するビア部を介して、上記金属支持基板と電気的に接続されていることを特徴とするものである。
A. Suspension Substrate The suspension substrate of the present invention includes a metal support substrate, a first insulating layer formed on the metal support substrate, a first wiring layer formed on the first insulating layer, and the first A suspension substrate having a second insulating layer formed on a wiring layer and a second wiring layer formed on the second insulating layer, the suspension substrate being made of the same material as the first wiring layer. The first ground wiring portion and the second ground wiring portion made of the same material as the second wiring layer are formed, and the first ground wiring portion and the second ground wiring portion are It is electrically connected to the metal support substrate through a via portion that penetrates the first insulating layer.

図1(a)は、積層配列の配線層を有するサスペンション用基板の一例を示す概略平面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A断面図である。なお、図1(a)では、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図1(a)に示されるサスペンション用基板100は、一方の先端部分に形成された記録再生用素子実装領域101と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域102と、記録再生用素子実装領域101および外部回路基板接続領域102を電気的に接続する配線層103とを有するものである。また、図1(a)における配線層103は、一方がライト用配線層であり、他方がリード用配線層である。   FIG. 1A is a schematic plan view showing an example of a suspension substrate having a wiring layer in a stacked arrangement, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. In FIG. 1A, illustration of the insulating layer and the cover layer is omitted for convenience. A suspension substrate 100 shown in FIG. 1A includes a recording / reproducing element mounting region 101 formed at one tip portion, an external circuit board connection region 102 formed at the other tip portion, and a recording / playback device. A wiring layer 103 that electrically connects the element mounting region 101 and the external circuit board connection region 102 is provided. In addition, one of the wiring layers 103 in FIG. 1A is a write wiring layer, and the other is a read wiring layer.

また、図1(b)に示すように、サスペンション用基板100は、金属支持基板1と、金属支持基板1上に形成された第一絶縁層2と、第一絶縁層2上に形成された第一配線層3と、第一配線層3上に形成された第二絶縁層4と、第二絶縁層4上に形成された第二配線層5と、第二配線層5を覆うように形成されたカバー層6とを有するものである。第二絶縁層4を介して、第一配線層3および第二配線層5が積層されることにより、一対の配線層が形成されている。なお、高周波特性(信号の減衰性)を改善させる観点から、第一配線層3および第二配線層5の下の金属支持基板1は除去されていることが好ましい。   Further, as shown in FIG. 1B, the suspension substrate 100 is formed on the metal supporting substrate 1, the first insulating layer 2 formed on the metal supporting substrate 1, and the first insulating layer 2. The first wiring layer 3, the second insulating layer 4 formed on the first wiring layer 3, the second wiring layer 5 formed on the second insulating layer 4, and the second wiring layer 5 are covered. And a cover layer 6 formed. A pair of wiring layers is formed by laminating the first wiring layer 3 and the second wiring layer 5 via the second insulating layer 4. In addition, from the viewpoint of improving the high frequency characteristics (signal attenuation), it is preferable that the metal supporting substrate 1 under the first wiring layer 3 and the second wiring layer 5 is removed.

図2は、本発明におけるビア部周辺の一例を示す概略平面図である。図2(a)はビア部を形成する前の状態を示し、図2(b)はビア部を形成した後の状態を示している。なお、図2(a)、(b)では、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。また、図3は、図2(b)のA−A断面図である。図2(a)、(b)、図3に示すように、本発明のサスペンション用基板は、第一配線層と同一の材料から構成された第一グランド用配線部3aと、第二配線層と同一の材料から構成された第二グランド用配線部5aと、を有するものである。また、第一グランド用配線部3aおよび第二グランド用配線部5aは、第一絶縁層2を貫通するビア部7を介して、金属支持基板1と電気的に接続されている。   FIG. 2 is a schematic plan view showing an example of the periphery of the via portion in the present invention. FIG. 2A shows a state before the via portion is formed, and FIG. 2B shows a state after the via portion is formed. In FIGS. 2A and 2B, the description of the insulating layer and the cover layer is omitted for convenience. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. As shown in FIGS. 2A, 2B, and 3, the suspension board of the present invention includes a first ground wiring portion 3a made of the same material as the first wiring layer, and a second wiring layer. And a second ground wiring portion 5a made of the same material. In addition, the first ground wiring portion 3 a and the second ground wiring portion 5 a are electrically connected to the metal support substrate 1 through via portions 7 that penetrate the first insulating layer 2.

本発明によれば、第一グランド用配線部および第二グランド用配線部が、共通するビア部によって、金属支持基板と電気的に接続されていることから、小面積でのグランドが可能なサスペンション用基板とすることができる。   According to the present invention, since the first ground wiring portion and the second ground wiring portion are electrically connected to the metal support substrate by the common via portion, the suspension capable of grounding in a small area. Substrate.

また、後述する第一実施態様〜第三実施態様に記載するように、第一グランド用配線部および第二グランド用配線部を、同じビア部によって金属支持基板に接続する場合には、以下のような利点がある。まず、ビア部の材料(例えばめっき金属)の使用量を低減でき、コスト削減を図ることができるという利点がある。さらに、2つのグランド用配線層に別々のビア部を形成する場合に比べて、プロセスが簡略化されるという利点がある。さらに、2つのグランド用配線層に別々のビア部を形成する場合に比べて、プロセス安定性が向上するという利点がある。ここで、2つのグランド用配線層に別々のビア部を形成する場合、デザイン上、異なるサイズや形状にせざるを得ない場合があり、めっき条件等の管理が難しくなる場合がある。これに対して、第一グランド用配線部および第二グランド用配線部を、同じビア部によって金属支持基板に接続する場合には、めっき条件等の管理が容易になり、プロセス安定性が向上するという利点がある。さらに、第一グランド用配線部および第二グランド用配線部を、単一のビア部によって金属支持基板に接続するため、ビア部の電気的安定性が高いという利点がある。
以下、本発明のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
In addition, as described in the first to third embodiments described later, when the first ground wiring portion and the second ground wiring portion are connected to the metal support substrate by the same via portion, There are such advantages. First, there is an advantage that the amount of use of the material of the via part (for example, plated metal) can be reduced and the cost can be reduced. Furthermore, there is an advantage that the process is simplified as compared with the case where separate via portions are formed in the two ground wiring layers. Furthermore, there is an advantage that process stability is improved as compared with the case where separate via portions are formed in two ground wiring layers. Here, when separate via portions are formed in the two ground wiring layers, different sizes and shapes may be unavoidable in design, and management of plating conditions and the like may be difficult. On the other hand, when the first ground wiring portion and the second ground wiring portion are connected to the metal support substrate by the same via portion, the management of the plating conditions and the like is facilitated, and the process stability is improved. There is an advantage. Further, since the first ground wiring portion and the second ground wiring portion are connected to the metal support substrate by a single via portion, there is an advantage that the electrical stability of the via portion is high.
Hereinafter, the suspension substrate of the present invention will be described separately for the suspension substrate member and the suspension substrate configuration.

1.サスペンション用基板の部材
まず、本発明のサスペンション用基板の部材について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板、第一絶縁層、第一配線層、第二絶縁層、第二配線層を少なくとも有するものである。
1. First, members of the suspension substrate of the present invention will be described. The suspension substrate of the present invention has at least a metal support substrate, a first insulating layer, a first wiring layer, a second insulating layer, and a second wiring layer.

本発明における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはステンレス鋼等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば10μm〜20μmの範囲内である。   The metal support substrate in the present invention functions as a support for the suspension substrate. The material of the metal support substrate is preferably a metal having a spring property, and specific examples include stainless steel. Moreover, although the thickness of a metal support substrate changes with kinds of the material, it exists in the range of 10 micrometers-20 micrometers, for example.

本発明における第一絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。第一絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、第一絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。第一絶縁層の厚さは、例えば5μm〜30μmの範囲内であることが好ましく、5μm〜18μmの範囲内であることがより好ましく、5μm〜12μmの範囲内であることがさらに好ましい。   The first insulating layer in the present invention is formed on a metal support substrate. The material of the first insulating layer is not particularly limited as long as it has insulating properties, and examples thereof include a resin. Examples of the resin include polyimide resin, polybenzoxazole resin, polybenzimidazole resin, acrylic resin, polyether nitrile resin, polyether sulfone resin, polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, and polyvinyl chloride resin. Of these, polyimide resin is preferred. It is because it is excellent in insulation, heat resistance and chemical resistance. The material of the first insulating layer may be a photosensitive material or a non-photosensitive material. The thickness of the first insulating layer is, for example, preferably in the range of 5 μm to 30 μm, more preferably in the range of 5 μm to 18 μm, and still more preferably in the range of 5 μm to 12 μm.

本発明における第一配線層は、第一絶縁層上に形成されるものである。第一配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅(Cu)が好ましい。また、第一配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。第一配線層の厚さは、例えば5μm〜18μmの範囲内であることが好ましく、9μm〜12μmの範囲内であることがより好ましい。また、第一配線層の一部の表面には、配線めっき部が形成されていることが好ましい。配線めっき部を設けることにより、第一配線層の劣化(腐食等)を防止できるからである。中でも、本発明においては、素子や外部回路基板との接続を行う端子部に配線めっき部が形成されていることが好ましい。配線めっき部の種類は特に限定されるものではないが、例えば、Auめっき、Niめっき、Agめっき等を挙げることができる。中でも、本発明においては、第一配線層の表面側から、NiめっきおよびAuめっきが形成されていることが好ましい。配線めっき部の厚さは、例えば0.1μm〜4μmの範囲内である。   The first wiring layer in the present invention is formed on the first insulating layer. The material of the first wiring layer is not particularly limited as long as it has conductivity, but for example, a metal can be used, and among these, copper (Cu) is preferable. The material of the first wiring layer may be rolled copper or electrolytic copper. The thickness of the first wiring layer is preferably in the range of 5 μm to 18 μm, for example, and more preferably in the range of 9 μm to 12 μm. Moreover, it is preferable that the wiring plating part is formed in the one part surface of a 1st wiring layer. This is because the first wiring layer can be prevented from being deteriorated (corrosion or the like) by providing the wiring plating portion. Among them, in the present invention, it is preferable that a wiring plating part is formed in a terminal part for connection with an element or an external circuit board. Although the kind of wiring plating part is not specifically limited, For example, Au plating, Ni plating, Ag plating etc. can be mentioned. Especially, in this invention, it is preferable that Ni plating and Au plating are formed from the surface side of the 1st wiring layer. The thickness of the wiring plating portion is, for example, in the range of 0.1 μm to 4 μm.

本発明における第二絶縁層は、第一配線層上に形成されるものである。第二絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、上記の第一絶縁層の材料として記載したものを用いることができる。中でも、第二絶縁層の材料は、ポリイミド樹脂であることが好ましい。また、第二絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。   The second insulating layer in the present invention is formed on the first wiring layer. The material of the second insulating layer is not particularly limited as long as it has an insulating property, but for example, the material described as the material of the first insulating layer can be used. Especially, it is preferable that the material of a 2nd insulating layer is a polyimide resin. The material of the second insulating layer may be a photosensitive material or a non-photosensitive material.

本発明における第二配線層は、第二絶縁層上に形成されるものである。第二配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、上記の第一配線層の材料として記載したものを用いることができる。中でも、第二配線層の材料は、銅(Cu)であることが好ましい。また、第二配線層の寸法の好ましい範囲は、上述した第一配線層の寸法の好ましい範囲と同様であるので、ここでの記載は省略する。第二配線層の端子部には、上述した配線めっき部が形成されていることが好ましい。   The second wiring layer in the present invention is formed on the second insulating layer. The material of the second wiring layer is not particularly limited as long as it has conductivity. For example, the material described as the material of the first wiring layer can be used. Especially, it is preferable that the material of a 2nd wiring layer is copper (Cu). Moreover, since the preferable range of the dimension of a 2nd wiring layer is the same as the preferable range of the dimension of the 1st wiring layer mentioned above, description here is abbreviate | omitted. It is preferable that the wiring plating part mentioned above is formed in the terminal part of the second wiring layer.

また、本発明のサスペンション用基板は、第一絶縁層上に第一配線層を有し、第二絶縁層上に第二配線層を有する。本発明においては、第一配線層および第二配線層として、任意の機能を有する配線層を用いることができる。第一配線層および第二配線層の具体例としては、ライト用配線層、リード用配線層、熱アシスト用配線層、アクチュエータ用配線層、ノイズシールド用配線層、電源用配線層、フライトハイトコントロール用配線層、センサー用配線層等を挙げることができる。   The suspension substrate of the present invention has a first wiring layer on the first insulating layer and a second wiring layer on the second insulating layer. In the present invention, wiring layers having an arbitrary function can be used as the first wiring layer and the second wiring layer. Specific examples of the first wiring layer and the second wiring layer include a write wiring layer, a read wiring layer, a heat assist wiring layer, an actuator wiring layer, a noise shield wiring layer, a power supply wiring layer, and a flight height control. Wiring layers for sensors, wiring layers for sensors, and the like.

本発明においては、カバー層が、第二配線層を覆うように形成されていることが好ましい。カバー層を設けることにより、第二配線層の劣化(腐食等)を防止できるからである。カバー層の材料としては、例えば、上述した第一絶縁層の材料として記載したものを挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。   In the present invention, the cover layer is preferably formed so as to cover the second wiring layer. This is because by providing the cover layer, deterioration (corrosion or the like) of the second wiring layer can be prevented. Examples of the material of the cover layer include those described as the material of the first insulating layer described above, and among them, a polyimide resin is preferable. The material of the cover layer may be a photosensitive material or a non-photosensitive material.

2.サスペンション用基板の構成
次に、本発明のサスペンション用基板の構成について説明する。本発明のサスペンション用基板は、第一配線層と同一の材料から構成された第一グランド用配線部と、第二配線層と同一の材料から構成された第二グランド用配線部と、を有する。第一グランド用配線部および第二グランド用配線部は、それぞれ、金属支持基板と電気的に接続され、グランドとしての機能を発揮できるものであれば特に限定されるものではない。中でも、第一グランド用配線部および第二グランド用配線部は、それぞれ、素子と接続されるものであることが好ましい。静電気による素子の特性変化や破壊を防止することや、基準電位の変化による素子の誤作動を防止することができるからである。このような素子としては、具体的には、記録再生用素子、熱アシスト用素子、アクチュエータ素子等を挙げることができる。
2. Next, the configuration of the suspension substrate of the present invention will be described. The suspension substrate of the present invention includes a first ground wiring portion made of the same material as the first wiring layer, and a second ground wiring portion made of the same material as the second wiring layer. . The first ground wiring portion and the second ground wiring portion are not particularly limited as long as they are electrically connected to the metal support substrate and can function as a ground. Especially, it is preferable that the 1st ground wiring part and the 2nd ground wiring part are each connected with an element. This is because it is possible to prevent changes in characteristics and destruction of the element due to static electricity and to prevent malfunction of the element due to a change in reference potential. Specific examples of such an element include a recording / reproducing element, a thermal assist element, and an actuator element.

記録再生用素子は、記録再生を行うことができるものであれば特に限定されるものではない。中でも、本発明における記録再生用素子は、磁気発生素子を有するものが好ましい。具体的には、磁気ヘッドスライダを挙げることができる。   The recording / reproducing element is not particularly limited as long as it can perform recording / reproducing. Among them, the recording / reproducing element in the present invention preferably has a magnetic generating element. Specifically, a magnetic head slider can be mentioned.

熱アシスト用素子は、記録再生用素子の記録を熱によりアシストできるものであれば特に限定されるものではない。中でも、本発明における熱アシスト用素子は、光を利用した素子であることが好ましい。光ドミナント記録方式による熱アシスト記録を行うことができるからである。光を利用した熱アシスト用素子としては、例えば半導体レーザーダイオード素子を挙げることができる。半導体レーザーダイオード素子は、pn型の素子であっても良く、pnp型またはnpn型の素子であっても良い。   The heat assisting element is not particularly limited as long as it can assist recording by the recording / reproducing element with heat. Among them, the heat assist element in the present invention is preferably an element using light. This is because heat-assisted recording by an optical dominant recording method can be performed. Examples of the heat assist element using light include a semiconductor laser diode element. The semiconductor laser diode element may be a pn-type element, or a pnp-type or npn-type element.

アクチュエータ素子は、通常、マイクロアクチュエータ、ミリアクチュエータが該当する。アクチュエータ素子としては、例えばピエゾ素子を挙げることができる。ピエゾ素子としては、例えばPZTからなるものを挙げることができる。ピエゾ素子の伸縮応答を利用することで、サブミクロン単位での位置決めを行うことができる。また、ピエゾ素子には、エネルギー効率が高い、耐荷重が大きい、応答性が速い、摩耗劣化がない、磁場が発生しないという利点がある。また、本発明においては、2極のピエゾ素子を1個用いても良い。1極のピエゾ素子を2個用いても良い。   The actuator element usually corresponds to a microactuator or a milliactuator. Examples of the actuator element include a piezo element. As the piezo element, for example, one made of PZT can be cited. By using the expansion / contraction response of the piezo element, positioning can be performed in submicron units. In addition, the piezoelectric element has advantages such as high energy efficiency, large load resistance, fast response, no wear deterioration, and no magnetic field. In the present invention, a single bipolar piezo element may be used. Two unipolar piezoelectric elements may be used.

このように、本発明においては、第一グランド用配線部および第二グランド用配線部に接続される素子の組み合わせが、記録再生用素子、熱アシスト用素子およびアクチュエータ素子から選択されるものであることが好ましい。中でも、本発明においては、第一グランド用配線部が、熱アシスト用素子のグランド用配線層であり、第二グランド用配線部が、記録再生用素子のグランド用配線層であることが好ましい。熱アシスト用素子をサスペンション用基板の金属支持基板側に実装し、記録再生用素子を第二配線層側に実装することが容易になるからである。   Thus, in the present invention, the combination of the elements connected to the first ground wiring section and the second ground wiring section is selected from the recording / reproducing element, the heat assist element, and the actuator element. It is preferable. In particular, in the present invention, it is preferable that the first ground wiring portion is a ground wiring layer of the thermal assist element, and the second ground wiring portion is a ground wiring layer of the recording / reproducing element. This is because it is easy to mount the thermal assist element on the metal support substrate side of the suspension substrate and mount the recording / reproducing element on the second wiring layer side.

また、本発明のサスペンション用基板は、第一グランド用配線部および第二グランド用配線部が、第一絶縁層を貫通するビア部を介して、金属支持基板と電気的に接続されていることを大きな特徴とする。このようなサスペンション用基板の具体例について、第一実施態様〜第三実施態様に分けて説明する。   In the suspension substrate of the present invention, the first ground wiring portion and the second ground wiring portion are electrically connected to the metal support substrate through the via portion penetrating the first insulating layer. Is a major feature. Specific examples of such a suspension substrate will be described separately for the first to third embodiments.

(1)第一実施態様
第一実施態様のサスペンション用基板は、上記第一グランド用配線部および上記第二グランド用配線部が、それぞれ開口部を有するパッド部を備え、上記第一グランド用配線部の開口部および上記第二グランド用配線部の開口部に、上記ビア部が形成され、上記ビア部が、上記第一グランド用配線部のパッド部および上記第二グランド用配線部のパッド部と、材料的な連続性を有しないビア部であることを特徴とするものである。
(1) First Embodiment The suspension substrate of the first embodiment includes a pad portion in which each of the first ground wiring portion and the second ground wiring portion has an opening, and the first ground wiring. The via portion is formed in the opening portion of the first portion and the opening portion of the second ground wiring portion, and the via portion includes the pad portion of the first ground wiring portion and the pad portion of the second ground wiring portion. And a via portion having no material continuity.

上述した図2および図3は、第一実施態様のサスペンション用基板を説明する模式図である。図2(a)に示すように、第一グランド用配線部3aは、開口部31を有するパッド部32を備え、第二グランド用配線部5aは、開口部51を有するパッド部52を備える。また、図3に示すように、第一グランド用配線部3aの開口部および第二グランド用配線部5aの開口部には、第一絶縁層2を貫通するビア部7が形成されている。   2 and 3 described above are schematic views for explaining the suspension substrate of the first embodiment. As shown in FIG. 2A, the first ground wiring portion 3 a includes a pad portion 32 having an opening 31, and the second ground wiring portion 5 a includes a pad portion 52 having an opening 51. Further, as shown in FIG. 3, a via portion 7 penetrating the first insulating layer 2 is formed in the opening portion of the first ground wiring portion 3a and the opening portion of the second ground wiring portion 5a.

第一実施態様においては、ビア部が、第一グランド用配線部のパッド部および第二グランド用配線部のパッド部と、材料的な連続性を有しないビア部であることを一つの特徴とする。「材料的に連続性を有しない」とは、材料自体が異なること、同じ材料でも結晶サイズが異なること、あるいは境目に他の層(例えばスパッタ膜)があること等をいう。後述する第二実施態様および第三実施態様のように、ビア部およびグランド用配線層を同時に形成する場合には、ビア部およびグランド用配線層の材料および結晶サイズ等は同一になり、両者は材料的に連続した状態となる。一方、ビアの材料およびグランド用配線層の材料が異なる場合、または、両者の材料が同一(例えば銅)であっても、グランド用配線層の開口部に後工程でビア部を形成する場合には、両者の界面に、材料的特性(材料の種類、結晶サイズ等)の違いに起因する不連続性が生じる。   In the first embodiment, one feature is that the via portion is a pad portion of the first ground wiring portion and a pad portion of the second ground wiring portion, and a via portion having no material continuity. To do. “No material continuity” means that the materials themselves are different, that the same material has a different crystal size, or that there is another layer (for example, a sputtered film) at the boundary. When the via portion and the ground wiring layer are formed at the same time as in the second embodiment and the third embodiment to be described later, the material and crystal size of the via portion and the ground wiring layer are the same. It becomes a material continuous state. On the other hand, when the via material and the ground wiring layer material are different, or when the via portion is formed in the opening of the ground wiring layer in the subsequent process even if both materials are the same (for example, copper). Causes discontinuities at the interface between the two due to differences in material properties (material type, crystal size, etc.).

第一グランド用配線部および第二グランド用配線部は、それぞれ開口部を有するパッド部を備える。上記開口部の形状は特に限定されるものではなく、円、楕円状、任意の多角形、櫛状、十字状、棒状等を挙げることができる。また、パッド部の形状も特に限定されるものではなく、円、楕円状、任意の多角形、櫛状、十字状、棒状等を挙げることができる。なお、パッド部とは、グランド用配線層においてビア部を形成する近傍の領域をいう。第一実施態様においては、通常、第一グランド用配線部の開口部と、第二グランド用配線部の開口部とが、平面視上、重複するように形成される。   The first ground wiring portion and the second ground wiring portion each include a pad portion having an opening. The shape of the opening is not particularly limited, and examples thereof include a circle, an ellipse, an arbitrary polygon, a comb, a cross, and a rod. Further, the shape of the pad part is not particularly limited, and examples thereof include a circle, an ellipse, an arbitrary polygon, a comb, a cross, and a bar. The pad portion refers to a region near the via portion in the ground wiring layer. In the first embodiment, normally, the opening of the first ground wiring portion and the opening of the second ground wiring portion are formed so as to overlap in plan view.

ビア部の材料としては、例えばニッケル(Ni)、銀(Ag)、金(Au)および銅(Cu)等を挙げることができ、中でもニッケル(Ni)が好ましい。導電性および耐腐食性に優れ、かつ、安価だからである。特にニッケルを用いて、電解めっき法によりビア部を形成する場合、用いられる電解Niめっき浴としては、例えばワット浴およびスルファミン酸浴等を挙げることができる。なお、これらのめっき浴には、適宜、添加剤を用いることにより、光沢度や皮膜応力を調整することができる。   Examples of the material for the via portion include nickel (Ni), silver (Ag), gold (Au), and copper (Cu). Among these, nickel (Ni) is preferable. This is because it is excellent in conductivity and corrosion resistance and is inexpensive. In particular, when the via portion is formed by electrolytic plating using nickel, examples of the electrolytic Ni plating bath used include a watt bath and a sulfamic acid bath. In addition, glossiness and a film | membrane stress can be adjusted by using an additive for these plating baths suitably.

第一実施態様においては、図4(a)に示すように、第二グランド用配線部5aのパッド部が、第一グランド用配線部3aのパッド部上に直接形成されていても良く、図4(b)に示すように、第二グランド用配線部5aのパッド部と、第一グランド用配線部3aのパッド部との間に、第二絶縁層4が存在していても良い。中でも、前者が好ましい。両パッド部の間に第二絶縁層が存在せず、ビアが形成される部分の厚みを薄くできるからである。ビア部が形成される部分の厚みを薄くすることで、記録再生用素子を実装した時にビア部と接触しにくくなるからである。また、上記「直接形成されている」とは、厚さ方向において、第一グランド用配線部のパッド部と、第二グランド用配線部のパッド部との間に、第二絶縁層が存在しないことをいう。そのため、例えば、両パッド部の間に、第二グランド用配線部を形成するためのシード層が形成されている場合であっても、上記「直接形成されている」の条件は満たされる。   In the first embodiment, as shown in FIG. 4A, the pad portion of the second ground wiring portion 5a may be directly formed on the pad portion of the first ground wiring portion 3a. As shown in 4 (b), the second insulating layer 4 may exist between the pad portion of the second ground wiring portion 5a and the pad portion of the first ground wiring portion 3a. Of these, the former is preferred. This is because there is no second insulating layer between the two pad portions, and the thickness of the portion where the via is formed can be reduced. This is because by reducing the thickness of the portion where the via portion is formed, it becomes difficult to contact the via portion when the recording / reproducing element is mounted. The term “directly formed” means that there is no second insulating layer between the pad portion of the first ground wiring portion and the pad portion of the second ground wiring portion in the thickness direction. That means. Therefore, for example, even if a seed layer for forming the second ground wiring portion is formed between the two pad portions, the above-mentioned “directly formed” condition is satisfied.

また、図4(a)では、第二グランド用配線部5aおよびビア部7が接触している。一方、第一実施態様においては、図3に示すように、第二グランド用配線部5aの開口部の内側にカバー層6が形成され、ビア部7および第二グランド用配線部5aが、接触していないことが好ましい。ビア部7の高さおよび形状の制御が容易になるからである。ここで、ビア部7を、金属支持基板1を給電層とする電解めっき法で形成する場合、金属支持基板1から成長したビア部7が、第一グランド用配線部3aに接触した瞬間に、第二グランド用配線部5aが導通状態となる。そのため、図4(a)に示すように、第二グランド用配線部5aがカバー層6から露出していると、その露出する表面全体でめっきが成長し、ビア部の高さおよび形状の制御が難しくなる。これに対して、図3に示すように、第二グランド用配線部5aがカバー層6で覆われていると、第二グランド用配線部5aの表面からめっきが成長せず、ビア部の高さおよび形状の制御が容易になるという利点がある。なお、図3においては、第二グランド用配線部5aが、第一グランド用配線部3a上に形成されているため、電気的な接続には支障がない。   In FIG. 4A, the second ground wiring portion 5a and the via portion 7 are in contact with each other. On the other hand, in the first embodiment, as shown in FIG. 3, the cover layer 6 is formed inside the opening of the second ground wiring portion 5a, and the via portion 7 and the second ground wiring portion 5a are in contact with each other. Preferably not. This is because the height and shape of the via portion 7 can be easily controlled. Here, when the via portion 7 is formed by an electrolytic plating method using the metal support substrate 1 as a power feeding layer, the via portion 7 grown from the metal support substrate 1 comes into contact with the first ground wiring portion 3a. The second ground wiring portion 5a becomes conductive. Therefore, as shown in FIG. 4A, when the second ground wiring portion 5a is exposed from the cover layer 6, the plating grows on the entire exposed surface, and the height and shape of the via portion are controlled. Becomes difficult. On the other hand, as shown in FIG. 3, when the second ground wiring portion 5a is covered with the cover layer 6, the plating does not grow from the surface of the second ground wiring portion 5a, and the height of the via portion is increased. There is an advantage that the thickness and shape can be easily controlled. In FIG. 3, since the second ground wiring portion 5a is formed on the first ground wiring portion 3a, there is no problem in electrical connection.

また、第一実施態様においては、図3、図4に示すように、厚さ方向において、ビア部7がカバー層6から突出しないことが好ましい。ビア部がカバー層から突出すると、素子の平坦性を阻害する場合があるからである。また、第一実施態様のサスペンション用基板は、図5(a)に示すように、第二グランド用配線部5aが、開口部に沿って薄肉部53を有することが好ましい。カバー層から突出しないビア部を形成しやすくなるからである。図5(a)に示すように、第二グランド用配線部5aの厚さをT、薄肉部53を形成するためにエッチングされた厚さをTとすると、T/Tの値は、例えば0.3〜0.8の範囲内であり、0.4〜0.7の範囲内であることが好ましく、0.4〜0.6の範囲内であることがさらに好ましい。また、Tの値は、第二グランド用配線部5aの厚さによって異なるものであるが、例えば4μm〜10μmの範囲内、中でも5μm〜8μmの範囲内であることが好ましい。また、図5(a)に示すように、薄肉部53の幅をWとすると、Wの値は、例えば3μm〜30μmの範囲内であり、4μm〜20μmの範囲内であることが好ましい。一方、第一実施態様のサスペンション用基板は、図5(b)に示すように、カバー層6が、平面視上、薄肉部53を覆うように形成されていることが好ましい。カバー層6の突起部分が蓋として機能し、カバー層から突出しないビア部を形成しやすくなるからである。カバー層6の突起部分の幅をZとすると、Zの値は、例えば3μm以上であり、中でも4μm〜8μmの範囲内であることが好ましい。 In the first embodiment, as shown in FIGS. 3 and 4, it is preferable that the via portion 7 does not protrude from the cover layer 6 in the thickness direction. This is because if the via portion protrudes from the cover layer, the flatness of the element may be hindered. In the suspension substrate of the first embodiment, as shown in FIG. 5A, the second ground wiring portion 5a preferably has a thin portion 53 along the opening. This is because it becomes easy to form a via portion that does not protrude from the cover layer. As shown in FIG. 5 (a), when the thickness of the second ground wiring portion 5a T, the thickness of which is etched to form the thin portion 53 and T 1, the value of T 1 / T is, For example, it is in the range of 0.3 to 0.8, preferably in the range of 0.4 to 0.7, and more preferably in the range of 0.4 to 0.6. The value of T 1 is is different depending on the thickness of the second ground wiring portion 5a, for example in the range of 4Myuemu~10myuemu, preferably in the range of inter alia 5Myuemu~8myuemu. Moreover, as shown to Fig.5 (a), when the width | variety of the thin part 53 is set to W, the value of W exists in the range of 3 micrometers-30 micrometers, for example, and it is preferable that it exists in the range of 4 micrometers-20 micrometers. On the other hand, as shown in FIG. 5B, the suspension substrate of the first embodiment is preferably formed so that the cover layer 6 covers the thin portion 53 in plan view. This is because the protruding portion of the cover layer 6 functions as a lid, and it is easy to form a via portion that does not protrude from the cover layer. Assuming that the width of the protruding portion of the cover layer 6 is Z, the value of Z is, for example, 3 μm or more, and preferably in the range of 4 μm to 8 μm.

また、図6に示すように、第一グランド用配線部3aの開口部のサイズをL31とし、第一グランド用配線部3aのパッド部のサイズをL32とし、第二グランド用配線部5aの開口部のサイズをL51とし、第二グランド用配線部5aのパッド部のサイズをL52とした場合、L31は例えば30μm〜100μmの範囲内であることが好ましく、50μm〜70μmの範囲内であることがより好ましい。L31が小さすぎると、ビア部7および金属支持基板1の密着性が低くなる可能性があり、L31が大きすぎると、小面積でのグランドができない可能性があるからである。L32は例えば100μm〜180μmの範囲内であることが好ましく、130μm〜160μmの範囲内であることがより好ましい。L51は例えば70μm〜130μmの範囲内であることが好ましく、90μm〜110μmの範囲内であることがより好ましい。L51が小さすぎると、ビア部7および金属支持基板1の密着性が低くなる可能性があり、L51が大きすぎると、小面積でのグランドができない可能性があるからである。L52は例えば110μm〜170μmの範囲内であることが好ましく、130μm〜150μmの範囲内であることがより好ましい。 Further, as shown in FIG. 6, the size of the opening of the first ground wiring portion 3a and L 31, the size of the pad portion of the first ground wiring portion 3a and L 32, the second ground wiring portion 5a L 31 is preferably in the range of 30 μm to 100 μm, for example, in the range of 50 μm to 70 μm, where L 51 is the opening size and L 52 is the size of the pad portion of the second ground wiring portion 5a. More preferably, it is within. This is because if L 31 is too small, the adhesion between the via portion 7 and the metal support substrate 1 may be lowered, and if L 31 is too large, grounding in a small area may not be possible. L 32 is preferably in the range of 100 μm to 180 μm, for example, and more preferably in the range of 130 μm to 160 μm. L 51 is preferably in the range of 70 μm to 130 μm, for example, and more preferably in the range of 90 μm to 110 μm. This is because if L 51 is too small, the adhesiveness between the via portion 7 and the metal supporting board 1 may be lowered, and if L 51 is too large, there is a possibility that a small area cannot be grounded. L 52 is preferably in the range of 110 μm to 170 μm, for example, and more preferably in the range of 130 μm to 150 μm.

また、第一実施態様におけるビア部は、記録再生用素子実装領域の内部または近傍に形成されていることが好ましい。記録再生用素子実装領域は、記録再生用素子や、熱アシスト用素子の配線層が集中して配置されており、小面積でのグランドが特に有効だからである。なお、「記録再生用素子実装領域」とは、平面視上、記録再生用素子が実装される領域と一致するサスペンション用基板の領域をいう。また、記録再生用素子実装領域の近傍とは、素子用の配線層が集中する、記録再生用素子実装領域の境界から1000μm以内の領域をいう。   Further, the via portion in the first embodiment is preferably formed in or near the recording / reproducing element mounting region. This is because the recording / reproducing element mounting area is concentrated with the wiring layers of the recording / reproducing elements and the heat assist elements, and a ground with a small area is particularly effective. The “recording / reproducing element mounting region” refers to a region of the suspension substrate that coincides with a region where the recording / reproducing element is mounted in a plan view. Further, the vicinity of the recording / reproducing element mounting area means an area within 1000 μm from the boundary of the recording / reproducing element mounting area where the element wiring layers are concentrated.

(2)第二実施態様
第二実施態様のサスペンション用基板は、上記第一グランド用配線部が開口部を有するパッド部を備え、上記第二グランド用配線部がパッド部を備え、上記第一グランド用配線部の開口部に、上記ビア部が形成され、上記ビア部が、上記第二グランド用配線部のパッド部と材料的な連続性を有するビア部であることを特徴とするものである。
(2) Second Embodiment In the suspension substrate according to the second embodiment, the first ground wiring portion includes a pad portion having an opening, and the second ground wiring portion includes a pad portion. The via portion is formed in the opening of the ground wiring portion, and the via portion is a via portion having material continuity with the pad portion of the second ground wiring portion. is there.

図7(a)は第二実施態様のサスペンション用基板を説明する概略平面図であり、図7(b)は図7(a)のA−A断面図である。図7(a)、(b)に示すように、第一グランド用配線部3aは、開口部を有するパッド部32を備え、第一グランド用配線部3aの開口部には、第一絶縁層2を貫通するビア部7が形成されている。さらに、第二実施態様においては、ビア部7が、第二グランド用配線部5aのパッド部と材料的な連続性を有するビア部であることを一つの特徴とする。「材料的な連続性を有する」とは、材料的特性(材料の種類、結晶サイズ等)が同一であることをいう。   FIG. 7A is a schematic plan view illustrating the suspension substrate according to the second embodiment, and FIG. 7B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. As shown in FIGS. 7A and 7B, the first ground wiring portion 3a includes a pad portion 32 having an opening, and the first insulating layer is provided in the opening of the first ground wiring portion 3a. 2 is formed. Further, the second embodiment is characterized in that the via portion 7 is a via portion having material continuity with the pad portion of the second ground wiring portion 5a. “Having material continuity” means that material characteristics (material type, crystal size, etc.) are the same.

第二実施態様においては、図8(a)に示すように、第二グランド用配線部5aのパッド部が、第一グランド用配線部3aのパッド部上に直接形成されていても良く、図8(b)に示すように、第二グランド用配線部5aのパッド部と、第一グランド用配線部3aのパッド部との間に、第二絶縁層4が存在していても良い。中でも、前者が好ましい。両パッド部の間に第二絶縁層が存在せず、ビア部が形成される部分の厚みを薄くできるからである。なお、上記「直接形成されている」の定義については、上述した第一実施態様に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。   In the second embodiment, as shown in FIG. 8A, the pad portion of the second ground wiring portion 5a may be directly formed on the pad portion of the first ground wiring portion 3a. As shown in FIG. 8B, the second insulating layer 4 may exist between the pad portion of the second ground wiring portion 5a and the pad portion of the first ground wiring portion 3a. Of these, the former is preferred. This is because the second insulating layer does not exist between the two pad portions, and the thickness of the portion where the via portion is formed can be reduced. Note that the definition of “directly formed” is the same as the content described in the first embodiment, and therefore the description thereof is omitted here.

また、図6に示すように、第一グランド用配線部3aの開口部のサイズをL31とし、第一グランド用配線部3aのパッド部のサイズをL32とし、第二グランド用配線部5aのパッド部のサイズをL52とした場合、L31およびL32については、上述した第一実施態様に記載した内容と同様である。一方、L52は例えば110μm〜170μmの範囲内であることが好ましく、130μm〜150μmの範囲内であることがより好ましい。 Further, as shown in FIG. 6, the size of the opening of the first ground wiring portion 3a and L 31, the size of the pad portion of the first ground wiring portion 3a and L 32, the second ground wiring portion 5a When the size of the pad portion is L 52 , L 31 and L 32 are the same as those described in the first embodiment. On the other hand, L 52 is preferably in the range of 110 μm to 170 μm, for example, and more preferably in the range of 130 μm to 150 μm.

また、第二実施態様のサスペンション用基板のその他の事項は、上述した第一実施態様に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。   In addition, since other matters of the suspension substrate of the second embodiment are the same as the contents described in the first embodiment described above, description thereof is omitted here.

(3)第三実施態様
第三実施態様のサスペンション用基板は、上記第一グランド用配線部および上記第二グランド用配線部が、それぞれパッド部を備え、上記ビア部が、上記第一グランド用配線部のパッド部と材料的な連続性を有するビア部であることを特徴とするものである。
(3) Third Embodiment In the suspension substrate of the third embodiment, the first ground wiring portion and the second ground wiring portion each include a pad portion, and the via portion is for the first ground. It is a via part having material continuity with the pad part of the wiring part.

図10(a)は第三実施態様のサスペンション用基板を説明する概略平面図であり、図10(b)は図10(a)のA−A断面図である。図10(a)、(b)に示すように、第三実施態様においては、ビア部7が、第一グランド用配線部3aのパッド部と材料的な連続性を有するビア部であることを一つの特徴とする。「材料的な連続性を有する」とは、材料的特性(材料の種類、結晶サイズ等)が同一であることをいう。   FIG. 10A is a schematic plan view for explaining the suspension substrate according to the third embodiment, and FIG. 10B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. As shown in FIGS. 10A and 10B, in the third embodiment, the via portion 7 is a via portion having material continuity with the pad portion of the first ground wiring portion 3a. One feature. “Having material continuity” means that material characteristics (material type, crystal size, etc.) are the same.

第三実施態様においては、図11(a)に示すように、第二グランド用配線部5aのパッド部が、第一グランド用配線部3aのパッド部上に直接形成されていても良く、図11(b)に示すように、第二グランド用配線部5aのパッド部と、第一グランド用配線部3aのパッド部との間に、第二絶縁層4が存在していても良い。中でも、前者が好ましい。両パッド部の間に第二絶縁層が存在せず、ビア部が形成される部分の厚みを薄くできるからである。なお、上記「直接形成されている」の定義については、上述した第一実施態様に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、図11(b)では、第二絶縁層4を貫通するビア部が形成され、このビア部は、第二グランド用配線部のパッド部と材料的な連続性を有するビア部である。   In the third embodiment, as shown in FIG. 11A, the pad portion of the second ground wiring portion 5a may be directly formed on the pad portion of the first ground wiring portion 3a. As shown in FIG. 11B, the second insulating layer 4 may exist between the pad portion of the second ground wiring portion 5a and the pad portion of the first ground wiring portion 3a. Of these, the former is preferred. This is because the second insulating layer does not exist between the two pad portions, and the thickness of the portion where the via portion is formed can be reduced. Note that the definition of “directly formed” is the same as the content described in the first embodiment, and therefore the description thereof is omitted here. In FIG. 11B, a via portion penetrating the second insulating layer 4 is formed, and this via portion is a via portion having material continuity with the pad portion of the second ground wiring portion.

また、図6に示すように、第一グランド用配線部3aの開口部のサイズをL31とし、第一グランド用配線部3aのパッド部のサイズをL32とし、第二グランド用配線部5aのパッド部のサイズをL52とした場合、L31、L32、L52については、上述した第二実施態様に記載した内容と同様である。 Further, as shown in FIG. 6, the size of the opening of the first ground wiring portion 3a and L 31, the size of the pad portion of the first ground wiring portion 3a and L 32, the second ground wiring portion 5a When the size of the pad portion is L 52 , L 31 , L 32 , and L 52 are the same as those described in the second embodiment.

また、第三実施態様のサスペンション用基板のその他の事項は、上述した第一実施態様に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。   In addition, since other matters of the suspension substrate of the third embodiment are the same as the contents described in the first embodiment described above, description thereof is omitted here.

(4)その他の実施態様
上述した第一実施態様〜第三実施態様では、第一グランド用配線部および第二グランド用配線部が、同じビア部によって金属支持基板と電気的に接続されているが、本発明においては、図13に示すように、金属支持基板1および第一グランド用配線部3aを電気的に接続する第一ビア部7aと、第一グランド用配線部3aおよび第二グランド用配線部5aを電気的に接続する第二ビア部7bとが別々に設けられていても良い。この場合でも、第一グランド用配線部および第二グランド用配線部が、共通するビア部(図13における第一ビア部7a)によって、金属支持基板と電気的に接続されていることから、小面積でのグランドが可能なサスペンション用基板とすることができる。また、第一ビア部7aの位置を、配線層が集中していない領域まで離すことによって、グランド面積を大きくとることができ、信頼性の高いグランドを行うことができる。なお、第一ビア部は、第一グランド用配線部と、材料的な連続性を有しないビア部であっても良く、材料的な連続性を有するビア部であっても良い。同様に、第二ビア部は、第二グランド用配線部と、材料的な連続性を有しないビア部であっても良く、材料的な連続性を有するビア部であっても良い。
(4) Other Embodiments In the first to third embodiments described above, the first ground wiring portion and the second ground wiring portion are electrically connected to the metal support substrate by the same via portion. However, in the present invention, as shown in FIG. 13, the first via portion 7a for electrically connecting the metal support substrate 1 and the first ground wiring portion 3a, the first ground wiring portion 3a and the second ground. The second via portion 7b that electrically connects the wiring portion 5a may be provided separately. Even in this case, the first ground wiring portion and the second ground wiring portion are electrically connected to the metal support substrate by the common via portion (first via portion 7a in FIG. 13). A suspension substrate capable of grounding in area can be obtained. Further, by separating the position of the first via portion 7a to a region where the wiring layer is not concentrated, the ground area can be increased and a highly reliable ground can be performed. The first via portion may be a via portion not having material continuity with the first ground wiring portion, or may be a via portion having material continuity. Similarly, the second via portion may be a via portion not having material continuity with the second ground wiring portion, or may be a via portion having material continuity.

B.サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするものである。
B. Suspension Next, the suspension of the present invention will be described. The suspension according to the present invention includes the suspension substrate described above and a load beam provided on the surface of the suspension substrate on the metal support substrate side.

図14は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図14に示されるサスペンション300は、上述したサスペンション用基板100と、サスペンション用基板100の金属支持基板側の表面に設けられたロードビーム200とを有するものである。   FIG. 14 is a schematic plan view showing an example of the suspension of the present invention. A suspension 300 shown in FIG. 14 includes the suspension substrate 100 described above and a load beam 200 provided on the surface of the suspension substrate 100 on the metal support substrate side.

本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、小面積でのグランドが可能なサスペンションとすることができる。   According to the present invention, a suspension capable of grounding in a small area can be obtained by using the suspension substrate described above.

本発明のサスペンションは、少なくともサスペンション用基板およびロードビームを有する。本発明におけるサスペンション用基板については、上記「A.サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。一方、本発明におけるロードビームは、サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられるものである。ロードビームの材料は、特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、ステンレス鋼であることが好ましい。   The suspension of the present invention has at least a suspension substrate and a load beam. The suspension substrate in the present invention is the same as the content described in the above “A. Suspension substrate”, and therefore description thereof is omitted here. On the other hand, the load beam in the present invention is provided on the surface of the suspension substrate on the metal support substrate side. Although the material of the load beam is not particularly limited, for example, a metal can be used, and stainless steel is preferable.

C.素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とするものである。
C. Next, the suspension with an element of the present invention will be described. A suspension with an element of the present invention includes the above-described suspension and a recording / reproducing element disposed on the suspension.

図15は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図15に示される素子付サスペンション400は、上述したサスペンション300と、サスペンション300(サスペンション用基板100の記録再生用素子実装領域101)に実装された記録再生用素子301とを有するものである。   FIG. 15 is a schematic plan view showing an example of the suspension with an element of the present invention. 15 includes the suspension 300 described above and the recording / reproducing element 301 mounted on the suspension 300 (recording / reproducing element mounting region 101 of the suspension substrate 100).

本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、小面積でのグランドが可能な素子付サスペンションとすることができる。   According to the present invention, by using the above-described suspension, a suspension with an element capable of grounding in a small area can be obtained.

本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび記録再生用素子を有する。本発明におけるサスペンションについては、上記「B.サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。さらに、本発明の素子付サスペンションは、熱アシスト用素子およびアクチュエータ素子の少なくとも一方をさらに有することが好ましい。   The suspension with an element of the present invention includes at least a suspension and a recording / reproducing element. The suspension according to the present invention is the same as the content described in “B. Suspension” above, and thus the description thereof is omitted here. Furthermore, it is preferable that the suspension with an element of the present invention further includes at least one of a thermal assist element and an actuator element.

D.ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするものである。
D. Next, the hard disk drive of the present invention will be described. The hard disk drive of the present invention has the above-described suspension with an element.

図16は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図16に示されるハードディスクドライブ500は、上述した素子付サスペンション400と、素子付サスペンション400がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク401と、ディスク401を回転させるスピンドルモータ402と、素子付サスペンション400の素子を移動させるアーム403およびボイスコイルモータ404と、上記の部材を密閉するケース405とを有するものである。   FIG. 16 is a schematic plan view showing an example of the hard disk drive of the present invention. A hard disk drive 500 shown in FIG. 16 includes the above-described suspension 400 with an element, a disk 401 on which data is written and read by the suspension 400 with an element, a spindle motor 402 that rotates the disk 401, and an element of the suspension 400 with an element. Arm 403 and voice coil motor 404, and a case 405 for sealing the above members.

本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。   According to the present invention, a hard disk drive with higher functionality can be obtained by using the above-described suspension with an element.

本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「C.素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。   The hard disk drive of the present invention has at least a suspension with an element, and usually further includes a disk, a spindle motor, an arm, and a voice coil motor. Since the suspension with an element is the same as the content described in “C. Suspension with an element”, description thereof is omitted here. As other members, the same members as those used in a general hard disk drive can be used.

E.サスペンション用基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、上記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記第一配線層および第一グランド用配線部を同時に形成する第一配線層形成工程と、上記第二配線層および第二グランド用配線部を同時に形成する第二配線層形成工程と、上記第一グランド用配線部および上記第二グランド用配線部を、上記金属支持基板と電気的に接続し、かつ、上記第一絶縁層を貫通するビア部を形成するビア部形成工程と、を有することを特徴とするものである。
E. Next, a method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention will be described. The manufacturing method of the suspension substrate of the present invention includes a metal support substrate, a first insulating layer formed on the metal support substrate, a first wiring layer formed on the first insulating layer, and the first A method for manufacturing a suspension substrate, comprising: a second insulating layer formed on a wiring layer; and a second wiring layer formed on the second insulating layer, wherein the first wiring layer and the first ground A first wiring layer forming step for simultaneously forming the wiring portion for the second wiring, a second wiring layer forming step for simultaneously forming the second wiring layer and the second wiring portion for the ground, the wiring portion for the first ground and the second wiring portion for the second. And a via portion forming step of electrically connecting the ground wiring portion to the metal supporting substrate and forming a via portion penetrating the first insulating layer.

本発明によれば、第一グランド用配線部および第二グランド用配線部を、金属支持基板と電気的に接続するビア部を形成することにより、小面積でのグランドが可能なサスペンション用基板を得ることができる。また、本発明のサスペンション用基板の製造方法は、サブトラクティブ法を用いる製造方法と、アディティブ法を用いる製造方法とに大別することができる。   According to the present invention, a suspension substrate capable of grounding in a small area is formed by forming a via portion that electrically connects the first ground wiring portion and the second ground wiring portion to the metal support substrate. Can be obtained. The method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention can be broadly divided into a manufacturing method using a subtractive method and a manufacturing method using an additive method.

サブトラクティブ法を用いる製造方法としては、例えば、金属支持部材、絶縁部材および導体部材がこの順に積層された積層部材を準備する積層部材準備工程と、上記導体部材をエッチングし、第一配線層および第一グランド用配線部を同時に形成する第一配線層形成工程と、上記第一配線層上に第二絶縁層を形成する第二絶縁層形成工程と、第二絶縁層上に第二配線層を形成し、同時に第二グランド用配線部を形成する第二配線層形成工程と、上記第二配線層を覆うようにカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記絶縁部材をエッチングし、第一絶縁層を形成する第一絶縁層形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、を有する製造方法を挙げることができる。サブトラクティブ法において、第一グランド用配線部および第二グランド用配線部と材料的な連続性を有しないビア部を形成する場合、通常は、ビア部を形成するめっき工程をさらに行う。一方、サブトラクティブ法において、第二グランド用配線部と材料的な連続性を有するビア部を形成する場合、通常は、第二グランド用配線部の形成時にビア部を形成する。   As a manufacturing method using the subtractive method, for example, a laminated member preparing step of preparing a laminated member in which a metal support member, an insulating member, and a conductor member are laminated in this order, etching the conductor member, A first wiring layer forming step for simultaneously forming a first ground wiring portion; a second insulating layer forming step for forming a second insulating layer on the first wiring layer; and a second wiring layer on the second insulating layer. A second wiring layer forming step for simultaneously forming a second ground wiring portion, a cover layer forming step for forming a cover layer so as to cover the second wiring layer, and etching the insulating member, The manufacturing method which has the 1st insulating layer formation process which forms one insulating layer, and the metal support substrate formation process which etches the said metal support member and forms a metal support substrate can be mentioned. In the subtractive method, when a via portion that does not have material continuity with the first ground wiring portion and the second ground wiring portion is formed, a plating step for forming the via portion is usually further performed. On the other hand, in the subtractive method, when the via portion having material continuity with the second ground wiring portion is formed, the via portion is usually formed when the second ground wiring portion is formed.

一方、アディティブ法を用いる製造方法としては、例えば、金属支持部材を準備する金属支持部材準備工程と、上記金属支持部材上に第一絶縁層を形成する第一絶縁層形成工程と、上記第一絶縁層上に第一配線層および第一グランド用配線部を同時に形成する第一配線層形成工程と、上記第一配線層上に第二絶縁層を形成する第二絶縁層形成工程と、第二絶縁層上に第二配線層を形成し、同時に第二グランド用配線部を形成する第二配線層形成工程と、上記第二配線層を覆うようにカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、を有する製造方法を挙げることができる。アディティブ法において、第一グランド用配線部または第二グランド用配線部と材料的な連続性を有するビア部を形成する場合、通常は、それぞれ第一グランド用配線部または第二グランド用配線部の形成時にビア部を形成する。なお、アディティブ法において、第一グランド用配線部および第二グランド用配線部と材料的な連続性を有しないビア部を形成する場合、ビア部を形成するめっき工程をさらに行っても良い。   On the other hand, as a manufacturing method using the additive method, for example, a metal support member preparing step of preparing a metal support member, a first insulating layer forming step of forming a first insulating layer on the metal support member, and the first A first wiring layer forming step of simultaneously forming a first wiring layer and a first ground wiring portion on the insulating layer; a second insulating layer forming step of forming a second insulating layer on the first wiring layer; A second wiring layer forming step of forming a second wiring layer on the two insulating layers and simultaneously forming a second ground wiring portion; and a cover layer forming step of forming a cover layer so as to cover the second wiring layer; And a metal support substrate forming step of etching the metal support member to form a metal support substrate. In the additive method, when forming a via portion having material continuity with the first ground wiring portion or the second ground wiring portion, usually, the first ground wiring portion or the second ground wiring portion respectively. A via portion is formed during formation. In addition, in the additive method, when forming a via portion that does not have material continuity with the first ground wiring portion and the second ground wiring portion, a plating step for forming the via portion may be further performed.

本発明のサスペンション用基板の製造方法は、目的とするサスペンション用基板の構成に応じて、各工程におけるパターニングを行う。以下、本発明のサスペンション用基板の製造方法の具体例として、上記「A.サスペンション用基板」に記載した第一実施態様〜第三実施態様のサスペンション用基板を製造する方法について説明する。   In the method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention, patterning in each step is performed according to the configuration of the target suspension substrate. Hereinafter, as a specific example of the method for manufacturing the suspension substrate of the present invention, a method for manufacturing the suspension substrate according to the first to third embodiments described in the above-mentioned “A. Suspension substrate” will be described.

1.第一実施態様
図17は、第一実施態様のサスペンション用基板を製造する方法の一例を示す概略断面図である。なお、図17は、図3と同様に図2(b)のA−A断面図に相当する断面図である。図17においては、まず、金属支持部材1A、絶縁部材2Aおよび導体部材3Aがこの順に積層された積層部材を準備する(図17(a))。次に、導体部材3Aに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、第一配線層(図示せず)および第一グランド用配線部3aを形成する(図17(b))。次に、第二絶縁層4を形成する(図17(c))。この際、第二絶縁層4は第一配線層(図示せず)を覆うように形成するが、図17では、後述するように第一グランド用配線部3a上に直接第二グランド用配線部5aを形成するため、第一グランド用配線部3a上に第二絶縁層4が形成されないように、第二絶縁層4のパターニングを行う。
1. First Embodiment FIG. 17 is a schematic cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a suspension substrate according to a first embodiment. FIG. 17 is a cross-sectional view corresponding to the AA cross-sectional view of FIG. In FIG. 17, first, a laminated member in which the metal supporting member 1A, the insulating member 2A, and the conductor member 3A are laminated in this order is prepared (FIG. 17A). Next, the conductive member 3A is patterned by wet etching to form a first wiring layer (not shown) and a first ground wiring portion 3a (FIG. 17B). Next, the second insulating layer 4 is formed (FIG. 17C). At this time, the second insulating layer 4 is formed so as to cover the first wiring layer (not shown), but in FIG. 17, the second ground wiring portion is directly formed on the first ground wiring portion 3a as described later. In order to form 5a, the second insulating layer 4 is patterned so that the second insulating layer 4 is not formed on the first ground wiring portion 3a.

その後、第二絶縁層4側の表面に、スパッタリングによりシード層8を形成する(図17(d))。次に、シード層8の上に、ドライフィルムレジストから構成されるレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出するシード層8の表面に、第二グランド用配線部5aを形成する(図17(e))。この際、第二配線層(図示せず)も同時に形成する。次に、不要なシード層8を除去し(図17(f))、第二グランド用配線部5aを覆うようにカバー層6を形成する(図17(g))。次に、絶縁部材2Aに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、第一絶縁層2を形成する(図17(h))。次に、金属支持部材1Aからの給電でめっきを成長させることによりビア部7を形成し、金属支持部材1Aに対してウェットエッチングによるパターニングを行い金属支持基板1を形成する(図17(i))。これにより、サスペンション用基板を得る。   Thereafter, a seed layer 8 is formed on the surface on the second insulating layer 4 side by sputtering (FIG. 17D). Next, a resist pattern composed of a dry film resist is formed on the seed layer 8, and a second ground wiring portion 5 a is formed on the surface of the seed layer 8 exposed from the resist pattern (FIG. 17 ( e)). At this time, a second wiring layer (not shown) is also formed at the same time. Next, the unnecessary seed layer 8 is removed (FIG. 17F), and the cover layer 6 is formed so as to cover the second ground wiring portion 5a (FIG. 17G). Next, the insulating member 2A is patterned by wet etching to form the first insulating layer 2 (FIG. 17H). Next, the via portion 7 is formed by growing the plating by feeding from the metal support member 1A, and the metal support substrate 1 is formed by patterning the metal support member 1A by wet etching (FIG. 17 (i)). ). Thereby, a suspension substrate is obtained.

2.第二実施態様
図18は、第二実施態様のサスペンション用基板を製造する方法の一例を示す概略断面図である。なお、図18は、図7(b)と同様に図7(a)のA−A断面図に相当する断面図である。図18においては、まず、金属支持部材1A、絶縁部材2Aおよび導体部材3Aがこの順に積層された積層部材を準備する(図18(a))。次に、導体部材3Aに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、第一配線層(図示せず)および第一グランド用配線部3aを形成する(図18(b))。次に、第二絶縁層4を形成する(図18(c))。この際、第二絶縁層4は第一配線層(図示せず)を覆うように形成するが、図18では、後述するように第一グランド用配線部3a上に直接第二グランド用配線部5aを形成するため、第一グランド用配線部3a上に第二絶縁層4が形成されないように、第二絶縁層4のパターニングを行う。
2. Second Embodiment FIG. 18 is a schematic cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a suspension substrate according to a second embodiment. FIG. 18 is a cross-sectional view corresponding to the AA cross-sectional view of FIG. 7A as in FIG. 7B. In FIG. 18, first, a laminated member in which the metal supporting member 1A, the insulating member 2A, and the conductor member 3A are laminated in this order is prepared (FIG. 18A). Next, the conductive member 3A is patterned by wet etching to form a first wiring layer (not shown) and a first ground wiring portion 3a (FIG. 18B). Next, the second insulating layer 4 is formed (FIG. 18C). At this time, the second insulating layer 4 is formed so as to cover the first wiring layer (not shown). However, in FIG. 18, the second ground wiring portion is directly on the first ground wiring portion 3a as described later. In order to form 5a, the second insulating layer 4 is patterned so that the second insulating layer 4 is not formed on the first ground wiring portion 3a.

その後、絶縁部材2Aに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、第一絶縁層2を形成する(図18(d))。次に、第二絶縁層4側の表面に、スパッタリングによりシード層8を形成する(図18(e))。次に、シード層8の上に、ドライフィルムレジストから構成されるレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出するシード層8の表面に、ビア部7および第二グランド用配線部5aを形成する(図18(f))。この際、第二配線層(図示せず)も同時に形成する。次に、不要なシード層8を除去し(図18(g))、第二グランド用配線部5aを覆うようにカバー層6を形成し、金属支持部材1Aに対してウェットエッチングによるパターニングを行い金属支持基板1を形成する(図18(h))。これにより、サスペンション用基板を得る。   Thereafter, the insulating member 2A is patterned by wet etching to form the first insulating layer 2 (FIG. 18D). Next, the seed layer 8 is formed on the surface on the second insulating layer 4 side by sputtering (FIG. 18E). Next, a resist pattern composed of a dry film resist is formed on the seed layer 8, and the via portion 7 and the second ground wiring portion 5 a are formed on the surface of the seed layer 8 exposed from the resist pattern. (FIG. 18 (f)). At this time, a second wiring layer (not shown) is also formed at the same time. Next, the unnecessary seed layer 8 is removed (FIG. 18G), the cover layer 6 is formed so as to cover the second ground wiring portion 5a, and the metal support member 1A is patterned by wet etching. A metal support substrate 1 is formed (FIG. 18H). Thereby, a suspension substrate is obtained.

3.第三実施態様
図19は、第三実施態様のサスペンション用基板を製造する方法の一例を示す概略断面図である。なお、図19は、図10(b)と同様に図10(a)のA−A断面図に相当する断面図である。図19においては、まず、金属支持部材1Aを準備する(図19(a))。次に、金属支持部材1A上に第一絶縁層2を形成する(図19(b))。次に、第一絶縁層2側の表面に、スパッタリングによりシード層8を形成する(図19(c))。次に、シード層8の上に、ドライフィルムレジストから構成されるレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出するシード層8の表面に、ビア部7および第一グランド用配線部3aを形成する(図19(d))。この際、第一配線層(図示せず)も同時に形成する。
3. Third Embodiment FIG. 19 is a schematic cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a suspension substrate according to a third embodiment. Note that FIG. 19 is a cross-sectional view corresponding to the AA cross-sectional view of FIG. 10A in the same manner as FIG. In FIG. 19, first, a metal supporting member 1A is prepared (FIG. 19 (a)). Next, the first insulating layer 2 is formed on the metal support member 1A (FIG. 19B). Next, the seed layer 8 is formed on the surface on the first insulating layer 2 side by sputtering (FIG. 19C). Next, a resist pattern composed of a dry film resist is formed on the seed layer 8, and the via portion 7 and the first ground wiring portion 3a are formed on the surface of the seed layer 8 exposed from the resist pattern. (FIG. 19 (d)). At this time, a first wiring layer (not shown) is also formed at the same time.

次に、不要なシード層8を除去し(図19(e))、第二絶縁層4を形成する(図19(f))。この際、第二絶縁層4は第一配線層(図示せず)を覆うように形成するが、図19では、後述するように第一グランド用配線部3a上に直接第二グランド用配線部5aを形成するため、第一グランド用配線部3a上に第二絶縁層4が形成されないように、第二絶縁層4のパターニングを行う。次に、第二絶縁層4側の表面に、スパッタリングによりシード層8を形成する(図19(g))。次に、シード層8の上に、ドライフィルムレジストから構成されるレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出するシード層8の表面に、第二グランド用配線部5aを形成する(図19(h))。この際、第二配線層(図示せず)も同時に形成する。次に、不要なシード層8を除去し(図19(i))、第二グランド用配線部5aを覆うようにカバー層6を形成し、金属支持部材1Aに対してウェットエッチングによるパターニングを行い金属支持基板1を形成する(図19(j))。これにより、サスペンション用基板を得る。   Next, the unnecessary seed layer 8 is removed (FIG. 19E), and the second insulating layer 4 is formed (FIG. 19F). At this time, the second insulating layer 4 is formed so as to cover the first wiring layer (not shown), but in FIG. 19, the second ground wiring portion is directly formed on the first ground wiring portion 3a as described later. In order to form 5a, the second insulating layer 4 is patterned so that the second insulating layer 4 is not formed on the first ground wiring portion 3a. Next, the seed layer 8 is formed on the surface on the second insulating layer 4 side by sputtering (FIG. 19G). Next, a resist pattern composed of a dry film resist is formed on the seed layer 8, and a second ground wiring portion 5 a is formed on the surface of the seed layer 8 exposed from the resist pattern (FIG. 19 ( h)). At this time, a second wiring layer (not shown) is also formed at the same time. Next, the unnecessary seed layer 8 is removed (FIG. 19 (i)), the cover layer 6 is formed so as to cover the second ground wiring portion 5a, and the metal support member 1A is patterned by wet etching. The metal support substrate 1 is formed (FIG. 19 (j)). Thereby, a suspension substrate is obtained.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the technical idea described in the claims of the present invention has substantially the same configuration and exhibits the same function and effect regardless of the case. It is included in the technical scope of the invention.

以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.

[実施例1]
まず、厚さ18μmのSUS304(金属支持部材)、厚さ10μmのポリイミド樹脂層(絶縁部材)、厚さ9μmの電解銅層(導体部材)を有する積層部材を準備した(図17(a))。次に、ドライフィルムレジストを積層部材の両面にラミネートし、レジストパターンを形成した。次に、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材から第一配線層(図示せず)および第一グランド用配線部を形成した(図17(b))。なお、金属支持部材には治具孔を形成した。
[Example 1]
First, a laminated member having SUS304 (metal support member) having a thickness of 18 μm, a polyimide resin layer (insulating member) having a thickness of 10 μm, and an electrolytic copper layer (conductor member) having a thickness of 9 μm was prepared (FIG. 17A). . Next, a dry film resist was laminated on both surfaces of the laminated member to form a resist pattern. Next, etching was performed using a ferric chloride solution, and a resist film was removed after the etching. Thus, a first wiring layer (not shown) and a first ground wiring portion were formed from the conductor member (FIG. 17B). A jig hole was formed in the metal support member.

その後、パターニングされた第一配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングした。乾燥後、レジスト製版し現像と同時にポリイミド前駆体膜をエッチングし、その後、窒素雰囲気下、加熱することにより硬化(イミド化)させ、第二絶縁層を形成した(図17(c))。次に、第二絶縁層側の表面に、スパッタリング法によりCrからなるシード層を形成した(図17(d))。次に、シード層上に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する部分に、電解銅めっき法により、第二配線層(図示せず)および第二グランド用配線部を形成した(図17(e))。その後、不要なシード層を除去した(図17(f))。   Thereafter, a polyimide precursor solution was coated on the patterned first wiring layer with a die coater. After drying, resist plate-making is performed, and the polyimide precursor film is etched simultaneously with development, and then cured (imidized) by heating in a nitrogen atmosphere to form a second insulating layer (FIG. 17C). Next, a seed layer made of Cr was formed on the surface of the second insulating layer side by a sputtering method (FIG. 17D). Next, a predetermined resist pattern was formed on the seed layer, and a second wiring layer (not shown) and a second ground wiring portion were formed by electrolytic copper plating on a portion exposed from the resist pattern ( FIG. 17 (e)). Thereafter, an unnecessary seed layer was removed (FIG. 17F).

その後、パターニングされた第二グランド用配線部上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングした。乾燥後、レジスト製版し現像と同時にポリイミド前駆体膜をエッチングし、その後、窒素雰囲気下、加熱することにより硬化(イミド化)させ、カバー層を形成した(図17(g))。次に、絶縁部材をパターニングするために、レジスト製版し、露出する部位のポリイミド樹脂をウェットエッチングで除去した(図17(h))。次に、スルファミン酸Niめっき浴を用い、金属支持部材からの給電でめっきを成長させることにより、ビア部を形成した(図17(i))。最後に、不要な金属支持部材をウェットエッチングにより除去することで、サスペンション用基板を得た。   Thereafter, a polyimide precursor solution was coated on the patterned second ground wiring portion with a die coater. After drying, resist plate-making was performed, and the polyimide precursor film was etched simultaneously with development, and then cured (imidized) by heating in a nitrogen atmosphere to form a cover layer (FIG. 17G). Next, in order to pattern the insulating member, resist plate-making was performed, and the exposed polyimide resin was removed by wet etching (FIG. 17H). Next, a via part was formed by growing the plating by feeding from a metal support member using a nickel sulfamate plating bath (FIG. 17 (i)). Finally, an unnecessary metal support member was removed by wet etching to obtain a suspension substrate.

[実施例2]
まず、厚さ18μmのSUS304(金属支持部材)、厚さ10μmのポリイミド樹脂層(絶縁部材)、厚さ9μmの電解銅層(導体部材)を有する積層部材を準備した(図18(a))。次に、ドライフィルムレジストを積層部材の両面にラミネートし、レジストパターンを形成した。次に、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材から第一配線層(図示せず)および第一グランド用配線部を形成した(図18(b))。なお、金属支持部材には治具孔を形成した。
[Example 2]
First, a laminated member having SUS304 (metal support member) having a thickness of 18 μm, a polyimide resin layer (insulating member) having a thickness of 10 μm, and an electrolytic copper layer (conductor member) having a thickness of 9 μm was prepared (FIG. 18A). . Next, a dry film resist was laminated on both surfaces of the laminated member to form a resist pattern. Next, etching was performed using a ferric chloride solution, and a resist film was removed after the etching. Thus, a first wiring layer (not shown) and a first ground wiring portion were formed from the conductor member (FIG. 18B). A jig hole was formed in the metal support member.

その後、パターニングされた第一配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングした。乾燥後、レジスト製版し現像と同時にポリイミド前駆体膜をエッチングし、その後、窒素雰囲気下、加熱することにより硬化(イミド化)させ、第二絶縁層を形成した(図18(c))。次に、絶縁部材をパターニングするために、レジスト製版し、露出する部位のポリイミド樹脂をウェットエッチングで除去した(図18(d))。次に、第二絶縁層側の表面に、スパッタリング法によりCrからなるシード層を形成した(図18(e))。次に、シード層上に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する部分に、電解銅めっき法により、第二配線層(図示せず)、ビア部および第二グランド用配線部を形成した(図18(f))。その後、不要なシード層を除去した(図18(g))。   Thereafter, a polyimide precursor solution was coated on the patterned first wiring layer with a die coater. After drying, resist engraving was performed and the polyimide precursor film was etched simultaneously with development, and then cured (imidized) by heating in a nitrogen atmosphere to form a second insulating layer (FIG. 18C). Next, in order to pattern the insulating member, resist plate-making was performed, and the exposed polyimide resin was removed by wet etching (FIG. 18D). Next, a seed layer made of Cr was formed on the surface on the second insulating layer side by sputtering (FIG. 18E). Next, a predetermined resist pattern is formed on the seed layer, and a second wiring layer (not shown), a via portion and a second ground wiring portion are formed on the portion exposed from the resist pattern by electrolytic copper plating. It formed (FIG.18 (f)). Thereafter, an unnecessary seed layer was removed (FIG. 18 (g)).

その後、パターニングされた第二グランド用配線部上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングした。乾燥後、レジスト製版し現像と同時にポリイミド前駆体膜をエッチングし、その後、窒素雰囲気下、加熱することにより硬化(イミド化)させ、カバー層を形成した(図18(h))。最後に、不要な金属支持部材をウェットエッチングにより除去することで、サスペンション用基板を得た。   Thereafter, a polyimide precursor solution was coated on the patterned second ground wiring portion with a die coater. After drying, resist plate-making is performed, and the polyimide precursor film is etched simultaneously with development, and then cured (imidized) by heating in a nitrogen atmosphere to form a cover layer (FIG. 18 (h)). Finally, an unnecessary metal support member was removed by wet etching to obtain a suspension substrate.

[実施例3]
厚さ18μmのSUS304である金属支持部材を用意した(図19(a))。金属支持部材に感光性ポリイミド前駆体を塗布し、乾燥後、マスクを介して所望のパターン形状に高圧水銀灯を光源に用い500〜2000mJ/cmの露光量で露光を行った。その後、最高到達温度が160℃〜190℃の範囲になり、最高到達温度の保持時間が0.1分〜60分の範囲になるような条件で加熱を行い、アルカリ水溶液で現像し、ネガ型のパターン像を形成した。その後、窒素雰囲気下で加熱を行い、第一絶縁層を形成した(図19(b))。
[Example 3]
A metal support member made of SUS304 having a thickness of 18 μm was prepared (FIG. 19A). A photosensitive polyimide precursor was applied to a metal support member, dried, and then exposed to a desired pattern shape through a mask using a high-pressure mercury lamp as a light source at an exposure amount of 500 to 2000 mJ / cm 2 . Thereafter, heating is performed under such conditions that the maximum temperature reaches 160 ° C. to 190 ° C. and the maximum temperature holding time is within a range of 0.1 minutes to 60 minutes, and development is performed with an alkaline aqueous solution. The pattern image of was formed. Then, it heated in nitrogen atmosphere and formed the 1st insulating layer (FIG.19 (b)).

次に、第一絶縁層側の表面に、スパッタリング法によりCrからなるシード層を形成した(図19(c))。次に、シード層上に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する部分に、電解銅めっき法により、第一配線層(図示せず)、ビア部および第一グランド用配線部を形成した(図19(d))。その後、不要なシード層を除去した(図19(e))。   Next, a seed layer made of Cr was formed on the surface on the first insulating layer side by a sputtering method (FIG. 19C). Next, a predetermined resist pattern is formed on the seed layer, and a first wiring layer (not shown), a via portion, and a first ground wiring portion are formed on the portion exposed from the resist pattern by electrolytic copper plating. It formed (FIG.19 (d)). Thereafter, an unnecessary seed layer was removed (FIG. 19E).

その後、パターニングされた第一配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングした。乾燥後、レジスト製版し現像と同時にポリイミド前駆体膜をエッチングし、その後、窒素雰囲気下、加熱することにより硬化(イミド化)させ、第二絶縁層を形成した(図19(f))。次に、第二絶縁層側の表面に、スパッタリング法によりCrからなるシード層を形成した(図19(g))。次に、シード層上に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する部分に、電解銅めっき法により、第二配線層(図示せず)および第二グランド用配線部を形成した(図19(h))。その後、不要なシード層を除去した(図19(i))。   Thereafter, a polyimide precursor solution was coated on the patterned first wiring layer with a die coater. After drying, resist plate-making was performed, and the polyimide precursor film was etched simultaneously with development, and then cured (imidized) by heating in a nitrogen atmosphere to form a second insulating layer (FIG. 19F). Next, a seed layer made of Cr was formed on the surface of the second insulating layer side by a sputtering method (FIG. 19G). Next, a predetermined resist pattern was formed on the seed layer, and a second wiring layer (not shown) and a second ground wiring portion were formed by electrolytic copper plating on a portion exposed from the resist pattern ( FIG. 19 (h)). Thereafter, an unnecessary seed layer was removed (FIG. 19 (i)).

その後、パターニングされた第二グランド用配線部上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングした。乾燥後、レジスト製版し現像と同時にポリイミド前駆体膜をエッチングし、その後、窒素雰囲気下、加熱することにより硬化(イミド化)させ、カバー層を形成した(図19(j))。最後に、不要な金属支持部材をウェットエッチングにより除去することで、サスペンション用基板を得た。   Thereafter, a polyimide precursor solution was coated on the patterned second ground wiring portion with a die coater. After drying, resist engraving was performed and the polyimide precursor film was etched simultaneously with development, and then cured (imidized) by heating in a nitrogen atmosphere to form a cover layer (FIG. 19 (j)). Finally, an unnecessary metal support member was removed by wet etching to obtain a suspension substrate.

1…金属支持基板、 2…第一絶縁層、 3…第一配線層、 3a…第一グランド用配線部、 4…第二絶縁層、 5…第二配線層、 5a…第二グランド用配線部、 6…カバー層、 7…ビア部、 8…シード層、 31…開口部、 32…パッド部、 51…開口部、 52…パッド部、 53…薄肉部、 100…サスペンション用基板、 101…記録再生用素子実装領域、 102…外部回路基板接続領域、 103…配線層   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Metal support board | substrate, 2 ... 1st insulating layer, 3 ... 1st wiring layer, 3a ... 1st ground wiring part, 4 ... 2nd insulating layer, 5 ... 2nd wiring layer, 5a ... 2nd ground wiring , 6 ... cover layer, 7 ... via portion, 8 ... seed layer, 31 ... opening, 32 ... pad portion, 51 ... opening portion, 52 ... pad portion, 53 ... thin wall portion, 100 ... suspension substrate, 101 ... Element mounting area for recording / reproducing, 102 ... External circuit board connection area, 103 ... Wiring layer

Claims (11)

金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、前記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、前記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、前記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板であって、
前記第一配線層と同一の材料から構成された第一グランド用配線部、および、前記第二配線層と同一の材料から構成された第二グランド用配線部が形成され、
前記第一グランド用配線部および前記第二グランド用配線部が、前記第一絶縁層を貫通するビア部を介して、前記金属支持基板と電気的に接続されていることを特徴とするサスペンション用基板。
A metal support substrate, a first insulating layer formed on the metal support substrate, a first wiring layer formed on the first insulating layer, and a second insulating layer formed on the first wiring layer A suspension substrate having a second wiring layer formed on the second insulating layer,
A first ground wiring portion made of the same material as the first wiring layer, and a second ground wiring portion made of the same material as the second wiring layer are formed,
The first ground wiring portion and the second ground wiring portion are electrically connected to the metal support substrate through via portions penetrating the first insulating layer. substrate.
前記第一グランド用配線部および前記第二グランド用配線部が、それぞれ開口部を有するパッド部を備え、
前記第一グランド用配線部の開口部および前記第二グランド用配線部の開口部に、前記ビア部が形成され、
前記ビア部が、前記第一グランド用配線部のパッド部および前記第二グランド用配線部のパッド部と、材料的な連続性を有しないビア部であることを特徴とする請求項1に記載のサスペンション用基板。
The first ground wiring portion and the second ground wiring portion each include a pad portion having an opening,
The via portion is formed in the opening of the first ground wiring portion and the opening of the second ground wiring portion,
The via portion is a via portion having no material continuity with the pad portion of the first ground wiring portion and the pad portion of the second ground wiring portion. Suspension board.
前記第一グランド用配線部が開口部を有するパッド部を備え、前記第二グランド用配線部がパッド部を備え、
前記第一グランド用配線部の開口部に、前記ビア部が形成され、
前記ビア部が、前記第二グランド用配線部のパッド部と材料的な連続性を有するビア部であることを特徴とする請求項1に記載のサスペンション用基板。
The first ground wiring portion includes a pad portion having an opening, and the second ground wiring portion includes a pad portion,
The via portion is formed in the opening of the first ground wiring portion,
The suspension substrate according to claim 1, wherein the via portion is a via portion having material continuity with the pad portion of the second ground wiring portion.
前記第一グランド用配線部および前記第二グランド用配線部が、それぞれパッド部を備え、
前記ビア部が、前記第一グランド用配線部のパッド部と材料的な連続性を有するビア部であることを特徴とする請求項1に記載のサスペンション用基板。
The first ground wiring portion and the second ground wiring portion each include a pad portion,
The suspension substrate according to claim 1, wherein the via portion is a via portion having material continuity with the pad portion of the first ground wiring portion.
前記第二グランド用配線部のパッド部が、前記第一グランド用配線部のパッド部上に直接形成されていることを特徴とする請求項2から請求項4までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。   The pad portion of the second ground wiring portion is formed directly on the pad portion of the first ground wiring portion. 5. Suspension board. 前記第二グランド用配線部のパッド部が、前記第一グランド用配線部のパッド部上に直接形成され、
前記第二グランド用配線部の前記開口部の内側にカバー層が形成され、
前記ビア部および前記第二グランド用配線部が、接触していないことを特徴とする請求項2に記載のサスペンション用基板。
The pad portion of the second ground wiring portion is directly formed on the pad portion of the first ground wiring portion,
A cover layer is formed inside the opening of the second ground wiring portion;
The suspension substrate according to claim 2, wherein the via portion and the second ground wiring portion are not in contact with each other.
前記第一グランド用配線部が、熱アシスト用素子のグランド用配線層であり、
前記第二グランド用配線部が、記録再生用素子のグランド用配線層であることを特徴とする請求項1から請求項6までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
The first ground wiring portion is a ground wiring layer of a thermal assist element,
The suspension substrate according to any one of claims 1 to 6, wherein the second ground wiring portion is a ground wiring layer of a recording / reproducing element.
請求項1から請求項7までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板と、前記サスペンション用基板の前記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンション。   A suspension comprising the suspension substrate according to any one of claims 1 to 7 and a load beam provided on a surface of the suspension substrate on the metal support substrate side. . 請求項8に記載のサスペンションと、前記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。   9. A suspension with an element, comprising: the suspension according to claim 8; and a recording / reproducing element disposed on the suspension. 請求項9に記載の素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブ。   A hard disk drive comprising the suspension with an element according to claim 9. 金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、前記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、前記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、前記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板の製造方法であって、
前記第一配線層および第一グランド用配線部を同時に形成する第一配線層形成工程と、
前記第二配線層および第二グランド用配線部を同時に形成する第二配線層形成工程と、
前記第一グランド用配線部および前記第二グランド用配線部を、前記金属支持基板と電気的に接続し、かつ、前記第一絶縁層を貫通するビア部を形成するビア部形成工程と、
を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
A metal support substrate, a first insulating layer formed on the metal support substrate, a first wiring layer formed on the first insulating layer, and a second insulating layer formed on the first wiring layer And a second wiring layer formed on the second insulating layer, and a manufacturing method of a suspension substrate,
A first wiring layer forming step of simultaneously forming the first wiring layer and the first ground wiring portion;
A second wiring layer forming step for simultaneously forming the second wiring layer and the second ground wiring portion;
A via portion forming step of electrically connecting the first ground wiring portion and the second ground wiring portion to the metal support substrate and forming a via portion penetrating the first insulating layer;
A method for manufacturing a suspension substrate, comprising:
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