JP6070881B2 - Suspension substrate, suspension, suspension with element, hard disk drive, and manufacturing method of suspension substrate - Google Patents

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Description

本発明は、接続信頼性の高い端子部を有するサスペンション用基板に関する。   The present invention relates to a suspension board having a terminal portion with high connection reliability.

近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ(HDD)も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。   In recent years, due to the spread of the Internet and the like, there has been a demand for an increase in the amount of information processing of personal computers and an increase in information processing speed, and along with this, the capacity of hard disk drives (HDD) incorporated in personal computers has increased. Increasing information transmission speed is required.

HDDに用いられるサスペンション用基板(フレキシャ)は、通常、一方の先端部分に形成され、磁気ヘッドスライダ等の記録再生用素子を実装する記録再生用素子実装領域と、他方の先端部分に形成され、外部回路基板との接続を行う外部回路基板接続領域と、記録再生用素子実装領域および外部回路基板接続領域を接続する配線層とを有する。   A suspension substrate (flexure) used in an HDD is usually formed at one end portion, formed at a recording / reproducing element mounting area for mounting a recording / reproducing element such as a magnetic head slider, and at the other end portion. It has an external circuit board connection area for connecting to the external circuit board, and a wiring layer for connecting the recording / reproducing element mounting area and the external circuit board connection area.

また、サスペンション用基板は、通常、金属支持基板(例えばステンレス鋼)、絶縁層(例えばポリイミド樹脂)、配線層(例えば銅)がこの順に積層された基本構造を有する。サスペンション用基板における配線層は、例えば特許文献1に示すように、絶縁層の同一表面上に一対で形成される(平面配列の配線層)。これに対して、特許文献2、3に示すように、配線層を、絶縁層を介して積層したもの(積層配列の配線層)が知られている。   The suspension substrate usually has a basic structure in which a metal support substrate (for example, stainless steel), an insulating layer (for example, polyimide resin), and a wiring layer (for example, copper) are laminated in this order. For example, as shown in Patent Document 1, a pair of wiring layers in the suspension substrate are formed on the same surface of the insulating layer (planar arrangement wiring layers). On the other hand, as shown in Patent Documents 2 and 3, a wiring layer in which wiring layers are stacked via an insulating layer (a wiring layer in a stacked arrangement) is known.

特開2005−11387号公報JP 2005-11387 A 特開平9−022570号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-022570 特開平10−003632号公報JP-A-10-003632

HDDの高機能化に伴い、サスペンション用基板に必要とされる配線層の数は増加傾向にある。積層配列の配線層は、平面配列の配線層に比べて、構造上、配線層の数の増加に対応しやすいという利点がある。すなわち、積層配列の配線層は、介在する絶縁層の上下に配線層を配置できるため、平面配列の配線層に比べて、単純計算で2倍の配線層を配置できるという利点がある。   As the functionality of HDDs increases, the number of wiring layers required for a suspension board is increasing. The wiring layer in the stacked arrangement has an advantage in that it can easily cope with the increase in the number of wiring layers in comparison with the wiring layer in the planar arrangement. That is, the wiring layer in the stacked arrangement can be arranged on the upper and lower sides of the intervening insulating layer, and therefore has an advantage that the wiring layer can be arranged twice by simple calculation as compared with the wiring layer in the planar arrangement.

一方、積層配列の配線層は、配線層が立体的に配置されるため、配線層の端子部の高さが揃いにくいという問題がある。そのため、高さが不揃いの2以上の端子部と、例えば記録再生用素子の端子部とを半田等で接続する場合に、良好な接続ができない場合が想定される。   On the other hand, the wiring layer in the stacked arrangement has a problem that the wiring layers are three-dimensionally arranged, and thus the heights of the terminal portions of the wiring layer are difficult to align. For this reason, when two or more terminal portions having uneven heights and, for example, the terminal portions of the recording / reproducing element are connected by solder or the like, a case where a good connection cannot be assumed is assumed.

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、接続信頼性の高い端子部を有するサスペンション用基板を提供することを主目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and a main object of the present invention is to provide a suspension substrate having a terminal portion with high connection reliability.

上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、上記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板であって、平面視上、上記第二配線層の端子部の近傍に、第三配線層の端子部が形成され、上記第二配線層の端子部は、上記金属支持基板側の表面に上記第一配線層を有する上記第二絶縁層上に形成され、上記第三配線層の端子部は、上記金属支持基板側の表面に上記第一配線層を有しない上記第二絶縁層上、または、上記第一絶縁層上に形成され、上記第二配線層の端子部および上記第三配線層の端子部には、それぞれ、同じ材料から構成されるめっき部が形成され、上記第二配線層の端子部に形成された上記めっき部の頂部、および、上記第三配線層の端子部に形成された上記めっき部の頂部が、一致していることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。   In order to solve the above problems, in the present invention, a metal support substrate, a first insulating layer formed on the metal support substrate, a first wiring layer formed on the first insulating layer, and the above A suspension substrate having a second insulating layer formed on the first wiring layer and a second wiring layer formed on the second insulating layer, wherein the second wiring layer has a second wiring layer in plan view. A terminal portion of the third wiring layer is formed in the vicinity of the terminal portion, and the terminal portion of the second wiring layer is formed on the second insulating layer having the first wiring layer on the surface on the metal support substrate side. And the terminal portion of the third wiring layer is formed on the second insulating layer without the first wiring layer on the surface of the metal support substrate or on the first insulating layer, The terminal portion of the wiring layer and the terminal portion of the third wiring layer are each made of the same material. The top of the plating portion formed on the terminal portion of the second wiring layer and the top of the plating portion formed on the terminal portion of the third wiring layer are coincident with each other. A suspension substrate is provided.

本発明によれば、第二配線層の端子部に形成されためっき部の頂部、および、第三配線層の端子部に形成されためっき部の頂部が一致していることから、接続信頼性の高い端子部を有するサスペンション用基板とすることができる。   According to the present invention, since the top part of the plating part formed in the terminal part of the second wiring layer and the top part of the plating part formed in the terminal part of the third wiring layer match, the connection reliability A suspension substrate having a high terminal portion can be obtained.

上記発明においては、上記第二配線層および上記第三配線層が、記録再生用素子と接続される配線層であることが好ましい。   In the above invention, the second wiring layer and the third wiring layer are preferably wiring layers connected to the recording / reproducing element.

上記発明においては、平面視上、上記第二配線層の端子部と重複する上記第一配線層が、熱アシスト用配線層であることが好ましい。   In the above invention, it is preferable that the first wiring layer overlapping with the terminal portion of the second wiring layer in plan view is a heat assist wiring layer.

また、本発明においては、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンションを提供する。   The present invention also provides a suspension comprising the above-described suspension substrate and a load beam provided on the surface of the suspension substrate on the metal support substrate side.

本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、接続信頼性の高い端子部を有するサスペンションとすることができる。   According to the present invention, a suspension having a terminal portion with high connection reliability can be obtained by using the suspension substrate described above.

また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。   The present invention also provides an element-equipped suspension comprising the above-described suspension and a recording / reproducing element disposed on the suspension.

本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、例えば記録再生用素子との接続信頼性の高い素子付サスペンションとすることができる。   According to the present invention, by using the above-described suspension, for example, a suspension with an element having high connection reliability with a recording / reproducing element can be obtained.

また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブを提供する。   The present invention also provides a hard disk drive having the above-described suspension with an element.

本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。   According to the present invention, a hard disk drive with higher functionality can be obtained by using the above-described suspension with an element.

また、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、上記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された第二配線層とを有し、平面視上、上記第二配線層の端子部の近傍に、第三配線層の端子部が形成され、上記第二配線層の端子部は、上記金属支持基板側の表面に上記第一配線層を有する上記第二絶縁層上に形成され、上記第三配線層の端子部は、上記金属支持基板側の表面に上記第一配線層を有しない上記第二絶縁層上、または、上記第一絶縁層上に形成されたサスペンション用基板の製造方法であって、上記第二配線層の端子部および上記第三配線層の端子部に、同時にめっき部を形成するめっき部形成工程を有し、上記めっき部形成工程において、上記第二配線層の端子部には第一給電端子から給電し、上記第三配線層の端子部には第二給電端子から給電し、上記第二給電端子により給電するめっき面積を、上記第一給電端子により給電するめっき面積よりも小さくすることで、上記第二配線層の端子部に形成される上記めっき部の頂部、および、上記第三配線層の端子部に形成された上記めっき部の頂部を、一致させることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。   In the present invention, the metal support substrate, the first insulating layer formed on the metal support substrate, the first wiring layer formed on the first insulating layer, and the first wiring layer A second wiring layer formed on the second insulating layer; and a terminal of the third wiring layer in the vicinity of the terminal portion of the second wiring layer in plan view. Part is formed, the terminal part of the second wiring layer is formed on the second insulating layer having the first wiring layer on the surface on the metal support substrate side, the terminal part of the third wiring layer is A method of manufacturing a suspension substrate formed on the second insulating layer or on the first insulating layer that does not have the first wiring layer on the surface of the metal support substrate, the second wiring layer A plating part forming step of simultaneously forming a plating part on the terminal part of the second wiring layer and the terminal part of the third wiring layer, In the plating portion forming step, power is supplied from the first power supply terminal to the terminal portion of the second wiring layer, power is supplied from the second power supply terminal to the terminal portion of the third wiring layer, and power is supplied from the second power supply terminal. The plating area to be formed is smaller than the plating area fed by the first power supply terminal, so that the top part of the plating part formed on the terminal part of the second wiring layer, and the terminal part of the third wiring layer A method of manufacturing a suspension substrate, characterized in that the tops of the plating parts formed in the above are made to coincide with each other.

本発明によれば、第二配線層の端子部および第三配線層の端子部に対して、めっき面積が異なる給電端子を用いて給電することで、第二配線層の端子部に形成されためっき部の頂部、および、第三配線層の端子部に形成されためっき部の頂部が一致したサスペンション用基板を得ることができる。   According to the present invention, power is supplied to the terminal portion of the second wiring layer and the terminal portion of the third wiring layer using the power supply terminals having different plating areas, thereby forming the terminal portion of the second wiring layer. A suspension substrate can be obtained in which the top of the plating portion and the top of the plating portion formed on the terminal portion of the third wiring layer coincide.

本発明のサスペンション用基板は、接続信頼性の高い端子部を有するという効果を奏する。   The suspension substrate of the present invention has an effect of having a terminal portion with high connection reliability.

積層配列の配線層を有するサスペンション用基板の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the board | substrate for suspension which has the wiring layer of a lamination | stacking arrangement | sequence. 本発明における記録再生用素子実装領域の一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the element mounting area for recording / reproducing in this invention. 図2のA−A断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 本発明におけるめっき部を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the plating part in this invention. めっき部を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining a plating part. 本発明における記録再生用素子実装領域の他の例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the other example of the element mounting area | region for recording / reproducing in this invention. 図6の断面図である。It is sectional drawing of FIG. 本発明におけるめっき部を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the plating part in this invention. 本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the suspension of this invention. 本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the suspension with an element of this invention. 本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the hard disk drive of this invention. 本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the board | substrate for suspensions of this invention. 本発明における給電方法を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the electric power feeding method in this invention. 製造途中のサスペンション用基板を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the board | substrate for suspension in the middle of manufacture. 本発明のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the other example of the manufacturing method of the board | substrate for suspensions of this invention.

以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブ、およびサスペンション用基板の製造方法について詳細に説明する。   Hereinafter, the suspension substrate, suspension, suspension with element, hard disk drive, and manufacturing method of the suspension substrate of the present invention will be described in detail.

A.サスペンション用基板
本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、上記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板であって、平面視上、上記第二配線層の端子部の近傍に、第三配線層の端子部が形成され、上記第二配線層の端子部は、上記金属支持基板側の表面に上記第一配線層を有する上記第二絶縁層上に形成され、上記第三配線層の端子部は、上記金属支持基板側の表面に上記第一配線層を有しない上記第二絶縁層上、または、上記第一絶縁層上に形成され、上記第二配線層の端子部および上記第三配線層の端子部には、それぞれ、同じ材料から構成されるめっき部が形成され、上記第二配線層の端子部に形成された上記めっき部の頂部、および、上記第三配線層の端子部に形成された上記めっき部の頂部が、一致していることを特徴とするものである。
A. Suspension Substrate The suspension substrate of the present invention includes a metal support substrate, a first insulating layer formed on the metal support substrate, a first wiring layer formed on the first insulating layer, and the first A suspension substrate having a second insulating layer formed on a wiring layer and a second wiring layer formed on the second insulating layer, wherein the terminal portion of the second wiring layer in plan view A terminal portion of the third wiring layer is formed in the vicinity of the second wiring layer, and the terminal portion of the second wiring layer is formed on the second insulating layer having the first wiring layer on the surface on the metal support substrate side, The terminal portion of the third wiring layer is formed on the second insulating layer without the first wiring layer on the surface on the metal support substrate side or on the first insulating layer, and the second wiring layer. The terminal portion of the third wiring layer and the terminal portion of the third wiring layer are each made of the same material. The top of the plating part formed on the terminal part of the second wiring layer and the top of the plating part formed on the terminal part of the third wiring layer coincide with each other. It is characterized by this.

図1(a)は、積層配列の配線層を有するサスペンション用基板の一例を示す概略平面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A断面図である。なお、図1(a)では、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図1(a)に示されるサスペンション用基板100は、一方の先端部分に形成された記録再生用素子実装領域101と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域102と、記録再生用素子実装領域101および外部回路基板接続領域102を電気的に接続する配線層103とを有するものである。また、図1(a)における配線層103は、一方が書込(ライト)用配線層であり、他方が読取(リード)用配線層である。   FIG. 1A is a schematic plan view showing an example of a suspension substrate having a wiring layer in a stacked arrangement, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. In FIG. 1A, illustration of the insulating layer and the cover layer is omitted for convenience. A suspension substrate 100 shown in FIG. 1A includes a recording / reproducing element mounting region 101 formed at one tip portion, an external circuit board connection region 102 formed at the other tip portion, and a recording / playback device. A wiring layer 103 that electrically connects the element mounting region 101 and the external circuit board connection region 102 is provided. In addition, one of the wiring layers 103 in FIG. 1A is a writing wiring layer, and the other is a reading wiring layer.

また、図1(b)に示すように、サスペンション用基板100は、金属支持基板1と、金属支持基板1上に形成された第一絶縁層2xと、第一絶縁層2x上に形成された第一配線層3xと、第一配線層3x上に形成された第二絶縁層2yと、第二絶縁層2y上に形成された第二配線層3yと、第二配線層3yを覆うように形成されたカバー層4とを有するものである。なお、図1(b)では、第二絶縁層2yを介して、第一配線層3xおよび第二配線層3yが、平面視上重複するように積層されているが、本発明における第一配線層および第二配線層には、それぞれ任意のパターンを採用でき、平面視上重複していなくても良い。   Further, as shown in FIG. 1B, the suspension substrate 100 is formed on the metal supporting substrate 1, the first insulating layer 2x formed on the metal supporting substrate 1, and the first insulating layer 2x. The first wiring layer 3x, the second insulating layer 2y formed on the first wiring layer 3x, the second wiring layer 3y formed on the second insulating layer 2y, and the second wiring layer 3y are covered. The cover layer 4 is formed. In FIG. 1B, the first wiring layer 3x and the second wiring layer 3y are stacked so as to overlap in plan view via the second insulating layer 2y. Arbitrary patterns can be employed for the layer and the second wiring layer, respectively, and do not need to overlap in plan view.

図2は、本発明における記録再生用素子実装領域の一例を示す概略平面図であり、図3は図2のA−A断面図である。なお、図2では、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図2に示すように、平面視上、第二配線層3yの端子部3yaの近傍に第三配線層3zの端子部3zaが形成されている。上記「近傍」とは、100μm以内の領域をいい、50μm以内の領域であることが好ましい。また、図3に示すように、第二配線層の端子部3yaは、金属支持基板1側の表面に第一配線層3xを有する第二絶縁層2y上に形成され、第三配線層の端子部3zaは、金属支持基板1側の表面に第一配線層3xを有しない第二絶縁層2y上に形成されている。端子部3yaおよび端子部3zaは、ともに第二絶縁層2yに形成されているものの、第二絶縁層2yの下に第一配線層3xが存在するか否かによって、厚さ方向における位置が互いに異なる。   FIG. 2 is a schematic plan view showing an example of a recording / reproducing element mounting region in the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. In FIG. 2, the description of the insulating layer and the cover layer is omitted for convenience. As shown in FIG. 2, the terminal portion 3za of the third wiring layer 3z is formed in the vicinity of the terminal portion 3ya of the second wiring layer 3y in plan view. The “vicinity” refers to a region within 100 μm, preferably a region within 50 μm. Also, as shown in FIG. 3, the terminal portion 3ya of the second wiring layer is formed on the second insulating layer 2y having the first wiring layer 3x on the surface on the metal support substrate 1 side, and the terminal of the third wiring layer. The portion 3za is formed on the second insulating layer 2y that does not have the first wiring layer 3x on the surface on the metal support substrate 1 side. Although the terminal portion 3ya and the terminal portion 3za are both formed in the second insulating layer 2y, the positions in the thickness direction are mutually different depending on whether or not the first wiring layer 3x exists under the second insulating layer 2y. Different.

また、図3に示すように、第二配線層の端子部3yaおよび第三配線層の端子部3zaには、それぞれ、同じ材料から構成されるめっき部5が形成されている。このめっき部5は、第一めっき部5aおよび第二めっき部5bから構成されている。本発明のサスペンション用基板は、第二配線層の端子部3yaに形成されためっき部5の頂部T、および、第三配線層の端子部3zaに形成されためっき部5の頂部Tが、一致していることを大きな特徴とする。 Moreover, as shown in FIG. 3, the plating part 5 which consists of the same material is formed in the terminal part 3ya of a 2nd wiring layer, and the terminal part 3za of a 3rd wiring layer, respectively. This plating part 5 is comprised from the 1st plating part 5a and the 2nd plating part 5b. Suspension substrate of the present invention, the top T 1 of the plated portion 5 formed in the terminal portion 3ya of the second wiring layer, and a top portion T 2 of the plated portion 5 formed in the terminal portion 3za of the third wiring layer The main feature is that they match.

ここで、「めっき部の頂部」とは、金属支持基板側とは反対側における端子部の表面に形成されためっき部において、最も厚い部分をいう。また、「頂部Tおよび頂部Tが一致している」とは、図4(a)、(b)に示すように、頂部Tおよび頂部Tの厚さ方向の差Dが、5μm以下であることをいう。なお、図4(a)は頂部Tが頂部Tよりも若干高い状態を示し、図4(b)は頂部Tが頂部Tよりも若干高い状態を示している。Dの値は、より小さいことが好ましく、具体的には3μm以下であることが好ましい。 Here, the “top portion of the plating portion” refers to the thickest portion in the plating portion formed on the surface of the terminal portion on the side opposite to the metal support substrate side. Further, “the top part T 1 and the top part T 2 are coincident” means that the difference D 1 in the thickness direction between the top part T 1 and the top part T 2 is as shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b). It means that it is 5 μm or less. Incidentally, FIG. 4 (a) shows a slightly higher than the top T 1 is top T 2, FIG. 4 (b) top T 2 indicates a slightly higher than the top T 1. The value of D 1 is preferably smaller, it is preferable in particular is 3μm or less.

本発明によれば、第二配線層の端子部に形成されためっき部の頂部、および、第三配線層の端子部に形成されためっき部の頂部が一致していることから、接続信頼性の高い端子部を有するサスペンション用基板とすることができる。図2に示したように、端子部3yaおよび端子部3zaは、ともに第二絶縁層2yに形成されているものの、第二絶縁層2yの下に第一配線層3xが存在するか否かによって、厚さ方向における位置が互いに異なる。このように、積層配列の配線層は、配線層が立体的に配置されるため、配線層の端子部の高さが揃いにくいという問題がある。これに対して、本発明のサスペンション用基板は、めっき部の厚さを調整することで、めっき部の高さを揃えることができるため、半田やACF(異方性導電膜)等との接触不良を抑制できるという利点がある。   According to the present invention, since the top part of the plating part formed in the terminal part of the second wiring layer and the top part of the plating part formed in the terminal part of the third wiring layer match, the connection reliability A suspension substrate having a high terminal portion can be obtained. As shown in FIG. 2, although the terminal portion 3ya and the terminal portion 3za are both formed in the second insulating layer 2y, depending on whether or not the first wiring layer 3x exists under the second insulating layer 2y. The positions in the thickness direction are different from each other. As described above, the wiring layer in the stacked arrangement has a problem that the height of the terminal portions of the wiring layer is difficult to align because the wiring layers are three-dimensionally arranged. On the other hand, since the suspension substrate of the present invention can adjust the thickness of the plated portion by adjusting the thickness of the plated portion, it can be brought into contact with solder, ACF (anisotropic conductive film) or the like. There is an advantage that defects can be suppressed.

一方、配線層の端子部の高さを揃えるために、例えば図5に示すように、端子部3zaの下に、ダミー配線層3αを設けることが考えられる。ダミー配線層3αを設けることで、配線層の端子部の高さを揃えることは可能になる。しかしながら、ダミー配線層3αを設けることで以下のような問題が生じる。第一の問題として、ダミー配線層3αと、端子部3zaとの位置精度の問題が生じる。この位置精度の問題は、第一配線層3xと、端子部3yaとの間にも生じ得るが、位置合わせが必要な対象が増加するほど不良発生率は増加する。なお、ダミー配線層3αと、端子部3zaとの間に位置ズレが生じると、通常、端子部3zaの一部または全部が第二絶縁層2yの形状に沿って金属支持基板側に落ち込んだ形状となる。また、位置ズレを回避するために、ダミー配線層3αの幅を太くすると、配線層の高密度化を図ることが困難になる。第二の問題として、ダミー配線層3α、第二絶縁層2yおよび端子部3zaの密着性の問題が生じる。この密着性の問題も、第一配線層3x、第二絶縁層2yおよび端子部3yaの間にも生じ得るが、異相の接触面積が増加するほど不良発生率は増加する。これに対して、本発明のサスペンション用基板は、めっき部の厚さを調整することで、配線層の端子部の高さを揃えるため、これらの問題が生じないという利点がある。
以下、本発明のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
On the other hand, in order to align the heights of the terminal portions of the wiring layer, for example, as shown in FIG. 5, it is conceivable to provide a dummy wiring layer 3α under the terminal portion 3za. By providing the dummy wiring layer 3α, the heights of the terminal portions of the wiring layer can be made uniform. However, the provision of the dummy wiring layer 3α causes the following problems. As a first problem, there arises a problem of positional accuracy between the dummy wiring layer 3α and the terminal portion 3za. This problem of positional accuracy can also occur between the first wiring layer 3x and the terminal portion 3ya, but the defect occurrence rate increases as the number of objects that need to be aligned increases. In addition, when a positional shift occurs between the dummy wiring layer 3α and the terminal portion 3za, usually a shape in which a part or all of the terminal portion 3za falls to the metal support substrate side along the shape of the second insulating layer 2y. It becomes. Further, if the width of the dummy wiring layer 3α is increased in order to avoid positional deviation, it is difficult to increase the density of the wiring layer. As a second problem, there arises a problem of adhesion between the dummy wiring layer 3α, the second insulating layer 2y, and the terminal portion 3za. This adhesion problem may also occur between the first wiring layer 3x, the second insulating layer 2y, and the terminal portion 3ya, but the defect occurrence rate increases as the contact area of different phases increases. On the other hand, the suspension substrate of the present invention has the advantage that these problems do not occur because the height of the terminal portion of the wiring layer is made uniform by adjusting the thickness of the plating portion.
Hereinafter, the suspension substrate of the present invention will be described separately for the suspension substrate member and the suspension substrate configuration.

1.サスペンション用基板の部材
まず、本発明のサスペンション用基板の部材について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板、第一絶縁層、第一配線層、第二絶縁層、第二配線層、第三配線層を少なくとも有するものである。なお、第三配線層については、後述する「2.サスペンション用基板の構成」で説明する。
1. First, members of the suspension substrate of the present invention will be described. The suspension substrate of the present invention has at least a metal support substrate, a first insulating layer, a first wiring layer, a second insulating layer, a second wiring layer, and a third wiring layer. The third wiring layer will be described later in “2. Configuration of suspension substrate”.

本発明における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはステンレス鋼等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば10μm〜20μmの範囲内である。   The metal support substrate in the present invention functions as a support for the suspension substrate. The material of the metal support substrate is preferably a metal having a spring property, and specific examples include stainless steel. Moreover, although the thickness of a metal support substrate changes with kinds of the material, it exists in the range of 10 micrometers-20 micrometers, for example.

本発明における第一絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。第一絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、第一絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。第一絶縁層の厚さは、例えば5μm〜30μmの範囲内であることが好ましく、5μm〜18μmの範囲内であることがより好ましく、5μm〜12μmの範囲内であることがさらに好ましい。   The first insulating layer in the present invention is formed on a metal support substrate. The material of the first insulating layer is not particularly limited as long as it has insulating properties, and examples thereof include a resin. Examples of the resin include polyimide resin, polybenzoxazole resin, polybenzimidazole resin, acrylic resin, polyether nitrile resin, polyether sulfone resin, polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, and polyvinyl chloride resin. Of these, polyimide resin is preferred. It is because it is excellent in insulation, heat resistance and chemical resistance. The material of the first insulating layer may be a photosensitive material or a non-photosensitive material. The thickness of the first insulating layer is, for example, preferably in the range of 5 μm to 30 μm, more preferably in the range of 5 μm to 18 μm, and still more preferably in the range of 5 μm to 12 μm.

本発明における第一配線層は、第一絶縁層上に形成されるものである。第一配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅(Cu)が好ましい。また、第一配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。第一配線層の厚さは、例えば5μm〜18μmの範囲内であることが好ましく、5μm〜12μmの範囲内であることがより好ましい。   The first wiring layer in the present invention is formed on the first insulating layer. The material of the first wiring layer is not particularly limited as long as it has conductivity, but for example, a metal can be used, and among these, copper (Cu) is preferable. The material of the first wiring layer may be rolled copper or electrolytic copper. The thickness of the first wiring layer is preferably in the range of 5 μm to 18 μm, for example, and more preferably in the range of 5 μm to 12 μm.

本発明における第二絶縁層は、第一配線層上に形成されるものである。第二絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、上記の第一絶縁層の材料として記載したものを用いることができる。中でも、第二絶縁層の材料は、ポリイミド樹脂であることが好ましい。また、第二絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。第一配線層および第二配線層の間の第二絶縁層の厚さ(配線間厚さ)は、特に限定されるものではないが、例えば5μm〜30μmの範囲内であることが好ましく、5μm〜18μmの範囲内であることがより好ましく、5μm〜12μmの範囲内であることがさらに好ましい。   The second insulating layer in the present invention is formed on the first wiring layer. The material of the second insulating layer is not particularly limited as long as it has an insulating property, but for example, the material described as the material of the first insulating layer can be used. Especially, it is preferable that the material of a 2nd insulating layer is a polyimide resin. The material of the second insulating layer may be a photosensitive material or a non-photosensitive material. The thickness of the second insulating layer (inter-wiring thickness) between the first wiring layer and the second wiring layer is not particularly limited, but is preferably in the range of 5 μm to 30 μm, for example, 5 μm. It is more preferably in the range of ˜18 μm, and still more preferably in the range of 5 μm to 12 μm.

本発明における第二配線層は、第二絶縁層上に形成されるものである。第二配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、上記の第一配線層の材料として記載したものを用いることができる。中でも、第二配線層の材料は、銅(Cu)であることが好ましい。また、第二配線層の寸法の好ましい範囲は、上述した第一配線層の寸法の好ましい範囲と同様であるので、ここでの記載は省略する。   The second wiring layer in the present invention is formed on the second insulating layer. The material of the second wiring layer is not particularly limited as long as it has conductivity. For example, the material described as the material of the first wiring layer can be used. Especially, it is preferable that the material of a 2nd wiring layer is copper (Cu). Moreover, since the preferable range of the dimension of a 2nd wiring layer is the same as the preferable range of the dimension of the 1st wiring layer mentioned above, description here is abbreviate | omitted.

本発明におけるカバー層は、第二配線層を覆うように形成されるものである。カバー層を設けることにより、第二配線層の劣化(腐食等)を防止できる。カバー層の材料としては、例えば、上述した第一絶縁層の材料として記載したものを挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。カバー層の厚さは、例えば2μm〜30μmの範囲内であることが好ましく、2μm〜10μmの範囲内であることがより好ましい。   The cover layer in the present invention is formed so as to cover the second wiring layer. By providing the cover layer, deterioration (corrosion or the like) of the second wiring layer can be prevented. Examples of the material of the cover layer include those described as the material of the first insulating layer described above, and among them, a polyimide resin is preferable. The material of the cover layer may be a photosensitive material or a non-photosensitive material. The thickness of the cover layer is preferably in the range of 2 μm to 30 μm, for example, and more preferably in the range of 2 μm to 10 μm.

2.サスペンション用基板の構成
次に、本発明のサスペンション用基板の構成について説明する。本発明のサスペンション用基板は第三配線層を有し、その端子部は、平面視上、第二配線層の端子部の近傍に形成される。また、本発明において、第三配線層の端子部、および、第二配線層の端子部は、同一の対象(例えば記録再生用素子)に接続されるものであることが好ましい。第三配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅(Cu)が好ましい。また、第三配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。また、第三配線層の厚さは、例えば5μm〜18μmの範囲内であることが好ましく、9μm〜12μmの範囲内であることがより好ましい。
2. Next, the configuration of the suspension substrate of the present invention will be described. The suspension substrate of the present invention has a third wiring layer, and its terminal portion is formed in the vicinity of the terminal portion of the second wiring layer in plan view. In the present invention, the terminal portion of the third wiring layer and the terminal portion of the second wiring layer are preferably connected to the same target (for example, a recording / reproducing element). The material of the third wiring layer is not particularly limited as long as it has conductivity, but for example, a metal can be used, and among these, copper (Cu) is preferable. The material of the third wiring layer may be rolled copper or electrolytic copper. The thickness of the third wiring layer is preferably in the range of 5 μm to 18 μm, for example, and more preferably in the range of 9 μm to 12 μm.

本発明における第三配線層は、第二配線層と同じ材料であっても良く、第一配線層と同じ材料であっても良く、第二配線層および第一配線層と異なる材料であっても良い。また、第三配線層は、第二配線層または第一配線層と同一の層であることが好ましい。ここで、「同一の層」とは、製造工程において同時に形成された層をいう。第三配線層は、第二配線層または第一配線層と同一の層であれば、製造工程の簡略化を図ることができる。なお、上述した図2では、第三配線層3zが第二配線層3yと同一の層であり、後述する図6では、第三配線層3zが第一配線層3xと同一の層である。   The third wiring layer in the present invention may be the same material as the second wiring layer, the same material as the first wiring layer, or a material different from the second wiring layer and the first wiring layer. Also good. The third wiring layer is preferably the same layer as the second wiring layer or the first wiring layer. Here, the “same layer” means a layer formed simultaneously in the manufacturing process. If the third wiring layer is the same layer as the second wiring layer or the first wiring layer, the manufacturing process can be simplified. In FIG. 2 described above, the third wiring layer 3z is the same layer as the second wiring layer 3y, and in FIG. 6 described later, the third wiring layer 3z is the same layer as the first wiring layer 3x.

また、第三配線層の端子部は、(i)金属支持基板側の表面に第一配線層を有しない第二絶縁層上、または、(ii)第一絶縁層上に形成される。(i)の具体例としては、上述した図3に示すように、第三配線層の端子部3zaが、金属支持基板1側の表面に第一配線層3xを有しない第二絶縁層2y上に形成されている態様を挙げることができる。一方、(ii)の具体例については、図6および図7を用いて説明する。図6は、本発明における記録再生用素子実装領域の他の例を示す概略平面図であり、図7(a)は図6のA−A断面図であり、図7(b)は図6のB−B断面図である。なお、図6では、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図7(a)に示すように、第三配線層の端子部3zaが、第一絶縁層2x上に形成されている態様を挙げることができる。   The terminal portion of the third wiring layer is formed on (i) the second insulating layer that does not have the first wiring layer on the surface on the metal support substrate side, or (ii) on the first insulating layer. As a specific example of (i), as shown in FIG. 3 described above, the terminal portion 3za of the third wiring layer is on the second insulating layer 2y that does not have the first wiring layer 3x on the surface on the metal support substrate 1 side. The aspect currently formed in can be mentioned. On the other hand, a specific example of (ii) will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a schematic plan view showing another example of the recording / reproducing element mounting region in the present invention, FIG. 7A is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 6, and FIG. It is BB sectional drawing of. In FIG. 6, the description of the insulating layer and the cover layer is omitted for convenience. As shown to Fig.7 (a), the terminal part 3za of a 3rd wiring layer can mention the aspect currently formed on the 1st insulating layer 2x.

一方、第二配線層の端子部は、金属支持基板側の表面に第一配線層を有する第二絶縁層上に形成される。具体的には、上述した図3に示すように、第二配線層の端子部3yaが、金属支持基板1側の表面に第一配線層3xを有する第二絶縁層2y上に形成されている態様を挙げることができる。なお、端子部3yaの下に存在する第一配線層3xは、端子部であっても良く、配線部(引き回し部)であっても良い。   On the other hand, the terminal portion of the second wiring layer is formed on the second insulating layer having the first wiring layer on the surface on the metal support substrate side. Specifically, as shown in FIG. 3 described above, the terminal portion 3ya of the second wiring layer is formed on the second insulating layer 2y having the first wiring layer 3x on the surface on the metal support substrate 1 side. Embodiments can be mentioned. The first wiring layer 3x existing under the terminal portion 3ya may be a terminal portion or a wiring portion (a routing portion).

また、第二配線層の端子部および第三配線層の端子部には、それぞれ、同じ材料から構成されるめっき部が形成される。めっき部を設けることにより、端子部の劣化(腐食等)を防止できる。めっき部の種類は、限定されるものではないが、例えば、Auめっき、Niめっき、Agめっき等を挙げることができる。めっき部の厚さは、例えば0.1μm以上であることが好ましい。また、めっき部は、単層構造であっても良く、複層構造であっても良い。中でも、本発明においては、上述した図3に示すように、めっき部5が、端子部上に形成された第一めっき部5aと、第一めっき部5a上に形成された第二めっき部5bとから構成されていることが好ましい。例えば密着性が良好なめっき部とすることができるからである。特に、本発明においては、第一めっき部がNiめっきであり、第二めっき部がAuめっき部であることが好ましい。密着性および化学的安定性の高いめっき部とすることができるからである。   Moreover, the plating part comprised from the same material is formed in the terminal part of a 2nd wiring layer, and the terminal part of a 3rd wiring layer, respectively. By providing the plating part, it is possible to prevent deterioration (corrosion or the like) of the terminal part. Although the kind of plating part is not limited, Au plating, Ni plating, Ag plating etc. can be mentioned, for example. The thickness of the plating part is preferably 0.1 μm or more, for example. Further, the plated portion may have a single layer structure or a multilayer structure. Especially, in this invention, as shown in FIG. 3 mentioned above, the plating part 5 is the 1st plating part 5a formed on the terminal part, and the 2nd plating part 5b formed on the 1st plating part 5a. It is preferable that it is comprised from these. For example, it is because it can be set as a plating part with favorable adhesiveness. In particular, in the present invention, the first plating part is preferably Ni plating, and the second plating part is preferably an Au plating part. It is because it can be set as a plating part with high adhesiveness and chemical stability.

ここで、図8に示すように、第二配線層の端子部3ya上に形成された第一めっき部5aの厚さをTy1とし、その第一めっき部5a上に形成された第二めっき部5bの厚さをTy2とする。Ty1の値は特に限定されるものではないが、例えば0.1μm〜1.5μmの範囲内であることが好ましく、0.3μm〜1.2μmの範囲内であることがより好ましい。Ty1の値が小さすぎると、端子部の劣化を十分に保護できない可能性があり、Ty1の値が大きすぎると、端子部のサイズが大きくなり、端子部の高密度化が図れない可能性があるからである。Ty2の値は、特に限定されるものではないが、例えば0.1μm〜3.0μmの範囲内であることが好ましく、0.5μm〜2.5μmの範囲内であることがより好ましい。Ty2の値が小さすぎると、例えば化学的安定性を十分に維持できない可能性があり、Ty2の値が大きすぎると、例えばコストが増加する可能性があるからである。また、Ty2/Ty1の値は、例えば1.0〜2.0の範囲内であることが好ましく、1.6〜2.0の範囲内であることがより好ましい。 Here, as shown in FIG. 8, the second plating the thickness of the first plated portion 5a formed on the second wiring layer of the terminal portion 3ya and T y1, formed on the first plated portion 5a The thickness of the part 5b is Ty2 . The value of T y1 is not particularly limited, but is preferably in the range of 0.1 μm to 1.5 μm, for example, and more preferably in the range of 0.3 μm to 1.2 μm. If the value of T y1 is too small, the deterioration of the terminal part may not be sufficiently protected, and if the value of T y1 is too large, the size of the terminal part becomes large and the density of the terminal part may not be increased. Because there is sex. The value of T y2 is not particularly limited, but is preferably in the range of 0.1 μm to 3.0 μm, for example, and more preferably in the range of 0.5 μm to 2.5 μm. This is because if the value of T y2 is too small, for example, chemical stability may not be sufficiently maintained, and if the value of T y2 is too large, for example, the cost may increase. Further, the value of T y2 / T y1 is preferably in the range of 1.0 to 2.0, for example, and more preferably in the range of 1.6 to 2.0.

また、図8に示すように、第三配線層の端子部3za上に形成された第一めっき部5aの厚さをTz1とし、その第一めっき部5a上に形成された第二めっき部5bの厚さをTz2とする。Tz1の値は特に限定されるものではないが、例えば0.1μm〜2.0μmの範囲内であることが好ましく、0.3μm〜1.5μmの範囲内であることがより好ましい。Tz2の値は、特に限定されるものではないが、例えば0.1μm〜5.0μmの範囲内であることが好ましく、0.5μm〜4.0μmの範囲内であることがより好ましい。また、Tz2/Tz1の値は、例えば1.0〜2.7の範囲内であることが好ましく、1.7〜2.5の範囲内であることがより好ましい。また、本発明においては、Ty2/Ty1の値と、Tz2/Tz1の値とが一致していることが好ましい。なお、「一致している」とは、両者の平均に対して、両者が平均の±10%の範囲内にあることをいう。 Further, as shown in FIG. 8, the second plating section the thickness of the first plated portion 5a formed on the third wiring layer of the terminal portion 3za and T z1, formed on the first plated portion 5a The thickness of 5b is Tz2 . The value of T z1 is not particularly limited, for example, is preferably in the range of 0.1Myuemu~2.0Myuemu, and more preferably in a range of 0.3Myuemu~1.5Myuemu. The value of T z2 is not particularly limited, for example, is preferably in the range of 0.1Myuemu~5.0Myuemu, and more preferably in a range of 0.5Myuemu~4.0Myuemu. Further, the value of T z2 / T z1 is, for example, preferably in the range of 1.0 to 2.7, and more preferably in the range of 1.7 to 2.5. In the present invention, it is preferable that the value of T y2 / T y1 and the value of T z2 / T z1 match. Note that “match” means that both are within a range of ± 10% of the average of both.

また、本発明においては、第一配線層、第二配線層および第三配線層として、任意の機能を有する配線層を用いることができる。これらの配線層の具体例としては、ライト用配線層、リード用配線層、熱アシスト用配線層、アクチュエータ用配線層、グランド用配線層、電源用配線層、フライトハイトコントロール用配線層、センサー用配線層等を挙げることができる。   In the present invention, a wiring layer having an arbitrary function can be used as the first wiring layer, the second wiring layer, and the third wiring layer. Specific examples of these wiring layers include write wiring layers, read wiring layers, thermal assist wiring layers, actuator wiring layers, ground wiring layers, power supply wiring layers, flight height control wiring layers, and sensors. A wiring layer etc. can be mentioned.

中でも、本発明においては、第二配線層および第三配線層が、記録再生用素子に接続される配線層であることが好ましい。具体的には、第二配線層および第三配線層が、ライト用配線層、リード用配線層、グランド用配線層のいずれかであることが好ましい。ここで、上述した図2における第二配線層3yおよび第三配線層3zは、ライト用配線層またはリード用配線層であり、一対の差動配線を構成している。また、上述した図6、図7(b)における第二配線層3yおよび第三配線層3zも、ライト用配線層またはリード用配線層であり、一対の差動配線を構成している。また、本発明における記録再生用素子は、特に限定されるものではないが、磁気発生素子を有するものが好ましい。具体的には、磁気ヘッドスライダを挙げることができる。   Among these, in the present invention, the second wiring layer and the third wiring layer are preferably wiring layers connected to the recording / reproducing element. Specifically, the second wiring layer and the third wiring layer are preferably any of a write wiring layer, a read wiring layer, and a ground wiring layer. Here, the second wiring layer 3y and the third wiring layer 3z in FIG. 2 described above are a write wiring layer or a read wiring layer, and constitute a pair of differential wirings. The second wiring layer 3y and the third wiring layer 3z in FIG. 6 and FIG. 7B described above are also a write wiring layer or a read wiring layer, and constitute a pair of differential wirings. Further, the recording / reproducing element in the present invention is not particularly limited, but an element having a magnetism generating element is preferable. Specifically, a magnetic head slider can be mentioned.

一方、平面視上、第二配線層の端子部と重複する第一配線層は、特に限定されるものではないが、熱アシスト用配線層またはアクチュエータ用配線層であることが好ましい。熱アシスト用素子およびアクチュエータ素子は、サスペンション用基板の金属支持基板側に実装される場合があるからである。また、第一配線層は、熱アシスト用素子またはアクチュエータ素子のグランド用配線層として用いても良い。   On the other hand, the first wiring layer overlapping the terminal portion of the second wiring layer in plan view is not particularly limited, but is preferably a heat assist wiring layer or an actuator wiring layer. This is because the thermal assist element and the actuator element may be mounted on the metal support substrate side of the suspension substrate. Further, the first wiring layer may be used as a ground wiring layer for a thermal assist element or an actuator element.

熱アシスト用素子は、記録再生用素子の記録を熱によりアシストできるものであれば特に限定されるものではない。中でも、本発明における熱アシスト用素子は、光を利用した素子であることが好ましい。光ドミナント記録方式による熱アシスト記録を行うことができるからである。光を利用した熱アシスト用素子としては、例えば半導体レーザーダイオード素子を挙げることができる。半導体レーザーダイオード素子は、pn型の素子であっても良く、pnp型またはnpn型の素子であっても良い。   The heat assisting element is not particularly limited as long as it can assist recording by the recording / reproducing element with heat. Among them, the heat assist element in the present invention is preferably an element using light. This is because heat-assisted recording by an optical dominant recording method can be performed. Examples of the heat assist element using light include a semiconductor laser diode element. The semiconductor laser diode element may be a pn-type element, or a pnp-type or npn-type element.

アクチュエータ素子は、通常、マイクロアクチュエータ、ミリアクチュエータが該当する。アクチュエータ素子としては、例えばピエゾ素子を挙げることができる。ピエゾ素子としては、例えばPZTからなるものを挙げることができる。ピエゾ素子の伸縮応答を利用することで、サブミクロン単位での位置決めを行うことができる。また、ピエゾ素子には、エネルギー効率が高い、耐荷重が大きい、応答性が速い、摩耗劣化がない、磁場が発生しないという利点がある。また、本発明においては、2極のピエゾ素子を1個用いても良い。1極のピエゾ素子を2個用いても良い。   The actuator element usually corresponds to a microactuator or a millimeter actuator. Examples of the actuator element include a piezo element. As the piezo element, for example, one made of PZT can be cited. By using the expansion / contraction response of the piezo element, positioning can be performed in submicron units. In addition, the piezoelectric element has advantages such as high energy efficiency, large load resistance, fast response, no wear deterioration, and no magnetic field. In the present invention, a single bipolar piezo element may be used. Two unipolar piezoelectric elements may be used.

B.サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするものである。
B. Suspension Next, the suspension of the present invention will be described. The suspension according to the present invention includes the suspension substrate described above and a load beam provided on the surface of the suspension substrate on the metal support substrate side.

図9は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図9に示されるサスペンション300は、上述したサスペンション用基板100と、サスペンション用基板100の金属支持基板側の表面に設けられたロードビーム200とを有するものである。   FIG. 9 is a schematic plan view showing an example of the suspension of the present invention. A suspension 300 shown in FIG. 9 includes the suspension substrate 100 described above and a load beam 200 provided on the surface of the suspension substrate 100 on the metal support substrate side.

本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、接続信頼性の高い端子部を有するサスペンションとすることができる。   According to the present invention, a suspension having a terminal portion with high connection reliability can be obtained by using the suspension substrate described above.

本発明のサスペンションは、少なくともサスペンション用基板およびロードビームを有する。本発明におけるサスペンション用基板については、上記「A.サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。一方、本発明におけるロードビームは、サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられるものである。ロードビームの材料は、特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、ステンレス鋼であることが好ましい。   The suspension of the present invention has at least a suspension substrate and a load beam. The suspension substrate in the present invention is the same as the content described in the above “A. Suspension substrate”, and therefore description thereof is omitted here. On the other hand, the load beam in the present invention is provided on the surface of the suspension substrate on the metal support substrate side. Although the material of the load beam is not particularly limited, for example, a metal can be used, and stainless steel is preferable.

C.素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とするものである。
C. Next, the suspension with an element of the present invention will be described. A suspension with an element of the present invention includes the above-described suspension and a recording / reproducing element disposed on the suspension.

図10は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図10に示される素子付サスペンション400は、上述したサスペンション300と、サスペンション300(サスペンション用基板100の記録再生用素子実装領域101)に実装された記録再生用素子301とを有するものである。   FIG. 10 is a schematic plan view showing an example of the suspension with an element of the present invention. 10 includes the above-described suspension 300 and the recording / reproducing element 301 mounted on the suspension 300 (recording / reproducing element mounting region 101 of the suspension substrate 100).

本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、例えば記録再生用素子との接続信頼性の高い素子付サスペンションとすることができる。   According to the present invention, by using the above-described suspension, for example, a suspension with an element having high connection reliability with a recording / reproducing element can be obtained.

本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび記録再生用素子を有する。本発明におけるサスペンションについては、上記「B.サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、本発明における記録再生用素子については、上記「A.サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、本発明の素子付サスペンションは、上述した熱アシスト用素子およびアクチュエータ素子の少なくとも一方を有していても良い。   The suspension with an element of the present invention includes at least a suspension and a recording / reproducing element. The suspension according to the present invention is the same as the content described in “B. Suspension” above, and thus the description thereof is omitted here. The recording / reproducing element of the present invention is the same as the contents described in the above “A. Suspension substrate”, and therefore the description thereof is omitted here. Moreover, the suspension with an element of the present invention may have at least one of the above-described element for thermal assist and an actuator element.

D.ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするものである。
D. Next, the hard disk drive of the present invention will be described. The hard disk drive of the present invention has the above-described suspension with an element.

図11は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図11に示されるハードディスクドライブ500は、上述した素子付サスペンション400と、素子付サスペンション400がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク401と、ディスク401を回転させるスピンドルモータ402と、素子付サスペンション400の素子を移動させるアーム403およびボイスコイルモータ404と、上記の部材を密閉するケース405とを有するものである。   FIG. 11 is a schematic plan view showing an example of the hard disk drive of the present invention. A hard disk drive 500 shown in FIG. 11 includes the above-described suspension 400 with an element, a disk 401 on which data is written and read by the suspension 400 with an element, a spindle motor 402 that rotates the disk 401, and the elements of the suspension 400 with an element. Arm 403 and voice coil motor 404, and a case 405 for sealing the above members.

本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。   According to the present invention, a hard disk drive with higher functionality can be obtained by using the above-described suspension with an element.

本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「C.素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。   The hard disk drive of the present invention has at least a suspension with an element, and usually further includes a disk, a spindle motor, an arm, and a voice coil motor. Since the suspension with an element is the same as the content described in “C. Suspension with an element”, description thereof is omitted here. As other members, the same members as those used in a general hard disk drive can be used.

E.サスペンション用基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、上記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された第二配線層とを有し、平面視上、上記第二配線層の端子部の近傍に、第三配線層の端子部が形成され、上記第二配線層の端子部は、上記金属支持基板側の表面に上記第一配線層を有する上記第二絶縁層上に形成され、上記第三配線層の端子部は、上記金属支持基板側の表面に上記第一配線層を有しない上記第二絶縁層上、または、上記第一絶縁層上に形成されたサスペンション用基板の製造方法であって、上記第二配線層の端子部および上記第三配線層の端子部に、同時にめっき部を形成するめっき部形成工程を有し、上記めっき部形成工程において、上記第二配線層の端子部には第一給電端子から給電し、上記第三配線層の端子部には第二給電端子から給電し、上記第二給電端子により給電するめっき面積を、上記第一給電端子により給電するめっき面積よりも小さくすることで、上記第二配線層の端子部に形成される上記めっき部の頂部、および、上記第三配線層の端子部に形成された上記めっき部の頂部を、一致させることを特徴とするものである。
E. Next, a method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention will be described. The manufacturing method of the suspension substrate of the present invention includes a metal support substrate, a first insulating layer formed on the metal support substrate, a first wiring layer formed on the first insulating layer, and the first A second insulating layer formed on the wiring layer; and a second wiring layer formed on the second insulating layer; in plan view, in the vicinity of the terminal portion of the second wiring layer; A terminal portion of the wiring layer is formed, and the terminal portion of the second wiring layer is formed on the second insulating layer having the first wiring layer on the surface on the metal support substrate side, and The terminal portion is a method for manufacturing a suspension substrate formed on the second insulating layer or on the first insulating layer that does not have the first wiring layer on the surface on the metal support substrate side, Plating part form that forms plating part simultaneously on terminal part of second wiring layer and terminal part of third wiring layer In the plating part forming step, the terminal part of the second wiring layer is fed from the first feeding terminal, the terminal part of the third wiring layer is fed from the second feeding terminal, By making the plating area fed by the two feeding terminals smaller than the plating area fed by the first feeding terminal, the top of the plating part formed on the terminal part of the second wiring layer, and the third The top of the plating part formed on the terminal part of the wiring layer is made to coincide.

図12は、本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図12においては、まず、金属支持部材1A、絶縁部材2Aおよび導体部材3Aがこの順に積層された積層部材を準備する(図12(a))。次に、導体部材3Aに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、第一配線層3xを形成する(図12(b))。次に、第一配線層3x上および絶縁部材2A上に、第二絶縁層2yを形成する(図12(c))。   FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention. In FIG. 12, first, a laminated member in which the metal supporting member 1A, the insulating member 2A, and the conductor member 3A are laminated in this order is prepared (FIG. 12A). Next, the conductive member 3A is patterned by wet etching to form the first wiring layer 3x (FIG. 12B). Next, the second insulating layer 2y is formed on the first wiring layer 3x and the insulating member 2A (FIG. 12C).

その後、第二絶縁層2yの表面に、スパッタリングによりシード層(図示せず)を形成し、そのシード層の上に、ドライフィルムレジストから構成されるレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出するシード層の表面に、端子部3yaを有する第二配線層および端子部3zaを有する第三配線層を形成する(図12(d))。次に、図示しないが、第二配線層および第三配線層を覆うようにカバー層を形成し、絶縁部材2Aに対してウェットエッチングを行い第一絶縁層2xを形成する。   Thereafter, a seed layer (not shown) is formed on the surface of the second insulating layer 2y by sputtering, and a resist pattern composed of a dry film resist is formed on the seed layer and exposed from the resist pattern. A second wiring layer having a terminal portion 3ya and a third wiring layer having a terminal portion 3za are formed on the surface of the seed layer (FIG. 12D). Next, although not shown, a cover layer is formed so as to cover the second wiring layer and the third wiring layer, and wet etching is performed on the insulating member 2A to form the first insulating layer 2x.

その後、第二配線層の端子部3yaおよび第三配線層の端子部3zaに、同時にめっき部5を形成する(図12(e))。この際、第二配線層の端子部3yaには第一給電端子から給電し、第三配線層の端子部3zaには第二給電端子から給電し、第二給電端子により給電するめっき面積を、第一給電端子により給電するめっき面積よりも小さくする。これにより、端子部3za上のめっき部5の厚さを、端子部3ya上のめっき部5の厚さよりも厚くできる。次に、図示しないが、金属支持部材1Aに対して、ウェットエッチングを行い、金属支持基板1を形成する。これにより、サスペンション用基板が得られる。   Then, the plating part 5 is simultaneously formed in the terminal part 3ya of the second wiring layer and the terminal part 3za of the third wiring layer (FIG. 12E). At this time, the terminal area 3ya of the second wiring layer is fed from the first feeding terminal, the terminal area 3za of the third wiring layer is fed from the second feeding terminal, and the plating area fed by the second feeding terminal is The plating area to be fed by the first feeding terminal is made smaller. Thereby, the thickness of the plating part 5 on the terminal part 3za can be made thicker than the thickness of the plating part 5 on the terminal part 3ya. Next, although not shown, wet etching is performed on the metal support member 1 </ b> A to form the metal support substrate 1. Thereby, a suspension substrate is obtained.

本発明によれば、第二配線層の端子部および第三配線層の端子部に対して、めっき面積が異なる給電端子を用いて給電することで、第二配線層の端子部に形成されためっき部の頂部、および、第三配線層の端子部に形成されためっき部の頂部が一致したサスペンション用基板を得ることができる。例えば図13に示すように、第二配線層の端子部およびその他の部位には、第一給電端子11から給電し、第三配線層の端子部には、第二給電端子12から給電する。この際、第二給電端子12により給電するめっき面積Sを、第一給電端子11により給電するめっき面積Sよりも小さくすると、第二給電端子12からの給電における電流密度は、第一給電端子11からの給電における電流密度よりも大きくなる。その結果、第三配線層の端子部に形成されるめっき部は、第二配線層の端子部に形成されるめっき部よりも厚く形成される。 According to the present invention, power is supplied to the terminal portion of the second wiring layer and the terminal portion of the third wiring layer using the power supply terminals having different plating areas, thereby forming the terminal portion of the second wiring layer. A suspension substrate can be obtained in which the top of the plating portion and the top of the plating portion formed on the terminal portion of the third wiring layer coincide. For example, as shown in FIG. 13, power is supplied from the first power supply terminal 11 to the terminal portion and other parts of the second wiring layer, and power is supplied from the second power supply terminal 12 to the terminal portion of the third wiring layer. At this time, the plating area S 2 for feeding the second feeding terminal 12, when smaller than the plating area S 1 for feeding by the first feeding terminal 11, the current density in the power supply from the second feeding terminal 12, a first power supply It becomes larger than the current density in the power supply from the terminal 11. As a result, the plating portion formed on the terminal portion of the third wiring layer is formed thicker than the plating portion formed on the terminal portion of the second wiring layer.

また、図14は、製造途中のサスペンション用基板を示す概略断面図である。製造途中の複数のサスペンション用基板100は、支持枠110と一体化し、シートを構成している。例えば、第一給電端子11を支持枠110の導体部材に形成し、第二給電端子12を支持枠110の金属支持部材に形成することで、二系統の給電が可能となる。なお、金属支持部材(例えばステンレス鋼)を給電端子とする場合には、絶縁部材を貫通するビアを介して、配線層に給電を行うことが好ましい。また、本発明のサスペンション用基板の製造方法は、サブトラクティブ法による製造方法と、アディティブ法による製造方法とに大別することができる。   FIG. 14 is a schematic cross-sectional view showing a suspension substrate during manufacture. The plurality of suspension substrates 100 in the process of manufacture are integrated with the support frame 110 to form a sheet. For example, by forming the first power supply terminal 11 on the conductor member of the support frame 110 and forming the second power supply terminal 12 on the metal support member of the support frame 110, two systems of power supply are possible. In addition, when using a metal supporting member (for example, stainless steel) as a power feeding terminal, it is preferable to feed power to the wiring layer through a via penetrating the insulating member. The method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention can be broadly divided into a manufacturing method by a subtractive method and a manufacturing method by an additive method.

1.サブトラクティブ法
まず、サブトラクティブ法による製造方法について説明する。サブトラクティブ法による製造方法の一例としては、金属支持部材、絶縁部材および導体部材がこの順に積層された積層部材を準備する積層部材準備工程と、上記導体部材をエッチングし、第一配線層を形成する第一配線層形成工程と、上記第一配線層上に第二絶縁層を形成する第二絶縁層形成工程と、上記第二絶縁層上に第二配線層を形成する第二配線層形成工程と、上記第二配線層を覆うようにカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記絶縁部材をエッチングし、第一絶縁層を形成する第一絶縁層形成工程と、上記第二配線層の端子部および上記第三配線層の端子部に、同時にめっき部を形成するめっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、を有する製造方法を挙げることができる。
1. Subtractive Method First, a manufacturing method using the subtractive method will be described. As an example of the manufacturing method by the subtractive method, a laminated member preparing step of preparing a laminated member in which a metal supporting member, an insulating member, and a conductor member are laminated in this order, and etching the conductor member to form a first wiring layer Forming a first wiring layer; forming a second insulating layer on the first wiring layer; forming a second wiring layer on the second insulating layer; A cover layer forming step for forming a cover layer so as to cover the second wiring layer; a first insulating layer forming step for etching the insulating member to form a first insulating layer; and the second wiring layer. And a metal support substrate forming step of forming a metal support substrate by etching the metal support member and simultaneously forming a plating portion on the terminal portion of the first wiring layer and the terminal portion of the third wiring layer. Give way Door can be.

なお、上述した図12は、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
以下、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
In addition, FIG. 12 mentioned above is a schematic sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the board | substrate for suspensions by a subtractive method.
Hereinafter, a method for manufacturing a suspension substrate by the subtractive method will be described step by step.

(1)積層部材準備工程
積層部材準備工程は、金属支持部材と、上記金属支持部材上に形成された絶縁部材と、上記絶縁部材上に形成された導体部材とを有する積層部材を準備する工程である。
(1) Laminated member preparation step The laminated member preparation step is a step of preparing a laminated member having a metal supporting member, an insulating member formed on the metal supporting member, and a conductor member formed on the insulating member. It is.

サブトラクティブ法においては、積層部材の金属支持部材をエッチングすることにより金属支持基板が得られ、積層部材の絶縁部材をエッチングすることにより第一絶縁層が得られ、積層体の導体部材をエッチングすることにより第一配線層が得られる。積層部材は、市販の三層材であっても良く、金属支持部材に対して絶縁部材および導体部材を順次形成して得られたものであっても良い。   In the subtractive method, the metal support substrate is obtained by etching the metal support member of the laminated member, the first insulating layer is obtained by etching the insulating member of the laminated member, and the conductor member of the laminated body is etched. Thus, the first wiring layer is obtained. The laminated member may be a commercially available three-layer material, or may be obtained by sequentially forming an insulating member and a conductor member on a metal support member.

(2)第一配線層形成工程
第一配線層形成工程は、上記導体部材をエッチングし、第一配線層を形成する工程である。
(2) First wiring layer forming step The first wiring layer forming step is a step of forming the first wiring layer by etching the conductor member.

第一配線層の形成方法としては、例えば、積層部材の導体部材上に、ドライフィルムレジスト(DFR)等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する導体部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば導体部材の材料がCuである場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。   As a method for forming the first wiring layer, for example, a method is used in which a resist pattern is formed on a conductive member of a laminated member using a dry film resist (DFR) or the like, and the conductive member exposed from the resist pattern is wet-etched. Can be mentioned. The type of etching solution used for wet etching is preferably selected as appropriate according to the type of conductor member. For example, when the material of the conductor member is Cu, an iron chloride-based etching solution or the like can be used.

また、サブトラクティブ法においては、導体部材のエッチングと同時に、金属支持部材のエッチングを行っても良い。金属支持部材のエッチングは、例えば、開口部や治具孔の形成のためのエッチングを挙げることができる。また、必要であれば、後述する金属支持基板形成工程で行う加工の少なくとも一部を、導体部材のエッチングと同時に行っても良い。   In the subtractive method, the metal support member may be etched simultaneously with the etching of the conductor member. Examples of the etching of the metal support member include etching for forming an opening and a jig hole. Further, if necessary, at least a part of the processing performed in the metal support substrate forming step described later may be performed simultaneously with the etching of the conductor member.

(3)第二絶縁層形成工程
第二絶縁層形成工程は、上記第一配線層上に第二絶縁層を形成する工程である。
(3) Second insulating layer forming step The second insulating layer forming step is a step of forming a second insulating layer on the first wiring layer.

第二絶縁層の形成方法は、特に限定されるものではなく、第二絶縁層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、第二絶縁層の材料が感光性材料である場合には、全面形成した第二絶縁層に露光現像を行うことによりパターン状の第二絶縁層を得ることができる。また、第二絶縁層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成した第二絶縁層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状の第二絶縁層を得ることができる。   The method for forming the second insulating layer is not particularly limited, and it is preferable to select appropriately according to the material of the second insulating layer. For example, when the material of the second insulating layer is a photosensitive material, a patterned second insulating layer can be obtained by exposing and developing the second insulating layer formed on the entire surface. In addition, when the material of the second insulating layer is a non-photosensitive material, a predetermined resist pattern is formed on the surface of the second insulating layer formed on the entire surface, and a portion exposed from the resist pattern is removed by wet etching. Thus, a patterned second insulating layer can be obtained.

(4)第二配線層形成工程
第二配線層形成工程は、上記第二絶縁層上に第二配線層を形成する工程である。
(4) Second wiring layer forming step The second wiring layer forming step is a step of forming a second wiring layer on the second insulating layer.

第二配線層の形成方法としては、例えば電解めっき法等を挙げることができる。電解めっき法を用いる場合、第二配線層の形成前に、スパッタリング法等により第二絶縁層の表面にシード層を形成することが好ましい。   Examples of the method for forming the second wiring layer include an electrolytic plating method. When using the electrolytic plating method, it is preferable to form a seed layer on the surface of the second insulating layer by sputtering or the like before forming the second wiring layer.

(5)カバー層形成工程
カバー層形成工程は、上記第二配線層を覆うようにカバー層を形成する工程である。
(5) Cover layer forming step The cover layer forming step is a step of forming a cover layer so as to cover the second wiring layer.

カバー層の形成方法は、特に限定されるものではなく、カバー層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、カバー層の材料が感光性材料である場合には、全面形成したカバー層に露光現像を行うことによりパターン状のカバー層を得ることができる。また、カバー層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成したカバー層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状のカバー層を得ることができる。   The method for forming the cover layer is not particularly limited, and is preferably selected as appropriate according to the material of the cover layer. For example, when the material of the cover layer is a photosensitive material, a patterned cover layer can be obtained by exposing and developing the cover layer formed on the entire surface. In addition, when the cover layer material is a non-photosensitive material, a predetermined resist pattern is formed on the entire surface of the cover layer, and a portion exposed from the resist pattern is removed by wet etching. The cover layer can be obtained.

(6)第一絶縁層形成工程
第一絶縁層形成工程は、上記絶縁部材をエッチングし、第一絶縁層を形成する工程である。
(6) First insulating layer forming step The first insulating layer forming step is a step of forming the first insulating layer by etching the insulating member.

第一絶縁層の形成方法としては、例えば、絶縁部材に対して、ドライフィルムレジスト(DFR)等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する絶縁部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、絶縁部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば絶縁部材の材料がポリイミド樹脂である場合は、アルカリ系エッチング液等を用いることができる。   Examples of the method for forming the first insulating layer include a method in which a resist pattern is formed on an insulating member using a dry film resist (DFR) or the like, and the insulating member exposed from the resist pattern is wet-etched. Can do. The type of etchant used for wet etching is preferably selected as appropriate according to the type of insulating member. For example, when the material of the insulating member is a polyimide resin, an alkaline etchant or the like can be used.

(7)めっき部形成工程
めっき部形成工程は、上記第二配線層の端子部および上記第三配線層の端子部に、同時にめっき部を形成する工程である。さらに、本発明においては、上記第二配線層の端子部には第一給電端子から給電し、上記第三配線層の端子部には第二給電端子から給電し、上記第二給電端子により給電するめっき面積を、上記第一給電端子により給電するめっき面積よりも小さくすることで、上記第二配線層の端子部に形成される上記めっき部の頂部、および、上記第三配線層の端子部に形成された上記めっき部の頂部を、一致させることを大きな特徴とする。
(7) Plating part formation process A plating part formation process is a process of forming a plating part on the terminal part of the second wiring layer and the terminal part of the third wiring layer at the same time. Furthermore, in the present invention, the terminal portion of the second wiring layer is fed from the first feeding terminal, the terminal portion of the third wiring layer is fed from the second feeding terminal, and is fed by the second feeding terminal. The plating area to be formed is smaller than the plating area fed by the first power supply terminal, so that the top part of the plating part formed on the terminal part of the second wiring layer, and the terminal part of the third wiring layer The feature is that the tops of the plated parts formed in the above are matched.

上述した図13に示すように、第一給電端子11により給電するめっき面積をSとし、第二給電端子12により給電するめっき面積をSとした場合、S/Sの値は、所望のめっき部を形成できる値であれば特に限定されるものではないが、例えば50〜300の範囲内であることが好ましく、50〜200の範囲内であることがより好ましく、100〜150の範囲内であることがさらに好ましい。 As shown in FIG. 13 described above, the plating area for feeding by the first feeding terminal 11 and S 1, when the plating area for feeding the second feeding terminal 12 and the S 2, the value of S 1 / S 2 is Although it will not specifically limit if it is a value which can form a desired plating part, For example, it is preferable to exist in the range of 50-300, it is more preferable to exist in the range of 50-200, and 100-150 More preferably, it is within the range.

(8)金属支持基板形成工程
金属支持基板形成工程は、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する工程である。本工程において、通常は、金属支持基板の外形加工を行う。
(8) Metal support board | substrate formation process A metal support board | substrate formation process is a process of etching the said metal support member and forming a metal support board | substrate. In this step, the outer shape of the metal support substrate is usually processed.

金属支持部材をエッチングする方法は特に限定されるものでないが、具体的には、ウェットエッチング等を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、金属支持部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば金属支持部材の材料がステンレス鋼である場合は、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。   Although the method for etching the metal support member is not particularly limited, specific examples include wet etching. The type of etchant used for wet etching is preferably selected as appropriate according to the type of metal support member. For example, when the material of the metal support member is stainless steel, an iron chloride-based etchant or the like can be used. .

2.アディティブ法
次に、アディティブ法による製造方法について説明する。アディティブ法による製造方法の一例としては、金属支持部材を準備する金属支持部材準備工程と、上記金属支持部材上に第一絶縁層を形成する第一絶縁層形成工程と、上記第一絶縁層上に第一配線層を形成する第一配線層形成工程と、上記第一配線層上に第二絶縁層を形成する第二絶縁層形成工程と、上記第二絶縁層上に第二配線層を形成する第二配線層形成工程と、上記第二配線層を覆うようにカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記第二配線層の端子部および上記第三配線層の端子部に、同時にめっき部を形成するめっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、を有する製造方法を挙げることができる。
2. Additive Method Next, a manufacturing method using the additive method will be described. As an example of the manufacturing method by the additive method, a metal supporting member preparing step for preparing a metal supporting member, a first insulating layer forming step for forming a first insulating layer on the metal supporting member, and the first insulating layer A first wiring layer forming step for forming a first wiring layer, a second insulating layer forming step for forming a second insulating layer on the first wiring layer, and a second wiring layer on the second insulating layer. A second wiring layer forming step to be formed; a cover layer forming step of forming a cover layer so as to cover the second wiring layer; and a terminal portion of the second wiring layer and a terminal portion of the third wiring layer simultaneously. The manufacturing method which has the plating part formation process which forms a plating part, and the metal support substrate formation process which etches the said metal support member and forms a metal support substrate can be mentioned.

図15は、アディティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図15においては、まず、金属支持部材1Aを準備する(図15(a))。次に、金属支持部材1Aの表面上に、パターン状の第一絶縁層2xを形成する(図15(b))。次に、第一絶縁層2xの表面に、スパッタリングによりシード層(図示せず)を形成し、そのシード層の上に、ドライフィルムレジストから構成されるレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出するシード層の表面に、第一配線層3xを形成する(図15(c))。その後の工程である図15(d)〜(f)については、上述した図12(c)〜(e)に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
以下、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
FIG. 15 is a schematic cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a suspension substrate by the additive method. In FIG. 15, first, a metal support member 1A is prepared (FIG. 15 (a)). Next, a patterned first insulating layer 2x is formed on the surface of the metal support member 1A (FIG. 15B). Next, a seed layer (not shown) is formed on the surface of the first insulating layer 2x by sputtering, a resist pattern composed of a dry film resist is formed on the seed layer, and exposed from the resist pattern. On the surface of the seed layer to be formed, the first wiring layer 3x is formed (FIG. 15C). Since the subsequent steps, FIGS. 15D to 15F, are the same as the contents described in FIGS. 12C to 12E described above, description thereof is omitted here.
Hereinafter, a method for manufacturing a suspension substrate by the subtractive method will be described step by step.

(1)金属支持部材準備工程
金属支持部材準備工程は、金属支持部材を準備する工程である。金属支持部材には、例えば市販の金属支持部材を用いることができる。
(1) Metal support member preparation process A metal support member preparation process is a process of preparing a metal support member. For example, a commercially available metal support member can be used as the metal support member.

(2)第一絶縁層形成工程
第一絶縁層形成工程は、上記金属支持部材上に、第一絶縁層を形成する工程である。
(2) First insulating layer forming step The first insulating layer forming step is a step of forming the first insulating layer on the metal support member.

第一絶縁層の形成方法は、特に限定されるものではなく、第一絶縁層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、第一絶縁層の材料が感光性材料である場合には、全面形成した第一絶縁層に露光現像を行うことによりパターン状の第一絶縁層を得ることができる。また、第一絶縁層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成した第一絶縁層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状の第一絶縁層を得ることができる。   The formation method of a 1st insulating layer is not specifically limited, It is preferable to select suitably according to the material of a 1st insulating layer. For example, when the material of the first insulating layer is a photosensitive material, a patterned first insulating layer can be obtained by exposing and developing the first insulating layer formed on the entire surface. Further, when the material of the first insulating layer is a non-photosensitive material, a predetermined resist pattern is formed on the surface of the first insulating layer formed on the entire surface, and a portion exposed from the resist pattern is removed by wet etching. Thus, a patterned first insulating layer can be obtained.

(3)第一配線層形成工程
第一配線層形成工程は、上記第一絶縁層上に第一配線層を形成する工程である。
(3) First wiring layer forming step The first wiring layer forming step is a step of forming a first wiring layer on the first insulating layer.

第一配線層の形成方法としては、例えば電解めっき法等を挙げることができる。電解めっき法を用いる場合、第一配線層の形成前に、スパッタリング法等により第一絶縁層の表面にシード層を形成することが好ましい。   Examples of the method for forming the first wiring layer include an electrolytic plating method. When using the electroplating method, it is preferable to form a seed layer on the surface of the first insulating layer by sputtering or the like before forming the first wiring layer.

(4)その他の工程
その他の工程については、上述したサブトラクティブ法による製造方法で記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
(4) Other Steps The other steps are the same as those described in the manufacturing method using the subtractive method described above, and thus the description thereof is omitted here.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the technical idea described in the claims of the present invention has substantially the same configuration and exhibits the same function and effect regardless of the case. It is included in the technical scope of the invention.

以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.

[実施例1]
まず、厚さ18μmのSUS304(金属支持部材)、厚さ10μmのポリイミド樹脂層(絶縁部材)、厚さ9μmの電解銅層(導体部材)を有する積層部材を準備した(図12(a))。次に、ドライフィルムレジストを積層部材の両面にラミネートし、レジストパターンを形成した。次に、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材から第一配線層を形成し(図12(b)、金属支持部材に治具孔を形成した。
[Example 1]
First, a laminated member having SUS304 (metal support member) having a thickness of 18 μm, a polyimide resin layer (insulating member) having a thickness of 10 μm, and an electrolytic copper layer (conductor member) having a thickness of 9 μm was prepared (FIG. 12A). . Next, a dry film resist was laminated on both surfaces of the laminated member to form a resist pattern. Next, etching was performed using a ferric chloride solution, and a resist film was removed after the etching. Thus, the first wiring layer was formed from the conductor member (FIG. 12B), and a jig hole was formed in the metal support member.

その後、パターニングされた第一配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、所定のパターニングにより第二絶縁層を形成した(図12(c))。次に、第二絶縁層側の表面に、スパッタリング法によりCrからなるシード層を形成した。次に、シード層上に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する部分に、電解銅めっき法により、第二配線層および第三配線層を形成した(図12(d))。   Thereafter, a polyimide precursor solution was coated on the patterned first wiring layer with a die coater, and a second insulating layer was formed by a predetermined patterning (FIG. 12C). Next, a seed layer made of Cr was formed on the surface on the second insulating layer side by a sputtering method. Next, a predetermined resist pattern was formed on the seed layer, and a second wiring layer and a third wiring layer were formed on the portion exposed from the resist pattern by electrolytic copper plating (FIG. 12D).

シード層の除去後、パターニングされた第二配線層上および第三配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、所定のパターニングによりカバー層を形成した。次に、絶縁部材をパターニングするために、レジスト製版し、露出する部位のポリイミド樹脂をウェットエッチングで除去し、第一絶縁層を形成した。   After removing the seed layer, a polyimide precursor solution was coated on the patterned second wiring layer and third wiring layer with a die coater, and a cover layer was formed by predetermined patterning. Next, in order to pattern the insulating member, resist plate-making was performed, and the exposed polyimide resin was removed by wet etching to form a first insulating layer.

その後、第二配線層の端子部および第三配線層の端子部に、電解Auめっきによりめっき部を形成した(図12(e))。第二配線層の端子部には第一給電端子から給電し、第三配線層の端子部には第二給電端子から給電し、第一給電端子により給電するめっき面積Sおよび第二給電端子により給電するめっき面積Sの割合を、S:S=150:1とした。また、めっき条件は、電流0.8A、電圧1.8V、温度65℃、時間180秒とした。最後に、金属支持基板の外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た。 Then, the plating part was formed in the terminal part of the 2nd wiring layer, and the terminal part of the 3rd wiring layer by electrolytic Au plating (FIG.12 (e)). The terminal portion of the second wiring layer and the power feeding from the first power supply terminal, the terminal portion of the third wiring layer and the power feeding from the second feeding terminal, plating area S 1 and the second power supply terminal for supplying power by the first power supply terminal the ratio of the plating area S 2 for feeding a, S 1: S 2 = 150 : set to 1. The plating conditions were current 0.8 A, voltage 1.8 V, temperature 65 ° C., and time 180 seconds. Finally, the outer shape of the metal support substrate was processed. As a result, a suspension substrate was obtained.

得られたサスペンション用基板に対して、めっき部の厚さを測定した。その結果、図4(a)に示すDは2.8μmであった。また、第二配線層の端子部3ya上に形成されためっき部5の厚さは2.8μmであり、第三配線層の端子部3za上に形成されためっき部5の厚さは3.9μmであった。 The thickness of the plated portion was measured on the obtained suspension substrate. As a result, D 1 shown in FIG. 4 (a) was 2.8 .mu.m. Moreover, the thickness of the plating part 5 formed on the terminal part 3ya of the second wiring layer is 2.8 μm, and the thickness of the plating part 5 formed on the terminal part 3za of the third wiring layer is 3. It was 9 μm.

[実施例2]
まず、厚さ18μmのSUS304(金属支持部材)を用意した(図15(a))。次に、金属支持部材上に、感光性ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、所定のパターニングにより第一絶縁層を形成した(図15(b))。次に、第一絶縁層側の表面に、スパッタリング法によりCrからなるシード層を形成した。次に、シード層上に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する部分に、電解銅めっき法により、第一配線層を形成した(図15(c))。
[Example 2]
First, SUS304 (metal support member) having a thickness of 18 μm was prepared (FIG. 15A). Next, a photosensitive polyimide precursor solution was coated on a metal support member with a die coater, and a first insulating layer was formed by predetermined patterning (FIG. 15B). Next, a seed layer made of Cr was formed on the surface on the first insulating layer side by a sputtering method. Next, a predetermined resist pattern was formed on the seed layer, and a first wiring layer was formed on the portion exposed from the resist pattern by electrolytic copper plating (FIG. 15C).

シード層の除去後、パターニングされた第一配線層上に、感光性ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、所定のパターニングにより第二絶縁層を形成した(図15(d))。次に、第二絶縁層側の表面に、スパッタリング法によりCrからなるシード層を形成した。次に、シード層上に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する部分に、電解銅めっき法により、および第三配線層を形成した(図15(e))。   After removing the seed layer, a photosensitive polyimide precursor solution was coated on the patterned first wiring layer with a die coater, and a second insulating layer was formed by a predetermined patterning (FIG. 15D). Next, a seed layer made of Cr was formed on the surface on the second insulating layer side by a sputtering method. Next, a predetermined resist pattern was formed on the seed layer, and a third wiring layer was formed on the portion exposed from the resist pattern by an electrolytic copper plating method (FIG. 15E).

シード層の除去後、パターニングされた第二配線層上および第三配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、所定のパターニングによりカバー層を形成した。次に、絶縁部材をパターニングするために、レジスト製版し、露出する部位のポリイミド樹脂をウェットエッチングで除去し、第一絶縁層を形成した。   After removing the seed layer, a polyimide precursor solution was coated on the patterned second wiring layer and third wiring layer with a die coater, and a cover layer was formed by predetermined patterning. Next, in order to pattern the insulating member, resist plate-making was performed, and the exposed polyimide resin was removed by wet etching to form a first insulating layer.

その後、第二配線層の端子部および第三配線層の端子部に、電解Auめっきによりめっき部を形成した(図12(f))。第二配線層の端子部には第一給電端子から給電し、第三配線層の端子部には第二給電端子から給電し、第一給電端子により給電するめっき面積Sおよび第二給電端子により給電するめっき面積Sの割合を、S:S=150:1とした。また、めっき条件は、電流0.8A、電圧1.8V、温度65℃、時間180秒とした。最後に、金属支持基板の外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た。 Thereafter, plated portions were formed by electrolytic Au plating on the terminal portions of the second wiring layer and the third wiring layer (FIG. 12 (f)). The terminal portion of the second wiring layer and the power feeding from the first power supply terminal, the terminal portion of the third wiring layer and the power feeding from the second feeding terminal, plating area S 1 and the second power supply terminal for supplying power by the first power supply terminal the ratio of the plating area S 2 for feeding a, S 1: S 2 = 150 : set to 1. The plating conditions were current 0.8 A, voltage 1.8 V, temperature 65 ° C., and time 180 seconds. Finally, the outer shape of the metal support substrate was processed. As a result, a suspension substrate was obtained.

1…金属支持基板、 2x…第一絶縁層、 2y…第二絶縁層、 3x…第一配線層、 3y…第二配線層、 3z…第三配線層、 3ya…第二配線層の端子部、 3za…第三配線層の端子部、 4…カバー層、 5…めっき部、 5a…第一めっき部、 5b…第二めっき部、 11…第一給電部、 12…第二給電部、 100…サスペンション用基板、 101…記録再生用素子実装領域、 102…外部回路基板接続領域、 103…配線層   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Metal support substrate, 2x ... 1st insulating layer, 2y ... 2nd insulating layer, 3x ... 1st wiring layer, 3y ... 2nd wiring layer, 3z ... 3rd wiring layer, 3ya ... Terminal part of 2nd wiring layer 3za ... terminal portion of third wiring layer, 4 ... cover layer, 5 ... plating portion, 5a ... first plating portion, 5b ... second plating portion, 11 ... first feeding portion, 12 ... second feeding portion, 100 ... Suspension substrate 101 ... Recording / reproducing element mounting area 102 ... External circuit board connection area 103 ... Wiring layer

Claims (5)

金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、前記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、前記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、前記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板であって、
平面視上、前記第二配線層の端子部の近傍に、第三配線層の端子部が形成され、
前記第二配線層の端子部は、前記金属支持基板側の表面に前記第一配線層を有する前記第二絶縁層上に形成され、
前記第三配線層の端子部は、前記金属支持基板側の表面に前記第一配線層を有しない前記第二絶縁層上、または、前記第一絶縁層上に形成され、
前記第二配線層の端子部および前記第三配線層の端子部には、それぞれ、同じ材料から構成されるめっき部が形成され、
前記第二配線層の端子部に形成された前記めっき部の頂部、および、前記第三配線層の端子部に形成された前記めっき部の頂部が、一致しており、
前記第二配線層および前記第三配線層が、記録再生用素子と接続される配線層であり、
平面視上、前記第二配線層の端子部と重複する前記第一配線層が、熱アシスト用配線層であることを特徴とするサスペンション用基板。
A metal support substrate, a first insulating layer formed on the metal support substrate, a first wiring layer formed on the first insulating layer, and a second insulating layer formed on the first wiring layer A suspension substrate having a second wiring layer formed on the second insulating layer,
In plan view, a terminal portion of the third wiring layer is formed in the vicinity of the terminal portion of the second wiring layer,
The terminal part of the second wiring layer is formed on the second insulating layer having the first wiring layer on the surface on the metal support substrate side,
The terminal portion of the third wiring layer is formed on the second insulating layer not having the first wiring layer on the surface on the metal support substrate side, or on the first insulating layer,
Each of the terminal portion of the second wiring layer and the terminal portion of the third wiring layer is formed with a plating portion made of the same material,
The top part of the plating part formed on the terminal part of the second wiring layer and the top part of the plating part formed on the terminal part of the third wiring layer are matched,
The second wiring layer and the third wiring layer are wiring layers connected to a recording / reproducing element,
The suspension substrate, wherein the first wiring layer overlapping the terminal portion of the second wiring layer in plan view is a heat assist wiring layer.
請求項1に記載のサスペンション用基板と、前記サスペンション用基板の前記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンション。   A suspension board comprising: the suspension board according to claim 1; and a load beam provided on a surface of the suspension board on the metal support board side. 請求項2に記載のサスペンションと、前記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。   A suspension with an element, comprising: the suspension according to claim 2; and a recording / reproducing element disposed on the suspension. 請求項3に記載の素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブ。   A hard disk drive comprising the suspension with an element according to claim 3. 金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、前記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、前記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、前記第二絶縁層上に形成された第二配線層とを有し、平面視上、前記第二配線層の端子部の近傍に、第三配線層の端子部が形成され、前記第二配線層の端子部は、前記金属支持基板側の表面に前記第一配線層を有する前記第二絶縁層上に形成され、前記第三配線層の端子部は、前記金属支持基板側の表面に前記第一配線層を有しない前記第二絶縁層上、または、前記第一絶縁層上に形成され、前記第二配線層および前記第三配線層が、記録再生用素子と接続される配線層であり、平面視上、前記第二配線層の端子部と重複する前記第一配線層が、熱アシスト用配線層であるサスペンション用基板の製造方法であって、
前記第二配線層の端子部および前記第三配線層の端子部に、同時にめっき部を形成するめっき部形成工程を有し、
前記めっき部形成工程において、前記第二配線層の端子部には第一給電端子から給電し、前記第三配線層の端子部には第二給電端子から給電し、前記第二給電端子により給電するめっき面積を、前記第一給電端子により給電するめっき面積よりも小さくすることで、前記第二配線層の端子部に形成される前記めっき部の頂部、および、前記第三配線層の端子部に形成された前記めっき部の頂部を、一致させることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
A metal support substrate, a first insulating layer formed on the metal support substrate, a first wiring layer formed on the first insulating layer, and a second insulating layer formed on the first wiring layer And a second wiring layer formed on the second insulating layer, and in plan view, a terminal portion of the third wiring layer is formed in the vicinity of the terminal portion of the second wiring layer. The terminal portions of the two wiring layers are formed on the second insulating layer having the first wiring layer on the surface on the metal support substrate side, and the terminal portions of the third wiring layer are on the surface on the metal support substrate side. Wiring formed on the second insulating layer without the first wiring layer or on the first insulating layer, the second wiring layer and the third wiring layer being connected to the recording / reproducing element Suspension wherein the first wiring layer that is a layer and overlaps the terminal portion of the second wiring layer in plan view is a wiring layer for heat assist A tio down a substrate for the production method of,
A plating part forming step of simultaneously forming a plating part on the terminal part of the second wiring layer and the terminal part of the third wiring layer;
In the plating portion forming step, power is supplied from the first power supply terminal to the terminal portion of the second wiring layer, power is supplied from the second power supply terminal to the terminal portion of the third wiring layer, and power is supplied from the second power supply terminal. The plating area to be made is smaller than the plating area fed by the first power supply terminal, so that the top of the plating part formed on the terminal part of the second wiring layer and the terminal part of the third wiring layer A method for manufacturing a suspension substrate, wherein the top portions of the plating portions formed on the substrate are made to coincide with each other.
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