JP2013084332A - Suspension substrate, suspension, suspension with element, hard disk drive, and method for manufacturing suspension substrate - Google Patents

Suspension substrate, suspension, suspension with element, hard disk drive, and method for manufacturing suspension substrate Download PDF

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Teruhisa Momose
輝寿 百瀬
Jin Nishiyama
甚 西山
Hiroki Furusho
宏樹 古庄
Masashi Sakaki
真史 榊
Takayuki Ota
貴之 太田
Hiroshi Kawasaki
博司 川崎
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a suspension substrate capable of preventing adverse effect caused by protrusion of a via from a wiring layer and reducing the diameter of the via.SOLUTION: The suspension substrate according to the present invention comprises a metal support substrate being a stainless steel, an insulating layer, and a wiring layer superposed in this order. In an opening part of the insulating layer, an adhesion layer, a via layer, and the wiring layer are formed on the surface of the metal support substrate in this order. The adhesion layer is formed on the surface of the metal support substrate, and comprises a first adhesion layer including Ni or Cu, and a second adhesion layer formed on the surface of the first adhesion layer and including metal and is formed not to protrude from the insulating layer. The wiring layer is formed to cover the via layer, and the via layer is prevented from protruding from the wiring layer.

Description

本発明は、配線層からビアが突出することによる弊害を防止でき、かつ、ビアの小径化を図ることができるサスペンション用基板に関する。   The present invention relates to a suspension substrate that can prevent adverse effects due to protrusion of a via from a wiring layer and can reduce the diameter of the via.

近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ(HDD)も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。HDDに用いられるサスペンション用基板(フレキシャ)は、通常、金属支持基板(例えばステンレス鋼)、絶縁層(例えばポリイミド樹脂)、配線層(例えば銅)がこの順に積層された基本構造を有する。   In recent years, due to the spread of the Internet and the like, there has been a demand for an increase in the amount of information processing of personal computers and an increase in information processing speed, and along with this, the capacity of hard disk drives (HDD) incorporated in personal computers has increased. Increasing information transmission speed is required. A suspension substrate (flexure) used in an HDD generally has a basic structure in which a metal support substrate (for example, stainless steel), an insulating layer (for example, polyimide resin), and a wiring layer (for example, copper) are laminated in this order.

金属支持基板は、通常、サスペンション用基板にばね性を付与するものであるが、ばねとしての機能以外に、配線層のグランドとしての機能を付与することが知られている。例えば、特許文献1においては、金属パッド(配線層)および金属薄板(金属支持基板)を、絶縁層を貫通し、金属めっきから構成される導通部分(ビア)により、電気的に接続した磁気ヘッドサスペンションが開示されている。また、特許文献2においては、貫通孔内で導電性基板(金属支持基板)に接触するように延びる導体パターン(配線層)を有する配線回路基板が開示されている。さらに、特許文献3においては、グランド配線および金属支持基板が導通するように、ベース開口部内に金属充填層(ビア)を形成する工程を有する回路付サスペンション用基板の製造方法が開示されている。   The metal support substrate normally imparts spring properties to the suspension substrate, but it is known to provide a function as a ground of the wiring layer in addition to the function as a spring. For example, in Patent Document 1, a magnetic head in which a metal pad (wiring layer) and a thin metal plate (metal support substrate) are electrically connected through a conductive portion (via) made of metal plating through an insulating layer. A suspension is disclosed. Patent Document 2 discloses a printed circuit board having a conductor pattern (wiring layer) extending so as to be in contact with a conductive substrate (metal supporting board) in a through hole. Furthermore, Patent Document 3 discloses a method for manufacturing a suspension board with circuit, which includes a step of forming a metal filling layer (via) in a base opening so that a ground wiring and a metal support substrate are conductive.

特開2006−202359号公報JP 2006-202359 A 特開2007−115864号公報JP 2007-115864 A 特開2007−58967号公報JP 2007-58967 A

例えば、特許文献1の図2のように、導通部分9(ビア)を金属層7(配線層)から突出するように形成すると、以下のような弊害がある。例えば、ビアの位置が、平面視上、磁気ヘッドスライダ等の素子を実装する領域と重複すると、突出したビアが素子の平坦性を阻害する可能性がある。また、ビアが配線層から突出すると、突出により平面上に広がった部分の形状制御が困難な場合があり、その部分が近傍に存在する配線層等に悪影響を与える可能性もある。なお、これらの弊害は、特許文献3の図3のように、金属充填層7(ビア)がグランド配線14から突出する場合にも同様に生じ得る。そのため、ビアの突出による弊害を防止する必要がある。一方、HDDの高機能化に伴い、サスペンション用基板に必要とされる配線層の数は増加傾向にあり、ビアの小径化を図る必要がある。   For example, as shown in FIG. 2 of Patent Document 1, if the conductive portion 9 (via) is formed so as to protrude from the metal layer 7 (wiring layer), there are the following problems. For example, when the position of the via overlaps with a region where an element such as a magnetic head slider is mounted in plan view, the protruding via may possibly hinder the flatness of the element. In addition, when the via protrudes from the wiring layer, it may be difficult to control the shape of the portion spread on the plane due to the protrusion, which may adversely affect the wiring layer or the like existing in the vicinity. These adverse effects can also occur when the metal filling layer 7 (via) protrudes from the ground wiring 14 as shown in FIG. Therefore, it is necessary to prevent adverse effects caused by the protrusion of the via. On the other hand, the number of wiring layers required for the suspension board is increasing with the higher functionality of the HDD, and it is necessary to reduce the diameter of the via.

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、配線層からビアが突出することによる弊害を防止でき、かつ、ビアの小径化を図ることができるサスペンション用基板を提供することを主目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is a main object of the present invention to provide a suspension substrate that can prevent adverse effects due to protrusion of a via from a wiring layer and can reduce the diameter of the via. And

上記課題を解決するために、本発明においては、ステンレス鋼である金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、上記絶縁層の開口部における上記金属支持基板の表面上に、密着層、ビア層および上記配線層がこの順で形成され、上記密着層は、上記金属支持基板の表面上に形成され、NiまたはCuを含有する第一密着層と、上記第一密着層の表面上に形成され、金属を含有する第二密着層とから構成され、かつ、上記絶縁層から突出しないように形成され、上記配線層は、上記ビア層を覆うように形成され、上記ビア層は、上記配線層から突出しないことを特徴とするサスペンション用基板を提供する。   In order to solve the above problems, in the present invention, a suspension comprising a metal support substrate made of stainless steel, an insulating layer formed on the metal support substrate, and a wiring layer formed on the insulating layer. An adhesion layer, a via layer, and the wiring layer are formed in this order on the surface of the metal support substrate in the opening of the insulating layer, and the adhesion layer is formed on the surface of the metal support substrate. Formed of a first adhesion layer containing Ni or Cu and a second adhesion layer formed on the surface of the first adhesion layer and containing a metal so as not to protrude from the insulating layer The wiring layer is formed so as to cover the via layer, and the via layer does not protrude from the wiring layer.

本発明によれば、ビア層が配線層から突出しないことから、ビア層の突出による弊害を防止できる。さらに、本発明によれば、ビア層および金属支持基板の間に特定の密着層を設けることから、密着性が向上し、ビア層の小径化を図ることができる。このように、本発明のサスペンション用基板は、ビア層の突出による弊害を防止でき、かつ、ビア層の小径化が図れる。   According to the present invention, since the via layer does not protrude from the wiring layer, adverse effects due to the protrusion of the via layer can be prevented. Furthermore, according to the present invention, since the specific adhesion layer is provided between the via layer and the metal support substrate, the adhesion can be improved and the via layer can be reduced in diameter. As described above, the suspension substrate of the present invention can prevent the adverse effects caused by the protrusion of the via layer and can reduce the diameter of the via layer.

上記発明においては、上記第一密着層が、ストライクめっき層であることが好ましい。ストライクめっき層は、例えばめっき形成用の前処理をした金属支持基板の表面の不動態膜を除去して第一密着層を形成することができ、金属支持基板(ステンレス鋼)との密着性が良好になるからである。   In the said invention, it is preferable that said 1st contact | adherence layer is a strike plating layer. The strike plating layer can form a first adhesion layer by removing the passivation film on the surface of the metal support substrate that has been pre-processed for plating formation, for example, and has an adhesion to the metal support substrate (stainless steel). It is because it becomes favorable.

上記発明においては、上記第二密着層が、NiまたはCuを含有することが好ましい。第一密着層との密着性が良好な第二密着層とすることができるからである。   In the said invention, it is preferable that said 2nd contact | adherence layer contains Ni or Cu. It is because it can be set as the 2nd contact | adherence layer with favorable adhesiveness with a 1st contact | adherence layer.

上記発明においては、上記ビア層が、めっき層または金属微粒子含有層であることが好ましい。電気特性の良いビア層とすることができ、且つ生産性が高い方法で作製することができるからである。   In the above invention, the via layer is preferably a plating layer or a metal fine particle-containing layer. This is because a via layer having good electrical characteristics can be obtained and can be manufactured by a method with high productivity.

上記発明においては、上記第二密着層および上記ビア層が同一の層であることが好ましい。製造工程の簡略化を図ることができるからである。   In the above invention, the second adhesion layer and the via layer are preferably the same layer. This is because the manufacturing process can be simplified.

上記発明においては、上記ビア層および上記配線層が同一の層であることが好ましい。製造工程の簡略化を図ることができるからである。   In the above invention, the via layer and the wiring layer are preferably the same layer. This is because the manufacturing process can be simplified.

また、本発明においては、ステンレス鋼である金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、上記絶縁層の開口部における上記金属支持基板の表面上に、第一密着層および上記配線層がこの順で形成され、上記第一密着層は、NiまたはCuを含有するストライクめっき層であり、上記開口部における上記配線層は、上記開口部の周囲における上記配線層から突出しないことを特徴とするサスペンション用基板を提供する。   Further, in the present invention, a suspension substrate having a metal support substrate made of stainless steel, an insulating layer formed on the metal support substrate, and a wiring layer formed on the insulating layer, On the surface of the metal support substrate in the opening of the insulating layer, the first adhesion layer and the wiring layer are formed in this order, the first adhesion layer is a strike plating layer containing Ni or Cu, The suspension substrate is characterized in that the wiring layer in the opening does not protrude from the wiring layer around the opening.

本発明によれば、開口部における配線層が周囲の配線層よりも突出しないことから、ビア部分(絶縁層の開口部に形成された配線層)の突出による弊害を防止できる。さらに、本発明によれば、配線層および金属支持基板の間に特定の密着層を設けることから、密着性が向上し、ビア部分の小径化を図ることができる。   According to the present invention, since the wiring layer in the opening does not protrude from the surrounding wiring layer, it is possible to prevent the adverse effect caused by the protrusion of the via portion (wiring layer formed in the opening of the insulating layer). Furthermore, according to the present invention, since the specific adhesion layer is provided between the wiring layer and the metal support substrate, the adhesion can be improved and the diameter of the via portion can be reduced.

また、本発明においては、ステンレス鋼である金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、上記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板であって、上記第一絶縁層の開口部における上記金属支持基板の表面上に、密着層、ビア層および上記第二配線層がこの順で形成され、上記密着層は、上記金属支持基板の表面上に形成され、NiまたはCuを含有する第一密着層と、上記第一密着層の表面上に形成され、金属を含有する第二密着層とから構成され、かつ、上記第二絶縁層から突出しないように形成され、上記第二配線層は、上記ビア層を覆うように形成され、上記ビア層は、上記第二配線層から突出しないことを特徴とするサスペンション用基板を提供する。   In the present invention, a metal support substrate made of stainless steel, a first insulating layer formed on the metal support substrate, a first wiring layer formed on the first insulating layer, and the first A suspension substrate having a second insulating layer formed on the wiring layer and a second wiring layer formed on the second insulating layer, wherein the metal support in the opening of the first insulating layer An adhesion layer, a via layer, and the second wiring layer are formed in this order on the surface of the substrate, and the adhesion layer is formed on the surface of the metal support substrate and contains a first adhesion layer containing Ni or Cu. And a second adhesion layer that is formed on the surface of the first adhesion layer and contains a metal, and is formed so as not to protrude from the second insulating layer. The via layer is formed so as to cover the via layer, and the via layer is formed on the second wiring. Providing suspension substrate, characterized in that does not protrude from.

本発明によれば、ビア層が第二配線層から突出しないことから、ビア層の突出による弊害を防止できる。さらに、本発明によれば、ビア層および金属支持基板の間に特定の密着層を設けることから、密着性が向上し、ビア層の小径化を図ることができる。   According to the present invention, since the via layer does not protrude from the second wiring layer, it is possible to prevent an adverse effect caused by the protrusion of the via layer. Furthermore, according to the present invention, since the specific adhesion layer is provided between the via layer and the metal support substrate, the adhesion can be improved and the via layer can be reduced in diameter.

また、本発明においては、ステンレス鋼である金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、上記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板であって、上記第一絶縁層の開口部における上記金属支持基板の表面上に、第一密着層および上記第二配線層がこの順で形成され、上記第一密着層は、NiまたはCuを含有するストライクめっき層であり、上記開口部における上記第二配線層は、上記開口部の周囲における上記第二配線層から突出しないことを特徴とするサスペンション用基板を提供する。   In the present invention, a metal support substrate made of stainless steel, a first insulating layer formed on the metal support substrate, a first wiring layer formed on the first insulating layer, and the first A suspension substrate having a second insulating layer formed on the wiring layer and a second wiring layer formed on the second insulating layer, wherein the metal support in the opening of the first insulating layer A first adhesion layer and the second wiring layer are formed in this order on the surface of the substrate, and the first adhesion layer is a strike plating layer containing Ni or Cu, and the second wiring in the opening The layer provides a suspension substrate, wherein the layer does not protrude from the second wiring layer around the opening.

本発明によれば、開口部における第二配線層が周囲の第二配線層よりも突出しないことから、ビア部分(第一絶縁層および第二絶縁層の開口部に形成された第二配線層)の突出による弊害を防止できる。さらに、本発明によれば、第二配線層および金属支持基板の間に特定の密着層を設けることから、密着性が向上し、ビア部分の小径化を図ることができる。   According to the present invention, since the second wiring layer in the opening does not protrude from the surrounding second wiring layer, the via portion (the second wiring layer formed in the opening of the first insulating layer and the second insulating layer) ) Can be avoided. Furthermore, according to the present invention, since the specific adhesion layer is provided between the second wiring layer and the metal support substrate, the adhesion can be improved and the diameter of the via portion can be reduced.

また、本発明においては、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンションを提供する。   The present invention also provides a suspension comprising the above-described suspension substrate and a load beam provided on the surface of the suspension substrate on the metal support substrate side.

本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、ビアの突出による弊害を防止でき、かつ、ビアの小径化を図ることができるサスペンションとすることができる。   According to the present invention, by using the suspension substrate described above, it is possible to provide a suspension that can prevent the adverse effects caused by the protrusion of the via and can reduce the diameter of the via.

また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。   The present invention also provides an element-equipped suspension comprising the above-described suspension and a recording / reproducing element disposed on the suspension.

本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、ビアの突出による弊害を防止でき、かつ、ビアの小径化を図ることができる素子付サスペンションとすることができる。   According to the present invention, by using the above-described suspension, it is possible to provide a suspension with an element that can prevent adverse effects due to the protrusion of the via and can reduce the diameter of the via.

また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブを提供する。   The present invention also provides a hard disk drive having the above-described suspension with an element.

本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。   According to the present invention, a hard disk drive with higher functionality can be obtained by using the above-described suspension with an element.

また、本発明においては、ステンレス鋼である金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板の製造方法であって、開口部を有する上記絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層の上記開口部に、NiまたはCuを含有する第一密着層と、上記第一密着層の表面上に形成され、金属を含有する第二密着層とから構成され、かつ、上記絶縁層から突出しない密着層を形成する密着層形成工程と、上記密着層上に、ビア層を形成するビア層形成工程と、上記ビア層を覆う配線層を形成する配線層形成工程と、を有し、上記ビア層を上記配線層から突出させないことを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。   According to the present invention, there is provided a method for manufacturing a suspension substrate having a metal support substrate made of stainless steel, an insulating layer formed on the metal support substrate, and a wiring layer formed on the insulating layer. An insulating layer forming step for forming the insulating layer having an opening, a first adhesive layer containing Ni or Cu in the opening of the insulating layer, and formed on the surface of the first adhesive layer An adhesive layer forming step of forming an adhesive layer that does not protrude from the insulating layer, and a via layer forming step of forming a via layer on the adhesive layer; And a wiring layer forming step of forming a wiring layer covering the via layer, and the method of manufacturing a suspension substrate, characterized in that the via layer does not protrude from the wiring layer.

本発明によれば、ビア層が配線層から突出しないことから、ビア層の突出による弊害を防止できる。さらに、本発明によれば、ビア層および金属支持基板の間に特定の密着層を形成することから、密着性が向上し、ビア層の小径化を図ることができる。このように、ビア層の突出による弊害を防止でき、かつ、ビア層の小径化が図れるサスペンション用基板を得ることができる。   According to the present invention, since the via layer does not protrude from the wiring layer, adverse effects due to the protrusion of the via layer can be prevented. Furthermore, according to the present invention, since the specific adhesion layer is formed between the via layer and the metal support substrate, the adhesion is improved and the diameter of the via layer can be reduced. In this manner, a suspension substrate can be obtained in which the adverse effects due to the protrusion of the via layer can be prevented and the diameter of the via layer can be reduced.

上記発明においては、上記第一密着層を、ストライクめっき法により形成することが好ましい。ストライクめっき法を用いることにより、金属支持基板との密着性が良好な第一密着層を得ることができるからである。   In the said invention, it is preferable to form said 1st contact | adherence layer by strike plating method. This is because by using the strike plating method, it is possible to obtain a first adhesion layer having good adhesion to the metal support substrate.

上記発明においては、上記第二密着層を、めっき法により形成することが好ましい。第一密着層との密着性が良好な第二密着層を得ることができるからである。   In the said invention, it is preferable to form said 2nd contact | adherence layer by the plating method. This is because a second adhesion layer having good adhesion to the first adhesion layer can be obtained.

上記発明においては、上記ビア層を、めっき法または印刷法により形成することが好ましい。電気特性の良いビア層を、生産性が高い方法で作製することができるからである。   In the above invention, the via layer is preferably formed by a plating method or a printing method. This is because a via layer having good electrical characteristics can be manufactured by a method with high productivity.

また、本発明においては、ステンレス鋼である金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板の製造方法であって、開口部を有する上記絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層の上記開口部に、NiまたはCuを含有するストライクめっき層である第一密着層を形成する密着層形成工程と、上記第一密着層上に、上記配線層を形成する配線層形成工程と、を有し、上記開口部における上記配線層を、上記開口部の周囲における上記配線層から突出させないことを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。   According to the present invention, there is provided a method for manufacturing a suspension substrate having a metal support substrate made of stainless steel, an insulating layer formed on the metal support substrate, and a wiring layer formed on the insulating layer. An insulating layer forming step for forming the insulating layer having an opening, and an adhesion layer forming step for forming a first adhesive layer that is a strike plating layer containing Ni or Cu in the opening of the insulating layer. And a wiring layer forming step of forming the wiring layer on the first adhesion layer, wherein the wiring layer in the opening is not protruded from the wiring layer around the opening. A method for manufacturing a suspension substrate is provided.

本発明によれば、開口部における配線層が周囲の配線層よりも突出しないことから、ビア部分(絶縁層の開口部に形成された配線層)の突出による弊害を防止できる。さらに、本発明によれば、配線層および金属支持基板の間に特定の密着層を形成することから、密着性が向上し、ビア部分の小径化を図ることができる。   According to the present invention, since the wiring layer in the opening does not protrude from the surrounding wiring layer, it is possible to prevent the adverse effect caused by the protrusion of the via portion (wiring layer formed in the opening of the insulating layer). Furthermore, according to the present invention, since the specific adhesion layer is formed between the wiring layer and the metal support substrate, the adhesion is improved and the diameter of the via portion can be reduced.

また、本発明においては、ステンレス鋼である金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、上記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板の製造方法であって、開口部を有する上記第一絶縁層を形成する第一絶縁層形成工程と、上記第一絶縁層の上記開口部に、NiまたはCuを含有する第一密着層と、上記第一密着層の表面上に形成され、金属を含有する第二密着層とから構成され、かつ、上記第二絶縁層から突出しない密着層を形成する密着層形成工程と、上記密着層上に、ビア層を形成するビア層形成工程と、上記ビア層を覆う第二配線層を形成する第二配線層形成工程と、を有し、上記ビア層を上記第二配線層から突出させないことを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。   In the present invention, a metal support substrate made of stainless steel, a first insulating layer formed on the metal support substrate, a first wiring layer formed on the first insulating layer, and the first A method for manufacturing a suspension substrate, comprising: a second insulating layer formed on a wiring layer; and a second wiring layer formed on the second insulating layer, wherein the first insulating layer has an opening. Forming a first insulating layer, forming a first adhesive layer containing Ni or Cu in the opening of the first insulating layer, and forming a metal on the surface of the first adhesive layer. An adhesion layer forming step of forming an adhesion layer that is configured of a second adhesion layer and does not protrude from the second insulating layer; a via layer formation step of forming a via layer on the adhesion layer; and the via layer Forming a second wiring layer covering the second wiring layer forming step, and The A layer to provide a method for manufacturing a suspension substrate, characterized in that does not project from the second wiring layer.

本発明によれば、ビア層が第二配線層から突出しないことから、ビア層の突出による弊害を防止できる。さらに、本発明によれば、ビア層および金属支持基板の間に特定の密着層を形成することから、密着性が向上し、ビア層の小径化を図ることができる。   According to the present invention, since the via layer does not protrude from the second wiring layer, it is possible to prevent an adverse effect caused by the protrusion of the via layer. Furthermore, according to the present invention, since the specific adhesion layer is formed between the via layer and the metal support substrate, the adhesion is improved and the diameter of the via layer can be reduced.

また、本発明においては、ステンレス鋼である金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、上記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板であって、開口部を有する上記第一絶縁層を形成する第一絶縁層形成工程と、上記第一絶縁層の上記開口部に、NiまたはCuを含有するストライクめっき層である第一密着層を形成する密着層形成工程と、上記第一密着層上に、上記第二配線層を形成する第二配線層形成工程と、を有し、上記開口部における上記第二配線層を、上記開口部の周囲における上記第二配線層から突出させないことを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。   In the present invention, a metal support substrate made of stainless steel, a first insulating layer formed on the metal support substrate, a first wiring layer formed on the first insulating layer, and the first A suspension substrate having a second insulating layer formed on a wiring layer and a second wiring layer formed on the second insulating layer, wherein the first insulating layer having an opening is formed. A first insulating layer forming step, an adhesive layer forming step of forming a first adhesive layer, which is a strike plating layer containing Ni or Cu, in the opening of the first insulating layer; and on the first adhesive layer A second wiring layer forming step of forming the second wiring layer, wherein the second wiring layer in the opening is not protruded from the second wiring layer around the opening. A method for manufacturing a suspension substrate is provided.

本発明によれば、開口部における第二配線層が周囲の第二配線層よりも突出しないことから、ビア部分(第一絶縁層および第二絶縁層の開口部に形成された第二配線層)の突出による弊害を防止できる。さらに、本発明によれば、第二配線層および金属支持基板の間に特定の密着層を形成することから、密着性が向上し、ビア部分の小径化を図ることができる。   According to the present invention, since the second wiring layer in the opening does not protrude from the surrounding second wiring layer, the via portion (the second wiring layer formed in the opening of the first insulating layer and the second insulating layer) ) Can be avoided. Furthermore, according to the present invention, since the specific adhesion layer is formed between the second wiring layer and the metal support substrate, the adhesion can be improved and the diameter of the via portion can be reduced.

本発明のサスペンション用基板は、ビアの突出による弊害を防止でき、かつ、ビアの小径化を図ることができるという効果を奏する。   The suspension substrate according to the present invention can prevent the adverse effects caused by the protrusion of the via and can reduce the diameter of the via.

本発明のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the board | substrate for suspensions of this invention. 図1(a)における記録再生用素子実装領域を拡大した拡大図である。It is the enlarged view to which the element mounting area | region for recording / reproducing in Fig.1 (a) was expanded. 図2のA−A断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 従来のビアを説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the conventional via | veer. 本発明におけるビア層等を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the via layer etc. in this invention. 本発明におけるビア層等を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the via layer etc. in this invention. 本発明におけるビア層等を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the via layer etc. in this invention. 本発明におけるビア層等を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the via layer etc. in this invention. インターリーブ構造の配線層を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the wiring layer of an interleave structure. 本発明のサスペンション用基板の他の例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the other example of the board | substrate for suspensions of this invention. 本発明のサスペンション用基板の他の例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the other example of the board | substrate for suspensions of this invention. 本発明におけるビア層等を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the via layer etc. in this invention. 本発明におけるビア層等を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the via layer etc. in this invention. 本発明におけるビア層等を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the via layer etc. in this invention. 本発明におけるビア層等を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the via layer etc. in this invention. 本発明のサスペンション用基板の他の例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the other example of the board | substrate for suspensions of this invention. 本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the suspension of this invention. 本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the suspension with an element of this invention. 本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the hard disk drive of this invention. 本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the board | substrate for suspensions of this invention. 本発明のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the other example of the manufacturing method of the board | substrate for suspensions of this invention. 本発明のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the other example of the manufacturing method of the board | substrate for suspensions of this invention. 本発明のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the other example of the manufacturing method of the board | substrate for suspensions of this invention.

以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブ、およびサスペンション用基板の製造方法について詳細に説明する。   Hereinafter, the suspension substrate, suspension, suspension with element, hard disk drive, and manufacturing method of the suspension substrate of the present invention will be described in detail.

A.サスペンション用基板
本発明のサスペンション用基板は、4つの実施態様に大別することができる。本発明のサスペンション用基板について、第一実施態様〜第四実施態様に分けて説明する。
A. Suspension Substrate The suspension substrate of the present invention can be roughly divided into four embodiments. The suspension substrate of the present invention will be described by dividing it into a first embodiment to a fourth embodiment.

1.第一実施態様
第一実施態様のサスペンション用基板は、ステンレス鋼である金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、上記絶縁層の開口部における上記金属支持基板の表面上に、密着層、ビア層および上記配線層がこの順で形成され、上記密着層は、上記金属支持基板の表面上に形成され、NiまたはCuを含有する第一密着層と、上記第一密着層の表面上に形成され、金属を含有する第二密着層とから構成され、かつ、上記絶縁層から突出しないように形成され、上記配線層は、上記ビア層を覆うように形成され、上記ビア層は、上記配線層から突出しないことを特徴とするものである。
1. First Embodiment A suspension substrate according to a first embodiment includes a metal support substrate made of stainless steel, an insulating layer formed on the metal support substrate, and a wiring layer formed on the insulating layer. A suspension substrate, wherein an adhesion layer, a via layer, and the wiring layer are formed in this order on the surface of the metal support substrate in the opening of the insulating layer, and the adhesion layer is formed on the surface of the metal support substrate. Formed on the surface of the first adhesion layer, formed on the surface of the first adhesion layer, and formed of a second adhesion layer containing metal, and does not protrude from the insulating layer. The wiring layer is formed so as to cover the via layer, and the via layer does not protrude from the wiring layer.

図1は、第一実施態様のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図1(a)はサスペンション用基板の概略平面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A断面図である。なお、図1(a)では、便宜上、カバー層および絶縁層の記載は省略している。図1(a)に示されるサスペンション用基板100は、一方の先端部分に形成された記録再生用素子実装領域101と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域102と、記録再生用素子実装領域101および外部回路基板接続領域102を電気的に接続する複数の配線層103a〜103dとを有するものである。配線層103aおよび配線層103bは一対の配線層であり、同様に、配線層103cおよび配線層103dも一対の配線層である。これらの2つの配線層は、一方がライト用(記録用、書込み用)配線層であり、他方がリード用(再生用、読取り用)配線層である。一方、図1(b)に示すように、サスペンション用基板100は、金属支持基板1と、金属支持基板1上に形成された絶縁層2と、絶縁層2上に形成された配線層3と、配線層3上に形成されたカバー層4とを有する。   FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of a suspension substrate according to the first embodiment. FIG. 1A is a schematic plan view of a suspension substrate, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. In FIG. 1A, for convenience, the description of the cover layer and the insulating layer is omitted. A suspension substrate 100 shown in FIG. 1A includes a recording / reproducing element mounting region 101 formed at one tip portion, an external circuit board connection region 102 formed at the other tip portion, and a recording / playback device. A plurality of wiring layers 103a to 103d for electrically connecting the element mounting region 101 and the external circuit board connection region 102 are provided. The wiring layer 103a and the wiring layer 103b are a pair of wiring layers. Similarly, the wiring layer 103c and the wiring layer 103d are also a pair of wiring layers. One of these two wiring layers is a wiring layer for writing (for recording and writing), and the other is a wiring layer for reading (for reproduction and reading). On the other hand, as shown in FIG. 1B, the suspension substrate 100 includes a metal support substrate 1, an insulating layer 2 formed on the metal support substrate 1, and a wiring layer 3 formed on the insulating layer 2. And a cover layer 4 formed on the wiring layer 3.

図2は、図1(a)における記録再生用素子実装領域を拡大した拡大図である。図2において、4本の配線層103a〜103dは、記録再生用素子実装領域101の近傍まで配置され、記録再生用素子(図示せず)と電気的に接続される。また、図2においては、記録再生用素子の接地(グランド)を目的としたグランド用配線層103eが設けられている。図3は、図2のA−A断面図である。図3に示すように、第一実施態様においては、絶縁層2の開口部における金属支持基板1の表面上に、密着層5、ビア層6および配線層3がこの順で形成されている。密着層5は、金属支持基板1の表面上に形成され、NiまたはCuを含有する第一密着層5aと、第一密着層5aの表面上に形成され、金属を含有する第二密着層5bとから構成され、かつ、絶縁層2から突出しないように形成されている。さらに、配線層3は、ビア層6を覆うように形成されている。また、第一実施態様においては、ビア層6が配線層3から突出しないこと、すなわち、ビア層6の頂部Tが、配線層3の頂部Tよりも突出しないこと(厚さ方向においてカバー層4側に張り出さないこと)を一つの特徴とする。 FIG. 2 is an enlarged view of the recording / reproducing element mounting area in FIG. In FIG. 2, four wiring layers 103a to 103d are arranged up to the vicinity of the recording / reproducing element mounting region 101 and are electrically connected to a recording / reproducing element (not shown). In FIG. 2, a ground wiring layer 103e is provided for the purpose of grounding the recording / reproducing element. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. As shown in FIG. 3, in the first embodiment, the adhesion layer 5, the via layer 6, and the wiring layer 3 are formed in this order on the surface of the metal support substrate 1 in the opening of the insulating layer 2. The adhesion layer 5 is formed on the surface of the metal support substrate 1, and is formed on the surface of the first adhesion layer 5a containing Ni or Cu, and the second adhesion layer 5b formed on the surface of the first adhesion layer 5a and containing metal. And is formed so as not to protrude from the insulating layer 2. Furthermore, the wiring layer 3 is formed so as to cover the via layer 6. In the first embodiment, the via layer 6 does not protrude from the wiring layer 3, that is, the top portion T 6 of the via layer 6 does not protrude from the top portion T 3 of the wiring layer 3 (cover in the thickness direction). One feature is that it does not protrude toward the layer 4 side.

第一実施態様によれば、ビア層が配線層から突出しないことから、ビア層の突出による弊害を防止できる。そのため、例えば、実装される素子(磁気ヘッドスライダ等の記録再生用素子)の平坦性を阻害しないという利点がある。また、例えばビア層が絶縁層から突出しない場合、ビア層の形状制御が容易になり、ビア層の近傍に存在する配線層等に悪影響を与えないという利点がある。なお、従来は、図4に示すように、ビア11が配線層3およびカバー層4から突出しており、これらの利点を有していなかった。また、図4に示すように、従来は、配線層に開口を有するランド部を設ける必要があるが、第一実施態様によれば、ビア層を覆うように配線層を設けるため、ランド部のサイズを小さくすることができるという利点がある。また、第一実施態様のサスペンション用基板は、通常、開口部における配線層が開口部の周囲における配線層から突出しない形状を有する。   According to the first embodiment, since the via layer does not protrude from the wiring layer, it is possible to prevent an adverse effect due to the protrusion of the via layer. Therefore, for example, there is an advantage that the flatness of the mounted element (recording / reproducing element such as a magnetic head slider) is not hindered. Further, for example, when the via layer does not protrude from the insulating layer, there is an advantage that the shape control of the via layer becomes easy and the wiring layer existing in the vicinity of the via layer is not adversely affected. Conventionally, as shown in FIG. 4, the via 11 protrudes from the wiring layer 3 and the cover layer 4 and does not have these advantages. Further, as shown in FIG. 4, conventionally, it is necessary to provide a land portion having an opening in the wiring layer. However, according to the first embodiment, the wiring layer is provided so as to cover the via layer. There is an advantage that the size can be reduced. The suspension substrate of the first embodiment usually has a shape in which the wiring layer in the opening does not protrude from the wiring layer around the opening.

さらに、第一実施態様によれば、ビア層および金属支持基板の間に特定の密着層を設けることから、密着性が向上し、ビア層の小径化を図ることができる。密着性が向上する理由は、金属支持基板(ステンレス鋼)と、第一密着層(NiまたはCuを含有する層)との間に不動態膜等の密着性を阻害するものがないからであると考えられる。このように、第一実施態様のサスペンション用基板は、ビア層の突出による弊害を防止でき、かつ、ビア層の小径化が図れる。また、第一実施態様におけるビア層は、後述するように、平面視上、配線層に覆われて完全に隠れた状態(ブラインドビア層)であることが好ましい。
以下、第一実施態様のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
Furthermore, according to the first embodiment, since the specific adhesion layer is provided between the via layer and the metal supporting substrate, the adhesion is improved and the diameter of the via layer can be reduced. The reason why the adhesion is improved is that there is nothing that inhibits the adhesion of a passive film or the like between the metal support substrate (stainless steel) and the first adhesion layer (layer containing Ni or Cu). it is conceivable that. As described above, the suspension substrate according to the first embodiment can prevent the adverse effect caused by the protrusion of the via layer and can reduce the diameter of the via layer. In addition, as described later, the via layer in the first embodiment is preferably in a state (blind via layer) completely covered with the wiring layer in plan view.
Hereinafter, the suspension substrate according to the first embodiment will be described separately for the suspension substrate member and the suspension substrate configuration.

(1)サスペンション用基板の部材
まず、第一実施態様のサスペンション用基板の部材について説明する。第一実施態様のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層および配線層を少なくとも有するものである。なお、第一実施態様における密着層およびビア層については、「(2)サスペンション用基板の構成」で説明する。
(1) Suspension Board Member First, the suspension board member of the first embodiment will be described. The suspension substrate according to the first embodiment has at least a metal support substrate, an insulating layer, and a wiring layer. The adhesion layer and via layer in the first embodiment will be described in “(2) Configuration of Suspension Substrate”.

第一実施態様における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。また、第一実施態様における金属支持基板はステンレス鋼である。金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば10μm〜20μmの範囲内である。   The metal support substrate in the first embodiment functions as a support for the suspension substrate. Moreover, the metal supporting board in the first embodiment is stainless steel. The thickness of the metal support substrate varies depending on the type of the material, but is, for example, in the range of 10 to 20 μm.

第一実施態様における絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、例えば5μm〜30μmの範囲内であることが好ましく、5μm〜18μmの範囲内であることがより好ましく、5μm〜12μmの範囲内であることがさらに好ましい。   The insulating layer in the first embodiment is formed on the metal support substrate. The material of the insulating layer is not particularly limited as long as it has insulating properties, and examples thereof include a resin. Examples of the resin include polyimide resin, polybenzoxazole resin, polybenzimidazole resin, acrylic resin, polyether nitrile resin, polyether sulfone resin, polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, and polyvinyl chloride resin. Of these, polyimide resin is preferred. It is because it is excellent in insulation, heat resistance and chemical resistance. In addition, the material of the insulating layer may be a photosensitive material or a non-photosensitive material. The thickness of the insulating layer is, for example, preferably in the range of 5 μm to 30 μm, more preferably in the range of 5 μm to 18 μm, and still more preferably in the range of 5 μm to 12 μm.

第一実施態様における配線層は、絶縁層上に形成されるものである。配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅(Cu)が好ましい。また、配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。配線層の厚さは、例えば5μm〜18μmの範囲内であることが好ましく、9μm〜12μmの範囲内であることがより好ましい。また、配線層の一部の表面には、保護めっき部が形成されていることが好ましい。保護めっき部を設けることにより、配線層の劣化(腐食等)を防止できるからである。中でも、第一実施態様においては、素子や外部回路基板との接続を行う端子部に保護めっき部が形成されていることが好ましい。保護めっき部の種類は特に限定されるものではないが、例えば、Auめっき、Niめっき、Agめっき等を挙げることができる。中でも、第一実施態様においては、配線層側から、NiめっきおよびAuめっきが形成されていることが好ましい。保護めっき部の厚さは、例えば0.1μm〜4μmの範囲内である。   The wiring layer in the first embodiment is formed on the insulating layer. The material of the wiring layer is not particularly limited as long as it has conductivity, but for example, a metal can be cited, and copper (Cu) is particularly preferable. Moreover, the material of the wiring layer may be rolled copper or electrolytic copper. The thickness of the wiring layer is preferably in the range of 5 μm to 18 μm, for example, and more preferably in the range of 9 μm to 12 μm. Moreover, it is preferable that the protective plating part is formed in the one part surface of a wiring layer. This is because by providing the protective plating portion, the deterioration (corrosion and the like) of the wiring layer can be prevented. Among these, in the first embodiment, it is preferable that a protective plating portion is formed on a terminal portion that is connected to an element or an external circuit board. Although the kind of protective plating part is not specifically limited, For example, Au plating, Ni plating, Ag plating etc. can be mentioned. Among these, in the first embodiment, it is preferable that Ni plating and Au plating are formed from the wiring layer side. The thickness of the protective plating portion is, for example, in the range of 0.1 μm to 4 μm.

第一実施態様における配線層としては、例えば、ライト用配線層、リード用配線層、熱アシスト用配線層、アクチュエータ用配線層、グランド用配線層、ノイズシールド用配線層、電源用配線層、フライトハイトコントロール用配線層、センサー用配線層等を挙げることができる。   Examples of the wiring layer in the first embodiment include a write wiring layer, a read wiring layer, a heat assist wiring layer, an actuator wiring layer, a ground wiring layer, a noise shield wiring layer, a power supply wiring layer, and a flight. A height control wiring layer, a sensor wiring layer, and the like can be given.

第一実施態様においては、カバー層が、配線層を覆うように形成されていることが好ましい。カバー層を設けることにより、配線層の劣化(腐食等)を防止できるからである。カバー層の材料としては、例えば、上述した絶縁層の材料として記載したものを挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。   In the first embodiment, the cover layer is preferably formed so as to cover the wiring layer. This is because providing the cover layer can prevent the deterioration (corrosion or the like) of the wiring layer. Examples of the material for the cover layer include those described above as the material for the insulating layer, and among them, a polyimide resin is preferable. The material of the cover layer may be a photosensitive material or a non-photosensitive material.

(2)サスペンション用基板の構成
次に、第一実施態様のサスペンション用基板の構成について説明する。第一実施態様のサスペンション用基板は、絶縁層の開口部における金属支持基板の表面上に、密着層、ビア層および配線層をこの順で有することを一つの特徴とする。絶縁層の開口部の形状は、特に限定されるものではなく、例えば、円、楕円状、任意の多角形、櫛状、十字状、棒状等を挙げることができる。
(2) Configuration of Suspension Substrate Next, the configuration of the suspension substrate of the first embodiment will be described. One feature of the suspension substrate of the first embodiment is that it has an adhesion layer, a via layer, and a wiring layer in this order on the surface of the metal support substrate in the opening of the insulating layer. The shape of the opening of the insulating layer is not particularly limited, and examples thereof include a circle, an ellipse, an arbitrary polygon, a comb, a cross, and a rod.

第一実施態様における密着層は、第一密着層および第二密着層から構成されるものである。第一密着層は、金属支持基板の表面上に形成され、少なくともNiまたはCuを含有する層である。第一密着層の材料としては、Ni、Cu、Ni合金、Cu合金等を挙げることができる。なお、第一密着層がCuを含有する場合、密着性が高いという利点に加えて、電気抵抗が低いという利点がある。特に、第一実施態様における第一密着層は、ストライクめっき層であることが好ましい。ストライクめっき層は、例えばめっき形成用の前処理をした金属支持基板の表面の不動態膜を除去して第一密着層を直接形成することができ、金属支持基板(ステンレス鋼)との密着性が良好になるからである。また、ストライクめっき層は、凹凸を有する形状であるため、アンカー効果により密着性が向上しやすいという利点を有する。また、第一実施態様における第一密着層および金属支持基板の間には、ステンレス鋼の不動態膜を有しないことが好ましい。第一密着層の厚さは、例えば50nm〜500nmの範囲内であることが好ましく、100nm〜400nmの範囲内であることがより好ましい。   The adhesion layer in the first embodiment is composed of a first adhesion layer and a second adhesion layer. The first adhesion layer is a layer formed on the surface of the metal support substrate and containing at least Ni or Cu. Examples of the material for the first adhesion layer include Ni, Cu, Ni alloy, Cu alloy, and the like. In addition, when a 1st contact | adherence layer contains Cu, in addition to the advantage that adhesiveness is high, there exists an advantage that an electrical resistance is low. In particular, the first adhesion layer in the first embodiment is preferably a strike plating layer. The strike plating layer can directly form the first adhesion layer by removing the passivation film on the surface of the metal support substrate that has been pretreated for plating formation, for example, and the adhesion to the metal support substrate (stainless steel). It is because it becomes favorable. Moreover, since the strike plating layer has an uneven shape, it has an advantage that adhesion is easily improved by an anchor effect. Moreover, it is preferable not to have a stainless steel passive film between the first adhesion layer and the metal support substrate in the first embodiment. The thickness of the first adhesion layer is preferably in the range of 50 nm to 500 nm, for example, and more preferably in the range of 100 nm to 400 nm.

第一実施態様における第二密着層は、第一密着層の表面上に形成され、金属を含有する層である。第二密着層は、上述したストライクめっき層ではなく、連続膜となる程度の厚さを有することが好ましい。第二密着層の材料としては、金属であれば特に限定されるものではないが、例えば、Ni、Cu、および、これらの元素の少なくとも一つを含む合金等を挙げることができる。第二密着層の厚さは、例えば絶縁層の厚さの1/2以下であることが好ましく、絶縁層の厚さの1/3以下であることがより好ましい。第二密着層の厚さは、例えば100nm〜5μmの範囲内であることが好ましく、500nm〜3μmの範囲内であることがより好ましい。   The second adhesion layer in the first embodiment is a layer formed on the surface of the first adhesion layer and containing a metal. The second adhesion layer is preferably not a strike plating layer as described above, but has a thickness that is a continuous film. The material of the second adhesion layer is not particularly limited as long as it is a metal, and examples thereof include Ni, Cu, and alloys containing at least one of these elements. For example, the thickness of the second adhesion layer is preferably 1/2 or less of the thickness of the insulating layer, and more preferably 1/3 or less of the thickness of the insulating layer. The thickness of the second adhesion layer is preferably in the range of 100 nm to 5 μm, for example, and more preferably in the range of 500 nm to 3 μm.

第一実施態様におけるビア層は、密着層上に形成されるものである。ビア層の材料は、特に限定されるものではないが、例えば、Cu、Ni、Ag、Sn、および、これらの元素の少なくとも一つを含む合金等を挙げることができる。また、第一実施態様におけるビア層は、めっき層または金属微粒子含有層であることが好ましい。めっき層は、例えばめっき法(好ましくは電解めっき法)により形成することができ、金属微粒子含有層は、例えば金属微粒子を含有するペーストを用いた印刷法により形成することができる。ペーストに用いられる金属微粒子の平均粒径は、例えば10nm〜5μmの範囲内である。ビア層の厚さは、例えば絶縁層の厚さ以下であることが好ましく、絶縁層の厚さの2/3以下であることがより好ましい。また、ビア層の厚さは、例えば0.5μm以上であることが好ましく、2μm以上であることがより好ましい。   The via layer in the first embodiment is formed on the adhesion layer. The material of the via layer is not particularly limited, and examples thereof include Cu, Ni, Ag, Sn, and alloys containing at least one of these elements. The via layer in the first embodiment is preferably a plating layer or a metal fine particle-containing layer. The plating layer can be formed by, for example, a plating method (preferably an electrolytic plating method), and the metal fine particle-containing layer can be formed by, for example, a printing method using a paste containing metal fine particles. The average particle diameter of the metal fine particles used for the paste is in the range of 10 nm to 5 μm, for example. For example, the thickness of the via layer is preferably equal to or less than the thickness of the insulating layer, and more preferably equal to or less than 2/3 of the thickness of the insulating layer. Further, the thickness of the via layer is, for example, preferably 0.5 μm or more, and more preferably 2 μm or more.

第一実施態様における配線層は、通常、ビア層を覆うように形成されるものである。また、第一実施態様においては、ビア層が配線層から突出しないことを一つの特徴とする。従来の配線層は、例えば図4に示したように、ビア11を形成するための開口を有している。これに対して、第一実施態様における配線層は、ビア層を覆うように形成されるため、通常、開口を有していない。また、第一実施態様における配線層は、平面視上、ビア層の少なくとも一部を覆っていれば良いが、より多くの部分を覆っていることが好ましく、完全にビア層を覆うことが好ましい。すなわち、ビア層は、平面視上、配線層に覆われて完全に隠れた状態(ブラインドビア層)であることが好ましい。ビア層の突出を防止でき、かつ、ビア層の小径化が図れるからである。   The wiring layer in the first embodiment is usually formed so as to cover the via layer. The first embodiment is characterized in that the via layer does not protrude from the wiring layer. The conventional wiring layer has an opening for forming the via 11 as shown in FIG. On the other hand, since the wiring layer in the first embodiment is formed so as to cover the via layer, it usually does not have an opening. In addition, the wiring layer in the first embodiment may cover at least a part of the via layer in a plan view, but it preferably covers a larger part and preferably covers the via layer completely. . That is, it is preferable that the via layer is covered with the wiring layer and completely hidden (blind via layer) in plan view. This is because the protrusion of the via layer can be prevented and the diameter of the via layer can be reduced.

また、第一実施態様における配線層は、絶縁層との接触面に、シード層を有していることが好ましい。なお、製造プロセスによっては、絶縁層との接触面のみならず、絶縁層の開口部におけるビア層等との接触面にもシード層が形成される場合がある。シード層がスパッタリング膜である場合、シード層の材料としては、例えば、Cr、Cr−Ni合金、Cu等を挙げることができる。一方、シード層が無電解めっき膜である場合、シード層の材料としては、Ni等を挙げることができる。この場合、まず湿式プロセスで触媒をシード層形成面に吸着させ、無電解めっきを行うことが好ましい。   The wiring layer in the first embodiment preferably has a seed layer on the contact surface with the insulating layer. Depending on the manufacturing process, the seed layer may be formed not only on the contact surface with the insulating layer but also on the contact surface with the via layer or the like in the opening of the insulating layer. When the seed layer is a sputtering film, examples of the material for the seed layer include Cr, Cr—Ni alloy, and Cu. On the other hand, when the seed layer is an electroless plating film, examples of the material for the seed layer include Ni. In this case, it is preferable that the catalyst is first adsorbed on the seed layer forming surface by a wet process and electroless plating is performed.

図5に示すように、ビア層6のサイズ(絶縁層2の開口部のサイズ)をLとし、ビア層6を覆う配線層3のサイズをLとする。Lは、特に限定されるものではないが、例えば5μm〜150μmの範囲内であることが好ましく、15μm〜80μmの範囲内であることがより好ましい。上記範囲内であれば、金属支持基板との密着性が十分に確保され、且つ径の小さいビア層とすることができるからである。Lは、特に限定されるものではないが、例えば15μm〜200μmの範囲内であることが好ましく、20μm〜150μmの範囲内であることがより好ましい。 As shown in FIG. 5, the size of the via layer 6 (the size of the opening of the insulating layer 2) and L 6, the size of the wiring layer 3 to cover the via layer 6 and L 3. L 6 is not particularly limited, for example, is preferably in the range of 5Myuemu~150myuemu, and more preferably in a range of 15Myuemu~80myuemu. This is because, within the above range, sufficient adhesion to the metal support substrate is ensured and a via layer having a small diameter can be obtained. L 3 is not particularly limited, for example, is preferably in the range of 15Myuemu~200myuemu, and more preferably in a range of 20Myuemu~150myuemu.

また、図6に示すように、絶縁層2の頂部の位置Tと密着層5の頂部の位置Tとの差をtとし、絶縁層2の頂部の位置Tとビア層6の頂部の位置Tとの差をtとする。第一実施態様においては、通常、密着層5が絶縁層2から突出しないように形成されるため、tは通常、0以上となる。中でも、図6に示すように、通常は密着層5の上にはビア層6が形成される。そのため、tは、例えば2μm以上であり、4μm〜12μmの範囲内であることが好ましい。また、第一実施態様において、ビア層および絶縁層は、厚さ方向での頂部の位置が等しいこと(面一であること)が好ましい。配線層の平坦性が確保されるからである。「厚さ方向での頂部の位置が等しい」とは、tが±2μm以内になることをいう。なお、図6のように、絶縁層2がビア層6よりも突出している場合のtを正とし、逆にビア層6が絶縁層2よりも突出している場合のtを負とする。また、ビア層は絶縁層よりも突出しないことが好ましい。「ビア層が絶縁層よりも突出しない」とは、tが面一である場合の値よりも大きい状態をいう。 Further, as shown in FIG. 6, the difference between the position T 5 of the top of the contact layer 5 and the position T 2 of the top of the insulating layer 2 and t 1, the position T 2 and the via layer 6 on top of the insulating layer 2 Let t 2 be the difference from the top position T 6 . In the first embodiment, since the adhesion layer 5 is usually formed so as not to protrude from the insulating layer 2, t 1 is usually 0 or more. In particular, as shown in FIG. 6, the via layer 6 is usually formed on the adhesion layer 5. Therefore, t 1 is, for example, 2μm or more, preferably in the range of 4Myuemu~12myuemu. In the first embodiment, the via layer and the insulating layer preferably have the same top position in the thickness direction (ie, are flush with each other). This is because the flatness of the wiring layer is ensured. “The positions of the tops in the thickness direction are equal” means that t 2 is within ± 2 μm. As shown in FIG. 6, t 2 when the insulating layer 2 protrudes from the via layer 6 is positive, and conversely, t 2 when the via layer 6 protrudes from the insulating layer 2 is negative. . Further, it is preferable that the via layer does not protrude more than the insulating layer. “The via layer does not protrude more than the insulating layer” refers to a state where t 2 is larger than the value when flush.

また、第一実施態様においては、図7(a)に示すように、第二密着層5bおよびビア層6が同一の層であっても良い。両層が同一の層であることにより、製造工程の簡略化を図ることができる。ここで、「第二密着層およびビア層が同一の層である」とは、両層が材料的な連続性を有することをいう。例えば、第二密着層およびビア層を、電解めっき法で連続的に形成する場合、第二密着層およびビア層の材料および結晶サイズ等は同一になり、両者は材料的に連続した状態となる。一方、第一実施態様における第二密着層およびビア層は、異なる層であっても良い。例えば、第二密着層およびビア層の材料が異なる場合、または、両者の材料が同一(例えば銅)であっても、第二密着層を形成した後に別工程としてビア層を形成する場合には、両者の界面に材料的特性(材料の種類、結晶サイズ等)の違いに起因する不連続性が生じる。この状態は、両層が材料的な連続性を有しない状態であるといえる。   In the first embodiment, as shown in FIG. 7A, the second adhesion layer 5b and the via layer 6 may be the same layer. Since both layers are the same layer, the manufacturing process can be simplified. Here, “the second adhesion layer and the via layer are the same layer” means that both layers have material continuity. For example, when the second adhesion layer and the via layer are continuously formed by electrolytic plating, the materials and crystal sizes of the second adhesion layer and the via layer are the same, and both are in a material continuous state. . On the other hand, the second adhesion layer and the via layer in the first embodiment may be different layers. For example, when the materials of the second adhesion layer and the via layer are different, or when the via layer is formed as a separate process after the second adhesion layer is formed even if both materials are the same (for example, copper) , Discontinuities due to differences in material properties (material type, crystal size, etc.) occur at the interface between the two. This state can be said to be a state in which both layers do not have material continuity.

また、第一実施態様においては、図7(b)に示すように、ビア層6および配線層3が同一の層であっても良い。両層が同一の層であることにより、製造工程の簡略化を図ることができる。「同一の層である」ことの定義は、上述した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、第一実施態様におけるビア層および配線層は、異なる層であっても良い。   Further, in the first embodiment, as shown in FIG. 7B, the via layer 6 and the wiring layer 3 may be the same layer. Since both layers are the same layer, the manufacturing process can be simplified. Since the definition of “same layer” is the same as the above-described content, description thereof is omitted here. Further, the via layer and the wiring layer in the first embodiment may be different layers.

また、第一実施態様におけるビア層の用途は、配線層および金属支持基板を電気的に接続するものであれば特に限定されるものではない。第一実施態様におけるビア層は、例えばグランド用途に用いられることが好ましい。ここで、図8(a)はグランド用配線層の一例を示しており、グランド用配線層の端子部3aは、保護めっき部7で被覆されており、ビア層6等を介してグランドである金属支持基板1と接続されている。また、他のグランド用途としては、配線層間のノイズを抑制するノイズシールド用配線層のグランド等を挙げることができる。   The use of the via layer in the first embodiment is not particularly limited as long as it electrically connects the wiring layer and the metal supporting board. The via layer in the first embodiment is preferably used for grounding applications, for example. Here, FIG. 8A shows an example of the ground wiring layer. The terminal portion 3a of the ground wiring layer is covered with the protective plating portion 7 and is the ground via the via layer 6 and the like. The metal support substrate 1 is connected. Other ground applications include the ground of a noise shielding wiring layer that suppresses noise between wiring layers.

また、第一実施態様におけるビア層は、配線層と、端子部である金属支持基板とを接続するために用いられても良い。金属支持基板の端子部は、配線層の端子部に比べて機械的強度が高く、変形を抑制できる。ここで、図8(b)は端子部である金属支持基板の一例を示しており、配線層3はビア層6等を介して、端子部1aと電気的に接続されている。この端子部1aは、例えば、熱アシスト用素子およびアクチュエータ素子等の素子との接続に用いることができる。   In addition, the via layer in the first embodiment may be used to connect the wiring layer and the metal support substrate that is the terminal portion. The terminal portion of the metal support substrate has higher mechanical strength than the terminal portion of the wiring layer, and can suppress deformation. Here, FIG. 8B shows an example of a metal supporting board as a terminal portion, and the wiring layer 3 is electrically connected to the terminal portion 1a through the via layer 6 and the like. This terminal part 1a can be used for connection with elements, such as a thermal assist element and an actuator element, for example.

また、第一実施態様におけるビア層は、インターリーブ構造の配線層と、ジャンパー部である金属支持基板とを接続するために用いられても良い。インターリーブ構造の配線層を採用することで、低インピーダンス化を図ることができる。ここで、インターリーブ構造の配線層について図9を用いて説明する。図9(a)はインターリーブ構造の配線層の一例を示す概略平面図であり、図9(b)は図9(a)を金属支持基板側から観察した概略平面図であり、図9(c)は図9(a)のA−A断面図である。図9(a)〜(c)に示すように、ライト用配線層W1aは分岐配線層W1bを有し、W1aおよびW1bはそれぞれ絶縁層2を貫通するビア層6を有する。その2つのビア層6は、金属支持基板1の一部であるジャンパー部1bにより電気的に接続されている。同様に、ライト用配線層W2aも分岐配線層W2bを有し、W2aおよびW2bはそれぞれ絶縁層2を貫通するビア層6を有し、その2つのビア層6は、金属支持基板1の一部であるジャンパー部1bにより電気的に接続されている。なお、図9(a)に示すように、ライト用配線層Wに属する配線層(W1a、W1b)と、ライト用配線層Wに属する配線層(W2a、W2b)とは、交互に配置されている。 In addition, the via layer in the first embodiment may be used to connect the wiring layer having the interleave structure and the metal support substrate that is the jumper portion. By adopting a wiring layer having an interleave structure, the impedance can be reduced. Here, a wiring layer having an interleave structure will be described with reference to FIG. FIG. 9A is a schematic plan view showing an example of a wiring layer having an interleave structure, and FIG. 9B is a schematic plan view of FIG. 9A observed from the metal support substrate side. ) Is an AA cross-sectional view of FIG. As shown in FIGS. 9A to 9C, the write wiring layer W 1a has a branch wiring layer W 1b , and W 1a and W 1b each have a via layer 6 that penetrates the insulating layer 2. The two via layers 6 are electrically connected by a jumper portion 1 b that is a part of the metal support substrate 1. Similarly, the write wiring layer W 2a also has a branch wiring layer W 2b , each of W 2a and W 2b has a via layer 6 penetrating the insulating layer 2, and the two via layers 6 are formed of a metal support substrate. 1 is electrically connected by a jumper portion 1b, which is a part of 1. As shown in FIG. 9A, the wiring layers (W 1a , W 1b ) belonging to the write wiring layer W 1 and the wiring layers (W 2a , W 2b ) belonging to the write wiring layer W 2 are Are alternately arranged.

また、第一実施態様のサスペンション用基板は、配線層が絶縁層を介して積層されていても良い。配線層の増加に対応したサスペンション用基板とすることができるからである。このようなサスペンション用基板としては、例えば図10(a)に示すように、金属支持基板1、第一絶縁層2x、第一配線層3x、第二絶縁層2y、第二配線層3yおよびカバー層4が、この順に積層されたものを挙げることができる。第一配線層3xおよび第二配線層3yは、第二絶縁層2yを介して積層されている。また、図10(a)では、ビア層6上に第一配線層3xが形成されており、ビア層6が第一配線層3xから突出していないため、第一配線層3x上に、平坦な第二絶縁層2yを形成しやすい。そのため、第二絶縁層2y上に形成される第二配線層3yを安定した形状で形成することができ、したがって第二配線層3yをビア層6上に形成することができるため、サスペンション用基板の設計自由度を高いものとすることができる。また、図10(b)に示すように、グランド用配線層である第一配線層3x上に、第二配線層3yが形成されていても良い。   In the suspension substrate of the first embodiment, the wiring layer may be laminated via an insulating layer. This is because the suspension substrate can cope with an increase in the wiring layer. As such a suspension substrate, for example, as shown in FIG. 10A, a metal support substrate 1, a first insulating layer 2x, a first wiring layer 3x, a second insulating layer 2y, a second wiring layer 3y, and a cover. An example in which the layer 4 is laminated in this order can be mentioned. The first wiring layer 3x and the second wiring layer 3y are stacked via the second insulating layer 2y. In FIG. 10A, the first wiring layer 3x is formed on the via layer 6, and the via layer 6 does not protrude from the first wiring layer 3x. Therefore, the first wiring layer 3x is flat on the first wiring layer 3x. It is easy to form the second insulating layer 2y. Therefore, the second wiring layer 3y formed on the second insulating layer 2y can be formed in a stable shape, and thus the second wiring layer 3y can be formed on the via layer 6, so that the suspension substrate The degree of design freedom can be made high. Further, as shown in FIG. 10B, the second wiring layer 3y may be formed on the first wiring layer 3x which is the ground wiring layer.

2.第二実施態様
次に、本発明のサスペンション用基板の第二実施態様について説明する。第二実施態様のサスペンション用基板は、ステンレス鋼である金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、上記絶縁層の開口部における上記金属支持基板の表面上に、第一密着層および上記配線層がこの順で形成され、上記第一密着層は、NiまたはCuを含有するストライクめっき層であり、上記開口部における上記配線層は、上記開口部の周囲における上記配線層から突出しないことを特徴とするものである。
2. Second Embodiment Next, a second embodiment of the suspension substrate of the present invention will be described. The suspension substrate of the second embodiment is a suspension substrate having a metal support substrate made of stainless steel, an insulating layer formed on the metal support substrate, and a wiring layer formed on the insulating layer. The first adhesion layer and the wiring layer are formed in this order on the surface of the metal support substrate in the opening of the insulating layer, and the first adhesion layer is a strike plating layer containing Ni or Cu. The wiring layer in the opening does not protrude from the wiring layer around the opening.

図11は、第二実施態様のサスペンション用基板の一例を示す概略断面図であり、図2のA−A断面図である。図11に示すように、第二実施態様においては、絶縁層2の開口部における金属支持基板1の表面上に、第一密着層5aおよび配線層3がこの順で形成されている。第一密着層5aは、NiまたはCuを含有するストライクめっき層である。さらに、配線層3は、絶縁層2の開口部を覆うように形成されている。また、第二実施態様においては、開口部における配線層3が開口部の周囲における配線層3から突出しないこと、すなわち、開口部における配線層3の頂部T3Aが開口部の周囲における配線層3の頂部T3Bよりも突出しないこと(厚さ方向においてカバー層4側に張り出さないこと)を一つの特徴とする。なお、開口部における配線層3の頂部T3Aとは、絶縁層2の開口部において、最もカバー層4側に突出した配線層3の部分をいう。同様に、開口部の周囲における配線層3の頂部T3Bとは、絶縁層2の開口部の周囲において、最もカバー層4側に突出した配線層3の部分をいう。絶縁層2の開口部の周囲とは、絶縁層2の開口部の端部から、絶縁層2の開口部サイズを2倍にした場合の端部までの領域をいう。 FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing an example of the suspension substrate according to the second embodiment, and is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. As shown in FIG. 11, in the second embodiment, the first adhesion layer 5 a and the wiring layer 3 are formed in this order on the surface of the metal support substrate 1 in the opening of the insulating layer 2. The first adhesion layer 5a is a strike plating layer containing Ni or Cu. Furthermore, the wiring layer 3 is formed so as to cover the opening of the insulating layer 2. In the second embodiment, the wiring layer 3 in the opening does not protrude from the wiring layer 3 around the opening, that is, the top T 3A of the wiring layer 3 in the opening is the wiring layer 3 around the opening. not protrude from the top T 3B a (not overhang the cover layer 4 side in the thickness direction) as one of the features of. Note that the top T 3A of the wiring layer 3 in the opening refers to a portion of the wiring layer 3 that protrudes most toward the cover layer 4 in the opening of the insulating layer 2. Similarly, the top portion T 3B of the wiring layer 3 around the opening refers to the portion of the wiring layer 3 that protrudes most toward the cover layer 4 around the opening of the insulating layer 2. The periphery of the opening of the insulating layer 2 refers to a region from the end of the opening of the insulating layer 2 to the end when the opening size of the insulating layer 2 is doubled.

第二実施態様によれば、開口部における配線層が周囲の配線層よりも突出しないことから、ビア部分(絶縁層の開口部に形成された配線層)の突出による弊害を防止できる。そのため、例えば、実装される素子(磁気ヘッドスライダ等の記録再生用素子)の平坦性を阻害しないという利点がある。また、図4に示すように、従来は、配線層に開口を有するランド部を設ける必要があるが、第二実施態様によれば、絶縁層の開口部を覆うように配線層を設けるため、ランド部のサイズを小さくすることができるという利点がある。   According to the second embodiment, since the wiring layer in the opening does not protrude from the surrounding wiring layer, it is possible to prevent the adverse effect caused by the protrusion of the via portion (wiring layer formed in the opening of the insulating layer). Therefore, for example, there is an advantage that the flatness of the mounted element (recording / reproducing element such as a magnetic head slider) is not hindered. In addition, as shown in FIG. 4, conventionally, it is necessary to provide a land portion having an opening in the wiring layer. There is an advantage that the size of the land portion can be reduced.

さらに、第二実施態様によれば、配線層および金属支持基板の間に特定の第一密着層を設けることから、密着性が向上し、ビア部分の小径化を図ることができる。密着性が向上する理由は、金属支持基板(ステンレス鋼)と、第一密着層(NiまたはCuを含有する層)との間に不動態膜等の密着性を阻害するものがないからであると考えられる。このように、第二実施態様のサスペンション用基板は、ビア部分の突出による弊害を防止でき、かつ、ビア部分の小径化が図れる。   Furthermore, according to the second embodiment, since the specific first adhesion layer is provided between the wiring layer and the metal support substrate, the adhesion can be improved and the diameter of the via portion can be reduced. The reason why the adhesion is improved is that there is nothing that inhibits the adhesion of a passive film or the like between the metal support substrate (stainless steel) and the first adhesion layer (layer containing Ni or Cu). it is conceivable that. As described above, the suspension substrate according to the second embodiment can prevent the adverse effect caused by the protrusion of the via portion, and can reduce the diameter of the via portion.

なお、第二実施態様のサスペンション用基板の部材および構成は、上述した第一実施態様に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、第一密着層および配線層の間には、第二密着層およびビア層の少なくとも一方が形成されていても良い。   In addition, since the member and structure of the board | substrate for suspensions of a 2nd embodiment are the same as the content described in the 1st embodiment mentioned above, description here is abbreviate | omitted. In addition, at least one of the second adhesion layer and the via layer may be formed between the first adhesion layer and the wiring layer.

3.第三実施態様
次に、本発明のサスペンション用基板の第三実施態様について説明する。第三実施態様のサスペンション用基板は、ステンレス鋼である金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、上記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板であって、上記第一絶縁層の開口部における上記金属支持基板の表面上に、密着層、ビア層および上記第二配線層がこの順で形成され、上記密着層は、上記金属支持基板の表面上に形成され、NiまたはCuを含有する第一密着層と、上記第一密着層の表面上に形成され、金属を含有する第二密着層とから構成され、かつ、上記第二絶縁層から突出しないように形成され、上記第二配線層は、上記ビア層を覆うように形成され、上記ビア層は、上記第二配線層から突出しないことを特徴とするものである。
3. Third Embodiment Next, a third embodiment of the suspension substrate of the present invention will be described. The suspension substrate of the third embodiment includes a metal support substrate made of stainless steel, a first insulating layer formed on the metal support substrate, a first wiring layer formed on the first insulating layer, A suspension substrate having a second insulating layer formed on the first wiring layer and a second wiring layer formed on the second insulating layer, wherein the suspension substrate has an opening in the opening of the first insulating layer. An adhesion layer, a via layer, and the second wiring layer are formed in this order on the surface of the metal support substrate, and the adhesion layer is formed on the surface of the metal support substrate and contains Ni or Cu. The second wiring layer is formed of one adhesion layer and a second adhesion layer formed on the surface of the first adhesion layer and containing a metal and does not protrude from the second insulating layer. Is formed so as to cover the via layer, and the via layer is Is characterized in that no projecting from said second wiring layer.

図12は、第三実施態様のサスペンション用基板の一例を示す概略断面図である。図12(a)に示すように、第三実施態様においては、第一絶縁層2xの開口部における金属支持基板1の表面上に、密着層5、ビア層6および第二配線層3yがこの順で形成されている。密着層5は、金属支持基板1の表面上に形成され、NiまたはCuを含有する第一密着層5aと、第一密着層5aの表面上に形成され、金属を含有する第二密着層5bとから構成され、かつ、第二絶縁層2yから突出しないように形成されている。さらに、第二配線層3yは、ビア層6を覆うように形成されている。また、第三実施態様においては、ビア層6が第二配線層3yから突出しないこと、すなわち、ビア層6の頂部Tが、第二配線層3yの頂部T3yよりも突出しないこと(厚さ方向においてカバー層4側に張り出さないこと)を一つの特徴とする。なお、図12(a)では、第二配線層3yが金属支持基板1と電気的に接続されているが、図12(b)に示すように、第二配線層3yが第一配線層3xおよび金属支持基板1と電気的に接続されていても良い。 FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing an example of the suspension substrate of the third embodiment. As shown in FIG. 12A, in the third embodiment, the adhesion layer 5, the via layer 6 and the second wiring layer 3y are formed on the surface of the metal support substrate 1 in the opening of the first insulating layer 2x. It is formed in order. The adhesion layer 5 is formed on the surface of the metal support substrate 1, and is formed on the surface of the first adhesion layer 5a containing Ni or Cu, and the second adhesion layer 5b formed on the surface of the first adhesion layer 5a and containing metal. And is formed so as not to protrude from the second insulating layer 2y. Furthermore, the second wiring layer 3 y is formed so as to cover the via layer 6. Further, in the third embodiment, the via layer 6 does not protrude from the second wiring layer 3y, i.e., the top T 6 via layer 6, not to protrude from the top T 3y of the second wiring layer 3y (thickness One feature is that it does not protrude toward the cover layer 4 in the vertical direction. In FIG. 12A, the second wiring layer 3y is electrically connected to the metal support substrate 1. However, as shown in FIG. 12B, the second wiring layer 3y is the first wiring layer 3x. In addition, the metal support board 1 may be electrically connected.

第三実施態様によれば、ビア層が第二配線層から突出しないことから、ビア層の突出による弊害を防止できる。そのため、例えば、実装される素子(磁気ヘッドスライダ等の記録再生用素子)の平坦性を阻害しないという利点がある。また、例えばビア層が第二絶縁層から突出しない場合、ビア層の形状制御が容易になり、ビア層の近傍に存在する第二配線層等に悪影響を与えないという利点がある。また、第三実施態様のサスペンション用基板は、通常、開口部における第二配線層が開口部の周囲における第二配線層から突出しない形状を有する。   According to the third embodiment, since the via layer does not protrude from the second wiring layer, it is possible to prevent an adverse effect due to the protrusion of the via layer. Therefore, for example, there is an advantage that the flatness of the mounted element (recording / reproducing element such as a magnetic head slider) is not hindered. Further, for example, when the via layer does not protrude from the second insulating layer, there is an advantage that the shape of the via layer can be easily controlled and the second wiring layer existing in the vicinity of the via layer is not adversely affected. The suspension substrate of the third embodiment usually has a shape in which the second wiring layer in the opening does not protrude from the second wiring layer around the opening.

さらに、第三実施態様によれば、ビア層および金属支持基板の間に特定の密着層を設けることから、密着性が向上し、ビア層の小径化を図ることができる。密着性が向上する理由は、金属支持基板(ステンレス鋼)と、第一密着層(NiまたはCuを含有する層)との間に不動態膜等の密着性を阻害するものがないからであると考えられる。このように、第三実施態様のサスペンション用基板は、ビア層の突出による弊害を防止でき、かつ、ビア層の小径化が図れる。また、第三実施態様におけるビア層は、後述するように、平面視上、第二配線層に覆われて完全に隠れた状態(ブラインドビア層)であることが好ましい。
以下、第三実施態様のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
Furthermore, according to the third embodiment, since the specific adhesion layer is provided between the via layer and the metal support substrate, the adhesion is improved and the diameter of the via layer can be reduced. The reason why the adhesion is improved is that there is nothing that inhibits the adhesion of a passive film or the like between the metal support substrate (stainless steel) and the first adhesion layer (layer containing Ni or Cu). it is conceivable that. As described above, the suspension substrate according to the third embodiment can prevent the adverse effect caused by the protrusion of the via layer and can reduce the diameter of the via layer. In addition, as described later, the via layer in the third embodiment is preferably in a state of being completely hidden (blind via layer) covered with the second wiring layer in plan view.
Hereinafter, the suspension substrate according to the third embodiment will be described separately for the suspension substrate member and the configuration of the suspension substrate.

(1)サスペンション用基板の部材
まず、第三実施態様のサスペンション用基板の部材について説明する。第三実施態様のサスペンション用基板は、金属支持基板、第一絶縁層、第一配線層、第二絶縁層、第二配線層を少なくとも有するものである。第一絶縁層および第二絶縁層は、上述した第一実施態様における絶縁層と同様であり、第一配線層および第二配線層は、上述した第一実施態様における配線層と同様であるので、ここでの説明は省略する。
(1) Suspension Substrate Member First, the suspension substrate member of the third embodiment will be described. The suspension substrate of the third embodiment has at least a metal support substrate, a first insulating layer, a first wiring layer, a second insulating layer, and a second wiring layer. The first insulating layer and the second insulating layer are the same as the insulating layer in the first embodiment described above, and the first wiring layer and the second wiring layer are the same as the wiring layer in the first embodiment described above. Explanation here is omitted.

(2)サスペンション用基板の構成
次に、第三実施態様のサスペンション用基板の構成について説明する。第三実施態様のサスペンション用基板は、第一絶縁層の開口部における金属支持基板の表面上に、密着層、ビア層および第二配線層をこの順で有することを一つの特徴とする。第一絶縁層の開口部の形状は、特に限定されるものではなく、例えば、円、楕円状、任意の多角形、櫛状、十字状、棒状等を挙げることができる。
(2) Configuration of Suspension Substrate Next, the configuration of the suspension substrate of the third embodiment will be described. One feature of the suspension substrate of the third embodiment is that it has an adhesion layer, a via layer, and a second wiring layer in this order on the surface of the metal support substrate in the opening of the first insulating layer. The shape of the opening of the first insulating layer is not particularly limited, and examples thereof include a circle, an ellipse, an arbitrary polygon, a comb, a cross, and a rod.

第三実施態様における密着層およびビア層については、上述した第一実施態様における密着層およびビア層と同様である。   The adhesion layer and via layer in the third embodiment are the same as the adhesion layer and via layer in the first embodiment described above.

第三実施態様における第二配線層は、通常、ビア層を覆うように形成されるものである。また、第三実施態様においては、ビア層が第二配線層から突出しないことを一つの特徴とする。第三実施態様における第二配線層は、ビア層を覆うように形成されるため、通常、開口を有していない。また、第三実施態様における第二配線層は、平面視上、ビア層の少なくとも一部を覆っていれば良いが、より多くの部分を覆っていることが好ましく、完全にビア層を覆うことが好ましい。すなわち、ビア層は、平面視上、第二配線層に覆われて完全に隠れた状態(ブラインドビア層)であることが好ましい。ビア層の突出を防止でき、かつ、ビア層の小径化が図れるからである。   The second wiring layer in the third embodiment is usually formed so as to cover the via layer. In the third embodiment, one feature is that the via layer does not protrude from the second wiring layer. Since the second wiring layer in the third embodiment is formed so as to cover the via layer, it usually does not have an opening. In addition, the second wiring layer in the third embodiment may cover at least a part of the via layer in plan view, but it preferably covers a larger part and completely covers the via layer. Is preferred. That is, the via layer is preferably in a state (blind via layer) completely covered with the second wiring layer in plan view. This is because the protrusion of the via layer can be prevented and the diameter of the via layer can be reduced.

また、第三実施態様における第二配線層は、第二絶縁層との接触面に、シード層を有していること好ましい。なお、製造プロセスによっては、第二絶縁層との接触面のみならず、第一絶縁層の開口部におけるビア層等との接触面にもシード層が形成される場合がある。シード層については、上述した第一実施態様に記載した内容と同様である。   Moreover, it is preferable that the 2nd wiring layer in a 3rd embodiment has a seed layer in a contact surface with a 2nd insulating layer. Depending on the manufacturing process, the seed layer may be formed not only on the contact surface with the second insulating layer but also on the contact surface with the via layer or the like in the opening of the first insulating layer. The seed layer is the same as that described in the first embodiment.

また、図13に示すように、第二絶縁層2yの頂部の位置T2yと密着層5の頂部の位置Tとの差をtとし、第二絶縁層2yの頂部の位置T2yとビア層6の頂部の位置Tとの差をtとする。第三実施態様においては、通常、密着層5が第二絶縁層2yから突出しないように形成されるため、tは通常、0以上となる。中でも、図13に示すように、通常は密着層5の上にはビア層6が形成される。そのため、tは、例えば2μm以上であり、4μm〜20μmの範囲内であることが好ましい。また、第三実施態様において、ビア層および第二絶縁層は、厚さ方向での頂部の位置が等しいこと(面一であること)が好ましい。第二配線層の平坦性が確保されるからである。「厚さ方向での頂部の位置が等しい」とは、tが±2μm以内になることをいう。なお、図13のように、第二絶縁層2yがビア層6よりも突出している場合のtを正とし、逆にビア層6が第二絶縁層2yよりも突出している場合のtを負とする。また、ビア層は第二絶縁層よりも突出しないことが好ましい。「ビア層が第二絶縁層よりも突出しない」とは、tが面一である場合の値よりも大きい状態をいう。 Further, as shown in FIG. 13, the difference between the position T 5 of the top of the contact layer 5 and the position T 2y of the top of the second insulating layer 2y and t 3, the position T 2y of the top of the second insulating layer 2y The difference from the top position T 6 of the via layer 6 is defined as t 4 . In a third embodiment, normally, since the adhesion layer 5 is formed so as not to protrude from the second insulating layer 2y, t 3 will normally be zero or more. In particular, as shown in FIG. 13, the via layer 6 is usually formed on the adhesion layer 5. Therefore, t 3 is, for example, 2μm or more, preferably in the range of 4Myuemu~20myuemu. In the third embodiment, the via layer and the second insulating layer preferably have the same top position in the thickness direction (that is, they are flush). This is because the flatness of the second wiring layer is ensured. “The positions of the tops in the thickness direction are equal” means that t 4 is within ± 2 μm. Incidentally, as shown in FIG. 13, when the t 4 when the second insulating layer 2y is protruded than the via layer 6 is positive, the via layer 6 in the opposite protrudes from the second insulating layer 2y t 4 Is negative. Further, it is preferable that the via layer does not protrude from the second insulating layer. “The via layer does not protrude more than the second insulating layer” refers to a state where t 4 is larger than the value when flush.

また、第三実施態様においては、図14(a)に示すように、第二密着層5bおよびビア層6が同一の層であっても良い。両層が同一の層であることにより、製造工程の簡略化を図ることができる。ここで、「第二密着層およびビア層が同一の層である」ことについては、上述した第一実施態様に記載した内容と同様である。   In the third embodiment, as shown in FIG. 14A, the second adhesion layer 5b and the via layer 6 may be the same layer. Since both layers are the same layer, the manufacturing process can be simplified. Here, “the second adhesion layer and the via layer are the same layer” is the same as that described in the first embodiment.

また、第三実施態様においては、図14(b)に示すように、ビア層6および第二配線層3yが同一の層であっても良い。両層が同一の層であることにより、製造工程の簡略化を図ることができる。「同一の層である」ことの定義は、上述した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、第三実施態様におけるビア層および第二配線層は、異なる層であっても良い。   In the third embodiment, as shown in FIG. 14B, the via layer 6 and the second wiring layer 3y may be the same layer. Since both layers are the same layer, the manufacturing process can be simplified. Since the definition of “same layer” is the same as the above-described content, description thereof is omitted here. Further, the via layer and the second wiring layer in the third embodiment may be different layers.

また、第三実施態様においては、図15に示すように、第一配線層3xおよび金属支持基板1を接続するビア層6が、第二配線層と同じ材料から構成されていても良い。第二配線層の形成と同時にビア層6を形成でき、製造工程の簡略化を図ることができるからである。   In the third embodiment, as shown in FIG. 15, the via layer 6 that connects the first wiring layer 3x and the metal support substrate 1 may be made of the same material as the second wiring layer. This is because the via layer 6 can be formed simultaneously with the formation of the second wiring layer, and the manufacturing process can be simplified.

また、第三実施態様においては、図12(a)に示すように、第一絶縁層2xの開口端部が、水平方向(厚さ方向とは直交する方向)において、第二絶縁層2yの開口端部よりも突出していることが好ましい。すなわち、平面視上、第二絶縁層2yの開口部が、第一絶縁層2xの開口部を包含するように形成されていることが好ましい。段差構造とすることで、応力集中を緩和でき、長期使用時の劣化を抑制できるからである。ここで、第一絶縁層2xの開口端部と、第二絶縁層2yの開口端部との差をWとする。Wは例えば5μm以上であることが好ましく、8μm〜30μmの範囲内であることが好ましい。 In the third embodiment, as shown in FIG. 12A, the opening end of the first insulating layer 2x is in the horizontal direction (the direction perpendicular to the thickness direction) of the second insulating layer 2y. It is preferable to protrude from the opening end. That is, in plan view, the opening of the second insulating layer 2y is preferably formed so as to include the opening of the first insulating layer 2x. This is because the step structure can alleviate stress concentration and suppress deterioration during long-term use. Here, the open end of the first insulating layer 2x, the difference between the open end of the second insulating layer 2y and W 1. W 1 is preferably 5 μm or more, for example, and preferably in the range of 8 μm to 30 μm.

また、第三実施態様においては、図12(b)に示すように、第一絶縁層2xの開口端部が、水平方向(厚さ方向とは直交する方向)において、第一配線層3xの開口端部よりも突出していることが好ましい。同様に、第一配線層3xの開口端部は、水平方向において、第二絶縁層2yの開口端部よりも突出していることが好ましい。すなわち、平面視上、第一配線層3xの開口部が、第一絶縁層2xの開口部を包含するように形成されていることが好ましい。同様に、第二絶縁層2yの開口部が、第一配線層3xの開口部を包含するように突出していることが好ましい。段差構造とすることで、応力集中を緩和でき、長期使用時の劣化を抑制できるからである。ここで、第一絶縁層2xの開口端部と、第一配線層3xの開口端部との差をWとし、第一配線層3xの開口端部と第二絶縁層2yの開口端部との差をWとする。Wは、例えば2μm〜10μmの範囲内であることが好ましい。Wは、例えば5μm以上であることが好ましく、8μm〜30μmの範囲内であることが好ましい。また、図12(c)に示すように、第一絶縁層2xの開口端部は、水平方向において、第一配線層3xの開口端部と同一であっても良い。「同一」とは、水平方向における両開口端部の差が2μm未満であることをいう。さらに、図12(d)に示すように、第一配線層3xの開口端部は、水平方向において、第一絶縁層2xの開口端部よりも突出していても良い。ここで、第一配線層3xの開口端部と、第一絶縁層2xの開口端部との差をWとする。Wは、例えば2μm〜5μmの範囲内であることが好ましい。 Further, in the third embodiment, as shown in FIG. 12B, the opening end of the first insulating layer 2x is in the horizontal direction (direction perpendicular to the thickness direction) of the first wiring layer 3x. It is preferable to protrude from the opening end. Similarly, it is preferable that the opening end portion of the first wiring layer 3x protrudes more than the opening end portion of the second insulating layer 2y in the horizontal direction. That is, in plan view, the opening of the first wiring layer 3x is preferably formed so as to include the opening of the first insulating layer 2x. Similarly, it is preferable that the opening of the second insulating layer 2y protrudes so as to include the opening of the first wiring layer 3x. This is because the step structure can alleviate stress concentration and suppress deterioration during long-term use. Here, the open end of the first insulating layer 2x, the difference between the open end of the first wiring layer 3x and W 2, open end of the open end of the first wiring layer 3x and the second insulating layer 2y The difference from is W 3 . W 2 is preferably in the range of 2 μm to 10 μm, for example. W 3 is preferably 5 μm or more, for example, and preferably in the range of 8 μm to 30 μm. As shown in FIG. 12C, the opening end of the first insulating layer 2x may be the same as the opening end of the first wiring layer 3x in the horizontal direction. “Same” means that the difference between both opening ends in the horizontal direction is less than 2 μm. Furthermore, as shown in FIG. 12D, the opening end of the first wiring layer 3x may protrude from the opening end of the first insulating layer 2x in the horizontal direction. Here, the open end of the first wiring layer 3x, the difference between the open end of the first insulating layer 2x and W 4. W 4 is preferably in the range of 2 μm to 5 μm, for example.

なお、第三実施態様におけるビア層の用途およびその他の事項については、上述した第一実施態様および第二実施態様に記載した事項と同様であるので、ここでの記載は省略する。   The use of the via layer and other matters in the third embodiment are the same as the matters described in the first embodiment and the second embodiment described above, and thus the description thereof is omitted here.

4.第四実施態様
次に、本発明のサスペンション用基板の第四実施態様について説明する。第四実施態様のサスペンション用基板は、ステンレス鋼である金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、上記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板であって、上記第一絶縁層の開口部における上記金属支持基板の表面上に、第一密着層および上記第二配線層がこの順で形成され、上記第一密着層は、NiまたはCuを含有するストライクめっき層であり、上記開口部における上記第二配線層は、上記開口部の周囲における上記第二配線層から突出しないことを特徴とするものである。
4). Fourth Embodiment Next, a fourth embodiment of the suspension substrate of the present invention will be described. The suspension substrate of the fourth embodiment includes a metal support substrate made of stainless steel, a first insulating layer formed on the metal support substrate, a first wiring layer formed on the first insulating layer, A suspension substrate having a second insulating layer formed on the first wiring layer and a second wiring layer formed on the second insulating layer, wherein the suspension substrate has an opening in the opening of the first insulating layer. A first adhesion layer and the second wiring layer are formed in this order on the surface of the metal support substrate, and the first adhesion layer is a strike plating layer containing Ni or Cu, and the opening in the opening The second wiring layer does not protrude from the second wiring layer around the opening.

図16は、第四実施態様のサスペンション用基板を例示する概略断面図である。図16(a)に示すように、第四実施態様においては、第一絶縁層2xの開口部における金属支持基板1の表面上に、第一密着層5aおよび第二配線層3yがこの順で形成されている。第一密着層5aは、NiまたはCuを含有するストライクめっき層である。さらに、第二配線層3yは、第一絶縁層2xの開口部を覆うように形成されている。また、第四実施態様においては、開口部における第二配線層3yが開口部の周囲における第二配線層3yから突出しないこと、すなわち、開口部における第二配線層3yの頂部T3Cが開口部の周囲における第二配線層3yの頂部T3Dよりも突出しないこと(厚さ方向においてカバー層4側に張り出さないこと)を一つの特徴とする。なお、図16(a)では、第二配線層3yが金属支持基板1と電気的に接続されているが、図16(b)に示すように、第二配線層3yが第一配線層3xおよび金属支持基板1と電気的に接続されていても良い。また、開口部における第二配線層3yの頂部T3Cとは、第一絶縁層2xの開口部において、最もカバー層4側に突出した第二配線層3yの部分をいう。同様に、開口部の周囲における第二配線層3yの頂部T3Dとは、第一絶縁層2xの開口部の周囲において、最もカバー層4側に突出した第二配線層3yの部分をいう。第一絶縁層2xの開口部の周囲とは、第一絶縁層2xの開口部の端部から、第一絶縁層2xの開口部サイズを2倍にした場合の端部までの領域をいう。 FIG. 16 is a schematic cross-sectional view illustrating the suspension substrate of the fourth embodiment. As shown in FIG. 16A, in the fourth embodiment, the first adhesion layer 5a and the second wiring layer 3y are arranged in this order on the surface of the metal supporting board 1 in the opening of the first insulating layer 2x. Is formed. The first adhesion layer 5a is a strike plating layer containing Ni or Cu. Furthermore, the second wiring layer 3y is formed so as to cover the opening of the first insulating layer 2x. In the fourth embodiment, the second wiring layer 3y at the opening does not protrude from the second wiring layer 3y at the periphery of the opening, i.e., top T 3C of the second wiring layer 3y in opening opening One feature is that it does not protrude from the top portion T 3D of the second wiring layer 3y in the vicinity of (not to protrude toward the cover layer 4 in the thickness direction). In FIG. 16A, the second wiring layer 3y is electrically connected to the metal support substrate 1. However, as shown in FIG. 16B, the second wiring layer 3y is the first wiring layer 3x. In addition, the metal support board 1 may be electrically connected. Further, the top T 3C of the second wiring layer 3y in the opening refers to a portion of the second wiring layer 3y that protrudes most to the cover layer 4 side in the opening of the first insulating layer 2x. Similarly, the top portion T 3D of the second wiring layer 3y around the opening, around the aperture in the first insulating layer 2x, refers to a portion of the second wiring layer 3y protruding most cover layer 4 side. The periphery of the opening of the first insulating layer 2x refers to a region from the end of the opening of the first insulating layer 2x to the end when the opening size of the first insulating layer 2x is doubled.

第四実施態様によれば、開口部における第二配線層が周囲の第二配線層よりも突出しないことから、ビア部分(第一絶縁層および第二絶縁層の開口部に形成された第二配線層)の突出による弊害を防止できる。そのため、例えば、実装される素子(磁気ヘッドスライダ等の記録再生用素子)の平坦性を阻害しないという利点がある。また、図4に示すように、従来は、配線層に開口を有するランド部を設ける必要があるが、第四実施態様によれば、第一絶縁層の開口部を覆うように第二配線層を設けるため、ランド部のサイズを小さくすることができるという利点がある。   According to the fourth embodiment, since the second wiring layer in the opening does not protrude from the surrounding second wiring layer, the via portion (the second insulating layer formed in the opening of the first insulating layer and the second insulating layer) It is possible to prevent adverse effects caused by the protrusion of the wiring layer. Therefore, for example, there is an advantage that the flatness of the mounted element (recording / reproducing element such as a magnetic head slider) is not hindered. Further, as shown in FIG. 4, conventionally, it is necessary to provide a land portion having an opening in the wiring layer. According to the fourth embodiment, the second wiring layer is formed so as to cover the opening portion of the first insulating layer. Therefore, there is an advantage that the size of the land portion can be reduced.

さらに、第四実施態様によれば、第二配線層および金属支持基板の間に特定の第一密着層を設けることから、密着性が向上し、ビア部分の小径化を図ることができる。密着性が向上する理由は、金属支持基板(ステンレス鋼)と、第一密着層(NiまたはCuを含有する層)との間に不動態膜等の密着性を阻害するものがないからであると考えられる。このように、第四実施態様のサスペンション用基板は、ビア部分の突出による弊害を防止でき、かつ、ビア部分の小径化が図れる。   Furthermore, according to the fourth embodiment, since the specific first adhesion layer is provided between the second wiring layer and the metal support substrate, the adhesion is improved and the diameter of the via portion can be reduced. The reason why the adhesion is improved is that there is nothing that inhibits the adhesion of a passive film or the like between the metal support substrate (stainless steel) and the first adhesion layer (layer containing Ni or Cu). it is conceivable that. As described above, the suspension substrate of the fourth embodiment can prevent the adverse effects caused by the protrusion of the via portion and can reduce the diameter of the via portion.

なお、第四実施態様のサスペンション用基板の部材および構成は、上述した第三実施態様に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、第一密着層および第二配線層の間には、第二密着層およびビア層の少なくとも一方が形成されていても良い。   In addition, since the member and structure of the board | substrate for suspensions of a 4th embodiment are the same as the content described in the 3rd embodiment mentioned above, description here is abbreviate | omitted. Further, at least one of the second adhesion layer and the via layer may be formed between the first adhesion layer and the second wiring layer.

B.サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするものである。
B. Suspension Next, the suspension of the present invention will be described. The suspension according to the present invention includes the suspension substrate described above and a load beam provided on the surface of the suspension substrate on the metal support substrate side.

図17は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図17に示されるサスペンション300は、上述したサスペンション用基板100と、サスペンション用基板100の金属支持基板側の表面に設けられたロードビーム200とを有するものである。   FIG. 17 is a schematic plan view showing an example of the suspension of the present invention. A suspension 300 shown in FIG. 17 includes the suspension substrate 100 described above and a load beam 200 provided on the surface of the suspension substrate 100 on the metal support substrate side.

本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、ビアの突出による弊害を防止でき、かつ、ビアの小径化を図ることができるサスペンションとすることができる。   According to the present invention, by using the suspension substrate described above, it is possible to provide a suspension that can prevent the adverse effects caused by the protrusion of the via and can reduce the diameter of the via.

本発明のサスペンションは、少なくともサスペンション用基板およびロードビームを有する。本発明におけるサスペンション用基板については、上記「A.サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。一方、本発明におけるロードビームは、サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられるものである。ロードビームの材料は、特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、ステンレス鋼であることが好ましい。   The suspension of the present invention has at least a suspension substrate and a load beam. The suspension substrate in the present invention is the same as the content described in the above “A. Suspension substrate”, and therefore description thereof is omitted here. On the other hand, the load beam in the present invention is provided on the surface of the suspension substrate on the metal support substrate side. Although the material of the load beam is not particularly limited, for example, a metal can be used, and stainless steel is preferable.

C.素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とするものである。
C. Next, the suspension with an element of the present invention will be described. A suspension with an element of the present invention includes the above-described suspension and a recording / reproducing element disposed on the suspension.

図18は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図18に示される素子付サスペンション400は、上述したサスペンション300と、サスペンション300(サスペンション用基板100の記録再生用素子実装領域101)に実装された記録再生用素子301とを有するものである。   FIG. 18 is a schematic plan view showing an example of the suspension with an element of the present invention. 18 includes the above-described suspension 300 and the recording / reproducing element 301 mounted on the suspension 300 (recording / reproducing element mounting region 101 of the suspension substrate 100).

本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、ビアの突出による弊害を防止でき、かつ、ビアの小径化を図ることができる素子付サスペンションとすることができる。   According to the present invention, by using the above-described suspension, it is possible to provide a suspension with an element that can prevent adverse effects due to the protrusion of the via and can reduce the diameter of the via.

本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび記録再生用素子を有する。本発明におけるサスペンションについては、上記「B.サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、記録再生用素子は、特に限定されるものではないが、磁気発生素子を有するものが好ましい。具体的には、磁気ヘッドスライダを挙げることができる。さらに、本発明の素子付サスペンションは、熱アシスト用素子およびアクチュエータ素子の少なくとも一方をさらに有することが好ましい。   The suspension with an element of the present invention includes at least a suspension and a recording / reproducing element. The suspension according to the present invention is the same as the content described in “B. Suspension” above, and thus the description thereof is omitted here. The recording / reproducing element is not particularly limited, but preferably has a magnetic generating element. Specifically, a magnetic head slider can be mentioned. Furthermore, it is preferable that the suspension with an element of the present invention further includes at least one of a thermal assist element and an actuator element.

熱アシスト用素子は、記録再生用素子の記録を熱によりアシストできるものであれば特に限定されるものではない。中でも、本発明における熱アシスト用素子は、光を利用した素子であることが好ましい。光ドミナント記録方式による熱アシスト記録を行うことができるからである。光を利用した熱アシスト用素子としては、例えば半導体レーザーダイオード素子を挙げることができる。半導体レーザーダイオード素子は、pn型の素子であっても良く、pnp型またはnpn型の素子であっても良い。   The heat assisting element is not particularly limited as long as it can assist recording by the recording / reproducing element with heat. Among them, the heat assist element in the present invention is preferably an element using light. This is because heat-assisted recording by an optical dominant recording method can be performed. Examples of the heat assist element using light include a semiconductor laser diode element. The semiconductor laser diode element may be a pn-type element, or a pnp-type or npn-type element.

アクチュエータ素子は、通常、マイクロアクチュエータ、ミリアクチュエータが該当する。アクチュエータ素子としては、例えばピエゾ素子を挙げることができる。ピエゾ素子としては、例えばPZTからなるものを挙げることができる。ピエゾ素子の伸縮応答を利用することで、サブミクロン単位での位置決めを行うことができる。また、ピエゾ素子には、エネルギー効率が高い、耐荷重が大きい、応答性が速い、摩耗劣化がない、磁場が発生しないという利点がある。また、本発明においては、2極のピエゾ素子を1個用いても良い。1極のピエゾ素子を2個用いても良い。   The actuator element usually corresponds to a microactuator or a milliactuator. Examples of the actuator element include a piezo element. As the piezo element, for example, one made of PZT can be cited. By using the expansion / contraction response of the piezo element, positioning can be performed in submicron units. In addition, the piezoelectric element has advantages such as high energy efficiency, large load resistance, fast response, no wear deterioration, and no magnetic field. In the present invention, a single bipolar piezo element may be used. Two unipolar piezoelectric elements may be used.

D.ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするものである。
D. Next, the hard disk drive of the present invention will be described. The hard disk drive of the present invention has the above-described suspension with an element.

図19は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図19に示されるハードディスクドライブ500は、上述した素子付サスペンション400と、素子付サスペンション400がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク401と、ディスク401を回転させるスピンドルモータ402と、素子付サスペンション400の素子を移動させるアーム403およびボイスコイルモータ404と、上記の部材を密閉するケース405とを有するものである。   FIG. 19 is a schematic plan view showing an example of the hard disk drive of the present invention. A hard disk drive 500 shown in FIG. 19 includes the above-described suspension 400 with an element, a disk 401 on which data is written and read by the suspension 400 with an element, a spindle motor 402 that rotates the disk 401, and the elements of the suspension 400 with an element. Arm 403 and voice coil motor 404, and a case 405 for sealing the above members.

本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。   According to the present invention, a hard disk drive with higher functionality can be obtained by using the above-described suspension with an element.

本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「C.素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。   The hard disk drive of the present invention has at least a suspension with an element, and usually further includes a disk, a spindle motor, an arm, and a voice coil motor. Since the suspension with an element is the same as the content described in “C. Suspension with an element”, description thereof is omitted here. As other members, the same members as those used in a general hard disk drive can be used.

E.サスペンション用基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、4つの実施態様に大別することができる。本発明のサスペンション用基板の製造方法について、第一実施態様〜第四実施態様に分けて説明する。
E. Next, a method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention will be described. The method for manufacturing a suspension substrate of the present invention can be roughly divided into four embodiments. The manufacturing method of the suspension substrate according to the present invention will be described separately for the first to fourth embodiments.

1.第一実施態様
第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、ステンレス鋼である金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板の製造方法であって、開口部を有する上記絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層の上記開口部に、NiまたはCuを含有する第一密着層と、上記第一密着層の表面上に形成され、金属を含有する第二密着層とから構成され、かつ、上記絶縁層から突出しない密着層を形成する密着層形成工程と、上記密着層上に、ビア層を形成するビア層形成工程と、上記ビア層を覆う配線層を形成する配線層形成工程と、を有し、上記ビア層を上記配線層から突出させないことを特徴とするものである。
1. First Embodiment A method for manufacturing a suspension substrate according to a first embodiment includes a metal support substrate made of stainless steel, an insulating layer formed on the metal support substrate, and a wiring layer formed on the insulating layer. A method of manufacturing a suspension substrate, comprising: an insulating layer forming step of forming the insulating layer having an opening; a first adhesion layer containing Ni or Cu in the opening of the insulating layer; An adhesion layer forming step of forming an adhesion layer formed on the surface of the first adhesion layer, comprising a second adhesion layer containing a metal and not protruding from the insulating layer, and on the adhesion layer, A via layer forming step of forming a via layer; and a wiring layer forming step of forming a wiring layer covering the via layer, wherein the via layer is not protruded from the wiring layer.

図20は、第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図20においては、まず、金属支持部材1Aと、その金属支持部材1A上に形成された絶縁層2と、を有する部材を準備する(図20(a))。次に、絶縁層2の開口部において露出する、金属支持部材1Aの表面に対して、前処理を行い、ストライクめっき法により第一密着層5aを形成する。その後、第一密着層5aの表面上に、電解めっき法により第二密着層5bを形成する(図20(b))。次に、第二密着層5b上に、めっき法または印刷法により、ビア層6を形成する(図20(c))。   FIG. 20 is a schematic cross-sectional view showing an example of a manufacturing method of the suspension substrate of the first embodiment. In FIG. 20, first, a member having a metal support member 1A and an insulating layer 2 formed on the metal support member 1A is prepared (FIG. 20A). Next, pretreatment is performed on the surface of the metal support member 1A exposed at the opening of the insulating layer 2, and the first adhesion layer 5a is formed by a strike plating method. Thereafter, a second adhesion layer 5b is formed on the surface of the first adhesion layer 5a by an electrolytic plating method (FIG. 20B). Next, the via layer 6 is formed on the second adhesion layer 5b by plating or printing (FIG. 20C).

次に、図示しないが、ビア層6および絶縁層2の表面上に、スパッタリング法によりシード層を形成し、シード層の表面上に、DFR(ドライフィルムレジスト)を用いて所定のレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンから露出するシード層上に、電解めっき法により、配線層3を形成する(図20(d))。次に、不要なレジストパターンおよびシード層を除去し、配線層3を覆うカバー層4を形成する(図20(e))。次に、金属支持部材1Aに対してウェットエッチングを行うことにより、金属支持部材1Aの外形加工を行い、金属支持基板1を形成する(図20(f))。これにより、サスペンション用基板を得る。   Next, although not shown, a seed layer is formed on the surface of the via layer 6 and the insulating layer 2 by sputtering, and a predetermined resist pattern is formed on the surface of the seed layer using DFR (dry film resist). To do. Thereafter, the wiring layer 3 is formed on the seed layer exposed from the resist pattern by electrolytic plating (FIG. 20D). Next, an unnecessary resist pattern and seed layer are removed, and a cover layer 4 covering the wiring layer 3 is formed (FIG. 20E). Next, by performing wet etching on the metal support member 1A, the metal support member 1A is trimmed to form the metal support substrate 1 (FIG. 20F). Thereby, a suspension substrate is obtained.

第一実施態様によれば、ビア層が配線層から突出しないことから、ビア層の突出による弊害を防止できる。さらに、第一実施態様によれば、ビア層および金属支持基板の間に特定の密着層を形成することから、密着性が向上し、ビア層の小径化を図ることができる。このように、ビア層の突出による弊害を防止でき、かつ、ビア層の小径化が図れるサスペンション用基板を得ることができる。
以下、第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
According to the first embodiment, since the via layer does not protrude from the wiring layer, it is possible to prevent an adverse effect due to the protrusion of the via layer. Furthermore, according to the first embodiment, since the specific adhesion layer is formed between the via layer and the metal support substrate, the adhesion is improved and the diameter of the via layer can be reduced. In this manner, a suspension substrate can be obtained in which the adverse effects due to the protrusion of the via layer can be prevented and the diameter of the via layer can be reduced.
Hereinafter, the manufacturing method of the suspension substrate according to the first embodiment will be described step by step.

(1)絶縁層形成工程
第一実施態様における絶縁層形成工程は、開口部を有する上記絶縁層を形成する工程である。
(1) Insulating layer forming step The insulating layer forming step in the first embodiment is a step of forming the insulating layer having an opening.

絶縁層の形成方法は、金属支持基板(金属支持部材)上に、パターン状の絶縁層を形成できる方法であれば特に限定されるものではない。絶縁層の形成方法の一例としては、金属支持部材および絶縁部材から構成される2層材を用意し、その絶縁部材に対してドライフィルムレジスト(DFR)等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する絶縁部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、絶縁部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば絶縁部材の材料がポリイミド樹脂である場合は、アルカリ系エッチング液等を用いることができる。また、絶縁層の形成方法の他の例としては、金属支持部材上に、感光性材料の絶縁膜を形成し、露光現像する方法を挙げることができる。   The method for forming the insulating layer is not particularly limited as long as it can form a patterned insulating layer on a metal supporting substrate (metal supporting member). As an example of a method for forming an insulating layer, a two-layer material composed of a metal support member and an insulating member is prepared, and a resist pattern is formed on the insulating member using a dry film resist (DFR) or the like. A method of wet etching the insulating member exposed from the resist pattern can be mentioned. The type of etchant used for wet etching is preferably selected as appropriate according to the type of insulating member. For example, when the material of the insulating member is a polyimide resin, an alkaline etchant or the like can be used. Another example of the method for forming the insulating layer is a method in which an insulating film of a photosensitive material is formed on a metal support member, and is exposed and developed.

(2)密着層形成工程
第一実施態様における密着層形成工程は、上記絶縁層の上記開口部に、NiまたはCuを含有する第一密着層と、上記第一密着層の表面上に形成され、金属を含有する第二密着層とから構成され、かつ、上記絶縁層から突出しない密着層を形成する工程である。
(2) Adhesion layer forming step The adhesion layer forming step in the first embodiment is formed on the surface of the first adhesion layer and the first adhesion layer containing Ni or Cu in the opening of the insulating layer. And a step of forming an adhesion layer which is composed of a second adhesion layer containing a metal and which does not protrude from the insulating layer.

第一密着層の形成方法は、特に限定されるものではないが、例えば、ストライクめっき法を挙げることができる。ストライクめっき法を用いることにより、金属支持基板との密着性が良好な第一密着層を得ることができる。ストライクめっき法は、通常、低イオン濃度の電解浴を用い、高い電流密度で薄いめっきを短期間に形成する方法である。また、第一実施態様においては、第一密着層を形成する前に、金属支持部材の表面を活性化する前処理を行うことが好ましい。このような前処理としては、プラズマ処理、酸洗浄処理、電解洗浄処理等を挙げることができる。   Although the formation method of a 1st contact | adherence layer is not specifically limited, For example, the strike plating method can be mentioned. By using the strike plating method, a first adhesion layer having good adhesion to the metal support substrate can be obtained. The strike plating method is a method of forming a thin plating at a high current density in a short period of time usually using an electrolytic bath having a low ion concentration. In the first embodiment, it is preferable to perform a pretreatment for activating the surface of the metal support member before forming the first adhesion layer. Examples of such pretreatment include plasma treatment, acid washing treatment, electrolytic washing treatment, and the like.

第二密着層の形成方法は、特に限定されるものではないが、例えば、めっき法を挙げることができ、中でも電解めっき法が好ましい。例えば、Cuめっきから構成される第二密着層を形成する場合、用いられる電解Cuめっき浴としては、硫酸銅浴、ピロリン酸銅浴、青化銅浴等を挙げることができる。また、Niめっきから構成される第二密着層を形成する場合、用いられる電解Niめっき浴としては、ワット浴およびスルファミン酸浴等を挙げることができる。また、電解めっきの条件は、特に限定されるものではなく、所望の条件(めっき時間、印加電圧等)を選択すれば良い。   Although the formation method of a 2nd contact | adherence layer is not specifically limited, For example, the plating method can be mentioned, Among these, the electrolytic plating method is preferable. For example, when forming the 2nd adhesion layer comprised from Cu plating, a copper sulfate bath, a copper pyrophosphate bath, a copper bromide bath, etc. can be mentioned as an electrolytic Cu plating bath used. Moreover, when forming the 2nd contact | adherence layer comprised from Ni plating, a watt bath, a sulfamic acid bath, etc. can be mentioned as an electrolytic Ni plating bath used. Moreover, the conditions of electrolytic plating are not specifically limited, What is necessary is just to select desired conditions (plating time, applied voltage, etc.).

(3)ビア層形成工程
第一実施態様におけるビア層形成工程は、上記密着層上に、ビア層を形成する工程である。
(3) Via layer forming step The via layer forming step in the first embodiment is a step of forming a via layer on the adhesive layer.

ビア層の形成方法は、密着層および配線層を電気的に接続可能なビア層を得ることができれば特に限定されるものではないが、例えば、めっき法および印刷法を挙げることができる。また、上記めっき法は、電解めっき法であることが好ましい。電解めっき法に用いられるめっき浴は、特に限定されるものではなく、電解めっきの種類に応じて適宜選択すれば良い。また、上記印刷法としては、例えばスクリーン印刷法を挙げることができる。第一実施態様においては、金属微粒子を含有するペーストを、印刷法により密着層上に充填することで、ビア層を形成することが好ましい。   The method for forming the via layer is not particularly limited as long as a via layer capable of electrically connecting the adhesion layer and the wiring layer can be obtained, and examples thereof include a plating method and a printing method. The plating method is preferably an electrolytic plating method. The plating bath used in the electrolytic plating method is not particularly limited, and may be appropriately selected according to the type of electrolytic plating. Examples of the printing method include a screen printing method. In the first embodiment, it is preferable to form a via layer by filling a paste containing metal fine particles on the adhesion layer by a printing method.

なお、上述した図7(a)に示すように、第二密着層5bおよびビア層6が同一の層である場合、密着層形成工程における第二密着層形成処理と、ビア層形成工程とは同一の工程になる。   As shown in FIG. 7A, when the second adhesion layer 5b and the via layer 6 are the same layer, the second adhesion layer forming process in the adhesion layer forming process and the via layer forming process are as follows. It becomes the same process.

(4)配線層形成工程
第一実施態様における配線層形成工程は、上記ビア層を覆う配線層を形成する工程である。
(4) Wiring layer forming step The wiring layer forming step in the first embodiment is a step of forming a wiring layer covering the via layer.

配線層の形成方法は、特に限定されるものではないが、例えば電解めっき法等を挙げることができる。例えば、Cuめっきから構成される配線層を形成する場合、用いられる電解Cuめっき浴としては、例えば、硫酸銅浴、ピロリン酸銅浴等を挙げることができる。また、電解めっき法を用いる場合、配線層の形成前に、スパッタリング法等によりビア層および絶縁層の表面にシード層を形成することが好ましい。   Although the formation method of a wiring layer is not specifically limited, For example, the electrolytic plating method etc. can be mentioned. For example, when forming a wiring layer composed of Cu plating, examples of the electrolytic Cu plating bath used include a copper sulfate bath and a copper pyrophosphate bath. Moreover, when using an electroplating method, it is preferable to form a seed layer on the surface of the via layer and the insulating layer by sputtering or the like before forming the wiring layer.

なお、上述した図7(b)に示すように、ビア層6および配線層3が同一の層である場合、ビア層形成工程および配線層形成工程は同一の工程になる。必要に応じて、シード層を形成することが好ましい。   As shown in FIG. 7B, when the via layer 6 and the wiring layer 3 are the same layer, the via layer forming step and the wiring layer forming step are the same step. If necessary, it is preferable to form a seed layer.

(5)カバー層形成工程
第一実施態様においては、上記配線層上にカバー層を形成するカバー層形成工程を行うことが好ましい。カバー層の形成方法は、特に限定されるものではなく、カバー層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、カバー層の材料が感光性材料である場合には、全面形成したカバー層に露光現像を行うことによりパターン状のカバー層を得ることができる。また、カバー層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成したカバー層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状のカバー層を得ることができる。
(5) Cover layer forming step In the first embodiment, it is preferable to perform a cover layer forming step of forming a cover layer on the wiring layer. The method for forming the cover layer is not particularly limited, and is preferably selected as appropriate according to the material of the cover layer. For example, when the material of the cover layer is a photosensitive material, a patterned cover layer can be obtained by exposing and developing the cover layer formed on the entire surface. In addition, when the cover layer material is a non-photosensitive material, a predetermined resist pattern is formed on the entire surface of the cover layer, and a portion exposed from the resist pattern is removed by wet etching. The cover layer can be obtained.

(6)その他の工程
第一実施態様においては、金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程を行うことが好ましい。本工程において、通常は、金属支持基板の外形加工を行う。金属支持部材のエッチング方法は、特に限定されるものでないが、例えばウェットエッチングを挙げることができる。具体的には、金属支持部材に対してドライフィルムレジスト(DFR)等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する金属支持部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、金属支持部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば金属支持部材の材料がステンレス鋼である場合は、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。
(6) Other steps In the first embodiment, it is preferable to perform a metal support substrate forming step of etching the metal support member to form a metal support substrate. In this step, the outer shape of the metal support substrate is usually processed. Although the etching method of a metal supporting member is not specifically limited, For example, wet etching can be mentioned. Specifically, a method may be mentioned in which a resist pattern is formed on a metal support member using a dry film resist (DFR) or the like, and the metal support member exposed from the resist pattern is wet-etched. The type of etchant used for wet etching is preferably selected as appropriate according to the type of metal support member. For example, when the material of the metal support member is stainless steel, an iron chloride-based etchant or the like can be used. .

2.第二実施態様
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法の第二実施態様について説明する。第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、ステンレス鋼である金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板の製造方法であって、開口部を有する上記絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層の上記開口部に、NiまたはCuを含有するストライクめっき層である第一密着層を形成する密着層形成工程と、上記第一密着層上に、上記配線層を形成する配線層形成工程と、を有し、上記開口部における上記配線層を、上記開口部の周囲における上記配線層から突出させないことを特徴とするものである。
2. Second Embodiment Next, a second embodiment of the method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention will be described. A method of manufacturing a suspension substrate according to a second embodiment includes a metal support substrate made of stainless steel, an insulation layer formed on the metal support substrate, and a wiring layer formed on the insulation layer. And a first adhesion layer, which is a strike plating layer containing Ni or Cu, in the opening of the insulating layer, and a step of forming the insulating layer having the opening. An adhesion layer forming step to be formed; and a wiring layer forming step of forming the wiring layer on the first adhesion layer, wherein the wiring layer in the opening is connected to the wiring layer around the opening. It is characterized by not protruding from.

図21は、第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図21においては、まず、金属支持部材1Aと、その金属支持部材1A上に形成された絶縁層2と、を有する部材を準備する(図21(a))。次に、絶縁層2の開口部において露出する、金属支持部材1Aの表面に対して、前処理を行い、ストライクめっき法により第一密着層5aを形成する(図21(b))。   FIG. 21 is a schematic cross-sectional view showing an example of a manufacturing method of the suspension substrate of the second embodiment. In FIG. 21, first, a member having a metal support member 1A and an insulating layer 2 formed on the metal support member 1A is prepared (FIG. 21A). Next, pretreatment is performed on the surface of the metal support member 1A exposed at the opening of the insulating layer 2, and the first adhesion layer 5a is formed by a strike plating method (FIG. 21B).

次に、図示しないが、第一密着層5aおよび絶縁層2の表面上に、スパッタリング法によりシード層を形成し、シード層の表面上に、DFR(ドライフィルムレジスト)を用いて所定のレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンから露出するシード層上に、電解めっき法により、配線層3を形成する(図21(c))。次に、不要なレジストパターンおよびシード層を除去し、配線層3を覆うカバー層4を形成する(図21(d))。次に、金属支持部材1Aの外形加工を行い、金属支持基板1を形成する(図21(e))。これにより、サスペンション用基板を得る。   Next, although not shown, a seed layer is formed by sputtering on the surfaces of the first adhesion layer 5a and the insulating layer 2, and a predetermined resist pattern is formed on the surface of the seed layer using DFR (dry film resist). Form. Thereafter, the wiring layer 3 is formed on the seed layer exposed from the resist pattern by electrolytic plating (FIG. 21C). Next, an unnecessary resist pattern and seed layer are removed, and a cover layer 4 that covers the wiring layer 3 is formed (FIG. 21D). Next, the outer shape of the metal support member 1A is processed to form the metal support substrate 1 (FIG. 21E). Thereby, a suspension substrate is obtained.

第二実施態様によれば、開口部における配線層が周囲の配線層よりも突出しないことから、ビア部分(絶縁層の開口部に形成された配線層)の突出による弊害を防止できる。さらに、第二実施態様によれば、配線層および金属支持基板の間に特定の密着層を形成することから、密着性が向上し、ビア部分の小径化を図ることができる。このように、ビア部分の突出による弊害を防止でき、かつ、ビア部分の小径化が図れるサスペンション用基板を得ることができる。   According to the second embodiment, since the wiring layer in the opening does not protrude from the surrounding wiring layer, it is possible to prevent the adverse effect caused by the protrusion of the via portion (wiring layer formed in the opening of the insulating layer). Furthermore, according to the second embodiment, since the specific adhesion layer is formed between the wiring layer and the metal support substrate, the adhesion can be improved and the diameter of the via portion can be reduced. In this way, it is possible to obtain a suspension substrate that can prevent the adverse effects caused by the protrusion of the via portion and can reduce the diameter of the via portion.

第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、通常、絶縁層形成工程、密着層形成工程および配線層形成工程を有する。これらの工程およびその他の工程については、上述した第一実施態様に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。   The manufacturing method of the suspension substrate of the second embodiment usually includes an insulating layer forming step, an adhesion layer forming step, and a wiring layer forming step. Since these steps and other steps are the same as the contents described in the first embodiment described above, description thereof is omitted here.

3.第三実施態様
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法の第三実施態様について説明する。第三実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、ステンレス鋼である金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、上記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板の製造方法であって、開口部を有する上記第一絶縁層を形成する第一絶縁層形成工程と、上記第一絶縁層の上記開口部に、NiまたはCuを含有する第一密着層と、上記第一密着層の表面上に形成され、金属を含有する第二密着層とから構成され、かつ、上記第二絶縁層から突出しない密着層を形成する密着層形成工程と、上記密着層上に、ビア層を形成するビア層形成工程と、上記ビア層を覆う第二配線層を形成する第二配線層形成工程と、を有し、上記ビア層を上記第二配線層から突出させないことを特徴とするものである。
3. Third Embodiment Next, a third embodiment of the method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention will be described. The method of manufacturing the suspension substrate according to the third embodiment includes a metal support substrate made of stainless steel, a first insulating layer formed on the metal support substrate, and a first wiring formed on the first insulating layer. A suspension substrate having a layer, a second insulating layer formed on the first wiring layer, and a second wiring layer formed on the second insulating layer, wherein an opening is formed A first insulating layer forming step for forming the first insulating layer, a first adhesive layer containing Ni or Cu in the opening of the first insulating layer, and a surface formed on the surface of the first adhesive layer An adhesion layer forming step of forming an adhesion layer that is formed of a second adhesion layer containing metal and does not protrude from the second insulating layer, and forming a via layer on the adhesion layer And a second wiring layer forming a second wiring layer covering the via layer It includes a forming step, and the via layer is characterized in that does not project from the second wiring layer.

図22は、第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図22においては、まず、金属支持部材1A、絶縁部材2Aおよび導体部材3Aがこの順に積層された積層部材を準備する(図22(a))。次に、導体部材3Aに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、第一配線層3xを形成する(図22(b))。次に、第一配線層3x上に第二絶縁層2yを形成し(図22(c))、絶縁部材2Aをウェットエッチングすることにより、開口部を有する第一絶縁層2xを形成する(図22(d))。次に、第一絶縁層2xの開口部において露出する、金属支持部材1Aの表面に対して、前処理を行い、ストライクめっき法により第一密着層5aを形成する。その後、第一密着層5aの表面上に、電解めっき法により第二密着層5bを形成する(図22(e))。次に、第二密着層5b上に、めっき法または印刷法により、ビア層6を形成する(図22(f))。   FIG. 22 is a schematic cross-sectional view showing an example of a manufacturing method of the suspension substrate of the second embodiment. In FIG. 22, first, a laminated member in which the metal supporting member 1A, the insulating member 2A, and the conductor member 3A are laminated in this order is prepared (FIG. 22A). Next, the conductive member 3A is patterned by wet etching to form the first wiring layer 3x (FIG. 22B). Next, the second insulating layer 2y is formed on the first wiring layer 3x (FIG. 22C), and the insulating member 2A is wet-etched to form the first insulating layer 2x having an opening (FIG. 22). 22 (d)). Next, pretreatment is performed on the surface of the metal support member 1A exposed at the opening of the first insulating layer 2x, and the first adhesion layer 5a is formed by strike plating. Thereafter, the second adhesion layer 5b is formed on the surface of the first adhesion layer 5a by the electrolytic plating method (FIG. 22E). Next, the via layer 6 is formed on the second adhesion layer 5b by plating or printing (FIG. 22F).

次に、図示しないが、ビア層6および第二絶縁層2yの表面上に、スパッタリング法によりシード層を形成し、シード層の表面上に、DFR(ドライフィルムレジスト)を用いて所定のレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンから露出するシード層上に、電解めっき法により、第二配線層3yを形成する(図22(g))。次に、不要なレジストパターンおよびシード層を除去し、第二配線層3yを覆うカバー層4を形成する(図22(h))。次に、第一絶縁層2xのパターニングを行う(図22(i))。次に、金属支持部材1Aの外形加工を行い、金属支持基板1を形成する(図22(j))。これにより、サスペンション用基板を得る。   Next, although not shown, a seed layer is formed on the surfaces of the via layer 6 and the second insulating layer 2y by sputtering, and a predetermined resist pattern is formed on the surface of the seed layer using DFR (dry film resist). Form. Thereafter, the second wiring layer 3y is formed by electrolytic plating on the seed layer exposed from the resist pattern (FIG. 22G). Next, an unnecessary resist pattern and seed layer are removed, and a cover layer 4 covering the second wiring layer 3y is formed (FIG. 22H). Next, the first insulating layer 2x is patterned (FIG. 22 (i)). Next, the outer shape of the metal support member 1A is processed to form the metal support substrate 1 (FIG. 22 (j)). Thereby, a suspension substrate is obtained.

第三実施態様によれば、ビア層が第二配線層から突出しないことから、ビア層の突出による弊害を防止できる。さらに、第三実施態様によれば、ビア層および金属支持基板の間に特定の密着層を形成することから、密着性が向上し、ビア層の小径化を図ることができる。このように、ビア層の突出による弊害を防止でき、かつ、ビア層の小径化が図れるサスペンション用基板を得ることができる。   According to the third embodiment, since the via layer does not protrude from the second wiring layer, it is possible to prevent an adverse effect due to the protrusion of the via layer. Furthermore, according to the third embodiment, since the specific adhesion layer is formed between the via layer and the metal support substrate, the adhesion is improved and the diameter of the via layer can be reduced. In this manner, a suspension substrate can be obtained in which the adverse effects due to the protrusion of the via layer can be prevented and the diameter of the via layer can be reduced.

第三実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、通常、第一絶縁層形成工程、密着層形成工程、ビア層形成工程および第二配線層形成工程を有する。第一絶縁層形成工程および第二配線層形成工程については、それぞれ、上述した第一実施態様における絶縁層形成工程および配線層形成工程に記載した内容と同様である。また、その他の工程についても、上述した第一実施態様に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。   The suspension substrate manufacturing method of the third embodiment usually includes a first insulating layer forming step, an adhesion layer forming step, a via layer forming step, and a second wiring layer forming step. The first insulating layer forming step and the second wiring layer forming step are the same as the contents described in the insulating layer forming step and the wiring layer forming step in the first embodiment described above, respectively. Further, the other steps are the same as the contents described in the first embodiment described above, and therefore description thereof is omitted here.

4.第四実施態様
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法の第四実施態様について説明する。第四実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、ステンレス鋼である金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、上記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板であって、開口部を有する上記第一絶縁層を形成する第一絶縁層形成工程と、上記第一絶縁層の上記開口部に、NiまたはCuを含有するストライクめっき層である第一密着層を形成する密着層形成工程と、上記第一密着層上に、上記第二配線層を形成する第二配線層形成工程と、を有し、上記開口部における上記第二配線層を、上記開口部の周囲における上記第二配線層から突出させないことを特徴とするものである。
4). Fourth Embodiment Next, a fourth embodiment of the method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention will be described. A method for manufacturing a suspension substrate according to a fourth embodiment includes a metal support substrate made of stainless steel, a first insulating layer formed on the metal support substrate, and a first wiring formed on the first insulating layer. A suspension substrate having a layer, a second insulating layer formed on the first wiring layer, and a second wiring layer formed on the second insulating layer, wherein the first substrate has an opening. A first insulating layer forming step of forming one insulating layer; an adhesive layer forming step of forming a first adhesive layer that is a strike plating layer containing Ni or Cu in the opening of the first insulating layer; A second wiring layer forming step of forming the second wiring layer on the first adhesion layer, and the second wiring layer in the opening is separated from the second wiring layer around the opening. It is characterized by not projecting.

図23は、第四実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図23においては、まず、金属支持部材1A、絶縁部材2Aおよび導体部材3Aがこの順に積層された積層部材を準備する(図23(a))。次に、導体部材3Aに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、第一配線層3xを形成する(図23(b))。次に、第一配線層3x上に第二絶縁層2yを形成し(図23(c))、絶縁部材2Aをウェットエッチングすることにより、開口部を有する第一絶縁層2xを形成する(図23(d))。次に、第一絶縁層2xの開口部において露出する、金属支持部材1Aの表面に対して、前処理を行い、ストライクめっき法により第一密着層5aを形成する(図23(e))。   FIG. 23 is a schematic cross-sectional view showing an example of a manufacturing method of the suspension substrate of the fourth embodiment. In FIG. 23, first, a laminated member in which the metal supporting member 1A, the insulating member 2A, and the conductor member 3A are laminated in this order is prepared (FIG. 23 (a)). Next, the conductive member 3A is patterned by wet etching to form the first wiring layer 3x (FIG. 23B). Next, the second insulating layer 2y is formed on the first wiring layer 3x (FIG. 23C), and the insulating member 2A is wet etched to form the first insulating layer 2x having an opening (FIG. 23). 23 (d)). Next, pretreatment is performed on the surface of the metal support member 1A exposed at the opening of the first insulating layer 2x, and the first adhesion layer 5a is formed by a strike plating method (FIG. 23E).

次に、図示しないが、第一密着層5aおよび第二絶縁層2yの表面上に、スパッタリング法によりシード層を形成し、シード層の表面上に、DFR(ドライフィルムレジスト)を用いて所定のレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンから露出するシード層上に、電解めっき法により、第二配線層3yを形成する(図23(f))。次に、不要なレジストパターンおよびシード層を除去し、第二配線層3yを覆うカバー層4を形成する(図23(g))。次に、第一絶縁層2xのパターニングを行う(図23(h))。次に、金属支持部材1Aの外形加工を行い、金属支持基板1を形成する(図23(i))。これにより、サスペンション用基板を得る。   Next, although not shown, a seed layer is formed by sputtering on the surfaces of the first adhesion layer 5a and the second insulating layer 2y, and a predetermined layer is formed on the surface of the seed layer using DFR (dry film resist). A resist pattern is formed. Thereafter, the second wiring layer 3y is formed by electrolytic plating on the seed layer exposed from the resist pattern (FIG. 23F). Next, an unnecessary resist pattern and seed layer are removed, and a cover layer 4 that covers the second wiring layer 3y is formed (FIG. 23G). Next, the first insulating layer 2x is patterned (FIG. 23 (h)). Next, the metal support member 1A is trimmed to form the metal support substrate 1 (FIG. 23 (i)). Thereby, a suspension substrate is obtained.

第四実施態様によれば、開口部における第二配線層が周囲の第二配線層よりも突出しないことから、ビア部分(第一絶縁層および第二絶縁層の開口部に形成された第二配線層)の突出による弊害を防止できる。さらに、第四実施態様によれば、第二配線層および金属支持基板の間に特定の密着層を形成することから、密着性が向上し、ビア部分の小径化を図ることができる。このように、ビア部分の突出による弊害を防止でき、かつ、ビア部分の小径化が図れるサスペンション用基板を得ることができる。   According to the fourth embodiment, since the second wiring layer in the opening does not protrude from the surrounding second wiring layer, the via portion (the second insulating layer formed in the opening of the first insulating layer and the second insulating layer) It is possible to prevent adverse effects caused by the protrusion of the wiring layer. Furthermore, according to the fourth embodiment, since the specific adhesion layer is formed between the second wiring layer and the metal support substrate, the adhesion is improved and the diameter of the via portion can be reduced. In this way, it is possible to obtain a suspension substrate that can prevent the adverse effects caused by the protrusion of the via portion and can reduce the diameter of the via portion.

第四実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、通常、第一絶縁層形成工程、密着層形成工程、および第二配線層形成工程を有する。これらの工程およびその他の工程については、上述した第三実施態様に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。   The suspension substrate manufacturing method of the fourth embodiment usually includes a first insulating layer forming step, an adhesion layer forming step, and a second wiring layer forming step. Since these steps and other steps are the same as the contents described in the third embodiment, description thereof is omitted here.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the technical idea described in the claims of the present invention has substantially the same configuration and exhibits the same function and effect regardless of the case. It is included in the technical scope of the invention.

以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.

[実施例1]
厚さ18μmのステンレス鋼(SUS304)である金属支持部材上に、絶縁部材形成材料として非感光性ポリイミドを用い、塗工方法にて厚さ10μmの絶縁部材を形成した。これにより、二層材を得た。次に、この二層材の絶縁部材上に、ドライフィルムレジスト(DFR)を用いてレジストパターンを形成した。次に、レジストパターンから露出する絶縁部材を、有機アルカリエッチング液を用いてエッチングし、開口部を有する絶縁層を得た(図20(a))。
[Example 1]
On a metal supporting member made of stainless steel (SUS304) having a thickness of 18 μm, an insulating member having a thickness of 10 μm was formed by a coating method using non-photosensitive polyimide as an insulating member forming material. Thereby, a two-layer material was obtained. Next, a resist pattern was formed on the two-layer insulating member using a dry film resist (DFR). Next, the insulating member exposed from the resist pattern was etched using an organic alkali etching solution to obtain an insulating layer having an opening (FIG. 20A).

その後、絶縁層の開口部から露出する金属支持部材の表面を活性化するために、プラズマ処理、酸洗浄および電解洗浄を行った。次に、Niストライクめっき法により第一密着層を形成し、電解Niめっき法により第二密着層を形成した(図20(b))。次に、電解Cuめっき法によりビア層を形成した(図20(c))。なお、ビア層の厚さは、ビア層が絶縁層から突出しないように調整した。次に、ビア層および絶縁層の表面上に、スパッタリング法によりシード層を形成し、そのシード層上にレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出するシード層上に、電解Cuめっき法により配線層を形成した(図20(d))。   Thereafter, in order to activate the surface of the metal support member exposed from the opening of the insulating layer, plasma treatment, acid cleaning, and electrolytic cleaning were performed. Next, a first adhesion layer was formed by Ni strike plating, and a second adhesion layer was formed by electrolytic Ni plating (FIG. 20B). Next, a via layer was formed by an electrolytic Cu plating method (FIG. 20C). The thickness of the via layer was adjusted so that the via layer did not protrude from the insulating layer. Next, a seed layer is formed on the surface of the via layer and the insulating layer by a sputtering method, a resist pattern is formed on the seed layer, and wiring is formed on the seed layer exposed from the resist pattern by an electrolytic Cu plating method. A layer was formed (FIG. 20 (d)).

その後、非感光性ポリイミドの液状カバー層形成材料をダイコーターでコーティングし、乾燥後、レジスト製版し、現像と同時にエッチングし、次いで硬化させることにより、パターン状のカバー層を形成した(図20(e))。その後、レジスト製版し、接続用端子部にNiめっきおよびAuめっきを行った。最後に、塩化鉄系エッチング液を用いて、金属支持部材をウェットエッチングし、外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た(図20(f))。   Thereafter, a liquid cover layer forming material of non-photosensitive polyimide is coated with a die coater, dried, resist-made, etched simultaneously with development, and then cured to form a patterned cover layer (FIG. 20 ( e)). Thereafter, resist plate-making was performed, and Ni plating and Au plating were performed on the connection terminal portion. Finally, the metal support member was wet-etched using an iron chloride-based etchant to perform external processing. As a result, a suspension substrate was obtained (FIG. 20F).

[実施例2]
電解Cuめっき法により第二密着層を形成したこと以外は、実施例1と同様にしてサスペンション用基板を得た。
[Example 2]
A suspension substrate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the second adhesion layer was formed by electrolytic Cu plating.

[実施例3]
銅微粒子を含有する銅ペーストを用いたスクリーン印刷法により、ビア層を形成したこと以外は、実施例1と同様にしてサスペンション用基板を得た。
[Example 3]
A suspension substrate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the via layer was formed by screen printing using a copper paste containing copper fine particles.

[実施例4]
銀微粒子を含有する銀ペーストを用いたスクリーン印刷法により、ビア層を形成したこと以外は、実施例1と同様にしてサスペンション用基板を得た。
[Example 4]
A suspension substrate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the via layer was formed by screen printing using a silver paste containing silver fine particles.

1…金属支持基板、 1a…端子部、 1b…ジャンパー部、 2…絶縁層、 2x…第一絶縁層、 2y…第二絶縁層、 3…配線層、 3x…第一配線層、 3y…第二配線層、 3a…端子部、 4…カバー層、 5…密着層、 5a…第一密着層、 5b…第二密着層、 6…ビア層、7…保護めっき部、 11…ビア、 101…記録再生用素子実装領域、 102…外部回路基板接続領域、 103…配線層   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Metal support substrate, 1a ... Terminal part, 1b ... Jumper part, 2 ... Insulating layer, 2x ... First insulating layer, 2y ... Second insulating layer, 3 ... Wiring layer, 3x ... First wiring layer, 3y ... First Two wiring layers, 3a ... terminal part, 4 ... cover layer, 5 ... adhesion layer, 5a ... first adhesion layer, 5b ... second adhesion layer, 6 ... via layer, 7 ... protective plating part, 11 ... via, 101 ... Element mounting area for recording / reproducing, 102 ... External circuit board connection area, 103 ... Wiring layer

Claims (19)

ステンレス鋼である金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、
前記絶縁層の開口部における前記金属支持基板の表面上に、密着層、ビア層および前記配線層がこの順で形成され、
前記密着層は、前記金属支持基板の表面上に形成され、NiまたはCuを含有する第一密着層と、前記第一密着層の表面上に形成され、金属を含有する第二密着層とから構成され、かつ、前記絶縁層から突出しないように形成され、
前記配線層は、前記ビア層を覆うように形成され、
前記ビア層は、前記配線層から突出しないことを特徴とするサスペンション用基板。
A suspension substrate having a metal support substrate made of stainless steel, an insulating layer formed on the metal support substrate, and a wiring layer formed on the insulating layer,
On the surface of the metal support substrate in the opening of the insulating layer, an adhesion layer, a via layer, and the wiring layer are formed in this order,
The adhesion layer is formed on the surface of the metal support substrate and includes a first adhesion layer containing Ni or Cu, and a second adhesion layer formed on the surface of the first adhesion layer and containing a metal. And formed so as not to protrude from the insulating layer,
The wiring layer is formed so as to cover the via layer,
The suspension substrate, wherein the via layer does not protrude from the wiring layer.
前記第一密着層が、ストライクめっき層であることを特徴とする請求項1に記載のサスペンション用基板。   The suspension substrate according to claim 1, wherein the first adhesion layer is a strike plating layer. 前記第二密着層が、NiまたはCuを含有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のサスペンション用基板。   The suspension substrate according to claim 1, wherein the second adhesion layer contains Ni or Cu. 前記ビア層が、めっき層または金属微粒子含有層であることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。   The suspension substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein the via layer is a plating layer or a metal fine particle-containing layer. 前記第二密着層および前記ビア層が同一の層であることを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。   The suspension substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein the second adhesion layer and the via layer are the same layer. 前記ビア層および前記配線層が同一の層であることを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。   The suspension substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein the via layer and the wiring layer are the same layer. ステンレス鋼である金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、
前記絶縁層の開口部における前記金属支持基板の表面上に、第一密着層および前記配線層がこの順で形成され、
前記第一密着層は、NiまたはCuを含有するストライクめっき層であり、
前記開口部における前記配線層は、前記開口部の周囲における前記配線層から突出しないことを特徴とするサスペンション用基板。
A suspension substrate having a metal support substrate made of stainless steel, an insulating layer formed on the metal support substrate, and a wiring layer formed on the insulating layer,
On the surface of the metal support substrate in the opening of the insulating layer, a first adhesion layer and the wiring layer are formed in this order,
The first adhesion layer is a strike plating layer containing Ni or Cu,
The suspension substrate, wherein the wiring layer in the opening does not protrude from the wiring layer around the opening.
ステンレス鋼である金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、前記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、前記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、前記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板であって、
前記第一絶縁層の開口部における前記金属支持基板の表面上に、密着層、ビア層および前記第二配線層がこの順で形成され、
前記密着層は、前記金属支持基板の表面上に形成され、NiまたはCuを含有する第一密着層と、前記第一密着層の表面上に形成され、金属を含有する第二密着層とから構成され、かつ、前記第二絶縁層から突出しないように形成され、
前記第二配線層は、前記ビア層を覆うように形成され、
前記ビア層は、前記第二配線層から突出しないことを特徴とするサスペンション用基板。
A metal supporting board made of stainless steel, a first insulating layer formed on the metal supporting board, a first wiring layer formed on the first insulating layer, and formed on the first wiring layer A suspension substrate having a second insulating layer and a second wiring layer formed on the second insulating layer,
On the surface of the metal support substrate in the opening of the first insulating layer, an adhesion layer, a via layer, and the second wiring layer are formed in this order,
The adhesion layer is formed on the surface of the metal support substrate and includes a first adhesion layer containing Ni or Cu, and a second adhesion layer formed on the surface of the first adhesion layer and containing a metal. And formed so as not to protrude from the second insulating layer,
The second wiring layer is formed so as to cover the via layer,
The suspension substrate, wherein the via layer does not protrude from the second wiring layer.
ステンレス鋼である金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、前記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、前記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、前記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板であって、
前記第一絶縁層の開口部における前記金属支持基板の表面上に、第一密着層および前記第二配線層がこの順で形成され、
前記第一密着層は、NiまたはCuを含有するストライクめっき層であり、
前記開口部における前記第二配線層は、前記開口部の周囲における前記第二配線層から突出しないことを特徴とするサスペンション用基板。
A metal supporting board made of stainless steel, a first insulating layer formed on the metal supporting board, a first wiring layer formed on the first insulating layer, and formed on the first wiring layer A suspension substrate having a second insulating layer and a second wiring layer formed on the second insulating layer,
On the surface of the metal support substrate in the opening of the first insulating layer, the first adhesion layer and the second wiring layer are formed in this order,
The first adhesion layer is a strike plating layer containing Ni or Cu,
The suspension substrate, wherein the second wiring layer in the opening does not protrude from the second wiring layer around the opening.
請求項1から請求項9までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板と、前記サスペンション用基板の前記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンション。   A suspension board comprising: the suspension board according to any one of claims 1 to 9; and a load beam provided on a surface of the suspension board on the metal support board side. . 請求項10に記載のサスペンションと、前記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。   11. A suspension with an element, comprising: the suspension according to claim 10; and a recording / reproducing element disposed on the suspension. 請求項11に記載の素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブ。   A hard disk drive comprising the element-equipped suspension according to claim 11. ステンレス鋼である金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板の製造方法であって、
開口部を有する前記絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層の前記開口部に、NiまたはCuを含有する第一密着層と、前記第一密着層の表面上に形成され、金属を含有する第二密着層とから構成され、かつ、前記絶縁層から突出しない密着層を形成する密着層形成工程と、
前記密着層上に、ビア層を形成するビア層形成工程と、
前記ビア層を覆う前記配線層を形成する配線層形成工程と、を有し、
前記ビア層を前記配線層から突出させないことを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
A method for producing a suspension substrate comprising a metal support substrate made of stainless steel, an insulating layer formed on the metal support substrate, and a wiring layer formed on the insulating layer,
An insulating layer forming step of forming the insulating layer having an opening;
The opening of the insulating layer includes a first adhesion layer containing Ni or Cu and a second adhesion layer formed on the surface of the first adhesion layer and containing a metal, and the insulation An adhesion layer forming step of forming an adhesion layer that does not protrude from the layer;
A via layer forming step of forming a via layer on the adhesion layer;
A wiring layer forming step of forming the wiring layer covering the via layer,
A method for manufacturing a suspension substrate, wherein the via layer does not protrude from the wiring layer.
前記第一密着層を、ストライクめっき法により形成することを特徴とする請求項13に記載のサスペンション用基板の製造方法。   The method for manufacturing a suspension substrate according to claim 13, wherein the first adhesion layer is formed by a strike plating method. 前記第二密着層を、めっき法により形成することを特徴とする請求項13または請求項14に記載のサスペンション用基板の製造方法。   The method for manufacturing a suspension substrate according to claim 13 or 14, wherein the second adhesion layer is formed by a plating method. 前記ビア層を、めっき法または印刷法により形成することを特徴とする請求項13から請求項15までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板の製造方法。   The method of manufacturing a suspension substrate according to any one of claims 13 to 15, wherein the via layer is formed by a plating method or a printing method. ステンレス鋼である金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板の製造方法であって、
開口部を有する前記絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層の前記開口部に、NiまたはCuを含有するストライクめっき層である第一密着層を形成する密着層形成工程と、
前記第一密着層上に、前記配線層を形成する配線層形成工程と、を有し、
前記開口部における前記配線層を、前記開口部の周囲における前記配線層から突出させないことを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
A method for producing a suspension substrate comprising a metal support substrate made of stainless steel, an insulating layer formed on the metal support substrate, and a wiring layer formed on the insulating layer,
An insulating layer forming step of forming the insulating layer having an opening;
An adhesion layer forming step of forming a first adhesion layer, which is a strike plating layer containing Ni or Cu, in the opening of the insulating layer;
A wiring layer forming step of forming the wiring layer on the first adhesion layer;
A method of manufacturing a suspension substrate, wherein the wiring layer in the opening is not protruded from the wiring layer around the opening.
ステンレス鋼である金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、前記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、前記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、前記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板の製造方法であって、
開口部を有する前記第一絶縁層を形成する第一絶縁層形成工程と、
前記第一絶縁層の前記開口部に、NiまたはCuを含有する第一密着層と、前記第一密着層の表面上に形成され、金属を含有する第二密着層とから構成され、かつ、前記第二絶縁層から突出しない密着層を形成する密着層形成工程と、
前記密着層上に、ビア層を形成するビア層形成工程と、
前記ビア層を覆う第二配線層を形成する第二配線層形成工程と、を有し、
前記ビア層を前記第二配線層から突出させないことを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
A metal supporting board made of stainless steel, a first insulating layer formed on the metal supporting board, a first wiring layer formed on the first insulating layer, and formed on the first wiring layer A method for manufacturing a suspension substrate having a second insulating layer and a second wiring layer formed on the second insulating layer,
A first insulating layer forming step of forming the first insulating layer having an opening;
The opening of the first insulating layer includes a first adhesion layer containing Ni or Cu, and a second adhesion layer formed on the surface of the first adhesion layer and containing a metal, and An adhesion layer forming step of forming an adhesion layer that does not protrude from the second insulating layer;
A via layer forming step of forming a via layer on the adhesion layer;
A second wiring layer forming step of forming a second wiring layer covering the via layer,
A method of manufacturing a suspension substrate, wherein the via layer does not protrude from the second wiring layer.
ステンレス鋼である金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、前記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、前記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、前記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板であって、
開口部を有する前記第一絶縁層を形成する第一絶縁層形成工程と、
前記第一絶縁層の前記開口部に、NiまたはCuを含有するストライクめっき層である第一密着層を形成する密着層形成工程と、
前記第一密着層上に、前記第二配線層を形成する第二配線層形成工程と、を有し、
前記開口部における前記第二配線層を、前記開口部の周囲における前記第二配線層から突出させないことを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
A metal supporting board made of stainless steel, a first insulating layer formed on the metal supporting board, a first wiring layer formed on the first insulating layer, and formed on the first wiring layer A suspension substrate having a second insulating layer and a second wiring layer formed on the second insulating layer,
A first insulating layer forming step of forming the first insulating layer having an opening;
An adhesion layer forming step of forming a first adhesion layer, which is a strike plating layer containing Ni or Cu, in the opening of the first insulating layer;
A second wiring layer forming step of forming the second wiring layer on the first adhesion layer;
The method for manufacturing a suspension substrate, wherein the second wiring layer in the opening is not protruded from the second wiring layer around the opening.
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