JP5728837B2 - Suspension substrate, method for manufacturing suspension substrate, suspension, suspension with element, and hard disk drive - Google Patents

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本発明は、電磁波シールドとして機能する導体層を有するサスペンション用基板に関する。   The present invention relates to a suspension substrate having a conductor layer that functions as an electromagnetic wave shield.

近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ(HDD)も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。そのため、HDDに用いられるサスペンション用基板(フレキシャー)にも高機能化が求められている。   In recent years, due to the spread of the Internet and the like, there has been a demand for an increase in the amount of information processing of personal computers and an increase in information processing speed, and along with this, the capacity of hard disk drives (HDD) incorporated in personal computers has increased. Increasing information transmission speed is required. For this reason, higher functions are also required for suspension substrates (flexures) used in HDDs.

特に、近年高速化が進んできたサスペンション用基板においては、配線から外部へ放射される電磁波ノイズの遮断(電磁波シールド)、外部から配線へ放射される電磁波ノイズの遮断(電磁波シールド)、および、配線間での電磁波ノイズの遮断(クロストーク防止)を図ることが求められている。このような電磁波ノイズの影響を抑制するために、電気信号の伝送路である配線の近傍に、グランド線を設けたり、配線間隔を広げたり、配線を被覆するカバー層に導体層(導電性のシールド層)を形成したりする構造が知られている。また、電磁波ノイズの影響を抑制するための従来の技術は、大きく2つに分類することができる。   In particular, in suspension boards that have been increasing in speed in recent years, electromagnetic noise radiated from wiring to the outside (electromagnetic shielding), electromagnetic noise radiated from the outside to wiring (electromagnetic shielding), and wiring Therefore, it is required to cut off electromagnetic wave noise between them (prevention of crosstalk). In order to suppress the influence of such electromagnetic wave noise, a ground wire is provided in the vicinity of the wiring that is the transmission path of the electric signal, the wiring interval is widened, or the conductor layer (conductive layer is covered with the cover layer covering the wiring. A structure for forming a shield layer) is known. In addition, conventional techniques for suppressing the influence of electromagnetic noise can be broadly classified into two.

一つ目の従来技術は、配線を絶縁層を介して上下に積層することで、クロストークの抑制を図る技術である。例えば、特許文献1には、配線を絶縁層を介して上下に積層し、その間にグランド層を配置した構造が開示されている(特許文献1の図2)。また、特許文献2には、配線を絶縁層を介して上下に積層した構造が開示されている(特許文献2の図2)。さらに、特許文献3には、配線を絶縁層を介して上下に積層し、上部の配線脇にグランド層を配置した構造が開示されている(特許文献3の図2(a))。なお、特許文献4には、配線自体は絶縁層の同一表面に配置しているものの、その配線上に、絶縁層を介してグランド層を配置した構造が開示されている(特許文献4の図1)。このように、配線を絶縁層を介して上下に積層することにより、クロストークを抑制することは可能である。しかしながら、このような積層構造を形成するためには、従来よりも大幅に工程数を増やす必要があり、製造コストが上昇するという欠点がある。   The first prior art is a technique for suppressing crosstalk by stacking wirings vertically through insulating layers. For example, Patent Document 1 discloses a structure in which wirings are stacked vertically via an insulating layer, and a ground layer is disposed therebetween (FIG. 2 of Patent Document 1). Patent Document 2 discloses a structure in which wirings are stacked one above the other through insulating layers (FIG. 2 of Patent Document 2). Further, Patent Document 3 discloses a structure in which wirings are stacked one above the other through an insulating layer, and a ground layer is disposed beside the upper wiring (FIG. 2 (a) of Patent Document 3). Patent Document 4 discloses a structure in which a wiring layer is disposed on the same surface of an insulating layer, but a ground layer is disposed on the wiring via an insulating layer (see FIG. 4). 1). In this way, crosstalk can be suppressed by stacking wirings vertically via an insulating layer. However, in order to form such a laminated structure, it is necessary to significantly increase the number of steps as compared with the conventional case, and there is a disadvantage that the manufacturing cost increases.

二つ目の従来技術は、配線を覆うカバー層の表面上に導体層を設ける技術である。例えば、特許文献5には、カバー層および金属支持基板を導通させるシールド層を、真空成膜法またはめっき法により形成することが記載されている(特許文献5の図1)。また、特許文献6には、配線を絶縁層を介してグランド層で取り囲む構造が開示されている(特許文献6の図2)。なお、特許文献7には、カバー層およびシールド層の間に異方導電性フィルムを設け、その異方導電性フィルムをカバー層に開口部から露出するグランド層に接続させた構造が開示されている(特許文献7の図1)。   The second prior art is a technique in which a conductor layer is provided on the surface of a cover layer covering the wiring. For example, Patent Document 5 describes that a shield layer for conducting a cover layer and a metal support substrate is formed by a vacuum film forming method or a plating method (FIG. 1 of Patent Document 5). Patent Document 6 discloses a structure in which a wiring is surrounded by a ground layer through an insulating layer (FIG. 2 of Patent Document 6). Patent Document 7 discloses a structure in which an anisotropic conductive film is provided between the cover layer and the shield layer, and the anisotropic conductive film is connected to the ground layer exposed from the opening in the cover layer. (FIG. 1 of Patent Document 7).

また、電磁波ノイズの抑制を目的としたものではないが、静電気による影響を抑制する技術として以下のようなものがある。例えば、特許文献8には、絶縁層およびカバー層の少なくとも一方に、導電性粒子を含む半導電性層を用い、帯電防止を図ることが開示されている(特許文献8の図2)。また、特許文献9には、イミド系樹脂に導電性ポリマーを含有させ、端子部を含め絶縁層に塗布を行い、帯電防止を図ることが開示されている(特許文献9の図2)。   Further, although not intended to suppress electromagnetic wave noise, there are the following techniques for suppressing the influence of static electricity. For example, Patent Document 8 discloses that a semiconductive layer containing conductive particles is used for at least one of the insulating layer and the cover layer to prevent charging (FIG. 2 of Patent Document 8). Patent Document 9 discloses that an electrically conductive polymer is contained in an imide-based resin, and coating is performed on an insulating layer including a terminal portion to prevent charging (FIG. 2 of Patent Document 9).

また、特許文献10においては、記録アシスト素子への信号を伝送する伝送線路を有するヘッド・ジンバル・アセンブリであって、導体線が、上部シールドと、下部シールドと、上部シールドおよび下部シールドを接続する複数の柱とによって囲まれたものが開示されている。   Further, in Patent Document 10, a head gimbal assembly having a transmission line for transmitting a signal to a recording assist element, in which a conductor wire connects an upper shield, a lower shield, and an upper shield and a lower shield. What is surrounded by a plurality of pillars is disclosed.

特開2009−188080号公報JP 2009-188080 A 特開2009−26909号公報JP 2009-26909 A 特開2009−206379号公報JP 2009-206379 A 特開平8−264911号公報JP-A-8-264911 特開2004−363281号公報JP 2004-363281 A 特開2009−246092号公報JP 2009-246092 A 特開2009−200113号公報JP 2009-200113 A 特開2009−332548号公報JP 2009-332548 A 特開2007−2134号公報JP 2007-2134 A 特開2010−73297号公報JP 2010-73297 A

サスペンション用基板の高機能化に伴い、電磁波シールド性の向上が求められている。本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、電磁波シールド性の高いサスペンション用基板を提供することを主目的とする。   With the enhancement of the functionality of the suspension substrate, there is a demand for improved electromagnetic shielding properties. The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its main object to provide a suspension substrate having high electromagnetic shielding properties.

上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、第一配線層および第二配線層から構成される配線対と、上記配線対を覆うように形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板であって、上記カバー層上であり、かつ、平面視上、上記配線対と重なる位置に、導体層が形成され、上記配線対を挟むように配置され、上記絶縁層および上記カバー層を貫通し、上記金属支持基板および上記導体層を電気的に接続するビア部が形成されていることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。   In order to solve the above problems, in the present invention, a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, and a first wiring layer and a second wiring layer formed on the insulating layer. A suspension substrate having a wiring layer and a cover layer formed so as to cover the wiring pair, on the cover layer, and at a position overlapping the wiring pair in plan view. A conductor layer is formed, disposed so as to sandwich the wiring pair, and a via portion that penetrates the insulating layer and the cover layer and electrically connects the metal support substrate and the conductor layer is formed. A suspension substrate is provided.

本発明によれば、配線対を金属支持基板、導体層およびビア部で囲むことにより、同軸ケーブルに類似した構造とすることができ、電磁波シールド性の高いサスペンション用基板とすることができる。さらに、本発明のサスペンション用基板は、例えば、カバー層の上に導体層を形成するという簡便な方法で、製造することができる。そのため、大幅な工程数の増加を引き起こすことがないという利点を有する。   According to the present invention, a wiring pair is surrounded by a metal support substrate, a conductor layer, and a via portion, whereby a structure similar to that of a coaxial cable can be obtained and a suspension substrate having a high electromagnetic wave shielding property can be obtained. Furthermore, the suspension substrate of the present invention can be manufactured by, for example, a simple method of forming a conductor layer on a cover layer. Therefore, there is an advantage that it does not cause a significant increase in the number of processes.

上記発明においては、上記ビア部が、ビア部用配線層を貫通するように形成され、上記ビア部用配線層の開口径が、上記ビア部が貫通する位置の上記絶縁層の開口径よりも小さいことが好ましい。厚さ方向における密着性を向上させることができるからである。   In the above invention, the via part is formed so as to penetrate the via part wiring layer, and the opening diameter of the via part wiring layer is larger than the opening diameter of the insulating layer at the position where the via part penetrates. Small is preferable. This is because adhesion in the thickness direction can be improved.

上記発明においては、上記ビア部が浮島状に形成されていることが好ましい。ビア部の配置の自由度がより高いからである。   In the said invention, it is preferable that the said via part is formed in the floating island shape. This is because the degree of freedom of arrangement of the via portion is higher.

上記発明においては、上記ビア部が線状に形成されていることが好ましい。電磁波シールド性をさらに高くすることができるからである。   In the said invention, it is preferable that the said via part is formed in linear form. This is because the electromagnetic wave shielding property can be further enhanced.

また、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、第一配線層および第二配線層から構成される配線対と、上記配線対を覆うように形成されたカバー層と、上記配線対を挟むように配置され、上記絶縁層および上記カバー層を貫通し、上記金属支持基板と接触するビア部とを有する積層体を準備する積層体準備工程と、上記カバー層上であり、かつ、平面視上、上記配線対と重なる位置に、上記ビア部と接触する導体層を形成する導体層形成工程と、を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。   Further, in the present invention, a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring pair formed on the insulating layer and composed of a first wiring layer and a second wiring layer, A laminate having a cover layer formed so as to cover the wire pair, and a via portion that is disposed so as to sandwich the wire pair, penetrates the insulating layer and the cover layer, and contacts the metal supporting substrate. A laminated body preparation step to be prepared, and a conductor layer forming step of forming a conductor layer in contact with the via portion at a position on the cover layer and overlapping the wire pair in plan view. A suspension substrate manufacturing method is provided.

本発明によれば、配線対を金属支持基板、導体層およびビア部で囲むことにより、同軸ケーブルに類似した構造とすることができ、電磁波シールド性の高いサスペンション用基板を得ることができる。さらに、本発明によれば、上記積層体のカバー層の上に上記導体層を形成するという簡便な方法で、電磁波シールド性の高いサスペンション用基板を得ることができる。   According to the present invention, the wiring pair is surrounded by the metal support substrate, the conductor layer, and the via portion, whereby a structure similar to that of the coaxial cable can be obtained, and a suspension substrate having a high electromagnetic shielding property can be obtained. Furthermore, according to the present invention, a suspension substrate having a high electromagnetic shielding property can be obtained by a simple method of forming the conductor layer on the cover layer of the laminate.

上記発明においては、上記ビア部が、ビア部用配線層を貫通するように形成され、上記ビア部用配線層の開口径が、上記ビア部が貫通する位置の上記絶縁層の開口径よりも小さいことが好ましい。厚さ方向における密着性を向上させることができるからである。   In the above invention, the via part is formed so as to penetrate the via part wiring layer, and the opening diameter of the via part wiring layer is larger than the opening diameter of the insulating layer at the position where the via part penetrates. Small is preferable. This is because adhesion in the thickness direction can be improved.

上記発明においては、上記積層体準備工程において、上記ビア部を、上記金属支持基板からの給電による電解めっき法により形成することが好ましい。絶縁層およびカバー層を貫通するビア部を密着性良く形成することができるからである。   In the said invention, it is preferable in the said laminated body preparation process to form the said via part by the electroplating method by the electric power feeding from the said metal support substrate. This is because the via portion penetrating the insulating layer and the cover layer can be formed with good adhesion.

上記発明においては、上記導体層形成工程において、上記導体層を、スパッタリング法により形成することが好ましい。   In the said invention, it is preferable to form the said conductor layer by sputtering method in the said conductor layer formation process.

また、本発明においては、上述したサスペンション用基板を含むことを特徴とするサスペンションを提供する。   The present invention also provides a suspension including the above-described suspension substrate.

本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、電磁波シールド性の高いサスペンションとすることができる。   According to the present invention, by using the suspension substrate described above, a suspension with high electromagnetic shielding properties can be obtained.

また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションの素子実装領域に実装された素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。   The present invention also provides an element-equipped suspension comprising the above-described suspension and an element mounted in an element mounting region of the suspension.

本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、電磁波シールド性の高い素子付サスペンションとすることができる。   According to the present invention, by using the above-described suspension, a suspension with an element having a high electromagnetic shielding property can be obtained.

また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブを提供する。   The present invention also provides a hard disk drive including the above-described suspension with an element.

本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。   According to the present invention, a hard disk drive with higher functionality can be obtained by using the above-described suspension with an element.

本発明においては、電磁波シールド性の高いサスペンション用基板を提供できるという効果を奏する。   In the present invention, there is an effect that a suspension substrate having a high electromagnetic wave shielding property can be provided.

一般的なサスペンション用基板の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram showing an example of a general suspension substrate. 本発明のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the board | substrate for suspensions of this invention. 本発明におけるビア部を例示する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which illustrates a via part in the present invention. 本発明のサスペンション用基板の他の例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the other example of the board | substrate for suspensions of this invention. 本発明のサスペンション用基板の他の例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the other example of the board | substrate for suspensions of this invention. 本発明における導体層を説明する概略平面図である。It is a schematic plan view explaining the conductor layer in this invention. 本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the board | substrate for suspensions of this invention. 本発明における積層体の形成方法の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the formation method of the laminated body in this invention. 本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the suspension of this invention. 本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the suspension with an element of this invention. 本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the hard disk drive of this invention. 実施例2および比較例1で得られたサスペンション用基板に対する差動インピーダンスの測定結果である。4 is a measurement result of differential impedance with respect to a suspension substrate obtained in Example 2 and Comparative Example 1.

以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション用基板の製造方法、サスペンション、素子付サスペンションおよびハードディスクドライブについて詳細に説明する。   The suspension substrate, suspension substrate manufacturing method, suspension, suspension with element, and hard disk drive of the present invention will be described in detail below.

A.サスペンション用基板
まず、本発明のサスペンション用基板について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、第一配線層および第二配線層から構成される配線対と、上記配線対を覆うように形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板であって、上記カバー層上であり、かつ、平面視上、上記配線対と重なる位置に、導体層が形成され、上記配線対を挟むように配置され、上記絶縁層および上記カバー層を貫通し、上記金属支持基板および上記導体層を電気的に接続するビア部が形成されていることを特徴とするものである。
A. First, the suspension substrate of the present invention will be described. The suspension substrate of the present invention includes a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, and a wiring pair formed on the insulating layer and including a first wiring layer and a second wiring layer. A suspension layer having a cover layer formed so as to cover the wire pair, and a conductor layer is formed on the cover layer and at a position overlapping the wire pair in plan view. And a via portion that is disposed so as to sandwich the wiring pair, penetrates the insulating layer and the cover layer, and electrically connects the metal support substrate and the conductor layer. is there.

図1は、一般的なサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図1(a)はサスペンション用基板の概略平面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A断面図である。なお、図1(a)では、便宜上、カバー層の記載は省略している。図1(a)に示されるサスペンション用基板20は、一方の先端部分に形成された素子実装領域11と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域12と、素子実装領域11および外部回路基板接続領域12を電気的に接続する複数の配線層13a〜13dとを有するものである。配線層13aおよび配線層13bは配線対であり、同様に、配線層13cおよび配線層13dも配線対である。これらの配線対は、一方がライト用配線対であり、他方がリード用配線対である。また、これらの配線対は、それぞれ、分布定数回路の概念において定義される特性インピーダンス(差動インピーダンス)を有する差動配線であることが好ましい。一方、図1(b)に示されるように、サスペンション用基板は、金属支持基板1と、金属支持基板1上に形成された絶縁層2と、絶縁層2上に形成された配線層3と、配線層3を覆うカバー層4とを有するものである。   FIG. 1 is a schematic view showing an example of a general suspension substrate. FIG. 1A is a schematic plan view of a suspension substrate, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. In FIG. 1A, the cover layer is not shown for convenience. A suspension substrate 20 shown in FIG. 1A includes an element mounting region 11 formed at one tip portion, an external circuit board connection region 12 formed at the other tip portion, an element mounting region 11 and an external portion. A plurality of wiring layers 13a to 13d for electrically connecting the circuit board connection region 12 are provided. The wiring layer 13a and the wiring layer 13b are wiring pairs. Similarly, the wiring layer 13c and the wiring layer 13d are wiring pairs. One of these wire pairs is a write wire pair, and the other is a read wire pair. Each of these wiring pairs is preferably a differential wiring having a characteristic impedance (differential impedance) defined in the concept of a distributed constant circuit. On the other hand, as shown in FIG. 1B, the suspension substrate includes a metal support substrate 1, an insulating layer 2 formed on the metal support substrate 1, and a wiring layer 3 formed on the insulating layer 2. And a cover layer 4 covering the wiring layer 3.

図2は、本発明のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図2(a)はサスペンション用基板を導体層側から観察した概略平面図であり、図2(b)はサスペンション用基板を金属支持基板側から観察した概略平面図であり、図2(c)は図2(a)のA−A断面図である。図2(c)に示すサスペンション用基板は、金属支持基板1と、金属支持基板1上に形成された絶縁層2と、絶縁層2上に形成され、第一配線層3aおよび第二配線層3bから構成される配線対3Aと、配線対3Aを覆うように形成されたカバー層4とを有するものである。また、カバー層4上であり、かつ、平面視上、配線対3Aと重なる位置には、導体層5が形成されている。さらに、配線対3Aを挟むように配置され、絶縁層2およびカバー層4を貫通し、金属支持基板1および導体層5を電気的に接続するビア部6が形成されている。これにより、配線対3Aを、金属支持基板1、導体層5およびビア部6で囲む構造とすることができ、同軸ケーブルに類似した構造とすることができる。   FIG. 2 is a schematic view showing an example of the suspension substrate of the present invention. 2A is a schematic plan view of the suspension substrate observed from the conductor layer side, and FIG. 2B is a schematic plan view of the suspension substrate observed from the metal support substrate side. These are AA sectional drawing of Fig.2 (a). The suspension substrate shown in FIG. 2 (c) includes a metal support substrate 1, an insulating layer 2 formed on the metal support substrate 1, and an insulating layer 2, and a first wiring layer 3a and a second wiring layer. The wiring pair 3A is composed of 3b and the cover layer 4 is formed so as to cover the wiring pair 3A. A conductor layer 5 is formed on the cover layer 4 and at a position overlapping the wiring pair 3A in plan view. Furthermore, a via portion 6 is formed so as to sandwich the wiring pair 3 </ b> A, penetrates the insulating layer 2 and the cover layer 4, and electrically connects the metal support substrate 1 and the conductor layer 5. Thereby, the wiring pair 3A can be configured to be surrounded by the metal support substrate 1, the conductor layer 5, and the via portion 6, and can be configured similar to a coaxial cable.

なお、図2(c)では、ビア部6が、ビア部用配線層3eを貫通するように形成されている態様を示している。また、図2(b)において、金属支持基板1は橋掛け部1aおよび開口部を有し、マイクロウィンドウを形成している。マイクロウィンドウを形成することで、電気信号(特に高周波信号)の伝送ロスを小さくすることができる。また、金属支持基板1は、例えば、グランド層として機能するものである。   FIG. 2C shows a mode in which the via portion 6 is formed so as to penetrate the via portion wiring layer 3e. Moreover, in FIG.2 (b), the metal support substrate 1 has the bridge part 1a and the opening part, and forms the micro window. By forming the micro window, it is possible to reduce transmission loss of electric signals (particularly high frequency signals). Moreover, the metal supporting board 1 functions as a ground layer, for example.

このように、本発明によれば、配線対を金属支持基板、導体層およびビア部で囲むことにより、同軸ケーブルに類似した構造とすることができ、電磁波シールド性の高いサスペンション用基板とすることができる。特に、本発明のサスペンション用基板は、形状的に小さいビア部を用いて配線対を囲むことが可能であるため、微細化に適しているという利点もある。さらに、ビア部の配置の自由度が高いという点でも、微細化に適しているといえる。   As described above, according to the present invention, the wiring pair is surrounded by the metal support substrate, the conductor layer, and the via portion, whereby a structure similar to that of the coaxial cable can be obtained, and the suspension substrate having a high electromagnetic shielding property Can do. In particular, the suspension substrate of the present invention has an advantage that it is suitable for miniaturization because it can enclose the wiring pair using a via portion having a small shape. Furthermore, it can be said that it is suitable for miniaturization from the viewpoint that the degree of freedom of arrangement of via portions is high.

また、配線を覆うカバー層の表面上に導体層を設ける技術では、製造工程が複雑になる傾向にある。例えば特許文献5の図1に記載された製造方法では、シールド層6を部分的にエッチングする必要がある。また、特許文献6の図3〜図5に記載された製造方法では、グランド層の形成に、多くの工程が必要となる。これに対して、本発明のサスペンション用基板は、例えば、カバー層の上に導体層を形成するという簡便な方法で、製造することができる。そのため、大幅な工程数の増加を引き起こすことがないという利点を有する。   Further, in the technique of providing a conductor layer on the surface of the cover layer covering the wiring, the manufacturing process tends to be complicated. For example, in the manufacturing method described in FIG. 1 of Patent Document 5, it is necessary to partially etch the shield layer 6. Moreover, in the manufacturing method described in FIGS. 3 to 5 of Patent Document 6, many steps are required to form the ground layer. On the other hand, the suspension substrate of the present invention can be manufactured by, for example, a simple method of forming a conductor layer on a cover layer. Therefore, there is an advantage that it does not cause a significant increase in the number of processes.

さらに、本発明によれば、配線対と導体層との間に容量性結合を形成することができるため、低インピーダンス化を図ることができる。また、本発明によれば、導体層が金属支持基板に電気的に接続されているため、静電気による不具合(例えば静電気による素子の破壊)を防止できるという利点もある。さらに、本発明によれば、熱アシスト記録で使用されるマイクロ波信号転送時のノイズ低減を図ることも可能である。すなわち、本発明における配線対は、記録アシスト素子への信号を伝送するための配線対であっても良い。   Furthermore, according to the present invention, since capacitive coupling can be formed between the wiring pair and the conductor layer, impedance can be reduced. In addition, according to the present invention, since the conductor layer is electrically connected to the metal support substrate, there is an advantage that it is possible to prevent problems caused by static electricity (for example, destruction of elements due to static electricity). Furthermore, according to the present invention, it is also possible to reduce noise when transferring a microwave signal used in heat-assisted recording. That is, the wiring pair in the present invention may be a wiring pair for transmitting a signal to the recording assist element.

また、上述した特許文献7には、カバー層およびシールド層の間に異方導電性フィルムを設けた構造が開示されている。しかしながら、カバー層およびシールド層の間に全面的に異方導電性フィルムを設けると、カバー層(例えば樹脂)と、異方導電性フィルム(例えば樹脂)との間の密着性が低くなる可能性がある。これに対して、本発明においては、異方導電性フィルムを全面的に設けることがないので、密着性の低下を防止できる。
以下、本発明のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
Further, Patent Document 7 described above discloses a structure in which an anisotropic conductive film is provided between a cover layer and a shield layer. However, if an anisotropic conductive film is entirely provided between the cover layer and the shield layer, the adhesion between the cover layer (for example, resin) and the anisotropic conductive film (for example, resin) may be reduced. There is. On the other hand, in this invention, since an anisotropic conductive film is not provided in the whole surface, the fall of adhesiveness can be prevented.
Hereinafter, the suspension substrate of the present invention will be described separately for the suspension substrate member and the suspension substrate configuration.

1.サスペンション用基板の部材
まず、本発明のサスペンション用基板の部材について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層、第一配線、第二配線、カバー層、導体層およびビア部を有するものである。
1. First, members of the suspension substrate of the present invention will be described. The suspension substrate of the present invention has a metal support substrate, an insulating layer, a first wiring, a second wiring, a cover layer, a conductor layer, and a via part.

本発明における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはSUS等を挙げることができる。金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば5μm〜30μmの範囲内であることが好ましく、10μm〜20μmの範囲内であることがより好ましい。なお、SUSについては、現行圧延可能なものの厚さは最小で15μm程度である。今後の薄型化の要請を考慮すると、上記範囲であることが好ましい。   The metal support substrate in the present invention functions as a support for the suspension substrate. The material of the metal support substrate is preferably a metal having spring properties, and specific examples include SUS. Although the thickness of a metal supporting board changes with kinds of the material, it is preferable in the range of 5 micrometers-30 micrometers, for example, and it is more preferable that it is in the range of 10 micrometers-20 micrometers. As for SUS, the minimum thickness of what can be rolled is about 15 μm. Considering the future demand for thinning, the above range is preferable.

本発明における絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、例えば5μm〜30μmの範囲内であることが好ましく、5μm〜18μmの範囲内であることがより好ましく、5μm〜15μmの範囲内であることがさらに好ましい。上記範囲内であれば、十分な低インピーダンス化を図れ、かつ、良好な絶縁性能(高周波損失の低減)を得ることができるからである。   The insulating layer in the present invention is formed on a metal support substrate. The material of the insulating layer is not particularly limited as long as it has insulating properties, and examples thereof include a resin. Examples of the resin include polyimide resin, polybenzoxazole resin, polybenzimidazole resin, acrylic resin, polyether nitrile resin, polyether sulfone resin, polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, and polyvinyl chloride resin. Of these, polyimide resin is preferred. It is because it is excellent in insulation, heat resistance and chemical resistance. In addition, the material of the insulating layer may be a photosensitive material or a non-photosensitive material. The thickness of the insulating layer is, for example, preferably in the range of 5 μm to 30 μm, more preferably in the range of 5 μm to 18 μm, and still more preferably in the range of 5 μm to 15 μm. This is because, within the above range, a sufficiently low impedance can be achieved and good insulation performance (reduction of high-frequency loss) can be obtained.

本発明における第一配線層および第二配線層は、絶縁層上に形成されるものである。第一配線層および第二配線層は、配線対を構成する。配線対は差動配線であることが好ましい。さらに、配線対は、ライト用配線対であっても良く、リード用配線対であっても良い。また、上述したように、配線対は、記録アシスト素子への信号を伝送するための配線対であっても良い。一方、本発明においては、絶縁層上に、第三配線層および第四配線層から構成される配線対が形成されていることが好ましい。さらに、この配線対が、ライト用配線対またはリード用配線対である場合には、この配線対も差動配線であることが好ましい。また、第三配線層および第四配線層から構成される配線対が、異なる機能を有する配線対である場合(例えばシングル配線層およびグランド配線層の組み合わせである場合)には、差動配線である必要はない。配線層の材料としては、例えば金属を挙げることができ、中でも銅(Cu)が好ましい。導電性が高いからである。また、配線層の材料は、電解銅であっても良く、圧延銅であっても良い。配線層の厚さは、例えば5μm〜18μmの範囲内であることが好ましく、5μm〜12μmの範囲内であることがより好ましい。配線層の厚さが薄ければ、ファインピッチ化した配線層を得やすい。   The first wiring layer and the second wiring layer in the present invention are formed on the insulating layer. The first wiring layer and the second wiring layer constitute a wiring pair. The wiring pair is preferably a differential wiring. Furthermore, the wiring pair may be a write wiring pair or a read wiring pair. Further, as described above, the wire pair may be a wire pair for transmitting a signal to the recording assist element. On the other hand, in the present invention, it is preferable that a wiring pair composed of a third wiring layer and a fourth wiring layer is formed on the insulating layer. Further, when the wiring pair is a write wiring pair or a read wiring pair, the wiring pair is also preferably a differential wiring. In addition, when the wiring pair composed of the third wiring layer and the fourth wiring layer is a wiring pair having different functions (for example, a combination of a single wiring layer and a ground wiring layer), a differential wiring is used. There is no need. Examples of the material for the wiring layer include metals, and copper (Cu) is preferable among them. This is because the conductivity is high. The material of the wiring layer may be electrolytic copper or rolled copper. The thickness of the wiring layer is preferably in the range of 5 μm to 18 μm, for example, and more preferably in the range of 5 μm to 12 μm. If the wiring layer is thin, it is easy to obtain a fine pitch wiring layer.

本発明におけるカバー層は、配線対を覆うように形成されたものである。カバー層を設けることにより、配線対の劣化(例えば腐食)を防止することができる。カバー層の材料としては、例えば、上述した絶縁層の材料として記載した樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。カバー層の厚さは、例えば2μm〜30μmの範囲内であることが好ましく、2μm〜10μmの範囲内であることがより好ましい。   The cover layer in the present invention is formed so as to cover the wiring pair. By providing the cover layer, it is possible to prevent deterioration (for example, corrosion) of the wiring pair. Examples of the material for the cover layer include the resins described as the material for the insulating layer described above, and among them, a polyimide resin is preferable. The material of the cover layer may be a photosensitive material or a non-photosensitive material. The thickness of the cover layer is preferably in the range of 2 μm to 30 μm, for example, and more preferably in the range of 2 μm to 10 μm.

本発明における導体層は、カバー層上であり、かつ、平面視上、配線対と重なる位置に形成されたものである。導体層の材料としては、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、具体的には、Pt、Au、Ag、Pd、Cu、Cr、Ni、Ti、Ta、および、これらの金属を一または二以上含有する合金等を挙げることができ、中でもTi、Ni、Crが好ましく、特にNi、Crが好ましい。耐食性が良好な導体層とすることができるからである。導体層の厚さは、所望の電磁波シールド効果を得ることができれば特に限定されるものではないが、例えば30nm以上であることが好ましく、100nm以上であることがより好ましく、300nm以上であることがさらに好ましい。配線層の低インピーダンス化に効果的だからである。また、導体層の厚さが薄すぎると、耐スクラッチ性が低くなる可能性がある。同様に、導体層の厚さは、例えば10μm以下であることが好ましく、6μm以下であることがより好ましく、4μm以下であることがさらに好ましい。導体層の厚さが厚すぎると、剛性が高くなり過ぎる可能性があるからである。   The conductor layer in the present invention is formed on the cover layer and at a position overlapping the wiring pair in plan view. The material of the conductor layer is not particularly limited as long as it has electrical conductivity, and examples thereof include metals. Specifically, Pt, Au, Ag, Pd, Cu, Cr, Ni , Ti, Ta, and alloys containing one or more of these metals can be given, among which Ti, Ni, and Cr are preferable, and Ni and Cr are particularly preferable. It is because it can be set as a conductor layer with favorable corrosion resistance. The thickness of the conductor layer is not particularly limited as long as a desired electromagnetic wave shielding effect can be obtained, but it is preferably, for example, 30 nm or more, more preferably 100 nm or more, and 300 nm or more. Further preferred. This is because it is effective in reducing the impedance of the wiring layer. Further, if the thickness of the conductor layer is too thin, scratch resistance may be lowered. Similarly, the thickness of the conductor layer is preferably, for example, 10 μm or less, more preferably 6 μm or less, and further preferably 4 μm or less. This is because if the thickness of the conductor layer is too thick, the rigidity may become too high.

本発明におけるビア部は、配線対を挟むように配置され、絶縁層およびカバー層を貫通し、金属支持基板および導体層を電気的に接続するものである。ビア部の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、具体的には、ニッケル(Ni)、銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、および、これらの金属を一または二以上含有する合金等を挙げることができ、中でもNiが好ましい。導電性および耐腐食性に優れているからである。また、本発明におけるビア部は、めっき法により形成されたものであることが好ましい。密着性が良好なビア部とすることができるからである。   The via portion in the present invention is disposed so as to sandwich the wiring pair, penetrates the insulating layer and the cover layer, and electrically connects the metal support substrate and the conductor layer. The material of the via portion is not particularly limited as long as it has conductivity, and examples thereof include metals. Specifically, nickel (Ni), silver (Ag), gold (Au) can be cited. , Copper (Cu), and an alloy containing one or more of these metals. It is because it is excellent in electroconductivity and corrosion resistance. Moreover, it is preferable that the via | veer part in this invention is formed by the plating method. This is because a via portion having good adhesion can be obtained.

2.サスペンション用基板の構成
次に、本発明のサスペンション用基板の構成について説明する。本発明のサスペンション用基板は、配線対を挟むように配置され、絶縁層およびカバー層を貫通し、金属支持基板および導体層を電気的に接続するビア部を有することを一つの特徴とする。
2. Next, the configuration of the suspension substrate of the present invention will be described. One feature of the suspension substrate of the present invention is that the suspension substrate is disposed so as to sandwich the wiring pair, and has a via portion that penetrates the insulating layer and the cover layer and electrically connects the metal support substrate and the conductor layer.

本発明においては、図3(a)に示すように、ビア部6が、ビア部用配線層3eを貫通するように形成されていることが好ましい。ビア部用配線層3eを設けることで、ビア部の密着性を向上させることができるからである。さらに、本発明においては、ビア部用配線層3eの開口径Wが、ビア部6が貫通する位置の絶縁層2の開口径Wよりも小さいことが好ましい。このように開口径を調整することで、厚さ方向における密着性を向上させることができるからである。 In the present invention, as shown in FIG. 3A, the via portion 6 is preferably formed so as to penetrate the via portion wiring layer 3e. This is because by providing the via part wiring layer 3e, the adhesion of the via part can be improved. Further, in the present invention, the opening diameter W 1 of the via portion wiring layer 3e is preferably via part 6 is smaller than the opening diameter W 2 of the insulating layer 2 in the position penetrating. This is because the adhesiveness in the thickness direction can be improved by adjusting the opening diameter in this way.

ここで、ビア部用配線層3eの開口径Wの値は、例えば30μm〜150μmの範囲内、中でも40μm〜100μmの範囲内であることが好ましい。開口径Wの値が小さすぎると、ビア部の機械的強度が低くなる可能性があり、開口径Wの値が大きすぎると、微細化が困難になる可能性があるからである。また、絶縁層2の開口径Wの値は、例えば30μm〜150μmの範囲内、中でも50μm〜100μmの範囲内であることが好ましい。開口径Wの値が小さすぎると、金属支持基板と十分に接触できない可能性があり、開口径Wの値が大きすぎると、微細化が困難になる可能性があるからである。また、両者の開口径の差(W−W)は、例えば5μm以上であることが好ましく、5μm〜40μmの範囲内であることがより好ましい。 Here, the opening value of the diameter W 1 of the via portion wiring layer 3e, for example in the range of 30Myuemu~150myuemu, preferably in the range of inter alia 40 m to 100 m. This is because if the value of the opening diameter W 1 is too small, the mechanical strength of the via portion may be lowered, and if the value of the opening diameter W 1 is too large, miniaturization may be difficult. Further, the opening value of the diameter W 2 of the insulating layer 2, for example in the range of 30Myuemu~150myuemu, preferably in the range of inter alia 50 .mu.m to 100 .mu.m. When the value of the opening diameter W 2 is too small, there may not be sufficient contact with the metal supporting board, the value of the opening diameter W 2 is too large, the fine may become difficult. The difference between both the opening diameter (W 2 -W 1) is preferably, for example at 5μm or more, and more preferably in the range of 5Myuemu~40myuemu.

また、ビア部6の頂部の幅をWとした場合、Wの値は、例えば45μm〜125μmの範囲内であることが好ましく、65μm〜100μmの範囲内であることがより好ましい。なお、ビア部6の頂部は、カバー層4の開口により規定されたものであることが好ましい。また、W−Wは、例えば15μm〜20μmの範囲内であることが好ましい。また、ビア部の端部と、配線層の端部との距離をWとした場合、Wの値は、例えば15μm〜200μmの範囲内であることが好ましく、30μm〜100μmの範囲内であることがより好ましい。Wの値が小さすぎると、金属支持基板、導体層およびビア部からなるシールド構造と、配線層との容量性結合が高まり、電磁波シールド性が低下する可能性がある。一方、Wの値が大きすぎると、デザイン自由度が低下する可能性がある。 Also, if the width of the top portion of the via portion 6 was set to W 3, the value of W 3 being, for example, is preferably in the range of 45Myuemu~125myuemu, and more preferably in a range of 65Myuemu~100myuemu. The top of the via 6 is preferably defined by the opening of the cover layer 4. Further, W 3 -W 1 is preferably, for example in the range of 15Myuemu~20myuemu. Further, the end portion of the via portion, and the distance between the end portion of the wiring layer was W 4, the value of W 4 is, for example, preferably in the range of 15Myuemu~200myuemu, within the 30μm~100μm More preferably. When the value of W 4 is too small, the metal supporting board, and a shield structure comprising a conductive layer and the via portion, it increases the capacitive coupling between the wiring layers, the electromagnetic wave shielding property may be deteriorated. On the other hand, when the value of W 4 is too large, the design freedom may be decreased.

一方、本発明においては、図3(b)に示すように、ビア部6が、絶縁層2およびカバー層4のみを貫通するものであっても良い。これにより、ビア部用配線層3eを形成する場合に比べて、ビア部6の小型化を図ることができ、微細化に適したサスペンション用基板とすることができる。   On the other hand, in the present invention, as shown in FIG. 3B, the via portion 6 may penetrate only the insulating layer 2 and the cover layer 4. Thereby, compared with the case where the wiring layer 3e for via | veer part is formed, the via | veer part 6 can be reduced in size and it can be set as the board | substrate for suspension suitable for refinement | miniaturization.

また、本発明におけるビア部の頂部の位置は、金属支持基板および導体層を電気的に接続可能な位置であれば特に限定されるものではない。ビア部の頂部の位置は、カバー層の頂部の位置に対して、低くても良く、同一であっても良く、高くても良いが、中でも、同一であるか高いことが好ましい。導体層に対する電気的な接続を取りやすいからである。さらに、ビア部の頂部の位置は、導体層の頂部の位置に対して、低くても良く、同一であっても良く、高くても良い。   Moreover, the position of the top part of the via part in the present invention is not particularly limited as long as it is a position where the metal supporting board and the conductor layer can be electrically connected. The position of the top portion of the via portion may be lower, the same or higher than the position of the top portion of the cover layer, but is preferably the same or higher. This is because it is easy to make an electrical connection to the conductor layer. Furthermore, the position of the top of the via part may be lower, the same or higher than the position of the top of the conductor layer.

また、図2に示したように、本発明におけるビア部6は、浮島状(ドット状)に形成されていることが好ましい。ビア部の配置の自由度がより高いからである。浮島状のビア部の平面視形状は、特に限定されるものではなく、任意の形状を採用することができる。具体的には、円状、楕円状、多角形状、十字状、櫛状等を挙げることができる。また、本発明におけるビア部6は、配線対3Aの両端に、少なくとも一つずつ配置されていれば良いが、電磁波シールド性をより高くするという観点からは、図2に示したように、配線対3Aの両端に、複数のビア部が配置されていることが好ましい。また、均等にビア部を配置することでシールド効果を安定させることができる。   In addition, as shown in FIG. 2, the via portion 6 in the present invention is preferably formed in a floating island shape (dot shape). This is because the degree of freedom of arrangement of the via portion is higher. The plan view shape of the floating island-shaped via portion is not particularly limited, and any shape can be adopted. Specific examples include a circular shape, an elliptical shape, a polygonal shape, a cross shape, and a comb shape. Further, at least one via portion 6 in the present invention may be disposed at both ends of the wiring pair 3A, but from the viewpoint of improving the electromagnetic wave shielding property, as shown in FIG. It is preferable that a plurality of via portions are disposed at both ends of the pair 3A. Further, the shielding effect can be stabilized by arranging the via portions evenly.

また、図4は、本発明のサスペンション用基板の他の例を示す模式図であり、図4(a)はサスペンション用基板を導体層側から観察した概略平面図であり、図4(b)は図4(a)のA−A断面図である。なお、図4(a)では、便宜上、導体層の記載は省略している。図4に示すように、本発明におけるビア部6は、線状に形成されていることが好ましい。電磁波シールド性をさらに高くすることができるからである。特に、本発明おいては、図4(a)に示すように、配線対3Aに沿って、線状のビア部6が形成されていることが好ましい。なお、本発明における線状には、直線状、曲線状、およびこれらの組み合わせが含まれる。   FIG. 4 is a schematic view showing another example of the suspension substrate according to the present invention. FIG. 4A is a schematic plan view of the suspension substrate observed from the conductor layer side, and FIG. These are AA sectional drawing of Fig.4 (a). In FIG. 4A, the conductor layer is not shown for convenience. As shown in FIG. 4, the via portion 6 in the present invention is preferably formed in a linear shape. This is because the electromagnetic wave shielding property can be further enhanced. In particular, in the present invention, as shown in FIG. 4A, it is preferable that a linear via portion 6 is formed along the wiring pair 3A. The linear shape in the present invention includes a linear shape, a curved shape, and a combination thereof.

また、図5は、本発明のサスペンション用基板の他の例を示す模式図であり、図5(a)はサスペンション用基板を導体層側から観察した概略平面図であり、図5(b)は図5(a)のA−A断面図である。図5に示すように、本発明においては、第一配線層3aおよび第二配線層3bから構成される第一配線対3Aに対してだけでなく、第三配線層3cおよび第四配線層3dから構成される第二配線対3Bにも、同様のビア部6および導体層5が形成されていても良い。これにより、例えばリード用配線層およびライト用配線層の両方に対して、電磁波シールド性を高くすることができる。   FIG. 5 is a schematic view showing another example of the suspension substrate of the present invention, and FIG. 5 (a) is a schematic plan view of the suspension substrate observed from the conductor layer side, and FIG. These are AA sectional drawing of Fig.5 (a). As shown in FIG. 5, in the present invention, not only the first wiring pair 3A composed of the first wiring layer 3a and the second wiring layer 3b but also the third wiring layer 3c and the fourth wiring layer 3d. A similar via portion 6 and conductor layer 5 may be formed in the second wiring pair 3 </ b> B composed of Thereby, for example, the electromagnetic wave shielding property can be enhanced with respect to both the read wiring layer and the write wiring layer.

なお、図5では、第一配線対3Aおよび第二配線対3Bの間に、ビア部6が形成されているが、例えば第一配線対3Aおよび第二配線対3Bが近接するような領域では、中央のビア部6を形成しなくても良い。また、図5では、導体層5がカバー層4の表面全体に形成されているが、本発明においては、平面視上、配線対と重なる位置に少なくとも導体層5が形成されていれば良い。このように導体層が形成されていれば、配線対に対して電磁波シールド性を付与することができるからである。   In FIG. 5, the via portion 6 is formed between the first wiring pair 3A and the second wiring pair 3B. For example, in the region where the first wiring pair 3A and the second wiring pair 3B are close to each other. The central via portion 6 may not be formed. In FIG. 5, the conductor layer 5 is formed on the entire surface of the cover layer 4. However, in the present invention, it is only necessary that at least the conductor layer 5 is formed at a position overlapping the wiring pair in plan view. This is because if the conductor layer is formed in this way, electromagnetic wave shielding can be imparted to the wiring pair.

また、図6に示すように、配線対3Aの長さ方向に対応する導体層5の総長をLとする。このLは、導体層5が連続的に形成されている場合にはその長さを意味し、導体層5が断続的に形成されている場合には、各断片における導体層5の合計の長さを意味する。Lの値は、特に限定されるものではないが、例えば5mm以上であることが好ましく、10mm以上であることがより好ましい。また、配線対3Aの全長に対するLの割合は、例えば50%以上であることが好ましく、70%以上であることがより好ましく、95%以上であることがさらに好ましい。Lの割合が大きいほど、電磁波シールド性が高くなるからである。また、インピーダンスの設計においては、配線対が同じ太さで直線的に形成された領域で、インピーダンスの調整を行うことが好ましい。インピーダンスの設計を行いやすいからである。本発明においては、そのような領域(インピーダンス調整領域)において、導体層が形成されていることが好ましい。   In addition, as shown in FIG. 6, the total length of the conductor layer 5 corresponding to the length direction of the wiring pair 3A is L. This L means the length when the conductor layer 5 is formed continuously, and when the conductor layer 5 is formed intermittently, the total length of the conductor layer 5 in each piece. Means. Although the value of L is not specifically limited, For example, it is preferable that it is 5 mm or more, and it is more preferable that it is 10 mm or more. Further, the ratio of L to the total length of the wiring pair 3A is, for example, preferably 50% or more, more preferably 70% or more, and further preferably 95% or more. This is because the larger the ratio of L, the higher the electromagnetic shielding properties. Further, in the impedance design, it is preferable to adjust the impedance in a region where the wiring pair is linearly formed with the same thickness. This is because it is easy to design impedance. In the present invention, a conductor layer is preferably formed in such a region (impedance adjustment region).

B.サスペンション用基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、第一配線層および第二配線層から構成される配線対と、上記配線対を覆うように形成されたカバー層と、上記配線対を挟むように配置され、上記絶縁層および上記カバー層を貫通し、上記金属支持基板と接触するビア部とを有する積層体を準備する積層体準備工程と、上記カバー層上であり、かつ、平面視上、上記配線対と重なる位置に、上記ビア部と接触する導体層を形成する導体層形成工程と、を有することを特徴とするものである。
B. Next, a method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention will be described. The suspension substrate manufacturing method of the present invention includes a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, and a first wiring layer and a second wiring layer formed on the insulating layer. A wiring pair, a cover layer formed so as to cover the wiring pair, and a via portion that is disposed so as to sandwich the wiring pair, penetrates the insulating layer and the cover layer, and contacts the metal support substrate. A laminated body preparing step of preparing a laminated body having, and a conductor layer forming step of forming a conductive layer on the cover layer and in contact with the via portion at a position overlapping the wiring pair in plan view; It is characterized by having.

図7は、本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図7は、上述した図5(b)と同様に、図5(a)のA−A断面図に相当するものである。図7においては、まず、積層体21を準備する(図7(a))。この積層体21は、金属支持基板1と、金属支持基板1上に形成された絶縁層2と、絶縁層2上に形成された、第一配線層3aおよび第二配線層3bから構成される第一配線対3A、および、第三配線層3cおよび第四配線層3dから構成される第二配線対3Bと、第一配線対3Aおよび第二配線対3Bを覆うように形成されたカバー層4と、第一配線対3Aおよび第二配線対3Bを挟むように配置され、絶縁層2およびカバー層4を貫通し、金属支持基板1と接触するビア部6とを有するものである。次に、この積層体に対して、カバー層4上であり、かつ、平面視上、第一配線対3Aおよび第二配線対3Bと重なる位置に、ビア部6と接触する導体層5を形成する(図7(b))。これにより、サスペンション用基板20を得ることができる。   FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention. FIG. 7 corresponds to the AA cross-sectional view of FIG. 5A, similarly to FIG. 5B described above. In FIG. 7, the laminated body 21 is prepared first (FIG. 7 (a)). The laminate 21 includes a metal support substrate 1, an insulating layer 2 formed on the metal support substrate 1, and a first wiring layer 3a and a second wiring layer 3b formed on the insulating layer 2. The first wiring pair 3A, the second wiring pair 3B composed of the third wiring layer 3c and the fourth wiring layer 3d, and the cover layer formed so as to cover the first wiring pair 3A and the second wiring pair 3B 4 and a via portion 6 that is disposed so as to sandwich the first wiring pair 3A and the second wiring pair 3B, penetrates the insulating layer 2 and the cover layer 4, and contacts the metal support substrate 1. Next, a conductor layer 5 that is in contact with the via portion 6 is formed on the laminated body on the cover layer 4 and at a position overlapping the first wiring pair 3A and the second wiring pair 3B in plan view. (FIG. 7B). Thereby, the suspension substrate 20 can be obtained.

本発明によれば、配線対を金属支持基板、導体層およびビア部で囲むことにより、同軸ケーブルに類似した構造とすることができ、電磁波シールド性の高いサスペンション用基板を得ることができる。さらに、本発明によれば、上記積層体のカバー層の上に上記導体層を形成するという簡便な方法で、電磁波シールド性の高いサスペンション用基板を得ることができる。
以下、本発明のサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
According to the present invention, the wiring pair is surrounded by the metal support substrate, the conductor layer, and the via portion, whereby a structure similar to that of the coaxial cable can be obtained, and a suspension substrate having a high electromagnetic shielding property can be obtained. Furthermore, according to the present invention, a suspension substrate having a high electromagnetic shielding property can be obtained by a simple method of forming the conductor layer on the cover layer of the laminate.
Hereinafter, the manufacturing method of the suspension substrate according to the present invention will be described step by step.

1.積層体準備工程
本発明における積層体準備工程は、上述した積層体を準備する工程である。本発明における積層体は、導体層を形成する前の部材であり、その形成方法は、特に限定されるものではなく、任意の方法が可能である。後述するように三層材を用いて積層体を形成しても良く、いわゆるアディティブ法により積層体を形成しても良い。
1. Laminated body preparation process The laminated body preparation process in this invention is a process of preparing the laminated body mentioned above. The laminated body in this invention is a member before forming a conductor layer, The formation method is not specifically limited, Arbitrary methods are possible. As will be described later, a laminate may be formed using a three-layer material, or a laminate may be formed by a so-called additive method.

図8は、本発明における積層体の形成方法の一例を示す概略断面図である。図8においては、まず、金属支持基板1Xと、金属支持基板1X上に形成された絶縁層2Xと、絶縁層2X上に形成された配線層3Xとを有する積層部材(三層材)を準備する(図8(a))。次に、金属支持基板1Xおよび配線層3Xの両面に、DFRを用いてレジストパターンを作製し、そのレジストパターンから露出する金属支持層1Xおよび配線層3Xをウェットエッチングする。これにより、第一配線層3a、第二配線層3b、第三配線層3c、第四配線層3d、ビア部用配線層3eを形成する(図8(b))。また、この工程で、第一配線層3a、第二配線層3b、第三配線層3cおよび第四配線層3dの下に位置する金属支持基板1Xを除去しておく。   FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing an example of a method for forming a laminate in the present invention. In FIG. 8, first, a laminated member (three-layer material) having a metal supporting board 1X, an insulating layer 2X formed on the metal supporting board 1X, and a wiring layer 3X formed on the insulating layer 2X is prepared. (FIG. 8A). Next, a resist pattern is formed on both surfaces of the metal support substrate 1X and the wiring layer 3X using DFR, and the metal support layer 1X and the wiring layer 3X exposed from the resist pattern are wet-etched. Thus, the first wiring layer 3a, the second wiring layer 3b, the third wiring layer 3c, the fourth wiring layer 3d, and the via portion wiring layer 3e are formed (FIG. 8B). In this step, the metal support substrate 1X located under the first wiring layer 3a, the second wiring layer 3b, the third wiring layer 3c, and the fourth wiring layer 3d is removed.

その後、配線層3a〜3eを覆うカバー層4を形成する(図8(c))。この際、ビア部を形成する位置には、カバー層4の開口を設ける。次に、絶縁層2Xをウェットエッチングし、絶縁層2を形成する(図8(d))。この際、ビア部を形成する位置では、絶縁層2の開口を設ける。次に、金属支持基板1Xからの給電による電解めっき法により、絶縁層2、ビア部用配線層3eおよびカバー層4を貫通するビア部6を形成する(図8(d))。また、この際、金属支持基板1Xの外形加工を行い、金属支持基板1を形成することが好ましい。これにより、積層体21を得ることができる。なお、図8(d)に示される積層体21は、外形加工後の金属支持基板を示しているが、本発明においては、後述する導体層形成工程の後に、金属支持基板の外形加工を行っても良い。   Thereafter, the cover layer 4 covering the wiring layers 3a to 3e is formed (FIG. 8C). At this time, an opening of the cover layer 4 is provided at a position where the via portion is formed. Next, the insulating layer 2X is wet etched to form the insulating layer 2 (FIG. 8D). At this time, an opening of the insulating layer 2 is provided at a position where the via portion is formed. Next, the via part 6 penetrating the insulating layer 2, the via part wiring layer 3e, and the cover layer 4 is formed by an electrolytic plating method by feeding from the metal support substrate 1X (FIG. 8D). At this time, it is preferable to form the metal support substrate 1 by performing external processing of the metal support substrate 1X. Thereby, the laminated body 21 can be obtained. 8D shows the metal support substrate after the outer shape processing, but in the present invention, the outer shape processing of the metal support substrate is performed after the conductor layer forming step described later. May be.

また、図8においては、種々のウェットエッチングを行っているが、ウェットエッチングに用いられるエッチング液は、各材料の特性を考慮して、適宜選択することが好ましい。例えば、金属支持基板にSUSを用いている場合、ならびに、配線層に銅を用いている場合には、エッチング液として、例えば塩化鉄系エッチング液を用いることができる。また、絶縁層およびカバー層にポリイミド樹脂を用いている場合は、エッチング液として、例えばアルカリ系エッチング液を用いることができる。また、上述した各工程においては、必要に応じて、適宜レジストパターンを形成することが好ましい。   In FIG. 8, various types of wet etching are performed. It is preferable to select an etchant used for wet etching in consideration of the characteristics of each material. For example, when SUS is used for the metal support substrate and when copper is used for the wiring layer, for example, an iron chloride based etchant can be used as the etchant. Further, when a polyimide resin is used for the insulating layer and the cover layer, for example, an alkaline etching solution can be used as the etching solution. Moreover, in each process mentioned above, it is preferable to form a resist pattern suitably as needed.

また、特に本発明においては、金属支持基板からの給電による電解めっき法によりビア部を形成することが好ましい(例えば、上述した図8(d))。絶縁層およびカバー層を貫通するビア部を密着性良く形成することができるからである。   In particular, in the present invention, it is preferable to form a via part by an electrolytic plating method by feeding from a metal support substrate (for example, FIG. 8D described above). This is because the via portion penetrating the insulating layer and the cover layer can be formed with good adhesion.

2.導体層形成工程
次に、本発明における導体層形成工程について説明する。本発明における導体層形成工程は、上記カバー層上であり、かつ、平面視上、上記配線対と重なる位置に、上記ビア部と接触する導体層を形成する工程である。
2. Conductive layer forming step Next, the conductive layer forming step in the present invention will be described. The conductor layer forming step in the present invention is a step of forming a conductor layer in contact with the via portion on the cover layer and at a position overlapping the wiring pair in plan view.

導体層の形成方法は、所望の導体層を得ることができる方法であれば特に限定されるものではない。導体層の形成方法の一例としては、蒸着法を挙げることができ、PVD(物理蒸着)法であっても良く、CVD(化学蒸着)法であっても良いが、PVD法が好ましい。さらに、PVD法としては、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法等を挙げることができ、中でも、スパッタリング法が好ましい。本発明においては、蒸着法のみで導体層を形成しても良く、蒸着法と電解めっき法とを組み合わせて導体層を形成しても良い。後者の場合は、通常、蒸着法によりシード層を形成し、そのシード層からの給電により、電解めっき法を行う。また、本発明においては、無電解めっき法のみで導体層を形成しても良く、無電解めっき法と電解めっき法とを組み合わせて導体層を形成しても良い。   The method for forming the conductor layer is not particularly limited as long as a desired conductor layer can be obtained. An example of the method for forming the conductor layer is a vapor deposition method, which may be a PVD (physical vapor deposition) method or a CVD (chemical vapor deposition) method, but the PVD method is preferred. Furthermore, examples of the PVD method include a sputtering method, a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, an ion plating method, and the like, and among these, the sputtering method is preferable. In the present invention, the conductor layer may be formed only by the vapor deposition method, or the conductor layer may be formed by combining the vapor deposition method and the electrolytic plating method. In the latter case, a seed layer is usually formed by a vapor deposition method, and an electrolytic plating method is performed by supplying power from the seed layer. In the present invention, the conductor layer may be formed only by the electroless plating method, or the conductor layer may be formed by combining the electroless plating method and the electrolytic plating method.

C.サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板を含むことを特徴とするものである。
C. Suspension Next, the suspension of the present invention will be described. The suspension of the present invention includes the above-described suspension substrate.

本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、電磁波シールド性の高いサスペンションとすることができる。   According to the present invention, by using the suspension substrate described above, a suspension with high electromagnetic shielding properties can be obtained.

図9は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図9に示されるサスペンション40は、上述したサスペンション用基板20と、素子実装領域11が形成されている表面とは反対側のサスペンション用基板20の表面に備え付けられたロードビーム30とを有するものである。   FIG. 9 is a schematic plan view showing an example of the suspension of the present invention. A suspension 40 shown in FIG. 9 includes the suspension substrate 20 described above and a load beam 30 provided on the surface of the suspension substrate 20 opposite to the surface on which the element mounting region 11 is formed. is there.

本発明のサスペンションは、少なくともサスペンション用基板を有し、通常は、さらにロードビームを有する。サスペンション用基板については、上記「B.サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、ロードビームは、一般的なサスペンションに用いられるロードビームと同様のものを用いることができる。   The suspension of the present invention has at least a suspension substrate, and usually further has a load beam. The suspension substrate is the same as the content described in “B. Suspension substrate”, and therefore, the description thereof is omitted here. The load beam can be the same as the load beam used for a general suspension.

D.素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションの素子実装領域に実装された素子と、を有することを特徴とするものである。
D. Next, the suspension with an element of the present invention will be described. A suspension with an element of the present invention includes the above-described suspension and an element mounted in an element mounting region of the suspension.

本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、電磁波シールド性の高い素子付サスペンションとすることができる。   According to the present invention, by using the above-described suspension, a suspension with an element having a high electromagnetic shielding property can be obtained.

図10は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図10に示される素子付サスペンション50は、上述したサスペンション40と、サスペンション40の素子実装領域11に実装された素子41とを有するものである。   FIG. 10 is a schematic plan view showing an example of the suspension with an element of the present invention. A suspension with an element 50 shown in FIG. 10 includes the suspension 40 described above and an element 41 mounted in the element mounting region 11 of the suspension 40.

本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび素子を有するものである。サスペンションについては、上記「C.サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、素子実装領域に実装される素子としては、例えば、磁気ヘッドスライダ、アクチュエータ、半導体等を挙げることができる。また、上記アクチュエータは、磁気ヘッドを有するものであっても良く、磁気ヘッドを有しないものであっても良い。   The suspension with an element of the present invention has at least a suspension and an element. The suspension is the same as the content described in “C. Suspension”, and therefore, the description thereof is omitted here. In addition, examples of elements mounted in the element mounting area include a magnetic head slider, an actuator, and a semiconductor. The actuator may have a magnetic head or may not have a magnetic head.

E.ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを含むことを特徴とするものである。
E. Next, the hard disk drive of the present invention will be described. The hard disk drive of the present invention is characterized by including the above-described suspension with an element.

本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。   According to the present invention, a hard disk drive with higher functionality can be obtained by using the above-described suspension with an element.

図11は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図11に示されるハードディスクドライブ60は、上述した素子付サスペンション50と、素子付サスペンション50がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク51と、ディスク51を回転させるスピンドルモータ52と、素子付サスペンション50の素子を移動させるアーム53およびボイスコイルモータ54と、上記の部材を密閉するケース55とを有するものである。   FIG. 11 is a schematic plan view showing an example of the hard disk drive of the present invention. A hard disk drive 60 shown in FIG. 11 includes the above-described suspension 50 with an element, a disk 51 on which data is written and read by the suspension 50 with an element, a spindle motor 52 that rotates the disk 51, and the elements of the suspension 50 with an element. And a voice coil motor 54, and a case 55 for sealing the above-described members.

本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「D.素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。   The hard disk drive of the present invention has at least a suspension with an element, and usually further includes a disk, a spindle motor, an arm, and a voice coil motor. The suspension with an element is the same as that described in the above “D. Suspension with an element”, and therefore description thereof is omitted here. As other members, the same members as those used in a general hard disk drive can be used.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the technical idea described in the claims of the present invention has substantially the same configuration and exhibits the same function and effect regardless of the case. It is included in the technical scope of the invention.

以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.

[実施例1]
まず、厚さ18μmのSUS304(金属支持基板)、厚さ10μmのポリイミド樹脂層(絶縁層)、厚さ5μmの電解銅層(配線層)を有する積層部材(三層材)を準備した(図8(a))。次に、SUS側で位置精度が重要な治具孔と、電解銅側で配線層(第一配線層〜第四配線層、ビア部用配線層)とを形成できるように、ドライフィルムを用いて同時にパターニングし、パターン状のレジストを形成した。その後、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った(図8(b))。
[Example 1]
First, a laminated member (three-layer material) having SUS304 (metal support substrate) having a thickness of 18 μm, a polyimide resin layer (insulating layer) having a thickness of 10 μm, and an electrolytic copper layer (wiring layer) having a thickness of 5 μm was prepared (FIG. 8 (a)). Next, a dry film is used so that a jig hole whose positional accuracy is important on the SUS side and a wiring layer (first wiring layer to fourth wiring layer, wiring layer for via part) can be formed on the electrolytic copper side. At the same time, patterning was performed to form a patterned resist. Then, it etched using the ferric chloride liquid, and resist stripping was performed after the etching (FIG.8 (b)).

次に、パターニングされた配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、乾燥後、レジスト製版し現像と同時にポリイミド前駆体膜をエッチングし、その後、窒素雰囲気下、加熱することにより硬化(イミド化)させ、カバー層を形成した(図8(c))。カバー層は配線層を覆うように形成され、配線層上に形成されたカバー層の厚さは10μmであった。次に、絶縁層のウェットエッチングを行った(図8(d))。次に、金属支持基板からの給電による電解めっき法により、ビア部を形成した。次に、金属支持基板のウェットエッチングを行い、積層体を得た(図8(d))。   Next, a polyimide precursor solution is coated on the patterned wiring layer with a die coater, dried, resist plate-making, etched at the same time as the polyimide precursor film, and then cured by heating in a nitrogen atmosphere. (Imidization) to form a cover layer (FIG. 8C). The cover layer was formed so as to cover the wiring layer, and the thickness of the cover layer formed on the wiring layer was 10 μm. Next, wet etching of the insulating layer was performed (FIG. 8D). Next, a via portion was formed by an electrolytic plating method by feeding from a metal support substrate. Next, the metal support substrate was wet etched to obtain a laminate (FIG. 8D).

その後、積層体のカバー層上に、スパッタリング法により、Ni、Crからなる2層混合の導体層(厚さ0.3μm)を形成した(図7(b))。これにより、本発明のサスペンション用基板を得た。   Thereafter, a two-layer mixed conductor layer (thickness: 0.3 μm) made of Ni and Cr was formed on the cover layer of the laminate by sputtering (FIG. 7B). As a result, the suspension substrate of the present invention was obtained.

[実施例2]
導体層の種類をPtに変更したこと以外は、実施例1と同様にしてサスペンション用基板を得た。
[Example 2]
A suspension substrate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the type of the conductor layer was changed to Pt.

[比較例1]
導体層を形成しなかったこと以外は、実施例2と同様にしてサスペンション用基板を得た。
[Comparative Example 1]
A suspension substrate was obtained in the same manner as in Example 2 except that the conductor layer was not formed.

[評価]
実施例2および比較例1で得られたサスペンション用基板の差動インピーダンスを測定した。その結果を図12に示す。図12に示されるように、導体層を形成することにより、差動インピーダンスが90Ωから60Ωに低減した。これは、配線対と導体層との間に容量性結合を形成することができたためである。
[Evaluation]
The differential impedance of the suspension substrate obtained in Example 2 and Comparative Example 1 was measured. The result is shown in FIG. As shown in FIG. 12, the differential impedance was reduced from 90Ω to 60Ω by forming the conductor layer. This is because a capacitive coupling could be formed between the wiring pair and the conductor layer.

1…金属支持基板、 2…絶縁層、 3…配線層、 3a…第一配線層、 3b…第二配線層、3c…第三配線層、3d…第四配線層、3e…ビア部用配線層、 4…カバー層、 5…導体層、 6…ビア部、 11…素子実装領域、 12…外部回路基板接続領域、 13…配線層、 20…サスペンション用基板、 21…積層体   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Metal support substrate, 2 ... Insulating layer, 3 ... Wiring layer, 3a ... First wiring layer, 3b ... Second wiring layer, 3c ... Third wiring layer, 3d ... Fourth wiring layer, 3e ... Wiring for via part Layer, 4 ... cover layer, 5 ... conductor layer, 6 ... via portion, 11 ... element mounting region, 12 ... external circuit board connection region, 13 ... wiring layer, 20 ... suspension substrate, 21 ... laminate

Claims (9)

金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、第一配線層および第二配線層から構成される配線対と、前記配線対を覆うように形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板であって、
前記カバー層上であり、かつ、平面視上、前記配線対と重なる位置に、導体層が形成され、
前記配線対を挟むように配置され、前記絶縁層および前記カバー層を貫通し、前記金属支持基板および前記導体層を電気的に接続するビア部が形成され
前記ビア部が、ビア部用配線層を貫通するように形成され、
前記ビア部用配線層の開口径が、前記ビア部が貫通する位置の前記絶縁層の開口径よりも小さいことを特徴とするサスペンション用基板。
A metal supporting board, an insulating layer formed on the metal supporting board, a wiring pair formed on the insulating layer and composed of a first wiring layer and a second wiring layer, and so as to cover the wiring pair A suspension substrate having a formed cover layer,
A conductor layer is formed on the cover layer and at a position overlapping the wire pair in plan view,
A via portion is formed so as to sandwich the wiring pair, penetrates the insulating layer and the cover layer, and electrically connects the metal support substrate and the conductor layer ,
The via part is formed so as to penetrate the via part wiring layer,
The suspension substrate , wherein an opening diameter of the via portion wiring layer is smaller than an opening diameter of the insulating layer at a position where the via portion penetrates .
前記ビア部が浮島状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のサスペンション用基板。 The suspension substrate according to claim 1, wherein the via portion is formed in a floating island shape. 前記ビア部が線状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のサスペンション用基板。 The suspension substrate according to claim 1, wherein the via portion is formed in a linear shape. 金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、第一配線層および第二配線層から構成される配線対と、前記配線対を覆うように形成されたカバー層と、前記配線対を挟むように配置され、前記絶縁層および前記カバー層を貫通し、前記金属支持基板と接触するビア部とを有し、前記ビア部が、ビア部用配線層を貫通するように形成され、前記ビア部用配線層の開口径が、前記ビア部が貫通する位置の前記絶縁層の開口径よりも小さい積層体を準備する積層体準備工程と、
前記カバー層上であり、かつ、平面視上、前記配線対と重なる位置に、前記ビア部と接触する導体層を形成する導体層形成工程と、
を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
A metal supporting board, an insulating layer formed on the metal supporting board, a wiring pair formed on the insulating layer and composed of a first wiring layer and a second wiring layer, and so as to cover the wiring pair a cover layer formed, is disposed so as to sandwich the wire pairs, said insulating layer and through said cover layer, have a and the via in contact with the metal supporting board, the via portion, a via part A laminated body preparing step of preparing a laminated body that is formed so as to penetrate the wiring layer, and the opening diameter of the wiring layer for the via part is smaller than the opening diameter of the insulating layer at the position where the via part penetrates ;
A conductor layer forming step for forming a conductor layer in contact with the via portion on the cover layer and at a position overlapping the wiring pair in plan view;
A method for manufacturing a suspension substrate, comprising:
前記積層体準備工程において、前記ビア部を、前記金属支持基板からの給電による電解めっき法により形成することを特徴とする請求項4に記載のサスペンション用基板の製造方法。 5. The method for manufacturing a suspension substrate according to claim 4 , wherein, in the layered body preparation step, the via portion is formed by an electrolytic plating method using power feeding from the metal support substrate. 前記導体層形成工程において、前記導体層を、スパッタリング法により形成することを特徴とする請求項4または請求項5に記載のサスペンション用基板の製造方法。 6. The method for manufacturing a suspension substrate according to claim 4 , wherein, in the conductor layer forming step, the conductor layer is formed by a sputtering method. 請求項1から請求項3までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板を含むことを特徴とするサスペンション。 A suspension comprising the suspension substrate according to any one of claims 1 to 3 . 請求項7に記載のサスペンションと、前記サスペンションの素子実装領域に実装された素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。 A suspension with an element comprising the suspension according to claim 7 and an element mounted in an element mounting region of the suspension. 請求項8に記載の素子付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブ。 A hard disk drive comprising the suspension with an element according to claim 8 .
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