JP2013031107A - 弾性波装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】弾性波装置は、主面を有する圧電基板100と、圧電基板100の主面上に形成され、所定の周波数で圧電基板100を励振させるIDT電極200と、圧電基板100に所定の応力を生じさせて所定の周波数を変化させる加圧部600とを備える。
【選択図】図1
Description
図1は、実施の形態1に係る弾性波装置を示す断面図であり、図2は、図1に示す弾性波装置の上面図である。
図1に示すように、本実施の形態に係る弾性波装置は、圧電基板100と、圧電基板100の下面に形成され、所定の周波数で圧電基板100を励振させる「励振部」としての複数の電極指がバスバーで共通接続される一対の櫛歯電極が、それぞれの櫛歯電極の電極指をかみ合わせるように配置されたIDT電極(インターディジタルトランスデューサ電極)200と、圧電基板100の下面に設けられたバンプ300と、圧電基板100の下面に対して所定の隙間を形成しながら圧電基板100と対向する支持基板400と、圧電基板100を封止する樹脂500と、圧電基板100を加圧する加圧部600とを備える。
本実施の形態に係る弾性波装置では、上述のとおり、雄ねじ610は、IDT電極200を取り囲むバンプ300の内側に設けられている。したがって、雄ねじ部610が下方向に移動したときは、圧電基板100は下方向に凸変形する。これにより、圧電基板100の下面に形成されたIDT電極200の電極指間の間隔が広がり、IDT電極200の周期が大きくなる。この結果、圧電基板100が励振される周波数は低くなる。
このように、バンプ300を圧電基板100の反りの支点、電気接続および圧電基板100の支持として利用できるため、部品点数の増加を抑制しながら周波数調整を行なうことが可能である。
図3は、実施の形態2に係る弾性波装置を示す断面図であり、図4は、図3に示す弾性波装置の上面図である。
図5は、実施の形態3に係る弾性波装置を示す断面図である。本実施の形態に係る弾性波装置は、実施の形態1,2に係る弾性波装置の変形例であって、図5に示すように、支持基板400が実装される実装基板700と、実装基板700に接合され、圧電基板100を収納する空間を実装基板700とともに形成する蓋部材800とをさらに備えることを特徴とする。
図6は、実施の形態4に係る弾性波装置を示す断面図である。本実施の形態に係る弾性波装置は、実施の形態1〜3に係る弾性波装置の変形例であって、図6に示すように、支持基板400に接合され、圧電基板100を収納する空間を支持基板400とともに形成する蓋部材900をさらに備えることを特徴とする。
Claims (13)
- 主面を有する圧電基板と、
前記圧電基板の主面上に形成され、所定の周波数で前記圧電基板を励振させる励振部と、
前記圧電基板に所定の応力を生じさせて前記所定の周波数を変化させる加圧部とを備えた、弾性波装置。 - 前記加圧部は、前記圧電基板に対して変位可能に設けられ、
前記加圧部の変位量に応じて前記圧電基板に生じる応力が変化する、請求項1に記載の弾性波装置。 - 前記加圧部は、移動可能に設けられ、
前記加圧部の移動量に応じて前記圧電基板に生じる応力が変化する、請求項2に記載の弾性波装置。 - 前記加圧部に対して螺合され、該螺合による前記圧電基板に対する変位量が前記加圧部より小さくなるように形成される支持部をさらに備え、
前記支持部に対する前記加圧部の相対位置に応じて前記圧電基板に生じる応力が変化する、請求項1から請求項3のいずれかに記載の弾性波装置。 - 前記加圧部は雄ねじ部を含み、
前記支持部は前記雄ねじ部に対して螺合する雌ねじ部を含む、請求項4に記載の弾性波装置。 - 前記圧電基板を封止する封止部をさらに備え、
前記加圧部の少なくとも一部は、前記封止部の外部に露出して配置されている、請求項1から請求項5のいずれかに記載の弾性波装置。 - 前記圧電基板上に設けられた保護部をさらに備え、
前記加圧部は、前記保護部を介して前記圧電基板を加圧することにより、前記圧電基板に応力を生じさせる、請求項1から請求項6のいずれかに記載の弾性波装置。 - 所定の隙間を形成しながら前記圧電基板と対向する支持基板と、
前記所定の隙間に設けられ、前記圧電基板と前記支持基板とを接合するバンプとをさらに備え、
前記励振部は、前記圧電基板における前記支持基板と対向する側の主面上に形成されたインターディジタルトランスデューサ電極を含み、
前記加圧部は、前記圧電基板における前記支持基板から離れた側の主面に対して垂直方向に変位可能に設けられている、請求項1から請求項7のいずれかに記載の弾性波装置。 - 前記バンプは、前記インターディジタルトランスデューサ電極を取り囲むように設けられており、
前記加圧部は、前記バンプが取り囲む領域の内側に配置されている、請求項8に記載の弾性波装置。 - 前記バンプは、前記インターディジタルトランスデューサ電極を取り囲むように設けられており、
前記加圧部は、前記バンプが取り囲む領域の外側に配置されている、請求項8に記載の弾性波装置。 - 前記バンプは、前記インターディジタルトランスデューサ電極を取り囲むように設けられており、
前記加圧部は、前記バンプが取り囲む領域の内側および外側に各々配置されている、請求項8に記載の弾性波装置。 - 前記支持基板が実装される実装基板と、
前記実装基板に接合され、前記圧電基板を収納する空間を前記実装基板とともに形成する蓋部材とをさらに備え、
前記加圧部の少なくとも一部は、前記蓋部材に形成される、請求項8から請求項11に記載の弾性波装置。 - 前記支持基板に接合され、前記圧電基板を収納する空間を前記支持基板とともに形成する蓋部材をさらに備え、
前記加圧部の少なくとも一部は、前記蓋部材に形成される、請求項8から請求項11に記載の弾性波装置。
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