JP2013026495A - プラズマエッチング確認装置 - Google Patents
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- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 26
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 20
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 19
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】ウェーハ10を保持する測定テーブル2と、ウェーハ10の外周部の形状確認をするための形状測定手段3とを有し、形状測定手段3が測定テーブル2の上方に位置し、形状測定手段3と測定テーブル2とを相対的に移動させることにより形状測定手段3がウェーハの形状を測定するプラズマエッチング確認装置1を用い、プラズマエッチング処理後のウェーハ10の形状に基づき、プラズマエッチングの良否を判定する。
【選択図】図1
Description
2:測定テーブル
20:保持部 20a:保持面
3:形状測定手段
30:光学式変位センサ 31:測定値記憶部
32:エッチング良否判断手段
4:送り手段
40:ボールスクリュー 41:ガイドレール 42:モータ 43:支持基台
44:リニアスケール
10:ウェーハ
110:エッチング処理不良ウェーハ 110a:表面 110b:裏面
120:エッチング処理ウェーハ 110a:表面 110b:裏面
10a:表面 100:分割予定ライン 101:デバイス
10b:裏面
102:外周部 103:曲面 104:エッジ部 105:丸み部
Claims (1)
- ウェーハを保持する測定テーブルと、該ウェーハの外周部の形状確認をするための形状測定手段とを有するプラズマエッチング確認装置であって、
該形状測定手段は、該測定テーブルの上方に位置し、
該形状測定手段と該測定テーブルとを相対的に移動させることにより該形状測定手段が該ウェーハの形状を測定することを特徴とするプラズマエッチング確認装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011160824A JP5835981B2 (ja) | 2011-07-22 | 2011-07-22 | プラズマエッチング確認装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011160824A JP5835981B2 (ja) | 2011-07-22 | 2011-07-22 | プラズマエッチング確認装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013026495A true JP2013026495A (ja) | 2013-02-04 |
JP5835981B2 JP5835981B2 (ja) | 2015-12-24 |
Family
ID=47784469
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011160824A Active JP5835981B2 (ja) | 2011-07-22 | 2011-07-22 | プラズマエッチング確認装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5835981B2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004022676A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの加工方法及びプラズマエッチング装置 |
-
2011
- 2011-07-22 JP JP2011160824A patent/JP5835981B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004022676A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの加工方法及びプラズマエッチング装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP5835981B2 (ja) | 2015-12-24 |
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