JP2013025242A - 光素子の製造方法及び光素子 - Google Patents
光素子の製造方法及び光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013025242A JP2013025242A JP2011162086A JP2011162086A JP2013025242A JP 2013025242 A JP2013025242 A JP 2013025242A JP 2011162086 A JP2011162086 A JP 2011162086A JP 2011162086 A JP2011162086 A JP 2011162086A JP 2013025242 A JP2013025242 A JP 2013025242A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- mesa
- width
- waveguide
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】光素子の製造方法は、第1半導体積層部および第2半導体積層部を形成する段階と、第1形成マスク及び第1保護マスクを形成する段階と、第1形成マスクおよび第1保護マスクが形成されていない半導体層をエッチングし、第3半導体積層部を結晶成長させ、埋込メサ型導波路を形成する段階と、第4半導体積層部を結晶成長させる段階と、第2保護マスク及び第1保護マスクより幅の小さい第2形成マスクを形成する段階と、第2保護マスクおよび第2形成マスクが形成されていない半導体層をエッチングして、ハイメサ型導波路を形成する段階とを備える。
【選択図】図1
Description
特許文献1 特開2002−118324号公報
WFlat≒X−2d
ここで、dは第4半導体積層部114の厚さを示す。
WFlat≒X−0.8d
以上の結果から、メサストライプの方向が(011)方向よりも(01−1)方向の方が、平坦部89の幅WFlatが大きいことがわかる。
Claims (9)
- 共通の基板に形成され、構造の異なる複数のメサ型導波路を含む光素子を製造する製造方法であって、
前記基板の異なる領域に第1半導体積層部および第2半導体積層部を形成する積層段階と、
前記第1半導体積層部の上面において、埋込メサ型導波路を形成すべき領域に第1形成マスクを形成し、且つ、前記第2半導体積層部の上面において、ハイメサ型導波路を形成すべき領域を含む領域に第1保護マスクを形成する第1マスク形成段階と、
前記第1形成マスクおよび前記第1保護マスクが形成されていない半導体層をエッチングし、エッチングした領域に第3半導体積層部を結晶成長させ、前記埋込メサ型導波路を形成する埋込メサ形成段階と、
前記第1形成マスクおよび前記第1保護マスクを除去して、コンタクト層を含む第4半導体積層部を結晶成長させるコンタクト形成段階と、
前記第4半導体積層部上における、前記埋込メサ型導波路を含む領域に第2保護マスクを形成し、且つ、前記第4半導体積層部上における、前記ハイメサ型導波路を形成すべき領域に、前記第1保護マスクより幅の小さい第2形成マスクを形成する第2マスク形成段階と、
前記第2保護マスクおよび前記第2形成マスクが形成されていない半導体層をエッチングして、前記ハイメサ型導波路を形成するハイメサ形成段階と
を備える製造方法。 - 前記ハイメサ型導波路のメサストライプの方向が(011)方向であり、
前記第1保護マスクの幅Xが下式を満たす(但し、Wは前記ハイメサ型導波路の幅、dは前記第4半導体積層部の厚みを示す)
X≧W+2d
請求項1に記載の製造方法。 - 前記ハイメサ型導波路のメサストライプの方向が(01−1)方向であり、
前記第1保護マスクの幅Xが下式を満たす(但し、Wは前記ハイメサ型導波路の幅、dは前記第4半導体積層部の厚みを示す)
X≧W+0.8d
請求項1に記載の製造方法。 - 前記基板は、InPで形成され、
前記複数のメサ型導波路は、前記基板の(100)面に形成される
請求項2または3に記載の製造方法。 - 前記第1保護マスクの幅Xは、80μm以下である
請求項4に記載の製造方法。 - 前記第2保護マスクは、前記第1形成マスクより幅が大きい
請求項1から5のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記光素子は、並列に設けられた複数の前記ハイメサ型導波路を有し、
それぞれの前記第1保護マスクの幅Xは下式を満たす
W+2d+5μm≧X≧W+2d
請求項2に記載の製造方法。 - 前記光素子は、並列に設けられた複数の前記ハイメサ型導波路を有し、
それぞれの前記第1保護マスクの幅Xは下式を満たす
W+0.8d+5μm≧X≧W+0.8d
請求項3に記載の製造方法。 - 請求項1から8のいずれか一項に記載の製造方法で製造された光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011162086A JP5730702B2 (ja) | 2011-07-25 | 2011-07-25 | 光素子の製造方法及び光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011162086A JP5730702B2 (ja) | 2011-07-25 | 2011-07-25 | 光素子の製造方法及び光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013025242A true JP2013025242A (ja) | 2013-02-04 |
JP5730702B2 JP5730702B2 (ja) | 2015-06-10 |
Family
ID=47783609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011162086A Active JP5730702B2 (ja) | 2011-07-25 | 2011-07-25 | 光素子の製造方法及び光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5730702B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018005079A (ja) * | 2016-07-06 | 2018-01-11 | 三菱電機株式会社 | 光半導体集積素子 |
US10241267B2 (en) | 2014-10-06 | 2019-03-26 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor optical integrated device including a reduced thickness upper cladding layer in a ridge waveguide portion, and method of manufacturing the same |
JPWO2021090412A1 (ja) * | 2019-11-06 | 2021-05-14 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010224280A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光集積回路 |
-
2011
- 2011-07-25 JP JP2011162086A patent/JP5730702B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010224280A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光集積回路 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10241267B2 (en) | 2014-10-06 | 2019-03-26 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor optical integrated device including a reduced thickness upper cladding layer in a ridge waveguide portion, and method of manufacturing the same |
US10534131B2 (en) | 2014-10-06 | 2020-01-14 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor optical integrated device having buried hetero structure waveguide and deep ridge waveguide |
JP2018005079A (ja) * | 2016-07-06 | 2018-01-11 | 三菱電機株式会社 | 光半導体集積素子 |
JPWO2021090412A1 (ja) * | 2019-11-06 | 2021-05-14 | ||
WO2021090412A1 (ja) * | 2019-11-06 | 2021-05-14 | 日本電信電話株式会社 | 光変調器の製造方法 |
JP7227542B2 (ja) | 2019-11-06 | 2023-02-22 | 日本電信電話株式会社 | 光変調器の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5730702B2 (ja) | 2015-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7835418B2 (en) | Optical semiconductor device having diffraction grating disposed on both sides of waveguide and its manufacture method | |
US20100284019A1 (en) | Semiconductor integrated optical device and method of making the same | |
US20150331298A1 (en) | Semiconductor optical integrated device | |
US20140133817A1 (en) | Coupled Waveguide Apparatus and Structures Therefor | |
JPH04243216A (ja) | 光導波路の製造方法ならびに光集積素子及びその製造方法 | |
KR20130112548A (ko) | 모드 크기 변환기 및 그의 제조방법 | |
JP5730702B2 (ja) | 光素子の製造方法及び光素子 | |
JPWO2007072807A1 (ja) | 半導体素子、および半導体素子の製造方法 | |
JP6256311B2 (ja) | 半導体光素子およびその製造方法 | |
JP2006091880A (ja) | アクティブ構造体に接続する低寄生容量の突合せ接合型パッシブ導波路装置及び方法 | |
US11552451B2 (en) | Semiconductor laser device | |
CN110622374B (zh) | 半导体装置、半导体装置的制造方法 | |
US8731344B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor optical modulator and semiconductor optical modulator | |
JP5957856B2 (ja) | 半導体集積素子 | |
JP6133025B2 (ja) | 光集積素子の製造方法 | |
JP4769778B2 (ja) | 光半導体素子及びその製造方法 | |
JP5163355B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP6622152B2 (ja) | 光素子 | |
JP2015056509A (ja) | 半導体光共振器、半導体光素子及び光通信モジュール | |
JP5326456B2 (ja) | 光導波装置 | |
JP2013025208A (ja) | 半導体光素子及び半導体光素子の製造方法 | |
JP7308948B2 (ja) | レーザー素子及びその製造方法 | |
JP5870649B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
JP2009244648A (ja) | 光変調器、その製造方法、光集積素子およびその製造方法 | |
WO2018198193A1 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140925 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150120 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150303 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150324 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150408 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5730702 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |