JP2013021660A - 画像処理装置、撮像装置、および画像処理方法、並びにプログラム - Google Patents

画像処理装置、撮像装置、および画像処理方法、並びにプログラム Download PDF

Info

Publication number
JP2013021660A
JP2013021660A JP2011155921A JP2011155921A JP2013021660A JP 2013021660 A JP2013021660 A JP 2013021660A JP 2011155921 A JP2011155921 A JP 2011155921A JP 2011155921 A JP2011155921 A JP 2011155921A JP 2013021660 A JP2013021660 A JP 2013021660A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pixel
sensitivity
pixel information
pixels
low
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Abandoned
Application number
JP2011155921A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanori Kasai
政範 笠井
Takeshi Asayama
豪 浅山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2011155921A priority Critical patent/JP2013021660A/ja
Priority to CN201280033811.0A priority patent/CN103650480A/zh
Priority to BR112014000337A priority patent/BR112014000337A2/pt
Priority to EP12812077.1A priority patent/EP2733927A1/en
Priority to RU2013157361/07A priority patent/RU2013157361A/ru
Priority to US14/131,221 priority patent/US9344637B2/en
Priority to PCT/JP2012/065825 priority patent/WO2013008596A1/ja
Publication of JP2013021660A publication Critical patent/JP2013021660A/ja
Abandoned legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/70Circuitry for compensating brightness variation in the scene
    • H04N23/741Circuitry for compensating brightness variation in the scene by increasing the dynamic range of the image compared to the dynamic range of the electronic image sensors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645Colour imagers
    • H01L27/14647Multicolour imagers having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW elements
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/70Circuitry for compensating brightness variation in the scene
    • H04N23/72Combination of two or more compensation controls
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/70Circuitry for compensating brightness variation in the scene
    • H04N23/73Circuitry for compensating brightness variation in the scene by influencing the exposure time
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/80Camera processing pipelines; Components thereof
    • H04N23/84Camera processing pipelines; Components thereof for processing colour signals
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/10Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
    • H04N25/11Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
    • H04N25/13Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
    • H04N25/134Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on three different wavelength filter elements
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50Control of the SSIS exposure
    • H04N25/57Control of the dynamic range
    • H04N25/58Control of the dynamic range involving two or more exposures
    • H04N25/587Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired sequentially, e.g. using the combination of odd and even image fields
    • H04N25/589Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired sequentially, e.g. using the combination of odd and even image fields with different integration times, e.g. short and long exposures
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/778Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself

Abstract

【課題】高感度画素と低感度画素の各画素情報を適用したワイドダイナミックレンジ画像を効率的に生成可能とした装置、方法を実現する。
【解決手段】異なる感度の画素からの出力画素信号として、複数の高感度画素の画素値を加算した高感度画素情報と、複数の低感度画素の画素値を加算した低感度画素情報を画素部から出力し、これらの画素情報を画素情報合成部において合成して出力画素値を決定してダイナミックレンジの広い出力画像を出力する。画素情報合成部では、例えば被写体の輝度に応じて高感度画素情報または低感度画素情報に対する重みを変更して、高感度画素情報と低感度画素情報との重み付き加算を行い、出力画像の画素値を決定して出力する。
【選択図】図3

Description

本開示は、画像処理装置、撮像装置、および画像処理方法、並びにプログラムに関する。さらに詳細には、ダイナミックレンジの広い画像を生成する画像処理装置、撮像装置、および画像処理方法、並びにプログラムに関する。
ビデオカメラやデジタルスチルカメラなどに用いられるCCDイメージセンサやCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサのような固体撮像デバイスは入射光量に応じた電荷を蓄積し、蓄積した電荷に対応する電気信号を出力する光電変換を行う。しかし、光電変換素子における電荷蓄積量には上限があり、一定以上の光量を受けると蓄積電荷量が飽和レベルに達してしまい、一定以上の明るさの被写体領域は飽和した輝度レベルに設定されるいわゆる白とびが発生してしまう。
このような現象を防止するため、外光の変化等に応じて、光電変換素子における電荷蓄積期間を制御して露光時間を調整し、感度を最適値に制御するといった処理が行なわれる。例えば、明るい被写体に対しては、シャッタを高速に切ることで露光時間を短縮し光電変換素子における電荷蓄積期間を短くして蓄積電荷量が飽和レベルに達する以前に電気信号を出力させる。このような処理により被写体に応じた階調を正確に再現した画像の出力が可能となる。
しかし、明るいところと暗いところが混在するような被写体の撮影においては、シャッタを高速に切ると、暗い部分で十分な露光時間がとれないためにS/Nが劣化し画質が落ちることになる。このように明るいところと暗いところが混在する被写体の撮影画像において、明るい部分、暗い部分の輝度レベルを正確に再現するためには、イメージセンサ上での入射光が少ない画素では長い露光時間として高いS/Nを実現し、入射光が多い画素では飽和を回避する処理が必要となる。
このような処理を実現する手法として、露光時間の異なる複数の画像を連続的に撮影して合成する手法が知られている。すなわち、長時間露光画像と短時間露光画像を連続的に個別に撮影し、暗い画像領域については長時間露光画像を利用し、長時間露光画像では白とびとなってしまうような明るい画像領域では短時間露光画像を利用する合成処理によって、1つの画像を生成する手法である。このように、複数の異なる露光画像を合成することで、白とびのないダイナミックレンジの広い画像、すなわち広ダイナミックレンジ画像(HDR画像)を得ることができる。
例えば特許文献1(特開2000−50151号公報)は、複数の異なる露光時間を設定した2枚の画像を撮影し、これらの画像を合成して広いダイナミックレンジの画像を得る構成を開示している。図1を参照して、この処理について説明する。撮像デバイスは、例えば、動画撮影においては、ビデオレート(30−60fps)内に2つの異なる露光時間の画像データを出力する。また、静止画撮影においても、2つの異なる露光時間の画像データを生成して出力する。図1は、撮像デバイスが生成する2つの異なる露光時間を持つ画像(長時間露光画像と、短時間露光画像)の特性について説明する図である。横軸は時間(t)であり、縦軸は固体撮像素子の1つの画素に対応する光電変換素子を構成する受光フォトダイオード(PD)における蓄積電荷量(e)である。
例えば、受光フォトダイオード(PD)の受光量が多い、すなわち明るい被写体に対応する場合、図1に示す高輝度領域11に示すように、時間経過に伴う電荷蓄積量は急激に上昇する。一方、受光フォトダイオード(PD)の受光量が少ない、すなわち暗い被写体に対応する場合、図1に示す低輝度領域12に示すように、時間経過に伴う電荷蓄積量は緩やかに上昇する。
時間t0〜t3が長時間露光画像を取得するための露光時間TLに相当する。この長時間の露光時間TLとしても低輝度領域12に示すラインは、時間t3において電荷蓄積量は飽和レベルに達することなく(非飽和点Py)、この電荷蓄積量(Sa)に基づいて得られる電気信号を利用して決定する画素の階調レベルにより、正確な階調表現を得ることができる。
しかし、高輝度領域11に示すラインは、時間t3に至る以前に、すでに電荷蓄積量は飽和レベル(飽和点Px)に達することが明らかである。従って、このような高輝度領域11は、長時間露光画像からは飽和レベルの電気信号に対応する画素値しか得られず、結果として白とび画素になってしまう。
そこで、このような高輝度領域11では、時間t3に至る前の時間、例えば図に示す時間t1(電荷掃き出し開始点P1)において、一旦、受光フォトダイオード(PD)の蓄積電荷を掃き出す。電荷掃き出しは、受光フォトダイオード(PD)に蓄積された全ての電荷ではなく、フォトダイオード(PD)において制御される中間電圧保持レベルまでとする。この電荷掃き出し処理の後、再度、露光時間TS(t2〜t3)とした短時間露光を実行する。すなわち、図に示す短時間露光開始点P2〜短時間露光終了点P3までの期間の短時間露光を行なう。この短時間露光によって電荷蓄積量(Sb)が得られ、この電荷蓄積量(Sb)に基づいて得られる電気信号に基づいて、画素の階調レベルを決定する。
なお、低輝度領域12における長時間露光によって得られる電荷蓄積量(Sa)に基づく電気信号と、高輝度領域251における短時間露光によって得られる電荷蓄積量(Sb)に基づく電気信号とに基づいて画素値を決定する際は、同一時間露光を行なった場合の推定電荷蓄積量またはその推定電荷蓄積量に対応する電気信号出力値を算出して、算出した結果に基づいて画素値レベルを決定する。
このように、短時間露光画像と長時間露光画像を組み合わせることで、白とびのないダイナミックレンジの広い画像を得ることができる。
しかしながら、上記の特許文献1に記載された構成は、いずれも長時間露光画像と短時間露光画像を個別に撮影して合成するという処理を行うことが必要となる。
このように、露光時間を変えた複数枚の画像を利用することで、広ダイナミックレンジ画像(HDR画像)を生成可能であるが、この複数画像に基づく処理には、例えば以下の課題がある。
課題1:複数回の撮影を行うことが必要であり、さらに、これらの画像を格納するメモリを必要とする点。
課題2:撮影タイミングが異なる複数の画像を合成したり、長時間露光の撮影データを用いるため、カメラのブレに弱い点。
特開2000−50151号公報
本開示は例えば、このような状況に鑑みてなされたものであり、1回の撮影画像に基づいて広ダイナミックレンジ画像を生成可能とした画像処理装置、撮像装置、および画像処理方法、並びにプログラムを提供することを目的とする。
本開示の第1の側面は、
画素または画素領域単位の露光時間制御を実行する制御部と、
前記制御部の制御下での撮影処理によって複数の異なる露光時間の画素情報を出力する画素部と、
前記画素部の出力する複数の異なる露光時間の画素情報を入力し、該複数の画素情報を利用した演算処理を実行して出力画像の画素値を算出する画素情報合成部を有し、
前記画素部は、
前記制御部の露光制御に基づいて設定された複数の高感度画素の画素値を加算した高感度画素情報と、複数の低感度画素の画素値を加算した低感度画素情報とを出力し、
前記画素情報合成部は、
前記高感度画素情報と、低感度画素情報との重み付き加算処理を実行して出力画像の画素値を算出する画像処理装置にある。
さらに、本開示の画像処理装置の一実施態様において、前記制御部は、前記画素部の列単位で露光時間制御を実行し、前記画素部は、長時間露光のなされる高感度画素列の異なる複数の高感度画素の画素値を加算した高感度画素情報と、短時間露光のなされる低感度画素列の異なる複数の低感度画素の画素値を加算した低感度画素情報を出力する。
さらに、本開示の画像処理装置の一実施態様において、前記画素情報合成部は、前記出力画像の画素値の算出処理において、長時間露光領域から入力する高感度画素情報と、短時間露光領域から入力する低感度画素情報とに対して被写体明るさに応じた重みを設定した加算処理を実行する。
さらに、本開示の画像処理装置の一実施態様において、前記画素情報合成部は、長時間露光領域から入力する高感度画素情報が既定の閾値以上である場合、前記高感度画素情報の重みをゼロまたは小さく設定し、短時間露光領域から入力する低感度画素情報のみを利用または重みを大きく設定した演算処理により出力画像の画素値を算出する。
さらに、本開示の画像処理装置の一実施態様において、前記画素情報合成部は、短時間露光領域から入力する低感度画素情報が既定の閾値未満である場合、前記低感度画素情報の重みをゼロまたは小さく設定し、長時間露光領域から入力する高感度画素情報のみを利用または重みを大きく設定した演算処理により出力画像の画素値を算出する。
さらに、本開示の画像処理装置の一実施態様において、前記制御部は、前記画素部の列単位のシャッタ制御により、列単位の露光時間制御を実行する。
さらに、本開示の画像処理装置の一実施態様において、前記制御部は、前記画素部の2列単位で長時間露光領域と短時間露光領域とを交互設定した露光時間制御を実行し、前記画素部は、前記長時間露光領域に含まれる複数画素の画素値を加算した高感度画素情報と、前記短時間露光領域に含まれる複数画素の画素値を加算した低感度画素情報とを出力する。
さらに、本開示の画像処理装置の一実施態様において、前記画像処理装置は、さらに、前記画素情報合成部の生成した出力画像の各画素の画素値のビット削減処理を実行する諧調変換部を有する。
さらに、本開示の画像処理装置の一実施態様において、前記画像処理装置は、さらに、前記画素情報合成部の生成した出力画像に対する信号処理を実行する信号処理部を有する。
さらに、本開示の画像処理装置の一実施態様において、前記画像処理装置は、さらに、前記画素情報合成部の生成した出力画像に対する符号化処理を実行するコーデックを有する。
さらに、本開示の画像処理装置の一実施態様において、前記制御部は、前記画素部の画素単位で露光時間制御を実行し、前記画素部は、長時間露光のなされる異なる複数の高感度画素の画素値を加算した高感度画素情報と、短時間露光のなされる異なる複数の低感度画素の画素値を加算した低感度画素情報を出力する。
さらに、本開示の画像処理装置の一実施態様において、前記画素部は、2×2画素領域に含まれる長時間露光のなされる2つの高感度画素の画素値を加算した高感度画素情報と、2×2画素領域に含まれる短時間露光のなされる2つの低感度画素の画素値を加算した低感度画素情報を出力する。
さらに、本開示の画像処理装置の一実施態様において、前記画素部は、ベイヤー配列を有する。
さらに、本開示の第2の側面は、
撮像部と、
請求項1から11いずれかに記載の処理を実行する画像処理部を有する撮像装置にある。
さらに、本開示の第3の側面は、
画像処理装置において実行する画像処理方法であり、
制御部が、画素または画素領域単位の露光時間制御を実行する制御ステップと、
画素部が、前記制御部の制御下での撮影処理によって複数の異なる露光時間の画素情報を出力する画素情報出力ステップと、
画素情報合成部が、前記画素部の出力する複数の異なる露光時間の画素情報を入力し、該複数の画素情報を利用した演算処理を実行して出力画像の画素値を算出する画素情報合成ステップを実行し、
前記画素情報出力ステップは、
前記制御部の実行する露光時間制御に基づいて設定された複数の高感度画素の画素値を加算した高感度画素情報と、複数の低感度画素の画素値を加算した低感度画素情報とを出力するステップであり、
前記画素情報合成ステップは、
前記高感度画素情報と、低感度画素情報との重み付き加算処理を実行して出力画像の画素値を算出するステップである画像処理方法にある。
さらに、本開示の第4の側面は、
画像処理装置において画像処理を実行させるプログラムであり、
制御部に、画素または画素領域単位の露光時間制御を実行させる制御ステップと、
画素部に、前記制御部の制御下での撮影処理によって複数の異なる露光時間の画素情報を出力させる画素情報出力ステップと、
画素情報合成部に、前記画素部の出力する複数の異なる露光時間の画素情報を入力し、該複数の画素情報を利用した演算処理を実行して出力画像の画素値を算出させる画素情報合成ステップを実行させ、
前記画素情報出力ステップにおいては、
前記制御部の実行する露光時間制御に基づいて設定された複数の高感度画素の画素値を加算した高感度画素情報と、複数の低感度画素の画素値を加算した低感度画素情報とを出力させ、
前記画素情報合成ステップにおいては、
前記高感度画素情報と、低感度画素情報との重み付き加算処理を実行して出力画像の画素値を算出させるプログラムにある。
なお、本開示のプログラムは、例えば、様々なプログラム・コードを実行可能な情報処理装置やコンピュータ・システムに対して例えば記憶媒体によって提供されるプログラムである。このようなプログラムを情報処理装置やコンピュータ・システム上のプログラム実行部で実行することでプログラムに応じた処理が実現される。
本開示のさらに他の目的、特徴や利点は、後述する本開示の実施例や添付する図面に基づくより詳細な説明によって明らかになるであろう。なお、本明細書においてシステムとは、複数の装置の論理的集合構成であり、各構成の装置が同一筐体内にあるものには限らない。
本開示の一実施例によれば、高感度画素と低感度画素の各画素情報を適用したワイドダイナミックレンジ画像を効率的に生成可能とした装置、方法が実現される。
具体的には、異なる感度の画素からの出力画素信号として、複数の高感度画素の画素値を加算した高感度画素情報と、複数の低感度画素の画素値を加算した低感度画素情報を画素部から出力し、これらの画素情報を画素情報合成部において合成して出力画素値を決定してダイナミックレンジの広い出力画像を出力する。画素情報合成部では、例えば被写体の輝度に応じて高感度画素情報または低感度画素情報に対する重みを変更して、高感度画素情報と低感度画素情報との重み付き加算を行い、出力画像の画素値を決定して出力する。
本開示の一実施例によれば、画素部に感度の異なる画素が配置され、更に感度の異なる複数の画素から、解像度を低下させた画素情報を生成する構成とすることで、フレームメモリを必要とせずにワイドダイナミックレンジ画像を生成することができる。また、同一感度同士のアナログ加算が可能であることから、フレームレートの上昇も可能となる。
複数の画像撮影による広ダイナミックレンジ画像の撮影処理例について説明する図である。 撮像装置の構成例について説明する図である。 撮像デバイスの構成と処理例について説明する図である。 画素情報合成処理の具体例について説明する図である。 高感度画素と低感度画素の明るさと出力との対応関係と、低感度画素の出力の調整処理としてのゲイン制御について説明する図である。 実施例1に係る画像処理装置における撮像デバイスの画素部の回路構成について説明する図である。 実施例1に係る画像処理装置における撮像シーケンスについて説明するタイミングチャートを示す図である。 複数画素の画素値加算出力処理について説明する図である。 画像処理装置における撮像デバイスの画素情報合成部における出力画素の決定アルゴリズムの一例について説明する図である。 画像処理装置における撮像デバイスの画素情報合成部における出力画素の決定アルゴリズムの一例について説明する図である。 画像処理装置における撮像デバイスの画素情報合成部における出力画素の決定アルゴリズムの一例について説明する図である。 画像処理装置における撮像デバイスの画素情報合成部における出力画素の決定アルゴリズムの一例について説明する図である。 実施例2に係る画像処理装置における撮像デバイスの画素部の回路構成について説明する図である。 実施例2に係る画像処理装置における撮像シーケンスについて説明するタイミングチャートを示す図である。 実施例2に係る画像処理装置における撮像デバイスの画素部の回路構成について説明する図である。 実施例2に係る画像処理装置における撮像シーケンスについて説明するタイミングチャートを示す図である。 実施例3に係る画像処理装置における撮像デバイスの画素部の回路構成について説明する図である。 実施例3に係る画像処理装置における撮像シーケンスについて説明するタイミングチャートを示す図である。 実施例3に係る画像処理装置における撮像デバイスの画素部の回路構成について説明する図である。 実施例3に係る画像処理装置における撮像シーケンスについて説明するタイミングチャートを示す図である。 実施例4に係る画像処理装置における撮像デバイスの構成と処理について説明する図である。 実施例4に係る画像処理装置の撮像デバイスに設定された諧調変換部の実行する処理の具体例について説明する図である。 実施例5に係る画像処理装置における撮像デバイスの構成と処理について説明する図である。 画素部の画素配列の例について説明する図である。 画素情報合成処理の具体例について説明する図である。 実施例6に係る画像処理装置における撮像デバイスの画素部の回路構成について説明する図である。 実施例6に係る画像処理装置における撮像シーケンスについて説明するタイミングチャートを示す図である。 画素部の画素配列と、画素情報合成処理の具体例について説明する図である。
以下、図面を参照しながら本開示の画像処理装置、撮像装置、および画像処理方法、並びにプログラムの詳細について説明する。説明は、以下の項目に従って行う。
1.撮像装置の構成例について
2.撮像デバイスの構成例について
3.その他の実施例について
3−1.実施例2
3−2.実施例3
3−3.実施例4
3−4.実施例5
3−6.実施例6
4.本開示の構成のまとめ
[1.撮像装置の構成例について]
まず、本開示の画像処理装置の一例である撮像装置の全体構成例について図2を参照して説明する。
図2は、撮像装置の構成例を示すブロック図である。光学レンズ101を介して入射される光は撮像部、例えばCMOSイメージセンサなどによって構成される撮像デバイス102に入射し、光電変換による画像データを出力する。出力画像データは信号処理部103に入力される。信号処理部103は、例えばホワイトバランス(WB)調整、ガンマ補正等、一般的なカメラにおける信号処理を実行して出力画像120を生成する。出力画像120は図示しない記憶部に格納される。あるいは表示部に出力される。
制御部105は、例えば図示しないメモリに格納されたプログラムに従って各部に制御信号を出力し、各種の処理の制御を行う。
[2.撮像デバイスの構成例について]
次に、撮像デバイス102の構成例について図3を参照して説明する。
図3は、本開示の一実施例の撮像デバイス102の構成を示す図である。
撮像デバイス102は、図3に示すように画素部151、演算部160を有する。
演算部160はAD変換部161、画素情報合成部162、出力部163を有する。
なお、演算部160は、画素部151と同一のチップ上の構成、すなわちオンチップにある設定としてもよいし、画素部151と異なるチップや装置内に設定する構成としてもよい。
画素部151は、多数の画素各々に被写体光に基づく電荷を蓄積し、高解像度画像である高画素数の画像データを出力する。
なお、画素部151は、長時間露光を行う高感度画素と、短時間露光を行う低感度画素を有する構成となっている。
画素部151の構成と、撮像デバイス102における演算部160の処理によって生成される出力画像の構成例について図4を参照して説明する。
図4(a)に示すように画素部151は、例えば、RGbGrB配列からなるベイヤー配列である。
画素部151は、制御部105の制御によって、露光時間が画素単位で制御され、
露光時間の長い設定とされる高感度画素、
露光時間の短い設定とされる低感度画素、
これらの2種類の画素に区分される。
図に示すように縦方向のラインに従って、
2列単位で、高感度画素と低感度画素が交互に設定される。
なお、図4(a)に示すように、水平方向を(x)、垂直方向を(y)として、列番号をx座標で表し、行番号をy座標で表している。
撮像デバイス102の演算部160は、これらの高感度画素情報と低感度画素情報を入力して、異なる感度の画素情報を合成して出力画像の1つの画素値を設定する。
図4に示す例では、2種類の感度を持つ4つの画素から1つの画素情報を出力する例を示している。つまり、撮像デバイス102は、画素部151の本来の画素数を1/4に削減した画像、すなわち、図4(b)に示す画素数削減画像220を生成して出力する。
図3に示す撮像デバイス102の演算部160には、画素部151から、高感度画素情報181と、低感度画素情報182が入力される。
演算部160のA/D変換部161はこれらの入力信号のA/D変換、すなわちアナログ信号をデジタル信号に変換する処理を実行して、変換後のデジタル値をがぞ情報合成部162に入力する。
画素情報合成部162では、例えば図4に示すように、図4(a)に示す画素部の3×3画素領域211から、同一色(本例ではGb)の4つの画素信号に基づいて出力画像の1つの画素値(Gb)を算出する。このような画素値合成処理を実行して画素数削減画像220を生成して出力部163を介して出力する。
合成対象となる4つの画素は、
2つが高感度画素であり、2つが低感度画素から選択される。
画素情報合成部162における具体的な処理例について、図4を参照して説明する。
図4を参照して、Gb画素の画素値算出処理例について説明する。
画素情報合成部162は、4つの画素情報から1つの画素情報を生成する際に、図4に示すように、
高感度のアナログ加算後信号{Gb(1,1)+Gb(1,3)}と、
低感度のアナログ加算後信号{Gb(3,1)+Gb(3,3)}と、
の重みづけ平均を算出する。
具体的には、画素数削減画像のGbの画素値Gb(out)を、下式(式1)に従って算出する。
Gb(out)={Gb(1,1)+Gb(1,3)}×α+{Gb(3,1)+Gb(3,3)}×(Gain)×β・・・(式1)
ただし、
Gain:高感度画素と低感度画素との感度比を補償するゲイン値、
α,β:α+β=1を満足する重み係数としての乗算パラメータ、
である。
なお、α、βはも各色、R,Gb,Gr,Bごとに異なる値を用いてもよい。また被写体の明るさに応じて変えても良い。
R,Gb,Gr,Bの各々について、上記式(式1)と同様、
高感度画素2画素のアナログ加算値と、
低感度画素2画素のアナログ加算値の感度補償された値とを、
予め設定した乗算パラメータα、βによる乗算結果の加算処理を行って算出する。
すなわち、高感度画素2画素のアナログ加算値と、低感度画素2画素のアナログ加算値の感度補償された値との重み付き平均を算出し、算出値を図4(b)に示す画素数削減画像の出力画素値、例えば図4に示すGb(out)221の画素値として設定する。
なお、(式1)中のGainは、上記のように感度差を補償するための係数である。例えば、低感度画素:高感度画素の感度比が1:4である場合、図5に示すように、被写体明るさが同じ場合、低感度画素の画素値(出力)は、高感度画素の1/4となる。この低感度画素を、高感度画素とした場合の推定画素値を算出するため、低感度画素からの出力に4倍のゲインを与える。
図5に示すように、被写体の明るさが、明るくなり点aを超える明るさになると、高感度画素は飽和してしまい、a以上の明るさの被写体をすべて飽和画素値として出力してしまう。
一方、低感度画素においては、a以上の明るさの被写体においても、画素値は飽和せず、被写体の明るさに応じた画素値出力を生成できる。
例えば被写体が暗い画素領域では、ノイズの少ない高感度画素の画素値を選択して出力、あるいは高感度画素の画素値と低感度画素の画素値の合成に際して、高感度画素の重みを高くした合成処理によって算出した画素値を出力する。
また、被写体が明るい場合は、飽和していない低感度画素の画素値を選択して出力、あるいは高感度画素の画素値と低感度画素の画素値の合成に際して、低感度画素の重みを高くした合成処理によって算出した画素値を出力する。
このような処理を実行することで、明るさに対する線形性が保たれた画素値を出力可能となり、暗い被写体から明るい被写体までの明るさを正確に表現した、ワイドダイナミックレンジ画像を出力することができる。
図3に示す撮像デバイス192の演算部160における画素情報合成部162は、例えば図4に示す3×3画素領域211に含まれる2つの高感度画素と2つの低感度画素の画素値を用いて、このような処理を行うことでワイドダイナミックレンジ画像を出力する。
具体的には、例えば、上記の(式1)、すなわち、
Gb(out)={Gb(1,1)+Gb(1,3)}×α+{Gb(3,1)+Gb(3,3)}×(Gain)×β・・・(式1)
において、
高感度画素の加算値:{Gb(1,1)+Gb(1,3)}、
低感度画素の加算値:{Gb(3,1)+Gb(3,3)}、
これらに対する重み係数である乗算パラメータα、βを、図5を参照して説明したように被写体明るさに応じて変更して出力画素値(Gout)を算出する。
なお、図4に示す設定では、明るさの判定は、3×3画素領域単位で実行し、その単位で重み係数である乗算パラメータα、βは、3×3画素領域単位で設定すればよい。
次に、図6を参照して、図3に示す撮像デバイス102の画素部151の詳細構成例について説明する。
図6は画素部151の詳細である。画素部151は、例えばMOS型イメージセンサー(CMOSセンサー)によって構成される。
図6には、画素部151の5×3=15画素のみを示している。
x方向に5画素、y方向に3画素である。
図に示す左上端のGb(1,1)画素251は、図4(a)に示す左上端の画素Gb(1,1)に対応する。
図6に示す点線枠で示す4つのGb画素、
Gb(1,1)251、
Gb(1,3)252、
Gb(3,1)253、
Gb(3,3)254、
これらは、図4(a)に示す左上端の3×3画素領域211に含まれる4つのGb画素に対応する。
画素部151は、先に図4を参照して説明したように、制御部105の制御によって、露光時間が画素単位で制御され、
露光時間の長い設定とされる高感度画素、
露光時間の短い設定とされる低感度画素、
これらの2種類の画素が、縦方向のラインに従って2列単位で交互に設定される。
Gb(1,1)251と、Gb(1,3)252の2画素は、長時間露光がなされる高感度画素である。
Gb(3,1)253と、Gb(3,3)254の2画素は、短時間露光がなされる低感度画素である。
このような露光制御構成を実現するため、各画素の制御トランジスタT1に接続される信号線が、1行につき、L1、H1の2本配線される。
信号線L1,H1は、それぞれ、各画素の露光開始時間の制御信号を各画素に伝送する信号線である。
図7は図6に記載した画素部に対する制御信号の転送タイミングと、各画素の露光時間制御処理について説明するタイミングチャートである。
通常CMOSセンサーは、シャッタ動作とリード動作に大別された動作を行う。シャッタ動作とは、撮影(露光)をスタートさせる際の動作で、フォトダイオードの物理状態としては、リセット処理(RST信号ON、L1またはH1信号ON)による電子を空に設定すると同時に、受光量に応じた電子の蓄積を開始させる処理(その後、RST信号OFF、L1またはH1信号OFF)が行われる。このシャッタ動作によって露光が始まる。
露光終了は、リード動作によってタイミングが決定されて実行される。
リード動作は、画素値の読み取り対象となる画素の選択信号である選択信号(SEL)をONとし、さらに、このタイミングでフローティングディフュージョン(FD)のリセット処理のための(RST)をONとして、露光開始以前のノイズ等に基づくFD蓄積電荷を取り除き、選択信号(SEL)のON期間中に、各画素の制御トランジスタ(T1)を動作させる信号線(L1とH1)をONとすることで、選択信号(SEL)と信号線(L1,H1)の両信号がONとなった画素の画素値の読み出しが実行される。
前述したように、本開示の撮像デバイス102の画素部151は、図4を参照して説明したように、縦方向にストライプ状に高感度画素と低感度画素を例えば2列単位で交互に設定する構成を持つ。
図7に示すタイミングチャートでこれが実現される。
なお、画素部151からの画素値読み出し処理は、以下のシーケンスで実行する。
(S1)第1行と第3行を同時に読み出して、同一列の2つの画素値を加算して出力、
(S2)第2行と第4行を同時に読み出して、同一列の2つの画素値を加算して出力、
(S3)第5行と第7行を同時に読み出して、同一列の2つの画素値を加算して出力、
(S4)第6行と第8行を同時に読み出して、同一列の2つの画素値を加算して出力、
: :
以下、このように、1行おきの2つの行の同一列の同一色の画素の画素値を同時に読み出してこれらを加算して出力する。
本例では、2列単位で高感度画素と低感度画素が設定されており、上記の各ステップ(S1),(S2),(S3),・・・において、
2つの高感度画素の画素値加算と、
2つの低感度画素の画素値加算が実行され、
これらの高感度画素加算値と低感度画素加算値が出力されることになる。
図7に示すタイミングチャートは、第1行と第3行の処理シーケンスとしてのシャッタ動作とリード動作の実行例を示している。
まず、時間(t1)において、
第1行のリセット信号(RST1)、
第3行のリセット信号(RST3)、
第1行の高感度画素列のみに対する露光開始信号として高感度画素の制御トランジスタT1を動作させる制御信号(H1)、
第3行の高感度画素列のみに対する露光開始信号として高感度画素の制御トランジスタT1を動作させる制御信号(H3)、
これらをHigh(ON)にする。
これらの処理により、信号線、H1とH3に接続された第1行と第3行の高感度画素の制御トランジスタ(T1)がONとなり、第1行と第3行の高感度画素列に設定されたフォトダイオード内の電子が空になり、被写体光に応じた新たな電荷蓄積が開始される(高感度画素シャッタ動作)。
次いで、時間(t2)において、
第1行のリセット信号(RST1)、
第3行のリセット信号(RST3)、
第1行の低感度画素列のみに対する露光開始信号として低感度画素の制御トランジスタT1を動作させる制御信号(L1)、
第3行の低感度画素列のみに対する露光開始信号として低感度画素の制御トランジスタT1を動作させる制御信号(L3)、
これらをHigh(ON)にする。
これらの処理により、信号線、L1とL3に接続された第1行と第3行の低感度画素の制御トランジスタ(T1)がONとなり、第1行と第3行の低感度画素列に設定されたフォトダイオード内の電子が空になり、被写体光に応じた新たな電荷蓄積が開始される(低感度画素シャッタ動作)。
次に、リード動作を実行する。
まず、時間(t3)において、
同時読み出しによる加算対象行である第1行第3行について、
第1行、第3行のリセット信号(RST1,RST3)、
第1行、第3行の選択信号(SEL1,SEL3)、
これらを同時にHigh(ON)として、フローティングディフュージョン(FD)のリセット(RST)を行う。
この処理によって、FDに蓄積されたノイズ等に起因する電荷を排除する。
次いで、第1行、第3行の選択信号(SEL1,SEL3)をHigh(ON)に設定した期間内の時間(t4)において、
第1行の高感度画素列のみに対する露光開始信号として高感度画素の制御トランジスタT1を動作させる制御信号(H1)、
第3行の高感度画素列のみに対する露光開始信号として高感度画素の制御トランジスタT1を動作させる制御信号(H3)、
第1行の低感度画素列のみに対する露光開始信号として低感度画素の制御トランジスタT1を動作させる制御信号(L1)、
第3行の低感度画素列のみに対する露光開始信号として低感度画素の制御トランジスタT1を動作させる制御信号(L3)、
これらをすべてHigh(ON)にする。
第1行と第3行の画素値は、1本の出力ラインを介して同一列の画素値が加算されて出力される。
すなわち、
図6に示す高感度画素列である第1列からは、出力ライン(Out1)を介して、第1行、第1列のGb画素251[Gb(1,1)]と第3行、第1列のGb画素252[Gb(1,3)]との2つの高感度画素の加算画素値が出力される。
また、図6に示す低感度画素列である第3列からは、出力ライン(Out3)を介して、第1行、第3列のGb画素261[Gb(3,1)]と第3行、第3列のGb画素262[Gb(3,3)]との2つの低感度画素の加算画素値が出力される。
画素の加算結果の出力構成について図8を参照して説明する。
図8は、図6に示す高感度画素列である第1列の2つの画素、すなわち、
第1行、第1列のGb画素251[Gb(1,1)]、
第3行、第1列のGb画素252[Gb(1,3)]、
これらの画素を示している。
図7に示す時間(t4)の信号設定により、縦方向の2つの画素が図8のようにアクティブな状態となる。結果としてAMPトランジスタの電流を加算することになり、アナログレベルでの画素加算が実行される。
具体的には、以下の処理が実行される。
第1行、第1列のGb画素251[Gb(1,1)]からは画素値aが出力ライン(Out1)上に出力される。
第3行、第1列のGb画素252[Gb(1,3)]からは画素値bが出力ライン(Out1)上に出力される。
結果として、出力ライン(Out1)からは、これら2つの画素の加算値、
a+b
が出力される。
図8に示す画素加算出力処理例は、第1列の高感度画素の加算出力処理例であるが、第3列においても低感度画素同士の画素値加算が実行され、出力ライン(Out3)からは2つの低感度画素の画素値加算結果が出力される。
また、その他のすべての同一タイミングの出力が実行される行の組み合わせ、すなわち、
第1行と第3行、
第2行と第4行、
第5行と第7行、
第6行と第8行、

これらの全ての1行おきの2行の同一列の同一色の画素値は加算されて出力される。
このように、2つの画素の画素値の加算信号が、図3に示す画素部151から出力される。
図3に示す高感度画素情報181は、このような複数の高感度画素の加算信号であり、低感度画素情報182も複数の低感度画素の加算信号である。
図7に示すタイミングチャートでのポイントは、同一行でシャッタ時期、すなわち、露光開始時間を異なる時間に設定できることにある。
高感度画素列と低感度画素列とでシャッタ時期をずらすことで露光時間を異ならせることができ、同一行で感度を変えることが可能になる。
また、縦方向には感度が同一になっているため、上記したようなアナログレベルの加算が可能になる。アナログレベルの加算は、CMOSセンサーのフレームレート向上に寄与することができる。なお、ここでは2画素加算の例を示したが、3画素以上の加算も可能である。
図9は、4画素から一つの画素情報を生成する処理例を説明する図である。
図3に示す画素部151からは、
高感度のアナログ加算後信号{Gb(1,1)+Gb(1,3)}、
低感度のアナログ加算後信号{Gb(3,1)+Gb(3,3)}、
これらが出力される。
図3に示す高感度画素情報181、低感度画素情報182である。
図9に示す例では、
高感度画素情報:Gb(1)=Gb(1,1)+Gb(1,3)
低感度画素情報:Gb(3)=Gb(3,1)+Gb(3,3)
となる。
図3に示す演算部160のAD変換部161は、これらの加算信号:Gb(1),Gb(3)をデジタル値に変換して画素情報合成部162に入力する。
画素情報合成部162は、これらの加算画素情報:Gb(1),Gb(3)から1つの出力画素値:Gb(Out)を生成する。
図9に示すように、画素情報合成部162は、
Gb(Out)=α×Gb(1)+β×Gb(3)×(Gain)・・・(式2)
上記式2に従って、出力画素値:Gb(Out)を算出して出力部163を介して出力する。
ただし、
Gain:高感度画素と低感度画素との感度比を補償するゲイン値、
α,β:α+β=1を満足する重み係数としての乗算パラメータ、
である。
上記(式2)は先に説明した(式1)、すなわち、
Gb(out)={Gb(1,1)+Gb(1,3)}×α+{Gb(3,1)+Gb(3,3)}×(Gain)×β・・・(式1)
上記式と同様の式である。
このように本開示の撮像装置では、画素部151で、縦方向にアナログ加算を行い、その後、演算部160の画素情報合成部162において、横方向でデジタル的な加算を行う。
図10も、図9と同様、画素部の4画素から出力画像の一つの画素情報を生成する処理例を説明する図である。
(S11)画素部において実行する同じ感度の2画素のアナログ値加算処理、
(S12)画素情報合成部において実行する高感度画素の加算結果[G(1)]と、低感度画素の加算結果[G(3)]とを重み係数の乗算とゲイン調整を行って加算して出力画素の画素値[G(Out)]を算出する処理、
これらの処理によって出力画像の画素値算出が実行されることを説明している。
図11は、図3に示す演算部160の画素情報合成部162が生成する合成画像、すなわち画素情報合成画像の生成処理の例を説明する図である。
前述のように、図3に示す演算部160の画素情報合成部162は、複数の画素の画素値を適用して、出力画像の1つの画素の画素値を決定する。
画素情報合成部162は、合成画像の画素値算出式である(式1)、すなわち、
Gb(out)={Gb(1,1)+Gb(1,3)}×α+{Gb(3,1)+Gb(3,3)}×(Gain)×β・・・(式1)
上記式に従って、撮影画像の複数の画素値から1つの画素値を算出する。
先に説明したように、上記式中の係数:α、βは、例えば被写体の明るさに応じて変更する設定としてよい。例えば、明るい被写体に対しては、高感度画素の画素値が飽和状態、すなわち最大画素値となり、正確な画素値を反映できない場合がある。このような場合は、α=0として、高感度画素のGb(1,1)とGb(1,3)の画素値を適用せず、β=1として、低感度画素のGb(3,1)とGb(3,3)の画素値のみを適用して出力画素値を算出する処理を実行する。
図11は、このような処理態様について、3つの処理態様を示している。すなわち、
(1)明るい被写体(高感度画素が飽和値)
(2)中位の被写体(高感度画素が飽和値以下で、高感度画素、低感度画素とも既定の許容SN比以上)
(3)暗い被写体(高感度画素が飽和値以下で、低感度画素が既定の許容SN比未満)
これらの被写体の撮影領域に対応する合成処理の態様を説明する図である。
各処理態様について説明する。
(1)明るい被写体(高感度画素が飽和値)
図11(1)に示すように被写体が明るく、高感度画素が飽和値である場合は、高感度画素の画素値は、画素部の各画素において蓄積可能な最大電荷量に対応する最大画素値となり、正確な画素値を反映できない状態にある。
このような場合は、高感度画素の画素値は、画素情報合成画像の出力画素の画素値算出に適用しない。この図11(1)に示す例では、先に説明した(式1)における係数:α、βの設定は以下のような設定となる。
すなわち、α=0、β=1として、高感度画素の画素値を適用せず、低感度画素の画素値のみを適用して出力画素値を算出する処理を実行する。
(2)中位の被写体(高感度画素が飽和値以下で、高感度画素、低感度画素とも既定の許容SN比以上)
図11(2)に示すように、明るさが中位の被写体、すなわち、高感度画素が飽和値以下で、高感度画素、低感度画素とも既定の許容SN比以上である場合は以下の処理を行う。
高感度画素、低感度画素とも正確な画素値を反映していると判断できるため、どちらかを選択して利用して画素情報合成画像の画素値として設定してもよいし、すべてを利用したブレンド処理を実行して画素情報合成画像の画素値を算出してもよい。
この場合、先に説明した(式1)における係数:α、βの設定は、
α+β=1
上記制約を満たす範囲で、様々な設定が可能である。一例として、例えば、
α=β=0.5
このような設定として、高感度画素2画素と低感度画素2画素の計4画素の平均値を画素情報合成画像における1つの出力画素の画素値として設定してもよい。
(3)暗い被写体(高感度画素が飽和値以下で、低感度画素が既定の許容SN比未満)
図11(3)に示すように、暗い被写体、すなわち、高感度画素が飽和値以下で、低感度画素が既定の許容SN比未満である場合は以下の処理を行う。
低感度画素の画素値は、予め定めた許容SN比未満であり、正確な画素値を反映していると言えない。このような場合は、低感度画素の画素値を適用せず、高感度画素の画素値のみに基づいて画素情報合成画像の出力画素値を算出する。
この場合、先に説明した(式1)における係数:α、βの設定は、
α=0
β=1
とする。
すなわち、低感度画素の画素値を利用せず、高感度画素の画素値のみを適用して画素情報合成画像の出力画素値を算出する。
出力画素に対する入力画素の寄与度に対応する重み係数の設定例について図12を参照して説明する。
図12(1)には、
高感度画素情報に対する乗算パラメータである重み係数:W(=α)、
低感度画素情報に対する乗算パラメータである重み係数:W(=β)、
これらの設定例を示している。
図12(1)に示すように、
出力画素値は、Gb画素を例として説明すると、
Gb(Out)=(高感度画素情報(Gb(1))×W+(低感度画素情報(Gb(3))×(ゲイン)×W
となる。
なお、
高感度画素情報(Gb(1))は、同一列の2つの高感度画素の画素値加算結果である。
低感度画素情報(Gb(3))は、同一列の2つの低感度画素の画素値加算結果である。
:入力画素の高感度画素に対応する重み係数(=α)、
:入力画素の低感度画素に対応する重み係数(=β)、
ただし、W+W=1の関係を満たす係数、
である。
図12(1)には、入力画素の高感度画素に対応する重み係数Wと、低感度画素に対応する重み係数Wの設定例を示している。
ここでは、低感度画素の画素値に応じて、異なる係数を利用する設定としている。
具体的には、例えば図12(1)に示す以下の設定の係数を利用する。
なお、各画素の画素値は10bit(0〜1023)の出力であるとする。
低感度画素の画素値(data)に応じて以下の設定とする。
(a)0≦data<50の場合:W=1.0、W=0
(b)50≦data<100の場合:W=0.5、W=0.5
(c)100≦data<1023の場合:W=0、W=1.0
この係数設定は、以下のような想定に基づくものである。
(a)0≦data<50の場合
このように、低感度画素の画素値(data)が小さい場合、被写体の明るさが低く、低感度画素の画素値のSN比が低いと推定される。この場合、低感度画素の画素値(data)の信頼度が低いと判断され、また、近傍の高感度画素の画素値が飽和していないと推定される。このような場合は、低感度画素の画素値に対する乗算係数:Wを0として、高感度画素の画素値に対する乗算係数:Wを1として、高感度画素の画素値のみに依存した合成画素の画素値[Gb(Out)]を算出する。
(b)50≦data<100の場合
このように、低感度画素の画素値(data)が中程度である場合、被写体の明るさが中程度であり、低感度画素の画素値のSN比が良好であると推定される。この場合、低感度画素の画素値(data)の信頼度が高いと判断され、また、近傍の高感度画素の画素値も飽和していないと推定される。このような場合は、低感度画素の画素値と高感度画素の画素値をブレンドする。すなわち、低感度画素の画素値に対する乗算係数:Wを0.5として、高感度画素の画素値に対する乗算係数:Wも0.5として、高感度画素と低感度画素の2つの画素値の平均により合成画素の画素値[Gb(Out)]を算出する。
(c)100≦data<1023の場合
このように、低感度画素の画素値(data)が高い場合、被写体の明るさが極めて明るいと判断される。この場合、低感度画素の画素値のSN比は良好であり、低感度画素の画素値(data)の信頼度が高いと判断されるが、近傍の高感度画素の画素値は飽和している可能性が高いと推定される。このような場合は、高感度画素の画素値に対する乗算係数:Wを0として、低感度画素の画素値に対する乗算係数:Wを1として、低感度画素の画素値のみに依存した合成画素の画素値[Gb(Out)]を算出する。
このように、低感度画素情報を利用して係数の設定を行うことができる。なお、ここでは簡便化のため3種類としたが、低感度画素情報に基づいて重みを算出する関数を予め設定して、図3に示す画素情報合成部162が画素部151から入力する低感度画素情報182に基づいて既定の関数を適用した演算を実行して係数W、Wを算出する構成としてもよい。
図12(2)には、ある画素の出力画素値の算出に適用した重み係数を隣接する画素の出力画素値の算出に適用する重み係数として利用する処理例を示している。一般的に画素の輝度はある範囲の画素領域においてなだらかに変化する場合が多い。このような性質を利用して、例えばGb画素の出力画素値の算出に適用した重み例数をGb画素に隣接するB画素の算出、あるいはR画素の算出の場合にもおなじ重み係数を利用する設定としてもよい。
重み係数を色に応じて変化させずに安定化させることは、高感度、低感度、どちらの画素情報を主に利用するかを所定領域ないで統一させることになる。これは出力画像の領域単位の露光時間を安定化させることにつながり、撮影している物体が動いた場合など、露光期間のずれによる偽色の発生を防ぐことができる。
また、図8を参照した説明において言及したように2画素を超える数の画素加算も可能であるが、この場合、横方向に関しては、まずは2画素ずつで合成を行い、その後、縦横のアスペクト比を揃えるように、横方向に対してデジタルリサンプリング処理を行えば良い。
[3.その他の実施例について]
(3.1.実施例2)
先に説明した実施例では、各画素の回路構成は、図6を参照して説明したように、全ての画素が同じ回路構成を有している。具体的には、
制御トランジスタ(T1)、
アンプトランジスタ(AMP)、
リセットトランジスタ(RST)、
選択トランジスタ(SEL)、
これらの各トランジスタを各画素単位で設定した回路構成である。
しかし、これらの各トランジスタについては、一部のトランジスタを複数画素で1つの設定として複数画素で共通に利用する構成が可能である。
一例について図13を参照して説明する。
図13に示す画素部構成は、AMPトランジスタ、RSTトランジスタ、SELトランジスタを4つの縦に並んだ画素に1つの設定として、これらのトランジスタを共有した構成である。図13は、共有画素構造による画素アレイの一例を示す図である。
図13(a)に示す画素部の縦列に隣接する4つの画素ブロック301の回路構成が図13(b)に示す回路である。
これら4つの画素Gb(1,1)、R1、Gb(1,3)、R2に対して、AMPトランジスタ、RSTトランジスタ、SELトランジスタが1つ対応付けられている。
この構造で、例えば、Gb(1,1)画素とGb(1,3)画素を加算する場合、図14に示すタイミングチャートのように、読み出しの際にGb(1,1)画素の制御トランジスタT1と、Gb(1,3)画素の制御トランジスタT3を、時間(t2)において、同時に、"H"(ON)にすればよい。
この処理により、Gb(1,1)画素とGb(1,3)画素、それぞれのフォトダイオードの電子が、図13(b)のFD311に合算され、この加算信号がSELトランジスタを介して読み出されることになる。
図15は、図13を参照して説明したトランジスタの共有構成、すなわち、AMPトランジスタ、RSTトランジスタ、SELトランジスタを4つの縦に並んだ画素ブロックに1つの設定としてトランジスタを共有した構成における画素アレイを示している。画素ブロックは、画素ブロック321のように、点線枠で示している。
先に説明した図6の構成と同様、図15の回路においても画素の制御トランジスタTnに接続される信号線は、1行につき、LT1、HT1の2本配線されている。この構成で、2列単位の高感度画素と低感度画素の設定が実現されている。
図6の構成との差異は、リセット信号線(RST)と選択信号線(SEL)が、各列の4画素からなる画素ブロックに対して1つの設定としている点である。
例えば画素プロック321は、第1列に含まれる4つの画素からなるが、この4画素から構成される画素ブロック321に対して、1本のリセット信号線(RST)と選択信号線(SEL)が接続された構成となっている。
これは、図13(B)を参照して説明したように、1つの列の4つの画素からなる画素ブロック単位でAMPトランジスタ、RSTトランジスタ、SELトランジスタを1つの設定としたトランジスタ共有構成に対応するものである。
このような構成とすることで、トランジスタおよび配線構成が簡略化される。
図16は、図13や図15に記載したトランジスタ共有型の画素部に対する制御信号の転送タイミングと、各画素の露光時間制御処理について説明するタイミングチャートである。
先に図7を参照して説明したように、通常CMOSセンサーは、シャッタ動作とリード動作に大別された動作を行う。シャッタ動作とは、撮影(露光)をスタートさせる際の動作で、フォトダイオードの物理状態としては、リセット処理(RST信号ON、LT1またはHT1信号ON)による電子を空に設定すると同時に、受光量に応じた電子の蓄積を開始させる処理(その後、RST信号OFF、LT1またはHT1信号OFF)が行われる。このシャッタ動作によって露光が始まる。
露光終了は、リード動作によってタイミングが決定されて実行される。
リード動作は、画素値の読み取り対象となる画素の選択信号である選択信号(SEL)をONとし、さらに、このタイミングでフローティングディフュージョン(FD)のリセット処理のための(RST)をONとして、露光開始以前のノイズ等に基づくFD蓄積電荷を取り除き、選択信号(SEL)のON期間中に、各画素の制御トランジスタ(T1)を動作させる信号線(L1とH1)をONとすることで、選択信号(SEL)と信号線(L1,H1)の両信号がONとなった画素の画素値の読み出しが実行される。
前述したように、本開示の撮像デバイス102の画素部151は、縦方向にストライプ状に高感度画素と低感度画素を例えば2列単位で交互に設定する構成を持つ。
なお、画素部151からの画素値読み出し処理は、以下のシーケンスで実行する。
(S1)第1行と第3行を同時に読み出して、同一列の2つの画素値を加算して出力、
(S2)第2行と第4行を同時に読み出して、同一列の2つの画素値を加算して出力、
(S3)第5行と第7行を同時に読み出して、同一列の2つの画素値を加算して出力、
(S4)第6行と第8行を同時に読み出して、同一列の2つの画素値を加算して出力、
: :
以下、このように、1行おきの2つの行の同一列の同一色の画素の画素値を同時に読み出してこれらを加算して出力する。
図16に示すタイミングチャートは、第1行と第3行の処理シーケンスとしてのシャッタ動作とリード動作の実行例を示している。
まず、時間(t1)において、
第1行と第3行に共通するリセット信号(RST1)、
第1行の高感度画素列のみに対する露光開始信号として高感度画素の制御トランジスタT1を動作させる制御信号(HT1)、
第3行の高感度画素列のみに対する露光開始信号として高感度画素の制御トランジスタT3を動作させる制御信号(HT3)、
これらをHigh(ON)にする。
これらの処理により、信号線、HT1とHT3に接続された第1行と第3行の高感度画素の制御トランジスタ(T1,T3)がONとなり、第1行と第3行の高感度画素列に設定されたフォトダイオード内の電子が空になり、被写体光に応じた新たな電荷蓄積が開始される(高感度画素シャッタ動作)。
次いで、時間(t2)において、
第1行と第3行に共通するリセット信号(RST1)、
第1行の低感度画素列のみに対する露光開始信号として低感度画素の制御トランジスタT1を動作させる制御信号(LT1)、
第3行の低感度画素列のみに対する露光開始信号として低感度画素の制御トランジスタT3を動作させる制御信号(LT3)、
これらをHigh(ON)にする。
これらの処理により、信号線、LT1とLT3に接続された第1行と第3行の低感度画素の制御トランジスタ(T1,T3)がONとなり、第1行と第3行の低感度画素列に設定されたフォトダイオード内の電子が空になり、被写体光に応じた新たな電荷蓄積が開始される(低感度画素シャッタ動作)。
次に、リード動作を実行する。
まず、時間(t3)において、
同時読み出しによる加算対象行である第1行第3行について、
第1行と第3行に共通のリセット信号(RST1)、
第1行と第3行に共通の選択信号(SEL1)、
これらを同時にHigh(ON)として、フローティングディフュージョン(FD)(図13のFD311)のリセット(RST)を行う。
この処理によって、4画素単位で設定された図13(b)に示すFD311に蓄積されたノイズ等に起因する電荷を排除する。
次いで、第1行と第3行に共通する選択信号(SEL1)をHigh(ON)に設定した期間内の時間(t4)において、
第1行の低感度画素列のみに対して低感度画素のトランジスタT1を動作させる制御信号(LT1)、
第1行の高感度画素列のみに対して高感度画素のトランジスタT1を動作させる制御信号(HT1)、
第3行の低感度画素列のみに対して低感度画素のトランジスタT1を動作させる制御信号(LT3)、
第3行の高感度画素列のみに対して高感度画素のトランジスタT1を動作させる制御信号(HT3)、
これらをすべてHigh(ON)にする。
第1行と第3行の画素値は、1本の出力ラインを介して同一列の画素値が加算されて出力される。
すなわち、
図15に示す第1列の画素ブロック321等が含まれる高感度画素列からは、出力ライン(Out1,Out2,Out5,Out6・・・)を介して、第1行と第3行の2つの高感度画素の加算画素値が出力される。
また、図15に示す低感度画素列からは、出力ライン(Out3,Out4,Out7,Out8・・・)を介して、第1行と第3行の2つの低感度画素の加算画素値が出力される。
ここでは、縦方向の2画素加算について説明したが、縦方向4画素を加算する場合は、画素を共有する2画素ずつをまずFD部で加算し、その後、実施例1のようにAMPトランジスタを二つ同時に動作させることで、合計4画素分の加算が可能となる。同様にして、6画素、8画素・・・の加算も可能である。
トランジスタを複数画素で共有した画素部構成とした場合の本実施例における画素部からの縦方向の画素値加算読み出し処理は以上の通りである。
この後の横方向の加算処理は、先に説明した実施例1と同様の処理として実行される。
(3−2.実施例3)
次に、実施例2と同様、トランジスタを複数画素で共有した画素部構成のもう1つの例について、実施例3として図17以下を参照して説明する。
実施例3として図17に示す画素部構成は、
アンプトランジスタ(AMP)、
リセットトランジスタ(RST)、
選択トランジスタ(SEL)、
これらの3つのトランジスタを、
高感度画素列の4つの高感度画素と、
低感度画素列の4つの低感度画素、
これらの8つの画素からなる画素ブロック単位で1つの設定としたトランジスタ共有構成である。
図17(a)に示す画素ブロック351が、
高感度画素列の4つの高感度画素と、
低感度画素列の4つの低感度画素、
これらの8つの画素からなる画素ブロックであり、この画素ブロックの回路構成が図17(b)に示す構成となる。
図17(b)に示すように、高感度画素列361は4つの高感度画素を含み、低感度画素列362には4つの低感度画素が含まれる。
これらの計8つの画素に対して、
アンプトランジスタ(AMP)、
リセットトランジスタ(RST)、
選択トランジスタ(SEL)、
これらのトランジスタを1つの設定として8つの画素で共有する構成としている。
これら8つの画素は、出力ライン(Out)も共有している。従って、高感度画素列361の2画素の加算画素値の出力と、低感度画素列362の2画素の加算画素値の出力は、1つの出力ライン(Out)を介して交互に、すなわち排他的に実行される。
読み出し動作のタイミングチャートを図18に示す。
図18に示すように、
時間t1において、
8つの画素からなる画素ブロックに共通するリセット信号(RST)、
8つの画素からなる画素ブロックに共通する選択信号(SEL)、
これらを同時にHigh(ON)として、図17(b)に示すフローティングディフュージョン(FD)371のリセット(RST)を行う。
この処理によって、FD371に蓄積されたノイズ等に起因する電荷を排除する。
時間t2において、
高感度画素列の加算処理対象となる2つの画素の制御トランジスタT1A,T3AをHighとして、これらの画素の加算画素値が出力信号線(Out)を介して出力される。
その後、時間t3において、
8つの画素からなる画素ブロックに共通するリセット信号(RST)をHigh(ON)として、図17(b)に示すフローティングディフュージョン(FD)371のリセット(RST)を行う。
この処理によって、FD371に蓄積されたノイズ等に起因する電荷を排除する。
その後、時間t4において、
低感度画素列の加算処理対象となる2つの画素の制御トランジスタT1B,T3BをHighとして、これらの画素の加算画素値が出力信号線(Out)を介して出力される。
このように高感度画素列の加算画素値の出力と低感度画素列の加算画素値の出力は1本の出力ラインを介して交互に実行される。
図19は、図17を参照して説明したトランジスタの共有構成、すなわち、AMPトランジスタ、RSTトランジスタ、SELトランジスタを8つの画素ブロックに1つの設定としてトランジスタを共有した構成における画素アレイを示している。画素ブロックは、画素ブロック381のように、点線枠で示している。
先に説明した図6の構成や図15の構成と同様、図17の回路においても画素の制御トランジスタTnに接続される信号線は、1行につき、LT1、HT1の2本配線されている。この構成で、2列単位の高感度画素と低感度画素の設定が実現されている。
図6や図15の構成との差異は、リセット信号線(RST)と選択信号線(SEL)が、高感度画素4画素と低感度画素4画素からなる計8画素の画素ブロックに対して1つの設定としている点である。
例えば画素プロック371は、第1列に含まれる4つの高感度画素と第2列の4つの低感度画素の計8画素からなるが、この8画素から構成される画素ブロック381に対して、1本のリセット信号線(RST)と選択信号線(SEL)が接続された構成となっている。
これは、図17(B)を参照して説明したように、4つの高感度画素と4つの低感度画素の計8画素からなる画素ブロック単位でAMPトランジスタ、RSTトランジスタ、SELトランジスタを1つの設定としたトランジスタ共有構成に対応するものである。
このような構成とすることで、トランジスタおよび配線構成が簡略化される。
図20は、図17や図19に記載したトランジスタ共有型の画素部に対する制御信号の転送タイミングと、各画素の露光時間制御処理について説明するタイミングチャートである。
本構成では、図18を参照して説明したように高感度画素の2画素加算値と低感度画素の2画素加算値の同時読み出しができない。
従って読み出しシーケンスは、
(S1)第1行と第3行の高感度画素を同時に読み出して、同一列の2つの高感度画素の画素値を加算して出力、
(S2)第1行と第3行の低感度画素を同時に読み出して、同一列の2つの低感度画素の画素値を加算して出力、
(S3)第2行と第4行の高感度画素を同時に読み出して、同一列の2つの高感度画素の画素値を加算して出力、
(S4)第2行と第4行の低感度画素を同時に読み出して、同一列の2つの低感度画素の画素値を加算して出力、
: :
以下、このような処理が、1行おきの2つの行単位で高感度画素読み出しと低感度画素読み出しが交互に行われることになる。
図20に示すタイミングチャートは、第1行と第3行の処理シーケンスとしてのシャッタ動作とリード動作の実行例を示している。
まず、時間(t1)において、
第1行と第3行に共通する8画素単位で設定されたリセット信号(RST1)、
第1行の高感度画素列のみに対する露光開始信号として高感度画素の制御トランジスタT1Aを動作させる制御信号(HT1)、
第3行の高感度画素列のみに対する露光開始信号として高感度画素の制御トランジスタT3Aを動作させる制御信号(HT3)、
これらをHigh(ON)にする。
これらの処理により、信号線、HT1とHT3に接続された第1行と第3行の高感度画素の制御トランジスタ(T1A,T3A)がONとなり、第1行と第3行の高感度画素列に設定されたフォトダイオード内の電子が空になり、その後、これらの信号をOFFにすることで、被写体光に応じた新たな電荷蓄積が開始される(高感度画素シャッタ動作)。
次いで、時間(t2)において、
第1行と第3行に共通する8画素単位で設定されたリセット信号(RST1)、
第1行の低感度画素列のみに対する露光開始信号として低感度画素の制御トランジスタT1Bを動作させる制御信号(LT1)、
第3行の低感度画素列のみに対する露光開始信号として低感度画素の制御トランジスタT3Bを動作させる制御信号(LT3)、
これらをHigh(ON)にする。
これらの処理により、信号線、LT1とLT3に接続された第1行と第3行の低感度画素の制御トランジスタ(T1B,T3B)がONとなり、第1行と第3行の低感度画素列に設定されたフォトダイオード内の電子が空になり、その後、これらの信号をOFFにすることで、被写体光に応じた新たな電荷蓄積が開始される(低感度画素シャッタ動作)。
次に、リード動作を実行する。
まず、時間(t3)において、
同時読み出しによる加算対象行である第1行第3行について、
第1行と第3行に共通の8画素単位で設定されたリセット信号(RST1)、
第1行と第3行に共通の8画素単位で設定された選択信号(SEL1)、
これらを同時にHigh(ON)として、フローティングディフュージョン(FD)(図17のFD371)のリセット(RST)を行う。
この処理によって、8画素単位で設定された図17(b)に示すFD371に蓄積されたノイズ等に起因する電荷を排除する。
次いで、第1行と第3行に共通する8画素単位で設定された選択信号(SEL1)をHigh(ON)に設定した期間内の時間(t4)において、
第1行の高感度画素列のみに対してトランジスタT1Aを動作させる制御信号(HT1)、
第3行の高感度画素列のみに対してトランジスタT1Aを動作させる制御信号(HT3)、
これらをHigh(ON)にする。
この処理によって、第1行と第3行の高感度画素の画素値は、1本の出力ラインを介して画素値が加算されて出力される。
次いで、第1行と第3行に共通する8画素単位で設定された選択信号(SEL1)をHigh(ON)に設定した期間内の時間(t5)において、
第1行の低感度画素列のみに対してトランジスタT1Bを動作させる制御信号(LT1)、
第3行の低感度画素列のみに対してトランジスタT3Bを動作させる制御信号(LT3)、
これらをHigh(ON)にする。
この処理によって、第1行と第3行の低感度画素の画素値は、1本の出力ラインを介して画素値が加算されて出力される。
このように第1行と第3行の画素値は、高感度画素の加算値と低感度画素の加算値が、1本の出力ラインを介して時間差を持って出力される。
本実施例でも縦方向の2画素加算について説明したが、縦方向4画素を加算する場合は、画素を共有する2画素ずつをまずFD部で加算し、その後、実施例1のようにAMPトランジスタを二つ同時に動作させることで、合計4画素分の加算が可能となる。同様にして、6画素、8画素・・・の加算も可能である。
トランジスタを複数画素で共有した画素部構成とした場合の本実施例における画素部からの縦方向の画素値加算読み出し処理は以上の通りである。
この後の横方向の加算処理は、さきに説明した実施例1と同様の処理として実行される。
(3−3.実施例4)
次に、本発明の実施例4として、図21に示すように、撮像デバイス102の演算部160の画素情報合成部162の後に、階調変換部401を構成した実施例について説明する。
図21は、実施例4に係る撮像デバイス102の構成を示す図である。この図21に示す構成は、先に実施例1として説明した図3に示す撮像デバイス102の演算部160の画素情報合成部162の後に諧調変換部402を設けた構成である。その他の構成は図3に示す実施例1の構成と同じである。なお、画像処理装置(撮像装置)の全体構成は、実施例1と同様、先に図2を参照して説明した構成を持つ。
図21に示す撮像デバイス102において、画素部151は、前述の実施例と同様のRGbGrB画素からなるベイヤー配列を有し、制御部105の制御の下、例えば2列単位で長時間露光と短時間露光が実行される。
画素部151は、制御部105の制御(シャッタ制御)により、画素領域単位(例えば列単位)で異なる露光時間に設定され、長時間露光画素からは長時間露光に基づく蓄積電化である高感度画素情報181が出力される。また、短時間露光画素からは短時間露光に基づく蓄積電化である低感度画像情報182を出力する。
演算部160は、画素部151から出力される高感度画素情報181と、低感度画像情報182を入力し、これらの入力情報に基づいて画素情報合成部162において1つの画素情報合成画像を生成する。この合成処理は、先の実施例説明した合成処理と同様の処理として行われる。すなわち同一色の高感度画素情報と低感度画素情報を入力して、先に説明した(式1)等を適用して画素情報合成画像の画素値算出を実行して画素情報合成画像を生成する。
本実施例4では、この画素情報合成部162の後に、階調変換部401を設けている。
階調変換部401は、画素情報合成部162の生成した画素情報合成画像(例えば図4(b))の各画素の画素値の諧調を変換する。具体的には、例えば画素情報合成部162の生成した画素情報合成画像の各画素の画素値が14bit(0〜16383)の諧調を有する場合、各画素の画素値を10bit(0〜1023)の諧調に変換して出力するといった処理を行う。すなわち、各画素のビット数を削減した画像を生成して出力する。
長時間露光画像と短時間露光画像の合成により生成するワイドダイナミックレンジ画像は、各画素の情報であるビット数が増加する傾向にある。例えば、通常状態が10bitの撮像素子において、内部で16倍の感度比を持たせ、16倍のワイドダイナミックレンジ画像を生成した場合、そのビット数は、14bitとなる。このようなビット数が増加した画像は、後段の信号処理部であるDSPが処理できない場合がある。このような事態を防止するため、階調変換部401は、後段の信号処理部であるDSPが処理できるビットレベルまで各画素のビット数を圧縮する諧調変換処理を実行する。
階調変換部401の実行するビット数圧縮処理例について図22を参照して説明する。図22は、横軸が階調変換部401の入力画像の各画素の諧調[14bit(0〜16383)を示し、縦軸が諧調変換後の出力画像における各画素の諧調[10bit(0〜1023)]を示している。このように、階調変換部401は、画素情報合成部162の出力する多諧調の画素値をより少ないビット数に削減する処理を行う。
この諧調変換後の画像データ、例えば各画素が10bitデータからなる画像を次段の信号処理部103(DSP)に提供することで、信号処理部103(DSP)において問題なく処理が可能となる。
なお、階調変換部401の実行するビット数圧縮処理は、例えば関数を利用してビット数を低減する。この関数は最初から決められたものでも良いし、画像に応じた関数を外部から入力もしくは内部で算出してもよい。
(3−4.実施例5)
次に、本開示の画像処理装置の実施例5として、実施例4において説明した諧調変換部の後に、デモザイクやノイズリダクション(NR)といったカメラ信号処理を実行する信号処理部や、画像圧縮(JPEGなど)処理を実行するコーデックを備えた実施例について図23を参照して説明する。
図23は、実施例5に係る撮像デバイス102の構成を示す図である。この図23に示す構成は、先に実施例1として説明した図3に示す撮像デバイスの演算部160の画素情報合成部162の後に、
諧調変換部401、
デモザイクやノイズリダクション(NR)といったカメラ信号処理を実行する信号処理部402、
画像圧縮(JPEGなど)処理を実行するコーデック403、
これらの各構成部を追加した構成である。なお、画像処理装置(撮像装置)の全体構成は、実施例1と同様、先に図2を参照して説明した構成、あるいは図2の構成から信号処理部103を省略した構成を持つ。
図2の構成の信号処理部103で実行する処理を、図23中の信号処理部402で全て実行する場合は、後段の信号処理部103を省略することができる。それぞれの信号処理部において異なる処理を実行する場合は、2つの信号処理部を備えた構成としてもよい。
図23に示す撮像デバイス102において、画素部151からの出力、画素情報合成部162までの処理は前述の実施例と同様の処理となる。
諧調変換部401の処理は、先に説明した実施例4と同様の処理である。
本実施例5では、さらに、デモザイクやノイズリダクション(NR)といったカメラ信号処理を実行する信号処理部402と、画像圧縮(JPEGなど)処理を実行するコーデック403を備えている。このような機能を搭載することで、撮像素子の後段の信号処理部を省略、または簡易化することができる。
(3−5.実施例6)
次に、本開示の画像処理装置の実施例6として、撮像デバイス102の画素部151の画素配列、具体的には、画素部151に設定されるカラーフィルタ配列の変更例について説明する。
上述した各実施例では、例えば図4に示すように、Gb,B,R,Grの4つの異なる画素からなる2×2の4画素を最小単位として、この最小単位を繰り返して配置した構成を持つ画素部151を持つ撮像装置における処理について説明した。
本開示の処理は、この他の画素配列(カラーフィルタ配列)に対しても適用可能である。
例えば、図24は本実施例6における撮像デバイス102の画素部151の画素配列(カラーフィルタ配列)を示している。
図24に示す画素部151の画素配列は、
2×2のGb画素、
2×2のB画素、
2×2のR画素、
2×2のGr画素、
これらの計4×4画素を最小単位として、この最小単位を繰り返し配置した構成を有する。図24に示すように同一の色が2×2に配置されているのが特徴である。
図24に示す画素配列における高感度画素と低感度画素の設定について図25を参照して説明する。
本実施例においては、図25(a)に示すように列方向にジグザグ状に高感度画素と低感度画素が設定されている。図に示す白い画素領域が高感度画素であり、グレーの画素領域が低感度画素である。
例えば、図25(a)の左上端の4つのGb画素の設定[座標(x,y)]は以下の通りである。
Gb(1,1):高感度画素
Gb(2,1):低感度画素
Gb(1,2):低感度画素
Gb(2,2):高感度画素
このように各列において高感度画素と低感度画素が交互に設定され、各行においても高感度画素と低感度画素が交互に設定された構成となっている。
図に示すように、例えば第1列と、第2列においてy方向に高感度画素のみをたどると、上から、
第1行では、第1列が高感度画素、
第2行では、第2列が高感度画素、
第3行では、第1列が高感度画素、
第4行では、第2列が高感度画素、

このようにジグザグ状に高感度画素が配列されている。
同様に、第1列と、第2列においてy方向に低感度画素のみをたどると、上から、
第1行では、第2列が低感度画素、
第2行では、第1列が低感度画素、
第3行では、第2列が低感度画素、
第4行では、第1列が低感度画素、

このようにジグザグ状に低感度画素が配列されている。
本構成では、同一色の画素が2×2画素単位で設定され、この4画素中に2つの高感度画素と2つの低感度画素が含まれる構成となっている。
撮像デバイス102の演算部160は、これらの高感度画素の画素値によって生成される高感度画素情報と低感度画素の画素値によって生成される低感度画素情報を入力し、これらの異なる感度の画素情報を合成して出力画像の1つの画素値を算出する。
具体的には、同一色の2×2画素領域、例えば図25に示す左上端のGb画素領域である2×2画素領域511に含まれる2つの高感度Gb画素と2つの低感度Gb画素から1つのGb画素値を算出して、図25(B)に示す出力画像520の1つの画素521の画素値を算出する。
撮像デバイス102は、画素部151の本来の画素数を1/4に削減した画像、すなわち、図25(b)に示す画素数削減画像520を生成して出力する。
従って、
先に説明した図4に示す構成では、3×3の画素領域211に含まれる同一色の2つの高感度画素と2つの低感度画素を利用して出力画素値を決定していたが、本実施例では、出力画素値を算出する演算の単位は、2×2の画素領域とすることができる。
本実施例の画素部の回路構成は、先に実施例3に係る画像処理装置における撮像デバイスの画素部の回路構成として説明した図17に示す構成と同様の構成となる。
図26は、本実施例における撮像デバイスの画素部の回路構成について説明する図である。
先に図17を参照して説明したトランジスタの共有構成と同様、AMPトランジスタ、RSTトランジスタ、SELトランジスタを8つの画素ブロックに1つの設定としてトランジスタを共有した構成である。
トランジスタの共有単位となる画素ブロックは、画素ブロック581のように、点線枠で示している。
画素の制御トランジスタTnに接続される信号線は、1行につき、LT1、HT1の2本配線されている。この構成で、列方向にジグザグ状に高感度画素と低感度画素の設定が実現されている。
図27は、図17や図26に記載したトランジスタ共有型の画素部に対する制御信号の転送タイミングと、各画素の露光時間制御処理について説明するタイミングチャートである。
本構成は、先に説明した実施例3と同様の17を参照して説明したトランジスタの共有構成を有するため、図18に示すタイミングチャートに従った読み出し処理が実行されることになり、高感度画素の2画素加算値と低感度画素の2画素加算値の同時読み出しができない。
従って、本実施例における読み出しシーケンスは、以下の設定で実行されることになる。
(S1)第1行と第2行の高感度画素を同時に読み出して、斜めに位置する2つの高感度画素の画素値を加算して出力、
(S2)第1行と第2行の低感度画素を同時に読み出して、斜めに位置する2つの低感度画素の画素値を加算して出力、
(S3)第3行と第4行の高感度画素を同時に読み出して、斜めに位置する2つの高感度画素の画素値を加算して出力、
(S4)第3行と第4行の低感度画素を同時に読み出して、斜めに位置する2つの低感度画素の画素値を加算して出力、
: :
以下、このような処理が、2つの行単位で高感度画素読み出しと低感度画素読み出しが交互に行われることになる。
本実施例において、制御部105は、画素部151の画素単位で露光時間制御を実行し、画素部151は、長時間露光のなされる異なる複数の高感度画素の画素値を加算した高感度画素情報と、短時間露光のなされる異なる複数の低感度画素の画素値を加算した低感度画素情報を出力する。
具体的には、画素部151は、2×2画素領域に含まれる長時間露光のなされる2つの高感度画素の画素値を加算した高感度画素情報と、2×2画素領域に含まれる短時間露光のなされる2つの低感度画素の画素値を加算した低感度画素情報を出力する。
図27に示すタイミングチャートは、第1行と第2行の処理シーケンスとしてのシャッタ動作とリード動作の実行例を示している。
まず、時間(t1)において、
第1行と第2行に共通する8画素単位で設定されたリセット信号(RST1)、
第1行の高感度画素列のみに対する露光開始信号として高感度画素の制御トランジスタT1Aを動作させる制御信号(HT1)、
第2行の高感度画素列のみに対する露光開始信号として高感度画素の制御トランジスタT2Bを動作させる制御信号(HT2)、
これらをHigh(ON)にする。
これらの処理により、信号線、HT1とHT2に接続された第1行と第2行の高感度画素の制御トランジスタ(T1A,T2B)がONとなり、第1行と第2行の高感度画素列に設定されたフォトダイオード内の電子が空になり、その後、これらの信号をOFFにすることで、被写体光に応じた新たな電荷蓄積が開始される(高感度画素シャッタ動作)。
次いで、時間(t2)において、
第1行と第2行に共通する8画素単位で設定されたリセット信号(RST1)、
第1行の低感度画素列のみに対する露光開始信号として低感度画素の制御トランジスタT1Bを動作させる制御信号(LT1)、
第2行の低感度画素列のみに対する露光開始信号として低感度画素の制御トランジスタT2Aを動作させる制御信号(LT2)、
これらをHigh(ON)にする。
これらの処理により、信号線、LT1とLT2に接続された第1行と第2行の低感度画素の制御トランジスタ(T1B,T2A)がONとなり、第1行と第2行の低感度画素列に設定されたフォトダイオード内の電子が空になり、その後、これらの信号をOFFにすることで、被写体光に応じた新たな電荷蓄積が開始される(低感度画素シャッタ動作)。
次に、リード動作を実行する。
まず、時間(t3)において、
同時読み出しによる加算対象行である第1行第2行について、
第1行と第2行に共通の8画素単位で設定されたリセット信号(RST1)、
第1行と第2行に共通の8画素単位で設定された選択信号(SEL1)、
これらを同時にHigh(ON)として、フローティングディフュージョン(FD)(図17のFD371)のリセット(RST)を行う。
この処理によって、8画素単位で設定された図17(b)に示すFD371に蓄積されたノイズ等に起因する電荷を排除する。
次いで、第1行と第2行に共通する8画素単位で設定された選択信号(SEL1)をHigh(ON)に設定した期間内の時間(t4)において、
第1行の高感度画素列のみに対してトランジスタT1Aを動作させる制御信号(HT1)、
第2行の高感度画素列のみに対してトランジスタT2Bを動作させる制御信号(HT2)、
これらをHigh(ON)にする。
この処理によって、第1行と第2行の高感度画素の画素値は、1本の出力ラインを介して画素値が加算されて出力される。
次いで、第1行と第2行に共通する8画素単位で設定された選択信号(SEL1)をHigh(ON)に設定した期間内の時間(t5)において、
第1行の低感度画素列のみに対してトランジスタT1Bを動作させる制御信号(LT1)、
第2行の低感度画素列のみに対してトランジスタT2Aを動作させる制御信号(LT2)、
これらをHigh(ON)にする。
この処理によって、第1行と第2行の低感度画素の画素値は、1本の出力ラインを介して画素値が加算されて出力される。
このように第1行と第2行の画素値は、高感度画素の加算値と低感度画素の加算値が、1本の出力ラインを介して時間差を持って出力される。
トランジスタを複数画素で共有した画素部構成とした場合の本実施例における画素部からの縦方向の画素値加算読み出し処理は以上の通りである。
この後の、加算された高感度画素と、加算された低感度画素から画像合成を行うが、これは、実施例1の横方向の加算処理と同様の処理として実行される。
図28は本実施例6の変形例である。制御トランジスタとこれに接続される制御信号線を変更することで、図28のような列方向のジグザグ状の感度配列を与えることも可能である。
図28に示す画素配列は、図24、図25を参照して説明したと同様、同一色の画素が2×2画素単位で設定されている。
ただし、高感度画素と低感度画素の設定態様が異なっている。
図に示すように、第2行以下は、2行単位で、ジグザグ状に高感度画素と低感度画素が配列されている。
例えば第1列と、第2列においてy方向に高感度画素のみをたどると、上から、
第1行では、第1列が高感度画素、
第2行では、第2列が高感度画素、
第3行では、第2列が高感度画素、
第4行では、第1列が高感度画素、

このように第2行以下は、2行単位で、ジグザグ状に高感度画素が配列されている。
同様に、第1列と、第2列においてy方向に低感度画素のみをたどると、上から、
第1行では、第2列が低感度画素、
第2行では、第1列が低感度画素、
第3行では、第1列が低感度画素、
第4行では、第2列が低感度画素、

このように第2行以下は、2行単位で、ジグザグ状に低感度画素が配列されている。
本構成においても、同一色の画素が2×2画素単位で設定され、この4画素中に2つの高感度画素と2つの低感度画素が含まれる構成となっている。
撮像デバイス102の演算部160は、これらの高感度画素情報と低感度画素情報を入力して、異なる感度の画素情報を合成して出力画像の1つの画素値を設定する。
具体的には、同一色の2×2画素領域、例えば図28に示す左上端のGb画素領域である2×2画素領域611に含まれる2つの高感度Gb画素と2つの低感度Gb画素から1つのGb画素値を算出して、図28(B)に示す出力画像620の1つの画素621の画素値を算出する。
この実施例6の変形例における演算処理は、前述の実施例6の処理と同様であり、2×2画素に含まれる同一色の高感度画素と低感度画素の各画素値から出離ょーく画素値を算出する処理として実行される。
[4.本開示の構成のまとめ]
以上、特定の実施例を参照しながら、本開示について詳解してきた。しかしながら、本開示の要旨を逸脱しない範囲で当業者が実施例の修正や代用を成し得ることは自明である。すなわち、例示という形態で本発明を開示してきたのであり、限定的に解釈されるべきではない。本発明の要旨を判断するためには、特許請求の範囲の欄を参酌すべきである。
なお、本明細書において開示した技術は、以下のような構成をとることができる。
(1)画素または画素領域単位の露光時間制御を実行する制御部と、
前記制御部の制御下での撮影処理によって複数の異なる露光時間の画素情報を出力する画素部と、
前記画素部の出力する複数の異なる露光時間の画素情報を入力し、該複数の画素情報を利用した演算処理を実行して出力画像の画素値を算出する画素情報合成部を有し、
前記画素部は、
前記制御部の露光制御に基づいて設定された複数の高感度画素の画素値を加算した高感度画素情報と、複数の低感度画素の画素値を加算した低感度画素情報とを出力し、
前記画素情報合成部は、
前記高感度画素情報と、低感度画素情報との重み付き加算処理を実行して出力画像の画素値を算出する画像処理装置。
(2)前記制御部は、前記画素部の列単位で露光時間制御を実行し、前記画素部は、長時間露光のなされる高感度画素列の異なる複数の高感度画素の画素値を加算した高感度画素情報と、短時間露光のなされる低感度画素列の異なる複数の低感度画素の画素値を加算した低感度画素情報を出力する前記(1)に記載の画像処理装置。
(3)前記画素情報合成部は、前記出力画像の画素値の算出処理において、長時間露光領域から入力する高感度画素情報と、短時間露光領域から入力する低感度画素情報とに対して被写体明るさに応じた重みを設定した加算処理を実行する前記(1)または(2)に記載の画像処理装置。
(4)前記画素情報合成部は、長時間露光領域から入力する高感度画素情報が既定の閾値以上である場合、前記高感度画素情報の重みをゼロまたは小さく設定し、短時間露光領域から入力する低感度画素情報のみを利用または重みを大きく設定した演算処理により出力画像の画素値を算出する前記(1)〜(3)いずれかに記載の画像処理装置。
(5)前記画素情報合成部は、短時間露光領域から入力する低感度画素情報が既定の閾値未満である場合、前記低感度画素情報の重みをゼロまたは小さく設定し、長時間露光領域から入力する高感度画素情報のみを利用または重みを大きく設定した演算処理により出力画像の画素値を算出する前記(1)〜(4)いずれかに記載の画像処理装置。
(6)前記制御部は、前記画素部の列単位のシャッタ制御により、列単位の露光時間制御を実行する前記(1)〜(5)いずれかに記載の画像処理装置。
(7)前記制御部は、前記画素部の2列単位で長時間露光領域と短時間露光領域とを交互設定した露光時間制御を実行し、前記画素部は、前記長時間露光領域に含まれる複数画素の画素値を加算した高感度画素情報と、前記短時間露光領域に含まれる複数画素の画素値を加算した低感度画素情報とを出力する前記(1)〜(6)いずれかに記載の画像処理装置。
(8)前記画像処理装置は、さらに、前記画素情報合成部の生成した出力画像の各画素の画素値のビット削減処理を実行する諧調変換部を有する前記(1)〜(7)いずれかに記載の画像処理装置。
(9)前記画像処理装置は、さらに、前記画素情報合成部の生成した出力画像に対する信号処理を実行する信号処理部を有する前記(1)〜(8)いずれかに記載の画像処理装置。
(10)前記画像処理装置は、さらに、前記画素情報合成部の生成した出力画像に対する符号化処理を実行するコーデックを有する前記(1)〜(9)いずれかに記載の画像処理装置。
(11)前記制御部は、前記画素部の画素単位で露光時間制御を実行し、前記画素部は、長時間露光のなされる異なる複数の高感度画素の画素値を加算した高感度画素情報と、短時間露光のなされる異なる複数の低感度画素の画素値を加算した低感度画素情報を出力する前記(1)〜(10)いずれかに記載の画像処理装置。
(12)前記画素部は、2×2画素領域に含まれる長時間露光のなされる2つの高感度画素の画素値を加算した高感度画素情報と、2×2画素領域に含まれる短時間露光のなされる2つの低感度画素の画素値を加算した低感度画素情報を出力する前記(1)〜(11)いずれかに記載の画像処理装置。
(13)前記画素部は、ベイヤー配列を有する前記(1)〜(12)いずれかに記載の画像処理装置。
さらに、上記した装置等において実行する処理の方法や、処理を実行させるプログラムも本開示の構成に含まれる。
また、明細書中において説明した一連の処理はハードウェア、またはソフトウェア、あるいは両者の複合構成によって実行することが可能である。ソフトウェアによる処理を実行する場合は、処理シーケンスを記録したプログラムを、専用のハードウェアに組み込まれたコンピュータ内のメモリにインストールして実行させるか、あるいは、各種処理が実行可能な汎用コンピュータにプログラムをインストールして実行させることが可能である。例えば、プログラムは記録媒体に予め記録しておくことができる。記録媒体からコンピュータにインストールする他、LAN(Local Area Network)、インターネットといったネットワークを介してプログラムを受信し、内蔵するハードディスク等の記録媒体にインストールすることができる。
なお、明細書に記載された各種の処理は、記載に従って時系列に実行されるのみならず、処理を実行する装置の処理能力あるいは必要に応じて並列的にあるいは個別に実行されてもよい。また、本明細書においてシステムとは、複数の装置の論理的集合構成であり、各構成の装置が同一筐体内にあるものには限らない。
以上、説明したように、本開示の一実施例によれば、高感度画素と低感度画素の各画素情報を適用したワイドダイナミックレンジ画像を効率的に生成可能とした装置、方法が実現される。
具体的には、異なる感度の画素からの出力画素信号として、複数の高感度画素の画素値を加算した高感度画素情報と、複数の低感度画素の画素値を加算した低感度画素情報を画素部から出力し、これらの画素情報を画素情報合成部において合成して出力画素値を決定してダイナミックレンジの広い出力画像を出力する。画素情報合成部では、例えば被写体の輝度に応じて高感度画素情報または低感度画素情報に対する重みを変更して、高感度画素情報と低感度画素情報との重み付き加算を行い、出力画像の画素値を決定して出力する。
本開示の一実施例によれば、画素部に感度の異なる画素が配置され、更に感度の異なる複数の画素から、解像度を低下させた画素情報を生成する構成とすることで、フレームメモリを必要とせずにワイドダイナミックレンジ画像を生成することができる。また、同一感度同士のアナログ加算が可能であることから、フレームレートの上昇も可能となる。
10 輝度閾値レベル
11 高輝度領域
12 低輝度領域
101 光学レンズ
102 撮像デバイス
103 信号処理部
105 制御部
120 出力画像
151 画素部
160 演算部
161 AD変換部
162 画素情報合成部
163 出力部
181 高感度画素情報
182 低感度画素情報
401 諧調変換部
402 信号処理部
403 コーデック

Claims (16)

  1. 画素または画素領域単位の露光時間制御を実行する制御部と、
    前記制御部の制御下での撮影処理によって複数の異なる露光時間の画素情報を出力する画素部と、
    前記画素部の出力する複数の異なる露光時間の画素情報を入力し、該複数の画素情報を利用した演算処理を実行して出力画像の画素値を算出する画素情報合成部を有し、
    前記画素部は、
    前記制御部の露光制御に基づいて設定された複数の高感度画素の画素値を加算した高感度画素情報と、複数の低感度画素の画素値を加算した低感度画素情報とを出力し、
    前記画素情報合成部は、
    前記高感度画素情報と、低感度画素情報との重み付き加算処理を実行して出力画像の画素値を算出する画像処理装置。
  2. 前記制御部は、前記画素部の列単位で露光時間制御を実行し、
    前記画素部は、
    長時間露光のなされる高感度画素列の異なる複数の高感度画素の画素値を加算した高感度画素情報と、
    短時間露光のなされる低感度画素列の異なる複数の低感度画素の画素値を加算した低感度画素情報を出力する請求項1に記載の画像処理装置。
  3. 前記画素情報合成部は、
    前記出力画像の画素値の算出処理において、
    長時間露光領域から入力する高感度画素情報と、短時間露光領域から入力する低感度画素情報とに対して被写体明るさに応じた重みを設定した加算処理を実行する請求項1に記載の画像処理装置。
  4. 前記画素情報合成部は、長時間露光領域から入力する高感度画素情報が既定の閾値以上である場合、前記高感度画素情報の重みをゼロまたは小さく設定し、短時間露光領域から入力する低感度画素情報のみを利用または重みを大きく設定した演算処理により出力画像の画素値を算出する請求項1に記載の画像処理装置。
  5. 前記画素情報合成部は、短時間露光領域から入力する低感度画素情報が既定の閾値未満である場合、前記低感度画素情報の重みをゼロまたは小さく設定し、長時間露光領域から入力する高感度画素情報のみを利用または重みを大きく設定した演算処理により出力画像の画素値を算出する請求項1に記載の画像処理装置。
  6. 前記制御部は、
    前記画素部の列単位のシャッタ制御により、列単位の露光時間制御を実行する請求項1に記載の画像処理装置。
  7. 前記制御部は、前記画素部の2列単位で長時間露光領域と短時間露光領域とを交互設定した露光時間制御を実行し、
    前記画素部は、前記長時間露光領域に含まれる複数画素の画素値を加算した高感度画素情報と、前記短時間露光領域に含まれる複数画素の画素値を加算した低感度画素情報とを出力する請求項1に記載の画像処理装置。
  8. 前記画像処理装置は、さらに、
    前記画素情報合成部の生成した出力画像の各画素の画素値のビット削減処理を実行する諧調変換部を有する請求項1に記載の画像処理装置。
  9. 前記画像処理装置は、さらに、
    前記画素情報合成部の生成した出力画像に対する信号処理を実行する信号処理部を有する請求項1に記載の画像処理装置。
  10. 前記画像処理装置は、さらに、
    前記画素情報合成部の生成した出力画像に対する符号化処理を実行するコーデックを有する請求項1に記載の画像処理装置。
  11. 前記制御部は、前記画素部の画素単位で露光時間制御を実行し、
    前記画素部は、
    長時間露光のなされる異なる複数の高感度画素の画素値を加算した高感度画素情報と、
    短時間露光のなされる異なる複数の低感度画素の画素値を加算した低感度画素情報を出力する請求項1に記載の画像処理装置。
  12. 前記画素部は、
    2×2画素領域に含まれる長時間露光のなされる2つの高感度画素の画素値を加算した高感度画素情報と、
    2×2画素領域に含まれる短時間露光のなされる2つの低感度画素の画素値を加算した低感度画素情報を出力する請求項11に記載の画像処理装置。
  13. 前記画素部は、ベイヤー配列を有する請求項1に記載の画像処理装置。
  14. 撮像部と、
    請求項1から13いずれかに記載の処理を実行する画像処理部を有する撮像装置。
  15. 画像処理装置において実行する画像処理方法であり、
    制御部が、画素または画素領域単位の露光時間制御を実行する制御ステップと、
    画素部が、前記制御部の制御下での撮影処理によって複数の異なる露光時間の画素情報を出力する画素情報出力ステップと、
    画素情報合成部が、前記画素部の出力する複数の異なる露光時間の画素情報を入力し、該複数の画素情報を利用した演算処理を実行して出力画像の画素値を算出する画素情報合成ステップを実行し、
    前記画素情報出力ステップは、
    前記制御部の実行する露光時間制御に基づいて設定された複数の高感度画素の画素値を加算した高感度画素情報と、複数の低感度画素の画素値を加算した低感度画素情報とを出力するステップであり、
    前記画素情報合成ステップは、
    前記高感度画素情報と、低感度画素情報との重み付き加算処理を実行して出力画像の画素値を算出するステップである画像処理方法。
  16. 画像処理装置において画像処理を実行させるプログラムであり、
    制御部に、画素または画素領域単位の露光時間制御を実行させる制御ステップと、
    画素部に、前記制御部の制御下での撮影処理によって複数の異なる露光時間の画素情報を出力させる画素情報出力ステップと、
    画素情報合成部に、前記画素部の出力する複数の異なる露光時間の画素情報を入力し、該複数の画素情報を利用した演算処理を実行して出力画像の画素値を算出させる画素情報合成ステップを実行させ、
    前記画素情報出力ステップにおいては、
    前記制御部の実行する露光時間制御に基づいて設定された複数の高感度画素の画素値を加算した高感度画素情報と、複数の低感度画素の画素値を加算した低感度画素情報とを出力させ、
    前記画素情報合成ステップにおいては、
    前記高感度画素情報と、低感度画素情報との重み付き加算処理を実行して出力画像の画素値を算出させるプログラム。
JP2011155921A 2011-07-14 2011-07-14 画像処理装置、撮像装置、および画像処理方法、並びにプログラム Abandoned JP2013021660A (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011155921A JP2013021660A (ja) 2011-07-14 2011-07-14 画像処理装置、撮像装置、および画像処理方法、並びにプログラム
CN201280033811.0A CN103650480A (zh) 2011-07-14 2012-06-21 图像处理设备、摄像设备、图像处理方法和程序
BR112014000337A BR112014000337A2 (pt) 2011-07-14 2012-06-21 aparelhos de processamento e de formação de imagem, método de processamento de imagem, e, programa
EP12812077.1A EP2733927A1 (en) 2011-07-14 2012-06-21 Image processing apparatus, image pickup apparatus, image processing method, and program
RU2013157361/07A RU2013157361A (ru) 2011-07-14 2012-06-21 Устройство обработки изображения, устройство формирования изображения, способ обработки изображения и программа
US14/131,221 US9344637B2 (en) 2011-07-14 2012-06-21 Image processing apparatus, imaging apparatus, image processing method, and program
PCT/JP2012/065825 WO2013008596A1 (ja) 2011-07-14 2012-06-21 画像処理装置、撮像装置、および画像処理方法、並びにプログラム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011155921A JP2013021660A (ja) 2011-07-14 2011-07-14 画像処理装置、撮像装置、および画像処理方法、並びにプログラム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013021660A true JP2013021660A (ja) 2013-01-31

Family

ID=47505894

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011155921A Abandoned JP2013021660A (ja) 2011-07-14 2011-07-14 画像処理装置、撮像装置、および画像処理方法、並びにプログラム

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9344637B2 (ja)
EP (1) EP2733927A1 (ja)
JP (1) JP2013021660A (ja)
CN (1) CN103650480A (ja)
BR (1) BR112014000337A2 (ja)
RU (1) RU2013157361A (ja)
WO (1) WO2013008596A1 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014188647A1 (ja) 2013-05-22 2014-11-27 ソニー株式会社 画像調整装置、画像調整方法、画像調整プログラムおよび撮像装置
CN104253946A (zh) * 2013-06-27 2014-12-31 聚晶半导体股份有限公司 产生高动态范围图像的方法及其图像传感器
JP2015068654A (ja) * 2013-09-26 2015-04-13 株式会社ニコン 形状測定装置、構造物製造システム及び形状測定用コンピュータプログラム
JP2017120971A (ja) * 2015-12-28 2017-07-06 キヤノン株式会社 固体撮像素子及び撮像装置
JP2019036762A (ja) * 2015-12-28 2019-03-07 ブリルニクス インク 固体撮像装置およびその駆動方法、電子機器
WO2021029269A1 (ja) * 2019-08-13 2021-02-18 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 情報処理装置、情報処理方法、および情報処理プログラム
EP3917138A1 (en) 2020-05-29 2021-12-01 Canon Kabushiki Kaisha Encoding apparatus and method, image capture apparatus, and storage medium
WO2022113917A1 (ja) * 2020-11-27 2022-06-02 ソニーグループ株式会社 撮像素子、撮像方法および撮像装置
JP7373346B2 (ja) 2018-10-01 2023-11-02 フォベオン・インコーポレーテッド 垂直検知器画素センサのためのサブサンプルされた色チャンネル読み出し配線

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011053678A1 (en) 2009-10-28 2011-05-05 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Methods and systems for coded rolling shutter
US20140192235A1 (en) 2011-02-25 2014-07-10 Sony Corporation Systems, methods, and media for reconstructing a space-time volume from a coded image
JP2013066140A (ja) 2011-08-31 2013-04-11 Sony Corp 撮像装置、および信号処理方法、並びにプログラム
US20140063300A1 (en) * 2012-09-06 2014-03-06 Aptina Imaging Corporation High dynamic range imaging systems having clear filter pixel arrays
US9338372B2 (en) * 2012-09-19 2016-05-10 Semiconductor Components Industries, Llc Column-based high dynamic range imaging systems
JP2015007739A (ja) * 2012-10-01 2015-01-15 キヤノン株式会社 表示装置及びその制御方法
WO2014099320A1 (en) 2012-12-17 2014-06-26 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Methods, systems, and media for high dynamic range imaging
US9462202B2 (en) * 2013-06-06 2016-10-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Pixel arrays and imaging devices with reduced blooming, controllers and methods
JP2015012303A (ja) * 2013-06-26 2015-01-19 ソニー株式会社 固体撮像装置および電子機器
TWI644568B (zh) 2013-07-23 2018-12-11 新力股份有限公司 攝像元件、攝像方法及攝像程式
JP2015033107A (ja) * 2013-08-07 2015-02-16 ソニー株式会社 画像処理装置および画像処理方法、並びに、電子機器
US9307160B2 (en) * 2013-08-13 2016-04-05 Htc Corporation Methods and systems for generating HDR images
WO2015160967A1 (en) 2014-04-15 2015-10-22 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems, methods, and media for extracting information and a display image from two captured images
JP6418785B2 (ja) * 2014-05-21 2018-11-07 キヤノン株式会社 撮像素子、その制御方法、および制御プログラム、並びに信号処理装置
JP2016006930A (ja) * 2014-06-20 2016-01-14 ソニー株式会社 撮像装置および撮像方法
CN106537896B (zh) * 2014-07-18 2019-10-22 索尼半导体解决方案公司 成像控制器件、成像装置和成像控制方法
WO2016027397A1 (ja) * 2014-08-20 2016-02-25 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体撮像装置及びカメラ
US9467632B1 (en) 2015-07-13 2016-10-11 Himax Imaging Limited Dual exposure control circuit and associated method
US9819889B2 (en) * 2015-08-07 2017-11-14 Omnivision Technologies, Inc. Method and system to implement a stacked chip high dynamic range image sensor
KR102465212B1 (ko) * 2015-10-30 2022-11-10 삼성전자주식회사 다중 노출 센서를 이용하는 촬영 장치 및 이의 촬영 방법
CN105430274A (zh) * 2015-12-18 2016-03-23 广东欧珀移动通信有限公司 图像传感器的像素切换方法、拍照装置和终端
CN105578005B (zh) * 2015-12-18 2018-01-19 广东欧珀移动通信有限公司 图像传感器的成像方法、成像装置和电子装置
CN105554419B (zh) * 2015-12-18 2018-04-10 广东欧珀移动通信有限公司 图像传感器及具有其的终端
CN105430275A (zh) * 2015-12-18 2016-03-23 广东欧珀移动通信有限公司 图像传感器的像素切换方法、拍照装置和终端
CN105611198B (zh) * 2015-12-18 2017-06-27 广东欧珀移动通信有限公司 图像传感器及具有其的终端
CN105592270B (zh) * 2015-12-18 2018-02-06 广东欧珀移动通信有限公司 图像亮度补偿方法、装置及终端设备
CN105592265A (zh) * 2015-12-18 2016-05-18 广东欧珀移动通信有限公司 图像传感器的像素切换方法、拍照装置和终端
CN105516695B (zh) * 2015-12-18 2018-06-15 广东欧珀移动通信有限公司 图像传感器和具有其的终端
CN105611196B (zh) * 2015-12-18 2017-07-21 广东欧珀移动通信有限公司 图像坏点补偿方法、装置及终端设备
CN105472266A (zh) * 2015-12-18 2016-04-06 广东欧珀移动通信有限公司 高动态范围图像的生成方法、拍照装置和终端
US10313612B2 (en) 2015-12-18 2019-06-04 Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. Image sensor, control method, and electronic device
CN105516697B (zh) * 2015-12-18 2018-04-17 广东欧珀移动通信有限公司 图像传感器、成像装置、移动终端及成像方法
CN105611152A (zh) * 2015-12-18 2016-05-25 广东欧珀移动通信有限公司 图像传感器的像素切换方法、拍照装置和终端
CN105578074B (zh) * 2015-12-18 2017-11-10 广东欧珀移动通信有限公司 图像传感器及具有其的终端
CN105578065A (zh) * 2015-12-18 2016-05-11 广东欧珀移动通信有限公司 高动态范围图像的生成方法、拍照装置和终端
CN105578075A (zh) * 2015-12-18 2016-05-11 广东欧珀移动通信有限公司 高动态范围图像的生成方法、拍照装置和终端
US9743025B2 (en) * 2015-12-30 2017-08-22 Omnivision Technologies, Inc. Method and system of implementing an uneven timing gap between each image capture in an image sensor
KR20180036464A (ko) * 2016-09-30 2018-04-09 삼성전자주식회사 이미지 처리 방법 및 이를 지원하는 전자 장치
CN106341670B (zh) * 2016-11-29 2017-09-22 广东欧珀移动通信有限公司 控制方法、控制装置及电子装置
CN106454288B (zh) * 2016-11-29 2018-01-19 广东欧珀移动通信有限公司 控制方法、控制装置、成像装置及电子装置
CN106504218B (zh) 2016-11-29 2019-03-12 Oppo广东移动通信有限公司 控制方法、控制装置及电子装置
CN106454054B (zh) * 2016-11-29 2019-03-19 Oppo广东移动通信有限公司 控制方法、控制装置及电子装置
CN106454289B (zh) * 2016-11-29 2018-01-23 广东欧珀移动通信有限公司 控制方法、控制装置及电子装置
CN107018339A (zh) * 2017-03-09 2017-08-04 广东欧珀移动通信有限公司 图像传感器、图像处理方法、图像处理装置及电子装置
CN107483823A (zh) * 2017-08-31 2017-12-15 努比亚技术有限公司 一种图像处理方法及终端
CN108513062B (zh) * 2018-03-06 2021-03-23 Oppo广东移动通信有限公司 终端的控制方法及装置、可读存储介质和计算机设备
CN108322669B (zh) * 2018-03-06 2021-03-23 Oppo广东移动通信有限公司 图像获取方法及装置、成像装置和可读存储介质
JP6833751B2 (ja) * 2018-03-20 2021-02-24 株式会社東芝 撮像制御装置、撮像装置、及び撮像制御方法
CN108632537B (zh) 2018-05-04 2020-08-21 Oppo广东移动通信有限公司 控制方法及装置、成像设备、计算机设备及可读存储介质
JP7095714B2 (ja) * 2019-09-24 2022-07-05 カシオ計算機株式会社 画像処理装置、画像処理方法及びプログラム
US10855931B1 (en) * 2019-11-07 2020-12-01 Novatek Microelectronics Corp. High dynamic range image sensing method for image sensing device
KR20210102644A (ko) 2020-02-12 2021-08-20 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이를 포함하는 이미지 장치
JP2022100908A (ja) * 2020-12-24 2022-07-06 ゼタテクノロジーズ株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の信号処理方法、および電子機器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3074967B2 (ja) * 1992-10-27 2000-08-07 松下電器産業株式会社 高ダイナミックレンジ撮像・合成方法及び高ダイナミックレンジ撮像装置
JP2000050151A (ja) 1998-07-28 2000-02-18 Olympus Optical Co Ltd 撮像装置
JP4735964B2 (ja) * 2005-10-26 2011-07-27 ソニー株式会社 撮像装置
JP4487944B2 (ja) * 2006-02-09 2010-06-23 ソニー株式会社 固体撮像装置
US7777804B2 (en) * 2007-10-26 2010-08-17 Omnivision Technologies, Inc. High dynamic range sensor with reduced line memory for color interpolation
JP5487884B2 (ja) 2009-11-05 2014-05-14 セイコーエプソン株式会社 画像処理装置及び画像処理方法
US8324550B2 (en) * 2010-06-22 2012-12-04 Aptina Imaging Corporation High dynamic range imaging systems

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9998676B2 (en) 2013-05-22 2018-06-12 Sony Corporation Image adjustment apparatus, method, and imaging apparatus to determine a boundary in an image based on a position of a light source
US10623653B2 (en) 2013-05-22 2020-04-14 Sony Corporation Image adjustment apparatus and image adjustment method that determines and adjusts a state of a back light region in an image
WO2014188647A1 (ja) 2013-05-22 2014-11-27 ソニー株式会社 画像調整装置、画像調整方法、画像調整プログラムおよび撮像装置
CN104253946A (zh) * 2013-06-27 2014-12-31 聚晶半导体股份有限公司 产生高动态范围图像的方法及其图像传感器
CN104253946B (zh) * 2013-06-27 2018-03-20 聚晶半导体股份有限公司 产生高动态范围图像的方法及其图像传感器
JP2015068654A (ja) * 2013-09-26 2015-04-13 株式会社ニコン 形状測定装置、構造物製造システム及び形状測定用コンピュータプログラム
KR20170077784A (ko) * 2015-12-28 2017-07-06 캐논 가부시끼가이샤 고체 촬상 소자 및 촬상장치
JP2019036762A (ja) * 2015-12-28 2019-03-07 ブリルニクス インク 固体撮像装置およびその駆動方法、電子機器
JP2017120971A (ja) * 2015-12-28 2017-07-06 キヤノン株式会社 固体撮像素子及び撮像装置
KR102117858B1 (ko) * 2015-12-28 2020-06-02 캐논 가부시끼가이샤 고체 촬상 소자 및 촬상장치
JP7373346B2 (ja) 2018-10-01 2023-11-02 フォベオン・インコーポレーテッド 垂直検知器画素センサのためのサブサンプルされた色チャンネル読み出し配線
WO2021029269A1 (ja) * 2019-08-13 2021-02-18 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 情報処理装置、情報処理方法、および情報処理プログラム
US11778345B2 (en) 2019-08-13 2023-10-03 Sony Semiconductor Solutions Corporation Information processing device, information processing method, and information processing program
EP3917138A1 (en) 2020-05-29 2021-12-01 Canon Kabushiki Kaisha Encoding apparatus and method, image capture apparatus, and storage medium
US11483497B2 (en) 2020-05-29 2022-10-25 Canon Kabushiki Kaisha Encoding apparatus and method, image capture apparatus, and storage medium
WO2022113917A1 (ja) * 2020-11-27 2022-06-02 ソニーグループ株式会社 撮像素子、撮像方法および撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN103650480A (zh) 2014-03-19
US20140267828A1 (en) 2014-09-18
US9344637B2 (en) 2016-05-17
WO2013008596A1 (ja) 2013-01-17
EP2733927A1 (en) 2014-05-21
BR112014000337A2 (pt) 2017-02-14
RU2013157361A (ru) 2015-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2013008596A1 (ja) 画像処理装置、撮像装置、および画像処理方法、並びにプログラム
US9288399B2 (en) Image processing apparatus, image processing method, and program
JP5935876B2 (ja) 画像処理装置、撮像素子、および画像処理方法、並びにプログラム
WO2012063634A1 (ja) 画像処理装置、撮像装置、および画像処理方法、並びにプログラム
US10110827B2 (en) Imaging apparatus, signal processing method, and program
US9124809B2 (en) Image processing apparatus, image pickup apparatus, image processing method, and program
JP5085140B2 (ja) 固体撮像装置
US8798395B2 (en) Image processing apparatus, image processing method, and program
KR20120102509A (ko) 화상 처리 장치, 화상 처리 방법 및 프로그램
WO2012114819A1 (ja) 撮像装置、および撮像装置制御方法、並びにプログラム
JP2012235332A (ja) 撮像装置、および撮像装置制御方法、並びにプログラム
JPWO2015012121A1 (ja) 撮像素子、撮像方法、並びにプログラム
JP2010268529A (ja) 固体撮像装置および電子機器
JP2006080937A (ja) 物理情報取得方法および物理情報取得装置、並びに物理量分布検知の半導体装置、プログラム、および撮像モジュール
JP4852321B2 (ja) 撮像装置
JP2014154982A (ja) 撮像装置およびその制御方法
JP2004282552A (ja) 固体撮像素子および固体撮像装置
US20100194916A1 (en) Image capture apparatus, method of controlling the same, and program
JP5612001B2 (ja) 画像処理装置及び固体撮像装置
JP2022119630A (ja) 画像処理装置、画像処理方法、および撮像装置、ならびにそれらの制御方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140630

A762 Written abandonment of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762

Effective date: 20150401