JP2013016805A - 基板処理装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明による基板処理装置は、基板処理が遂行される空間を提供する工程チャンバーと、前記工程チャンバーと連結され、前記工程チャンバー内のガスが外部に排気される通路を提供する排気管と、前記排気管に設置されるポンプと、前記工程チャンバーと前記ポンプとの間の区間で前記排気管に設置され、前記排気管の通路を開閉するバルブと、を含む。前記バルブは、複数の排気ホールが形成された第1プレートと、前記複数の排気ホールが前記排気管の通路上に又は前記通路の外側に位置するように前記第1プレートを移動させる第1駆動器と、を含む。
【選択図】図2
Description
200 基板支持部
300 ガス供給部
400 プラズマ生成部
500 排気部材
510 排気管
520 ポンプ
530 バルブ
540 プレート
550 駆動器
Claims (10)
- 基板処理が遂行される空間を提供する工程チャンバーと、
前記工程チャンバーと連結され、前記工程チャンバー内のガスが外部に排気される通路を提供する排気管と、
前記排気管に設置されるポンプと、
前記工程チャンバーと前記ポンプとの間の区間で前記排気管に設置され、前記排気管の通路を開閉するバルブと、を含み、
前記バルブは、
複数の排気ホールが形成された第1プレートと、
前記複数の排気ホールが前記排気管の通路上に又は前記通路の外側に位置するように前記第1プレートを移動させる第1駆動器と、を含むことを特徴とする基板処理装置。 - 前記第1プレートは、
前記複数の排気ホールが形成され、前記複数の排気ホールを通じて前記ガスが流れ得る開放領域と、
前記開放領域から延長され、前記排気管の通路内でガスの流れを遮断できる遮断領域と、を有し、
前記遮断領域の面積は前記排気管の通路面積より広いことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記開放領域の面積は前記排気管の通路面積より狭いことを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記バルブは、
前記工程チャンバーと前記第1プレートとの間の区間で前記排気管に設置され、前記排気管の通路を開閉する第2プレートをさらに含み、
前記第2プレートには前記複数の排気ホールが形成されないことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第1プレートは前記排気管の通路に相応する面積を有し、前記複数の排気ホールが均一に形成された開放領域を有することを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
- 工程チャンバーの内部にガスを供給して基板を処理し、
前記工程チャンバーと連結された排気管を通じて前記工程チャンバーの内部に留まるガスを外部に排気し、
前記排気されるガスは前記排気管の通路に位置された第1プレートの複数の排気ホールを通過することを特徴とする基板処理方法。 - 前記第1プレートは、前記複数の排気ホールが形成され、前記排気管の通路より小さい面積を有する開放領域を有し、
前記ガスが排気される間に、前記排気管の通路上には前記開放領域が位置し、前記排気されるガスの中で一部は前記複数の排気ホールを通じて流れることを特徴とする請求項6に記載の基板処理方法。 - 前記工程チャンバーの内部にガスが供給される前に、前記排気管は遮断され、
前記排気管の遮断は、
前記複数の排気ホールが形成されず且つ前記排気管の通路より大きい面積を有する前記第1プレートの遮断領域が、前記排気管の通路上に位置することでなされることを特徴とする請求項7に記載の基板処理方法。 - 前記排気管の領域の中で前記第1プレートと前記工程チャンバーのとの間の区間には、前記排気管の通路を開閉できる第2プレートが提供され、
前記ガスが排気される間に、前記第2プレートは前記排気管の通路を開放し、
前記ガスが前記工程チャンバーの内部に供給される前に、前記第2プレートは前記排気管の通路を遮断することを特徴とする請求項6に記載の基板処理方法。 - 前記第1プレートは、前記複数の排気ホールが形成され、前記排気管の通路に相応する面積を有する開放領域を有し、
前記ガスが排気される間に、前記開放領域は前記排気管の通路上に位置することを特徴とする請求項9に記載の基板処理方法。
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