JP2013016218A - ヘッド制御装置、記憶装置、およびヘッド制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】DFH 機能を搭載したHDD 装置において、環境変化によるスライダの浮上量を予測し、場合により記録再生素子の浮上量を調整することができる技術を提供する。
【解決手段】記憶媒体に対して信号の記録および再生を行うヘッドの記録再生素子を加熱して膨張させるヒータへの通電量を増大または減少させて、前記記録再生素子を前記記憶媒体に近増大または減少ける制御部と、前記記憶媒体の2つ以上の回転数、条件によっては３つ以上の回転数での前記記録再生素子の出力差を取得する取得部とを備え、前記制御部は、前記出力差に基づいて前記通電量を増大または減少させるヘッド制御装置。
【選択図】 図４

Description

本発明の実施形態は、2以上の回転数での出力差から外部環境を予測し記録再生素子と磁気ディスクのすきまを制御する磁気ディスク記憶装置に関する。

近年のＨＤＤ（Hard Disk Drive）においては、高記録密度を達成するためにＤＦＨ（Dynamic Flying Height）と呼ばれる技術が一般的になっている。ＤＦＨは、磁気ディスク面に対する記録再生素子の浮上量（すきま）をコントロールする技術である。より具体的には、ＤＦＨは、記録再生素子近傍にヒータと熱膨張体とを配置し、ヒータを通電させて熱膨張体を加熱することにより当該熱膨張体を膨張させることで記録再生素子を磁気ディスク面に近づける。

市場でのスライダの浮上量変化を、出荷前と市場での磁気出力の変化から予測することが考えられている。しかしこの方式では、熱揺らぎのために、磁気出力が変化し測定誤差が生じてしまい完全に予測することは難しい。また上記を解決するため、出荷前との出力差だけでなく市場で再Write することにより熱揺らぎの影響を受けなくする手法も考えられている。しかし、この方式でもWrite の品質がばらついてしまい測定誤差が大きなものになってしまう。さらに、市場でTD（Touch Down） 検出を行なうことも考えられるが、素子摩耗が懸念され実現は難しい。

これに対して例えば特許文献１では、二つの回転数での出力差から、浮上量を予測し、場合により浮上量を調整する技術が述べられている。但しこの例ではCSS であり、現在主流となっているL / UL 機構では、CSS エリア（粗い面）がないため、回転数を下げて浮上量を０nm 近傍にしようとするとクラッシュするリスクがあり行なうことができない。また、環境による浮上変化分も考慮した低回転数とする必要があり、結局は環境変化分のすきまは確保する必要があり、すきま低減にはつながらないという問題があった。

即ちDFH 機能を搭載したHDD 装置において、環境変化によるスライダの浮上量を予測し、場合により記録再生素子と磁気ディスクのすきまを調整することができる技術への要望がある。

特開２００６−１９６０７３号公報

本発明の実施の形態は、DFH 機能を搭載したHDD 装置において、環境変化によるスライダの浮上量を予測し、場合により記録再生素子と磁気ディスクのすきまを調整することができる技術を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、実施形態によればヘッド制御装置は、記憶媒体に対して信号の記録および再生を行うヘッドの記録再生素子を加熱して膨張させるヒータへの通電量を増大または減少させて、前記記録再生素子を前記記憶媒体に近増大または減少ける制御部と、前記記憶媒体の2つ以上の回転数、条件によっては３つ以上の回転数での前記記録再生素子の出力差を取得する取得部とを備え、前記制御部は、前記出力差に基づいて前記通電量を増大または減少させる。

本実施形態にかかる磁気ディスク装置の断面図。 磁気ディスクの模式図である。 本実施形態にかかる磁気ディスク装置の要部を示す図。 同実施形態の磁気ディスク装置の動作の一例を示すフローチャート。 同実施形態の熱揺らぎの影響を示す説明図。 同実施形態に用いられる気圧と回転数による浮上変化を示す図。 同実施形態に用いられる気圧と回転数による浮上差の関係を示す図。 同実施形態に係わる湿度と回転数による浮上変化の一例を示す図。 同実施形態に係わる湿度と回転数による浮上差の関係の一例を示す図。 本実施形態にかかる磁気ディスク装置の概略構成を示すブロック図。

以下、一実施形態を図１乃至図１０を参照して説明する。
まず、本実施形態にかかる磁気ディスク装置の概要について説明する。図１は、本実施形態にかかる磁気ディスク装置の断面図である。同図において、磁気ディスク１５は、各種情報を記憶する円盤状の記憶媒体であり、スピンドルモータ（以下、ＳＰＭとする）１３により回転駆動される。

磁気ディスク１５の読み書きは、ヘッド支持機構であるアーム１７の一方の先端に設けられたヘッド１４によって行われる。ヘッド１４は、磁気ディスク１５の回転によって生じる揚力によって、磁気ディスク１５の表面からわずかに浮いた状態を維持して読み書きを実行する。また、アーム１７のもう一方の端に設けられたヘッド駆動機構であるボイスコイルモータ（以下、ＶＣＭという）１２の駆動により、アーム１７が軸１８を中心とする円弧上を回動し、ヘッド１４が磁気ディスク１５のトラック横断方向にシーク移動し、読み書きする対象のトラックを変更する。

図２は、磁気ディスクの模式図である。同図に示すように、磁気ディスク１５には、放射線状に複数のサーボ領域が設けられる。サーボ領域は、同期をとるためのプリアンブル部および同期部と、その位置がどのトラックであるかを示すトラック番号と、ヘッド１４の半径方向の位置を正確に制御するための位置決め情報とを有する。

図１０は、本実施形態にかかる磁気ディスク装置の概略構成を示すブロック図である。
同図に示すように、磁気ディスク装置１は、例えば一般にホストインタフェース制御部（以下、ホストＩＦ制御部とする）２、バッファ制御部３、バッファメモリ４、フォーマット制御部５、リードチャネル部６、ヘッドＩＣ７、ＭＰＵ（Micro Processing Unit）８、メモリ９、不揮発メモリ１０、サーボ制御部１１、ＶＣＭ１２、ＳＰＭ１３、ヘッド１４、磁気ディスク１５および共有バス１６を有している。

ホストＩＦ制御部２は、磁気ディスク装置１の上位装置であるホストに接続され、ホストとの間の通信を制御する。バッファ制御部３は、バッファメモリ４を制御する。バッファメモリ４は、ホストと磁気ディスク装置１との間でやり取りされる情報などを一時的に記憶する。

フォーマット制御部５は、データの読み出しを制御し、例えば読み出されたデータのエラーチェックなどを行う。リードチャネル部６は、データの読み出し時に、ヘッドＩＣ７から出力されるデータ信号を増幅し、ＡＤ変換および復調などの所定の処理を施す。ヘッドＩＣ７は、図示しないプリアンプを備えており、データの読み出し時に、ヘッド１４によって読み出されたデータ信号を前置増幅する。

ＭＰＵ８は、所定の制御プログラム（ファームウェアプログラム）により磁気ディスク装置１の主制御を行う。すなわち、ＭＰＵ８は、ホストからのコマンドを解読して各処理部を制御し、磁気ディスク１５のデータの読み書きを統括制御する。また、本実施形態においては、ＭＰＵ８は、ヘッド１４の先端部にある磁気ヘッド２２と磁気ディスク１５との距離を適正化するためのキャリブレーションを行う。

メモリ９および不揮発メモリ１０は、ＭＰＵ８において動作するファームウェアプログラムや種々の制御用のデータを格納する。サーボ制御部１１は、ＶＣＭ１２およびＳＰＭ１３の動作状態を確認しながら、これらのモータを駆動させる。

共有バス１６は、磁気ディスク装置１内の各処理部を接続し、処理部間における種々の情報の受け渡しを行う。サーボ制御部１１、ＶＣＭ１２、ＳＰＭ１３、ヘッド１４、磁気ディスク１５については既に説明済みであるので、ここでは説明を省略する。

図３は、本実施形態にかかる磁気ディスク装置の要部を示す図である。同図に示すように、リードチャネル部６は、可変利得アンプ部６０１、可変イコライザ部６０２、ＡＤ変換部６０３、復調部６０４およびレジスタ部６０５を有している。

可変利得アンプ部６０１は、ゲインを変更することが可能な可変利得アンプを備えており、ＡＤ変換部６０３からフィードバックされるゲイン信号に応じて可変利得アンプのゲインを設定し、ヘッドＩＣ７から出力されるデータ信号を増幅する。このとき、可変利得アンプ部６０１は、増幅後のデータ信号のレベルが一定値になるようにゲインを設定する。すなわち、可変利得アンプ部６０１、可変イコライザ部６０２、およびＡＤ変換部６０３によりＡＧＣ（Auto Gain Control：自動利得制御）ループが形成されている。

可変イコライザ部６０２は、可変利得アンプ部６０１による増幅後のデータ信号の周波数特性を調整し、得られたデータ信号をＡＤ変換部６０３へ出力する。
ＡＤ変換部６０３は、可変イコライザ部６０２から出力されるデータ信号をＡＤ変換し、得られたデジタルデータ信号を復調部６０４へ出力する。また、ＡＤ変換部６０３は、可変イコライザ部６０２から出力されるデータ信号のレベルから可変利得アンプ部６０１のゲインを制御するためのゲイン信号を生成し、可変利得アンプ部６０１へフィードバックするとともに、レジスタ部６０５へ出力する。

復調部６０４は、ＡＤ変換後のデジタルデータ信号を復調し、得られた復調信号をデータのエラーチェックなどを行うフォーマット制御部５へ出力する。また、復調部６０４は、サーボ領域から読み出された位置決め情報を復調し、位置誤差信号としてサーボ制御部１１へ出力する。

レジスタ部６０５は、ＡＤ変換部６０３から出力されるゲイン信号を一時的に保持し、ＭＰＵ８へ供給する。レジスタ部６０５が保持するゲイン信号は、可変利得アンプ部６０１に入力されるデータ信号のレベルを一定値に増幅するためのゲインを示しており、ヘッド１４によって読み出される信号のレベルが小さければゲインは大きくなり、ヘッド１４によって読み出される信号のレベルが大きければゲインは小さくなる。したがって、レジスタ部６０５によって保持されるゲイン信号からヘッド１４によって読み出されるデータ信号の再生振幅を取得することが可能である。

また、図３に示すように、ＭＰＵ８は、ヒータ制御部８０１、外力サンプル取得部８０２、外力評価部８０３、接触検出部８０４、振幅取得部８０５、ヒータ通電量設定部８０６、浮上量制御部８０７、および外力サンプル抽出部８０８などを有している。

ヒータ制御部８０１は、ヘッド１４に内蔵されたヒータ２２ｄへの通電量（ＤＦＨパワー）を制御する。具体的には、ヒータ制御部８０１は、キャリブレーション実行時には、ヒータ通電量設定部８０６の指示にしたがって、ＤＦＨパワーを定期的に下げる期間を設けつつ、ＤＦＨパワーを段階的に増加させて、磁気ヘッド２２を磁気ディスク１５に近づ

ける。また、ヒータ制御部８０１は、通常運用時には、浮上量制御部８０７から指示されるＤＦＨパワーをヒータ２２ｄに加える。
外力サンプル取得部８０２は、復調部６０４からサーボ制御部１１へ出力される位置誤差信号を所定のサンプリング間隔でサンプリング（取得）する。なお、このサンプリング間隔は、少なくとも、キャリブレーション実行時にヒータ通電量設定部８０６がヒータ制御部８０１に対してＤＦＨパワーの変更を指示する間隔よりも短くなくてはならない。ＤＦＨパワーの変更にともなう位置誤差信号の変動を漏れなくサンプリングするためである。

なお、外力サンプル取得部８０２が、位置誤差信号に代えて、磁気ヘッド２２の半径位置を補正するためにサーボ制御部１１からＶＣＭ１２へ出力されるＶＣＭ電流をサンプリングするように構成してもよい。

外力サンプル抽出部８０８は、外力サンプル取得部８０２によりサンプリングされた位置誤差信号を周波数解析（ＦＦＴ：Fast Fourier Transform）するとともに、当該サンプリングされた位置誤差信号をバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）にかけることにより、当該サンプリングされた位置誤差信号から所定の周波数成分（ＰＥＳ＿ＦＦＴ）を抽出するものである。

外力評価部８０３は、外力サンプル取得部８０２において得られたサンプリング値を一時的に記憶し、その代表値を算出する。外力評価部８０３が代表値のサンプリングを行うタイミングは、通電量がある段階にあるときの代表値が得られるように、ヒータ通電量設定部８０６によって指定される。なお、位置誤差信号は、上述したように正負の両方の値を取りうるため、位置誤差信号からタッチダウンを判定するのは難しい。そのため、位置誤差信号そのものではなく、当該位置誤差信号のＰＥＳ分散（正の値しかなり得ない変化）をタッチダウンの判定に用いることが好ましい。

また、外力評価部８０３は、外力サンプル抽出部８０８により所定の周波数成分が抽出された場合に、抽出された所定の周波数成分を一時的に記憶するとともに、当該所定の周波数成分の代表値を算出する。本実施形態では、外力評価部８０３は、所定の周波数成分の振幅の和を代表値として算出するものとする。外力評価部８０３が代表値の算出を行うタイミングは、ＤＦＨパワーがある段階にあるときの代表値が得られるように、ヒータ通電量設定部８０６によって指定される。

接触検出部８０４は、サーボ制御部から得られる磁気ヘッド２２の半径位置に対応する値を閾値として決定するとともに、当該閾値と、外力評価部８０３によって算出された代表値とを比較し、タッチダウンの発生の有無を判定し、判定結果をヒータ通電量設定部８０６へ出力する。

また、接触検出部８０４は、外力サンプル抽出部８０８により所定の周波数成分が抽出された場合、外力評価部８０３により算出した代表値（所定の周波数成分の振幅の和）、および代表値を算出したＤＦＨパワーの段階よりも低い段階の代表値（所定の周波数成分の振幅の和）の平均値を２倍した値を所定の閾値として決定する。そして、接触検出部８

０４は、決定した所定の閾値と、外力評価部８０３によって算出された代表値とを比較し、タッチダウンの発生の有無を判定し、判定結果をヒータ通電量設定部８０６へ出力する。本実施形態では、接触検出部８０４は、ＤＦＨパワーが０〜１０ｍＷ（１ｍＷ刻み）の代表値の平均値を２倍した値を閾値として決定する。なお、代表値を算出したＤＦＨパワーの段階よりも低い段階の代表値は、磁気ディスク装置１を搭載した図示しないＰＣ（Personal Computer）内に保存されているものとする。

ヒータ通電量設定部８０６は、キャリブレーションの実行を全体制御する。キャリブレーションの実行の詳細については後述するが、ヒータ通電量設定部８０６は、キャリブレーションの実行によって得られた情報に基づいて、磁気ヘッド２２と磁気ディスク１５の距離を所望の値にするために必要なＤＦＨパワーを求め、それを不揮発メモリ１０に記憶させる。

さて、スライダは外部環境（温度・湿度・気圧）により浮上量が変化してしまうため、市場での外部環境の変化による浮上量低減分は、予め出荷時に確保しておく必要がある。磁気ディスク記憶装置の容量拡大のためには記録再生素子の浮上量を低減する必要があるが、市場での外部環境を予測できれば、出荷時にその分の浮上量を確保する必要がなくなり、より容量を拡大することが可能となる。そこで、市場で磁気出力によりスライダの浮上量変化を予測し、記録再生素子の浮上量を一定にしようとすることが考えられているが、磁気出力では熱揺らぎにより時間とともに出力が変化してしまい、浮上量予測誤差が生じてしまう。

この対策として、 熱揺らぎに出力が変化したとしても絶対値が変化するだけであり、差分に関しては維持されることを利用する。またスライダは外部環境による浮上量変化には回転数依存が存在する。そこで、例えば図４のように異なる回転数で出力P1〜P3（V1〜V3）を確認し、その差分から回転数による浮上量差を計算し、環境変化を予測することができる。その情報からHeater Powerなどにより記録再生素子の浮上量を制御することにより、記録再生素子の浮上量を環境変化の影響を受けることなく、一定に保つことが可能となる。

即ち、振幅取得部８０５は、まず回転数１で出力V1を確認する（ステップＳ１）。次に回転数２で出力V２を確認する（ステップＳ２）。そして回転数３で出力V３を確認する（ステップＳ３）。

そしてMPU８は、V1〜V3から各回転数の浮上量差を確認し、外気圧Pと湿度Wを予測する（ステップＳ４）。次にこれらPとWが閾値外か判定し（ステップＳ５）、閾値外と判定した場合はHeater Powerを調整し（ステップＳ６）、後は閾値外か否かにかかわらずR/W処理へ移行する（ステップＳ７）。

図５に出力からの浮上量変化の予測値と時間の関係を示す。実線はHeater PowerがOFFのときであり、破線はHeater PowerがON（2nm程度突出した場合）の浮上量変化の予測値である。これらの値は時間と共に低下しているが、熱揺らぎのため時間と共に出力が低下し、浮上量が下がって見えているだけであり、実際の浮上量は変化していない。即ちただ単に出力から浮上量変化を予測してしまうと、測定誤差が生じてしまう。

図５にHeater PowerがOFFのときとONのときの差分を、点線で示す。この図から、点線は一定値になっており、OFFとONの差分は熱揺らぎの影響を受けないことが分かる。本実施形態では、この熱揺らぎの影響を受けない差分測定を利用し、外部環境を予測することを利用する。

スライダは外部環境による浮上量変化には回転数依存が存在する。外部環境としては、温度・湿度・気圧と３種類あるが、温度については多くの場合、磁気ディスク記憶装置には温度センサーが内蔵されており予測する必要がない。そこでここでは湿度・気圧を予測することについて述べる。

これらのうち、まず気圧のみについて説明する。図６に気圧と回転数によるスライダの浮上量変化を示す。実線、点線および破線は、回転数での1atm、0.7atmの浮上量およびその差分である。破線から、浮上量の1.0atmと0.7atmの変化量には回転数依存があることが分かる。よって、異なる回転数の浮上量を測定することにより、気圧の変化を予測することが可能となる。異なる回転数での浮上量変化、例えば7200rpmと4200rpmの浮上量差と気圧の関係を図７の破線に示す。図７に示すように、7200rpmと4200rpmの浮上量差が4.1nmであれば1.0atm、3.4nmであれば0.8atmと予測できる。

上記と同様に、湿度についても図８および図９に示す。図９に示すように、湿度に関しても異なる回転数の浮上差が分かれば、湿度を予測することができる。実装としては図７に関して上記で述べた数値のような、例えば出力確認する回転数に関する気圧・湿度と出力差のテーブルを持つのが好適である。

なお、浮上量差はスライダの公差ばらつきにより多少ばらつくが、出荷前にキャリブレーションすることにより、より正確に予測することができる。
実際の市場では、気圧と湿度の両方が変化するため、異なる２点の回転速度のみでは、気圧と湿度の両方を予測することは難しい。異なる回転数の浮上量変化をΔh、気圧をp、湿度をwとすると、次の式（１）で近似できる。

Δh = f(p)+g(w) （１）
ここで、f(),g()はある関数。未知数がpとwの二つであるため、pとwの両方を計算するには、２つ以上の浮上量差が必要となる。異なる回転数の一つは共通化することができるため、少なくとも３点の回転数で浮上量を測定することにより、気圧と湿度の両方を予測することができる。無論、精度をあげるために、３点以上で測定し、予測することも可能である。

ところで湿度はスライダに対し、絶対湿度で影響する。そのため、低温では絶対湿度はほとんど無視でき、低温での湿度依存は考える必要がない。そこで、磁気ディスク記憶装置に内蔵された温度センサーを利用し、ある一定温度以下では、湿度の項g(w)を無視し、f(p)のみとし、２点の回転数の浮上量のみを測定し、気圧のみの影響を考えることも可能である。また、図６〜９に示したスライダの場合、5400rpmでは気圧依存はほとんどない。よって、このようなスライダの場合には、ある一定以上温度のみで、湿度の影響のみを予測することもでき得る。

課題として、スライダは外部環境により浮上量が変化してしまうため、市場での外部環境の変化による浮上量低減分は、予め出荷時に確保しておく必要がある。磁気ディスク記憶装置の容量拡大のためには記録再生素子の浮上量を低減する必要があるが、市場での外部環境を予測できれば、出荷時にその分の浮上量を確保する必要がなくなり、より容量を拡大することが可能となる。

そこで、市場でスライダの浮上量変化を磁気出力により予測し、記録再生素子の浮上量を一定にしようとすることが考えられているが、磁気出力では熱揺らぎにより時間とともに出力が変化してしまい、浮上量予測誤差が生じてしまう。

本実施形態の場合、すきまを０nm付近となる浮上量に下げる必要もなく、L / UL 機構でも可能である。また、予め環境変化のテーブルを持っことで浮上変化を予測でき、記録再生素子の浮上量を下げられる。本実施形態は、上記の熱揺らぎの影響を受けずに浮上量の変化を予測するものである。

即ち、実施形態の目的／効果として、DFH 機能を搭載したHDD 装置において、環境変化（気圧・湿度変化）によるスライダの浮上敏変化を予測し、Heater Power を制御させ、へッド（素子 ）とディスクのすきまを一定に保つ。

実施形態の原理として、実際の市場では、気圧・湿度共に変化することも考えられるが、3 点以上の回転速度で出力差を測定することにより、気圧・湿度ともに予測することが可能となる。

実施形態の構成／動作としては、上記による浮上量予測を行う為に、HDD 装置としては、気圧・湿度と出力差の例えばテーブルを持つ。また市場で起動時等に外部環境を予測する為に、異なる回転数で出力を測定する動作をする。

以上、本実施形態のポイントとして、2つ以上の回転数での出力差から外部環境を予測し、浮上量を制御する磁気ディスク記憶装置を述べた。
（１）高温領域（例えば50℃以上）のみ3つ以上の回転数での出力差から外部環境を予測し、浮上量を制御する磁気ディスク記憶装置
（２）高温領域（例えば50℃以上）では3つ以上の回転数で気圧と湿度を予測し、低温領域（例えば50℃以下）では、2つの回転数で気圧を予測し、浮上量を制御する磁気ディスク記憶装置

これらにより、上記のように気圧センサー・湿度センサーなしに外部環境を予測することが可能となった。またスライダの環境依存や回転数依存などを考える必要がなく、スライダ開発を短縮できるたり、環境依存以外の性能を改善することが可能となる。

なお、この発明は上記実施形態に限定されるものではなく、この外その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
また、上記した実施の形態に開示されている複数の構成要素を適宜に組み合わせることにより、種々の発明を形成することができる。例えば、実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除しても良いものである。さらに、異なる実施の形態に係わる構成要素を適宜組み合わせても良いものである。

１ 磁気ディスク装置
８ ＭＰＵ
１４ ヘッド
１５ 磁気ディスク
２２ 磁気ヘッド
２２ｄ ヒータ
８０１ ヒータ制御部
８０２ 外力サンプル取得部
８０３ 外力評価部
８０４ 接触検出部
８０５ 振幅取得部
８０８ 外力サンプル抽出部

Claims (6)

1. 記憶媒体に対して信号の記録および再生を行うヘッドの記録再生素子を加熱して膨張させるヒータへの通電量を増大または減少させて、前記記録再生素子を前記記憶媒体に近増大または減少ける制御部と、
   前記記憶媒体の2つ以上の回転数、条件によっては３つ以上の回転数での前記記録再生素子の出力差を取得する取得部とを備え、
   前記制御部は、前記出力差に基づいて前記通電量を増大または減少させるヘッド制御装置。
2. 前記条件は温度条件である請求項１に記載のヘッド制御装置。
3. 前記出力差は気圧または湿度をパラメータとするものである請求項１に記載のヘッド制御装置。
4. 前記パラメータを参照するためのテーブルを備えた請求項１に記載のヘッド制御装置。
5. 記憶媒体と、
   前記記憶媒体に対して信号の記録または再生を行う記録再生素子と、
   前記記録再生素子を加熱して膨張させるヒータと、
   前記ヒータへの通電量を増大または減少させて、前記記録再生素子を前記記憶媒体に近づけまたは遠ざける制御部と、
   前記記憶媒体の2つ以上の回転数、条件によっては３つ以上の回転数での前記記録再生素子の出力差を取得する取得部とを備え、
   前記制御部は、前記出力差に基づいて前記通電量を増大または減少させる記憶装置。
6. ヘッド制御装置で実行されるヘッド制御方法であって、
   前記ヘッド制御装置は、制御部と記憶部とを備え、
   制御手段が、記憶媒体に対して信号の記録または再生を行う記録再生素子を加熱して膨張させるヒータへの通電量を増大または減少させて、前記記録再生素子を前記記憶媒体に近増大または減少ける工程と、
   取得手段が、前記記憶媒体の2つ以上の回転数、条件によっては３つ以上の回転数での前記記録再生素子の出力差を取得する工程と、
   を含むことを特徴とするヘッド制御方法。

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