JP2013012579A - 誘電体膜及びその製造方法、並びにキャパシタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電極3,5の間に誘電体膜4が挟持されてなるキャパシタであって、誘電体膜4は、アルカリ土類金属と遷移金属との酸化物に、アルカリ土類金属の炭酸塩を0.1〜10mol%の範囲で含む。
【選択図】図2
Description
図5及び図6(a),(b)に示すように、厚み方向に貫通する平らなタイル状のグレインが形成され、クラックらしき部分も観察された。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに必ずしも限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
本発明では、アルカリ土類金属と遷移金属との酸化物からなる誘電体膜に、不純物としてアルカリ土類金属の炭酸塩を添加することで、この誘電体膜を結晶化させた際に、炭酸塩が結晶粒界に偏析し、結晶粒が過渡に成長するのを抑制すると共に、ストレスを緩和することができる。その結果、誘電体膜を貫通する結晶粒界やクラックの発生が抑制されたリーク電流の少ない高性能なキャパシタを得ることが可能である。
このデカップリングキャパシタは、基板1の上に層間絶縁膜2を介して形成された下部電極3と、この上に形成された本発明の誘電体膜4と、この上に形成された上部電極5とを備え、下部電極3と上部電極5との間で誘電体膜4が挟持された構造を有している。また、上部電極5の上には、層間絶縁膜6を介してメタル配線7と、このメタル配線7を覆う層間絶縁膜8とが形成されている。そして、このキャパシタは、下部電極3が層間絶縁膜2に形成されたコンタクトプラグ9を介して基板1と電気的に接続され、上部電極5が層間絶縁膜6に形成されたスルーホールプラグ10を介してメタル配線7と電気的に接続された構造を有している。
なお、本発明の誘電体膜は、このようなデカップリングキャパシタに限らず、DRAM用のキャパシタなどにも適用可能である。
(1)Srプリカーサ:ドーズ10秒
(2)Srプリカーサ:パージ10秒
(3)O3/O2/CO2:ドーズ10秒
(3)O3/O2/CO2:パージ15秒
(1)Tiプリカーサ:ドーズ10秒
(2)Tiプリカーサ:パージ10秒
(3)O3/O2:ドーズ10秒
(3)O3/O2:パージ15秒
Claims (4)
- アルカリ土類金属と遷移金属との酸化物に、アルカリ土類金属の炭酸塩を0.1〜10mol%の範囲で含むことを特徴とする誘電体膜。
- ペロブスカイト型の結晶構造を有することを特徴とする請求項1に記載の誘電体膜。
- アルカリ土類金属と遷移金属との酸化物に、不純物としてアルカリ土類金属の炭酸塩を0.1〜10mol%の範囲で添加した非晶質の誘電体膜を形成した後に、熱処理を行うことによって、この誘電体膜を結晶化させることを特徴とする誘電体膜の製造方法。
- 電極の間に誘電体膜が挟持されてなるキャパシタであって、
前記誘電体膜として、請求項1又は2に記載の誘電体膜、又は、請求項3に記載の方法により製造された誘電体膜を用いることを特徴とするキャパシタ。
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JP2011144157A JP2013012579A (ja) | 2011-06-29 | 2011-06-29 | 誘電体膜及びその製造方法、並びにキャパシタ |
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JP2018534763A (ja) * | 2015-09-14 | 2018-11-22 | クアルコム,インコーポレイテッド | パッシブオンガラス(pog)デバイスおよび方法 |
WO2018221228A1 (ja) * | 2017-05-31 | 2018-12-06 | Tdk株式会社 | 薄膜コンデンサ及び薄膜コンデンサの製造方法 |
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