JP2013008618A - 基板用コネクタ - Google Patents

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Abstract

【課題】内導体端子の高周波特性が低下することを抑制すると共に、外導体端子の形状を簡素化する。
【解決手段】相手側端子に接続される内導体端子20と、内導体端子20の外周を覆う本体筒部41を有する外導体端子40と、内導体端子20と外導体端子40との間に配される誘電体30と、外導体端子40を内部に収容して回路基板に固定されるコネクタハウジング60とを備えた基板用コネクタ10であって、内導体端子20には、本体筒部41から後方に露出され、下方に延びて回路基板に接続される内導体リード部24が設けられており、外導体端子40には、本体筒部41から下方に延びて回路基板に接続される外導体リード部42が設けられており、外導体リード部42には、内導体リード部24の側縁に対向して配される壁部47が形成されていることを特徴とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、基板用コネクタに関する。
自動車等に搭載されるカーナビゲーションシステムなどの各種電気機器には高周波信号を用いるものがあり、高周波信号を伝送するためには同軸ケーブルが使用される。そして、同軸ケーブルと電気機器などの回路基板とを接続する部材としては、例えば特許文献1に記載の基板用コネクタが使用されている。この基板用コネクタは、高周波信号を伝送する内導体端子と、内導体端子の外周を覆う絶縁性の誘電体と、誘電体の外周を覆ってアース接続される外導体端子と、これら全てを収容するコネクタハウジングとを備えて構成されている。
ところで、内導体端子を高周波信号が通過するときにその信号の一部が反射されてしまう度合いは、電圧定在波比(VSWR)として表され、高周波特性を示す指標の一つとされている。VSWRは、その数値が大きいほど、内導体端子内での反射が大きく、信号ロスが大きいとされている。このため、この種の基板用コネクタでは、内導体端子のVSWRを小さくするために、例えば、内導体端子の外周を外導体端子によって覆い、擬似的に同軸ケーブルのシールド構造を備えることにより内導体端子のVSWRを小さくするようにコントロールしている。
特開2000−12165号公報
ところが、上記の基板用コネクタによると、内導体端子と誘電体とを組み付けたものを外導体端子に対して後方から組み付けた後、外導体端子に設けられた蓋部を曲げ加工して内導体端子の背面に蓋をすることで、内導体端子全体を覆う構造となっている。このため、外導体端子の形状が複雑化すると共に、外導体端子の組み付け作業性が悪くなってしまう。
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、内導体端子の高周波特性が低下することを抑制すると共に、外導体端子の形状を簡素化することを目的とする。
上記の目的を達成するための手段として本発明は、相手側端子に接続される内導体端子と、前記内導体端子の外周を覆う筒部を有する外導体端子と、前記内導体端子と前記外導体端子との間に配される絶縁材製の誘電体と、前記外導体端子を内部に収容して回路基板に固定されるコネクタハウジングとを備えた基板用コネクタであって、前記内導体端子には、前記外導体端子の前記筒部から後方に臨んで露出され、前記回路基板側に延びて前記回路基板に接続される内導体リード部が設けられており、前記外導体端子には、前記筒部から前記回路基板側に延びて前記回路基板に接続される外導体リード部が設けられており、前記外導体リード部には、前記内導体リード部における前記筒部から前記回路基板までの側縁に対向して配される壁部が形成されているところに特徴を有する。
内導体リード部が外導体端子の筒部から露出すると、内導体リード部におけるインピーダンスが大きくなり、その結果、VSWRが大きくなってしまう。ところが、上記のような構成の基板用コネクタによると、壁部を内導体リード部の側縁に配することで、内導体リード部のインピーダンスが大きなることを抑制することができる。これにより、内導体リード部のインピーダンスを同軸ケーブルの特性インピーダンスに近付け、VSWRが大きくなることを抑制することができる。すなわち、内導体端子の高周波特性が低下することを抑制することができる。
また、外導体端子に蓋部を設ける必要がなく、蓋部を曲げ加工することで内導体端子の背面側を蓋部によって塞ぐといった作業が発生しないため、外導体端子の形状を簡素化できると共に、外導体端子の組み付け作業性を向上させることができる。
また、内導体リード部の側縁に誘電体を介することなく壁部を対向して配しているので、誘電体を無くした分だけ外導体リード部が大型化することを抑制することができる。
本発明の実施の態様として、以下の構成が好ましい。
前記外導体リード部には、前記筒部から前記回路基板側に延びる外導体垂下部が形成されており、前記内導体リード部には、前記筒部側から前記回路基板側に延びる内導体垂下部が形成されており、前記壁部は、前記外導体垂下部に設けられ、前記内導体垂下部よりも前後に延びて形成されている構成としてもよい。
このような構成によると、壁部が内導体垂下部よりも前後に延びて形成されているので、壁部が内導体垂下部の側縁にのみ配されているものに比べて、内導体リード部のインピーダンスが大きくなることを抑制し、VSWRをより小さくすることができる。
前記壁部は、前記内導体垂下部の幅方向両側に配されている構成としてもよい。
このような構成によると、壁部が内導体垂下部の側縁を幅方向両側から囲った状態となるので、壁部が内導体垂下部の一側面に配されるものに比べて、内導体リード部のVSWRを更に小さくすることができる。
前記内導体端子は、相手側端子に接続される接続部と、前記接続部と前記内導体リード部との間に位置して、前記接続部よりも幅広な拡幅部とを備えて構成されており、前記内導体垂下部は、前記接続部よりも拡幅して形成されている構成としてもよい。
このような構成によると、内導体垂下部における幅方向の断面積を大きくすることで、内導体リード部のインピーダンスが大きなることを抑制することができる。また、内導体リード部が外導体端子から露出されることで、内導体端子のインピーダンスが大きくなる前に、拡幅部によって予めインピーダンスを小さくしておくことで、内導体リード部におけるインピーダンスが大きくなることを抑制することができる。すなわち、内導体端子のインピーダンスを同軸ケーブルの特性インピーダンスに近付けることで、内導体垂下部が幅広に形成されていないものや拡幅部が形成されていないものに比べて、VSWRを小さくすることができる。
前記内導体垂下部の角部は、丸みを帯びた鈍角に形成されており、前記内導体垂下部の前端部及び後端部には、前記内導体垂下部が延びる方向に前記内導体垂下部が幅狭となる傾斜面が形成されている構成としても良い。
一般に、内導体端子などの伝送線路を流れる信号の反射及び挿入損失は、インピーダンスの急激な変化により発生する。その点、このような構成によると、内導体垂下部に内導体垂下部が延びる方向に幅狭となる傾斜面が設けられているとともに、内導体垂下部の角部が丸みを帯びた鈍角に形成されていることから、内導体垂下部が延びる方向に対する内導体垂下部の断面形状を緩やかにすることができる。これにより、角部が丸みを帯びずに直角に形成され、かつ、傾斜面が形成されていないものに比べて、信号の反射及び挿入損失を小さくすることができる。すなわち、VSWRを小さくすることができる。
前記内導体端子は、前記誘導体に対して前記内導体リード部が露出された方向から圧入して組み付けるようになっており、前記誘導体は、前記外導体端子の前記筒部に対して前記内導体リード部が露出された方向から圧入して組み付けるようになっており、前記内導体リード部は、前記回路基板側とは反対側である上方に臨んでいる構成としてもよい。
このような構成によると、上方から専用治具を配することで、内導体端子を押圧し、内導体端子を外導体端子の筒部に誘電体を介して圧入することができる。これにより、内導体リード部が上方に臨んでいないものに比べて、上方から専用治具を配して内導体端子を押圧することができる。
前記コネクタハウジングには、前記壁部における内導体端子側とは反対側に対向するように配された保護壁が設けられている構成としてもよい。
このような構成によると、壁部が他の部材などと接触するなどして損傷したり、壁部が変形して内導体リード部と壁部とが接触してショートしたりすることを保護壁によって防ぐことができる。
本発明によれば、内導体端子の高周波特性が低下することを抑制すると共に、外導体端子の形状を簡素化することができる。
基板用コネクタの斜視図 同平面図 同背面図 図2のIV−IV線断面図 図3のV−V線断面図 基板用コネクタの分解斜視図 内導体端子の斜視図 同平面図 同側面図 同背面図 外導体端子の斜視図 同平面図 同側面図 内導体端子のVSWRと周波数との関係を示すグラフ 内導体端子の挿入損失と周波数との関係を示すグラフ
<実施形態>
本発明の実施形態について図1乃至図13を参照して説明する。
本実施形態は、同軸ケーブルの端末に設けられた図示しない相手側コネクタと、電気機器などの図示しない回路基板とを接続する基板用コネクタ10である。
基板用コネクタ10は、回路基板に取り付けられるコネクタハウジング60と、コネクタハウジング60の内部に収容された外導体端子40と、外導体端子40の内部に誘電体30を介して収容された内導体端子20とを備えて構成されている。なお、以下の説明において、上下方向とは図3における上下方向を基準とし、前後方向とは図4における左右方向を基準とし、基板用コネクタ10の嵌合面側(図4の右側)を前側とする。
コネクタハウジング60は、合成樹脂製であって、図1及び図4に示すように、全体としては前後方向に長い箱型状をなしている。このコネクタハウジング60は、前方部がフード部61とされ、後方部が端子保持部62とされている。また、コネクタハウジング60の幅方向両側面には、図1に示すように、基板取付片63が固定されている。この基板取付片63は半田付けによって回路基板に固定され、基板用コネクタ10を回路基板に固定するようになっている。
フード部61は、図4に示すように、前方に向かって開口しており、前方から図示しない相手方コネクタハウジングがフード部61の内部に嵌合されるようになっている。
端子保持部62には前後方向に貫通するキャビティ64が設けられている。このため、キャビティ64はフード部61の奥壁61Aと端子保持部62の後端面とに開口した形態をなしている。このキャビティ64内には、図4及び図5に示すように、内導体端子20及び誘電体30が収容された外導体端子40が収容されている。
端子保持部62の後端部における幅方向両側には、図1及び図2に示すように、後方に向かって延びる一対の保護壁65が形成されている。一方、端子保持部62の後端部からは、内導体端子20及び外導体端子40が後方に露出している。また、保護壁65は、図4に示すように、端子収容部62からコネクタハウジング60の底面60Aまでの高さ寸法を有して、内導体端子20及び外導体端子40の後端よりも後方に延びた形態とされている。このため、両保護壁65は、内導体端子20及び外導体端子40を幅方向両側から囲んだ形態とされ、図示しない他の部材が幅方向両側から内導体端子20及び外導体端子40に接触することを防止している。
外導体端子40は、導電性に優れた金属板をプレスによって打ち抜き形成して、所定の曲げ加工等を施すことによって成形され、図4及び図5に示すように、内導体端子20の外周を覆っている。
外導体端子40は、図11乃至図13に示すように、円筒形状をなす本体筒部(本発明の「筒部」の一例)41と、本体筒部41の後端部における幅方向両側に設けられた一対の外導体リード部42とを備えて構成されている。
本体筒部41の内部には、図4及び図5に示すように、誘電体30が後方から収容されている。本体筒部41の幅方向両側には、本体筒部41の内側に向かって突出する一対の第一圧入突起43が設けられており、この第一圧入突起43が本体筒部41の内部に収容された誘電体30の外面に食い込むことで誘電体30が外導体端子40に対して保持固定されている。すなわち、誘電体30は、外導体端子40の本体筒部41に後方から圧入された状態となっている。
本体筒部41の幅方向両側における第一圧入突起43の前方には、外側に向かって突出する第二圧入突起44が形成されている。この第二圧入突起44は、端子保持部62のキャビティ64の内面に食い込んで本体筒部41を端子保持部62に保持固定することで、外導体端子40をコネクタハウジング60に保持固定している。また、本体筒部41は、端子保持部62を前後方向に貫通した状態でコネクタハウジング60に保持されており、本体筒部41は端子保持部62の後端面から後方に突出するとともに、フード部61の奥壁61Aから前方に突出した状態となっている。
外導体リード部42は、図4及び図11に示すように、本体筒部41の後端部からコネクタハウジング60の底面60Aよりもやや上方の位置まで真っ直ぐ下方に延出された外導体垂下部45と、外導体垂下部45の下端から後方に屈曲されてコネクタハウジング60の底面60Aと同一の面に沿うように形成された外導体基板接続部46とを備えて構成されている。
両外導体基板接続部46は、両外導体垂下部45の後縁下端部からそれぞれ反対方向に向くように幅方向に延出し、その延出端部から下方に向かいつつ、丸みを帯びた直角に屈曲されて後方に延びた形態とされている。また、両外導体基板接続部46は、回路基板のグランドパターンに半田付けされるようになっている。
誘電体30は、絶縁性を有する合成樹脂からなり、図4乃至図6に示すように、略円筒形状をなしている。この誘電体30は、図3乃至図5に示すように、本体筒部41の内周面に誘電体30の外周面を密着させて本体筒部41に収容されている。また、誘電体30の内部には、内導体端子20が収容可能とされている。
内導体端子20は、外導体端子40に比べてやや厚みのある導電性に優れた金属板をプレスによって打ち抜き形成され、所定の曲げ加工等を施すことによって成形されている。
内導体端子20は、図7乃至図9に示すように、相手側コネクタに装着された相手側端子と接続される接続部21と、接続部21の後方に位置する角型圧入部22と、角型圧入部22の後方に位置する幅広の拡幅部23と、拡幅部23の後方から下方(回路基板側)に延びる内導体リード部24とを備えて構成されている。
内導体端子20は、誘電体30の後方から挿入されて、図4及び図5に示すように、誘電体30の前端面から接続部21が前方に突出した状態に保持固定されている。
接続部21は、細長い円柱形状に形成されており、外導体端子40の本体筒部41内に配されている。また、接続部21は、基板用コネクタ10が相手側コネクタに嵌合されると、相手側コネクタに装着された相手側端子と導通可能に接続されるようになっている。
角型圧入部22は、図7及び図8に示すように、接続部21よりもやや幅広で、且つ、細長い角柱状に形成されている。角型圧入部22の左右両側面には、圧入突起22Aが突設されており、図5に示すように、圧入突起22Aを誘電体30の内面に食い込ませることで、内導体端子20が誘電体30に対して保持固定されている。すなわち、内導体端子20は、誘電体30に後方から圧入された状態となっている。
拡幅部23は、図7及び図8に示すように、角型圧入部22よりも更に幅広な略矩形の平板状に形成されており、拡幅部23における前端面の幅方向略中央部に角型圧入部22が配され、拡幅部23における後端面の幅方向略中央部に内導体リード部24が配されている。
拡幅部23の前端部における角型圧入部22の幅方向両側には、テーパ部25が形成されている。テーパ部25は、図9に示すように、拡幅部23の板厚方向略中央部を頂点とする側面視略三角形状をなし、前方(接続部側)に向かって板厚寸法が小さくなるように形成されている。また、拡幅部23の前端部及びテーパ部25は、図8に示すように、後方から前方に向かって角型圧入部22に近づくように傾斜している。
拡幅部23における幅方向両側に位置する前端角部23Aは、図8に示すように、丸みを帯びた鈍角に形成されている。すなわち、拡幅部23の前端部分の断面形状は、傾斜状であって、かつ、前端角部23Aが鈍角で丸みを帯びた形状に形成されることで、拡幅部23が延びる方向(前後方向)に緩やかな形状とされている。
拡幅部23における内導体リード部24の幅方向両側に位置する後端面は、図1及び図7に示すように、内導体端子の延びる方向と直交する方向に広がるように形成されており、内導体端子20を誘電体30に圧入する際に、専用治具によって内導体端子20を押圧する押圧面23Bとされている。
内導体リード部24は、図4に示すように、外導体端子40の本体筒部41の後端から後方に露出された状態となっている。また、内導体リード部24は、図2及び図3に示すように、両外導体リード部42の幅方向略中央部に配され、三本のリード部24,42が平行で、かつ、幅方向に横並びとなった形態とされている。
内導体リード部24は、図7に示すように、拡幅部23の後端面における幅方向略中央部から下方向(回路基板側)に屈曲する屈曲部26と、屈曲部26からコネクタハウジング60の底面60Aよりもやや上方まで真っ直ぐに延びる内導体垂下部27と、内導体垂下部27の下端から後方に向かって屈曲された内導体基板接続部28とを備えて構成されている。
内導体垂下部27は、図7及び図9に示すように、略矩形の平板状をなし、拡幅部23とほぼ同じ板厚寸法で、かつ、ほぼ同じ幅寸法に形成されている。
内導体垂下部27の上端部における幅方向略中央部には、屈曲部26が配されており、内導体垂下部27の下端部における幅方向略中央部には、内導体基板接続部28が配されている。
内導体垂下部27における屈曲部26の幅方向両側に位置する前端部は、図10に示すように、下方から上方に向かって屈曲部26に近づくように傾斜した傾斜面29とされており、内導体垂下部27における内導体基板接続部28の幅方向両側に位置する後端部は、上方から下方に向かって内導体基板接続部28に近づくように傾斜した傾斜面29とされている。また、内導体垂下部27の幅方向両側に位置する上端角部27A及び下端角部27Bは、丸みを帯びた鈍角に形成されている。すなわち、内導体垂下部27は、鈍角で、かつ、丸みを帯びた四つの角部27A,27Bと、四つの傾斜面29とによって、内導体垂下部27が延びる方向(上下方向)に対して断面形状が緩やかに形成されている。
さて、外導体端子40の両外導体垂下部45には、図1及び図2に示すように、内導体端子20の内導体垂下部27の幅方向両側縁に対向して配される壁部47が設けられている。
壁部47は、略矩形の平板状をなし、外導体垂下部45と一体に形成されている。また、壁部47は、外導体垂下部45の後縁部における外導体基板接続部46の上部から内導体垂下部27の側縁と対向する位置よりも後方まで延設されている。壁部47の上下方向の高さは、内導体端子20の屈曲部26よりも上方の位置から内導体垂下部27の上下方向略中央部の位置までの領域を幅方向両側から覆う大きさに設定されている。
すなわち、図2及び図4に示すように、内導体リード部24の側縁における上半分が壁部47によって幅方向両側から囲まれた形態となっており、内導体リード部24全体が上方及び後方に臨んだ状態となっている。
また、壁部47の幅方向両側には、保護壁65が配された形態となっている。これにより、壁部47に他の部材などが接触して損傷したり、壁部47が変形して内導体リード部24と壁部47とが接触してショートしたりすることを保護壁65によって防ぐことができるようなっている。
本実施形態の基板用コネクタ10は上記のような構造であって、続いてその作用効果を説明する。
内導体端子20を通過する高周波信号は、内導体端子20内において信号の一部が反射され、内導体端子20内での反射が大きいほど、信号ロスが大きい。内導体端子20を高周波信号が通過するときに反射される信号の度合いは、電圧定在波比(VSWR)として表され、VSWRが大きいほど、内導体端子20内での反射が大きく、信号ロスが大きいとされている。また、VSWRは、以下に示す式により表される。
VSWR=(1+|Γ|)/(1−|Γ|)
Γ=(Z−Z)/(Z+Z
この式において、Γは電圧反射係数、Zは内導体端子20のインピーダンス、Zは同軸ケーブルの特性インピーダンスである。
上記の式では、内導体端子20のインピーダンスが同軸ケーブルの特性インピーダンスと完全に一致する(信号の反射が0となる)ことが理想とされ、Z=Zのとき、VSWRは1となる。実際にはインピーダンスZを特性インピーダンスZに完全に一致させることはできないため(信号の反射を0にすることはできない)、VSWRは1を超える値となる。すなわち、高周波特性を向上させるには、内導体端子のVSWRを1に近付けることが重要となる。
ここで、本実施形態のように、外導体端子40における本体筒部41の後方から内導体リード部24が露出した状態においては、内導体リード部24のインピーダンスZが大きくなり、その結果、VSWRも大きくなってしまう。
ところが、本実施形態では、壁部47を内導体リード部24の側縁に対向して配し、内導体リード部24の側縁を壁部47によって幅方向両側から囲むことで、内導体リード部24のインピーダンスZを同軸ケーブルの特性インピーダンスZに近付けることができる。これにより、内導体端子20のVSWRが大きくなることを抑制することができる。
また、本実施形態によると、外導体端子40に蓋部を設ける必要がないため、外導体端子40の構造を簡素化できると共に、蓋部を曲げ加工して内導体端子20の後方を蓋部によって塞ぐ作業も必要ないため、外導体端子40の組み付け作業性を向上させることができる。
ところで、本実施形態によると、内導体リード部24の幅方向両側に壁部47を配しているので、外導体リード部42が幅方向に大きくなる傾向にある。しかしながら、壁部47を内導体リード部24の側縁に対向して配しているので、内導体リード部24と壁部47との間に誘電体などを配したものに比べて、外導体リード部42が大型化することを抑制することができる。
また、本実施形態によると、壁部47が内導体垂下部27よりも後方まで延びて形成されているので、壁部47が内導体垂下部27の側縁をより後方まで囲った状態となり、壁部47が内導体垂下部27の側面にのみ配されているものに比べて、内導体リード部24のインピーダンスが大きくなることを抑制し、VSWRをより小さくすることができる。
さらに、本実施形態によると、壁部47を内導体垂下部27の幅方向両側に配しているので、壁部47が内導体垂下部27の一側面に配されるものに比べて、内導体リード部24をより多く囲むことができる。
また、本実施形態によると、内導体垂下部27を幅広にしているので、内導体垂下部27が幅広に形成されていないものに比べて、内導体垂下部27における幅方向の断面積を大きくすることができ、内導体リード部24におけるインピーダンスが大きくなることを抑制することができる。
さらに、内導体端子20の内導体リード部24が外導体端子40から露出される直前の位置に、拡幅部23を形成しているので、内導体リード部24が本体筒部41から露出されることで、内導体リード部24のインピーダンスが大きくなる前に、拡幅部23よって予めインピーダンスを小さくしておくことで、拡幅部23が設けられていないものに比べて、内導体リード部24におけるインピーダンスが大きくなることを抑制することができる。
すなわち、本実施形態によると、内導体垂下部27を幅広にすると共に、拡幅部23を設けたことで、内導体端子20のインピーダンスを同軸ケーブルの特性インピーダンスに近付けることができ、VSWRが大きくなることを更に抑制することができる。
ところで、一般に、信号の反射及び挿入損失は、インピーダンスの急激な変化により大きくなる。挿入損失は、VSWRと並んで、高周波特性を示す指標の一つとされており、伝送線路(本実施形態では内導体端子20)を高周波信号が通過する際に、直列抵抗、誘電吸収、インピーダンスの不一致による反射などによって生じる信号の損失を表したものである。また、挿入損失は、デシベル(dB)で表され、伝送線路に高周波信号を通過させる上で、挿入損失が小さいことが望ましいとされている。その点、本実施形態によると、内導体垂下部27に傾斜面29を設けるとともに、内導体垂下部27の角部27A,27Bを丸みを帯びた鈍角に形成することで、内導体垂下部27が延びる方向(上下方向)に対する内導体垂下部27の断面形状を緩やかにしている。
更に、拡幅部23の前端部も後方から前方に向かって角型圧入部22に近づくように傾斜して形成するとともに、拡幅部23における前端角部23Aも丸みを帯びた鈍角に形成することで、拡幅部23が延びる方向(前後方向)に対する拡幅部23の断面形状を緩やかにしている。これにより、角部が丸みを帯びずに直角に形成され、かつ、傾斜面29が形成されていないものに比べて、内導体端子20内を通過する信号の反射や挿入損失が大きくなることを抑制することができる。すなわち、VSWR及び挿入損失が大きくなることを抑制することができる。
また、内導体端子20を外導体端子40の本体筒部41に誘電体30を介して圧入する場合、本実施形態によると、内導体リード部24が上方に臨んだ状態となっているので、上方から専用治具によって内導体端子20の押圧面23Bを押圧することができる。すなわち、内導体リード部24が上方に臨んでいないものに比べて、内導体端子20を外導体端子40に対して圧入し易くなっている。
<実施例>
本発明の実施例について図14及び図15を参照して説明する。
本実施例は、内導体端子20のVSWRと周波数との関係を図14に示し、内導体端子20の挿入損失と周波数との関係を図15に示している。
まず、図14に示したグラフについて説明する。
図14に示したグラフにおいて、X軸は内導体端子20内を通過する信号の周波数(GHz)を表したものであり、Y軸は各周波数における内導体端子20のVSWRを表したものである。
図14のグラフには、本実施形態の内導体端子20と、内導体端子20とは形状の異なる比較用内導体端子とのVSWRの測定結果が示されている。ここで、比較用内導体端子とは、本実施形態の外導体端子40の外導体垂下部45に壁部47と傾斜面29とが形成されておらず、かつ、拡幅部23の前端部が傾斜状に形成されていないものである。また、比較用内導体端子の内導体垂下部及び拡幅部の角部は、丸みを帯びていない直角に形成されている。
グラフ内の実線αは本実施形態における内導体端子20のVSWRを示し、破線βは比較用内導体端子のVSWRを示している。
ここで、両者の内導体端子のVSWRを比較すると、0.6GHz以降の周波数帯では本実施形態の内導体端子20のVSWR(実線α)が、比較用内導体端子のVSWR(破線β)に比べて小さくなっている。このように、本実施形態によると、壁部47を設けたことで、内導体リード部24のインピーダンスを小さくし、内導体端子20のVSWRを小さくすることができる。
次に、図15に示したグラフについて説明する。
図15に示したグラフにおいて、X軸は内導体端子20内を通過する信号の周波数(GHz)を表したものであり、Y軸は各周波数における内導体端子20の挿入損失(dB)の大きさを表したものである。
図15のグラフには、図14と同様に、本実施形態の内導体端子20と、内導体端子20とは形状の異なる比較用内導体端子とのVSWRの測定結果が示されている。グラフ内の実線αは本実施形態における内導体端子20の挿入損失を示し、破線βは比較用内導体端子の挿入損失を示している。
ここで、両者の内導体端子の挿入損失を比較すると、1.9GHz帯において、壁部47を設けた場合の挿入損失(実線α)が、壁部47がない場合の挿入損失(破線β)に比べて大幅に小さくなっている。このように、本実施形態では、内導体垂下部27及び拡幅部23の断面変化を緩やかにすることで、角部が丸みを帯びずに直角に形成され、かつ、傾斜面29が形成されていないものに比べて、1.9GHz帯における急激な挿入損失を抑制することができる。
以上のことから、本実施形態の内導体端子20によると、壁部47及び傾斜面29を設けるとともに、内導体垂下部27及び拡幅部23の角部を丸みを帯びた鈍角に形成したことで、0.6GHz以降の周波数帯で内導体端子20のVSWRを小さくすることができると共に、1.9GHz帯における急激な挿入損失を抑制することができる。
すなわち、本実施形態によると、内導体端子20の高周波特性が低下することを抑制すると共に、外導体端子40の形状を簡素化することができる。また、外導体端子40に蓋部を設ける必要がないため、内導体端子20の後方部分を蓋部によって蓋するといった作業が発生しないことから、外導体端子40の組み付け作業性を向上させることができる。
<他の実施形態>
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
(1)上記実施形態では、内導体リード部24の側縁における上半分を幅方向両側から壁部47によって囲む構成としたが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、例えば、屈曲部26から内導体垂下部27の下端部までの側縁を幅方向両側から壁部47によって囲む構成としてもよい。
(2)上記実施形態では、内導体垂下部27を接続部21よりも幅広に構成したが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、例えば、内導体垂下部27の板厚を厚くするなどして、内導体垂下部27の幅寸法を接続部21とほぼ同じ幅寸法に構成してもよい。
10:基板用コネクタ
20:内導体端子
21:接続部
23:拡幅部
24:内導体リード部
27:内導体垂下部
29:傾斜面
30:誘電体
40:外導体端子
41:本体筒部(筒部)
42:外導体リード部
45:外導体垂下部
47:壁部
60:コネクタハウジング
65:保護壁

Claims (7)

  1. 相手側端子に接続される内導体端子と、前記内導体端子の外周を覆う筒部を有する外導体端子と、前記内導体端子と前記外導体端子との間に配される絶縁材製の誘電体と、前記外導体端子を内部に収容して回路基板に固定されるコネクタハウジングとを備えた基板用コネクタであって、
    前記内導体端子には、前記外導体端子の前記筒部から後方に臨んで露出され、前記回路基板側に延びて前記回路基板に接続される内導体リード部が設けられており、
    前記外導体端子には、前記筒部から前記回路基板側に延びて前記回路基板に接続される外導体リード部が設けられており、
    前記外導体リード部には、前記内導体リード部における前記筒部から前記回路基板までの側縁に対向して配される壁部が形成されていることを特徴とする基板用コネクタ。
  2. 前記外導体リード部には、前記筒部から前記回路基板側に延びる外導体垂下部が形成されており、
    前記内導体リード部には、前記筒部側から前記回路基板側に延びる内導体垂下部が形成されており、
    前記壁部は、前記外導体垂下部に設けられ、前記内導体垂下部よりも前後に延びて形成されていることを特徴とする請求項1記載の基板用コネクタ。
  3. 前記壁部は、前記内導体垂下部の幅方向両側に配されていることを特徴とする請求項2記載の基板用コネクタ。
  4. 前記内導体端子は、
    相手側端子に接続される接続部と、
    前記接続部と前記内導体リード部との間に位置して、前記接続部よりも幅広な拡幅部とを備えて構成されており、
    前記内導体垂下部は、前記接続部よりも拡幅して形成されていることを特徴とする請求項2乃至請求項3の何れか一項に記載の基板用コネクタ。
  5. 前記内導体垂下部の角部は、丸みを帯びた鈍角に形成されており、
    前記内導体垂下部の前端部及び後端部には、前記内導体垂下部が延びる方向に前記内導体垂下部が幅狭となる傾斜面が形成されていることを特徴とする請求項2乃至請求項4の何れか一項に記載の基板用コネクタ。
  6. 前記内導体端子は、前記誘導体に対して前記内導体リード部が露出された方向から圧入して組み付けるようになっており、
    前記誘導体は、前記外導体端子の前記筒部に対して前記内導体リード部が露出された方向から圧入して組み付けるようになっており、
    前記内導体リード部は、前記回路基板側とは反対側である上方に臨んでいることを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れか一項に記載の基板用コネクタ。
  7. 前記コネクタハウジングには、前記壁部における内導体端子側とは反対側の位置に対向するように配された保護壁が設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項6の何れか一項に記載の基板用コネクタ。
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