JP2013004163A - テーパエッチング方法および近接場光発生器の製造方法 - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 193
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 49
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 49
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 49
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 41
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 329
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 13
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 6
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropanal Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C=O IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- APURLPHDHPNUFL-UHFFFAOYSA-M fluoroaluminum Chemical compound [Al]F APURLPHDHPNUFL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
- G11B5/314—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure where the layers are extra layers normally not provided in the transducing structure, e.g. optical layers
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
- G11B2005/0021—Thermally assisted recording using an auxiliary energy source for heating the recording layer locally to assist the magnetization reversal
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
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Abstract
【解決手段】SiO2またはSiONよりなり上面を有する被エッチング層をテーパエッチングする方法である。この方法は、被エッチング層の上面の上に、開口部52aを有するエッチングマスク52を形成する工程と、被エッチング層に、所定の角度で交わる2つの壁面を有する溝部が形成されるように、反応性イオンエッチングによって、被エッチング層のうち開口部52aから露出する部分をテーパエッチングする工程とを備えている。エッチングマスク52は、Al元素を含む材料によって構成されている。テーパエッチングする工程は、被エッチング層のエッチングに寄与する主成分ガスとN2とを含むエッチングガスを用いる。
【選択図】図10
Description
Claims (12)
- SiO2またはSiONよりなり上面を有する被エッチング層をテーパエッチングする方法であって、
前記被エッチング層の前記上面の上に、開口部を有するエッチングマスクを形成する工程と、
前記被エッチング層に、所定の角度で交わる2つの壁面を有する溝部が形成されるように、反応性イオンエッチングによって、前記被エッチング層のうち前記開口部から露出する部分をテーパエッチングする工程とを備え、
前記エッチングマスクは、Al元素を含む材料によって構成され、
前記テーパエッチングする工程は、前記被エッチング層のエッチングに寄与する主成分ガスとN2とを含むエッチングガスを用いることを特徴とするテーパエッチング方法。 - 前記エッチングマスクを構成する材料は、Alを含む合金、Al2O3、AlN、AlFのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1記載のテーパエッチング方法。
- 前記主成分ガスは、Cl2およびBCl3を含むことを特徴とする請求項1記載のテーパエッチング方法。
- 前記エッチングガスにおいて、全流量に対するN2の流量の割合は10〜20%であることを特徴とする請求項1記載のテーパエッチング方法。
- 前記2つの壁面の各々が前記被エッチング層の前記上面に対してなす角度は、30°〜65°の範囲内であることを特徴とする請求項1記載のテーパエッチング方法。
- 前記開口部の最小幅は、0.15〜0.5μmの範囲内であることを特徴とする請求項1記載のテーパエッチング方法。
- 導波路と、プラズモンジェネレータとを備え、
前記導波路は、光を伝播させるコアと、前記コアの周囲に配置されたクラッドとを有し、
前記コアは、上面を有し、
前記クラッドは、前記コアの上面の上方に配置された溝部を有するクラッド層を含み、
前記溝部は、所定の角度で交わる2つの壁面を有し、
前記プラズモンジェネレータは、前記2つの壁面に対向する2つの斜面と、前記2つの斜面が交わることによって形成されたエッジ部と、前記エッジ部の一端に位置し、近接場光を発生する近接場光発生部とを有し、
前記コアを伝播する前記光が前記コアの上面において全反射することによって、前記コアの上面からエバネッセント光が発生し、
前記エッジ部において、前記エバネッセント光と結合することによって表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンが前記エッジ部に沿って前記近接場光発生部に伝播され、この表面プラズモンに基づいて前記近接場光発生部より前記近接場光が発生される近接場光発生器を製造する方法であって、
前記コアを形成する工程と、
前記クラッドを形成する工程と、
前記プラズモンジェネレータを形成する工程とを備え、
前記クラッドを形成する工程は、
SiO2またはSiONよりなり上面を有する被エッチング層を形成する工程と、
前記被エッチング層の前記上面の上に、開口部を有するエッチングマスクを形成する工程と、
前記被エッチング層に前記溝部が形成されて前記被エッチング層が前記クラッド層になるように、反応性イオンエッチングによって、前記被エッチング層のうち前記開口部から露出する部分をテーパエッチングする工程とを含み、
前記エッチングマスクは、Al元素を含む材料によって構成され、
前記テーパエッチングする工程は、前記被エッチング層のエッチングに寄与する主成分ガスとN2とを含むエッチングガスを用いることを特徴とする近接場光発生器の製造方法。 - 前記エッチングマスクを構成する材料は、Alを含む合金、Al2O3、AlN、AlFのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項7記載の近接場光発生器の製造方法。
- 前記主成分ガスは、Cl2およびBCl3を含むことを特徴とする請求項7記載の近接場光発生器の製造方法。
- 前記エッチングガスにおいて、全流量に対するN2の流量の割合は10〜20%であることを特徴とする請求項7記載の近接場光発生器の製造方法。
- 前記2つの壁面の各々が前記被エッチング層の前記上面に対してなす角度は、30°〜65°の範囲内であることを特徴とする請求項7記載の近接場光発生器の製造方法。
- 前記開口部の最小幅は、0.15〜0.5μmの範囲内であることを特徴とする請求項7記載の近接場光発生器の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/157,938 | 2011-06-10 | ||
US13/157,938 US8461050B2 (en) | 2011-06-10 | 2011-06-10 | Taper-etching method and method of manufacturing near-field light generator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013004163A true JP2013004163A (ja) | 2013-01-07 |
JP5586642B2 JP5586642B2 (ja) | 2014-09-10 |
Family
ID=47293522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012045139A Expired - Fee Related JP5586642B2 (ja) | 2011-06-10 | 2012-03-01 | テーパエッチング方法および近接場光発生器の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8461050B2 (ja) |
JP (1) | JP5586642B2 (ja) |
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-
2011
- 2011-06-10 US US13/157,938 patent/US8461050B2/en active Active
-
2012
- 2012-03-01 JP JP2012045139A patent/JP5586642B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP2016510933A (ja) * | 2013-03-11 | 2016-04-11 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | エッチングストップ構造 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8461050B2 (en) | 2013-06-11 |
JP5586642B2 (ja) | 2014-09-10 |
US20120315716A1 (en) | 2012-12-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131022 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131112 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140106 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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