JP2016510933A - エッチングストップ構造 - Google Patents

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Abstract

本明細書に開示された変換器ヘッドを製造する方法は、変換器ヘッドのＮＦＴ層の上面にスペーサ層を堆積する工程と、変換器のスペーサ層の上面にエッチングストップ層を形成する工程と、エッチングストップ層の上面に被覆層を堆積する工程と、平削り加工がエッチングストップ層で停止するように、傾斜角をもって被覆層を平削りする工程とを含む。

Description

関連出願の相互参照
本願は、米国特許法第119条の下で、２０１３年３月１１日に出願され、「エッチングストップ構造」と題された米国仮特許出願第１３／７９４１３３号に基づく優先権を主張し、その開示または教示の全体が引用により本明細書中に明確に援用される。
技術分野
本発明は、記憶媒体装置の分野に関する。
背景
熱的に補助された磁気記録または熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ）は、一般的に、媒体の保磁力を低減するように、記録媒体を局所的に加熱するという概念を意味する。このように、保磁力が低減されると、熱源により引起された一時的な磁気軟化期間中に、印加された書込み磁場が記録媒体内の磁化をより簡単に導くことができる。ＨＡＭＲは、室温下でより大きな磁気異方性を有する小粒子媒体の使用を可能にし、十分な熱安定性を確保する。このことは、高面密度の記録にとって好ましい。ＨＡＭＲは、傾斜媒体、長手媒体、垂直媒体およびパターン化媒体を含む任意種類の磁気記憶媒体に適用することができる。媒体を加熱することによって、Ｋｕまたは保磁力が低減され、よって、書込み磁界が媒体への書込みに十分であるようになる。媒体を周囲温度に冷却すると、保磁力は、記録された情報の熱安定性を保証するのに十分高い値になる。
ＨＡＭＲにおいて、情報ビットが高温でデータ記憶媒体上に記録され、データビットの大きさが記憶媒体内に加熱された領域の大きさまたは磁場を受けた記憶媒体の面積の大きさによって決められる。１つの方法において、光ビームを小さな光スポットに集光して記憶媒体の上面に照射することによって媒体の一部を加熱し、加熱された部分の保磁力を低減する。ＨＡＭＲに使用される記録ヘッドの一例は、一般的に、磁気ヨークまたは台座を介して相互に接続された書込み磁極およびリターン磁極と、光を記憶媒体に集光するための導波路とを含む。導波路は、書込み磁極と補助磁極との間に配置される。光は、ヨーク上方の導波路に合せられ、ヨーク両側の導波路を介して伝達される。
概要
この概要は、以下の詳細な説明にさらに説明される思想の一部を簡略化した形で紹介するために提供される。この概要は、請求される主題の重要な特徴または本質的な特徴を特定する意図をしておらず、請求される主題の範囲を制限するのに使用する意図もしていない。請求される主題の他の特徴、詳細、用途および利点は、添付の図面にさらに示されかつ添付の特許請求の範囲に定義されたさまざまな実施例および実現例をより詳細に記載した詳細な説明から明らかになるであろう。
本明細書に開示された変換器ヘッドを製造する方法は、変換器ヘッドのＮＦＴ層の上面にスペーサ層を堆積する工程と、変換器のスペーサ層の上面にエッチングストップ層を形成する工程と、エッチングストップ層の上面に被覆層を堆積する工程と、平削り加工がエッチングストップ層で停止するように、傾斜角をもって被覆層を平削りする工程とを含む。
記載された技術は、添付の図面に関連して理解されるさまざまな実現例を記載する以下の詳細な説明から最もよく理解される。これらの図面は、例示の目的に提供され、これらの図面の寸法の１つ以上が必ずしも縮尺通りに描かれていない。
本明細書に開示された実現例に従った変換器ヘッドを含む記録装置を示す例示概略図である。 本明細書に開示された実現例に従った変換器ヘッドの一部の断面を示す別の概略図である。 本明細書に開示された実現例に従った切欠記録ヘッドを形成するためのプロセスの一段階を示す図である。 本明細書に開示された実現例に従った切欠記録ヘッドを形成するためのプロセスの別の段階を示す図である。 本明細書に開示された実現例に従った切欠記録ヘッドを形成するためのプロセスの別の段階を示す図である。 本明細書に開示された実現例に従った切欠記録ヘッドを形成するためのプロセスの別の段階を示す図である。 本明細書に開示された実現例に従った切欠記録ヘッドを形成するためのプロセスの別の段階を示す図である。 本明細書に開示された実現例に従った切欠記録ヘッドを形成するためのプロセスの別の段階を示す図である。 本明細書に開示された実現例に従った切欠記録ヘッドを形成するためのプロセスの別の段階を示す図である。 本明細書に開示された実現例に従った変換器ヘッドの浮上面を示す別の概略図である。 本明細書に開示された変換器ヘッドの製造プロセスを示すフローチャートである。
詳細な説明
図１は、本明細書に開示された実現例に従ったＮＦＴを用いる変換器ヘッドを含む例示記録装置１００を示す斜視図である。記録装置１００は、動作中にディスクの中心軸または回転軸１０４を中心に回転するディスク１０２を含む。ディスク１０２は、内径１０６と外径１０８とを含む。内径１０６と外径１０８との間に、円形の破線によって示された複数の同心データトラック１１０が位置している。データトラック１１０は、実質的に円形であり、規則的に離間されたパターン化ビット１１２から構成される。これらのパターン化ビット１１２は、分解図１４０に示すように、ディスク１０２上で点または楕円として示される。しかしながら、理解すべきことは、記載された技術は、パターン化された磁気媒体および離散トラック（ＤＴ）媒体を含む他の種類の記憶媒体と共に使用されてもよいことである。
情報は、ディスク１０２上の異なるデータトラック１１０のビット１１２に書込まれ、そこから読取られることができる。変換器ヘッド１２４は、アクチュエータ回転軸１２２に対してアクチュエータ組立体１２０の遠位端に取付けられている。ディスク動作中に、変換器ヘッド１２４は、ディスク１０２表面の上方に近接して浮上する。シーク動作中に、アクチュエータ組立体１２０は、ディスク１０２に隣接して配置されたアクチュエータ回転軸１２２を中心に回転する。シーク動作により、変換器ヘッド１２４は、データトラック１１０の目標データトラックの上方に位置付けられる。
分解図１４０は、データトラック１４２およびデータトラックの上方に位置する変換器ヘッド１５０（縮尺通りに描かれていない）を示す。例示の変換器ヘッド１５０は、書込み磁極１５２と、書込み磁極１５２の近くに配置された近接場変換器（ＮＦＴ）１５４を含む。図示の実現例において、ＮＦＴ １５４に面する書込み磁極１５２の表面は、切欠１５６を有する。図示の実現例において、切欠１５６は、湾曲形状を有する。しかしながら、代替的な実現例において、切欠１５６は、矩形、正方形、三角形などのような他の形状を有してもよい。代替的には、書込み磁極１５２は、切欠なしの平坦な表面を有してもよい。図示の実現例において、ＮＦＴ １５４は、ＮＦＴ １５４に面する書込み磁極１５２の表面を横切るように、切欠１５６内に配置される。
また、変換器ヘッド１５０は、書込み磁極１５２に対して、ＮＦＴ １５４の反対側に配置されたコア１５８を含む。変換器ヘッド１５０は、図示の変換器ヘッド１５０の実現例に示されていない上面被覆、下部シールド、読取器センサ、上面シールド、ヒートシンクなどの他の要素を含んでもよい。本明細書において、切欠１５６の最も内側の位置とＮＦＴ １５４との距離をＮＦＴ−磁極間隔（ＮＰＳ）と称し、ＮＦＴに面する書込み磁極１５２の表面とコア１５８との間の距離をコア−磁極間隔（ＣＰＳ）と称する。本願に説明されたさまざまなプロセスは、変換器ヘッド１５０の製造時に、スペーサ層を用いてＮＰＳおよび／またはＣＰＳを制御することを可能にする。
図２は、本明細書に開示された実現例に従ったトランスデューサヘッド２００の一部の断面を示す別の概略図である。具体的には、図２は、記録媒体に面する浮上面２０２を有する変換器ヘッド２００を示している。変換器ヘッド２００は、ＮＰＳ距離２０８をもって離間された書込み磁極２０４とＮＦＴ ２０６とを含む。変換器ヘッド２００の一実現例において、ＮＦＴ ２０６は、ＮＦＴヒートシンクを含む。さらに、変換器ヘッド２００は、コア２１０、被覆２１２および選択要素としてのヒートシンク２１４を含むことができる。一般的には、ＡＢＳにおいて、ＮＰＳ距離２０８を制御することが困難である。本願に説明されたさまざまなプロセスは、変換器ヘッド１５０の製造時に、スペーサ層を用いてＮＰＳ距離２０８を制御することを可能にする。
図３は、本明細書に開示された実現例に従った切欠記録ヘッドを形成するためのプロセスの一段階を示す図である。具体的には、図３は、コア３０２を備える部分変換器ヘッド３００を示している。コア３０２の上面には、誘電体材料から作られる薄層３０４が配置されている。また、部分変換器ヘッド３００は、ＮＦＴペグ３０６とＮＦＴディスク３０８とＮＦＴヒートシンク３１０とを備えるＮＦＴを含む。部分変換器ヘッド３００の実現例において、示されたＮＦＴヒートシンク３１０は、長方形の形状を有するが、他の実現例において、ＮＦＴヒートシンク３１０は、台形などの他の形状を有してもよい。一実現例において、部分変換器ヘッド３００は、ＮＦＴペグ３０６の一部を浮上面（ＡＢＳ）３１２に露出するように、ＡＢＳ ３１２に沿ってラッピングされる。
図４は、本明細書に開示された実現例に従った切欠記録ヘッドを形成するためのプロセスの別の段階を示す図である。具体的には、図４は、コア４０２を備える部分変換器ヘッド４００を示している。コア４０２の上面には、誘電体材料から作られる薄層４０４が配置されている。また、部分変換器ヘッド４００は、ＮＦＴペグ４０６とＮＦＴディスク４０８とＮＦＴヒートシンク４１０とを備えるＮＦＴを含む。部分変換器ヘッド４００は、ＮＦＴペグ４０６の一部が浮上面（ＡＢＳ）４１２に露出するように、ＡＢＳ ４１２に沿ってラッピングされる。また、部分変換器４００は、ＮＦＴおよびヒートシンク４１０の上面に堆積されたスペーサ層４２０を含む。一実現例において、スペーサ層４２０は、アルミニウムの酸化物から作られることができる。しかしながら、他の材料、たとえば酸化シリコンまたは他の適切な材料を用いて、スペーサ層４２０を作ることもできる。変換器の一実現例において、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスを用いてスペーサ層４２０を堆積する。しかしながら、代替的な方法において、他の堆積プロセスを用いてスペーサ層４２０を堆積してもよい。具体的には、変換器の製造中に、スペーサ層４２０を導入することによって、スペーサ層４２０は、ＡＢＳ ４１２の磁極−コア間隔または磁極−ＮＦＴ間隔を制御する。スペーサ層４２０の厚さは、ＡＬＤプロセスによって正確に制御および／または変更することができる。
図５は、本明細書に開示された実現例に従った切欠記録ヘッドを形成するためのプロセスの別の段階を示す図である。具体的には、図５は、コア５０２を備える部分変換器ヘッド５００を示している。コア５０２の上面には、誘電体材料から作られる薄層５０４が配置されている。また、部分変換器ヘッド５００は、ＮＦＴペグ５０６とＮＦＴディスク５０８とＮＦＴヒートシンク５１０とを備えるＮＦＴを含む。また、部分変換器５００は、ＮＦＴおよびヒートシンク５１０の上面に堆積されたスペーサ層５２０を含む。さらに、スペーサ層５２０の少なくとも一部の上面には、フォトレジスト（ＰＲ）から作られるエッチングストップ層５２２が形成されている。
代替的には、エッチングストップ層５２２は、無定形炭素（ａ−Ｃ）材料から作られるパターン化された薄いエッチングストップ構造に形成されてもよい。具体的には、このａ−Ｃパターンは、蒸着、リソグラフィおよびエッチングを含む工程フローによって形成されてもよい。代替的には、このａ−Ｃパターンは、リソグラフィ、蒸着およびリフトオフを含む工程フローによって形成されてもよい。ａ−Ｃから作られたエッチングストップ層５２２は、酸素灰を用いて完全に除去されることができる。さらに代替的には、エッチングストップ層５２２は、金属から作られることができる。このような金属エッチングストップ層５２２は、後続の傾斜壁平削りプロセスに、高選択性を提供する。一例として、このような金属エッチングストップ層は、クロム（Ｃｒ）エッチングストップ層であってもよい。このＣｒエッチングストップ層は、後でＣｒウェットエッチングによって除去することができる。代替的な実現例において、他の金属を用いてエッチングストップ層５２２を形成することができる。
図６は、本明細書に開示された実現例に従った切欠記録ヘッドを形成するためのプロセスの別の段階を示す図である。具体的には、図６は、コア６０２を備える部分変換器ヘッド６００を示している。コア６０２の上面には、誘電体材料から作られる薄層６０４が配置されている。また、部分変換器ヘッド６００は、ＮＦＴペグ６０６とＮＦＴディスク６０８とＮＦＴヒートシンク６１０とを備えるＮＦＴを含む。また、部分変換器６００は、ＮＦＴおよびヒートシンク６１０の上面に堆積されたスペーサ層６２０を含む。さらに、スペーサ層６２０の少なくとも一部の上面には、フォトレジスト（ＰＲ）エッチングストップ層６２２が形成されている。さらに、変換器ヘッド６００は、上面被覆層６２４を含む。一実現例において、上面被覆層は、スペーサ層６２０と同様の材料から製造される。
上面被覆層６２４を堆積した後、ＰＲエッチングストップ層６２２を提供し、具体的には、反応性イオンビームエッチングプロセスを用いて、線６３０および６３２により示された方向に沿って被覆層６２４およびＮＦＴヒートシンク６１０をエッチングする。具体的には、ＰＲエッチングストップ層６２２を設けることによって、エッチングを完了することができ、ＡＢＳのＮＦＴ−磁極間隔（ＮＰＳ）を制御することができる。具体的には、図６に示すように、ＰＲエッチングストップ層６２２を設けることによって、傾斜壁の精確なエッチング位置が変動しても、ＡＢＳのＮＰＳを制御することができる。換言すれば、エッチングが６３２から６３０までに変動しても、ＡＢＳのＮＰＳを制御するとともに、ＮＰＳの品質を保証することができる。一実現例において、エッチングは、傾斜壁平削りプロセスを用いて行われる。
図７は、本明細書に開示された実現例に従った切欠記録ヘッドを形成するためのプロセスの別の段階を示す図である。具体的には、図７は、コア７０２を備える部分変換器ヘッド７００を示している。コア７０２の上面には、誘電体材料から作られる薄層７０４が配置されている。また、部分変換器ヘッド７００は、ＮＦＴペグ７０６とＮＦＴディスク７０８とＮＦＴヒートシンク７１０とを備えるＮＦＴを含む。図示の部分変換器７００は、被覆層７２４の一部およびＮＦＴヒートシンク７１０を除去するエッチングプロセスを行った後、変換器ヘッド７００の上面に部分的に残された被覆層７２４を含む。また、部分変換器ヘッド７００は、ＰＲエッチングストップ層７２２を含む。一実現例において、ＮＦＴヒートシンク７２２に面するＰＲエッチングストップ層７２２の表面７２６は、ＰＲエッチングストップ層７２２に面するＮＦＴヒートシンク７２２の表面７２８に平行にしてもよい。その結果、被覆層７２４をエッチングする際に、ＡＢＳ ７４０において、ＮＦＴペグ７０６と書込み磁極（図示せず）との間に生じた間隔は、被覆層７２４およびヒートシンク７１０のエッチング位置またはＮＦＴの長さに沿ったＡＢＳ ７４０の位置に関わらず、実質的に一定である。
図８は、本明細書に開示された実現例に従った切欠記録ヘッドを形成するためのプロセスの別の段階を示す図である。具体的には、図８は、コア８０２を備える部分変換器ヘッド８００を示している。コア８０２の上面には、誘電体材料から作られる薄層８０４が配置されている。また、部分変換器ヘッド８００は、ＮＦＴペグ８０６とＮＦＴディスク８０８とＮＦＴヒートシンク８１０とを備えるＮＦＴを含む。図８に示すように、部分変換器ヘッド８００のＰＲ層がストリップおよび酸素エッチングプロセスによって除去されたため、部分変換器ヘッド８００は、ＰＲ層を含まない。エッチングストップ層がフォトレジスト材料から形成される一実施例において、エッチングストップ除去プロセスは、酸素灰およびストリップにより実施されてもよい。代替的には、エッチングストップ層が無定形炭素から形成される場合、エッチングストップ除去プロセスは、酸素灰を用いてエッチングストップ層を除去してもよい。さらに代替的には、エッチングストップ層がクロムから形成される場合、エッチングストップ除去プロセスは、クロムウェットエッチングプロセスを用いて実施されてもよい。
エッチングストップ除去プロセスを実施した後、部分変換器８００は、ＮＦＴペグ８０６およびヒートシンク８１０の上面に堆積されたスペーサ層８２０を含む。さらに、部分変換器８００は、誘電体８０４およびヒートシンク８１０の上面に堆積された被覆層８２４を含む。
図９は、本明細書に開示された実現例に従った切欠記録ヘッドを形成するためのプロセスの別の段階を示す図である。具体的には、図９は、コア９０２の上面には、誘電体材料から作られる薄層９０４が配置されている。コア９０２を備える部分変換器ヘッド９００を示している。また、部分変換器ヘッド９００は、ＮＦＴペグ９０６とＮＦＴディスク９０８とＮＦＴヒートシンク８１０とを備えるＮＦＴを含む。さらに、部分変換器９００は、ＮＦＴペグ９０６およびヒートシンク９１０の上面に堆積されたスペーサ層９２０と、誘電体９０４およびヒートシンク９１０の上面に堆積された被覆層９２４を含む。書込み磁極層９３０は、スペーサ層９２０、ヒートシンク９１０および被覆層９２４と接触するように、部分的変換器９００の上面に形成される。部分変換器９００は、スペーサ層９２０がＡＢＳ ９３２において書込み磁極９３０とＮＦＴペグ９２０との間にＮＰＳを形成するように、ＡＢＳ ９３２に沿ってラッピングされてもよい。
図１０は、本明細書に開示された実現例に従った変換器ヘッドの浮上面（ＡＢＳ）１０００を示す別の概略図（縮尺通りに描かれていない）である。具体的には、開示されたＡＢＳ １０００は、ＮＦＴ １００４およびコア層１００６に面する切欠面を有する書込み磁極１００２を含む。書込み磁極１００２は、ヒートシンク材料１００８によって囲まれ、被覆層１０１０によって第１リターン磁極１０１２から離間することができる。また、変換器ヘッド１０００は、下部被覆層１０１６によってコア１００６から離間された別のリターン磁極１０１４を含む。さらに、変換器ヘッド１０００の読取器は、読取器センサ１０２６の両側に配置された上部シールド１０２２および下部シールド１０２４を含む。ＮＦＴ−磁極間隔（ＮＰＳ）とも呼ばれるＮＦＴ １００４と書込み磁極１００２との間の間隔は、変換器ヘッド１０００の製造時に、スペーサ層およびフォトレジストを用いて制御される。
図１１は、本明細書に開示された変換器ヘッドを製造するためのプロセス１１００のフローチャートを示す。具体的には、プロセス１１００は、ＮＦＴ−磁極間隔（ＮＰＳ）を制御しながら、変換器ヘッドを製造するためのさまざまな操作を含む。変換器ヘッドの製造には、Ｔａ２Ｏ５または他の類似材料から作ることができるコア層から開始してもよい。操作１１０２は、コア層の上面に薄い誘電体層を堆積する。その後、操作１１０４は、誘電体層の上面にＮＦＴおよびヒートシンク層を形成する。ＮＦＴは、たとえば、ペグおよびディスクを備えるロリポップ型ＮＦＴであってもよい。ヒートシンクは、たとえば金のような非磁性材料から作ることができる。
次に、操作１１０６は、ＮＦＴ、ヒートシンクおよび誘電体層の上面にスペーサ層を堆積する。スペーサ層の厚さは、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスによって、正確に制御および変更することができる。スペーサ層の堆積に続いて、動作１１０８は、スペーサ層の上面にエッチングストップ層を形成する。一実現例において、エッチングストップ層は、単一のフォトレジスト（ＰＲ）層である。単一のフォトレジストとして、エッチングストップの形成は、高度なリソグラフィプロセスを用いて非常によく制御することができる。エッチングストップ層の形成精度は、高度なリソグラフィプロセスの能力のみによって影響される。
代替的には、エッチングストップ層は、無定形炭素（ａ−Ｃ）材料から作られるパターン化された薄いエッチングストップ構造に形成されてもよい。具体的には、このａ−Ｃパターンは、蒸着、リソグラフィおよびエッチングを含む工程フローによって形成されてもよい。代替的には、このａ−Ｃパターンは、リソグラフィ、蒸着およびリフトオフを含む工程フローによって形成されてもよい。ａ−Ｃから作られるエッチングストップ層５２２は、酸素灰を用いて完全に除去することができる。さらに代替的には、エッチングストップ層５２２は、金属から作られることができる。このような金属エッチングストップ層５２２は、後続の傾斜壁平削りプロセスに、高選択性を提供する。一例として、このような金属エッチングストップ層は、クロム（Ｃｒ）エッチングストップ層であってもよい。このクロムエッチングストップ層は、後でクロムウェットエッチングによって除去することができる。
エッチングストップ層を形成した後、動作１１１０は、上面被覆層を堆積する。その後、動作１１１２は、傾斜壁平削り加工を用いて、上面被覆層およびヒートシンク材料の一部を除去する。一実現例において、傾斜壁平削り加工の角度は、エッチングストップ層とＮＦＴとの間のスペーサ層が平削りされないように設定される。したがって、スペーサ層は、エッチングストップ層によって平削り加工から保護される。傾斜壁平削り加工の結果として、エッチングストップ層は、スペーサ層の上面に所定の位置に残される。その後、動作１１１４は、エッチングストップ層を除去する。エッチングストップ層を除去することによって、ＮＦＴペグの上面に均一なスペーサ層を有する部分変換器ヘッドが得られる。
さらに、傾斜平削り加工により処理されたスペーサ層の傾斜度およびヒートシンク層の傾斜度は、変換器の長さに沿った浮上面（ＡＢＳ）の位置に依存せず、スペーサ層の厚さは、実質的に一定である。スペーサ層の厚さが実質的に一定であるため、ＡＢＳに作られた変換器においてＮＦＴ−磁極間隔（ＮＰＳ）を実質的に均一にすることができる。動作１１１６は、スペーサ層、傾斜した磁極ヒートシンク層および傾斜した上面被覆層の上面に書込み磁極層を形成する。一実現例において、書込み磁極層は、ＣｏＮｉＦｅなどの磁性材料から作ることができる。書込み磁極を形成した後に、操作１１１８は、ＮＰＳを所望の値に維持するように、浮上面（ＡＢＳ）に沿って部分変換器ヘッドをカットする。
上記の明細書、例示およびデータは、本発明の例示的な実施形態の構造および使用に関する完全な説明を提供する。本発明の多くの実施形態は、本発明の精神および範囲から逸脱することなく行うことができるため、本発明は、特許請求の範囲に存する。さらに、異なる実施形態の構造的特徴は、特許請求の範囲から逸脱することなく、さらなる別の実施形態に組み合わせられてもよい。本発明は、好ましい実施形態を参照して説明してきたが、当業者なら、本発明の範囲から逸脱することなく、形式および詳細に対する変更を行うことができることを認識するであろう。上述の実現例および他の実現例は、本発明の特許請求の範囲に包括される。

Claims (20)

  1. 変換器ヘッドのＮＦＴ層の上面にスペーサ層を堆積する工程と、
    変換器の前記スペーサ層の上面にエッチングストップ層を形成する工程と、
    前記エッチングストップ層の上面に被覆層を堆積する工程と、
    平削り加工が前記エッチングストップ層で停止するように、傾斜角をもって前記被覆層を平削りする工程とを含む、方法。
  2. 前記エッチングストップ層を除去する工程と、前記平削りされた変換器ヘッドの上面に書込み磁極層を形成する工程とをさらに含む、請求項１に記載の方法。
  3. 浮上面を形成するように前記変換器ヘッドをラッピングする工程をさらに含む、請求項２に記載の方法。
  4. エッチングストップ層を形成する前記工程は、無定形炭素から作られるエッチングストップ層を形成する工程をさらに含む、請求項２に記載の方法。
  5. 無定形炭素から作られるエッチングストップ層を形成する前記工程は、蒸着、リソグラフィ、およびエッチングを含む工程フローを用いて、無定形炭素から作られるエッチングストップ層を形成する工程をさらに含む、請求項４に記載の方法。
  6. 酸素灰を用いて、無定形炭素から作られる前記エッチングストップ層を除去する工程をさらに含む、請求項４に記載の方法。
  7. エッチングストップ層を形成する前記工程は、金属から作られるエッチングストップ層を形成する工程をさらに含む、請求項２に記載の方法。
  8. 金属ウェットエッチングを用いて、金属から作られる前記エッチングストップ層を除去する工程をさらに含む、請求項７に記載の方法。
  9. 前記スペーサ層は、酸化シリコンから作られる、請求項２に記載の方法。
  10. スペーサ層とＮＦＴ層と被覆層とを有する、部分的に製造された変換器ヘッドの上面にエッチングストップ層を形成する工程と、
    平削り加工が前記エッチングストップ層の端縁で停止するように、傾斜角をもって前記被覆層を平削りする工程と、
    平削り加工後、前記エッチングストップ層を除去する工程とを含む、方法。
  11. 前記エッチングストップ層は、フォトレジスト材料から作られる、請求項１０に記載の方法。
  12. 前記エッチングストップ層を除去する工程は、酸素灰およびレジスト剥離プロセスを用いて、前記エッチングストップを除去する工程をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
  13. 前記エッチングストップ層は、無定形炭素から作られる、請求項１０に記載の方法。
  14. 前記エッチングストップ層を除去する工程は、乾燥酸素灰またはエッチングプロセスを用いて、前記エッチングストップを除去する工程をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
  15. 前記エッチングストップ層は、金属から作られる、請求項１０に記載の方法。
  16. 前記エッチングストップ層を除去する工程は、金属ウェットエッチングプロセスを用いて、前記エッチングストップを除去する工程さらに含む、請求項１５に記載の方法。
  17. コア層と、
    スペーサ層と、
    近接場変換器（ＮＦＴ）層と、
    スペーサ層の上面に少なくとも部分的に形成されたエッチングストップ層とを含む、部分変換器ヘッド。
  18. 前記エッチングストップ層の上面に形成された書込み磁極層をさらに含む、請求項１７に記載の部分変換器ヘッド。
  19. 前記エッチングストップ層は、無定形炭素から作られる、請求項１７に記載の部分変換器ヘッド。
  20. 前記エッチングストップ層は、（ｉ）金属および（ｉｉ）フォトレジストのうち少なくとも１つから作られる、請求項１７に記載の部分変換器ヘッド。
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