JP2013002930A - プローブ支持基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】プローブの支持孔を所望の位置に高精度に形成することができるプローブ支持基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のプローブ支持基板の製造方法では、第1の金属薄板11にプローブ20より大径の孔11Aを複数のプローブ20の配列パターンに即して複数形成し、複数の大径孔11Aの互いに対応する大径孔11A同士をそれぞれ位置合わせして第1の金属薄板11を複数枚積層して第1の積層体12を得る。次いで、第1の積層体12の主面に第2の金属薄板13を積層して第2の積層体14を得た後、第2の積層体14を加熱、加圧して複数の第1の金属薄板11と第2の金属薄板13をそれぞれ互いに接合し、複数のプローブ20の位置決め孔13Aを、複数の大径孔11Aに対応させてプローブ20の外径に即した大きさで第2の金属薄板13に形成する。
【選択図】図3
【解決手段】本発明のプローブ支持基板の製造方法では、第1の金属薄板11にプローブ20より大径の孔11Aを複数のプローブ20の配列パターンに即して複数形成し、複数の大径孔11Aの互いに対応する大径孔11A同士をそれぞれ位置合わせして第1の金属薄板11を複数枚積層して第1の積層体12を得る。次いで、第1の積層体12の主面に第2の金属薄板13を積層して第2の積層体14を得た後、第2の積層体14を加熱、加圧して複数の第1の金属薄板11と第2の金属薄板13をそれぞれ互いに接合し、複数のプローブ20の位置決め孔13Aを、複数の大径孔11Aに対応させてプローブ20の外径に即した大きさで第2の金属薄板13に形成する。
【選択図】図3
Description
本発明は、半導体ウエハの電気的特性検査に用いられるプローブカードを構成するプローブ支持基板に関し、更に詳しくは、複数のプローブを予め設定された位置で高精度に支持することができるプローブ支持基板の製造方法及に関する。
半導体ウエハの電気的特性検査にはプローブ装置が用いられる。プローブ装置は、カセットに収納された半導体ウエハを一枚ずつ搬送するローダ室と、ローダ室から搬送される半導体ウエハに形成された複数のデバイスの電気的特性検査を行うプローバ室と、ローダ室内及びプローバ室内の各種の機器を制御する制御装置と、を備えている。
プローバ室は、例えば図4の(a)に示すように、ローダ室(図示せず)からの半導体ウエハWを載置し、X、Y、Z及びθ方向に移動する載置台1と、載置台1の上方に配置され且つ載置台1上の半導体ウエハW全面に形成された複数の電極パッドと電気的に接触する複数のプローブ2Aを有するプローブカード2と、載置台1と協働してプローブカード2の複数のプローブ2Aと半導体ウエハWの複数の電極パッドとのアライメントを行うアライメント機構(図示せず)と、を備え、アライメント後の半導体ウエハWの全ての電極パッドとプローブカード2の全てのプローブ2Aが一括接触して半導体ウエハWに形成された複数のデバイスの電気的特性検査を行うように構成されている。
プローブカード2は、図4の(a)に示すように、複数のプローブ2Aと、これらのプローブ2Aを支持するプローブ支持基板2Bと、プローブ支持基板2Bが接合されて複数のプローブ2Aの上端がそれぞれ電気的に接触する複数の端子電極を有する回路基板2Cと、を備えている。複数のプローブ2Aとプローブ支持基板2Bは、プローブカード2のコンタクタとして構成されている。プローブ支持基板2Bは、例えばセラミック等の絶縁基板によって形成されている。複数のプローブ2Aは、プローブ支持基板2Bに形成された複数の貫通孔を貫通して回路基板2Cに形成された複数の端子電極とそれぞれ接触している。
ところが、プローブ支持基板2Bの貫通孔は、プローブ2Aの本数に即して機械加工によって形成されているため、デバイスの高集積化及びウエハ径の大口径化によりプローブ2Aの本数が多くなり、それだけ貫通孔の機械加工に多くの時間を要し、プローブカード2の製造コストが高くなる。
そこで、特許文献1にはプローブ支持基板2Bを低コストで製造する方法が記載されている。特許文献1に記載の技術によれば、例えば予め金属薄板2B1にプローブ2Aを支持する複数の貫通孔がエッチングにより一括して形成され、複数の貫通孔が形成された金属薄板2B1は、各貫通孔が位置合わせされた状態で図4の(b)に示すように所望厚さになるように複数枚積層され、複数の金属薄板2B1が拡散接合等の手法によって一体化されて、複数の貫通孔2Eを有する一枚のプローブ支持基板2Bとして製造される。この手法によれば、貫通孔2Eが増えても金属薄板2B1の段階で複数の貫通孔がエッチングによって一括して形成されるため、機械加工による孔明け加工に比べてプローブ支持基板2Bを低コストで製造することができる。このようなプローブ支持基板2Bは、特許文献1以外の特許文献2にも記載されている。尚、図4の(b)において、2Fは、貫通孔2Eの内周面に形成された絶縁被膜であり、絶縁被膜2Fによってプローブ2Aとプローブ支持基板2Bとを電気的に絶縁している。また、2Gは、プローブ支持基板2Bの上面に形成された絶縁薄板2Gであり、絶縁薄板2Gによってプローブ2Aとプローブ支持基板2Bとを電気的に絶縁している。
しかしながら、図4の(b)に示すように金属薄板2B1を複数枚積層して拡散接合等の加熱、加圧手法によって一体化する場合にはプローブ支持基板2Bを低コストで製造することができる反面、積層された複数の金属薄板2B1を加熱、加圧しながら接合するため、接合時の熱膨張と加圧により上下の金属薄板2B1間で位置ズレし、図5に示すようにプローブ2Aの貫通孔が互いに位置ズレする。特にプローブ2Aの支持位置を決定するプローブ2A側の貫通孔が設計上の位置から僅かに位置ズレしてプローブ2Aの本来の支持位置が不明確になって定まらず、プローブ2Aの支持位置がばらつき、プローブカード2の信頼性を損なう虞がある。プローブ支持基板2Bが大口径化し、貫通孔2Eの数が多くなるほど各金属薄板2Bの位置ズレの影響が顕著になる。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、プローブの支持孔を所望の位置に高精度に形成することができるプローブ支持基板の製造方法を提供することを目的としている。
本発明の請求項1に記載のプローブ支持基板の製造方法は、被検査体の電気的特性検査に用いられる複数のプローブを支持するプローブ支持基板を製造する方法であって、第1の金属薄板に上記プローブより大径の孔を上記複数のプローブの配列パターンに即して複数形成する第1の工程と、上記複数の大径孔の互いに対応する大径孔同士をそれぞれ位置合わせして上記第1の金属薄板を複数枚積層して第1の積層体を得る第2の工程と、上記第1の積層体の主面に第2の金属薄板を積層して第2の積層体を得る第3の工程と、上記第2の積層体を加熱、加圧して上記複数の第1の金属薄板と上記第2の金属薄板をそれぞれ互いに接合する第4の工程と、上記複数のプローブの位置決め孔を、上記複数の大径孔に対応させて上記プローブの外径に即した大きさで上記第2の金属薄板に設ける第5の工程と、を備えていることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項2に記載のプローブ支持基板の製造方法は、請求項1に記載の発明において、上記第4の工程では拡散接合により上記複数の第1の金属薄板と上記第2の金属薄板をそれぞれ接合することを特徴とするものである。
また、本発明の請求項3に記載のプローブ支持基板の製造方法は、請求項1または請求項2に記載の発明において、上記第1の金属薄板の複数の大径孔と上記第2の金属薄板の位置決め孔とをそれぞれエッチングによって形成することを特徴とするものである。
また、本発明の請求項4に記載のプローブ支持基板の製造方法は、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の発明において、上記第2の金属薄板の主面及び上記位置決め孔の内周面に絶縁被膜を形成する工程を備えていることを特徴とするものである。
本発明によれば、プローブの支持孔を所望の位置に高精度に形成することができるプローブ支持基板の製造方法を提供することができる。
以下、図1〜図3に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。
まず、本発明のプローブ支持基板の製造方法によって製造されるプローブ支持基板について例えば図1を参照しながら説明する。このプローブ支持基板10は、図1に示すように、半導体ウエハ(図示せず)に所定のパターンで形成された複数の電極パッドとそれぞれ接触するプローブカード(図示せず)の複数のプローブ20を有するコンタクタとして構成されている。
而して、本実施形態のプローブ支持基板10は、図1に示すように、複数の第1の金属薄板11が積層されて形成された第1の積層体12と、第1の積層体12の主面(図1では上面)に第1の金属薄板11と同一形状の第2の金属薄板13が積層された第2の積層体14と、第2の積層体14の上面に積層された第1、第2の金属薄板11、13と、を備え、第2の金属薄板13の上面及び後述の孔の内周面には絶縁被膜15が形成されている。第1、第2の金属薄板11、13は、それぞれ例えば42アロイ、インバー、コバール等のNi−Fe系合金やステンレス等によって例えば0.1〜0.5mmの厚さに形成されている。第2の積層体14は、複数の第1の金属薄板11と一枚の第2の薄板金属13が拡散接合によって互いに接合されて一枚板として形成されている。第2の積層体14は、拡散接合以外の接合手段、例えばスポット溶接や熱硬化性樹脂等の接着剤による接合等の手段によっても形成される。
プローブ支持基板10の主面(図1では上面)には半導体ウエハ(図示せず)の複数の電極パッドの配列パターンに即して配列された複数のプローブ20が取り付けられている。複数のプローブ20は、全てニッケル等のバネ性のある導電性材料によって図1に示すように形成されている。このプローブ20は、同図に示すように、半導体ウエハの電極パッドと接触する接触部20Aと、接触部20Aの基端からプローブ支持基板10の上面に沿って延設された支持部20Bと、接触部20Aの手前で支持部20Bから垂下するリード部20Cと、支持部20Bの延設端側に形成された突起部20Dと、を有している。支持部20Bは、接触部20Aからリード部20Cまでが薄肉部として形成され、リード部20Cから延設端までが厚肉部として形成されている。
プローブ支持基板10には複数のプローブ20のリード部20Cがそれぞれ貫通する貫通孔10Aと複数のプローブ20の突起部20Dがそれぞれ嵌合する凹陥部10Bが複数のプローブ20の配列パターンに即して形成されている。プローブ20は、リード部20Cが貫通孔10Aを貫通して回路基板30の端子電極に接触すると共に、突起部20Dが絶縁性接着剤を介して凹陥部10Bに接着、固定されて、プローブ支持基板10の上面に取り付けられている。この状態で、プローブ20の支持部20Bの厚肉部が絶縁被膜15に接触し、支持部20Bの薄肉部が絶縁被膜15から浮上している。従って、プローブ20は、接触部20Aが半導体ウエハの電極パッドと電気的に接触して絶縁薄板15側へ弾性変形するようになっている。
貫通孔10Aは、図1に示すように複数の第1の金属薄板11によって形成された孔11Aと第2の金属薄板13に形成された位置決め孔13Aによって形成されている。第1の金属薄板11の孔11Aは、プローブ20のリード部20Cの外径より大径に形成されている。第2の金属薄板13の位置決め孔13Aは、リード部20Cよりやや大径に形成されている。この位置決め孔13Aの内周面と第2の金属薄板13の上面には絶縁被膜16が一体的に形成されている。位置決め孔13Aの内周面に形成された絶縁被膜16の内径は、リード部20Cが位置決め孔13Aにおいて上下方向に摺動できる大きさに形成されている。絶縁被膜16は、例えばポリイミド樹脂、フッ素樹脂等の耐摩耗性、耐薬品性樹脂によって形成されている。位置決め孔13Aは、凹陥部10Bと一緒にプローブ20の支持位置を設定する孔であるため、第1の金属薄板11の孔11Aのように接合時の位置ズレが許されず、後述するようにプローブ支持基板10に対して高精度に位置決めして形成されている。複数の位置決め孔13Aがそれぞれ高精度に位置決めされているため、プローブ支持基板10に取り付けられた複数のプローブ20は、それぞれの接触部20Aが対応する複数の電極パッドと位置ズレすることなく確実に接触し、検査の信頼性を高めることができる。
また、凹陥部10Bは、第2の金属薄板13の孔13Bによって形成されている。この孔13Aは、プローブ20の突起部20Dが嵌合する大きさに形成されている。プローブ20は、突起部20Dが凹陥部10Bに嵌合した状態で接着剤によって接着、固定されている。
而して、第1、第2の金属薄板11、13の拡散接合は、加熱、加圧下で行なわれるため、第1、第2の金属薄板11、13が熱膨張や加圧によって位置ズレし、その影響で図1に誇張して示すように複数の第1金属薄板11それぞれの孔11Aと第2の金属薄板13の位置決め孔13Aが不揃いになる。しかしながら、本実施形態では、後述するように、複数の孔11Aを有する第1の金属薄板11と孔のない第2の金属薄板13を積層した第2の積層体14が拡散接合された後に、第1の金属薄板13に位置決め孔13Aが形成されるため、設計上の位置に位置決め孔13Aが高精度に形成され、延いてはプローブ支持基板10に対してプローブ20が高精度に取り付けられる。
次いで、図1に示すプローブ支持基板10の製造方法について図2、図3を参照しながら説明する。
まず、プローブ支持基板10の第1、第2の金属薄板11、13を作製するために、例えば0.1〜0.5mmの42アロイシートが用意される。この42アロイシートから第1、第2の金属薄板11、13がそれぞれプローブ支持基板1として必要な枚数だけ所定の形状に切断加工され、第2の金属薄板13は一枚だけ作製される。
次いで、図2の(a)に示すように第1の金属薄板11のウェットエッチング処理によりプローブ20のリード部20Cが通る複数の孔11Aと第1の金属薄板11の位置合わせに用いられる位置合わせ用の孔11Cが第1の金属薄板11に形成される。位置合わせ用の孔11Cは、第1の金属薄板11の外周縁部に所定間隔を空けて複数個所に形成される。これらの孔11A、11Cを形成するには、第1の金属薄板11の両面にフォトレジストが塗布されてフォトレジスト膜が形成され、このフォトレジスト膜が所定のフォトマスクを介して露光処理された後、現像処理されて孔11A、11Cに相当する部分のフォトレジストが所定のパターンで除去され、それぞれの孔11A、11Cに相当する部分から第1の金属薄板11がフォトレジスト膜から露出する。現像処理後、エッチング液を用いて第1の金属薄板11を両面からエッチング処理し、図2の(a)に示すように第1の金属薄板11に所定のパターンで複数の孔11A、11Cが一括して形成される。このように孔明けされた第1の金属薄板11がプローブ支持基板10として必要な枚数だけ作製される。また、同図の(b)に示すように第2の金属薄板13には位置合わせ用の孔13Cが第1の金属薄板11の複数の孔11Cに対応して実質的に同一の大きさで上述のエッチングにより孔明け加工される。尚、図1では第1の金属薄板11の2箇所の孔11Aと第1、第2の金属薄板11、13の位置合わせ用の孔11C、13Cが拡大して図示されている。
第1の金属薄板11に複数の孔11A、11Cが所定のパターンで形成された後、図2の(c)に示す積層用治具50を用いて第1の金属薄板11が必要枚数だけ積層される。積層用治具50には第1の金属薄板11の複数の孔11Cに対応するガイドピン51が立設されている。このガイドピン51に第1の金属薄板11の複数の孔11Cを合わせて第1の金属薄板11が必要枚数だけ積層用治具50上に積層されて第1の第1の積層体12として形成される。この際、第1の金属薄板11の複数の孔11Aは、ガイドピン51を介して自動的に位置合わせされている。更に、第2の金属薄板13が孔13Cとガイドピン51を介して第1の積層体12の上面に積層されて第2の積層体14として形成される。尚、図2の(d)は同図の(c)に対応する平面図である。
然る後、第2の積層体14が拡散接合される。拡散接合では第2の積層体14が真空下または不活性雰囲気下で所定の温度まで加熱されると共に上下から所定の圧力で加圧されて複数の第1の金属薄板11と一枚の第2の金属薄板13が互いに接合されて一枚板として一体化される。第1、第2の金属薄板11、13は、それぞれが互いに接合するまでに熱膨張と加圧により僅かではあるが図3の(a)に示すようにそれぞれの孔11Aが本来の位置(設計上の位置)から位置ズレする。しかしながら、本実施形態では第1の金属薄板11の複数の孔11Aは、いずれもプローブ20の支持位置を設定するものでなく、リード部20Cの通る孔としてリード部20Cより大径に形成されている。そのため、第1の積層板12は、複数の第1の金属薄膜11の孔11Aが互い位置ズレして貫通孔12Aの内面が揃わず部分的に狭くなっていてもリード部20Cを余裕を持って通すことができる。
本実施形態では、第2の金属薄板13の位置決め孔13Aと孔13Bによってプローブ20の支持位置が設計通り所望の位置に高精度に設定される。これらの孔13A、13Bはウェットエッチングによって予め設定された所望の位置に高精度に形成される。第2の金属薄膜13のウェットエッチングを行うために、まず、第2の積層体14の上面である第2の金属薄板13にフォトレジストが塗布されてフォトレジスト膜が形成される。その後、フォトレジスト膜が所定のフォトマスクを介して露光処理され、更に、現像処理されると、第2の金属薄板13の位置決め孔13Aと孔13Bに対応する部分のフォトレジストが除去されて第2の金属薄板13がフォトレジスト膜から露出する。この第2の金属薄板13がエッチング処理されると、図3の(b)に示すように所定のパターンで位置決め孔13Aと孔13Bが第2の金属薄板13に形成される。その後、位置決め孔13A及び孔13Bの内周面及び第2の金属薄板13の上面に絶縁被膜15が絶縁材料の電着または蒸着等の薄膜形成手段によって形成される。
然る後、第2の金属薄板13の孔13B(プローブ支持基板10の凹陥部10B)に接着剤を充填した後、予め用意されているプローブ20のリード部20Cが第2の金属薄板13の位置決め孔13Aに挿入され、突起部20Dがプローブ支持基板10の凹陥部10Bに嵌合される。これにより、プローブ20は、リード部20Cが貫通孔10Aを貫通し、突起部20Dが接着剤を介して凹陥部10Bに接着、固定されて、プローブ支持基板10の上面で支持されたコンタクタ(図1参照)が得られる。
以上説明したように本実施形態によれば、第1の金属薄板11にプローブ20より大径の孔11Aを複数のプローブ20の配列パターンに即して複数形成する第1の工程と、複数の大径孔11Aの互いに対応する大径孔11A同士をそれぞれ位置合わせして第1の金属薄板11を複数枚積層して第1の積層体12を得る第2の工程と、第1の積層体12の主面に第2の金属薄板13を積層して第2の積層体14を得る第3の工程と、第2の積層体14を加熱、加圧して複数の第1の金属薄板11と第2の金属薄板13をそれぞれ互いに接合する第4の工程と、複数のプローブ20の位置決め孔13Aを、複数の大径孔11Aに対応させてプローブ20の外径に即した大きさで第2の金属薄板13に設ける第5の工程と、を備えているため、複数の第1の金属薄板11と一枚の第2の金属薄板13を加熱、加圧して一体化してプローブ支持基板10を製造する際に複数の第1の金属薄板11の孔11A間で位置ズレがあっても、プローブ20の支持位置を決める位置決め孔13Aを設計通り所望の位置に高精度に形成することができ、プローブ支持基板10に対してプローブ20を高精度に取り付けることができ、延いては信頼性の高いプローブカードを得ることができる。
また、本実施形態によれば、第4の工程では拡散接合により複数の第1の金属薄板11と第2の金属薄板13をそれぞれ接合してプローブ支持基板10を作製するため、第1の金属薄板11の大径孔11A及び第2の金属薄板13の位置決め孔13Aをエッチングにより形成することができ、プローブ支持基板10を低コストで製造することができ、更に、第2の金属薄板13の位置決め孔13を所望の位置に高精度に形成することができる。
尚、本発明は、上記実施形態に何ら制限されるものではなく、必要に応じて各構成要素を設計変更することができる。例えば、プローブ20が接触部20A、支持部20B、リード部20C及び突起部20Dを有するものについて説明したが、プローブ支持基板の貫通孔を貫通するプローブであれば、他のタイプのプローブであっても良い。
10 プローブ支持基板
11 第1の金属薄板
11A 孔
12 第1の積層体
13 第2の金属薄板
13A 位置決め孔
14 第2の積層体
15 絶縁被膜
20 プローブ
11 第1の金属薄板
11A 孔
12 第1の積層体
13 第2の金属薄板
13A 位置決め孔
14 第2の積層体
15 絶縁被膜
20 プローブ
Claims (4)
- 被検査体の電気的特性検査に用いられる複数のプローブを支持するプローブ支持基板を製造する方法であって、第1の金属薄板に上記プローブより大径の孔を上記複数のプローブの配列パターンに即して複数形成する第1の工程と、上記複数の大径孔の互いに対応する大径孔同士をそれぞれ位置合わせして上記第1の金属薄板を複数枚積層して第1の積層体を得る第2の工程と、上記第1の積層体の主面に第2の金属薄板を積層して第2の積層体を得る第3の工程と、上記第2の積層体を加熱、加圧して上記複数の第1の金属薄板と上記第2の金属薄板をそれぞれ互いに接合する第4の工程と、上記複数のプローブの位置決め孔を、上記複数の大径孔に対応させて上記プローブの外径に即した大きさで上記第2の金属薄板に設ける第5の工程と、を備えていることを特徴とするプローブ支持基板の製造方法。
- 上記第4の工程では拡散接合により上記複数の第1の金属薄板と上記第2の金属薄板をそれぞれ接合することを特徴とする請求項1に記載のプローブ支持基板の製造方法。
- 上記第1の金属薄板の複数の大径孔と上記第2の金属薄板の位置決め孔とをそれぞれエッチングによって形成することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のプローブ支持基板の製造方法。
- 上記第2の金属薄板の主面及び上記位置決め孔の内周面に絶縁被膜を形成する工程を備えていることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のプローブ支持基板の製造方法。
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