JP2012525678A - 不利な条件下であっても均一な量の注入を実施するシステムおよび方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、米国特許仮出願第61/049,717号明細書(出願日2008年5月1日、発明の名称:「SYSTEM AND METHOD OF PERFORMING UNIFORM DOSE IMPLANTATION UNDER ADVERSE CONDITIONS」)に基づいて特典と優先権を主張し、該特許出願は、ここに記載されているかの如く、全て参照によってここに引用されるものとする。
本発明は、一般にイオン注入システムに関し、さらに具体的には、例えば、フォトレジストでコーティングされた加工対象物/ウエハに注入している間に深刻なガス抜けが発生するといった不利な条件下であっても、線量測定の制御を実施するためのシステムおよび方法に関する。
半導体デバイスの製造において、半導体に不純物をドーピングするためにイオン注入法が使用されている。n型またはp型の不純物質によるドーピング処理、または、集積回路の製作時におけるパッシベーション層形成のためには、イオンビーム注入装置を用いてシリコンウエハをイオンビームで処理する。半導体をドーピングするために使用される場合、イオンビーム注入装置は選択されたイオン種を注入し、所望の不純物質を生成する。アンチモン、ヒ素、リンなどのイオン源物質から生成されたイオンを注入すれば「n型」の不純物質ウエハが得られる。また、「p型」不純物質ウエハが所望であれば、ボロン、ガリウム、インジウムなどのイオン源物質で生成したイオンを注入すればよい。
以下の記載では、本発明のいくつかの態様の基本的な理解を促すために、発明の概要について簡単に説明する。この発明の概要は本発明のあらゆる側面について概略を記述したものではなく、本発明の重要ポイントとなる部材や要素を特定する意図を持つものでもなく、また、本発明の技術的範囲を定義する意図を持つものでもない。この発明の概要の主たる目的は、後述するさらに詳細な説明の前置きとして、本発明のコンセプトについて簡単に記載することである。
図1は、圧力補償に基づく線量測定制御システムを有するイオン注入システムの従来技術のシステムレベルの図である。
次に、図面を参照して、本発明について記載する。図面および記載全体を通じて、同じ部材には同じ参照番号を使用する。本発明は、イオン注入装置において使用するための、圧力補償因子を求めるためのシステムおよび方法を提供する。
Claims (20)
- 第1の方向を有するリボン状イオンビームを受け、このリボン状イオンビームを曲げて第2の方向に進めるように構成されたビーム曲げ部材と、
第2の方向に進む該リボン状イオンビームを受けるように構成され、また、加工対象物を、該リボン状イオンビームを注入するために固定するようにさらに構成された、該ビーム曲げ部材の下流に位置するエンドステーションと、
該ビーム曲げ部材の出射開口部においてリボン状イオンビームのビーム電流を測定するように構成された、該ビーム曲げ部材の出射開口部に配置されたビーム電流測定システムとを備えた、イオン注入システム。 - 上記リボン状イオンビームが第3の方向に延びる幅を有し、
上記イオン注入システムが、上記ビーム電流測定システムからビーム電流の測定結果を受信して、上記エンドステーション上の加工対象物の、上記第3の方向に対してほぼ直交する第4の方向における走査を制御するように構成された線量測定制御システムをさらに備えた、請求項1に記載のシステム。 - 上記ビーム電流測定システムが、1つ以上のスリットが入射口に設けられたファラデーカップを有し、
該1つ以上のスリットが、上記リボン状イオンビームのイオンの入射を、該ファラデーカップの軸を中心とする所定の角度の範囲に制限するように動作する、請求項1に記載のシステム。 - 上記ファラデーカップに関連して作動可能で、該ファラデーカップがビーム電流を記録することを選択的に防止するように構成されたゲートをさらに備えた、請求項3に記載のシステム。
- 上記ゲートが、上記ファラデーカップがビーム電流を上記ビーム曲げ部材の上流に位置する走査装置の走査電圧の関数として記録することを選択的に防止するように構成された、請求項4に記載のシステム。
- 上記ゲートが、走査イオンビームが上記ファラデーカップの入射口に設けられた1つ以上のスリットを掃引する場合には、上記ファラデーカップがビーム電流を記録できるように構成され、かつ、それ以外の場合にはファラデーカップがビーム電流を記録することを防止する、請求項4に記載のシステム。
- 上記リボン状イオンビームがその幅方向に沿って複数のエッジ部を有し、
上記ビーム電流測定システムが、上記ビーム曲げ部材の出射開口部において、リボン状イオンビームの対応するエッジ部にそれぞれ位置する2つのファラデーカップを有する、請求項1に記載のシステム。 - 上記リボン状イオンビームが第3の方向に延びる幅を有し、
上記イオン注入システムが、上記2つのファラデーカップからビーム電流の測定結果を受信して平均を求めて、上記エンドステーション上の加工対象物の、上記第1の方向に対してほぼ直交する第4の方向における走査を制御するように構成された線量測定制御システムをさらに備えた、請求項7に記載のシステム。 - 上記2つのファラデーカップは、それぞれが入射口に1つ以上のスリットを有し、
該1つ以上のスリットが、リボン状イオンビームのイオンの入射を、対応するファラデーカップの軸を中心とする所定の角度の範囲に制限するように動作する、請求項7に記載のシステム。 - 上記エンドステーションが処理室内に位置し、この処理室は処理室内で減圧状態が達成できるように処理室に関連して作動可能な真空ポンプを有し、
上記ビーム曲げ部材が磁石室内に位置し、
上記イオン注入システムが、
処理室と磁石室とを互いに連結するように構成され、さらに、エンドステーション上の加工対象物から磁石室へのガス抜け流を抑制するように構成された通気制限装置をさらに備えた、請求項1に記載のシステム。 - 上記磁石室に関連して作動可能で、磁石室において所望の減圧状態を維持するように構成された真空ポンプをさらに備えた、請求項10に記載のシステム。
- 上記ビーム曲げ部材が、角度エネルギーフィルタを備えた、請求項1に記載のシステム。
- ビーム曲げ部材を用いてリボン状イオンビームを曲げ、
該ビーム曲げ部材の出射開口部においてリボン状イオンビームのビーム電流を測定し、
加工対象物の走査を、上記リボン状イオンビームについて測定されたイオンビーム電流の関数として制御することを含む、イオン注入システムにおいて線量測定の制御を実施する方法。 - 上記ビーム電流の測定には、ファラデーカップを上記ビーム曲げ部材の出射開口部に配置することを含む、請求項13に記載の方法。
- 上記ファラデーカップが受けるリボン状イオンビームのイオンの入射を、該ファラデーカップの軸を中心とする所定の角度に制限することをさらに含む、請求項14に記載の方法。
- 上記リボン状イオンビームがその幅方向に沿って複数のエッジ部を有し、
上記ビーム電流の測定には、上記ビーム曲げ部材の出射開口部において、リボン状イオンビームの各エッジ部にファラデーカップを配置することを含む、請求項13に記載の方法。 - 上記複数のファラデーカップから得られるビーム電流の測定結果の平均を求め、
上記加工対象物の走査を、平均ビーム電流の関数として制御することをさらに含む、請求項16に記載の方法。 - 上記リボン状イオンビームを曲げる前に、鉛筆状ビームを走査して該リボン状イオンビームを形成し、
上記ファラデーカップがビーム電流の測定結果を、上記リボン状イオンビームを形成する鉛筆状イオンビームの上記走査の関数として記録することを、選択的に防止することをさらに含む、請求項14に記載の方法。 - 上記選択的に防止することは、
走査イオンビームが上記ファラデーカップを掃引する場合には、上記ファラデーカップがビーム電流を記録できるように構成し、かつ、それ以外の場合には、ファラデーカップがビーム電流を記録することを防止することを含む、請求項18に記載の方法。 - 上記加工対象物が処理室内のエンドステーション上に位置し、
上記ビーム曲げ部材が磁石室内に位置し、
上記加工対象物から磁石室へのガス抜け流を抑制するように構成された通気制限装置を用いて、処理室を磁石室に連結することをさらに含む、請求項13に記載の方法。
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