JP5131576B2 - イオン注入機における圧力補償ファクタを決定するための方法及びシステム - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的に、一群のイオン注入システムに関し、特に、イオン注入機における圧力補償ファクタを決定するための方法及びシステムに関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造において、イオン注入機は、半導体ウエハに不純物を添加するのに使用される。イオンビーム注入機は、不純物をドーピングしてn型又はp型の半導体材料を製造したり又は集積回路の製造中に不活性層を形成するために、イオンビームでシリコンウエハを処理するのに使用される。半導体に不純物をドーピングするとき、イオンビーム注入機は、選択されたイオン種を注入して所望の半導体材料を製造する。アンチモンや砒素や燐等のイオン源材料から生成される注入イオンは、結果的にn型の半導体材料のウエハを生じることになり、一方、p型の半導体材料のウエハが必要とされる場合、ボロンやガリウムやインジウム等のイオン源材料から生成されるイオンが注入される。
【0003】
一般的なイオンビーム注入機は、イオン化可能材料から正電荷イオンを発生させるためのイオン源を有している。生成されたイオンは、ビームに形成され、所定のビーム経路に沿って注入ステーションに導かれる。イオンビーム注入機は、イオン源と注入ステーションとの間に延びたビーム形成/整形構造体を有している。この構造体は、イオンビームを維持し、ビームが注入ステーションへの途上で通る細長い内部キャビティまたは通路の境界を定めている。イオン注入機を動作させるときには、この通路は、イオンがガス分子と衝突した結果として所定のビーム経路から偏向する確率が低下するように、一般的に排気されている。
【0004】
イオンの電荷に対する質量(例えば、電荷対質量比)は、静電界や磁界によって軸方向と横断方向の両方にイオンが加速される度合に影響する。従って、望ましくない分子質量を有するイオンはビームから離れた位置に偏向され、所望の材料以外の注入は回避されるので、半導体ウエハの所望の領域や他のターゲットに到達するビームは非常に純度の高いものになる。望ましいまた望ましくない電荷対質量比のイオンを選択的に分離するプロセスは、質量分析として知られている。質量分析器は、一般的に、異なった電荷対質量比のイオンを効果的に分離するアーチ状通路において磁気偏向作用を介してイオンビームの種々のイオンを偏向させるために、双極子磁界をつくり出す質量分析磁石を用いている。
【0005】
線量測定は、ウエハまたは他のワークピースにおいて注入されるイオンを測定する。注入されたイオンの照射線量を制御する場合、一般的に閉ループフィードバック制御システムが用いられ、注入されたワークピースにおける均一性を達成するためにイオンの注入を動的に調整する。このような制御システムは、低速のスキャン速度を制御するためにリアルタイムの電流モニタリングを用いる。ファラデーディスク又はファラデーカップによって、ビーム電流を周期的に測定し、一定の線量操作を確実にするために低速のスキャン速度に調整される。周波数の測定によって、ビーム電流における変化に対して迅速に応答する線量制御システムが可能である。ファラデーカップは、静止状態で、良くシールドされかつウエハに密接して配置されており、ウエハを実際にドーピングするためのビーム電流に感応する。
【0006】
ファラデーカップは、電流のみを測定する。イオン注入中に包含されるイオンビームとガスとの間の相互作用は、電流、チャージフラックスの変化によって生じることができ、粒子電流、ドーパントフラックスが一定であるときでも変化する。この影響を補償するために、線量コントローラが、ファラデーカップからビーム電流値を読取り、また同時に圧力ゲージから圧力値を読み取る。圧力補償ファクタ(PCOMP)は、1つのイオン注入法に対して特定されるとき、測定されたビーム電流がソフトウエハにより修正されて、低速スキャンを制御する回路で補償されたビーム電流信号を送る。このような閉ループシステムにおける補償量(例えば、補償されたビーム電流信号において)は、圧力と圧力補償ファクタの両方の相関関係により決まる。
【0007】
圧力補償は、適切に応用されるとき、注入圧力の広範囲にわたり再現性及び均一性を向上させる。しかし、イオン注入機における真空度は、決して完全ではない。このシステムでは、必ずある程度の残留ガスが存在する。通常、残留ガスは、問題を生じない(実際、少量の残留ガスは、ビームの良好な移送、及び効果的な荷電制御に対して必要である。)。しかし、十分高い圧力では、イオンビームと残留ガスとの電荷の交換により照射線量測定に誤差が生じる。生のウエハへの注入とフォトレジスト膜のある(PR)ウエハへの注入との間における照射線量の変化が、受け入れがたい大きさである場合、または、照射線量の均一性がかなり低下する場合、均一性を保つために、圧力補償を使用することになるであろう。
【0008】
イオンビームと残留ガスとの間での電荷の交換反応により、イオンに対して電子を付加したりまたは取り除くことができ、その方法に基づいて現在の値からイオンの電荷状態を変化させることができる。電荷の交換反応が中和すると、入射イオンのフラックスの一部は中和される。この結果、電流の低下が生じるが、粒子電流(中性粒子を含む)は変化しない。電荷の交換反応は、電子のストリッピング作用であり、イオンフラックスの一部は電子を失う。その結果、電流が増加するが、粒子電流は変わらない。
【0009】
電荷の交換によってもたらされる一般的な処方では、イオンビームは、電子のストリッピングよりもイオンの中和化をもたらす。その結果、エンドステーションの圧力が増加するときはいつでも、ファラデーカップによって測定されるビーム電流が減少する。イオンビーム内のイオンは中和されるが、イオンは、残留ガスにより偏向したり停止することはない。単位面積単位時間当たりの照射率では、質量分析磁石を通過後、ドーパント原子は、電荷交換によって荷電されない。注入された中性粒子は、ウエハによって受けた照射線量に寄与するが、ファラデーカップによって測定されない。その結果、ウエハは過剰の照射線量を受けることになる。圧力補償なしで、電荷交換の中和化を行うことは、照射線量の均一性と反復性を制限することになる。
【0010】
圧力補償は、処理室内でイオンビームと残留ガスとの間の電荷の交換が照射線量に重要な影響を与えるときはいつでも利用することができる。この圧力において、処方及び処理の仕様に基づいて電荷の交換が起こる。ある処方では、フォトレジストのガス放出による圧力は、圧力ゲージで測定して5×10-6トルであるとき、注入機の仕様に一致する圧力補償が必要とされる。フォトレジストのガス放出による圧力が2×10-5トルまたはそれ以上の場合、圧力補償を検討する価値がある。このような圧力補償は、フォトレジスト膜がある場合とない場合のそれぞれのモニター用ウエハにイオン注入することによってフォトレジストのガス放出の影響を測定し、さらに処理規定に対する測定された変化を比較することを含んでいる。この圧力に基づいて必要とされる補正量は、線量コントローラによってイオン注入中に圧力ゲージから読み取られる。また、この補正量は、他のファクタの原因である処方選択可能なパラメータPCOMPにも関係する。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
これらのファクタのいくつかは、ハードウエハの構成(ポンプの大きさ及び数量、ポンプの配置、イオンゲージの配置)による。また他のファクタは、処方、即ち、イオン種、電荷状態、及びエネルギーに関わる。エネルギーに対するPCOMPの関係は、20KeV〜90KeVの範囲において影響する。しかし、一般的に、PCOMPは、個々の処方及び注入機によって決定すべきである。これらのパラメータは、圧力補償のために必要であり、非標準的な作動条件において、少なくとも4つの一群のテスト用ウエハをイオン注入することによって決定される。しかし、テスト用ウエハは高価である。更に、このようなテスト用ウエハへの注入及び測定では、製造ラインから取り除くことのできる注入システムが必要となり、その結果、生産性を低下させ、さらなる費用がかかることになる。それゆえ、イオン注入機において圧力補償ファクタを決定するための改良された方法及びシステムが必要となっている。
(発明の開示)
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明は、イオン注入システムに使用するための圧力補償ファクタを決定するための方法およびシステムを指向している。本発明の1つの形態によれば、この方法は、イオン注入システム内に、少なくとも1つのバンド領域を有するテスト用ワークピースを配置する工程と、初期予測値の圧力補償ファクタを与える工程を含んでいる。さらに、この方法は、イオン注入システムと前記初期予測値の圧力補償ファクタを用いて、テスト用ワークピースの少なくとも1つのバンド領域にイオンビームを注入するとともに、イオン注入システム内のイオンビーム電流と圧力を測定する工程を含んでいる。
【0013】
注入されたテスト用ワークピースに関連したシート抵抗が、次に測定され、そして、初期予測値の圧力補償ファクタ、測定されたシート抵抗、測定されたイオンビーム電流、測定された圧力、および所望のシート抵抗に従って圧力補償ファクタを決定する工程とを含んでいる。この方法は、補償ファクタを与えると共に、測定された圧力情報を用いて、1つのテスト用ワークピース又はウエハのみを用いて行うことができる。
【0014】
さらに補償ファクタの決定を改善するために、第1、第2のテスト用ワークピースが、このイオン注入システムに用いられ、第1、第2のテスト用ワークピースの各々は、少なくとも1つのバンド領域を有し、いずれか一方のワークピースは、フォトレジストを有し、他方のワークピースは、生の、何も被膜されていないウエハである。更に、本発明の方法は、初期予測値の圧力補償ファクタを仮定する工程と、前記イオン注入システムと前記初期予測値の圧力補償ファクタを用いて、前記第1、第2のテスト用ワークピースの少なくとも1つの前記バンド領域にイオンビームを注入するとともに、前記イオン注入システム内のイオンビーム電流と圧力を測定する工程とを含んでいる。
【0015】
前記注入された第1、第2のテスト用ワークピースのそれぞれに関連した第1、第2のシート抵抗が、次に測定され、そして、圧力補償ファクタは、前記初期予測値の圧力補償ファクタ、前記第1、第2の測定されたシート抵抗、前記測定されたイオンビーム電流、前記測定圧力、及び前記所望のシート抵抗に従って決定される。
【0016】
本発明の他の形態によれば、イオン注入システムにおいて使用する圧力補償ファクタを決定するシステムが設けられており、このシステムは、少なくとも1つのバンド領域を有するテスト用ワークピースと、前記イオン注入システムと前記初期予測値の圧力補償ファクタを使用しながら、イオンビームによってテスト用ワークピースの少なくとも1つのバンド領域にイオン注入する手段とを備えている。さらに、このシステムは、前記イオン注入システム内のイオンビーム電流と圧力を測定する手段と、前記イオン注入されたテスト用ワークピースと関連したシート抵抗を測定するための手段とを含んでいる。最後に、このシステムは、さらに、前記初期予測値の圧力補償ファクタ、前記測定されたシート抵抗、前記測定されたイオンビーム電流、前記測定された圧力、及び所望のシート抵抗に従って、圧力補償ファクタを決定するための手段を含んでいる。
【0017】
上述の及びこれに関連する目的を完成するために、本発明は、以下で十分に説明されており、特に、特許請求の範囲に記載された特徴を有している。以下の記載およびこれに付随する図面によって本発明の例示的構成が記載されている。しかし、これらの形態は、例示的なものであり、本発明の原理のために使用する種々の方法のいくつかに過ぎない。そして、本発明は、このような全ての構成および等価物を含むことを意図している。本発明の他の利点及び新規の特徴は、図面との関連で考えると本発明の次の詳細な説明から明らかになる。
【0018】
【発明の実施の形態】
本発明は、図面に関連して以下で説明される。ここで同一の参照符号は、全体を通して同一の部材に対して使用される。本発明は、イオン注入機に用いるための圧力補償ファクタを決定する方法及びシステムを提供する。
【0019】
図面において、図1Aおよび図1Bは、イオンビーム注入機10を示し、この注入機において、本発明の種々の形態が実行される。この注入機10は、L形状の支持体13に取り付けられてイオンを供給するイオン源12を有し、このイオンが、注入部、即ち、エンドステーション16へのビーム経路を移動するイオンビーム14を形成する。制御電子機器(図では、概略的に20で示す)は、イオン線量を監視しかつ制御するために設けられており、注入ステーション16の注入領域すなわちチャンバ22内に配置される複数の半導体ウエハのワークピース21(図1B)にイオン線量が受け入れられる。制御電子機器20へのオペレータ入力は、ユーザ用操作盤67を介して実行される。
【0020】
イオン源12のハウジングは、イオンビーム14を発生し、このイオンビームは、注入室22内で回転かつ並進するディスク支持体90上に配置されたウエハのワークピース21に衝突する。回転しかつ並進する支持体90は、従来公知のものであるが、本発明は、直列型のイオンビーム注入機に等しく利用できることは理解できるであろう。即ち、1つのイオンビーム注入機では、イオンビームが、固定のワークピースの表面上をスキャンするようになっている。イオンビームは、イオン源12と注入ステーション16との間の距離を移動するので、このイオンビーム14におけるイオンは、発散する傾向にある。イオン源12は、内部領域を形成するプラズマ室28を有し、この内部領域内にイオン源材料が噴射される。
【0021】
イオン源材料は、イオン化可能ガス又は気化したイオン源材料を含んでいる。固体形状のイオン源材料は、プラズマ室28内に噴射された蒸発器内に堆積される。n型半導体ウエハ材料が所望のものである場合、ボロン(B)、ガリウム(Ga),インジウム(In)が使用される。ガリウムとインジウムは、固体のイオン源材料である。一方、ボロンは、ガスとして、一般的に三フッ化ボロン(BF3)またはジボラン(B2H6)をプラズマ室28内に放出される。その理由は、ボロンの蒸気圧は、あまりに低すぎるので単純に固体のボロンを加熱することによって使用可能な圧力にすることができないからである。
【0022】
適当なイオン源材料により製造されるp型半導体材料の場合は、イオン源ガスとして、アルシン(AsH3)、ホスフィン(PH3)、および気化アンチモン(Sb)を含んでいる。このイオン源材料にエネルギーが加えられて、プラズマ室28内に正の電荷イオンが発生する。図1Bで見ることができるように、正の電荷イオンは、プラズマ室28の開放側を覆うカバープレート30に設けた楕円形状の円弧スリット29を通ってプラズマ室28から放出される。
【0023】
製造工程中、即ち、イオンビーム14が半導体ウエハのワークピース21に衝突してイオンが注入されるとき、イオンビーム14は、イオン源12から注入室22への真空通路を通って移動する。この注入室もまた真空状態に排気されている。ビーム通路の排気は、一対の真空ポンプ31からなる圧力調整システムによって与えられる。本発明に従って構成されるイオン源12は、「低エネルギーイオン注入機」として利用されるものである。この形式のイオン注入機におけるイオンビーム14は、ビーム経路にわたって拡散する傾向にあり、それゆえ、この注入機10は、イオン源12から注入室22への経路が比較的短く設計されている。
【0024】
プラズマ室28内のイオンは、プラズマ室のカバープレート30に設けた円弧スリット29を介して引き出され、そして、ビーム形成及び指向装置50によってイオン源12と注入ステーション16の間の距離を横断するイオンビーム14に形成される。このビーム形成及び指向装置50は、質量分析用の分解磁石34と一群の電極34を含んでいる。プラズマ室のイオンは、プラズマ室に隣接する一群の電極34によって、支持体24に固定された質量分析磁石32の方向に加速される。一群の電極34は、プラズマ室の内部からイオンを抽出して、これらのイオンを加速し、質量分析磁石32によって定められた領域内へ移動する。製造工程中、ビーム形成及び指向装置50によって形成される内部領域52(図1A)は、ポンプ31によって排気されている。
【0025】
イオンビーム14を作り上げるイオンは、イオン源12から質量分析磁石32によって作られる磁界内を移動する。質量分析磁石32によって作られる磁界の強さと方向は、磁石コネクタ40(図1A)に連結され、界磁巻線を通る電流を調節するための制御電子機器20によって制御される。
【0026】
質量分析磁石32によって、電荷率に対する適当な質量を有するイオンのみをイオン注入ステーション16に到達させる。プラズマ室28内のイオン源材料のイオン化によって、所望の原子量を有する、正に荷電したイオン種を発生する。しかし、所望のイオン種は、更にイオン化処理により、適当な原子量以外の質量を有するイオンも発生させる。適当な原子量よりも大きいまたは小さい原子量を有するイオンは、イオン注入には適さない。
【0027】
質量分析磁石32によって発生した磁界によって、イオンビーム14内のイオンは、湾曲した軌道内を移動する。制御電子機器20によって作られた磁界は、所望のイオン種の原子量に等しい原子量のイオンのみが、イオン注入ステーションの注入室22への湾曲軌道内を通過できるようにさせる。質量分析磁石32の下流には、分解プレート60(図1A)が配置されている。この分解プレート60は、例えば、ガラス質グラファイトから構成され、イオンビーム14内のイオンが通過できる伸長した開口を形成する。この分解プレート60では、イオンビームの分散、即ち、イオンビームの包絡線の幅を製造動作時の間、最小にする。
【0028】
分解プレート60は、質量分析磁石32と関連して機能し、所望のイオン種の原子量に対して、原子量が近いが同一でない不必要なイオン種をイオンビーム14から取り除く。上述したように、質量分析磁石の磁界の強さ及び方向は、制御電子機器20によって確定され、これにより、所望のイオン種の原子量に等しい原子量を有するイオンだけが、予め決められた、所望のビーム経路を通過して、イオン注入ステーションに達するようになる。好ましくないイオン種は、所望のイオン原子量よりも大きいか小さい原子量を有しており、大きく偏向して、ビームガイド36に衝突するか、または分解プレート60によって定められるスリットの境界外に衝突する。
【0029】
ビーム形成及び指向装置50は、また、従来技術において一般的に呼ばれている電子シャワーとしてのビーム中和器74を含む。プラズマ室28から引き出されるイオンは、正に荷電されている。このイオンに付加された正の電荷が、ウエハの注入の前に中和されない場合、ドープされるウエハは、正に荷電される。このようなウエハのワークピース上にある正の電荷は、好ましくない特性を呈する。
【0030】
ビーム中和器74の下流端に隣接して注入室22があり、この注入室では、半導体ウエハのワークピース21にイオンが注入される。この注入室内には、ディスク形状をした半導体ウエハ用のワークピース支持体90が支持されている。ウエハの処理されるべきワークピース21は、例えば、ウエハ支持体90の外縁近くに配置され、そして、このウエハ支持体は、モータ92によって比較的一定の角速度で回転する。モータ92の出力軸は、ベルト96によって支持体の駆動軸94に連結されている。ウエハのワークピースは、ほぼ円形経路内を回転するので、イオンビーム14は、ウエハのワークピースに衝突する。ステッピングモータ98は、リードスクリュ99を駆動して、ウエハ支持体90を垂直に上下動させる(図1Bにおいて、矢印Aで示す)。これにより、製造工程中、半導体ウエハの多数列をイオン注入することができる。ワークピース21によって受け入れられるイオン照射線量は、制御電子機器20の制御の下でウエハ支持体の移動速度によって決定される。イオン注入ステーション16は、柔軟なベローズ100によってビーム中和器ハウジング75に関して旋回可能である。
【0031】
イオン注入機10は、新しいイオンビーム照射線量制御アセンブリ65(図1B)を有する。この線量制御アセンブリ65は、2つのモードで機能する。即ち、較正モードと製造作業モードである。較正モードでは、較正回路56が、特定のテスト用ガスに対するK値と呼ばれる較正定数値を得るために用いられる。異なる較正K値は、製造作業中、予想される残留ガスの組成に従って異なるテスト用ガスに対する較正回路56によって計算することができる。製造作業中、照射線量の制御回路66は、1つまたはそれ以上のK値を用いて、ワークピース21によって受け入れられるイオン線量を正確に制御する。本質的に、照射線量制御回路66は、較正定数、即ち、K値を利用し、製造作業中、イオン注入プロセス上のイオンビーム内部領域52内に残留するガスの影響に対する補償を行う。
【0032】
較正モード中に選択されたテスト用ガスは、製造作業中に現れると予想される1つまたはそれ以上の残留ガスを反復するように設計されている。製造作業中、ポンプ31は、ビーム形成・指向装置の内部領域52を排気するが、一方で、残留ガスも残る。各残留ガスは、製造作業中、異なる方法で、イオン注入されるワークピースに衝突する。内部室52内での残留ガスの容積及び特性により、イオン注入における影響が重要である場合とそうでない場合とがある。残留ガスの予想される容積及び特性が、製造作業中に影響を与えるのに好ましいものである場合、このガスに対応するK値が計算され、そして前の較正動作中にメモリ58に保存される。さらに、この値は、イオン照射線量制御回路66によって用いられ、製造作業中のイオン注入における照射線量を制御する。
【0033】
照射線量制御アセンブリ65は、移動可能な制限プレート70を有する。この制限プレート70は、ファラデーフラッグ72の端部に取り付けられ、レバーアセンブリ78によってイオンビームライン内に出入り可能である。制限プレート70は、好ましくはガラス質グラファイトで作られ、また、ファラデーフラッグ72は、例えば、グラファイトを金属コート処理したもので、イオンビームラインの外側に配置されている。図1Bにおいて、制限プレート70は、イオンビームライン内にある。当業者であれば、制限プレート70の他の構成は、ファラデーフラッグ72に以外に取り付けることも可能であることが理解できるであろう。
【0034】
重要なことは、制限プレートが、ビームライン14内に選択的に出入りできることである。イオン注入機の較正モード時の作動中、イオンビームライン14内に制限プレートが移動するとき、イオンビーム14は、制限プレート70の開口を通って分解され、更に、制限プレート70がイオンビームライン内にあるとき、制限プレートは、ビーム形成・指向装置50の一部分に接触し、イオン注入機の内部領域52(図1A)内に2つのサブ領域を形成する。
【0035】
また、照射線量制御アセンブリ65は、イオンビーム電流測定装置、例えば、ファラデーケージまたはファラデーカップ110と、圧力測定装置、例えば、イオン注入室22に配置されるイオンゲージ114(図1B)を有する。さらに、照射線量制御アセンブリ65は、一対のガス流量ポンプ120,122(図1A)を有し、これらのポンプは、また圧力調整システムの一部を構成する。照射線量制御アセンブリ65は、また、較正回路56、メモリ58、圧力補償用の照射線量制御回路66、及びモータ制御システム68、を含み、これら全ては、制御回路20の一部を構成する。
【0036】
ファラデーカップ110は、ワークピース支持体90の背後に取り付けられ、イオンビーム電流Ifを測定するために用いられる。このビーム電流は、ワークピース支持体90内に形成されるスロット112を通過する。スロット112は、また、照射線量制御アセンブリ65の一部である。ファラデーカップ110は、半導体ウエハのワークピース21によって受け取られる有効なイオンビーム電流ITの一部分のみを測定する。イオンビーム14は、主に正のイオンからなり、ITで示される入射イオン電流を有する。ファラデーケージ110によって測定されるイオンビーム電流は、Ifで示される。主に、正のイオンビーム14と、内部領域52内の排気されたビームラインに沿って残っている残留ガスの原子との衝突によって、イオン種、イオンの速度及びイオンと共に通過するガスによって生じる確率に基づいて、正のイオンのいくつかに電子が付加されまたは取り除かれる。
【0037】
この結果、ワークピース21の注入表面での有効イオンビーム電流ITは、異なる電荷を有する成分をもっている。即ち、
IT=I0+I-+I++I+++・・・
ここで、I0=中性粒子からなるイオンビーム電流成分
I-=単一の負に荷電されたイオンからなるイオンビーム電流成分
I+=単一の正に荷電されたイオンからなるイオンビーム電流成分
I++=二重の正に荷電されたイオンからなるイオンビーム電流成分
これらのイオンビーム成分の各々は、ワークピース21のイオン注入のために有効であるが、ファラデーケージ110によって等しく測定されるわけではない。このファラデーケージのイオンビーム電流Ifは、負のイオンビーム電流成分I-と同様に、全ての正のイオンビーム電流成分I+、I++、I+++等を含んでいる。ファラデーケージのイオンビーム電流IfはI0を含まない。
【0038】
製造作業中でのイオン注入機の内部領域52内の残留ガスの主たる源は、イオンビーム中和器ハウジング74内に送り込まれたビーム中和ガスである。一般的に、これは、クセノンガスまたはアルゴンガスである。このビーム中和ガスは、イオンビーム14の荷電制御のために用いられる。イオン注入のために、ビーム中和ガスとして使用するのに適した他のガスも使用することができる。このようなイオン注入機10を、低ビームエネルギーで使用すると、より高い密度の半導体集積回路チップの生産が容易となり、ビーム中和用のガスは、イオン注入時でのイオン注入機の内部領域52内に現れる残留ガスの大部分を占めることになる。
【0039】
製造作業中のイオン注入機10において、このような低エネルギー型イオン注入機の内部領域内の残留ガスの第1または第2の最大容積を占めるものは、半導体ウエハのワークピース上に被膜されたフォトレジスト材料の蒸発から発生するガスであると思われる。イオンビームが、ワークピース表面上に衝突するとき、フォトレジスト材料は、蒸発または排気される。
【0040】
製造作業中、イオンビームの内部領域52中における残留ガスのそれほど多くない成分は、イオン源のプラズマ室28から排出されたイオン源ガスである。イオン源ガスは、プラズマ室28内に放射されかつイオン化される。一群の電極34は、直接正に荷電されたイオンを、プラズマ室を通ってカバーの円弧スリット29からイオンビームラインに沿って排出する。イオン源ガスの僅かな部分は、この円弧スリットから排出されて、イオンビーム注入機の内部領域中において、残留ガスの少量部分を占めることになるイオン源ガスの一般的な成分は、アルシン、ホスフィン、気化アンチモン、ジボラン、三フッ化ホウ素、気化ガリウム、および気化インジウムからなる。
【0041】
以下で説明するように、製造作業中に、予測される残留ガスの成分は、以下に基づいて決定される。即ち、(a)イオンビーム中和プロセスにおいて使用される中和ガスを知ること、(b)ワークピース21がフォトレジスト材料で被膜されているかどうかを知ること、(c)どのようなイオン源ガスまたはガスが使用されているかを知ること、である。較正は、実際の半導体ウエハにおけるワークピース21の代わりに、テスト用のワークピースを用いることにより実行され、不適当に注入されたワークピースを廃棄しなければならない費用を避けることができる。
【0042】
異なるK値は、各テスト用ガスに対して決定される。製造作業中に予想される残留ガスの成分が推定され、かつ各残留ガスに対して、そのガス成分の予想容積および特性が、製造作業中に十分であるかまたは補償されるかどうかについての決定が行われなければならない。即ち、各残留ガス成分に関して、そのガス成分がワークピース21の注入照射線量に影響を与えるかどうかを決定しなければならない。それゆえ、照射線量制御回路66によって引き受けられるこの補償プロセスにおけるガス成分が好ましいものであるようにしなければならない。
【0043】
予想される、重要な残留ガス成分に対するK値が、較正回路56によって計算されると、それはメモリ58に保存され、さらに、有効なイオンビーム電流ITを決定するために照射線量制御回路66によって利用される。この有効なイオンビーム電流ITは、イオン注入室22内の測定された圧力Pおよびファラデーケージのイオンビーム電流Ifに基づいた照射線量制御回路66によって計算される。イオンビーム電流Ifは、複数の半導体ウエハのワークピース21によって受け取られるイオンビームの照射線量を正確に制御するために照射線量制御回路66によって用いられる。予想される、重要な残留ガスに対する適当なK値が、較正回路56によってメモリ58に前もって保存されるならば、較正作業は、各製造作業に対して必要としないことがわかるであろう。
【0044】
本発明の形態によれば、圧力補償ファクタ、即ち、予想される重要な残留ガスに対するK値は、生のウエハおよびフォトレジスト膜を有してイオン注入されるウエハからのシート抵抗に関連させることによって決定することができる。イオンビームは、ウエハへのイオン注入中、処理室内に存在するガス粒子と相互作用することによって中和される。その結果、この中和による圧力補償は、適当な照射線量を分配することが望ましい。圧力補償に対して必要なパラメータは、種々の処方パラメータを用いて4つのモニタ用ウエハにイオン注入することによってこれまで決定されてきた。本発明は、1つまたは少ない数のイオン注入機を用いて、これらのファクタを正確に決定するための新しい方法を提供する。新しい方法は、イオン注入機及び後処理における系統的な誤差に対して、より寛大であり、迅速にかつ低コストで行える。この処理は、イオン注入機のための圧力補償ファクタの表をつくるためにも使用することができる。顧客側でのSPC全体に対する改善を提供する。
【0045】
最新のイオン注入機の照射線量システムは、ファラデーカップ(例えば、図1Bのファラデーカップ110)を用いて、複数のウエハに衝突するビームフラックスを推定する。通常の作業中、イオン注入機は、多種類の異なるガスが十分高い圧力下に満たされており、ビームの十分な中和化が達成されている。このビームの中和化により、ファラデーカップによってなされる照射線量の測定を難しくしている。供給されるガス源は、電荷を中和する制御装置から供給されるアルゴン、クセノンを含み、さらに、ビームを安定させるために抜き取られる漂遊ガス、水、およびイオンビームがウエハに衝突するときにフォトレジストからのアウトガスを含んでいる。
【0046】
上述したように、一群のイオン注入機は、圧力補償技術を用いてこの影響に対する実際の補正を有し、処理室からの圧力読取値がビーム中和化の補償ファクタによって評価し、ファラデーカップによる読取値を補正し、正確な照射線量測定を与える。これにより、イオン注入機は、何時でもイオン注入中のイオンフラックスを追跡でき、製品ウエハ上への照射線量のより均一化を達成できる。
【0047】
中和化の補償ファクタの正確な決定は、ビーム中和化に対する適切な補償が望ましい。これまで、この決定は、4つのテスト用ウエハを非標準、即ち、非生産形式での作動条件におけるイオン注入が要求されていた。しかし、テスト用ウエハは高価である。さらに、テスト用ウエハのイオン注入及び測定は、イオン注入システムの製造ラインを停止しなければならず、そのため生産を低下させかつ他の費用がかかる。本発明は、1つまたは2つのテスト用ウエハのみのイオン注入を用いて正確な圧力補償ファクタの決定を提供し、更に、イオン注入機において圧力補償ファクタを決定するための改良された方法及びシステムを提供する。
【0048】
本発明は、製造作業中単一のモニタ用ウエハを用いてビーム中和化のための圧力補償ファクタを推定することができる技術を提供する。本発明の方法は、標準の作業条件の下で2つのモニタ用イオン注入を用いて圧力補償ファクタの正確な測定を与える。一方、従来の技術では、一連の4つのテスト用ウエハを非標準、非製造の圧力補償設定(例えば、ゼロ補償及び最大補償)の下でイオン注入がなされる。
【0049】
図1A、1B及び図2において、荷電されたイオンが、ビームガイド(例えば、図1Aのビームガイド36)を通過するとき、イオンは、図2に説明するように、漂遊するガス分子と衝突して電荷交換をもたらす。イオンのある部分は、中和されるので、ファラデーカップ110によって測定されない。それゆえ、測定されたイオンビーム電流は、ウエハへの実際のドーパントフラックスに正確に反映していない。一般的に、1つの電荷交換反応は、他の全てに影響を与え、そのため、荷電されたイオンの割合が、供給されるガスの増加により指数関数的に減衰する。
【0050】
次式(1)は、ディスクでの実際のドーパントフラックス電流Idose を、測定された電流(Idisk)、イオンビームラインのある点での測定された圧力(P)、及び標準化されていない較正ファクタKの関数として予測する。
【0051】
Idose = Idiskexp(KP) (1)
ここで、Kは、Kファクタ、Pは、処理室内のイオンゲージに記録された圧力である。パラメータKは、Kファクタと呼ばれる。このKファクタは、再評価されてPcomp(圧力補償)ファクタとも呼ばれる。図2は、ボロンイオン150が、中性のクセノンガス152と電荷交換を行うことを図示するものであり、これにより、クセノンガス152からの負に荷電した電子154が、正のボロンイオン150を中和して中性のボロンイオン150aを作り出す。
【0052】
また、式(1)は、電荷交換反応がビームイオンに電子を付加する。単純化のために、以下の例では、単一ガスの中和作用を含むものとする。しかし、本発明は、多数のガスが存在するイオン注入に関連して補償パラメータの決定を行うものであることは理解できるであろう。例えば、式(1)は、多数のガスの影響を含むものとして修正することができる。
【0053】
図3Aにおいて説明するように、圧力およびファラデーカップによる電流の測定(例えば、図1Bのファラデーカップ110を介して実施される)は、イオン注入中、時間と共に変化する。図3Aの説明によると、室内の圧力は、ファラデーカップによって測定されたビーム電流に関係している。後に図5において、より詳細に図示されかつ説明されるように、ファラデーカップの電流測定と処理室またはエンドステーション(例えばエンドステーション16)における圧力変化の結果は、圧力補償をしないでイオン注入されたワークピースにおける空間シート抵抗の変化に帰着する。
【0054】
図3Bにおいて、グラフ170は、高電流イオン注入機のエンドステーションからの圧力及び電流データの例を示している。グラフ170のデータは、式(1)を用いるのに適しており、圧力補償モデルとなることを証明している。図3Bに示されたデータは、式(1)に従う指数関数に当てあまる。グラフ170における例示的なデータは、関数I=6.7exp(-2827P)に適合する。ここで、図示された例では、Kファクタは、2827であり、Pcomp=32. 7%である。
【0055】
図4において、実際の照射線量(Idose)を決定するために、式(1)に使用されるKファクタは、従来の「ライン交差方法 (crossing of lines method)」を用いて決定されてきた。グラフ180において図示されるように、2つのモニタ用イオン注入182a,182bは、それぞれ、異なるPcomp設定(例えば、それぞれ、0及び80)を用いて(例えば、図1A及び図1Bのイオンビーム注入機10)生のダミー用テストウエハのワークピースを用いて実行される(図示略)。2つのモニタ用イオン注入184a,184bは、フォトレジスト膜(PR)が被覆されたダミー用ウエハおよび異なるPcomp設定を用いて実行される。これに関して、補償値の0及び80は、両端を表し、一般的に、実際の状態を反映していないことに注意すべきである。各対の測定値を結んで直線が引かれ、その交点は、負荷されるガス(例えば、42.7%)に無関係に同一のシート抵抗を与えるPcomp設定の推定値である。このPcompから、Kファクタを決定することができ、また、式(1)を用いて、Idose を決定することができる。Idose が決定されると、照射線量の変更が実行される。
【0056】
図4で示された「ライン交差方法」は、4つのテスト用ウエハへのイオン注入と測定を必要とし、各ウエハは、かなり高価である。更にこのようなテスト用ウエハを4個イオン注入するための時間は、イオン注入システムにおいて、製造時間を遅らせこれに関連してコスト上昇を招くことになる。このように、ライン交差方法は、所望の圧力補償ファクタまたは複数のファクタの決定を得ることはできる。しかし、このような決定を達成する際の費用を減少させることが望ましい。さらに、ライン交差方法は、イオン注入中、(例えば、イオンを介する制御電子機器20における照射線量制御回路66または圧力ゲージ114によって)記録された圧力読取値を利用することを意図していない。本発明の発明者により認められているように、これらの圧力読取値は、本発明に従って僅かなイオン注入を用いてPcompファクタ(及びKファクタ)を決定するために有効に利用することができる。
【0057】
図5は、圧力補償をしないでイオン注入された熱処理後のウエハの一般的に81点のシート抵抗(Rs)を示している。図5において見られるように、いかなる補正もいない場合には、シート抵抗の空間均一性は低下する。本発明の方法は、圧力補償システムが付加される場合または圧力補償が変化する場合に起こるであろうウエハのシート抵抗マップに対する変化を予測するために、有効に使用することができる。
【0058】
本発明の構成によれば、これは、式(1)に記載のモデルとの組み合わせて、図6のグラフ192に示したイオン注入機からの記録された圧力読取値を使用することによって達成することができる。このグラフ192は、ウエハの中心が450mmにある場合の一般的なフォトレジスト(PR)インプラントのための圧力読取値を示している。
【0059】
本発明の構成によれば、ウエハのマップは、垂直バンドに分割される。各バンドに対する補正したシート抵抗Rsは、次式を用いて予測される。
Rs(predicted)=Rs(measured)
×[(ΣIimplantedexp(-KusedP)exp(KpredictedP)/(ΣIimplanted)]ζ
(2)
ここで、Pは、各記録された時間でのイオン注入機の圧力、Kusedは、イオン注入するために使用されるKファクタ、Kpredictedは、試行しようとするKファクタ、Iimplantedは、補正されたファラデーカップ電流、ζは、照射線量でのシート抵抗の非直線性に関係する照射線量感度ファクタ、Rs(predicted)は、イオン注入されたウエハに対する所望のシート抵抗、Rs(measured)は、テスト用ウエハの測定されたシート抵抗である。
【0060】
こうして、初期Kファクタ(例えば、Kused)は、仮定することができ、1つまたはそれ以上のテスト用ウエハをイオン注入するために用いられる。イオンビーム電流と処理室内の圧力が、テスト用ウエハの注入時に測定される。その後、テスト用ウエハまたはウエハのシート抵抗が測定される。この順次使用されるKファクタ(たとえば、Kpredicted)は、仮定のKファクタを、その測定値だけでなく所望のシート抵抗にも関連して決定される。例えば、(Kpredicted)は、初期仮定のKファクタ(Kused)と所望のシート抵抗(Rs(predicted))とともに、測定された圧力(P)、電流(Iimplanted)、及びシート抵抗(Rs(measured))を用いて、(Kpredicted)のための式(2)を解くことにより得ることができる。この代わりに、所望のシート抵抗(Rs(predicted))が得られるまで、種々の試行Kファクタ(Ktrial)が、式(2)(例えば、Kpredicted)に代入することができる。
【0061】
式(2)は、4つの基本ステップを表すことができる。各バンドのシート抵抗(Rs)は、イオン注入中に加えられた圧力修正Kファクタ(Kpredicted)を取り除くために最初に修正される。次に、初期試行Kファクタ(Ktrial)の影響が加えられる。圧力読取値(P)は、各読取値(Iimplanted)に対する現在のビーム電流によって重み付けされる。最後に、この修正は、照射線量感度ファクタζによって行われ、このファクタは、加えられる照射線量に伴うシート抵抗の非線形応答に対して補償するために用いられる。
【0062】
最適圧力補償のために使用するための最良のKファクタは、式(2)を用いることによって決定され、予測されるRsマップを推定する。こうして、Ktrialは、マップが目標基準(例えば、所望のシート抵抗Rs(predicted)に一致するように識別されるまで変化させることができる。例えば、1つの目標基準は、予測されたRsマップができるだけ均一になるように単純化することができる。この基準を用いると、1つのモニタ用又はテスト用のウエハをイオン注入しかつ処理することが必要になるだけであるので、ラインの交差方法及び他の先行技術に関連する費用及び時間を減少させることができる。
【0063】
図7A及び図7Bは、この技術の使用例を示している。図7Aにおけるウエハ200は、(例えば、図1Aおよび図1Bのイオン注入システム10において)圧力補償ファクタにおける大きな誤差がある場合に、30KeV電圧でボロンを用い、12フォトレジスト被膜されたダミーのウエハに対してイオン注入された。式(2)は、最も均一なシート抵抗を与えるために、予測されたKtrialの値を予測するのに用いられた。図7Bは、この予測を用いたシート抵抗マップを示す。その結果、1つのテスト用ウエハ200を用いて、次に注入されるウエハ202におけるシート抵抗の均一性における重要な改良がなされる。こうして、本発明は、4つのテスト用ウエハによって1つまたはそれ以上の圧力補償ファクタを決定するために必要とされた従来の技術を越える十分な利点を備えている。本発明の方法は、さらに得られた圧力補償ファクタを改善するために、1回または多数回繰り返すことができる。
【0064】
図7Bにおける結果は、従来の圧力補償ファクタの決定技術を越える重要な改良であり、単一のイオン注入方法によって、圧力補償、例えば、アニーリング、チャージング、又はチャネリングによって引き起こされない、シート抵抗の不均一性の原因を補うことができる。この方法は、さらに、後で詳細に説明するように、フォトレジスト被膜されたウエハの注入に対してもテスト用ウエハへの注入の補正を介してさらに改善される。
【0065】
上述したように、圧力補償の目標は、供給されるガスに無関係に同一の照射線量が確実に注入されることである。最良のKファクタを決定するのに使用できる、より強力なテストは、2つのモニター用、即ちテスト用ウエハをイオン注入することである。一方のウエハは、フォトレジスト膜があり、他方のウエハは、生の状態である。式(2)は、新しいKファクタを計算するために用いることができ、このKファクタは、2つのモニタ用ウエハのシート抵抗に最も適合する。
【0066】
図8において、テーブル表210a,210bは、本方法を用いて、典型的な結果(例えば、生のウエハおよびフォトレジスト被膜を有するウエハへのイオン注入における、それぞれの測定されたシート抵抗Rs)を示している。ここで、初期Kファクタ(例えば、Kused)は、それらの予測値(210a)から意図的にかけ離れている。一般的に、本方法では、容易に最良のKファクタにあわせることができる。これらのイオン注入は、高電流および/または他の形式のイオン注入機において設定されるイオンビームのイオン種及びエネルギーの関数として、較正ファクタのテーブル表を作るのに用いられる。
【0067】
本発明によれば、第1の較正作業(210b)後のイオン注入の結果は、生のウエハとフォトレジストを有するウエハとの間の照射線量の変化における一般的な減少を示している。ここで、照射線量の変化(shift)は、生のウエハとフォトレジストを有するウエハとの間のシート抵抗の均一性の指標である。こうして、大きな照射線量の変化は、均一性の欠如を示し、小さな照射線量の変化は、良好な、即ち改善された均一性を示す。図8に示す結果から明らかなように、照射線量の変化は、一般的に減少し、その結果、供給されるガスに無関係に各テスト用ウエハに加えられる照射線量が同一または同等であることを示す。付加的な反復を実行することができ、これにより、イオン注入されたウエハのシート抵抗の均一性を改善するために、更に、Kファクタ決定の更なる改善が達成される。
【0068】
図9において、イオン注入システムにおいて使用する圧力補償ファクタを決定するための典型的な方法300が示されている。この方法300は、初期予測された圧力補償ファクタが仮定される(例えば、式(2)におけるKused)ステップ302によって開始される。初期値Kusedは、一般的に、特定のイオン注入されるイオン種及び使用されるエネルギーのための一般的なKファクタに基づいて選択することができる。その後のステップ304では、テスト用ワークピースが、イオン注入システム(例えば、図1A及び図1Bのシステム10)においてイオン注入される。ステップ306において、イオン注入中、イオン注入室におけるイオンビーム電流と圧力(例えば、図1Bのファラデーカップ110及びイオン圧力ゲージ114を介して)が測定される。
【0069】
ステップ308において、テスト用ワークピースがイオン注入された後、ワークピースに関連したシート抵抗が測定される。ステップ310では、圧力補償ファクタ(例えば、式(2)のKpre dicted)が、所望のシート抵抗値(例えば、Rs(predicted))と同様に、イオン注入(例えば、Kused)で使用される、予め仮定された圧力補償ファクタ、測定されたテスト用ワークピースのシート抵抗Rs、イオンビーム電流(例えば、ファラデーカップ110を介して測定される)、及び圧力(例えば、ゲージ114を用いて測定される)に従って決定される。例えば、圧力補償ファクタは、上記に図で説明されかつ記載されたように、式(2)にしたがって決定される。
【0070】
本発明の別の形態によれば、2つのテスト用ワークピースの測定されたシート抵抗は、圧力補償ファクタを決定する場合に考慮される。図10において、圧力補償ファクタを決定するための別の例示的な方法400が示されている。ステップ402から始めて、初期予測される圧力補償ファクタが仮定される。その後、ステップ404において、第1、第2のテスト用ワークピースが、予測された圧力補償ファクタを用いて、イオン注入システム(例えば、図1A及び図1B)においてイオン注入される。第1、第2のワークピースの一方は、生のウエハであり、ワークピースの他方は、フォトレジスト被膜を有している。
【0071】
イオン注入中、イオン注入室におけるイオンビーム電流および圧力が、ステップ406において測定される。第1、第2のテスト用ワークピースがイオン注入された後、第1、第2のテスト用ワークピースにそれぞれ関連する各シート抵抗は、ステップ408で測定される。ステップ410では、圧力補償ファクタが、予測された圧力補償ファクタ、測定された第1、第2のテスト用ワークピースのシート抵抗、イオンビーム電流、圧力、及び所望のシート抵抗値に従って決定される。例えば、圧力補償ファクタは、上述したように、式(2)に従って決定することができる。
【0072】
本発明の方法は、種々のイオン注入機で用いるKファクタを測定するのに使用することができる。この方法は、前の「ライン交差方法」および他の従来技術のものよりもより少ないウエハのイオン注入によってKファクタを正確に得ることができる。
【0073】
この方法を選択することにより、このような注入機のためのファクトリー較正テーブル表を生成することができる。この方法は、さらに、製造設備において見出されるいくつかのツールから多量のデータサンプル収集しかつ処理に関連する分野において使用することもできる。さらに、本発明は、上述した方法を実行するためのソフトウエア製品を含んでいる。
【0074】
本発明を或る用途及び実施に対して図示して説明してきたが、この明細書と添付された図面とを読んで理解すると他の同業者にも同等の変更や修正ができるものと認識することができる。特に上述の構成要素(アセンブリ、装置、回路、システム等)によって実行される種々の機能に関して、そのような構成要素を説明するために使用される用語(「手段」に対する参照を含めて)は、他に表示されていなければ、たとえ開示された構成に構造的に同等でなくても本発明のここで図示された例示的実施においてその機能を果たすものであれば、説明された構成要素の特定された機能を実行する(即ち、機能的に同等である)いずれかの構成要素に相当するものと意図されている。
【0075】
更に、本発明の特定の特徴が幾つかの実施の内のただ一つに対して開示され得てきたようであるが、そのような特徴は、いずれかの或る又は特定の用途にとって望ましくかつ有利な他の実施形態における一つ以上の特徴と組み合わされ得るものである。更に、「含む」、「含んでいる」、「有する」、「有している」及びそれらの変形が詳細な説明か特許請求の範囲のいずれかで使用されている限り、これらの用語は、用語の『構成されている』と同様に包含されるものであると理解すべきである。
【0076】
(産業上の利用可能性)
本発明のシステム及び方法は、イオン注入機における照射線量の制御用としての圧力補償ファクタを与えるために、イオンビーム処理の分野で使用され得るものである。
【図面の簡単な説明】
【図1A】 図1Aは、本発明のイオンビーム注入機の概略上面図である。
【図1B】 図1Bは、図1Aのイオンビーム注入機の選択された部品における概略斜視図である。
【図2】 図2は、中性クセノンガスを用いてボロンイオンの電荷変換を示す模式図である。
【図3A】 図3Aは、時間に対する注入圧力とファラデー電流の関係を示す図である。
【図3B】 図3Bは、ビーム電流対圧力を示すグラフ図である。
【図4】 図4は、圧力補償ファクタを決定するためのライン交差法を示す説明図である。
【図5】 図5は、圧力補償を用いない注入における、ウエハのシート抵抗マップを示す上面図である。
【図6】 図6は、圧力対スキャン位置を示す説明図である。
【図7A】 図7Aは、システム較正前のウエハのシート抵抗マップを示す上面図である。
【図7B】 図7Bは、システム較正後のウエハのシート抵抗マップを示す上面図である。
【図8】 図8は、生のモニタ用ウエハおよびフォトレジスト被膜されたモニタ用ウエハへのイオン注入による各シート抵抗をマッチングさせる2つのイオン注入の較正から得られる試験結果を示す図表である。
【図9】 図9は、本発明に従う典型的な方法を示すフローチャート図である。
【図10】 図10は、本発明に従う別の典型的な方法を示すフローチャート図である。
Claims (27)
- イオン注入システムに使用するための圧力補償ファクタの決定方法であって、
前記イオン注入システム(10)内に、少なくとも1つのバンド領域を有するテスト用ワークピース(21)を配置する工程と、
初期予測値の圧力補償ファクタ(Kused)を与える工程(302)と、
前記イオン注入システム(10)と前記初期予測値の圧力補償ファクタ(Kused)を用いて、前記テスト用ワークピース(21)の少なくとも1つの前記バンド領域にイオンビームを注入するとともに、前記イオン注入システム(10)内のイオンビーム電流(Iimplanted)と圧力(P)を測定する工程(304,306)と、
前記注入されたテスト用ワークピース(21)に関連したシート抵抗(Rs(measured))を測定する工程(308)と、
前記初期予測値の圧力補償ファクタ(Kused)、前記測定されたシート抵抗(Rs(measured))、前記測定されたイオンビーム電流(Iimplanted)、前記測定された圧力(P)、および所望のシート抵抗に従って、予測される新たな圧力補償ファクタ(Kpredicted)を決定する工程(310)とを含むことを特徴とする方法。 - 前記初期予測値の圧力補償ファクタ(Kused)を与える工程(302)は、テスト用ワークピース(21)をイオン注入するために用いられるイオン種に基づく前記圧力補償ファクタを推定することを含んでいる請求項1記載の方法。
- 前記イオン注入システム(10)と前記初期予測値の圧力補償ファクタ(Kused)を用いて、テスト用ワークピース(21)の少なくとも1つの前記バンド領域にイオンビームを注入する工程(304)は、
前記初期予測値の圧力補償ファクタ(Kused)、前記測定されたイオンビーム電流(I implanted )及び圧力(P)を用いて前記テスト用ワークピース(21)に予測される実際のドーパントフラックスを計算し、
この計算された予測値の実際のドーパントフラックス(Idose)に基づいて前記テスト用ワークピース(21)におけるイオン照射線量を変える、各ステップを有することを特徴とする請求項1記載の方法。 - イオン照射線量を変えるステップは、イオン注入システム(10)の低スキャン速度を変えるステップからなり、これにより、テスト用ワークピース(21)がイオンビーム(14)を横切ってスキャンされる速度を変えることを特徴とする請求項3記載の方法。
- 前記テスト用ワークピース(21)における、予測される実際のドーパントフラックスを計算するステップは、次の式:
Idose =Idiskexp(KP)
ここで、Idoseは、予測される実際ドーパントフラックス、Idiskは、測定されたイオンビーム電流、Pは測定圧力、Kは初期予測値の圧力補償ファクタ(Kused)、を用いるステップを含んでいることを特徴とする請求項3記載の方法。 - 圧力補償ファクタを決定する工程(310)は、
(a) 試行用の圧力補償ファクタ(Ktrial)、初期予測値の圧力補償ファクタ(Kused)、測定されたシート抵抗(Rs(measured))、測定されたイオンビーム電流(I(implanted))、及び測定圧力(P)を照射線量アルゴリズムに入力して得られるシート抵抗を求め、
(b) この得られたシート抵抗を所望のシート抵抗と比較し、
(c) 前記得られたシート抵抗(Rs(measured))が所望のシート抵抗から所定量異なる場合、この比較に基づく試行用の圧力補償ファクタ(Ktrial)を修正し、
(d) 前記得られたシート抵抗(Rs(measured))が前記所望のシート抵抗の所定量以内となるまでステップ(a)〜(c)を繰り返し、
(e) 前記ステップ(d)の修正した試行用の圧力補償ファクタ(Ktrial)を、イオン注入システムに用いるための圧力補償ファクタとして用いる、各ステップを有することを特徴とする請求項1記載の方法。 - 前記照射線量アルゴリズムは、次式
Rs(predicted)=Rs(measured)
×[(ΣIimplantedexp(−KusedP)exp(KpredictedP)/ΣIimplanted]ζ
ここで、Pは、イオン注入システムにおける測定された圧力、Kusedは、初期試行の圧力補償ファクタ、Kpredictedは、修正した試行圧力補償ファクタ、Iimplantedは、測定されたビーム電流、ζは、照射線量に対するシート抵抗の非直線性に関係する照射線量感度ファクタ、Rs(measured)は、テスト用ワークピースの測定されたシート抵抗、Rs(predicted)は、所望のシート抵抗、からなることを特徴とする請求項6記載の方法。 - 圧力補償ファクタを決定する工程(310)は、
試行用圧力補償ファクタ(Ktrial)を照射線量アルゴリズムに入力し、
前記圧力補償ファクタのために前記照射線量アルゴリズムを、所望のシート抵抗Rs(predicted)について解く、各ステップを有することを特徴とする請求項1記載の方法。 - 前記照射線量アルゴリズムは、次式
Rs(predicted)=Rs(measured)
×[(ΣIimplantedexp(−KusedP)exp(KpredictedP)/ΣIimplanted]ζ
ここで、Pは、イオン注入システムにおける測定された圧力、Kusedは、初期試行の圧力補償ファクタ、Kpredictedは、修正した試行圧力補償ファクタ、Iimplantedは、測定されたビーム電流、ζは、照射線量に対するシート抵抗の非直線性に関係する照射線量感度ファクタ、Rs(measured)は、テスト用ワークピースの測定されたシート抵抗、Rs(predicted)は、所望のシート抵抗、からなることを特徴とする請求項8記載の方法。 - イオン注入システム(10)におけるイオンビーム電流(Iimplanted)、及び圧力(P)を測定しながら、イオン注入システム(10)と初期予測値の圧力補償ファクタ(Kused)を用いて、テスト用ワークピース(21)のマルチバンド領域にイオン注入する工程(304)と、
前記バンド領域の各々に対して注入されたテスト用ワークピース(21)に関連するシート抵抗(Rs(measured))を測定する工程(308)と、
前記初期予測値の圧力補償ファクタ(Kused)、前記測定されたシート抵抗(Rs(measured))、前記測定されたイオンビーム電流(Iimplanted)、前記測定された圧力(P)、及び前記所望のシート抵抗を用いて、所定の目標基準に基づく全ての前記バンド領域に対する集合的な圧力補償ファクタ(Kpredicted)を決定する工程(310)とを更に含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。 - 前記所定の目標基準は、前記バンド領域間で均一なシート抵抗の最大値からなることを特徴とする請求項10記載の方法。
- イオン注入システムにおいて使用する圧力補償ファクタの決定方法であって、
前記イオン注入システム(10)内に、各々が少なくとも1つのバンド領域を有し、かつ一方がワークピース全体にフォトレジスト膜を有し、他方がフォトレジスト膜を含まないようにした、第1、第2のテスト用ワークピース(21)を配置する工程と、
初期予測値の圧力補償ファクタ(Kused)を与える工程(402)と、
前記イオン注入システム(10)と前記初期予測値の圧力補償ファクタ(Kused)を用いて、前記第1、第2のテスト用ワークピース(21)の少なくとも1つの前記バンド領域にイオンビームを注入するとともに、前記イオン注入システム(10)内のイオンビーム電流(Iimplanted)と圧力(P)を測定する工程(404,406)と、
前記注入された第1、第2のテスト用ワークピース(21)のそれぞれに関連した第1、第2のシート抵抗(Rs(measured))を測定する工程(408)と、
前記初期予測値の圧力補償ファクタ(Kused)、前記第1、第2の測定されたシート抵抗(Rs(measured))、前記測定されたイオンビーム電流(Iimplanted)、前記測定圧力(P)、及び前記所望のシート抵抗に従って、新たな圧力補償ファクタ(Kpredicted)を決定する工程(410)とを含むことを特徴とする方法。 - フォトレジスト膜を含まない前記第1、第2のテスト用ワークピース(21)の他方は、生のテスト用ワークピースであることを特徴とする請求項12記載の方法。
- 初期予測値の圧力補償ファクタ(Kused)を与える工程(402)は、第1、第2のテスト用ワークピース(21)をイオン注入するために用いられる注入イオン種に基づく前記圧力補償ファクタを評価するステップを含んでいることを特徴とする請求項12記載の方法。
- 前記イオン注入システム(10)と前記初期予測値の圧力補償ファクタ(Kused)を用いて、前記第1、第2のテスト用ワークピース(21)の少なくとも1つの前記バンド領域にイオンビームを注入する工程(404)は、
前記初期予測値の圧力補償ファクタ(Kused)、前記測定されたイオンビーム電流(Iimplanted)、及び前記圧力(P)を用いて、前記第1、第2のテスト用ワークピース(21)での予測される実際のドーパントフラックスを計算し、
この計算された予測値の実際のドーパントフラックスに基づいて前記第1、第2のテスト用ワークピース(21)におけるイオン照射線量を変える、各ステップを有することを特徴とする請求項12記載の方法。 - イオン照射線量を変えるステップは、イオン注入システム(10)の低速のスキャン速度を変えることからなり、これにより、前記第1、第2のテスト用ワークピース(21)がイオンビーム(14)を横切ってスキャンする場合の速度を変化させることを特徴とする請求項15記載の方法。
- 前記第1、第2のテスト用ワークピース(21)予測される実際のドーパントフラックスを計算するステップは、次の式:
Idose = Idiskexp(KP)
ここで、Idoseは、予測される実際ドーパントフラックス電流、Idiskは、測定されたイオンビーム電流、Pは、測定された圧力、Kは、初期予測値の圧力補償ファクタ(Kused)、を用いるステップを含んでいることを特徴とする請求項15記載の方法。 - 前記圧力補償ファクタを決定する工程(410)は、
(a) 試行用の圧力補償ファクタ(Ktrial)、初期予測値の圧力補償ファクタ(Kused)、測定されたシート抵抗(Rs(measured))、測定されたイオンビーム電流(I(implanted))、及び測定された圧力(P)を照射線量アルゴリズムに入力し、そして、前記第1、第2のテスト用ワークピース(21)の両方に対して得られるシート抵抗を求め、
(b) 前記第1、第2のテスト用ワークピース(21)の間の照射線量のシフトを決定し、
(c) 前記照射線量のシフトが所定量を越える場合、予め決められた照射線量のシフトに基づいた試行用の圧力補償ファクタ(Ktrial)を修正し、
(d) 前記予め決められた照射線量のシフトが前記所定量以内となるまでステップ(a)〜(c)を繰り返し、
(e) 前記ステップ(d)の修正した試行用の圧力補償ファクタ(Ktrial)を、イオン注入システム(10)に用いるための圧力補償ファクタとして用いる、各ステップを有することを特徴とする請求項12記載の方法。 - 前記照射線量アルゴリズムは、次式
Rs(predicted)=Rs(measured)
×[(ΣIimplantedexp(−KusedP)exp(KpredictedP)/ΣIimplanted] ζ
ここで、Pは、イオン注入システムにおける測定された圧力、Kusedは、初期の試行圧力補償ファクタ、Kpredictedは、修正した試行圧力補償ファクタ、Iimplantedは、測定されたビーム電流、ζは、照射線量に対するシート抵抗の非直線性に関係する照射線量感度ファクタ、Rs(measured)は、テスト用ワークピースの測定されたシート抵抗、Rs(predicted)は、所望のシート抵抗、からなることを特徴とする請求項18記載の方法。 - 前記圧力補償ファクタを決定する工程(410)は、
試行用圧力補償ファクタ(Ktrial)を照射線量アルゴリズムに入力し、
前記圧力補償ファクタのために前記照射線量アルゴリズムを、所望のシート抵抗(Rs(predicted))について解く、各ステップを有することを特徴とする請求項12記載の方法。 - 前記照射線量アルゴリズムは、次式
Rs(predicted)=Rs(measured)
×[(ΣIimplantedexp(−KusedP)exp(KpredictedP)/ΣIimplanted]ζ
ここで、Pは、イオン注入システムにおける測定された圧力、Kusedは、初期の試行圧力補償ファクタ、Kpredictedは、修正した試行圧力補償ファクタ、Iimplantedは、測定されたビーム電流、ζは、照射線量に対するシート抵抗の非直線性に関係する照射線量感度ファクタ、Rs(measured)は、テスト用ワークピースの測定されたシート抵抗、Rs(predicted)は、所望のシート抵抗、からなることを特徴とする請求項20記載の方法。 - イオン注入システム(10)におけるイオンビーム電流(I(implanted))、及び圧力(P)を測定しながら、イオン注入システム(10)と初期予測値の圧力補償ファクタ(Kused)を用いて、第1、第2のテスト用ワークピース(21)のマルチバンド領域にイオン注入する工程(404)と、
前記バンド領域の各々に対して注入された第1、第2のテスト用ワークピース(21)に関連するシート抵抗を測定する工程(408)と、
前記第1、第2のテスト用ワークピース(21)の各々に対する、前記初期予測値の圧力補償ファクタ(Kused)、前記測定されたシート抵抗(Rs(measured))、前記測定されたイオンビーム電流(I(implanted))、前記測定された圧力(P)、及び前記所望のシート抵抗を用いて、所定の目標基準に基づく全ての前記バンド領域に対する集合的な圧力補償ファクタ(Kpredicted)を決定する工程(410)とを更に含んでいることを特徴とする請求項12記載の方法。 - 前記所定の目標基準は、前記バンド領域間で均一なシート抵抗の最大値からなることを特徴とする請求項22記載の方法。
- イオン注入システムにおいて使用する圧力補償ファクタを決定するシステムであって、
少なくとも1つのバンド領域を有するテスト用ワークピース(21)と、
圧力補償ファクタを用いるイオンビームによってワークピース(21)にイオン注入するように操作可能なイオン注入サブシステム(10)と、
前記ワークピース(21)に関連するイオンビーム電流を測定するイオンビーム電流検出器(110)と、
イオン注入中に、前記ワークピース(21)に関連する圧力を測定するように操作可能な圧力検出器(114)と、
前記圧力補償ファクタに基づいたイオンビーム(14)を横切る前記ワークピース(21)のスキャン速度を制御するために操作可能なモータ制御システム(68)と、
前記ワークピースに関連した1つまたはそれ以上のシート抵抗特性を測定するために操作可能な抵抗測定システムとを含み、
前記圧力補償ファクタは、測定された圧力と測定されたイオンビーム電流の相関関係によって決まり、かつ1つまたはそれ以上のシート抵抗特性の関数であることを特徴とするシステム。 - 圧力補償ファクタは、また、所望のシート抵抗特性の関数であることを特徴とする請求項24記載のシステム。
- イオン注入システムにおいて使用する圧力補償ファクタを決定するシステムであって、
少なくとも1つのバンド領域を有するテスト用ワークピース(21)と、
前記イオン注入システム(10)と初期予測値の圧力補償ファクタを使用しながら、イオンビーム(14)によってテスト用ワークピース(21)の少なくとも1つのバンド領域にイオン注入する手段(12)と、
前記イオン注入システム内のイオンビーム電流(110)と圧力(114)を測定する手段と、
前記イオン注入されたテスト用ワークピース(21)と関連したシート抵抗を測定するための手段と、
前記初期予測値の圧力補償ファクタ、前記測定されたシート抵抗、前記測定されたイオンビーム電流、前記測定された圧力、及び所望のシート抵抗に従って、圧力補償ファクタを決定するための手段(56,57)とを含むことを特徴とするシステム。 - イオン注入システムにおいて使用する圧力補償ファクタを決定するシステムであって、
各々が少なくとも1つのバンド領域を有し、かつ一方がフォトレジスト膜を有し、他方が生のワークピースである、第1、第2のテスト用ワークピース(21)と、
前記イオン注入システム(10)と初期予測値の圧力補償ファクタを使用しながら、イオンビーム(14)によって第1、第2のテスト用ワークピース(21)の少なくとも1つのバンド領域にイオン注入する手段(12)と、
前記イオン注入システム内のイオンビーム電流(110)と圧力(114)を測定する手段と、
前記イオン注入された第1、第2のテスト用ワークピース(21)と関連した第1、第2のシート抵抗を測定するための手段と、
前記初期予測値の圧力補償ファクタ、前記測定された第1、第2のシート抵抗、前記測定されたイオンビーム電流、前記測定された圧力、及び所望のシート抵抗に従って、圧力補償ファクタを決定するための手段(56,57)とを含むことを特徴とするシステム。
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