JP5560036B2 - イオン注入装置におけるビーム角調節 - Google Patents
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Description
本発明は、概して、イオン注入装置に関するものであり、より具体的には、イオン注入装置におけるビーム角の調節に関するものである。
イオン注入装置とは、集積回路製造において、半導体基板に不純物をドープすることに利用される装置である。このような装置では、ドーパント材料がイオン化されて、当該装置からイオンビームが発生する。イオンビームは、半導体ウエハまたはワークピースの表面に当てられ、当該ウエハにイオンを注入する。例えば、トランジスタ製造などにおいて、イオンビームはウエハの表面に侵入して、そこに所望の伝導性を有する領域を形成する。典型的なイオン注入装置は、イオンビームを発生させるためのイオン源、ビーム内にイオンを誘導および/または選別(例えば質量分析)するための質量分析器を備えるビームラインアセンブリ、ならびに、処理される1つ以上のウエハまたはワークピースを収容する標的チェンバを備えている。
以下では、本発明のいくつかの様態の基本的な理解を提供するために、本発明の簡単な要約について記載する。この要約は本発明の広範囲な概説ではない。本発明の要所や重大な要素を特定することも、本発明の範囲を線引きすることも意図していない。むしろ、主要な目的は、後述されるより詳しい説明の前触れとして、単に簡単に本発明の1つ以上のコンセプトを提供することにある。
図1は、結晶格子構造の一部の例を示す斜視図であり、イオンビームが上記格子構造の面に対して略平行なように上記格子構造に向けられることを示す図である。
本発明の1つ以上の態様は、図面を参照して説明される。本明細書において、同様の参照番号は、通常、同様の要素を参照するのに用いられる。また、様々な構造は、必ずしも原寸に比例して描かれているとは限らない。以下の記載では、説明の目的上、本発明の1つ以上の態様についての十分な理解を提供するために、多数の具体的な詳細が説明される。しかしながら、当業者にとって、本発明についての1つ以上の態様は、これら具体的な詳細よりも少ない度合いによって実行されるだろうことは明らかである。また、本発明の1つ以上の態様についての説明を容易にするために、周知の構造および装置をブロック図の形式で示している。
Claims (7)
- イオンビームを発生するための要素、ステアリング要素、スキャン要素、およびエンドステーションを備えるイオン注入装置における注入角度を補正する方法であって、
イオン注入装置にイオンビームを発生させる工程と、
上記ビームによってイオンが注入されるワークピースの機械表面に対する上記イオンビーム、および、上記装置において、上記イオンビームの電流密度を測定するために、上記エンドステーションに位置する線量測定系が用いられたビーム診断の較正基準に対する上記イオンビームのうち、少なくとも一方のビームの注入角度分布を決定する工程と、
上記線量測定系からのフィードバックに基づき、上記角度が許容範囲にあるか否かを決定する工程と、
上記角度が許容範囲にない場合に、上記スキャン要素のスキャン頂点に上記ビームを方向付けるために、上記ステアリング要素へのステアリング電圧を調節することによって上記ビームの角度を補正する工程とを備えている方法。 - 上記注入角度分布から平均角度を決定する工程と、
上記平均角度が許容範囲にあるか否かを決定する工程とを、さらに備えていえることを特徴とする、請求項1に記載の方法。 - イオンビームを発生させる部品と、
上記イオンビームを質量分析する部品と、
スキャン要素と、
上記スキャン要素の下流に配置され、かつ、上記スキャン要素によってスキャンされた上記イオンビームを平行化するよう構成された平行化部品の焦点に、質量分析された上記イオンビームを向けるステアリング部品と、
上記平行化部品の下流に配置され、かつ、上記イオンビームによってイオンを注入されるワークピースを支持するように構成されたエンドステーションとを備え、
上記エンドステーションは、制御系と操作可能に連結された線量測定系を備えており、
上記線量測定系は、上記イオンビームのビームプロファイルを取得するように動作可能であり、
上記制御系は、上記ビームプロファイルに基づいて、ステアリング要素を制御するように動作可能であることを特徴とするイオン注入装置。 - 上記ステアリング部品は、少なくとも1対の電極を備えている、請求項3に記載の装置。
- 上記ステアリング部品は、少なくとも1対の静電偏向板を備えている、請求項3に記載の装置。
- 上記線量測定系は、上記ワークピースの機械表面に対する上記イオンビーム、および、ビーム診断器の較正基準に対する上記イオンビームのうち、少なくとも一方のビームの注入角度分布を測定するよう構成されていることを特徴とする、請求項3〜5のいずれか1項に記載の装置。
- 上記制御系は、イオンビームを質量分解するための要素と動作可能なように連結していることによって、当該要素が発生した磁場の強さおよび方向を調節可能であることを特徴とする、請求項3〜6のいずれか1項に記載の装置。
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