JP2012518861A - 集積回路のためのオンチップ電圧変換装置およびシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 集積回路のためのオンチップ電圧変換装置は、第1のキャパシタと、この第1のキャパシタの第1の電極を第1の電圧ドメインの低側電圧レールに選択的に結合するように構成された第1のNFETデバイスと、第1のキャパシタの第1の電極を第1の電圧ドメインの高側電圧レールに選択的に結合するように構成された第1のPFETデバイスと、第1のキャパシタの第2の電極を第2の電圧ドメインの低側電圧レールに選択的に結合するように構成された第2のNFETデバイスであって、第2の電圧ドメインの低側電圧レールが第1の電圧ドメインの高側電圧レールに対応する、第2のNFETデバイスと、第1のキャパシタの第2の電極を第2の電圧ドメインの高側電圧レールに選択的に結合するように構成された第2のPFETデバイスと、を含む。
【選択図】 図2
Description
によって制御されるように)V2とV1との間のキャパシタC1を結合するように構成されている。電圧のダウン・コンバートにおいて、V2>2*V1である。SW3およびSW4を閉じることによって、キャパシタC1はC1の両端の電圧差レベルが値(V2−V1)へと充電される。SW1およびSW2を閉じることによって、キャパシタV1はC1の両端の電圧差レベルが値(V1−GND)へと充電される。従って、C1の両端の電圧差は、V1の値と値(V2−V1)との差に相当する比較的小さい範囲で変化し、これが高電圧変換効率につながる。例えば、V1が0.95ボルト(V)でV2が2.0Vである場合、C1の両端の電圧は0.95Vと1.05Vとの間でスイッチングし、95%という固有の変換効率が得られる。
ここで、tpおよびtnはそれぞれPFETおよびNFETがオンである時間であり、tdは全てのFETがオフである不感時間であり、Rp1、Rp2、Rn1、およびRn2は対応するFETのオン抵抗である。
Claims (15)
- 集積回路のためのオンチップ電圧変換装置であって、
第1の深いトレンチ・キャパシタと、
前記第1のキャパシタの第1の電極を第1の電圧ドメインの低側電圧レールに選択的に結合するように構成された第1のNFETデバイスと、
前記第1のキャパシタの前記第1の電極を前記第1の電圧ドメインの高側電圧レールに選択的に結合するように構成された第1のPFETデバイスと、
前記第1のキャパシタの第2の電極を第2の電圧ドメインの低側電圧レールに選択的に結合するように構成された第2のNFETデバイスであって、前記第2の電圧ドメインの前記低側電圧レールが前記第1の電圧ドメインの前記高側電圧レールに対応する、前記第2のNFETデバイスと、
前記第1のキャパシタの前記第2の電極を前記第2の電圧ドメインの高側電圧レールに選択的に結合するように構成された第2のPFETデバイスと、
を含み、前記第1および第2のNFETおよびPFETデバイスがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)基板上に形成されている、前記装置。 - 前記第1の電圧ドメイン全域の電圧差に対応する第1の大きさと前記第2の電圧ドメイン全域の電圧差に対応する第2の大きさとの間で前記第1のキャパシタを充電および放電させるように、前記第1および第2のNFETおよびPFETデバイスに対する動作信号を印加する、請求項1に記載の装置。
- ダウン・コンバート・モード動作においては、前記第2の電圧ドメインの前記高側電圧レールV2が入力電圧であり、前記第1の電圧ドメインの前記高側電圧レールV1が出力電圧であり、V2>2*V1である、請求項1に記載の装置。
- アップ・コンバート・モード動作においては、前記第1の電圧ドメインの前記高側電圧レールV1が入力電圧であり、前記第2の電圧ドメインの前記高側電圧レールV2が出力電圧であり、V2<2*V1である、請求項1に記載の装置。
- 前記第1および第2のNFETおよびPFETデバイスに対する前記動作信号が、NFETデバイスおよびPFETデバイスの同時導通を防ぐように印加される、請求項2に記載の装置。
- 出力電流が前記動作信号のスイッチング周波数に比例する、請求項2に記載の装置。
- 前記第1のNFETおよびPFETデバイスのゲート端子が前記第1の電圧ドメイン内で全て動作し、
前記第2のNFETおよびPFETデバイスのゲート端子が前記第2の電圧ドメイン内で全て動作する、請求項1に記載の装置。 - 前記第1のキャパシタに直列の1つ以上の追加のキャパシタと、
名目上N電圧単位の電圧レベルをM電圧単位の電圧レベルに、およびその逆に変換する電圧コンバータを規定するように、各1つ以上の追加のキャパシタごとに1つ以上の追加の電圧ドメインに関連付けられた1つ以上の追加のNFETおよびPFETデバイス対と、
を更に含み、NがNFETおよびPFETデバイス対の合計数を表し、N−1がキャパシタの合計数を表し、1≦M≦N−1である、請求項1に記載の装置。 - 各電圧ドメインにおける前記NFETおよびPFETデバイス対が、第1の大きさと第2の大きさとの間で前記関連付けられたキャパシタを充電および放電するように制御され、前記装置のX番目のキャパシタについて、前記第1の大きさがX番目の電圧ドメイン全域の電圧差に対応し、前記第2の大きさが(X+1)番目の電圧ドメイン全域の電圧差に対応する、請求項8に記載の装置。
- 前記NFETおよびPFETデバイスが、NFETデバイスおよびPFETデバイスの同時導通を防ぐように動作される、請求項9に記載の装置。
- ダウン・コンバータ動作モードにおいて前記コンバータがN−Mダウン・コンバータとして機能する、請求項8に記載の装置。
- アップ・コンバータ動作モードにおいて前記コンバータがM−Nアップ・コンバータとして機能する、請求項8に記載の装置。
- 第1の複数の電圧レベルが第2の複数の電圧レベルに変換される、請求項8に記載の装置。
- 前記第1および第2のNFETおよびPFETデバイスがトリプル・ウェル技術を用いてバルク・シリコン基板上に形成されている、請求項1に記載の装置。
- 集積回路のためのオンチップ電圧変換システムであって、
複数のクロック位相を有するクロック・ソースと、
複数の位相の1つに対応する複数の動作信号と、
前記動作信号によって制御される複数の電圧コンバータであって、各電圧コンバータが前出の請求項のいずれかの要素を含む、前記複数の電圧コンバータと、
を含む、システム。
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- 2012-06-26 US US13/532,986 patent/US8395438B2/en active Active
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