JP2012518067A - ナノリソグラフィ法 - Google Patents
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Abstract
Description
のペルフルオロポリエーテルジアクリラート化合物が開示されている。
(a)複数の窪みまたは突起領域がその中に形成されているパターン付きテンプレート表面を備えたパターン付きテンプレートを準備する工程、
(b)(ペル)フルオロポリオキシアルキレン鎖(鎖(Rf):鎖Rfの分子量は1000を超え、3500未満である)および少なくとも2個の不飽和部分を含む少なくとも1種類の官能性ペルフルオロポリエーテル化合物(化合物(E))と、
少なくとも1種類の光開始剤と
を含むある体積量の硬化性ペルフルオロポリエーテル組成物(組成物(C))を、前記パターン付きテンプレート表面と接触させる工程、および
(c)前記組成物(C)を紫外線に曝してパターン付きモールド表面を備えたモールドを形成させ、前記パターン付きテンプレートから前記モールドを分離する工程
を含むパターンを複製するための方法を提供することである。
−(CF2O)p(CF2CF2O)q(CFYO)r(CF2CFYO)s−(CF2(CF2)zCF2O)t−
(式中、YはC1〜C5ペルフルオロ(オキシ)アルキル基であり、zは1または2であり、かつ、p、q、r、s、tは、前記鎖Rfの分子量が上述した必須条件に従うように選択される0以上の整数である)に従う。
−(CF2O)p’(CF2CF2O)q’−
(式中、p’およびq’は、前記鎖Rfの分子量が前述の要求基準に従うように選択される0以上の整数である)に従う。
T1−J−Rf−J’−T2
のものの中から選択される。
上記式中、Rfは、上述した鎖Rfを表し、JおよびJ’は互いに同一であっても異なっていてもよく、独立に、結合であるかまたは二価の架橋基であり、かつ、T1およびT2は互いに同一であっても異なっていてもよく、
(A)−O−CO−CRH=CH2、
(B)−O−CO−NH−CO−CRH=CH2、
(C)−O−CO−RA−CRH=CH2
(式中、RHはHまたはC1〜C6アルキル基であり、RAは
(j)−NH−RB−O−CO−、
(jj)−NH−RB−NHCOO−RB−OCO−、
からなる群から選択され、RBはC1〜C10脂肪族基、C5〜C14脂環式基、C6〜C14芳香族またはアルキル芳香族基からなる群から選択される二価基である)
からなる群から選択される。
(1)下記式のアクリラート誘導体:
(2)下記式のアクリルアミド−ウレア誘導体:
(3)下記式のアクリラート−ウレタン誘導体:
(4)下記式のウレタン−アミド−アクリラート誘導体:
を挙げることができる。
(i)
−α−ヒドロキシケトン類〔α−ヒドロキシケトンとしては、1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−1−プロパノン、および2−ヒドロキシ−1−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]−2−メチル−1−プロパノンを挙げることができる〕、
−フェニルグリオキシラート類〔フェニルグリオキシラートとしては、メチルベンゾイルホルマート、オキシ−フェニル酢酸2−[2−オキソ−2−フェニル−アセトキシ−エトキシ]−エチルエステル、およびオキシ−フェニル酢酸2−[2−ヒドロキシ−エトキシル]−エチルエステルを挙げることができる〕、
−ベンジルジメチル−ケタール類〔ベンジルジメチル−ケタールとしては、α,α−ジメトキシ−α−フェニルアセトフェノンを挙げることができる〕、
−α−アミノケトン類〔α−アミノケトンとしては、2−ベンジル−2−(ジメチルアミノ)−1−[4−(4−モルホリニル)フェニル]−1−ブタノンおよび2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−(4−モルホリニル)−1−プロパノンを挙げることができる〕、
−ビスアシル−ホスフィン類〔ビスアシル−ホスフィンとしては、ジフェニル−(2,4,6−トリメチルベンゾイル−ホスフィンオキシドを挙げることができる〕
の系統からなる群から選択されると理解される。
(d)前記パターン付きモールド表面を(プレ)ポリマー組成物(組成物(P))と接触させる工程、および
(e)前記組成物(P)を加工してパターン形成された表面を有する物品を形成させ、前記物品を前記モールドから分離する工程
をさらに含む。
機械的撹拌器、滴下漏斗、および冷凍カラムを備えた0.5Lフラスコに、250gの式:HOCH2CF2O(CF2CF2O)p(CF2O)qOCF2CH2OH(式中、pおよびqは平均分子量が1600であるような整数である)のヒドロキシルPFPE誘導体(0.3当量)、0.03gの3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシトルエン(BHT)、および2−ブタノン(MEK)中のジブチルスズジラウラートの20%(w/v)溶液0.5mLを不活性雰囲気下で導入し、温度を50℃まで上昇させた。反応温度を60℃未満に保ちながら、窒素下で、46.5gの2−イソシアナトエチルメタクリラート(EIM、Mw=155、0.3当量)をゆっくり滴下し、次いで、この混合物の撹拌を2時間続けた。反応を、イソシアナートのバンドに特有の2250cm−1における吸収の消滅をモニターするFT−IR分析の手段によって、および、プレ末端CF2基のシグナルのシフト(CF2CH2OH基に結合した場合の−81.3ppmおよび−83.3ppmから、ウレタン部分に結合した場合の−77.5および−79.5ppmへのシフト)を評価する19F−NMRの手段によって追跡した。次いで、0.2μmPTFE膜により濾過すると、式:
実施例1で述べたものと同一手順であるが、ヒドロキシルPFPE前駆体としての250gの式:HOCH2CF2O(CF2CF2O)p’(CF2O)q’OCF2CH2OH(式中、p’/q’=0.9、p’およびq’はMwが3817であるような整数である)の誘導体(0.127当量)と、19.7gの2−イソシアナトエチルメタクリラート(EIM、Mw=155、0.3当量)とを使用した。式:
[パターン付きテンプレートの製造]:
100μm×100μmから2μm×2μmまでの範囲にあるサイズを有するマイクロパターン複製含有パッド用のテスト設計物を、光接触リソグラフィによって画定した。500および180nmの両周期を有するナノ回折格子を、レーザー干渉リソグラフィによって画定した。直径30nmを有する50nm周期のホールアレイを、電子ビームライターを用いて画定した。これらの画定されたマイクロおよびナノパターンを、反応性イオンエッチング(RIE)によってシリコン基板に転写した。薄い標準的な付着防止層を、調製した全てのマスターの表面にコーティングして、可撓性モールド製造の際の微細構成の機械的損傷を防止した。
上述したとおりに得られたパターン形成されたフィーチャを有するマスター上に、組成物を注型成形することによって可撓性モールドを調製した。すなわち組成物は、必要とされる官能性PFPE誘導体および適切な量の2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−1−プロパノン(Ciba Specialty Chemicalsから商品名DAROCUR(登録商標)1173で市販されている)を含む。脱ガスの後、この前駆体を、N2下、線量10J/cm−2の紫外線露光(Hg燈)によって硬化させ、得られた可撓性モールドをマスターから分離した。
標準的なPDMS誘導体から可撓性モールドを調製して比較試験を行った。すなわち、Dow Corningから入手したSYLGARD(登録商標)184材料を所定の熱硬化剤と混ぜ合わせ、120℃で30分間熱硬化させた。
上述したとおりに得られた可撓性モールドを、3−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、2−ベンジル−2−(ジメチルアミノ)−1−[4−(4−モルホリニル)フェニル]−1−ブタノン(IRGACURE(登録商標)369)、および微粉末無機充填剤(粒径10nm未満のSiO2およびZrO2)を含むプレポリマー層に、インプリント工具EVG620を用いて押し付けた。可撓性モールドのキャビティを前記プレポリマーで満たし、線量2J/cm−2の紫外線露光によって硬化させた。ソフトモールドを分離させた後、マイクロおよびナノ複製体を電子顕微鏡により評価した。
結果を下記表1にまとめる。
直径29nmおよび間隔20nmを有する50nmの周期的ホールを含むシリコンマスターを使用して、インプリントパターンを作製した。
Claims (15)
- パターンの複製方法であって、
(a)複数の窪み領域または突起領域がその中に形成されているパターン付きテンプレート表面を備えたパターン付きテンプレートを準備する工程;
(b)(ペル)フルオロポリオキシアルキレン鎖〔鎖(Rf):鎖Rfの分子量は、1000を超え、3500未満である〕および少なくとも2個の不飽和部分を含む少なくとも1種類の官能性ペルフルオロポリエーテル化合物(化合物(E))と、
少なくとも1種類の光開始剤と
を含むある体積量の硬化性ペルフルオロポリエーテル組成物(組成物(C))を、前記パターン付きテンプレート表面に接触させる工程;
(c)前記組成物(C)を紫外線に曝してパターン付きモールド表面を備えたモールドを形成させ、前記モールドを前記パターン付きテンプレートから分離する工程;
(d)前記パターン付きモールド表面を(プレ)ポリマー組成物(組成物(P))と接触させる工程;および
(e)前記組成物(P)を加工してパターン形成された表面を有する物品を形成させ、前記物品を前記モールドから分離する工程
を含み、
前記組成物(P)が、平均粒径1μm未満の無機充填剤を含む、方法。 - 前記化合物(E)が、式:
T1−J−Rf−J’−T2
〔式中、Rfは、(ペル)フルオロポリオキシアルキレン鎖を表し、
JおよびJ’は、互いに同一であっても異なっていてもよく、独立に結合であるかまたは二価の架橋基であり、かつ、
T1およびT2は、互いに同一であっても異なっていてもよく、
(A)−O−CO−CRH=CH2、
(B)−O−CO−NH−CO−CRH=CH2、
(C)−O−CO−RA−CRH=CH2
(式中、RHはHまたはC1〜C6アルキル基であり;RAは、
(j)−NH−RB−O−CO−、
(jj)−NH−RB−NHCOO−RB−OCO−、
からなる群から選択され;RBは、C1〜C10脂肪族基、C5〜C14脂環式基、C6〜C14芳香族またはアルキル芳香族基からなる群から選択される二価基である)
からなる群から選択される〕
の化合物から選択される、請求項1に記載の方法。 - 前記鎖Rfが、式:
−(CF2O)p(CF2CF2O)q(CFYO)r(CF2CFYO)s−(CF2(CF2)zCF2O)t−
(式中、Yは、C1〜C5ペルフルオロ(オキシ)アルキル基であり;zは、1または2であり;p、q、r、s、tは、前記鎖Rfの分子量が1000を超え、3500未満となるように選択される0以上の整数である)
に従う、請求項1または2に記載の方法。 - 前記化合物(E)が、
(1)下記式のアクリラート誘導体:
(2)下記式のアクリルアミド−ウレア誘導体:
(3)下記式のアクリラート−ウレタン誘導体:
(4)下記式のウレタン−アミド−アクリラート誘導体:
からなる群から選択される、請求項4に記載の方法。 - 前記化合物(E)が、
(i)
からなる群から選択される、請求項4に記載の方法。 - 前記光開始剤が、
α−ヒドロキシケトン系光開始剤、
フェニルグリオキシラート系光開始剤、
ベンジルジメチル−ケタール系光開始剤、
α−アミノケトン系光開始剤、
ビスアシル−ホスフィン系光開始剤
からなる群から選択される、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。 - 前記光開始剤が、
− 1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−1−プロパノン、および2−ヒドロキシ−1−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]−2−メチル−1−プロパノンからなる群から選択されるα−ヒドロキシケトン類;
− メチルベンゾイルホルマート、オキシ−フェニル酢酸2−[2−オキソ−2−フェニル−アセトキシ−エトキシ]−エチルエステル、およびオキシ−フェニル酢酸2−[2−ヒドロキシ−エトキシ]−エチルエステルからなる群から選択されるフェニルグリオキシラート類;
− α,α−ジメトキシ−α−フェニルアセトフェノン;
− 2−ベンジル−2−(ジメチルアミノ)−1−[4−(4−モルホリニル)フェニル]−1−ブタノン、および2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−(4−モルホリニル)−1−プロパノンからなる群から選択されるα−アミノケトン類;および
− ジフェニル−(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−ホスフィンオキシド
からなる群から選択される、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。 - 工程(c)において、前記組成物(C)を、実質的に酸素を含まない雰囲気下で紫外線に曝す、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- 工程(c)における照射線量が、少なくとも2J/cm2、好ましくは5J/cm2である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
- (プレ)ポリマー組成物(P)が、熱可塑性であるか、または熱硬化性/硬化性である、請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
- 組成物(P)が熱硬化性/硬化性であり、かつ、工程(d)において、組成物(P)を注型成形技術によって前記モールドの前記パターン形成された表面に塗布し、次いで工程(e)において、照射および/または加熱による硬化によって加工する、請求項10に記載の方法。
- UV硬化性組成物(P)を使用し、かつ、工程(e)において、加工が、前記UV硬化性組成物(P)に紫外線を照射する工程を含む、請求項11に記載の方法。
- 前記UV硬化性(プレ)ポリマー組成物(P)が、少なくとも1種類の光反応性モノマーまたはオリゴマーと、光開始剤とを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記光反応性モノマーまたはオリゴマーが、(3−グリシジルオキシプロピル)トリエトキシシラン、(3−メタクリルオキシプロピル)トリメトキシシラン、(3−メタクリルオキシプロピル)ジメチルメトキシシラン、(3−アクリルオキシプロピル)−トリメトキシシランからなる群から選択される、請求項13に記載の方法。
- 前記組成物(P)が、1〜15nmの平均サイズを有するSiO2および/またはZrO2の粒子を含む、請求項1〜14のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP09153205.1 | 2009-02-19 | ||
EP09153205A EP2221664A1 (en) | 2009-02-19 | 2009-02-19 | Nanolithography process |
PCT/EP2010/051880 WO2010094661A1 (en) | 2009-02-19 | 2010-02-16 | Nanolithography process |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012518067A true JP2012518067A (ja) | 2012-08-09 |
JP5676488B2 JP5676488B2 (ja) | 2015-02-25 |
Family
ID=40781264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011550538A Expired - Fee Related JP5676488B2 (ja) | 2009-02-19 | 2010-02-16 | ナノリソグラフィ法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110298158A1 (ja) |
EP (2) | EP2221664A1 (ja) |
JP (1) | JP5676488B2 (ja) |
WO (1) | WO2010094661A1 (ja) |
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CN101868760B (zh) | 2007-11-21 | 2013-01-16 | 分子制模股份有限公司 | 用于纳米刻印光刻的多孔模板及方法、以及刻印层叠物 |
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WO2011094317A2 (en) | 2010-01-26 | 2011-08-04 | Molecular Imprints, Inc. | Micro-conformal templates for nanoimprint lithography |
TW201144091A (en) * | 2010-01-29 | 2011-12-16 | Molecular Imprints Inc | Ultra-compliant nanoimprint lithography templates |
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- 2010-02-16 JP JP2011550538A patent/JP5676488B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-16 WO PCT/EP2010/051880 patent/WO2010094661A1/en active Application Filing
- 2010-02-16 EP EP10711602.2A patent/EP2399167B1/en not_active Not-in-force
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WO2016163479A1 (ja) * | 2015-04-07 | 2016-10-13 | 日産化学工業株式会社 | 耐擦傷性コーティング用硬化性組成物 |
JPWO2016163479A1 (ja) * | 2015-04-07 | 2018-02-01 | 日産化学工業株式会社 | 耐擦傷性コーティング用硬化性組成物 |
WO2019031312A1 (ja) * | 2017-08-07 | 2019-02-14 | 日産化学株式会社 | モールド用離型剤 |
JPWO2019031312A1 (ja) * | 2017-08-07 | 2020-06-25 | 日産化学株式会社 | モールド用離型剤 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2010094661A1 (en) | 2010-08-26 |
EP2399167B1 (en) | 2015-10-21 |
EP2399167A1 (en) | 2011-12-28 |
US20110298158A1 (en) | 2011-12-08 |
EP2221664A1 (en) | 2010-08-25 |
JP5676488B2 (ja) | 2015-02-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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