JP2012517705A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012517705A5 JP2012517705A5 JP2011549434A JP2011549434A JP2012517705A5 JP 2012517705 A5 JP2012517705 A5 JP 2012517705A5 JP 2011549434 A JP2011549434 A JP 2011549434A JP 2011549434 A JP2011549434 A JP 2011549434A JP 2012517705 A5 JP2012517705 A5 JP 2012517705A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- grating
- layer
- silicon layer
- refractive index
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 38
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 38
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 38
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 14
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 14
- 230000001808 coupling Effects 0.000 claims 13
- 230000000737 periodic Effects 0.000 claims 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- 230000000977 initiatory Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 230000003287 optical Effects 0.000 claims 1
Claims (13)
- シリコンプラットフォームの底部格子ミラーを用いて、シリコンプラットフォーム上に垂直キャビティレーザー(VCL)構造(1)をハイブリッド化する方法であって、
III-V族材料で形成された活性領域(5)と、出力結合(out-coupling)ミラーとしては使用されず99.5%より高い反射率を有する高反射性上部ミラー(4)とを含む層構造(2)を提供する工程;
シリコン層より低い屈折率の層(9)によって支持されているシリコン層(10)内に格子領域(11)を形成する工程であって、該格子領域が、シリコン層部分(12)と、シリコン層内に形成され該シリコン層の屈折率よりも低い屈折率を有する領域(13)とによって形成された1次元(1D)または2次元(2D)の周期的屈折率格子(11)を含む、工程;
格子領域から該導波路への光の横方向出力結合を容易にするように、格子領域内に形成されるかまたは格子領域に隣接して形成される端部とともに、導波路(18、19)を前記シリコン層内に形成する工程;および
前記層構造を前記格子領域上に配置する工程であって、前記層構造と前記格子領域との間にシリコン層の屈折率より低い屈折率を有する層(15、15'、15'')を設けることを含み、これによって、前記周期的屈折率格子が底部格子ミラーを確立して、上部ミラーと格子領域との間にVCLキャビティを形成する、工程
を含む、前記方法。 - VCLにおいてレーザー発振を開始させ、かつVCLキャビティから格子領域の横方向モードへと光を結合させる工程をさらに含む、請求項1記載の方法。
- 前記シリコン層内に形成された導波路の端部が、格子領域内に形成された格子導波路(grating waveguide, GWG)(18)を含み、格子領域の横方向モードから該GWGの導波モードへと光を結合させる工程をさらに含む、請求項2記載の方法。
- 前記シリコン層内に形成された導波路が、格子領域の外側に形成された集積化平面型の屈折率コントラスト導波路(index contrast waveguide, ICWG) (19)を含み、格子領域から該ICWGの導波モードへと光を結合させる工程をさらに含む、請求項2または3記載の方法。
- 前記VCLキャビティの有効キャビティ長deff、および、ひいては、レーザー波長λが、層構造と格子領域との間のより低い屈折率の層(15、15'、15'')の厚さを制御することによって制御される、請求項1から4のいずれか一項記載の方法。
- 前記VCLの光利得領域(101、201、301、401、501)の位置が、格子領域上の層構造に従って規定される、請求項1から5のいずれか一項記載の方法。
- - III-V族材料で形成された活性領域(5)と、出力結合ミラーとしては使用されず99.5%より高い反射率を有する高反射性上部ミラー(4)とを含む層構造(2);
- シリコン層より低い屈折率の層(9)によって支持されているシリコン層(10)内に形成された格子領域(11)であって、シリコン層部分(13)と、シリコン層内に形成され該シリコン層の屈折率よりも低い屈折率を有する領域(14)とによって形成された1Dまたは2Dの周期的屈折率格子(12)を含む格子領域(11);
- シリコン層の格子領域の上に設けられ、シリコン層の屈折率より低い屈折率を有する層(15、15'、15'');
ここで、前記層構造は、周期的屈折率格子が底部格子ミラーを確立して上部ミラーと格子領域との間にVCLキャビティを形成するように、前記格子領域の上に配置され、該底部格子ミラーはまた、VCLキャビティのモードの光を格子領域の面内モードへと結合することを容易にし、および
- シリコン層内に形成された導波路(18、19)であって、格子領域から導波路への光の結合を容易にするように格子領域内に形成されているかまたは格子領域に隣接して形成されている端部を有する導波路(18、19)
を含む、ハイブリッド化された垂直キャビティレーザー(VCL)構造(1)。 - 前記層構造と格子領域との間のより低い屈折率の層が、層構造上に形成された酸化物層である、請求項7記載のハイブリッド化されたVCL構造。
- 前記層構造と格子領域との間のより低い屈折率の層(15、15'')が空気を含み、前記層構造が1つまたは複数のメサ(25、715)を含み、その結果、層構造が格子領域の上に配置された場合にエアギャップとなる、請求項7記載のハイブリッド化されたVCL構造。
- 前記シリコン層内に形成された導波路の端部が、格子領域内に形成された格子導波路(GWG) (18)を含み、該GWGが、格子領域からGWGへの光の結合を容易にするように配置されている、請求項7から9のいずれか一項記載のハイブリッド化されたVCL構造。
- 前記シリコン層内に形成された導波路が、
格子領域の外側のシリコン層内に形成され、かつ格子領域からICWGへの光の結合を容易にするように配置された集積化平面型の屈折率コントラスト導波路(ICWG)
を含む、請求項7から10のいずれか一項記載のハイブリッド化されたVCL構造。 - - シリコン層より低い屈折率を有する層(9)によって支持されているシリコン層(10);
- シリコン層部分(13)と、シリコン層内に形成され該シリコン層の屈折率より低い屈折率を有する領域(14)とによって形成された1Dまたは2Dの周期的屈折率格子(12)を含む格子領域(11);
- 垂直に入射した光を反射しかつ垂直に入射した光を格子領域の面内モード(17)に結合させるための格子ミラーを形成する、格子領域の少なくとも一部;および
- シリコン層内に形成された導波路(18、19)であって、格子領域の面内モードから導波路への光の結合を容易にするように格子領域内に形成されているかまたは格子領域に隣接して形成されている端部を有する導波路(18、19);
を含む、横方向導波路を有するシリコンベースの格子ミラー。 - 層構造(2)および該層構造を収容するためのシリコンプラットフォーム基板(3)であって、
- 該層構造が、III-V族材料で形成された活性領域(5)と、出力結合ミラーとしては使用されず99.5%より高い反射率を有する高反射性上部ミラー(4)とを含み、
- 該シリコンプラットフォーム基板が、
・ シリコン層より低い屈折率を有する層(9)によって支持されているシリコン層(10);
・ シリコン層部分(13)と、シリコン層内に形成され該シリコン層の屈折率よりも低い屈折率を有する領域(14)とによって形成された1Dまたは2Dの周期的屈折率格子(12)を含む格子領域(11);および
・ シリコン層内に形成された導波路(18、19)であって、格子領域から導波路への光の結合を容易にするように格子領域内に形成されているかまたは格子領域に隣接して形成されている端部を有する導波路(18、19)
を含み、
前記層構造または前記格子領域のうちの少なくとも1つは、層構造が格子領域上に配置された場合に、格子領域の上にシリコン層の屈折率よりも低い屈折率を有する層(15、15'、15'')を提供する構造(15、15'、25、715)を備えるか、またはそのような構造(15、15'、25、715)を含む、
前記層構造(2)およびシリコンプラットフォーム基板(3)。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15163109P | 2009-02-11 | 2009-02-11 | |
US61/151,631 | 2009-02-11 | ||
EP09153659 | 2009-02-25 | ||
EP09153659.9 | 2009-02-25 | ||
PCT/DK2010/050015 WO2010091688A1 (en) | 2009-02-11 | 2010-01-22 | Hybrid vertical-cavity laser |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012517705A JP2012517705A (ja) | 2012-08-02 |
JP2012517705A5 true JP2012517705A5 (ja) | 2013-02-14 |
Family
ID=40580884
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011549434A Pending JP2012517705A (ja) | 2009-02-11 | 2010-01-22 | ハイブリッド垂直キャビティレーザー |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9184562B2 (ja) |
EP (1) | EP2396861B1 (ja) |
JP (1) | JP2012517705A (ja) |
KR (1) | KR101834015B1 (ja) |
CN (1) | CN102388513B (ja) |
AU (1) | AU2010213223A1 (ja) |
WO (1) | WO2010091688A1 (ja) |
Families Citing this family (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8217410B2 (en) * | 2009-03-27 | 2012-07-10 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Hybrid vertical cavity light emitting sources |
FR2954638B1 (fr) * | 2009-12-21 | 2012-03-23 | Commissariat Energie Atomique | Laser hybride couple a un guide d'onde |
EP2365654B1 (en) * | 2010-03-10 | 2019-05-29 | Ofs Fitel Llc, A Delaware Limited Liability Company | Multicore fiber transmission systems and methods |
JP5777722B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2015-09-09 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.Hewlett‐Packard Development Company, L.P. | 小モード体積垂直共振器面発光レーザ |
WO2012149497A2 (en) * | 2011-04-29 | 2012-11-01 | The Regents Of The University Of California | Vertical cavity surface emitting lasers with silicon-on-insulator high contrast grating |
CN103636084B (zh) * | 2011-07-04 | 2016-09-28 | 丹麦技术大学 | 激光器 |
KR20130048628A (ko) * | 2011-11-02 | 2013-05-10 | 삼성전자주식회사 | 광 직접 회로의 멀티 포트 광원 |
US9020006B2 (en) * | 2012-01-18 | 2015-04-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | High density laser optics |
WO2013110004A1 (en) * | 2012-01-20 | 2013-07-25 | The Regents Of The University Of California | Short cavity surface emitting laser with double high contrast gratings with and without airgap |
KR20130085763A (ko) * | 2012-01-20 | 2013-07-30 | 삼성전자주식회사 | 광 집적 회로용 혼성 레이저 광원 |
CN102692682B (zh) * | 2012-06-12 | 2013-07-17 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种光栅耦合器及其制作方法 |
EP2880480A4 (en) * | 2012-07-30 | 2016-04-20 | Hewlett Packard Development Co | COMPACT PHOTONIC PLATFORMS |
US10209445B2 (en) | 2012-07-30 | 2019-02-19 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Method of fabricating a compact photonics platform |
KR101928436B1 (ko) * | 2012-10-10 | 2019-02-26 | 삼성전자주식회사 | 광 집적 회로용 하이브리드 수직 공명 레이저 |
US9106048B2 (en) * | 2013-02-11 | 2015-08-11 | Oracle International Corporation | Waveguide-coupled vertical cavity laser |
KR102050502B1 (ko) * | 2013-03-18 | 2020-01-08 | 삼성전자주식회사 | 하이브리드 수직 공진 레이저 및 그 제조방법 |
TW201504599A (zh) * | 2013-05-30 | 2015-02-01 | Univ California | 具有高對比光柵及可作爲雙重用途之高對比光柵垂直腔表面發射雷射檢測器之二維週期結構的極化無關光檢測器 |
US9438009B2 (en) | 2013-05-31 | 2016-09-06 | Danmarks Tekniske Universitet | Wavelength tunable photon source with sealed inner volume |
FR3007589B1 (fr) | 2013-06-24 | 2015-07-24 | St Microelectronics Crolles 2 | Circuit integre photonique et procede de fabrication |
WO2015071379A1 (en) * | 2013-11-13 | 2015-05-21 | Danmarks Tekniske Universitet | Method for generating a compressed optical pulse |
CN103633551B (zh) * | 2013-12-19 | 2016-04-20 | 武汉电信器件有限公司 | 用于片上光互连的激光器封装方法 |
JP2015133426A (ja) * | 2014-01-14 | 2015-07-23 | 古河電気工業株式会社 | 面発光レーザ素子 |
US20170033534A1 (en) * | 2014-04-07 | 2017-02-02 | Danmarks Tekniske Universitet | Vcsel structure |
WO2015167521A1 (en) * | 2014-04-30 | 2015-11-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Controllable diamond waveguide tuner |
CN104051957A (zh) * | 2014-06-23 | 2014-09-17 | 天津工业大学 | 一种1550nm长波长垂直腔面发射激光器的制备方法及其应用 |
WO2016014078A1 (en) | 2014-07-25 | 2016-01-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Tunable optical device |
WO2016018288A1 (en) | 2014-07-30 | 2016-02-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Hybrid multilayer device |
WO2016048268A1 (en) | 2014-09-22 | 2016-03-31 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Single mode vertical-cavity surface-emitting laser |
US10447011B2 (en) | 2014-09-22 | 2019-10-15 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Single mode vertical-cavity surface-emitting laser |
GB201418637D0 (en) | 2014-10-20 | 2014-12-03 | Univ St Andrews | Laser |
WO2016076793A1 (en) * | 2014-11-10 | 2016-05-19 | Agency for Science,Technology and Research | An optical device and a method for fabricating thereof |
JP6581022B2 (ja) * | 2015-03-20 | 2019-09-25 | 株式会社東芝 | 半導体発光デバイスおよび光半導体デバイス |
US10103514B2 (en) * | 2015-03-20 | 2018-10-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2016184471A1 (en) | 2015-05-15 | 2016-11-24 | Danmarks Tekniske Universitet | Vertical cavity laser |
US9874693B2 (en) | 2015-06-10 | 2018-01-23 | The Research Foundation For The State University Of New York | Method and structure for integrating photonics with CMOs |
US10658177B2 (en) * | 2015-09-03 | 2020-05-19 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Defect-free heterogeneous substrates |
US10586847B2 (en) | 2016-01-15 | 2020-03-10 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Multilayer device |
WO2017171737A1 (en) | 2016-03-30 | 2017-10-05 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Devices having substrates with selective airgap regions |
US10109983B2 (en) * | 2016-04-28 | 2018-10-23 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Devices with quantum dots |
US10566765B2 (en) | 2016-10-27 | 2020-02-18 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Multi-wavelength semiconductor lasers |
US10680407B2 (en) | 2017-04-10 | 2020-06-09 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Multi-wavelength semiconductor comb lasers |
US10396521B2 (en) | 2017-09-29 | 2019-08-27 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Laser |
US10381801B1 (en) | 2018-04-26 | 2019-08-13 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Device including structure over airgap |
CN108683078B (zh) * | 2018-06-21 | 2023-06-09 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种波长可调谐的半导体激光器 |
JP2020047783A (ja) * | 2018-09-19 | 2020-03-26 | 株式会社東芝 | 半導体発光デバイスの製造方法及び半導体発光デバイス |
JP7166871B2 (ja) * | 2018-10-18 | 2022-11-08 | スタンレー電気株式会社 | 垂直共振器型発光素子 |
CN111435781B (zh) * | 2019-01-15 | 2022-03-18 | 中国科学院半导体研究所 | 垂直腔面发射半导体激光器结构 |
CN110265871A (zh) * | 2019-07-02 | 2019-09-20 | 深圳市柠檬光子科技有限公司 | 用于激光雷达的激光发射模组 |
CN110932091B (zh) * | 2019-12-06 | 2020-10-09 | 北京大学 | 一种基于能带反转光场限制效应的拓扑体态激光器及方法 |
CN111106533A (zh) * | 2019-12-21 | 2020-05-05 | 江西德瑞光电技术有限责任公司 | 一种vcsel芯片及其制造方法 |
US11243350B2 (en) * | 2020-03-12 | 2022-02-08 | Globalfoundries U.S. Inc. | Photonic devices integrated with reflectors |
CN111600198B (zh) * | 2020-05-26 | 2021-05-04 | 陕西源杰半导体科技股份有限公司 | 一种通讯用超大功率激光器及其制备方法 |
CN111751830B (zh) * | 2020-07-08 | 2021-02-19 | 北京工业大学 | 一种基于vcsel混合激光的空间微弱目标红外探测系统 |
CN114498295B (zh) * | 2022-04-13 | 2022-06-24 | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 | 一种带增益耦合光栅的dfb激光器及其制备方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6031243A (en) * | 1996-10-16 | 2000-02-29 | Geoff W. Taylor | Grating coupled vertical cavity optoelectronic devices |
US6330265B1 (en) * | 1998-04-21 | 2001-12-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical functional element and transmission device |
FR2792734A1 (fr) * | 1999-04-23 | 2000-10-27 | Centre Nat Rech Scient | Circuit photonique integre comprenant un composant optique resonant et procedes de fabrication de ce circuit |
US6829286B1 (en) | 2000-05-26 | 2004-12-07 | Opticomp Corporation | Resonant cavity enhanced VCSEL/waveguide grating coupler |
US6624444B1 (en) * | 2002-03-28 | 2003-09-23 | Intel Corporation | Electrical-optical package with capacitor DC shunts and associated methods |
US6775448B2 (en) * | 2002-11-05 | 2004-08-10 | Mesophotonics Limited | Optical device |
WO2005089098A2 (en) * | 2004-01-14 | 2005-09-29 | The Regents Of The University Of California | Ultra broadband mirror using subwavelength grating |
US7778305B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-08-17 | Université Jean-Monnet | Mirror structure and laser device comprising such a mirror structure |
US8110823B2 (en) * | 2006-01-20 | 2012-02-07 | The Regents Of The University Of California | III-V photonic integration on silicon |
JP5037835B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | 垂直共振器型面発光レーザ |
US7583712B2 (en) | 2006-06-16 | 2009-09-01 | Pbc Lasers Gmbh | Optoelectronic device and method of making same |
FR2909491B1 (fr) * | 2006-12-05 | 2010-04-23 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif laser a source laser et guide d'onde couples |
CN100546135C (zh) * | 2007-12-28 | 2009-09-30 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 可调谐半导体激光器的制作方法及可调谐半导体激光器 |
US8116171B1 (en) * | 2009-11-11 | 2012-02-14 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing energy assisted magnetic recording disk drive using a vertical surface emitting laser |
US8257990B2 (en) * | 2009-12-30 | 2012-09-04 | Intel Corporation | Hybrid silicon vertical cavity laser with in-plane coupling |
US8422342B1 (en) * | 2010-06-25 | 2013-04-16 | Western Digital (Fremont), Llc | Energy assisted magnetic recording disk drive using a distributed feedback laser |
US8451695B2 (en) * | 2011-06-23 | 2013-05-28 | Seagate Technology Llc | Vertical cavity surface emitting laser with integrated mirror and waveguide |
-
2010
- 2010-01-22 US US13/148,911 patent/US9184562B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-01-22 AU AU2010213223A patent/AU2010213223A1/en not_active Abandoned
- 2010-01-22 CN CN201080016327.8A patent/CN102388513B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-01-22 JP JP2011549434A patent/JP2012517705A/ja active Pending
- 2010-01-22 WO PCT/DK2010/050015 patent/WO2010091688A1/en active Application Filing
- 2010-01-22 KR KR1020117020785A patent/KR101834015B1/ko active IP Right Grant
- 2010-01-22 EP EP10701195.9A patent/EP2396861B1/en not_active Not-in-force
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012517705A5 (ja) | ||
Sciancalepore et al. | CMOS-compatible ultra-compact 1.55-μ m emitting VCSELs using double photonic crystal mirrors | |
JP6518434B2 (ja) | 集積フォトニックカプラ | |
EP2720327B1 (en) | Hybrid vertical cavity laser for photonic integrated circuit | |
Sodagar et al. | High-efficiency and wideband interlayer grating couplers in multilayer Si/SiO 2/SiN platform for 3D integration of optical functionalities | |
Subramanian et al. | Near-infrared grating couplers for silicon nitride photonic wires | |
JP2007287733A5 (ja) | ||
JP2004521491A5 (ja) | ||
JP2016164986A5 (ja) | ||
Diana et al. | Photonic crystal-assisted light extraction from a colloidal quantum dot/GaN hybrid structure | |
JP2011513954A5 (ja) | ||
Qiang et al. | Design of Fano broadband reflectors on SOI | |
JP2010239051A5 (ja) | ||
Hoffmann et al. | Tailored UV emission by nonlinear IR excitation from ZnO photonic crystal nanocavities | |
Arefin et al. | III-N/Si₃N₄ Integrated Photonics Platform for Blue Wavelengths | |
SG185907A1 (en) | Waveguide structure | |
Galan et al. | Study of high efficiency grating couplers for silicon-based horizontal slot waveguides | |
JP6491646B2 (ja) | グレーティング素子の実装構造の製造方法 | |
Ding et al. | Enhanced light extraction with silicon nanoantenna arrays for white light LED applications | |
Viktorovitch et al. | Surface addressable photonic crystal membrane resonators: generic enablers for 3D harnessing of light | |
Ha et al. | Lasing action in active dielectric nanoantenna arrays | |
JP4300246B2 (ja) | フォトニック結晶を有する構造体及びそれを用いた面発光レーザ | |
Sciancalepore et al. | CMOS-compatible integration of III–V VCSELs based on double photonic crystal reflectors | |
Ye et al. | Silicon suspended resonant grating filters fabricated from a silicon-on-insulator wafer | |
US20090213893A1 (en) | End pumping vertical external cavity surface emitting laser |