JP2012517702A - ウエハの検査のための1つまたは複数のパラメータの選択方法 - Google Patents
ウエハの検査のための1つまたは複数のパラメータの選択方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012517702A JP2012517702A JP2011549298A JP2011549298A JP2012517702A JP 2012517702 A JP2012517702 A JP 2012517702A JP 2011549298 A JP2011549298 A JP 2011549298A JP 2011549298 A JP2011549298 A JP 2011549298A JP 2012517702 A JP2012517702 A JP 2012517702A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defect
- inspection
- wafer
- output
- defects
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
【選択図】図1
Description
図2に示されるように、本方法は、ウエハレイアウトおよびレジストレーションを発生させるためにウエハレスジオメトリモジュール32を使用することを含み得る。ウエハレスジオメトリモジュール32は、本明細書にさらに記載されるように、ウエハレイアウトおよびレジストレーションを発生させるために使用され得る。さらに、ウエハレスジオメトリモジュール32は、本明細書に記載されるように構成され得る。ウエハレスジオメトリモジュール32を使用してウエハレイアウトおよびレジストレーションを発生させることは、オンツールで実行され得る。
Claims (37)
- ウエハの検査のための1つまたは複数のパラメータを選択する、コンピュータに実装される方法であって、
検査システムの個別の光学モードを使用して前記ウエハ上の欠陥に関する前記検査システムの出力を獲得し、前記欠陥は、注目欠陥および擬似欠陥を含み、
前記出力を用いて、前記個別の光学モードに関して、ならびに前記個別の光学モードの1つまたは複数の組み合わせに関して、前記注目欠陥の捕捉レートおよび前記擬似欠陥の捕捉レートを決定し、
前記注目欠陥の前記捕捉レートおよび前記擬似欠陥の前記捕捉レートの関数として、前記個別の光学モードならびに1つまたは複数の組み合わせに対するスコアを決定し、
前記スコアに基づいて、前記ウエハの前記検査のための前記個別の光学モードのうちの1つ、ならびに前記1つまたは複数の組み合わせのうちの1つを選択すること、
を含む方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記スコアは、前記補足レートの関数として決定され、前記注目欠陥に関して捕捉レートが最も高く、かつ、前記擬似欠陥に関して捕捉レートが最も低くなるような前記個別の光学モードならびに前記1つまたは複数の組み合わせに対して最も高いスコアとなり、前記注目欠陥に関して捕捉レートが最も低く、かつ、前記擬似欠陥に関して捕捉レートが最も高くなるような前記個別の光学モードならびに前記1つまたは複数の組み合わせに対して最も低いスコアとなるように前記スコアが決定される方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記出力の獲得が、前記検査システムを使用して前記ウエハ上の前記欠陥を走査することを含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記出力の獲得が、前記検査システムを使用して前記ウエハ上の前記欠陥を走査することと、前記走査することによって生成された前記出力を保存することとを含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記ウエハ上で1つまたは複数の検査テストを実行して前記出力を獲得する前に、前記ウエハ上の前記欠陥を識別することをさらに含み、前記出力の獲得が、前記1つまたは複数の検査テストのそれぞれの結果を使用して前記欠陥が検出されたか否かにかかわらず、前記個別の光学モードを使用して前記ウエハ上の前記欠陥の位置を走査することを含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記出力の獲得が、前記個別の光学モードを使用して前記ウエハ上の前記欠陥の位置を走査することと、前記走査することによって生成された前記出力を使用して前記欠陥が前記位置で検出されたか否かにかかわらず、前記位置を前記走査することによって生成された前記出力を保存することとを含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記出力の獲得が、前記個別の光学モードを使用して前記ウエハ上の前記欠陥の位置を走査することを含み、前記ウエハ上の前記欠陥の前記位置が、絶対基準座標空間に関して決定され、前記走査することが、前記絶対基準座標空間に関する前記位置に基づいて実行される方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記ウエハ上で1つまたは複数の検査テストを実行することによる前記出力の獲得の前に、前記ウエハ上の前記欠陥を識別することと、前記1つまたは複数の検査テスト中に走査された前記ウエハ上の位置に関して獲得された出力を記憶媒体に保存することとをさらに含み、前記獲得することのために使用される前記個別の光学モードのうちの1つが、前記1つまたは複数の検査テストのうちの1つのために使用される場合、前記出力の獲得が、前記1つまたは複数の検査テストのうちの1つ中に獲得された前記出力を前記記憶媒体から取り出すことを含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記出力の獲得が、前記ウエハ上の前記欠陥に関する前記検査システムの前記出力をシミュレートすることを含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記出力の獲得が、前記個別の光学モードを使用して前記ウエハ上の前記欠陥の位置を走査することと、前記走査することによって発生した出力および前記ウエハ上の前記欠陥の前記位置に関する追加の差分イメージを使用して前記欠陥の前記位置に関する差分イメージを発生させることとを含み、前記追加の差分イメージが、前記ウエハ上の前記欠陥を識別するために前記ウエハ上で実行された1つまたは複数の検査テストの結果を使用して発生し、前記捕捉レートを決定するために使用された前記出力が、前記差分イメージを含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記捕捉レートを決定するために使用される前記出力が、前記ウエハ上の前記欠陥の位置に対応するテストパッチイメージ、基準パッチイメージ、差分パッチイメージ、またはそれらの何らかの組合せを含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、ユーザが、前記ウエハの前記検査のための前記個別の光学モードのうちの1つ、あるいは前記1つまたは複数の結合のうちの1つを選択することができるように、前記スコアを前記ユーザに表示することをさらに含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記ウエハ上で1つまたは複数の検査テストを実行することによる前記出力の獲得の前に、前記ウエハ上の前記欠陥を識別することと、前記1つまたは複数の検査テスト中に前記欠陥に関して獲得された出力を記憶媒体に保存することとをさらに含み、前記捕捉レートを決定することが、前記1つまたは複数の検査テストならびに欠陥レビューによって前記欠陥の位置に関して獲得された出力を用いる前記獲得するステップ中に、前記欠陥に関して獲得された前記出力を重ね合わせることによって、前記欠陥を前記注目欠陥および前記擬似欠陥として検証することと、と含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記捕捉レートを決定することが、前記欠陥に関して獲得された前記出力の1つまたは複数の特徴を決定することと、前記捕捉レートを決定するために前記1つまたは複数の特徴を使用することとを含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記捕捉レートを決定することが、前記欠陥に関して獲得された前記出力のための欠陥検出測定手段を決定することと、前記捕捉レートを決定するために前記欠陥検出測定手段を使用することとを含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記捕捉レートを決定することが、前記欠陥に関して獲得された前記出力の1つまたは複数の特徴、ならびに前記欠陥に関して獲得された前記出力のための欠陥検出測定手段を決定することと、前記捕捉レートを決定するために前記1つまたは複数の特徴および前記欠陥検出測定手段を使用することとを含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記欠陥に関して獲得された前記出力の1つまたは複数の特徴を決定することと、前記1つまたは複数の特徴を使用して、前記個別の光学モードに関する、ならびに前記1つまたは複数の組み合わせに関する前記注目欠陥と前記擬似欠陥との区別を決定することとをさらに含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記欠陥に関して獲得された前記出力のための欠陥検出測定手段を決定することと、前記欠陥検出測定手段を使用して、前記個別の光学モードに関する、ならびに前記1つまたは複数の組み合わせに関する前記注目欠陥と前記擬似欠陥との区別を決定することとをさらに含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記個別の光学モードに関する、ならびに前記1つまたは複数の組み合わせに関する前記注目欠陥と前記擬似欠陥との区別を決定することをさらに含み、前記個別の光学モードならびに前記1つまたは複数の組み合わせに関する前記スコアが、さらに、前記注目欠陥の前記捕捉レート、前記擬似欠陥の前記捕捉レート、および前記注目欠陥と前記擬似欠陥との前記区別の関数として決定される方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記個別の光学モードの組み合わせが選択された場合、前記方法が、前記選択された組み合わせの前記個別の光学モードのそれぞれのための1つまたは複数の欠陥検出パラメータを同時に選択することをさらに含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、1つまたは複数の異なる欠陥検出パラメータによってどの欠陥が検出されるかを決定することによって、前記選択された個別の光学モードまたは選択された組み合わせのための1つまたは複数の欠陥検出パラメータを選択することをさらに含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記選択された個別の光学モードまたは前記選択された組み合わせに関する検査結果を最適化するために、1つまたは複数の異なる欠陥検出パラメータを同時に検索することによって、前記選択された個別の光学モードまたは前記選択された組み合わせのための1つまたは複数の欠陥検出パラメータを選択することをさらに含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記選択された個別の光学モードまたは前記選択された組み合わせに関して獲得された追加の出力に基づいて、前記検査のための1つまたは複数の欠陥検出パラメータを選択することをさらに含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記選択された個別の光学モードまたは前記選択された組み合わせを使用して前記ウエハを走査することによって、前記選択された個別の光学モードまたは前記選択された組み合わせに関する追加の出力を獲得することと、前記追加の出力を使用して前記検査のための1つまたは複数の欠陥検出パラメータを選択することとをさらに含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記選択された個別の光学モードまたは前記選択された組み合わせを使用して前記ウエハに関して獲得される追加の出力をシミュレートすることと、前記追加の出力を使用して前記検査のための1つまたは複数の欠陥検出パラメータを選択することとをさらに含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記選択された個別の光学モードまたは前記選択された組み合わせを使用して選択された前記注目欠陥および前記擬似欠陥に基づいて、前記選択された個別の光学モードまたは前記選択された組み合わせを使用して獲得された追加の出力に異なる欠陥検出パラメータを自動的に適用することと、前記適用することの結果に基づいて、前記選択された個別の光学モードまたは前記選択された組み合わせのための1つまたは複数の欠陥検出パラメータを選択することとをさらに含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記選択された個別の光学モードまたは前記選択された組み合わせに関する追加の出力を獲得することによって、前記検査のための1つまたは複数の欠陥検出パラメータを選択することと、前記追加の出力を使用して前記ウエハ上のさらなる欠陥を検出することと、前記さらなる欠陥を分類することと、前記さらなる欠陥の1つのタイプを選択すること、前記さらなる欠陥の前記1つのタイプの検出を妨げる前記1つまたは複数の欠陥検出パラメータを決定すること、ならびに前記決定された1つまたは複数の欠陥検出パラメータを使用して検出される前記さらなる欠陥を決定することを反復することとをさらに含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記選択された個別の光学モードまたは前記選択された組み合わせに関する追加の出力を獲得することによって、前記検査のための1つまたは複数の欠陥検出パラメータを選択することと、前記追加の出力を使用してさらなる欠陥を検出することと、前記さらなる欠陥を分類することと、分類によって前記さらなる欠陥を並べ替えることと、ユーザが前記さらなる欠陥の1つまたは複数のタイプを選択できるように、前記並び替えた欠陥を前記ユーザに表示することと、前記さらなる欠陥の前記1つまたは複数のタイプの検出を妨げる前記1つまたは複数の欠陥検出パラメータを決定することと、前記決定された1つまたは複数の欠陥検出パラメータを使用して検出される前記さらなる欠陥を決定することと、前記ユーザが前記表示された欠陥を許容するまで、前記並び替えること、前記表示すること、前記1つまたは複数の欠陥検出パラメータを前記決定すること、ならびに検出される前記さらなる欠陥を前記決定することを反復することとをさらに含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記出力の獲得の前に、前記ウエハ上の前記欠陥が注目欠陥および擬似欠陥として分類される方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記ウエハ上で1つまたは複数の検査テストを実行することによる前記出力の獲得の前に、前記ウエハ上の前記欠陥を識別することをさらに含み、前記1つまたは複数の検査テストが、前記検査のために選択された前記個別の光学モードのうちの前記1つ、あるいは前記1つまたは複数の組み合わせのうちの前記1つを含まない方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記ウエハ上で1つまたは複数の検査テストを実行することによって前記出力の獲得の前に、前記ウエハ上の前記欠陥を識別することをさらに含み、前記1つまたは複数の検査テストが、前記検査システムの検査プラットフォームとは異なる検査プラットフォームを有する追加の検査システムを使用して実行される方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記ウエハ上で2つ以上の検査テストを実行することによる前記出力の獲得の前に、前記ウエハ上の前記注目欠陥を識別することと、前記2つ以上の検査テストのそれぞれの結果を別々に使用して、前記ウエハ上の注目欠陥を識別することと、前記2つ以上の検査テストのそれぞれの前記結果を使用して検出された前記注目欠陥を組み合わせることとをさらに含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記注目欠陥を検出できることが予め知られている前記ウエハ上で第1の検査テストを実行すること、前記擬似欠陥を検出できることが予め知られている前記ウエハ上で第2の検査テストを実行すること、および前記第1の検査テストによって検出された欠陥から前記第2の検査テストによって検出された欠陥を減ずることによって、前記出力の獲得の前に、前記ウエハ上の前記注目欠陥を識別することをさらに含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記1つまたは複数の組み合わせが、前記個別の光学モードのうちの2つ以上の1つまたは複数の組み合わせを含む方法。
- ウエハの検査のための1つまたは複数のパラメータを選択するためにコンピュータに実装される方法を実行するための、コンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を備えるコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、前記方法が、
検査システムの個別の光学モードを使用して前記ウエハ上の欠陥に関する前記検査システムの出力を獲得し、前記欠陥が、注目欠陥および擬似欠陥を含み、
前記出力を使用して、前記個別の光学モードに関して、ならびに前記個別の光学モードの1つまたは複数の組み合わせに関して、前記注目欠陥の捕捉レートおよび前記擬似欠陥の捕捉レートを決定し、
前記注目欠陥の前記捕捉レートおよび前記擬似欠陥の前記捕捉レートの関数として、前記個別の光学モードならびに前記1つまたは複数の組み合わせに対するスコアを決定し、
前記スコアに基づいて、前記ウエハの前記検査のための前記個別の光学モードのうちの1つ、あるいは前記1つまたは複数の組み合わせのうちの1つを選択すること、
を含む、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。 - ウエハの検査のための1つまたは複数のパラメータを選択するように構成されたシステムであって、
検査システムの個別の光学モードを使用して、前記ウエハ上の欠陥に関する出力を獲得するように構成された検査システムであって、前記欠陥が、注目欠陥および擬似欠陥を含み、
前記出力を使用して、前記個別の光学モードに関して、ならびに前記個別の光学モードの1つまたは複数の組み合わせに関して、前記注目欠陥の捕捉レートおよび前記擬似欠陥の捕捉レートを決定し、
前記注目欠陥の前記捕捉レートおよび前記擬似欠陥の前記捕捉レートの関数として、前記個別の光学モードならびに前記1つまたは複数の組み合わせに対するスコアを決定し、
前記スコアに基づいて、前記ウエハの前記検査のための前記個別の光学モードのうちの1つ、あるいは前記1つまたは複数の組み合わせのうちの1つを選択するように構成された、コンピュータシステムと、
を備えるシステム。 - ウエハの検査のための1つまたは複数のパラメータを選択するためのコンピュータ実装方法であって、
前記ウエハ上の注目欠陥および擬似欠陥の位置を決定するために、ウエハ上で1つまたは複数の検査テストを実行し、
検査システムの個別の光学モードを使用して、前記ウエハ上の前記位置における前記検査システムの出力を獲得し、
前記個別の光学モードを使用して、前記ウエハ上の前記位置において獲得された前記出力に基づいて、前記ウエハの前記検査のための1つまたは複数のパラメータを選択すること、を含む方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15054909P | 2009-02-06 | 2009-02-06 | |
US61/150,549 | 2009-02-06 | ||
PCT/US2010/023396 WO2010091307A2 (en) | 2009-02-06 | 2010-02-05 | Selecting one or more parameters for inspection of a wafer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012517702A true JP2012517702A (ja) | 2012-08-02 |
JP5619776B2 JP5619776B2 (ja) | 2014-11-05 |
Family
ID=42542670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011549298A Active JP5619776B2 (ja) | 2009-02-06 | 2010-02-05 | ウエハの検査のための1つまたは複数のパラメータの選択方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9601393B2 (ja) |
EP (1) | EP2394295A2 (ja) |
JP (1) | JP5619776B2 (ja) |
IL (1) | IL214318A (ja) |
WO (1) | WO2010091307A2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015535597A (ja) * | 2012-11-12 | 2015-12-14 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 不偏ウェハの欠陥サンプル |
KR20190101857A (ko) * | 2018-02-23 | 2019-09-02 | 오므론 가부시키가이샤 | 외관 검사 장치, 및 외관 검사 장치의 조명 조건 설정 방법 |
KR20200014438A (ko) * | 2017-07-07 | 2020-02-10 | 주식회사 고영테크놀러지 | 대상체의 외부의 검사를 최적화하기 위한 장치 및 그 방법 |
KR102120351B1 (ko) * | 2019-07-09 | 2020-06-08 | 한미반도체(주) | 비전시스템의 조명 설정 방법 |
JP2020118696A (ja) * | 2014-05-15 | 2020-08-06 | ケーエルエー コーポレイション | 光学式検査及び光学式レビューからの欠陥属性に基づく電子ビームレビューのための欠陥サンプリング |
JP2021532347A (ja) * | 2018-07-20 | 2021-11-25 | ケーエルエー コーポレイション | 半導体検査における多モードの欠陥分類 |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7570796B2 (en) | 2005-11-18 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
KR101841897B1 (ko) | 2008-07-28 | 2018-03-23 | 케이엘에이-텐코어 코오포레이션 | 웨이퍼 상의 메모리 디바이스 영역에서 검출된 결함들을 분류하기 위한 컴퓨터-구현 방법들, 컴퓨터-판독 가능 매체, 및 시스템들 |
US8605275B2 (en) * | 2009-01-26 | 2013-12-10 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
US9768082B2 (en) * | 2009-02-13 | 2017-09-19 | Hermes Microvision Inc. | Method and machine for examining wafers |
CN101887030A (zh) * | 2009-05-15 | 2010-11-17 | 圣戈本玻璃法国公司 | 用于检测透明基板表面和/或其内部的缺陷的方法及系统 |
WO2012005863A2 (en) * | 2010-06-30 | 2012-01-12 | Kla-Tencor Corporation | Data perturbation for wafer inspection or metrology setup |
US9213227B2 (en) * | 2011-08-18 | 2015-12-15 | Nikon Corporation | Custom color or polarization sensitive CCD for separating multiple signals in autofocus projection system |
JP5460662B2 (ja) * | 2011-09-07 | 2014-04-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 領域決定装置、観察装置または検査装置、領域決定方法および領域決定方法を用いた観察方法または検査方法 |
US9239295B2 (en) * | 2012-04-09 | 2016-01-19 | Kla-Tencor Corp. | Variable polarization wafer inspection |
US9310316B2 (en) | 2012-09-11 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corp. | Selecting parameters for defect detection methods |
US9189844B2 (en) | 2012-10-15 | 2015-11-17 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using defect-specific information |
US8860937B1 (en) | 2012-10-24 | 2014-10-14 | Kla-Tencor Corp. | Metrology systems and methods for high aspect ratio and large lateral dimension structures |
US8912495B2 (en) | 2012-11-21 | 2014-12-16 | Kla-Tencor Corp. | Multi-spectral defect inspection for 3D wafers |
KR102019534B1 (ko) * | 2013-02-01 | 2019-09-09 | 케이엘에이 코포레이션 | 결함 특유의, 다중 채널 정보를 이용한 웨이퍼 상의 결함 검출 |
US9619876B2 (en) | 2013-03-12 | 2017-04-11 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on wafers based on 2D scatter plots of values determined for output generated using different optics modes |
US9865512B2 (en) * | 2013-04-08 | 2018-01-09 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic design attributes for wafer inspection |
US9310320B2 (en) * | 2013-04-15 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corp. | Based sampling and binning for yield critical defects |
US9714905B1 (en) * | 2013-06-23 | 2017-07-25 | Kla-Tencor Corp. | Wafer inspection recipe setup |
US9347862B2 (en) * | 2013-08-06 | 2016-05-24 | Kla-Tencor Corp. | Setting up a wafer inspection process using programmed defects |
US9704234B2 (en) * | 2013-08-08 | 2017-07-11 | Kla-Tencor Corp. | Adaptive local threshold and color filtering |
JP2015087848A (ja) * | 2013-10-29 | 2015-05-07 | ソニー株式会社 | 情報処理装置、情報処理方法、およびプログラム |
US9816939B2 (en) * | 2014-07-22 | 2017-11-14 | Kla-Tencor Corp. | Virtual inspection systems with multiple modes |
US10168286B2 (en) * | 2014-12-10 | 2019-01-01 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect observation device and defect observation method |
US9816940B2 (en) | 2015-01-21 | 2017-11-14 | Kla-Tencor Corporation | Wafer inspection with focus volumetric method |
US9875536B2 (en) * | 2015-03-31 | 2018-01-23 | Kla-Tencor Corp. | Sub-pixel and sub-resolution localization of defects on patterned wafers |
US9898811B2 (en) * | 2015-05-08 | 2018-02-20 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for defect classification |
US10648924B2 (en) * | 2016-01-04 | 2020-05-12 | Kla-Tencor Corp. | Generating high resolution images from low resolution images for semiconductor applications |
US10360477B2 (en) * | 2016-01-11 | 2019-07-23 | Kla-Tencor Corp. | Accelerating semiconductor-related computations using learning based models |
CA3012360C (en) | 2016-03-01 | 2021-12-14 | Ventana Medical Systems, Inc. | Improved image analysis algorithms using control slides |
JP6537992B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2019-07-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、及び基板処理システム |
GB201617444D0 (en) * | 2016-10-14 | 2016-11-30 | Fujitsu Ltd | Processing digital image to remove unwanted portion |
JP6353008B2 (ja) * | 2016-11-02 | 2018-07-04 | ファナック株式会社 | 検査条件決定装置、検査条件決定方法及び検査条件決定プログラム |
US10395358B2 (en) * | 2016-11-10 | 2019-08-27 | Kla-Tencor Corp. | High sensitivity repeater defect detection |
US11237119B2 (en) * | 2017-01-10 | 2022-02-01 | Kla-Tencor Corporation | Diagnostic methods for the classifiers and the defects captured by optical tools |
WO2019006222A1 (en) * | 2017-06-30 | 2019-01-03 | Kla-Tencor Corporation | SYSTEMS AND METHODS FOR PREDICTING DEFECTS AND CRITICAL DIMENSION USING DEEP LEARNING IN A SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS |
US11275361B2 (en) | 2017-06-30 | 2022-03-15 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for predicting defects and critical dimension using deep learning in the semiconductor manufacturing process |
US10867108B2 (en) * | 2018-09-18 | 2020-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Optical mode optimization for wafer inspection |
US10801968B2 (en) * | 2018-10-26 | 2020-10-13 | Kla-Tencor Corporation | Algorithm selector based on image frames |
US11010885B2 (en) * | 2018-12-18 | 2021-05-18 | Kla Corporation | Optical-mode selection for multi-mode semiconductor inspection |
US11017522B2 (en) * | 2019-04-18 | 2021-05-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Inspection and cleaning system and method for the same |
US11415531B2 (en) | 2019-10-11 | 2022-08-16 | KLA Corp. | Statistical learning-based mode selection for multi-mode inspection |
US11151710B1 (en) * | 2020-05-04 | 2021-10-19 | Applied Materials Israel Ltd. | Automatic selection of algorithmic modules for examination of a specimen |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004294358A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法および装置 |
JP2005017159A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置における検査レシピ設定方法および欠陥検査方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6999614B1 (en) | 1999-11-29 | 2006-02-14 | Kla-Tencor Corporation | Power assisted automatic supervised classifier creation tool for semiconductor defects |
JP2001168160A (ja) * | 1999-12-07 | 2001-06-22 | Sony Corp | 半導体ウェハの検査システム |
US7136159B2 (en) | 2000-09-12 | 2006-11-14 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Excimer laser inspection system |
US6886153B1 (en) | 2001-12-21 | 2005-04-26 | Kla-Tencor Corporation | Design driven inspection or measurement for semiconductor using recipe |
US6833913B1 (en) | 2002-02-26 | 2004-12-21 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for optically inspecting a sample for anomalies |
US7508973B2 (en) * | 2003-03-28 | 2009-03-24 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method of inspecting defects |
US9002497B2 (en) * | 2003-07-03 | 2015-04-07 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspection of wafers and reticles using designer intent data |
US7142992B1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-11-28 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Flexible hybrid defect classification for semiconductor manufacturing |
WO2006044426A2 (en) | 2004-10-12 | 2006-04-27 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Computer-implemented methods and systems for classifying defects on a specimen |
JP2006220644A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-08-24 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン検査方法及びその装置 |
US7570797B1 (en) | 2005-05-10 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for generating an inspection process for an inspection system |
US9037280B2 (en) | 2005-06-06 | 2015-05-19 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Computer-implemented methods for performing one or more defect-related functions |
KR20060128277A (ko) | 2005-06-10 | 2006-12-14 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 결함 검사 방법 |
US7570796B2 (en) * | 2005-11-18 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
US7676077B2 (en) | 2005-11-18 | 2010-03-09 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
JP2007149837A (ja) | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 画像欠陥検査装置、画像欠陥検査システム及び画像欠陥検査方法 |
JP4723362B2 (ja) | 2005-11-29 | 2011-07-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 光学式検査装置及びその方法 |
KR100761851B1 (ko) | 2006-06-30 | 2007-09-28 | 삼성전자주식회사 | 실시간으로 최적화되는 반도체 소자의 전기적 검사를 위한 컴퓨터로 실행 가능한 저장매체 및 그 적용방법 |
US8045786B2 (en) * | 2006-10-24 | 2011-10-25 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Waferless recipe optimization |
US7904845B2 (en) * | 2006-12-06 | 2011-03-08 | Kla-Tencor Corp. | Determining locations on a wafer to be reviewed during defect review |
WO2008077100A2 (en) | 2006-12-19 | 2008-06-26 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for creating inspection recipes |
US8073240B2 (en) * | 2007-05-07 | 2011-12-06 | Kla-Tencor Corp. | Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for identifying one or more optical modes of an inspection system as candidates for use in inspection of a layer of a wafer |
US8126255B2 (en) | 2007-09-20 | 2012-02-28 | Kla-Tencor Corp. | Systems and methods for creating persistent data for a wafer and for using persistent data for inspection-related functions |
US8135204B1 (en) * | 2007-09-21 | 2012-03-13 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Computer-implemented methods, carrier media, and systems for creating a defect sample for use in selecting one or more parameters of an inspection recipe |
-
2010
- 2010-02-05 EP EP10739199A patent/EP2394295A2/en not_active Withdrawn
- 2010-02-05 WO PCT/US2010/023396 patent/WO2010091307A2/en active Application Filing
- 2010-02-05 US US13/148,473 patent/US9601393B2/en active Active
- 2010-02-05 JP JP2011549298A patent/JP5619776B2/ja active Active
-
2011
- 2011-07-27 IL IL214318A patent/IL214318A/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004294358A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法および装置 |
JP2005017159A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置における検査レシピ設定方法および欠陥検査方法 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015535597A (ja) * | 2012-11-12 | 2015-12-14 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 不偏ウェハの欠陥サンプル |
JP2020118696A (ja) * | 2014-05-15 | 2020-08-06 | ケーエルエー コーポレイション | 光学式検査及び光学式レビューからの欠陥属性に基づく電子ビームレビューのための欠陥サンプリング |
JP7026719B2 (ja) | 2014-05-15 | 2022-02-28 | ケーエルエー コーポレイション | 光学式検査及び光学式レビューからの欠陥属性に基づく電子ビームレビューのための欠陥サンプリング |
KR102308437B1 (ko) * | 2017-07-07 | 2021-10-06 | 주식회사 고영테크놀러지 | 대상체의 외부의 검사를 최적화하기 위한 장치 및 그 방법 |
US11747284B2 (en) | 2017-07-07 | 2023-09-05 | Koh Young Technology Inc. | Apparatus for optimizing inspection of exterior of target object and method thereof |
KR20200014438A (ko) * | 2017-07-07 | 2020-02-10 | 주식회사 고영테크놀러지 | 대상체의 외부의 검사를 최적화하기 위한 장치 및 그 방법 |
US11268910B2 (en) | 2017-07-07 | 2022-03-08 | Koh Young Technology Inc. | Apparatus for optimizing inspection of exterior of target object and method thereof |
KR102178903B1 (ko) * | 2018-02-23 | 2020-11-13 | 오므론 가부시키가이샤 | 외관 검사 장치, 및 외관 검사 장치의 조명 조건 설정 방법 |
US10805552B2 (en) | 2018-02-23 | 2020-10-13 | Omron Corporation | Visual inspection device and illumination condition setting method of visual inspection device |
KR20190101857A (ko) * | 2018-02-23 | 2019-09-02 | 오므론 가부시키가이샤 | 외관 검사 장치, 및 외관 검사 장치의 조명 조건 설정 방법 |
JP2021532347A (ja) * | 2018-07-20 | 2021-11-25 | ケーエルエー コーポレイション | 半導体検査における多モードの欠陥分類 |
US11668655B2 (en) | 2018-07-20 | 2023-06-06 | Kla Corporation | Multimode defect classification in semiconductor inspection |
JP7398432B2 (ja) | 2018-07-20 | 2023-12-14 | ケーエルエー コーポレイション | 半導体検査における多モードの欠陥分類 |
KR102120351B1 (ko) * | 2019-07-09 | 2020-06-08 | 한미반도체(주) | 비전시스템의 조명 설정 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110320149A1 (en) | 2011-12-29 |
JP5619776B2 (ja) | 2014-11-05 |
WO2010091307A2 (en) | 2010-08-12 |
IL214318A0 (en) | 2011-09-27 |
EP2394295A2 (en) | 2011-12-14 |
WO2010091307A3 (en) | 2010-11-04 |
US9601393B2 (en) | 2017-03-21 |
IL214318A (en) | 2016-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5619776B2 (ja) | ウエハの検査のための1つまたは複数のパラメータの選択方法 | |
JP7116106B2 (ja) | 多重モードを備えた検査システム及び方法 | |
US10014229B2 (en) | Generating a wafer inspection process using bit failures and virtual inspection | |
KR102386536B1 (ko) | 시편 상의 관심 패턴의 하나 이상의 특성의 결정 | |
KR102472309B1 (ko) | 검사를 위한 모드 선택 | |
TW201830006A (zh) | 用於在具有深堆疊層之晶圓中訓練及施加缺陷分類器之系統及方法 | |
JP2011521229A (ja) | 検査システムの偏光設定選択のための、コンピュータを利用した方法、キャリアメディアおよびシステム | |
WO2015100099A1 (en) | Defect discovery and inspection sensitivity optimization using automated classification of corresponding electron beam images | |
US9702827B1 (en) | Optical mode analysis with design-based care areas | |
KR20190057402A (ko) | 검사 관련 알고리즘을 설정하는데 사용되는 트레이닝 세트의 최적화 | |
KR20170127549A (ko) | 공정 윈도우 결정을 위한 적응형 샘플링 | |
TW202129262A (zh) | 用於多模式檢測之基於統計學習模式選擇 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140128 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140423 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140501 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140526 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140602 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140626 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140703 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140725 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140819 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140917 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5619776 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |