JP2012514190A - 集積回路デバイス構造をナノプロービングするための方法(集積回路デバイス構造のナノプロービング) - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この方法は、デバイス構造の第1の領域全体にわたって、第1の領域に近接する少なくとも1つのプローブを使用して、1次荷電粒子ビームを走査することを含み、デバイス構造の第2の領域は1次荷電粒子ビームからマスクされる。この方法は、2次電子イメージを形成するために、デバイス構造の第1の領域および少なくとも1つのプローブから放出される2次電子を収集することをさらに含む。2次電子イメージは、結像部分としての第1の領域および少なくとも1つのプローブと、非結像部分としての第2の領域とを含む。別の方法として、第2の領域は、第1の領域よりも速い走査速度で荷電粒子ビームによって走査可能であるため、結果として第2の領域は2次電子イメージの結像部分でもある。
【選択図】 図3
Description
Claims (24)
- デバイス構造の第1の領域および第2の領域に対して少なくとも1つのプローブを位置決めすること、
前記第1の領域および前記少なくとも1つのプローブ全体にわたって荷電粒子ビームを走査すること、
前記第1の領域全体にわたって前記荷電粒子ビームが走査される場合、前記第2の領域を前記荷電粒子ビームへの露光からマスクすること、および、
結像部分としての前記第1の領域および前記少なくとも1つのプローブと、非結像部分としての前記第2の領域とを含む、2次電子イメージを形成するために、前記デバイス構造の前記第1の領域および前記少なくとも1つのプローブから放出された2次電子を収集すること、
を含む、少なくとも1つのプローブを使用してサンプル上のデバイス構造をナノプロービングするための方法。 - 前記第2の領域をマスクすることが、
前記荷電粒子ビームが前記第2の領域に衝突することのないよう、前記第2の領域内の前記サンプル上で走査される位置に対して前記荷電粒子ビームをブランキングすることをさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記荷電粒子ビームをブランキングすることが、
前記サンプルからアップストリームのアパーチャ・ストップに衝突するように前記荷電粒子ビームを偏向するために有効な1つまたは複数の偏向板に電圧を印加することをさらに含む、請求項2に記載の方法。 - 前記荷電粒子ビームを走査することが、
複数の走査線として、前記サンプルに対して前記荷電粒子ビームをラスタ走査することをさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記走査線が前記第2の領域に入ることのないよう、前記第2の領域内の前記サンプル上で走査される位置に対して前記荷電粒子ビームをブランキングすることをさらに含む、請求項4に記載の方法。
- 前記第1の領域全体にわたって前記荷電粒子ビームを走査することが、
前記第1の領域内に限定された複数のベクトル走査線内で、前記サンプル上の前記荷電粒子ビームを移動させることをさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記2次電子イメージをビデオ表示ユニット上に表示すること、および
前記ビデオ表示ユニット上に表示された前記2次電子イメージを、前記荷電粒子ビームの前記ベクトル走査線と同期させるために、表示バッファを使用すること、
をさらに含む、請求項6に記載の方法。 - 前記第2の領域をマスクすることが、
前記第1の領域を前記サンプル上の複数の矩形の部分領域に分割すること、および
それぞれの前記矩形の部分領域について、複数のラスタ走査線として、前記サンプルに対して前記荷電粒子ビームをラスタ走査すること、
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記2次電子イメージをビデオ表示ユニット上に表示すること、および
前記ビデオ表示ユニット上のラスタ走査線を、それぞれの前記矩形の部分領域内の前記ラスタ走査線と同期させること、
をさらに含む、請求項8に記載の方法。 - それぞれの前記矩形の部分領域内の前記ラスタ走査線が、1つの前記ベクトルの終点で開始し、他の前記ベクトルの始点で終了するように、複数のベクトル内で前記サンプル上の前記荷電粒子ビームを移動する、請求項8に記載の方法。
- 前記第2の領域をマスクすることが、
前記荷電粒子ビームが前記ラスタ走査中に前記第2の領域に衝突しないように、前記第2の領域と交差する前記サンプル上のそれぞれの前記ベクトルの一部に対して前記荷電粒子ビームをブランキングすることをさらに含む、請求項10に記載の方法。 - 前記2次電子イメージをビデオ表示ユニット上に表示すること、および
前記ビデオ表示ユニット上のベクトルおよびラスタ走査線を、前記荷電粒子ビームの前記ベクトルおよび前記ラスタ走査線と同期させること、
をさらに含む、請求項10に記載の方法。 - 前記デバイス構造の前記第1の領域および前記少なくとも1つのプローブから放出された2次電子を収集する間に、前記デバイス構造から電気測定を獲得するために前記少なくとも1つのプローブを使用すること、
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記少なくとも1つのプローブを、前記電気測定の目的で前記デバイス構造の接点と接触させること、および
前記デバイス構造の前記第1の領域および前記少なくとも1つのプローブから放出された2次電子を収集する間に、前記少なくとも1つのプローブのシャンクの変形、または前記接点に対する前記少なくとも1つのプローブのチップの横方向移動について、前記2次電子イメージ内の前記少なくとも1つのプローブを監視すること、
をさらに含む、請求項13に記載の方法。 - 前記荷電粒子ビームが1次電子ビームである、請求項1に記載の方法。
- 前記2次電子イメージをビデオ表示ユニット上に表示すること、および
前記ビデオ表示ユニット上の走査線を、前記荷電粒子ビームの前記走査と同期させること、
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記デバイス構造の前記第1の領域および前記第2の領域に対して前記少なくとも1つのプローブを位置決めすることが、
前記デバイス構造のコンピュータ支援設計(CAD)レイアウトを使用して、前記第1の領域および前記第2の領域に対して前記少なくとも1つのプローブを位置決めすること、
前記デバイス構造の前記第1の領域全体にわたって前記荷電粒子ビームが走査される前に、前記デバイス構造の前記第1の領域が前記少なくとも1つのプローブに対して位置決めされるように、CADナビゲーションを使用して、前記少なくとも1つのプローブに対して前記サンプルを移動すること、
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第1の領域および前記第2の領域に対して前記少なくとも1つのプローブを位置決めすることが、
前記デバイス構造から遠隔の前記サンプル上の位置で、前記少なくとも1つのプローブの他の2次電子イメージを獲得すること、
前記少なくとも1つのプローブの前記2次電子イメージ上に、前記デバイス構造の前記CADレイアウトを重ね合わせること、および
前記CADレイアウトに対して前記少なくとも1つのプローブを位置決めすること、
をさらに含む、請求項17に記載の方法。 - 前記デバイス構造の前記CADレイアウトに対して前記第2の領域に関する境界を定義することをさらに含む、請求項17に記載の方法。
- デバイス構造の第1の領域および第2の領域に対して少なくとも1つのプローブを位置決めすること、
前記第1の領域全体にわたって荷電粒子ビームを第1の走査速度で走査すること、
前記第2の領域全体にわたって前記荷電粒子ビームを前記第1の走査速度よりも速い第2の走査速度で走査すること、および
結像部分としての前記第1および第2の領域と、前記少なくとも1つのプローブとを含む、2次電子イメージを形成するために、前記第1および第2の領域と前記少なくとも1つのプローブとから放出された2次電子を収集すること、
を含む、少なくとも1つのプローブを使用してサンプル上のデバイス構造をナノプロービングするための方法。 - 前記デバイス構造の前記第1および第2の領域と、前記少なくとも1つのプローブとから放出された2次電子を収集する間に、前記デバイス構造から電気測定を獲得するために前記少なくとも1つのプローブを使用すること、
をさらに含む、請求項20に記載の方法。 - 前記2次電子をビデオ表示ユニット上に表示すること、および
前記ビデオ表示ユニット上のラスタ走査線を、前記荷電粒子ビームの前記走査と同期させること、
をさらに含む、請求項20に記載の方法。 - 前記第1の領域が、前記第2の領域よりも高い解像度で前記2次電子イメージ内に表示されるように、前記第2の領域から放出される単位面積当たりの前記第2の電子の強度が、前記第1の領域から放出される単位面積当たりの前記第2の電子の強度よりも低い、請求項20に記載の方法。
- 前記荷電粒子ビームが1次電子ビームである、請求項20に記載の方法。
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