JP2012511244A - 均一な光密度と低減されたブラインド作用を備えたｌｅｄ照明装置 - Google Patents

Abstract

照明装置を提供する。この照明装置は、切欠き（５）を備えた基体（１）と、少なくとも前記切欠き（５）の一部によって構成されている反射器（５１）と、前記切欠き（５）内に配置されている、少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体構成部分（２０）とを有しており、当該半導体構成部分（２０）は光学部材（３）を有しており、当該光学部材は、作動中に前記半導体構成部分（２０）によって放射される電磁ビームの少なくとも一部を前記反射器（５１）へ偏向するように構成されており、当該照明装置のビーム出射面（６１）は、前記半導体構成部分のビーム出射面（４４）の総計の少なくとも２倍の大きさを有している。

Description

照明装置を提示する。

本特許出願は、ドイツ連邦共和国特許出願第１０２００８０６１０３２．１の優先権を主張し、この出願明細書の開示内容はこの引用により本願明細書に開示されているものとする。

照明装置全体にわたって分配される均一なビーム放射を可能にして、照明装置を外部から見る者が感じる輝度の差が低減される照明装置を提供することが、解決すべき１つの課題である。解決すべき別の課題は、照明装置を外部から見る者に対するブラインド作用を低減する、または回避する照明装置を提供することである。

少なくとも１つの実施形態では、照明装置は切欠きを備えた基体を含んでいる。この基体は、熱硬化性材料または熱可塑性材料または金属によって形成され、またはセラミックス材料によっても形成される。または基体はこのような材料から成る。有利には基体は中実体である。さらに、基体は切欠きを含んでいる。この切欠きは基体内の凹部であり、開口部を有しており、外部から自由にアクセスされる。さらにこの切欠きは例えば、底面と少なくとも１つの側面とを有している。底面および側面で、切欠きは基体に接している。底面は、切り欠きの、開口部に対向している側に存在する。開口部と底面は、側面によって相互に接続されている。

少なくとも１つの実施形態では、照明装置は反射器を含んでおり、ここでこの反射器は少なくとも切欠き部分によって構成されている。切欠きは反射器を構成することができる。これは次のことによって実現される。すなわち基体が切欠き内で反射性に構成されることによって実現される。このために基体自体は少なくとも切欠きの箇所で、反射性材料によって構成されている。同じように、切欠きに反射性材料をコーティングすることが可能である。例えば、このコーティングはアルミニウム等の金属である。

少なくとも１つの実施形態では、照明装置は少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体構成部分を有する。この半導体構成部分は切欠き内に配置されている。この半導体構成部分は例えば、切欠きの底面上に取り付けられている。

例えば、複数の半導体構成部分を切欠き内に取り付けることができる。

半導体構成部分は、電磁ビーム／光を形成する、１つまたは複数のルミネセンスダイオードチップを備えたルミネセンスダイオードである。ルミネセンスダイオードチップは、紫外光から赤外光の領域におけるビームを放射する発光ダイオードチップまたはレーザダイオードチップであり得る。有利には、ルミネセンスダイオードチップは、電磁ビームのスペクトルの可視領域における光を放射する。ルミネセンスダイオードチップは半導体チップであり得る。半導体チップは、ビーム形成に適した活性領域を備えた、エピタキシャルに成長された半導体層列を有している。

半導体構成部材の光軸は、半導体チップのエピタキシャルに成長された半導体層列に対して垂直である。

さらに、半導体構成部分は光学部材を有している。この光学部材は、半導体チップの後ろに配置されており、作動時に半導体チップから放射される電磁ビームに影響を与える。

半導体構成部分によって作動中に放射される電磁ビームの少なくとも一部は、この光学部材によって反射器へ偏向される。半導体構成部分によって放射された電磁ビームは、例えば、光学部材のビーム取り出し面で次のように屈折および／または反射され、半導体構成部分から取り出され、電磁ビームの少なくとも一部が反射器に入射し、反射器によって反射される。ビームの別の部分は、光学部材によって次のように半導体構成部分から取り出される。すなわち、これは直接的に、反射器へ事前に偏向されることなく、照明装置から取り出される。例えば、光学部材のビーム取り出し面は、半導体チップと反対側にある、光学部材表面である。

少なくとも１つの実施形態では、照明装置はビーム出射面を有している。このビーム出射面は、半導体構成部分のビーム出射面全体の少なくとも２倍の大きさを有している。

照明装置のビーム出射面の面積は、半導体構成部分の光軸に対して垂直な面での、基体内の切欠きの開口部の投影（Projektion）によって定められる面積である。「投影」とはここで、半導体構成部分の光軸に対して垂直に延在する面での、切欠きの開口部の数学的表現を意味している。半導体構成部分のビーム出射面の面積はこれに相応して、既に定められた面での、光学部材のビーム取り出し面の投影の面積として定められる。換言すれば、２つのビーム出射面の面積は、１つの面での投影において定められる。

ここで例えば切欠き内に、ビームを放射する半導体構成部分が１つ設けられている場合には、照明装置のビーム出射面は、半導体構成部分のビーム出射面の少なくとも２倍の大きさを有している。１つの切欠き内に複数の半導体構成部分が配置されている場合には、照明装置のビーム出射面は、半導体構成部分の全個別ビーム出射面の総計の少なくとも２倍の大きさを有している。

照明装置の少なくとも１つの実施形態では、照明装置は切欠きと反射器とを備えた基体を有している。この反射器は少なくとも、切欠き部分によって構成されている。

さらに、照明装置は少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体構成部分を有する。この半導体構成部分は切欠き内に配置されている。この半導体構成部分はさらに光学部材を有している。この光学部材は、半導体構成部分によって作動中に放出される電磁ビームの少なくとも一部を反射器に偏向する。照明装置のビーム出射面は、半導体構成部分のビーム出射面の総計の少なくとも２倍の大きさを有している。

本願の照明装置は殊に、半導体構成部分を外部から見る者にとっては、ビーム放射性半導体構成部分の高い光密度によって、ブラインド作用が増強されてしまうという知識に基づいている。

光密度はここで、輝度に対する尺度であり、面積あたりの光強度によって定義される。 さらに、外部から見る者にとって、半導体構成部分のビーム取り出し面だけでは比較的小さい。半導体構成部分の高い光密度と半導体構成部分の小さいビーム取り出し面とを組み合わせる場合には、外部から見る者に、ノイズとなり、かついらいらさせる照明印象が生じてしまう。従って、外部から見る者にとってブラインド作用が生じ得る。

半導体構成部分の高い光密度によって、外部から見る者に対して生じるブラインド作用を回避するために、本願に記載された照明装置は、次のような着想を使用する。すなわち、反射器をビーム放射半導体構成部分と組み合わせるという着想を使用する。このために、オプトエレクトロニクス半導体構成部分が、少なくとも部分的に、反射器を構成する切欠き内に取り付けられる。高い光密度と小さいビーム出射面の問題、およびこれに付随して生じる、外部から見る者に対するブラインド作用は、次のことによって解決される。すなわち、放射される電磁ビームが、半導体構成部分を有している光学部材によって少なくとも部分的に反射器へ偏向されることによって解決される。この反射器は、自身に入射する電磁ビームを反射する。すなわち照明装置から取り出される電磁ビーム全体は、光学部材から反射器へと偏向された電磁ビームと、反射器へ入射することなく光学部材を介してこの構成部分から直接的に取り出されたビーム成分とから成る。これによって、外部から見る者にとって識別可能なビーム出射面が拡張される。これは、照明装置の平面図において、反射器の全内側面によって構成される。有利にはこのようにして、半導体構成部分の光強度が、照明装置のビーム出射面上で分配される。この結果、照明装置のビーム出射面の外部から見る者に対するブラインド作用が回避される。すなわち、構成部分の平面図において、少なくとも、反射器が設けられている領域から、場合によっては、半導体構成部分が設けられている領域からも電磁ビームが放射される。

照明装置の少なくとも１つの実施形態では、照明装置の基体は、少なくとも２つの切欠きを有している。すなわち、１つの基体は複数の切欠きを有することができ、ここで各切欠き内に半導体構成部分が取り付けられている。同じように、１つの切欠き内に複数の半導体構成部分を配置することが可能である。有利には、多数のオプトエレクトロニスク半導体構成部分を１つの切欠き内に配置することによって、照明装置のできるだけ高い光強度が保証される。

照明装置の少なくとも１つの実施形態では、照明装置のビーム出射面の部分面の光密度と、照明装置のビーム出射面全体の光密度の平均値との相違は２０％を下回り、有利には１０％を下回り、特に有利には５％を下回る。照明装置のビーム出射面は、複数の任意の部分面に分けられる。全部分面の総計は同じように、照明装置のビーム出射面全体を生じさせる。照明装置のビーム出射面の１つの任意の部分面を観察すると、この部分面の光密度と、照明装置の光密度の平均値との相違は２０％を下回る。従って、有利には、照明装置のビーム出射面は、輝度において均一に見える。光学部材がビームの一部を反射器へ偏向させることによって、同時に、外部から見る者に対するブラインド作用が回避される。

照明装置の少なくとも１つの実施形態では、切欠きは、基体の外面で、少なくとも５ｃｍ、有利には少なくとも７ｃｍ、特に有利には少なくとも１０ｃｍの最大直径を有する。半導体構成部分の光強度全体は、照明装置のビーム出射面上で分配される。例えば、照明コンポーネントのビーム出射面は円形、楕円形または長方形である。これは例えば、切欠きの開口部自体が円形に形成されていることによって実現される。有利には、このように選択された直径によって、ビーム出射面はできるだけ大きく選択される。これによって、光強度全体が照明装置のビーム出射面上で分配され、照明コンポーネントのビーム出射面が拡大される。このようにして実現されたビーム出射面によって、例えば大面積の対象物を照明するのに特に適している照明装置が得られる。さらに有利には、直径の選択、ひいてはビーム出射面の大きさの選択によって、照明装置のビーム出射面の光密度が調整され、これに加えて、照明コンポーネントのビーム出射面の面が個々に、ユーザの要求に合わせられる。

照明装置の少なくとも１つの実施形態では、照明装置のビーム出射面から切欠きの最深点までの間隔は、少なくとも２ｍｍぶんだけ、オプトエレクトロニクス構成部分の最大高さよりも長い。切欠きの最深点は、半導体構成部分の光軸に対して平行に、切欠きの開口部から最も離れている点である。オプトエレクトロニクス構成部分の最大高さは例えば、半導体構成部分の光軸に対して平行に延在している区間であり、この方向に沿って、オプトエレクトロニクス半導体構成部分の最大伸長が検出される。ここでオプトエレクトロニクス構成部分は、切欠きの最深点に取り付けられる。従って、照明装置のビーム出射面と、照明装置のビーム出射面の下方に配置された半導体構成部分との間隔は、少なくとも２ｍｍである。

少なくとも１つの実施形態では、オプトエレクトロニクス半導体構成部分は、切欠きを突き出る。これは次のことを意味している。すなわち、オプトエレクトロニクス半導体構成部分の最大高さが、切欠きの最深点から切欠き開口部までの、半導体構成部分の光軸に対して平行な区間よりも長いということを意味している。

照明装置の少なくとも１つの実施形態では、反射器は少なくとも１つの反射器壁部を有している。この反射器壁部は、切欠きの側面によって構成されている。反射器壁部は、半導体構成部分を少なくとも部分的に側方で取り囲んでいる。反射器壁部は少なくとも部分的に、光学基本部材であるＣＰＣ（Compound Parabolic Concentrator：複合放物面集光器）、ＣＥＣ（Compound Eliptic Concentrator：複合楕円面集光器）、ＣＨＣ（Compound Hyperbolic Concentrator：複合双曲線集光器）のうちの少なくとも１の様式に応じて構成されている。有利には、反射器壁部は「自由形状面(Freiformflaeche)」を構成する。「自由形状面」とは、このコンテキストにおいて、照明装置の各照明要求に個々に合わせられる面のことである。

照明装置の少なくとも１つの実施形態では、光学部材は、半導体構成部分の作動中に放射される電磁ビームの少なくとも一部を、半導体構成部分の光軸に対して少なくとも１１０°の角度で偏向させるように構成されている。半導体構成部分によって放射された電磁ビームの一部は、この光学部材を通って、次のように半導体構成部分から取り出される。すなわち、次にビームの一部が照明装置から直接的に、事前に反射器へ偏向されることなく出射するように取り出される。このビーム成分は、直接的に取り出されたビーム成分を構成する。全体ビームの別の部分は、光学部材のビーム出射面を通って次のように取り出される。すなわち、半導体構成部分の光軸と、光学部材から取り出されたビームとの間の角度が少なくとも１１０°であるように取り出される。すなわちこのような角度で、半導体構成部分から取り出されたビーム成分は「下方へ」、光学部材および照明装置のビーム出射面から離れるように偏向される。有利にはこのビーム成分は反射器の反射器壁部へ偏向され、次に、反射器壁部によって反射され、これによって次に、照明装置から取り出される。

少なくとも１つの実施形態では、電磁ビームの偏向は少なくとも部分的に全反射によって行われる。反射器内でのビームの偏向の少なくとも一部は、光学部材のビーム取り出し面での全反射によって行われる。これは殊に次の場合に可能である。すなわち、光学部材の屈折率が、光学部材を取り囲んでいる媒体の屈折率よりも大きい場合に可能である。この媒体は例えば空気のことである。すなわち電磁ビームは、光学部材のビーム取り出し面での全反射によって、反射器の反射器壁部に偏向される。

少なくとも１つの実施形態では、電磁ビームの偏向は少なくとも部分的に屈折によって行われる。反射器内でのビームの偏向の少なくとも一部は、光学部材のビーム取り出し面での屈折によって行われる。すなわち、電磁ビームは、光学的影響の他に、反射器内での屈折によっても、全反射によって偏向される。有利にはこのようにして、半導体構成部分によって放射された全電磁ビームの出来るだけ多くの部分が、反射器壁部の表面へ偏向される。これによって、ブラインド作用の低減および照明面の拡大に関する上述の効果が増強される。

少なくとも１つの実施形態では、電磁ビームを通すカバープレートが切欠きを覆う。カバープレートとは、基体の外面と同一平面を成し、基体と直接的に接触接続する、ビームを通す剛性ボディである。有利にはカバープレートは、自立するように構成されている。カバープレートを透明に構成することができる。カバープレートが乳白色に構成され、通過する電磁ビームを拡散散乱させることもできる。同じように、カバープレート内に光学部材を組み込む、またはカバープレート自体が光学部材を構成することが可能である。さらに、カバープレートの後方に、別の光学部材を配置することが可能である。この光学部材は、マイクロプラズマまたは光フィルターであり得る。

少なくとも１つの実施形態では、カバープレートは、基体の外面と同一平面を成す。有利には、カバープレートは次のように形成される。すなわち、カバープレートが切欠き内にはめ込まれて、半導体構成部分と反対側のカバープレート表面が、基体の外面と同一平面上を成すように形成される。この場合には、半導体構成部分と反対側のカバープレート表面は、電磁ビームが放射される表面を構成する。有利には、照明装置の表面全体が平らに、かつ中断なく構成されるように照明装置が実現される。さらにカバープレートによって、外部周辺環境、例えば有害ガスまたは液体からの保護が実現される。半導体構成部分と反対側のカバープレート表面が、基体の外面と同一平面を成さないことも可能である。すなわちこの場合にはカバープレートが、切欠き内に高くまたは低く取り付けられる、またははめ込まれる。

以下で、本発明による照明装置を実施例およびそれらに対応する図面に基づき詳細に説明する。

本発明による照明装置の実施例の概略的な断面図 図１Ａに示された照明装置の概略的な平面図 本発明による照明装置の少なくとも１つの実施形態に即した別の実施例の概略的な断面図

実施例および図面において、同じ構成要素または同機能の構成要素にはそれぞれ同じ参照符号を付してある。図示された部材は縮尺通りに示されているのではなく、むしろ個々の部材はより良く理解するために誇張して大きく示されている。

図１Ａには、概略的な断面図に基づいて、基体１と、切欠き５内に取り付けられたオプトエレクトロニクス半導体構成部分２０とを備えた本願発明の照明装置が示されている。基体１は、セラミックス材料または金属によって形成されている。切欠き５は基体１１内の凹部であり、開口部６を有しており、外部から自由にアクセス可能である。

半導体構成部分は担体２と半導体チップ４とを有している。

担体２は、導体プレートまたは担体フレーム（リードフレーム）であり得る。担体２は例えば表面実装可能である。担体２は、熱硬化性材料または熱可塑性材料によって構成される。または担体２はセラミックス材料によっても構成される。半導体チップ４は担体２と導電性に接触接続される。基体１の外面１１は、切欠き５の縁部と同一平面を成す。照明装置のビーム出射面６１の面積は、半導体構成部分２０の光軸４２に対して垂直な面における、基体１内の切欠き５の開口部６の投影によって定められる。「投影」とはここで、半導体構成部分２０の光軸４２に対して垂直に延在する面での、切欠き５の開口部６の数学的表現を意味している。半導体構成部分の光軸４２は、半導体チップ４のエピタキシャルに成長した半導体層列に対して垂直に延在している。

さらに、ビーム出射面６１は楕円形に構成されており、Ｘｍｍの最大直径Ｄを有している。

照明装置は反射器５１を有している。切欠き５は反射器５１を形成する。半導体構成部分２０は、反射器５１の最深点に取り付けられている。反射器壁部５２は、３つの幾何学的な基本部材ＣＰＣ、ＣＥＣおよびＣＨＣまたは、これらの部材の任意の組み合わせによってあらわされる。有利にはこのような手段によって、反射器５１を照明装置の各照明要求に個別に合わせ、調整することができる。

この実施例では、反射器壁部５２は、途切れることなく、つながっている１つの側面によって構成されている。図１Ａに示された実施形態では、半導体構成部分２０の光軸４２は同時に、反射器５１の対称軸を成す。反射器壁部５２は高反射性の材料、例えばアルミニウムから成る金属層によってコーティングされている。有利にはこのようにして、できるだけ多くのビームが反射器壁部５２によって反射されることが保証される。

ここではオプトエレクトロニクス半導体構成部分２０は担体２上に接着によって、反射器５１の深さＴにおける最深点で、反射器壁部５２と接続されている。深さＴは、半導体構成部分２０の光軸４２に沿った、切欠き５の開口部６までの、反射器壁部５２の区間である。半導体チップ４のビーム出射面４４１には、光学部材３、例えば広角レンズの形状のレンズが設けられている。この光学部材３は、半導体チップ４によって放射された電磁ビームを、半導体構成部分２０の光軸４２から離れる方向に屈折および／または反射させる。殊に、光学部材３は半導体構成部分２０の光軸４２上で最大厚さＤＬを有しており、この箇所で２ｍｍの厚さである。光学部材３の材料は、ビームを散乱させる粒子を有しておらず、ポリカーボネート（ＰＣとも称される）またはシリコーンによって形成され得る。

光学部材３は次のように形成されている。すなわち、半導体チップ４によって放射された電磁ビームの少なくとも一部が、少なくとも１１０°の角度αで、半導体構成部分２０の光軸４２に対して偏向されるように形成されている。すなわちこのような角度αで、半導体構成部分から取り出されたビーム成分は「下方へ」、光学部材３および照明装置のビーム出射面６１から離れるように偏向され、このようにして、反射器５１の反射器壁部５２に入射し、続いて、そこで反射される。反射後、このビーム成分は照明装置から取り出される。

反射器内でのビームの偏向の一部は、光学部材３のビーム取り出し面３１での全反射によって行われる。ビーム取り出し面３１は、半導体チップ４と反対側の、光学部材３の表面である。全反射されたビーム成分は、反射器壁部５２へ偏向、反射され、次に照明装置から、照明装置のビーム出射面６１を介して取り出される。

別のビーム成分は、光学部材によって次のように半導体構成部分２０から取り出される。すなわち、ビームが、事前に反射器５１に偏向されることなく、照明装置から直接的に取り出される。

すなわち、照明装置から取り出される電磁ビームは少なくとも、光学部材３によって反射器５の方へ偏向されたビーム成分と、事前に反射器５１へ偏向されることなく直接的に照明装置から取り出されたビーム成分とから成る。

従って、ビーム出射面６１は、図１Ａに示された実施例では、半導体構成部分２０のビーム出射面４４よりもＸ倍大きくなる。

半導体構成部分２０のビーム出射面４４の面積は、半導体構成部分２０の光軸４２に対して垂直な面における、光学部材３のビーム取り出し面３１の投影の面積として定められる。

さらに、照明装置のこのような構成によって、照明装置のビーム出射面６１全体の光密度の平均値からのビーム出射面６１に沿った光密度の変動は５％を下回る。有利には、照明装置のビーム出射面６１は、光強度において特に均一に見える。

さらに、照明装置のこのような構成によって、高さの低い照明装置が得られる。なぜなら、半導体構成部分２０の光軸４２の方向において、場所を必要とする、半導体構成部分２０のビーム出射面４４を拡大させるために後続配置される光学系を省くことができるからである。構造体の高さは、半導体構成部分２０の光軸４２に沿った照明装置の伸長である。ここから、特に平らな照明装置が実現される。

図１Ｂは、図１Ａに示された照明装置の概略的な平面図である。基体１は、図１Ｂにおいて、２つの切欠き５を有している。２つの切欠き５の各々には、オプトエレクトロニクス半導体構成部分２０が取り付けられている。

図２には、断面図で、少なくとも１つの実施形態に即した、完成された照明装置が示されている。図１Ａに示された照明装置とは異なって、図２に示された照明装置は、カバープレート８を有している。オプトエレクトロニクス半導体構成部分２０と反対側にある、カバープレート８の表面は、ラテラル方向で、基体１の外面１１と同一平面を成し、切欠き５の開口部６の最大直径Ｄを有している。この場合には、半導体構成部分２０と反対側にある、カバープレート８の表面は、切欠きの表面５を形成する。有利には、照明装置の表面全体が平らで、かつ中断なく構成されるように照明装置が実現される。さらにカバープレート８は照明装置、殊に半導体構成部分２０を、外部の周辺影響から保護する。カバープレート８は、自立したプレートである。すなわち、カバープレート８は、取り付け後に、さらなる固定手段および安定化手段を必要としない。すなわちカバープレート８は自身の形状を保ち、これによって、破損箇所、起伏等がカバープレート８内に形成されることはない。この実施例ではカバープレート８の厚さＤＡは１．５ｍｍである。すなわち半導体構成部分２０と反対側の、カバープレート８の表面と、半導体構成部分２０との間に、少なくとも一箇所で、０．５ｍｍの間隔が形成される。

なお、本発明は実施例に基づいたこれまでの説明によって限定されるものではない。むしろ本発明は新たな各特徴ならびにそれらの特徴の各組み合わせを包含し、このことは殊にこれらの特徴またはこれらの組み合わせ自体が明示的に請求項または実施例に示されていない場合であっても、請求項における特徴の各組み合わせを含む。

Claims (11)

1. 照明装置であって、
   ・切欠き（５）を備えた基体（１）と、
   ・少なくとも前記切欠き（５）の一部によって構成されている反射器（５１）と、
   ・前記切欠き（５）内に配置されている、少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体構成部分（２０）とを有しており、
   当該半導体構成部分（２０）は光学部材（３）を有しており、当該光学部材は、作動中に前記半導体構成部分（２０）によって放射される電磁ビームの少なくとも一部を前記反射器（５１）へ偏向するように構成されており、
   ・当該照明装置のビーム出射面（６１）は、前記半導体構成部分のビーム出射面（４４）の総計の少なくとも２倍の大きさを有している、
   ことを特徴とする照明装置。
2. 前記基体（１）は少なくとも２つの切欠き（５）を有している、請求項１記載の照明装置。
3. 当該照明装置のビーム出射面（６１）の部分面の光密度と、当該照明装置のビーム出射面（６１）全体の光密度の平均値との相違は２０％を下回る、請求項１または２記載の照明装置。
4. 前記切欠き（５）は、前記基体（１）の外面（１１）において、少なくとも５ｃｍの直径を有している、請求項１から３までのいずれか１項記載の照明装置。
5. 当該照明装置のビーム出射面（６）から前記切欠き（５）の最深点までの間隔は、前記オプトエレクトロニクス半導体構成部分（２０）の最大高さよりも少なくとも２ｍｍ長い、請求項１から４までのいずれか１項記載の照明装置。
6. 反射器壁部（５２）は少なくとも部分的に、光学基本部材であるＣＰＣ，ＣＥＣ，ＣＨＣの少なくとも１つの様式に従って構成されている、請求項１から５までのいずれか１項記載の照明装置。
7. 前記光学部材（３）は、作動中に半導体構成部分（２０）によって放射される電磁ビームの少なくとも一部を、前記半導体構成部分（２０）の光軸（４２）に対して少なくとも１１０°の角度で偏向させるように構成されている、請求項１から６までのいずれか１項記載の照明装置。
8. 前記電磁ビームの偏向は少なくとも部分的に、全反射によって行われる、請求項７記載の照明装置。
9. 前記電磁ビームの偏向は少なくとも部分的に、屈折によって行われる、請求項７または８記載の照明装置。
10. 電磁ビームを通す、ビーム透過性のカバープレート（８）が前記切欠き（５）を覆う、請求項１から９までのいずれか１項記載の照明装置。
11. 前記カバープレート（８）は、前記基体（１）の外面（１１）と同一平面を成す、請求項１０記載の照明装置。

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