JP2012508980A5 - - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 42
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006011 modification reaction Methods 0.000 description 1
Description
本発明の様々な修正形態及び変更形態が、当業者には、本発明の範囲及び趣旨から逸脱することなく明らかとなろう。また、理解されたいこととして、本発明は、本明細書に記載した例示的な実施形態に不当に限定されるものではない。
本発明はまた、以下の内容を包含する。
(1)薄膜半導体デバイスを作製する方法であって、
a)第1及び第2の導電性ゾーンを支持する基板を用意する工程であって、前記第1及び第2の導電性ゾーンは、それらの間にチャネルを画定し、該チャネルは、いずれの導電性ゾーンの周囲の75%超とも境界を画さない、工程と、
b)有機半導体を含有する溶液の個別のアリコートを、前記チャネルに隣接してあるいは前記チャネル上に堆積させる工程であって、前記アリコートは、単一の薄膜半導体デバイスに有機半導体を与え、前記溶液の大部分は、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に堆積される、工程と、を含む、方法。
(2)前記チャネルは、いずれの導電性ゾーンの周囲の50%以上とも境界を画さない、項目(1)に記載の方法。
(3)前記チャネルと前記導電性ゾーンの各々との境界は、実質的に直線状であり、かつ実質的に平行である、項目(1)に記載の方法。
(4)前記薄膜半導体デバイスはトランジスタであり、前記第1の導電性ゾーンはソースであり、前記第2の導電性ゾーンはドレインである、項目(1)に記載の方法。
(5)前記溶液の70%超が、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に堆積される、項目(1)に記載の方法。
(6)前記溶液の90%超が、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に堆積される、項目(1)に記載の方法。
(7)前記溶液のすべてが、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に堆積される、項目(1)に記載の方法。
(8)前記個別のアリコートは、複数の小滴の形態で堆積される、項目(1)に記載の方法。
(9)前記小滴はインクジェット印刷で堆積される、項目(8)に記載の方法。
(10)前記小滴の少なくとも70%が、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に堆積される、項目(9)に記載の方法。
(11)前記小滴の少なくとも90%が、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に堆積される、項目(9)に記載の方法。
(12)前記小滴のすべてが、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に堆積される、項目(9)に記載の方法。
(13)前記チャネルは、あるチャネル長さを有し、前記有機半導体を含有する溶液の個別のアリコートは、堆積後に湿潤され、次いで、前記チャネル長さの10倍以下の長さを有する、項目(1)に記載の方法。
(14)前記チャネルは、あるチャネル長さを有し、前記有機半導体を含有する溶液の個別のアリコートは、前記チャネル長さ未満の長さを有するバンド内に堆積される、項目(1)に記載の方法。
(15)前記チャネルは、あるチャネル長さを有し、前記有機半導体を含有する溶液の個別のアリコートは、前記チャネル長さ未満の長さを有するバンド内に堆積され、前記溶液のすべてが、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に堆積される、項目(1)に記載の方法。
(16)薄膜半導体デバイスであって、
a)第1及び第2の導電性ゾーンを支持する基板であって、前記第1及び第2の導電性ゾーンは、それらの間にチャネルを画定し、該チャネルは、いずれの導電性ゾーンの周囲の75%超とも境界を画さない、基板と、
b)前記チャネル上にかつ前記チャネルに隣接して位置する有機半導体を備える個別の半導体層であって、単一の薄膜半導体デバイスとして働き、前記個別の半導体層の大部分は、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に存在する、個別の半導体層と、を備える、薄膜半導体デバイス。
(17)前記チャネルは、いずれの導電性ゾーンの周囲の50%以上とも境界を画さない、項目(16)に記載のデバイス。
(18)前記チャネルと前記導電性ゾーンの各々との境界は、実質的に直線状であり、かつ実質的に平行である、項目(16)に記載のデバイス。
(19)前記薄膜半導体デバイスはトランジスタであり、前記第1の導電性ゾーンはソースであり、前記第2の導電性ゾーンはドレインである、項目(16)に記載のデバイス。
(20)ゲートと誘電層とを更に備える、項目(19)に記載のデバイス。
(21)前記個別の半導体層の55%超が、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に存在する、項目(16)に記載の方法。
(22)前記個別の半導体層の60%超が、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に存在する、項目(16)に記載の方法。
(23)前記個別の半導体層の70%超が、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に存在する、項目(16)に記載の方法。
(24)前記個別の半導体層の80%超が、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に存在する、項目(16)に記載の方法。
(25)前記チャネルがあるチャネル長さを有し、前記個別の半導体層は、前記チャネル長さの10倍以下の長さを有する、項目(16)に記載のデバイス。
(26)薄膜半導体デバイスの対を作製する方法であって、
a)基板を用意する工程であって、前記基板は、
i)第1及び第2の導電性ゾーンであって、それらの間に第1のチャネルを画定する、第1及び第2の導電性ゾーンと、
ii)第3及び第4の導電性ゾーンであって、それらの間に第2のチャネルを画定する、第3及び第4の導電性ゾーンと、を支持する、工程と、
b)有機半導体を含有する溶液の個別のアリコートを、前記第1及び第2のチャネルに隣接してあるいは前記第1及び第2のチャネル上に堆積させる工程であって、前記アリコートは、正確に2つの単一の薄膜半導体デバイスに有機半導体を与え、前記溶液の大部分は、前記第1のチャネル上ではなく前記第1のチャネルの片側に堆積され、前記溶液の大部分は、前記第2のチャネル上ではなく前記第2のチャネルの片側に堆積される、工程と、を含む、方法。
(27)薄膜半導体デバイスの対であって、
a)基板であって、
i)第1及び第2の導電性ゾーンであって、それらの間に第1のチャネルを画定する、第1及び第2の導電性ゾーンと、
ii)第3及び第4の導電性ゾーンであって、それらの間に第2のチャネルを画定する、第3及び第4の導電性ゾーンと、を支持する基板と、
b)前記第1及び第2のチャネル上にかつ前記第1及び第2のチャネルに隣接して位置する有機半導体を備える個別の半導体層であって、正確に2つの単一の薄膜半導体デバイスとして働き、前記個別の半導体層の大部分は、前記第1のチャネル上ではなく前記第1のチャネルの片側に存在し、前記個別の半導体層の大部分は、前記第2のチャネル上ではなく前記第2のチャネルの片側に存在する、個別の半導体層と、を備える、薄膜半導体デバイスの対。
本発明はまた、以下の内容を包含する。
(1)薄膜半導体デバイスを作製する方法であって、
a)第1及び第2の導電性ゾーンを支持する基板を用意する工程であって、前記第1及び第2の導電性ゾーンは、それらの間にチャネルを画定し、該チャネルは、いずれの導電性ゾーンの周囲の75%超とも境界を画さない、工程と、
b)有機半導体を含有する溶液の個別のアリコートを、前記チャネルに隣接してあるいは前記チャネル上に堆積させる工程であって、前記アリコートは、単一の薄膜半導体デバイスに有機半導体を与え、前記溶液の大部分は、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に堆積される、工程と、を含む、方法。
(2)前記チャネルは、いずれの導電性ゾーンの周囲の50%以上とも境界を画さない、項目(1)に記載の方法。
(3)前記チャネルと前記導電性ゾーンの各々との境界は、実質的に直線状であり、かつ実質的に平行である、項目(1)に記載の方法。
(4)前記薄膜半導体デバイスはトランジスタであり、前記第1の導電性ゾーンはソースであり、前記第2の導電性ゾーンはドレインである、項目(1)に記載の方法。
(5)前記溶液の70%超が、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に堆積される、項目(1)に記載の方法。
(6)前記溶液の90%超が、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に堆積される、項目(1)に記載の方法。
(7)前記溶液のすべてが、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に堆積される、項目(1)に記載の方法。
(8)前記個別のアリコートは、複数の小滴の形態で堆積される、項目(1)に記載の方法。
(9)前記小滴はインクジェット印刷で堆積される、項目(8)に記載の方法。
(10)前記小滴の少なくとも70%が、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に堆積される、項目(9)に記載の方法。
(11)前記小滴の少なくとも90%が、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に堆積される、項目(9)に記載の方法。
(12)前記小滴のすべてが、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に堆積される、項目(9)に記載の方法。
(13)前記チャネルは、あるチャネル長さを有し、前記有機半導体を含有する溶液の個別のアリコートは、堆積後に湿潤され、次いで、前記チャネル長さの10倍以下の長さを有する、項目(1)に記載の方法。
(14)前記チャネルは、あるチャネル長さを有し、前記有機半導体を含有する溶液の個別のアリコートは、前記チャネル長さ未満の長さを有するバンド内に堆積される、項目(1)に記載の方法。
(15)前記チャネルは、あるチャネル長さを有し、前記有機半導体を含有する溶液の個別のアリコートは、前記チャネル長さ未満の長さを有するバンド内に堆積され、前記溶液のすべてが、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に堆積される、項目(1)に記載の方法。
(16)薄膜半導体デバイスであって、
a)第1及び第2の導電性ゾーンを支持する基板であって、前記第1及び第2の導電性ゾーンは、それらの間にチャネルを画定し、該チャネルは、いずれの導電性ゾーンの周囲の75%超とも境界を画さない、基板と、
b)前記チャネル上にかつ前記チャネルに隣接して位置する有機半導体を備える個別の半導体層であって、単一の薄膜半導体デバイスとして働き、前記個別の半導体層の大部分は、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に存在する、個別の半導体層と、を備える、薄膜半導体デバイス。
(17)前記チャネルは、いずれの導電性ゾーンの周囲の50%以上とも境界を画さない、項目(16)に記載のデバイス。
(18)前記チャネルと前記導電性ゾーンの各々との境界は、実質的に直線状であり、かつ実質的に平行である、項目(16)に記載のデバイス。
(19)前記薄膜半導体デバイスはトランジスタであり、前記第1の導電性ゾーンはソースであり、前記第2の導電性ゾーンはドレインである、項目(16)に記載のデバイス。
(20)ゲートと誘電層とを更に備える、項目(19)に記載のデバイス。
(21)前記個別の半導体層の55%超が、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に存在する、項目(16)に記載の方法。
(22)前記個別の半導体層の60%超が、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に存在する、項目(16)に記載の方法。
(23)前記個別の半導体層の70%超が、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に存在する、項目(16)に記載の方法。
(24)前記個別の半導体層の80%超が、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に存在する、項目(16)に記載の方法。
(25)前記チャネルがあるチャネル長さを有し、前記個別の半導体層は、前記チャネル長さの10倍以下の長さを有する、項目(16)に記載のデバイス。
(26)薄膜半導体デバイスの対を作製する方法であって、
a)基板を用意する工程であって、前記基板は、
i)第1及び第2の導電性ゾーンであって、それらの間に第1のチャネルを画定する、第1及び第2の導電性ゾーンと、
ii)第3及び第4の導電性ゾーンであって、それらの間に第2のチャネルを画定する、第3及び第4の導電性ゾーンと、を支持する、工程と、
b)有機半導体を含有する溶液の個別のアリコートを、前記第1及び第2のチャネルに隣接してあるいは前記第1及び第2のチャネル上に堆積させる工程であって、前記アリコートは、正確に2つの単一の薄膜半導体デバイスに有機半導体を与え、前記溶液の大部分は、前記第1のチャネル上ではなく前記第1のチャネルの片側に堆積され、前記溶液の大部分は、前記第2のチャネル上ではなく前記第2のチャネルの片側に堆積される、工程と、を含む、方法。
(27)薄膜半導体デバイスの対であって、
a)基板であって、
i)第1及び第2の導電性ゾーンであって、それらの間に第1のチャネルを画定する、第1及び第2の導電性ゾーンと、
ii)第3及び第4の導電性ゾーンであって、それらの間に第2のチャネルを画定する、第3及び第4の導電性ゾーンと、を支持する基板と、
b)前記第1及び第2のチャネル上にかつ前記第1及び第2のチャネルに隣接して位置する有機半導体を備える個別の半導体層であって、正確に2つの単一の薄膜半導体デバイスとして働き、前記個別の半導体層の大部分は、前記第1のチャネル上ではなく前記第1のチャネルの片側に存在し、前記個別の半導体層の大部分は、前記第2のチャネル上ではなく前記第2のチャネルの片側に存在する、個別の半導体層と、を備える、薄膜半導体デバイスの対。
Claims (2)
- 薄膜半導体デバイスを作製する方法であって、
a)第1及び第2の導電性ゾーンを支持する基板を用意する工程であって、前記第1及び第2の導電性ゾーンは、それらの間にチャネルを画定し、該チャネルは、いずれの導電性ゾーンの周囲の75%超とも境界を画さない、工程と、
b)有機半導体を含有する溶液の個別のアリコートを、前記チャネルに隣接してあるいは前記チャネル上に堆積させる工程であって、前記アリコートは、単一の薄膜半導体デバイスに有機半導体を与え、前記溶液の大部分は、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に堆積される、工程と、を含む、方法。 - 薄膜半導体デバイスであって、
a)第1及び第2の導電性ゾーンを支持する基板であって、前記第1及び第2の導電性ゾーンは、それらの間にチャネルを画定し、該チャネルは、いずれの導電性ゾーンの周囲の75%超とも境界を画さない、基板と、
b)前記チャネル上にかつ前記チャネルに隣接して位置する有機半導体を備える個別の半導体層であって、単一の薄膜半導体デバイスとして働き、前記個別の半導体層の大部分は、前記チャネル上ではなく前記チャネルの片側に存在する、個別の半導体層と、を備える、薄膜半導体デバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11478408P | 2008-11-14 | 2008-11-14 | |
US61/114,784 | 2008-11-14 | ||
PCT/US2009/063099 WO2010056568A1 (en) | 2008-11-14 | 2009-11-03 | Off-center deposition of organic semiconductor in an organic semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012508980A JP2012508980A (ja) | 2012-04-12 |
JP2012508980A5 true JP2012508980A5 (ja) | 2012-12-13 |
Family
ID=41722786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011536386A Pending JP2012508980A (ja) | 2008-11-14 | 2009-11-03 | 有機半導体デバイスにおける有機半導体のオフセンター堆積 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2356708A1 (ja) |
JP (1) | JP2012508980A (ja) |
CN (1) | CN102217109A (ja) |
WO (1) | WO2010056568A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8835915B2 (en) | 2010-11-22 | 2014-09-16 | 3M Innovative Properties Company | Assembly and electronic devices including the same |
JP2017098489A (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | 東ソー株式会社 | 有機半導体層形成用溶液、有機半導体層、および有機薄膜トランジスタ |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4843236B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2011-12-21 | 株式会社リコー | 薄膜トランジスタ及びそれを用いた画像表示装置 |
KR20070033144A (ko) * | 2005-09-21 | 2007-03-26 | 삼성전자주식회사 | 표시장치와 표시장치의 제조방법 |
JP5916976B2 (ja) * | 2006-05-18 | 2016-05-11 | コニカミノルタ株式会社 | 有機薄膜トランジスタの形成方法、及び有機薄膜トランジスタ |
WO2008114564A1 (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-25 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
-
2009
- 2009-11-03 JP JP2011536386A patent/JP2012508980A/ja active Pending
- 2009-11-03 WO PCT/US2009/063099 patent/WO2010056568A1/en active Application Filing
- 2009-11-03 CN CN2009801457083A patent/CN102217109A/zh active Pending
- 2009-11-03 EP EP09748649A patent/EP2356708A1/en not_active Withdrawn
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