JP2012504239A

JP2012504239A - 微小電力磁気スイッチ

Info

Publication number: JP2012504239A
Application number: JP2011529043A
Authority: JP
Inventors: デヴィッド，ポール; コゾモラ，ネヴェンカ; ペプカ，ゲーリー・ティー
Original assignee: Allegro Microsystems LLC
Current assignee: Allegro Microsystems LLC
Priority date: 2008-09-29
Filing date: 2009-07-14
Publication date: 2012-02-16
Also published as: WO2010036438A1; US8222888B2; DE112009002337T5; US20100079138A1

Abstract

外部トリガ信号によって制御される電力管理機構を有するセンサが示される。センサは、磁場信号発生回路と、磁場信号発生回路に結合された制御回路とを含む。制御回路は、外部的に発生されたトリガ信号に応答して、所定の時間区間の間、磁場信号発生回路を活動化する供給電流パルスを起動する。

Description

本発明は一般に磁場センサに関し、より詳細には低電力用途での使用のための磁場センサに関する。

低電力用途において、磁場を検出するための磁場センサが知られている。このようなセンサは通常は、内部タイミング回路を使用して、デューティサイクルのわずかな割合に対してデバイスの部分を活動化する。

一態様では一般に、本発明はセンサを対象とする。センサは、磁場信号発生回路と、所定の時間区間の間、磁場信号発生回路を活動化する供給電流パルスを起動するように、磁場信号発生回路に結合され外部的に発生されたトリガ信号に応答する制御回路とを含む。

本発明の実施形態は、以下の特徴の１つまたは複数を含むことができる。センサはさらに、制御回路および磁場信号発生回路に結合された磁場信号処理回路を含むことができる。磁場信号処理回路は、供給電流パルスによって活動化されて、磁場信号発生回路からの出力に基づいて出力信号の状態を設定する。センサには、外部的に発生されたトリガ信号として外部コントローラによって発生されたパルス化された信号を受け取るように構成された入力を設けることができる。別法としてセンサは電圧供給入力を含むことができ、外部的に発生されたトリガ信号として電圧供給入力にて受け取った供給信号に基づいてパルス化された電源信号を用いるように構成することができる。制御回路は、トリガ入力として外部的に発生されたトリガ信号を受け取り、それに応答してワンショット出力パルスを生じるためのワンショット回路を含むことができる。制御回路は、ワンショット回路に接続され、ワンショット出力パルスに応答して供給電流パルスを磁場信号発生回路に供給するように動作可能なスイッチをさらに含むことができる。

別の態様では本発明は、コントローラと、コントローラに結合されたセンサとを含むシステムを対象とする。センサは、磁場信号発生回路と、磁場信号発生回路に結合され外部的に発生されたトリガ信号に応答する制御回路とを含み、制御回路は、所定の時間区間の間、磁場信号発生回路を活動化する供給電流パルスを起動するように動作可能である。

上記の本発明の特徴、および本発明自体は、以下の図面の詳細な説明からより完全に理解することができるであろう。

ワンショットトリガ入力として外部制御信号を受け取るように構成されたワンショット回路を含む例示の低電力センサを示す図である。ワンショットトリガ入力として供給（ＶＣＣ）信号を用いるように構成されたワンショット回路を含む代替の例示の低電力センサを示す図である。低電力動作のための様々なセンサ信号波形を示す図である。図１〜２に示されるような低電力センサが使用される例示の応用例を示す図である。

図１を参照すると、その内部電力消費を制御するために、外部的に発生された信号を使用する低電力センサ１０が示される。低電力センサは、電池駆動型デバイスなどの電力が制約された用途での使用に適するものである。一実施形態では図１に示されるように、センサ１０は、出力切り換えタイプの磁場センサである。このタイプのセンサは、センサスイッチ（単極性、および無極性の両方、すなわち極に依存しないもの）、およびラッチなどのデバイスを含む。磁場検出用途ではセンサ１０は、磁性物に近接して配置され、センサ出力（ＶＯＵＴ）１２に所定の強度の磁場の存在を示すセンサ出力信号１４を生じる。センサ１０は、磁性物に対して可動または固定とすることができる。

センサ１０は、検出された磁場に比例するたとえば電圧信号である磁場信号１８を生じる磁場検出素子（磁場トランスデューサとも呼ばれる）１６を含む。検出素子１６は、単一の磁気応答性素子を含むことができ、あるいはたとえばハーフブリッジまたはフル（ホイートストン）ブリッジなど様々な構成に配置された２つ以上のそのような素子を含むことができる。例示的実施形態では、検出素子１６は単一のホール効果素子として示される。しかしセンサ１０は、任意のタイプのセンサとすることができ、したがって図１に示されるホール効果センサに限定されない。したがって検出素子１６の１つまたは複数の素子は、磁気抵抗（ＭＲ）素子など、ホール効果素子以外の形をとることができる。ＭＲ素子は、非限定的に異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）デバイス、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）デバイス、および磁気トンネル接合（ＭＴＪ、またスピン依存トンネリングまたは「ＳＤＴ」としても知られる）トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）デバイスを含む任意のタイプのＭＲデバイスから作製することができる。

検出素子１６は磁場信号発生回路２０内に示され、この回路は全体として磁場信号１８を発生するように動作する様々な通常の回路を含むことができる。一般に回路２０は、検出素子１６に加えて、検出素子１６の出力信号を増幅するための少なくとも増幅器２２を含む。回路２０はチョッパ安定化を実装することができ、それにより変調スイッチ回路によって供給電圧はホール効果素子の接点に交互に接続され、変調された信号は次いでしばしば半導体ホール効果素子に付随するオフセット電圧を除いた磁場信号を生じるために、増幅器によって復調される。さらにまたは代替として回路２０は、それにより磁場信号がセンサの電源範囲の中心に置かれるオフセット調整機能、および／または、それにより磁場信号の利得がクリッピングを生じることなく電源範囲内でピークツーピークを最大にするように調整される利得調整機能を実装することができる。

センサ１０はさらに、磁場信号処理回路２４、および出力回路２６を含む。出力回路２６は、ラッチ２７、および出力段２８を含んで示される。回路２４は、ローパスフィルタ３０および比較器回路３２を含んで示され、磁場信号１８を処理して比較器出力３４を生成する。比較器出力３４は、ラッチ２７に供給される。ラッチ２７は、比較器回路出力３４に応答し、その出力の状態をラッチする。ラッチ２７の出力であるラッチ出力３６は出力段２８に供給され、この出力段２８はセンサ出力端１２にセンサ出力信号１４を生じるように働く。出力段２８は、トーテムポールプッシュプル出力構成として実装することができる。別法として出力段は、センサの２つのデジタル出力状態を表す２つの電流のレベルを生じる電流源出力構造として実装することもできる。出力電流は供給／接地ライン上にもたらされるので、電流源出力構造を用いることにより電圧出力端１２が不要になる。

低電力動作を達成するためにセンサ１０は、第１の時間区間の間で活動化し、第２の時間区間の間で非活動化することができる。より具体的には電力は、第１の時間区間（または「アウェイク区間」）の間ではセンサ１０のいくつかの部分に印加され、第２の時間区間（または「スリープ区間」）の間ではそれらの部分から取り除かれる。アウェイク区間の間で生じる測定およびそれに続く処理は、本明細書では「サンプリング」と呼び、したがってアウェイク区間は「サンプル区間」または「サンプル時間」と呼ぶ。

同じく図１を参照すると図示のように、第１の制御回路またはデバイス３８は、ＶＣＣ端子すなわち入力４２にて外部電源によって供給される電源電圧ＶＣＣ４０を、第１のＶＣＣバス４４を通じて回路２０、２４に結合するように設けられる。制御信号４６は、制御回路３８に印加される。一実施形態では図１に示されるように、回路３８はスイッチによって形成される。スイッチはたとえば、ＭＯＳＦＥＴデバイスなどのトランジスタ、または他の何らかのタイプのスイッチングデバイスとすることができる。スイッチ３８は、制御信号４６が第１の信号レベル（たとえば、論理ハイレベル）のときは回路２０、２４に電力供給するように閉路（すなわちターンオン）され、制御信号が第２の信号レベル（たとえば、論理ローレベル）のときは回路２０、２４から電力を取り除くように開路（すなわちターンオフ）される。

図１の例示的実施形態に示されるように、センサ１０は、ワンショット回路４８によって形成される第２の制御回路を含む。ワンショット回路４８は、センサ入力５０と制御回路３８の間に結合される。これはまたコンデンサ５１を通じて接地に結合される。第１および第２の制御回路３８、４８は一緒にコンデンサ５１と共に、より大きな制御回路５２を形成する。ワンショット回路４８は、安定状態を有するデバイスであり、入力信号に応答してその出力の状態をある期間変化させた後に安定状態に戻る。より具体的にはワンショット回路４８は入力の「遷移」に応答し、すなわちエッジトリガされる。これは立ち上がりエッジ（アクティブハイ遷移）トリガ用、または立ち下がりエッジ（アクティブロー遷移）トリガ用に設計することができる。エンドユーザが正または負エッジトリガを選択することを可能にするために、デュアルトリガ型入力の能力をもたらすこともできる。ワンショット回路４８は、センサ入力５０にて受け取られる外部的に発生されたトリガ信号５４の特定の遷移（すなわちエッジ）に従って、制御信号４６としてワンショット出力パルスを生成する。

トリガ信号５４は、何らかのタイプの制御信号、たとえばパルス化されたまたはクロック化された信号とすることができる。この信号は、応用例においてセンサ１０が結合される外部トリガ発生器（たとえば、コントローラまたはプロセッサ）により、センサ入力５０にてセンサ１０に供給される。それによりトリガ信号５４は制御回路５２に、アウェイク区間の間に測定および処理（「サンプリング」）を活動化させる。すなわちトリガは、磁場信号を発生するように回路２０を、かつその磁場信号を用いて出力状態を設定するように処理回路２４を活動化し、この出力状態は後続するスリープ区間の開始と共にラッチ２７によってラッチされる。より具体的にはワンショット回路４８は、出力パルスすなわち出力４６を生成してスイッチ３８をターンオンし、スイッチ３８は供給電流（ＩＣＣ）パルスを生成する。ワンショット回路４８は、それが入力信号の立ち上がりエッジにせよ立ち下がりエッジにせよ、各トリガ事象のたびに単一の出力パルスを生成する。それにより制御回路５２は、外部トリガ発生器によって設定されるタイミング、たとえば所定の周波数に従ってＩＣＣパルスを起動する。回路２０、２４は、別のワンショット出力パルス４６がスイッチ３８に印加されて新しいアウェイク／サンプル区間での動作のために回路２０、２４を活動化するまで、スリープモード（わずかな大きさの「スリープ」電流のみを引き込む）のままとなる。

ＩＣＣパルスは少なくとも所定の、アウェイクすなわちサンプル区間に対応する最小持続時間のものである。ワンショット出力パルス持続時間（および、したがってＩＣＣパルス持続時間）は、ワンショット回路４８の内部タイミングおよびコンデンサ５１の値によって決まる。センサ１０は、正しい動作のためには適切にタイミング化されたＩＣＣパルスを必要とする。したがって制御回路５２は、センサ回路２０、２４が有効なサンプルを生成するのに必要な最小の時間を生じるように設計されなければならない。トリガ信号５４は、結果としてのＩＣＣパルスより小さくても大きくてもよい。当技術分野で知られているようにワンショット回路４８には、パルス持続時間を延長するまたは短縮することを可能にする、それぞれ再トリガおよび／またはクリア機能の形での追加のパルス制御を設けることができる。再トリガは、望むならセンサデバイスを全電力モードにて（１００％デューティサイクルで）動作させ続けるために用いることができる。

コンデンサ５１のためのコンデンサの選択は、タイミングおよび場合によってはその応用例の他の要件に従って行うことができる。これはたとえば、ＷｉｌｌｉａｍＰ．Ｔａｙｌｏｒ、ＫａｒｌＰ．Ｓｃｈｅｌｌｅｒ、およびＡｎｄｒｅａＦｏｌｅｔｔｏを発明者とし２００８年８月２８日に出願され、主題の出願の譲受人であるアレグロマイクロシステムズインコーポレーテッドに譲渡された「ＭｅｔｈｏｄｓａｎｄＡｐｐａｒａｔｕｓｆｏｒＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔＨａｖｉｎｇＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＥｎｅｒｇｙＳｔｏｒａｇｅＤｅｖｉｃｅ（集積化されたエネルギー蓄積デバイスを有する集積回路のための方法および装置）」という名称の米国特許出願第１２／１９８１９１号に記載されたタイプの構造体とすることができる。図にはコンデンサが示されるが、インダクタなどの他のタイプのエネルギー蓄積デバイスも企図される。

出力段２８はセンサ出力１４を、磁性物がセンサから所定の距離内にあるときは第１の信号レベルにて、磁性物がセンサ１０から所定の距離内にないときは第２の信号レベルにて生じる。ラッチ２７は、各アウェイク区間の終了に対応する各電流パルスの立ち下がりエッジでの比較器出力信号３４の状態をラッチするように動作する。ラッチ２７および出力段２８は、第２のＶＣＣバス５６を通じて直接ＶＣＣに結合される。センサ１０の内部回路は、ＧＮＤ端子５８を通して接地に接続される。

センサ１０は、様々な回路要素がその上に形成された半導体基板を含む集積回路（ＩＣ）の形で提供され得る。このようなＩＣのインターフェースは、図では破線によって示され、入力ピン５０、ＶＣＣ入力または端子４２、ＧＮＤ端子５８、および出力段の実装に応じて出力端（ＶＯＵＴ）１２のそれぞれに対応するように少なくとも１つのピンを有することになる。ＩＣの機能、すなわちその中に含まれる回路要素は、特定の用途に適するように変え得ることを理解されたい。

図２を参照すると、センサ１０’として示されるセンサ１０の代替的実施形態は、ＶＣＣをワンショットトリガ信号として用いる。一実装形態では図２に示されるように、センサ１０’は、ＶＣＣ４０とワンショット回路４８の間にパルス（または波形）制御デバイス６０を含むことができる。このような一実装形態では、ワンショット回路４８にワンショットトリガ信号６２として、パルス化された供給電圧信号が供給される。パルス制御デバイス６０はたとえば、供給電圧信号４０をワンショット回路４８の入力に結合するために、別のワンショット回路、コンデンサまたはインダクタを含むパルス発生回路とすることができる。他の実装形態ではＶＣＣ４０は、ワンショット回路の入力に直接結び付けられる。センサ１０’内のデバイス６０の設計および／または組み込みは、ＶＣＣ端子４２に供給されるＶＣＣ信号４０の特性に依存することになる。一部の用途はたとえば外部電池節約回路を通じて、パルス化された（すなわちトグルされた）ＶＣＣを、センサの供給電圧としてセンサに供給することが知られている。他の用途では、一定の供給電圧を用いることができる。もちろん強制的な信号開始状態を有するワンショット回路を開発する技術もある。図１に示されるセンサ１０に関して上述したように、センサ１０’内の出力段２８は、電流源出力構造として実装することができる。先に述べたように電流源出力構造の実装形態では、電流出力はＶＣＣとＧＮＤ端子の間にもたらされる。このタイプの出力段により、低コストワイヤハーネス用の２線インターフェースを必要とする用途での使用の場合にセンサ１０’がより魅力的なものとなる。

図３は、図１〜２を参照して上述したトリガ信号に基づく低電力センサ動作のための例示的信号波形７０を示す。図１〜３を参照すると波形７０は、トリガ信号５２（図１）またはトリガ信号６２（図２）に対応する波形７２、出力３４に対応する波形７４、ＶＣＣ４０に対応する波形７６、および供給電流、ＩＣＣに対応する波形７８を含む。図２を参照して上述したように、ＶＣＣ信号４０がワンショット回路入力に直接供給される一実施形態では、トリガ信号波形もまたＶＣＣ波形となることが理解されよう。図示の実施例では、サンプル動作のためのタイミングシーケンスは、トリガ信号（波形７２）がハイレベルに遷移することから開始する。この遷移に応答してワンショット回路４８は、出力パルスを生成してスイッチ３８を閉路（すなわちターンオン）する。次いでスイッチ３８は、供給電流（すなわちＩＣＣ）パルス８０を生成する。供給電流パルス８０は、サンプル区間８２の間に回路２０、２４に供給される供給電流に対応する。サンプル区間８２は、（上述のように）磁場強度測定が行われて処理される期間を定義する。サンプル区間８２は、出力信号３４の状態（波形７４）が更新されることで終了し、ここではそれはハイレベルへの遷移として示される。すなわち例示的実施例は、出力変化に関連する磁場レベルに基づく。サンプル区間８２の終わりでは供給電流は、アウェイク電流値からスリープ電流値になり、次のトリガの立ち上がりエッジによって別のＩＣＣパルスが起動されるまでそのレベルのままとなる。サンプル時間の間に発生された出力データは、電流パルスの立ち下がりエッジでラッチされ、次のサンプルが生じるまで保持される。

サンプル／アウェイク区間の間の典型的なＩＣＣ電流は、約１．５ｍＡとすることができる。「スリープ」区間では典型的なＩＣＣスリープ電流は、７５ｎＡ未満とすることができる。したがってスリープ区間の間に低電力モードによって引き込まれる電流は、アウェイク区間の間に消費される電力に比べて大幅な低減となる。エンドユーザは、所与の用途に対してどれだけ頻繁に測定を更新しなければならないかを決定した後に、センサ１０（または１０’）のウェイクアップレートを用途によって許容される最小に設定し、それにより回路２０、２４がスリープモードにある期間を延長する（したがって電力消費を低減する）ことができる。

図２を参照して上述したように、出力段は２線構成に適合させることができる。パルス化されたＶＣＣトリガを用いた２線構成では、出力が高出力電流状態（センサ１０’が適切な磁気信号を受けたとして）になった場合は、出力はセンサが再び電力供給され次のサンプルが生じるまでその状態のままとなる。そうでない場合は、出力は低電流出力状態のままとなる。

低電力動作の自動オン／オフ制御のためのこの低電力トリガ技術は、スイッチおよびラッチを含む任意のタイプのデジタル出力スイッチングセンサに適用することができる。これはまた、たとえばリニアおよび電流検出用途に適合された内部アーキテクチャ（回路２０、２４、２６）を有するセンサなどの、他のタイプのセンサに使用することもできる。特に、工業用または家庭用電力監視用途などの一部の電流検出用途は、瞬時電流測定は必要でない場合がある。低電力トリガ技術によるサンプリング時間での電流測定を行うことでより充分となり得る。このような動作をサポートするために、電流センサとして動作するセンサ１０、１０’のための出力構造２６においてまたはその一部として、アナログ電流レベルのデジタル表示を生成するためのアナログ−デジタル変換器と、そのデジタル表示を保持するためのラッチを含むことが望ましい場合もある。低電力トリガ技術は、低サンプルレート、およびさらに内部クロックに依存しないサンプル時間を必要とする任意のセンサに対して有用となる。

センサ１０、１０’は、広い範囲の低電力エンドユーザ用途に適し得る。特に、携帯（たとえば、セルラおよびコードレス）電話、ポータブルメディアプレーヤ、携帯ゲーム機、モバイルＰＣ（ページャ、パームトップまたはハンドヘルドコンピュータ、携帯情報端末など）、ならびに工業用計測および機械スイッチ（たとえば、リードスイッチ）の置き換えなどの、電池式機器用に魅力的である。電力消費の低減により電池駆動型機能の利用可能性が延長され、また電池サイズおよび重量の低減が可能となる。特に携帯電話用途では、低電力センサ１０、１０’は、たとえば蓋部が開かれた場合スイッチオンされ、蓋部が閉じられた場合はスイッチオフするように動作する、開いたまたは閉じた蓋部の検出方式のために用いることができる。このタイプの動作は、たとえばデジタルカメラまたはカメラ付き電話など蓋部／カバーを有する他の電池駆動型デバイスに適用することができる。

図４は、低電力検出のためにセンサ１０（またはセンサ１０’）を使用する応用例９０の簡略化した図を示す。応用例９０は、マイクロコントローラまたはプロセッサ９２として示され、センサ１０に結合されたトリガ発生器を含む。センサ１０は、応用例の目標物部分（「目標物」）９６にある磁性物９４として示される磁束源９４の極く近傍に配置される。もちろん磁束源９４は、所与の磁場検出用途において磁束を生成する任意のデバイスまたは構造体とすることができる。これはリング磁石または２極磁石などの永久磁石を含むように実施することができる。その磁石は、「目標物」デバイス、すなわち可動または回転デバイスなどの検出されるべき対象物に結合するまたはその中に取り付けることができる。他の可能な磁束源として、電流検出用途、磁石／コイル組立体、および磁場を生成する他の電流を運ぶデバイスにおいて用いられるなどの、電磁石（たとえば、電流を運ぶ導線およびコイル）を含むことができる。

プロセッサ９２は、入力トリガ信号５２をセンサ１０に、より具体的には（図１〜２の）ワンショット回路４８に供給する。センサ１０の検出素子１６は、磁性物９４に付随する磁場９８を検出し、続いてセンサ出力信号１４を発生する。例示的応用例では出力信号１４は、プロセッサ９２に供給される（その代わりに何らかの他のデバイスに供給することもできる）。別法としてコントローラまたは電力源は、トリガ信号５２の代わりに、（図２に示されるように、センサがＶＣＣトリガ信号４０として用いる、またはＶＣＣトリガ信号６２を生成するために）ＶＣＣ信号を供給することができる。

開いたまたは閉じた蓋部（またはカバー）の検出方式を有する折り畳み式携帯電話では、上述のように磁性物９４をカバー（目標物部分９６に対応する）内に配置することができ、センサ１０およびマイクロコントローラ９２は電話器の本体内に配置することができる。このような構成では出力信号１４は、所定の強度の磁場が検出されたかどうかに基づいてカバーが開いているか閉じているかの表示を生じる。

本明細書に記載のすべての参考文献は、参照によりその全体を本明細書に組み込む。

本発明の好ましい実施形態について述べてきたが、当業者にはそれらの概念を組み込んだ他の実施形態を用い得ることが明らかであろう。したがってこれらの実施形態は開示された実施形態に限定されるべきではなく、添付の特許請求の範囲の趣旨および範囲によってのみ限定されるべきであると考える。

Claims

磁場信号発生回路と、
所定の時間区間の間、前記磁場信号発生回路を活動化する供給電流パルスを起動するように、前記磁場信号発生回路に結合され外部的に発生されたトリガ信号に応答する制御回路と
を備えるセンサ。
前記制御回路および前記磁場信号発生回路に結合された磁場信号処理回路をさらに含み、前記磁場信号処理回路は、前記供給電流パルスによって活動化されて、前記磁場信号発生回路からの出力に基づいて出力信号の状態を設定する、請求項１に記載のセンサ。
前記外部的に発生されたトリガ信号として外部コントローラによって発生されたパルス化された信号を受け取るように構成された入力をさらに備える、請求項１に記載のセンサ。
電圧供給入力をさらに備え、前記センサは、前記外部的に発生されたトリガ信号として前記電圧供給入力にて受け取った供給信号に基づいてパルス化された電源信号を用いるように構成される、請求項１に記載のセンサ。
前記磁場信号発生回路は、少なくとも１つのホール効果素子を備える検出素子を含む、請求項１に記載のセンサ。
前記磁場信号発生回路は、少なくとも１つの磁気抵抗（ＭＲ）素子を備える検出素子を含む、請求項１に記載のセンサ。
前記制御回路は、トリガ入力として前記外部的に発生されたトリガ信号を受け取り、それに応答してワンショット出力パルスを生じるためのワンショット回路を備える、請求項１に記載のセンサ。
前記制御回路は、前記ワンショット回路に接続され、前記ワンショット出力パルスに応答して前記供給電流パルスを前記磁場信号発生回路に供給するように動作可能なスイッチをさらに備える、請求項７に記載のセンサ。
前記供給電流パルスは、前記磁場信号発生信号がその間に活動化されるアウェイク区間を定義し、前記供給電流パルスと次の供給電流パルスの間の時間は、前記磁場発生回路がその間に非活動化されるスリープ区間を定義する、請求項１に記載のセンサ。
前記磁場信号発生回路および前記制御回路は、半導体集積回路として集積化される、請求項１に記載のセンサ。
コントローラと、
前記コントローラに結合されたセンサであって、前記センサは磁場信号発生回路、および前記磁場信号発生回路に結合され外部的に発生されたトリガ信号に応答する制御回路を含み、前記制御回路は所定の時間区間の間、前記磁場信号発生回路を活動化する供給電流パルスを起動するように動作可能である、センサと
を備えるシステム。
前記センサは、前記制御回路および前記磁場信号発生回路に結合された磁場信号処理回路をさらに含み、前記磁場信号処理回路は、前記供給電流パルスによって活動化されて、前記磁場信号発生回路からの出力に基づいて出力信号の状態を設定する、請求項１１に記載のシステム。
前記センサは、前記外部的に発生されたトリガ信号として前記コントローラによって発生されたパルス化された信号を受け取るように構成された入力をさらに含む、請求項１１に記載のシステム。
前記センサは電圧供給入力をさらに備え、前記センサは、前記外部的に発生されたトリガ信号として前記電圧供給入力にて受け取った供給信号に基づいてパルス化された電源信号を用いるように構成される、請求項１１に記載のシステム。
前記磁場信号発生回路は、少なくとも１つのホール効果素子を備える検出素子を含む、請求項１１に記載のシステム。
前記磁場信号発生回路は、少なくとも１つの磁気抵抗（ＭＲ）素子を備える検出素子を含む、請求項１１に記載のシステム。
前記制御回路は、トリガ入力として前記外部的に発生されたトリガ信号を受け取り、それに応答してワンショット出力パルスを生じるためのワンショット回路を備える、請求項１１に記載のシステム。
前記制御回路は、前記ワンショット回路に接続され、前記ワンショット出力パルスに応答して前記供給電流パルスを前記磁場信号発生回路に供給するように動作可能なスイッチをさらに備える、請求項１７に記載のシステム。
前記供給電流パルスは、前記磁場信号発生信号がその間に活動化されるアウェイク区間を定義し、前記供給電流パルスと次の供給電流パルスの間の時間は、前記磁場発生回路がその間に非活動化されるスリープ区間を定義する、請求項１１に記載のシステム。
前記磁場信号発生回路および前記制御回路が、半導体集積回路として集積化される、請求項１１に記載のシステム。
磁場信号発生回路と、
前記磁場信号発生回路に結合された制御回路であって、第１の制御回路および第２の制御回路を備え、前記第２の制御回路はトリガ信号に応答して出力パルスを生成し、前記第１の制御回路は前記出力パルスに応答して所定の時間区間の間、前記磁場信号発生回路を活動化する供給電流パルスを起動する、制御回路と
を備えるセンサ。