JP2012256747A - 固体電解コンデンサおよび固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】漏れ電流量が低く、高い耐電圧性能を有する、優れた固体電解コンデンサを提供する。
【解決手段】本発明は、表面に誘電体被膜を有する陽極体と、陽極体上に設けられた固体電解質層と、を備え、誘電体被膜には、二酸化ケイ素粒子が存在する、固体電解コンデンサである。
【選択図】図１

Description

本発明は、固体電解コンデンサおよび固体電解コンデンサの製造方法に関する。

従来より、コンデンサの小型化と大容量化を図るべく、様々なコンデンサが開発されている。なかでも、小型化に適したコンデンサとして、固体電解コンデンサが広く知られている。固体電解コンデンサの１つとして、ニオブ、タンタルおよびアルミニウムなどの弁作用金属からなる焼結体、または上記弁作用金属からなり、エッチングなどによりその表面が粗面化された箔を陽極体として備える固体電解コンデンサがある。このような固体電解コンデンサは、大きな表面積を有する陽極体を備えることができるため、誘電体被膜を拡面化することができ、結果的に、固体電解コンデンサの小型化、大容量化が可能となる。

上記固体電解コンデンサにおいては、特性のさらなる向上のための開発が進められている。たとえば、特許文献１には、固体電解コンデンサの自己修復性を高めて漏れ電流を抑制することを目的に、コロイダルシリカを含有する固体電解質層を形成する技術が記載されている。具体的には、特許文献１の技術において、固体電解質層を形成するためのモノマー溶液または酸化剤溶液にコロイダルシリカを添加し、モノマーを化学重合させることによって、コロイダルシリカを含有する固体電解質層が形成される。

特開２０１０−８７３４４号公報

しかしながら、コロイダルシリカを構成する二酸化ケイ素の粒子は吸湿性が高いため、モノマー溶液、酸化剤溶液などにコロイダルシリカを含有させて重合反応を行う場合に、化学重合を阻害するという問題がある。このため、特許文献１に記載される技術では、固体電解コンデンサの特性を十分に向上させることができていないのが実情である。

そこで、本発明は、特性の優れた固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様は、表面に誘電体被膜を有する陽極体と、陽極体上に設けられた固体電解質層と、を備え、誘電体被膜には、二酸化ケイ素粒子が存在する、固体電解コンデンサである。

上記固体電解コンデンサにおいて、二酸化ケイ素粒子の平均粒子径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることが好ましい。なお、本明細書において、平均粒子径とは、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）によって測定される球状の粒子径の平均値を意味し、粒子が楕円状の場合には、粒子の長径(粒子の外表面の任意の２点を結ぶ線分のうち最長の長さ)の平均値を意味する。

上記固体電解コンデンサにおいて、二酸化ケイ素粒子は、誘電体被膜中に包含されることが好ましい。

上記固体電解コンデンサにおいて、二酸化ケイ素粒子はコロイド状であることが好ましい。

本発明の第２の態様は、誘電体被膜が形成された陽極体を再化成処理する工程と、再化成処理された陽極体上に固体電解質層を形成する工程と、を含み、再化成処理する工程は、陽極体を、二酸化ケイ素粒子を含有する再化成処理液に浸漬する工程と、再化成処理液に浸漬された陽極体に、電圧を印加する工程とを含む、固体電解コンデンサの製造方法である。

上記固体電解コンデンサの製造方法において、二酸化ケイ素粒子の平均粒子径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることが好ましい。

上記固体電解コンデンサにおいて、再化成処理液における二酸化ケイ素粒子の濃度が２質量％以上１０質量％以下であることが好ましい。

上記固体電解コンデンサにおいて、二酸化ケイ素粒子はコロイド状であることが好ましい。

上記固体電解コンデンサにおいて、二酸化ケイ素粒子は負電荷を帯びていることが好ましい。

上記固体電解コンデンサにおいて、再化成処理する工程の前に、陽極体の基体を化成処理して、基体の表面に誘電体被膜を形成する工程を含み、誘電体被膜を形成する工程は、基体を、二酸化ケイ素粒子を含有する化成処理液に浸漬する工程と、化成処理液に浸漬された前記基体に、電圧を印加する工程を含むことが好ましい。

本発明によれば、特性の優れた固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供することができる。

実施形態１の固体電解コンデンサの模式的な断面図である。 図１のコンデンサ素子の構成を説明するための概略図である。 図１の陽極体の構成を説明するための概略図である。 実施形態１の固体電解コンデンサの製造方法を示すフローチャートである。 図４のステップＳ４を示すフローチャートである。 実施形態２の固体電解コンデンサの模式的な断面図である。 実施形態２の固体電解コンデンサの製造方法を示すフローチャートである。

以下、図面を参照しながら、本発明に係る固体電解コンデンサの実施の形態を説明する。以下の実施の形態は一例であり、本発明の範囲内で種々の実施の形態での実施が可能である。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。

＜実施形態１＞
まず、図１〜図３を用いて、実施形態１の固体電解コンデンサの構成について説明する。図１は、実施形態１の固体電解コンデンサの模式的な断面図であり、図２は、図１のコンデンサ素子の構成を説明するための概略図であり、図３は、図１の陽極体の構成を説明するための概略図である。

図１を参照し、固体電解コンデンサは、コンデンサ素子１０と、有底ケース１１と、封止部材１２と、座板１３と、リード線１４Ａ，１４Ｂと、リードタブ１５Ａ，１５Ｂとを備える。コンデンサ素子１０にはリードタブ１５Ａ，１５Ｂが接続され、リードタブ１５Ａ，１５Ｂのそれぞれにはリード線１４Ａ，１４Ｂが電気的に接続されている。このコンデンサ素子１０は、上面に開口端を有する有底ケース１１に収納されており、リード線１４Ａ，１４Ｂが貫通するように形成された封止部材１２がコンデンサ素子１０の上面に配置されることによって、有底ケース１１内に封止されている。また、有底ケース１１の開口端近傍は、横絞りされてカール加工されており、加工されたカール部分には座板１３が配置されている。

図２を参照し、コンデンサ素子１０は、リードタブ１５Ａと接続した陽極体２１と、リードタブ１５Ｂと接続した陰極体２２と、セパレータ２３とを備える。陽極体２１および陰極体２２は、セパレータ２３を介して一体的に巻回されており、巻回されたコンデンサ素子１０の最外周は、巻止めテープ２４により止められる。なお、図２では、コンデンサ素子１０の最外周を止める前の状態、すなわち、コンデンサ素子１０を一部を展開した状態を示している。

陽極体２１は、図３を参照し、表面が粗面化された基体としての金属箔３０と、金属箔３０の表面に設けられた誘電体被膜３１とからなる。また、陽極体２１と陰極体２２（不図示）との間には、固体電解質層３２が設けられている。以下、本実施形態の説明を容易とするために、本明細書において、陽極体２１およびセパレータ２３の間に固体電解質層３２が形成される前のコンデンサ素子１０を「巻回体」ともいう。

以下に、固体電解コンデンサの各構成要素について具体的に説明する。
陽極体２１を構成する金属箔３０は、特に限定されず、たとえば、アルミニウム、タンタル、ニオブなどの弁作用金属からなる金属箔を用いることができる。また、金属箔３０の表面に設けられる誘電体被膜３１の表面積を大きくするために、金属箔３０の表面は拡面化されていることが好ましい。たとえば、金属箔３０の表面をエッチング処理して粗面化することによって、金属箔３０の表面を拡面化することができる。

誘電体被膜３１は、絶縁性の化合物からなる被膜である。たとえば、金属箔３０がアルミニウム、タンタルまたはニオブからなる場合、誘電体被膜３１の組成は酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）、または酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）であることが好ましい。この場合、化成処理によって誘電体被膜３１を容易に形成することができる。

また、誘電体被膜３１には、二酸化ケイ素粒子が存在している。この構成により、誘電体被膜３１の絶縁性および強度を高めることができるため、固体電解コンデンサの漏れ電流量を抑制することができる。

なかでも、二酸化ケイ素粒子が誘電体被膜３１中に包含されることにより、二酸化ケイ素粒子が誘電体被膜３１と固体電解質層３２との接触を阻害することがない点で、二酸化ケイ素粒子が誘電体被膜３１中に包含されることが好ましい。「誘電体被膜３１中に包含」とは、陽極体２１内に二酸化ケイ素粒子が包み込まれていること、すなわち、金属箔３０の表面および誘電体被膜３１中のいずれか、または両方に存在することを意味し、誘電体被膜３１の表面から露出して、固体電解質層３２と接触するような構成を除外する意味である。

特に、本発明者は、詳細な検討および各種実験により、ＳＥＭにより測定される二酸化ケイ素粒子の平均粒子径が、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることが好ましいことを知見している。このため、二酸化ケイ素粒子は、コロイド状の二酸化ケイ素粒子、いわゆるコロイドケイ酸粒子あることが好ましい。陽極体２１の表面および／または誘電体被膜３１中に二酸化ケイ素粒子が存在するかどうか、その表面から露出しているかどうか、および、二酸化ケイ素粒子の粒径のそれぞれは、具体的には、固体電解コンデンサを分解して、あるいは、誘電体被膜３１部分の断面を露出させ、これを、たとえば、ＳＥＭ−ＥＤＳ（エネルギー分散型Ｘ線分光器を備える走査型電子顕微鏡）を用い観察することによって、確認することができる。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）によっても確認することができる。

陰極体２２は、金属箔からなり、たとえば、アルミニウム、タンタル、ニオブなどの弁作用金属からなる金属箔を用いることができる。陽極体２１と陰極体２２を構成する金属は同じでも良く、異なっていてもよい。

セパレータ２３は、たとえば、合成セルロース、ポリエチレンテレフタレート、ビニロン、アラミド繊維を主成分とする不織布などを用いることができる。

固体電解質層３２は、二酸化マンガン、ＴＣＮＱ錯塩(７，７，８，８-テトラシアノキノジメタン)、導電性高分子などを用いることができる。特に、電気伝導性の高さから、固体電解質層３２は導電性高分子からなることが好ましい。導電性高分子は、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフラン若しくはポリアニリン、またはこれらの誘導体などからなる。ポリチオフェンおよびその誘導体の導電性が高いことから、ポリチオフェンまたはその誘導体からなる導電性高分子を用いることが好ましい。

また、導電性高分子からなる固体電解質層３２には、ドーパントが含まれる。ドーパントとしては、たとえば、アルキルスルホン酸、芳香族スルホン酸、多環芳香族スルホン酸などのスルホン酸化合物、硝酸、硫酸などを用いることができる。具体的には、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メトキシベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、テトラリンスルホン酸などを好適に用いることができる。なかでも、ｐ−トルエンスルホン酸は、固体電解質層３２に高い導電性を付与することができる点で特に好ましい。

有底ケース１１は、たとえば、アルミニウム、ステンレス、銅、鉄、真鍮などの金属、あるいはこれらの合金からなるケースを用いることができる。また、封止部材１２は、絶縁性の物質であればよく、たとえば、絶縁性の弾性体を用いることができる。なかでも、耐熱性や密封性の比較的高い材料である、シリコンゴム、フッ素ゴム、エチレンプロピレンゴム、ハイパイロンゴム、ブチルゴム、イソプレンゴムなどの絶縁ゴムを用いることが好ましい。また、リード線１４Ａ，１４Ｂおよびリードタブ１５Ａ，１５Ｂの材料も特に限定されず、公知の材料を用いることができる。

次に、図１〜図５を用いて、本実施形態の固体電解コンデンサの製造方法について説明する。図４は、実施形態１の固体電解コンデンサの製造方法を示すフローチャートであり、図５は、図４のステップＳ４を示すフローチャートである。

（化成処理）
図４を参照し、まず、金属箔３０を化成処理して、誘電体被膜３１を形成する（ステップＳ１）。

具体的には、まず、所定の大きさの金属箔３０の表面を粗面化する。金属の種類は特に限定されないが、誘電体被膜３１の形成が容易である点からは、アルミニウム、タンタル、ニオブなどの弁作用金属を用いることが好ましい。また、粗面化は、たとえば、金属箔３０をエッチング処理することによって、金属箔３０の表面に複数の凹部を形成することができる。

次に、粗面化された金属箔３０を化成処理し、金属箔３０の表面に誘電体被膜３１を形成する。化成処理とは、陽極体２１をアジピン酸アンモニウム水溶液、リン酸水溶液などの化成処理液に浸漬して熱処理する方法であり、あるいは、陽極体２１を上記化成液に浸漬して電圧を印加する方法である。そして、誘電体被膜３１が形成された金属箔３０を陽極体２１として必要な所望の大きさに切断する。

以上の処理により、表面に凹部を有する金属箔３０上に誘電体被膜３１が設けられた陽極体２１が作製される。なお、金属箔３０を所望の大きさに切断した後に、誘電体被膜３１を形成してもよいが、量産性の観点から、大判の弁作用金属箔に対して粗面化処理および化成処理を行い、その後、切断することが好ましい。

（巻回体の作製）
次に、上記陽極体２１と、セパレータ２３、陰極体２２とを巻回して、巻回体を作製する（ステップＳ２）。

具体的には、まず、陽極体２１と陰極体２２とを、セパレータ２３を介して巻回する。このとき、リード線１４Ａ，１４Ｂがそれぞれ接続されたリードタブ１５Ａ，１５Ｂを陽極体２１、陰極体２２にそれぞれ接続後、これを巻き込みながら巻回することにより、図２に示すように、リードタブ１５Ａ，１５Ｂを巻回体中に立設させることができる。次に、巻回された陽極体２１、陰極体２２およびセパレータ２３のうち、最外層に位置する陰極体２２の外側表面に、巻止めテープ２４を配置し、陰極体２２の端部を巻止めテープ２４で止める。以上の処理により、巻回体が作製される。

（再化成処理）
次に、陽極体２１を再化成処理する（ステップＳ３）。

ステップＳ３は、図５を参照し、陽極体２１を二酸化ケイ素粒子を含有する再化成処理液に浸漬する工程（ステップＳ１１）と、浸漬された陽極体２１に電圧を印加する工程（ステップＳ１２）とを含む。

具体的には、まず、図５のステップＳ１１において、巻回体を二酸化ケイ素粒子を含有する再化成処理液に浸漬することによって、巻回体中の陽極体２１の表面にまで再化成処理液を浸透させる。再化成処理液としては、化成処理液と同様に、アジピン酸アンモニウム水溶液、リン酸水溶液などを用いることができる。

次に、図５のステップＳ１２において、再化成処理液に浸漬された陽極体２１に電圧を印加する。これにより、陽極体２１の表面に、二酸化ケイ素粒子を有する誘電体被膜３１が形成される。

以上の処理により、陽極体２１の表面が再化成処理される。陽極体２１の切り口（切断面）には誘電体被膜３１が形成されておらず、また、リードタブ１５Ａ，１５Ｂの巻き込みなどにより、誘電体被膜３１が欠損している部分が生じている場合があるが、この再化成処理により、これらの欠損部を修復することができる。そして、誘電体被膜３１中に二酸化ケイ素粒子が存在することにより、誘電体被膜３１の絶縁性および強度を高めることができるため、結果的に、固体電解コンデンサの漏れ電流、耐電圧などを向上させることができる。

また、再化成処理液に添加する二酸化ケイ素粒子の平均粒子径は、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることが好ましい。このため、二酸化ケイ素粒子は、コロイド状の二酸化ケイ素粒子、いわゆるコロイドケイ酸粒子であることが好ましい。さらに、本発明者は、詳細な検討および各種実験により、化成処理液中の二酸化ケイ素粒子の濃度が２質量％以上１０質量％以下であることが好ましいことを知見している。このような条件で再化成処理を行うことにより、二酸化ケイ素粒子を包含する誘電体被膜３１を効率的に製造できる。

また、二酸化ケイ素粒子は、負電荷を帯びていることが好ましい。この場合、二酸化ケイ素粒子間に反発力が発生するため、再化成処理液中において、二酸化ケイ素粒子を安定的に存在させることができる。また、負電荷を帯びている二酸化ケイ素粒子は、誘電体被膜３１が欠損して陽極体２１の表面が露出するような部分により多く集まることができるため、さらに効率的に、誘電体被膜３１の絶縁性および強度を高めることができる。

（固体電解質層の形成）
図４に戻り、次に、再化成処理された陽極体２１上に固体電解質層３２を形成する（ステップＳ４）。たとえば、導電性高分子からなる固体電解質層３２は、化学重合および／または電解重合によって形成することができるが、ここでは、一例として、化学重合によって固体電解質層３２を形成する方法について、説明する。

具体的には、まず、化学重合に用いる混合液を準備する。混合液は、たとえば、溶媒に、酸化剤、前駆体モノマー、ドーパントを加えて混合させることによって準備することができる。また、酸化剤およびドーパントをそれぞれ個別に用いる代わりに、酸化剤兼ドーパントを用いてもよい。

次に、作製した巻回体を混合液に浸漬してから巻回体を引上げて、熱処理、たとえば、１５０℃で３０分間熱処理する。これにより、陽極体２１上において、前駆体モノマーの重合反応が進行するため、陽極体２１上に導電性高分子からなる固体電解質層３２が形成される。なお、溶媒は蒸発除去される。

前駆体モノマーは、重合することによって、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフラン若しくはポリアニリン、またはこれらの誘導体となる化合物である。たとえば、前駆体モノマーとして、３，４−エチレンジオキシチオフェン、３−アルキルチオフェン、Ｎ−メチルピロール、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ−アルキルアニリンなどを用いることができる。特に、ポリチオフェンの前駆体モノマーの１つである３，４−エチレンジオキシチオフェンが好ましい。この場合、特に導電性の高い固体電解質層３２を形成することができる。

酸化剤は、前駆体モノマーを重合させることができればよく、たとえば、硫酸、過酸化水素、鉄（ＩＩＩ）、銅（ＩＩ）、クロム（ＶＩ）、セリウム（ＩＶ）、マンガン（ＶＩＩ）、亜鉛（ＩＩ）などを用いることができる。なかでも、これらの金属と塩を構成したスルホン酸金属塩を用いることが好ましい。スルホン酸金属塩は、上述のように、ドーパントとしての機能を有するスルホン酸化合物と、酸化剤としての機能を有する金属とからなるため、該スルホン酸金属塩は、ドーパントと酸化剤とを兼ねることができる。具体的には、ナフタレンスルホン酸金属塩、テトラリンスルホン酸金属塩、アルキルベンゼンスルホン酸金属塩およびアルコキシベンゼンスルホン酸金属塩などを用いることができ、中でも、ｐ−トルエンスルホン酸金属塩であるなどを用いることができる。なかでも、ｐ−トルエンスルホン酸第二鉄は両機能性が高いため、好適に用いることができる。

溶媒には、前駆体モノマーの分散性が高く、酸化剤、ドーパントの溶解性の高い溶媒を用いることが好ましい。たとえば、ブタノール、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコーなどのアルコールを好適に用いることができる。

なお、ここでは、１つの混合液に前駆体モノマー、酸化剤、およびドーパントを加えた、１液からなる重合反応系を構築したが、２液からなる重合反応系を構築してもよい。たとえば、前駆体モノマーからなる第１液と、溶媒にドーパントおよび酸化剤を添加してなる第２液とを用いてもよい。この場合には、第１液および第２液のそれぞれに巻回体を浸漬することによって、前駆体モノマーを化学重合させることができる。

本工程により、陽極体２１上に固体電解質層３２が形成され、陽極体２１およびセパレータ２３の間に固体電解質層３２が形成されたコンデンサ素子１０が作製される。

（コンデンサ素子の封止）
次に、コンデンサ素子１０を封止する（ステップＳ５）。

具体的には、まず、リード線１４Ａ，１４Ｂが有底ケース１１の開口する上面に位置するように、コンデンサ素子１０を有底ケース１１に収納する。次に、リード線１４Ａ，１４Ｂが貫通するように形成された封止部材１２を、コンデンサ素子１０の上方に配置して、コンデンサ素子１０を有底ケース１１内に封止する。そして、コンデンサ素子１０を封止する有底ケース１１の開口端近傍を、横絞り加工およびカール加工する。そして、加工されたカール部分に座板１３を配置することによって、図１に示す固体電解コンデンサが製造される。

以上詳述した本実施形態の固体電解コンデンサによれば、誘電体被膜３１中に二酸化ケイ素粒子が存在することにより、誘電体被膜３１の絶縁性および強度を高めることができるため、固体電解コンデンサの漏れ電流量を抑制することができ、耐電圧を向上させることができる。したがって、特性の優れた固体電解コンデンサを提供することができる。

特に、誘電体被膜３１中に二酸化ケイ素粒子が包含されていることが好ましい。これにより、二酸化ケイ素粒子が誘電体被膜の表面に付着しているような構成と比較して、二酸化ケイ素粒子による陽極体と固体電解質層との接触の阻害を大きく抑制することができる。このため、固体電解コンデンサの上記特性をさらに向上させることができる。

また、上記二酸化ケイ素粒子は、平均粒子径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることが好ましい。この理由は、明確ではないが、その一つとして、次のことが考えられる。すなわち、二酸化ケイ素粒子の平均粒子径が上記範囲を超える場合、二酸化ケイ素粒子が陽極体２１と固体電解質層３２との接触を阻害することが考えられる。また、同平均粒子径が上記範囲に足りない場合、二酸化ケイ素粒子の表面積が大きすぎるために、二酸化ケイ素粒子自身が接触抵抗として作用することが考えられる。

また、本実施形態の固体電解コンデンサの製造方法によれば、再化成処理液に二酸化ケイ素粒子を含有させ、これに巻回体を浸漬し、電圧を印加することによって、二酸化ケイ素粒子が存在する誘電体被膜３１を効率的に形成することができる。また、従来のように、固体電解質層を形成するためのモノマー溶液または酸化剤溶液にコロイダルシリカを添加する方法とも異なるため、固体電解質層の形成が阻害されたり、不均一な重合となることがない。

特に、上記製造方法において、二酸化ケイ素粒子を含有する再化成処理液に浸漬させた巻回体に電圧を印加するが、このとき、二酸化ケイ素粒子は負電荷を帯びた状態で再化成処理液中に存在することが好ましい。この場合、二酸化ケイ素粒子は、再化成処理液中で所望の大きさの粒子径を有した状態で安定的に存在することができる。また、負電荷を帯びた二酸化ケイ素粒子は、陽極体２１のうち、絶縁性の誘電体被膜３１に十分に被覆されている部分よりも、金属箔３０が露出している部分などの誘電体被膜３１が欠損した部分により多く集まることができる。このため、たとえば、陽極体２１の切り口、リードタブ１５Ａ，１５Ｂを巻き込んだ部分などに、より多くの二酸化ケイ素粒子が集まった状態で、誘電体被膜３１を修復することができる。したがって、結果的に、より効率的に、誘電体被膜３１を修復することができ、もって、固体電解コンデンサの漏れ電流量を顕著に低減させることができ、また、耐電圧を向上させることができる。

また、上述のように、本発明者は、再化成処理液中の二酸化ケイ素粒子の濃度が２質量％以上１０質量％以下であることが好ましいことを知見している。この理由は、明確ではないが、その一つとして、次のことが考えられる。すなわち、二酸化ケイ素粒子の濃度が上記範囲を超える場合、二酸化ケイ素粒子が誘電体被膜３１中に多く存在しすぎるために、誘電体被膜３１が二酸化ケイ素粒子を包含しきれずに、誘電体被膜３１の表面から二酸化ケイ素粒子が多く露出することにより、陽極体２１と固体電解質層３２との接触を阻害することが考えられる。また、同濃度が上記範囲に足りない場合、二酸化ケイ素粒子による作用が十分でないことが考えられる。

本実施形態の固体電解コンデンサの製造方法では、再化成処理液に二酸化ケイ素粒子を含有させたが、化成処理液に二酸化ケイ素粒子を含有させてもよい。すなわち、図４のステップＳ１において、図５のステップＳ１１およびＳ１２を行ってもよい。この製造方法によっても、誘電体被膜３１中に二酸化ケイ素粒子が存在する誘電体被膜３１を形成させることができる。特に、金属箔３０を陽極体２１として必要な所望の大きさに切断した後に、化成処理によって誘電体被膜３１を形成する場合には、再化成処理を行わない場合があり、この場合には、化成処理液に二酸化ケイ素粒子を含有させる方法が好適である。

また、化成処理液および再化成処理液のいずれにも二酸化ケイ素粒子を含有させて、それぞれの処理時に図５のステップＳ１１およびＳ１２を行ってもよい。この場合にも、固体電解コンデンサの特性を向上させることができる。

＜実施形態２＞
次に、図６を用いて、実施形態２の固体電解コンデンサの構成について説明する。図６は、実施形態２の固体電解コンデンサの模式的な断面図である。なお、実施形態１と同様の構成および方法などについては、その説明を繰り返さない。

図６において、固体電解コンデンサは、焼結体４１と誘電体被膜４２とからなる陽極体４３を備え、陽極体４３には、陽極リード４４が立設されている。陽極体４３上には、固体電解質層４５が形成されており、また、固体電解質層４５の上には、カーボン層４６および銀ペイント層４７の順に積層された陰極層が設けられており、陽極体４３、陽極リード４４、固体電解質層４５、カーボン層４６および銀ペイント層４７によって、コンデンサ素子４０が構成されている。

陽極リード４４には陽極端子４８が接続されており、銀ペイント層４７には導電性の接着剤からなる接着層４９を介して陰極端子５０が接続されている。さらに、陽極端子４８の一部および陰極端子５０の一部が露出するように、コンデンサ素子４０が外装樹脂５１によって封止される。なお、図６において、露出する陽極端子４８および陰極端子５０は、外装樹脂５１の表面に沿うように折り曲げられている。

以下に、固体電解コンデンサの各構成要素について具体的に説明する。
陽極体４３を構成する焼結体４１は、タンタルおよびニオブなどの弁作用金属からなる焼結体である。漏れ電流が低い点で、タンタルからなる焼結体であることがより好ましい。また、焼結体４１にその一端が埋設される陽極リード４４の材料は、金属であれば特に限定されないが、焼結体４１の金属と同一の金属を用いることが好ましい。

誘電体被膜４２は、絶縁性の化合物からなる被膜であり、焼結体４１がタンタルまたはニオブからなる場合、誘電体被膜４２の組成は酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）、または酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）であることが好ましい。この場合、化成処理によって誘電体被膜４２を容易に形成することができる。

また、誘電体被膜４２中には、二酸化ケイ素粒子が存在している。この構成により、誘電体被膜４２の絶縁性および強度を高めることができるため、固体電解コンデンサの漏れ電流量を抑制することができる。なかでも、二酸化ケイ素粒子が誘電体被膜３１中に包含されることにより、二酸化ケイ素粒子が誘電体被膜３１と固体電解質層３２との接触を阻害することがない点で、二酸化ケイ素粒子が誘電体被膜４２中に包含されることが好ましい。

また、実施形態１と同様に、ＳＥＭにより測定される二酸化ケイ素粒子の平均粒子径が、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることが好ましい。陽極体２１の表面および／または誘電体被膜３１中に二酸化ケイ素粒子が存在するかどうか、その表面から露出しているかどうか、および、二酸化ケイ素粒子の粒径のそれぞれの測定方法は実施形態１と同様であるため、その説明は繰り返さない。

固体電解質層４５は、誘電体被膜４２上に設けられており、二酸化マンガン、ＴＣＮＱ錯塩(７，７，８，８-テトラシアノキノジメタン)、または導電性高分子などを用いることができる。特に、電気伝導性の高さから、固体電解質層４５は導電性高分子からなることが好ましい。導電性高分子からなる固体電解質層４５の組成は、実施形態１と同様であるため、その説明は繰り返さない。

カーボン層４６は、導電性を有していればよく、たとえば、グラファイトを用いることができる。また、銀ペイント層４７は、銀粒子で構成することができる。陽極端子４８および陰極端子５０は、導電性を有していればよく、たとえば、銅などの金属を用いることができる。接着層４９は、導電性と接着性を有していればよく、たとえば銀をフィラーとして含む銀接着剤を用いることができる。外装樹脂５１の材料は特に限定されず、たとえばエポキシ樹脂などの公知の樹脂を用いることができる。

次に、図５〜図７を用いて、本実施形態の固体電解コンデンサの製造方法について説明する。図７は、実施形態２の固体電解コンデンサの製造方法を示すフローチャートである。

（化成処理）
図７を参照し、まず、焼結体４１を化成処理して、誘電体被膜４２を形成する（ステップＳ２１）。

具体的には、金属粒子を所定の形状に成形し、陽極リード４４を立設した状態で焼結することによって焼結体４１を作製する。そして、作製された焼結体４１を化成処理し、焼結体４１の表面に、誘電体被膜４２を形成する。これにより、焼結体４１の表面に誘電体被膜４２が設けられた陽極体４３が作製される。

（下地層の作製）
次に、陽極体４３の表面に導電性の下地層を作製する（ステップＳ２２）。

ここで、下地層を作製する目的は、絶縁性の誘電体被膜４２上に導電性の下地層を作製することによって、後述する固体電解質層４５の形成を容易とするためである。下地層は、誘電体被膜４２および固体電解質層４５との結合性が高く、導電性を有していれば良く、ここでは、化学重合によって導電性高分子からなる下地層を作製する方法について説明する。

具体的には、まず、化学重合に用いる混合液を準備する。混合液は、たとえば、溶媒に、酸化剤、前駆体モノマー、ドーパントを加えて混合させることによって準備することができる。また、酸化剤およびドーパントをそれぞれ個別に用いる代わりに、酸化剤兼ドーパントを用いてもよい。なお、前駆体モノマー、酸化剤、ドーパントおよび溶媒の詳細については実施形態１と同様であるため、その説明は繰り返さない。

次に、作製した陽極体４３を混合液に浸漬してから陽極体４３を引き上げ、所定時間放置する。これにより、陽極体４３上において、前駆体モノマーの重合反応が進行するため、陽極体４３上に導電性高分子からなる下地層が作製される。なお、誘電体被膜４２の全面を下地層が覆わないように、重合反応の速度を制御することが好ましい。

（再化成処理）
次に、下地層が形成された陽極体４３を再化成処理する（ステップＳ２３）。

ステップＳ２３は、図５を参照し、陽極体４３を二酸化ケイ素粒子を含有する再化成処理液に浸漬する工程（ステップＳ１１）と、浸漬された陽極体２１に電圧を印加する工程（ステップＳ１２）とを含む。本工程の詳細は、実施形態１の再化成処理と同様であるため、その説明は省略する。

以上の処理により、陽極体４３の表面が再化成処理される。陽極体４３の表面は、下地層を作製することにより、誘電体被膜４２が損傷して該誘電体被膜４２が欠損している部分が生じている場合があるが、この再化成処理により、このような欠損部を修復することができる。そして、誘電体被膜４３中に二酸化ケイ素粒子が存在することにより、誘電体被膜３１の絶縁性および強度を高めることができるため、結果的に、固体電解コンデンサの漏れ電流、耐電圧などを向上させることができる。

（固体電解質層の形成）
図７に戻り、次に、再化成処理された陽極体４３上に固体電解質層４５を形成する（ステップＳ２４）。ここでは、電解重合によって、導電性高分子からなる固体電解質層４５を形成する方法について説明する。なお、導電性高分子からなる固体電解質層４５は、化学重合および／または電解重合によって形成することができるが、本実施形態において、誘電体被膜４２上に導電性の下地層が形成されているため、電解重合による固体電解質層４５の形成が容易となる。電解重合による固体電解質層４５は、化学重合による場合よりも緻密で高品質である点で好ましい。

具体的には、まず、電解重合に用いる電解液を準備する。電解液は、前駆体モノマーおよびドーパントを含有する溶液であり、陽極体４３を浸漬した電解液に電圧を印加することによって、陽極体４３上に、導電性高分子からなる固体電解質層４５を形成することができる。なお、用いられる前駆体モノマーおよびドーパントの詳細については、化学重合の場合と同様であるため、その説明は繰り返さない。

（陰極層の形成）
次に、固体電解質層４５上にカーボン層４６および銀ペイント層４７からなる陰極層を形成する（ステップＳ２５）。

たとえば、カーボン層４６は、固体電解質層４５が形成された陽極体４３をカーボン粒子を分散させた溶液に浸漬し、その後乾燥処理することによって形成することができる。また、銀ペイント層４７は、カーボン層４６を形成後、該陽極体４３を銀粒子を含む溶液へ浸漬して乾燥処理することによって形成することができる。以上の工程により、コンデンサ素子４０が作製される。

次に、コンデンサ素子４０を封止する（ステップＳ２６）。
具体的には、陽極端子４８を陽極リード４４の露出している一端に接続し、銀ペイント層４７上に接着層４９を形成して陰極端子５０の一端を接続し、これらを図６に示すように外装樹脂５１にて封止する。そして、外装樹脂５１の外部に露出している陽極端子４８および陰極端子５０を外装樹脂５１の外周に沿うように折り曲げた後に、エージング処理することにより、図６の固体電解コンデンサが製造される。

以上詳述した本実施形態の固体電解コンデンサによれば、誘電体被膜４２中に二酸化ケイ素粒子が存在することにより、誘電体被膜４２の絶縁性および強度を高めることができるため、固体電解コンデンサの漏れ電流量を抑制することができ、耐電圧を向上させることができる。したがって、特性の優れた固体電解コンデンサを提供することができる。

特に、誘電体被膜４２中に二酸化ケイ素粒子が包含されていることが好ましい。これにより、二酸化ケイ素粒子が誘電体被膜の表面に付着しているような構成と比較して、二酸化ケイ素粒子による陽極体と固体電解質層との接触の阻害を大きく抑制することができる。また、実施形態１と同様に、二酸化ケイ素粒子は、平均粒子径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることが好ましい。

また、本実施形態の固体電解コンデンサの製造方法によれば、実施形態１と同様に、再化成処理液に二酸化ケイ素粒子を含有させ、これに陽極体４３を浸漬し、電圧を印加することによって、二酸化ケイ素粒子が存在する誘電体被膜４２を効率的に形成することができる。また、従来のように、固体電解質層を形成するためのモノマー溶液または酸化剤溶液にコロイダルシリカを添加する方法とも異なるため、固体電解質層の形成が阻害されたり、不均一な重合となることがない。

特に、上記製造方法において、二酸化ケイ素粒子を含有する再化成処理液に浸漬させた陽極体４３に電圧を印加するが、このとき、二酸化ケイ素粒子は負電荷を帯びた状態で再化成処理液中に存在することが好ましい。この場合、二酸化ケイ素粒子は、再化成処理液中で所望の大きさの粒子径を有した状態で安定的に存在することができる。また、負電荷を帯びた二酸化ケイ素粒子は、実施形態１と同様に、陽極体４３のうち、絶縁性の誘電体被膜４２に十分に被覆されている部分よりも、焼結体４１が露出している部分などの誘電体被膜４２が欠損した部分により多く集まることができる。したがって、結果的に、より効率的に誘電体被膜４２を修復することができ、もって、固体電解コンデンサの漏れ電流量を顕著に低減させることができ、また、耐電圧を向上させることができる。

また、実施形態１と同様に、再化成処理液中の二酸化ケイ素粒子の濃度が２質量％以上１０質量％以下であることが好ましい。

また、化成処理液に二酸化ケイ素粒子を含有させてもよい。すなわち、図７のステップＳ２１において、図５のステップＳ１１およびＳ１２を行ってもよい。この製造方法によっても、誘電体被膜４２中に二酸化ケイ素粒子を包含する誘電体被膜４２を形成させることができ、二酸化ケイ素粒子が誘電体被膜の表面に付着しているような構成と比較して、二酸化ケイ素粒子による陽極体４３と固体電解質層４５との接触の阻害を大きく抑制することができる。特に、下地層を形成しない場合、たとえば、化学重合によって固体電解質層４５を形成する場合には、再化成処理を行わない場合があり、この場合には、化成処理液に二酸化ケイ素粒子を含有させる方法が好適である。また、化成処理液および再化成処理液のいずれにも二酸化ケイ素粒子を含有させてもよいことは、実施形態１と同様である。

以上、巻回型の固体電解コンデンサ、および焼結体を有するチップ型の固体電解コンデンサを用いて本発明の実施形態を説明したが、本発明の固体電解コンデンサはこれに限られず、たとえば、陽極体が積層された積層型の固体電解コンデンサであってもよい。

以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

＜実施例１＞
本実施例１において、巻回型の固体電解コンデンサを作製した。以下に、固体電解コンデンサの具体的な製造方法について説明する。

（化成処理）
まず、アルミニウム箔にエッチング処理を行ってアルミニウム箔の表面を粗面化した後、該アルミニウム箔の表面に、化成処理によって誘電体被膜を形成した。化成処理は、アジピン酸アンモニウムを５質量％含有する水溶液からなる化成処理液にアルミニウム箔を浸漬し、これに１４５Ｖの電圧を印加することによって行なった。そして、このアルミニウム箔を、縦×横が６ｍｍ×１２０ｍｍとなるように切断して陽極体を準備した。

（巻回体の作製）
次に、上記陽極体と同程度の面積のセパレータおよび陰極体を準備し、陽極体と陰極体とを、リード線が接続されたリードタブを巻き込みながら、セパレータを介して巻回した。次に、巻回体の外側表面の端部を巻止めテープで貼着して巻回体を作製した。陰極体としてアルミニウム箔を用いた。

（再化成処理）
次に、アジピン酸アンモニウムを５質量％含有する水溶液に、二酸化ケイ素粒子を５質量％含有する再化成処理液を準備し、この再化成処理液に巻回体を浸漬し、陽極体に１４５Ｖの電圧を１２０分間印加した。再化成処理液中において、二酸化ケイ素粒子は、平均粒子径が４０ｎｍのコロイド状であった。以上の処理により、巻回体が作製された。なお、再化成処理液中での二酸化ケイ素粒子の平均粒子径は、ＳＥＭを用いて測定した。

（固体電解質層の形成）
次に、前駆体モノマーとしての３，４−エチレンジオキシチオフェンと、酸化剤兼ドーパント剤としてのｐ−トルエンスルホン酸第二鉄とを含有する混合液を準備した。そして、作製された巻回体を混合液に浸漬してから該巻回体を引上げて、１５０℃で３０分間熱処理することによって、ポリチオフェンからなる固体電解質層を形成した。以上の処理により、コンデンサ素子が作製された。

（コンデンサ素子の封止）
次に、リード線が有底ケースの開口する上面に位置するように、コンデンサ素子を有底ケースに収納し、リード線が貫通するように形成された封止部材であるゴムパッキングをコンデンサ素子の上方に配置して、コンデンサ素子を有底ケース内に封止した。そして、有底ケースの開口端近傍を、横絞り後にカール加工し、加工されたカール部分に座板を配置し、これに１３０℃で３５Ｖの電圧を２時間印加してエージング処理を行うことによって、巻回型の固体電解コンデンサを製造した。

＜実施例２〜６＞
実施例２および３においては、平均粒子径がそれぞれ２０ｎｍおよび６０ｎｍのコロイド状の二酸化ケイ素粒子を用いた以外は、実施例１と同様の方法により、固体電解コンデンサを製造した。実施例４および５においては、再化成処理液中の二酸化ケイ素粒子の濃度をそれぞれ２質量％および１０質量％とした以外は、実施例１と同様の方法により、固体電解コンデンサを製造した。また、実施例６においては、アジピン酸アンモニウムを５質量％含有する水溶液の代わりに、リン酸二水素ナトリウムを２質量％含有する水溶液を用いた以外は、実施例１と同様の方法により、固体電解コンデンサを製造した。

＜比較例１〜４＞
比較例１および２においては、平均粒子径がそれぞれ１５ｎｍおよび７０ｎｍのコロイド状の二酸化ケイ素粒子を用いた以外は、実施例１と同様の方法により、固体電解コンデンサを製造した。比較例３および４においては、再化成処理液中の二酸化ケイ素粒子の濃度をそれぞれ１質量％および１５質量％とした以外は、実施例１と同様の方法により、固体電解コンデンサを製造した。

＜比較例５〜７＞
比較例５においては、二酸化ケイ素粒子を含有せず、アジピン酸アンモニウムを５質量％含有する水溶液を再化成処理液としてこれに巻回体を浸漬し、陽極体に１４５Ｖの電圧を１２０分間印加することによって再化成処理を行い、その後、平均粒子径が４０ｎｍのコロイド状の二酸化ケイ素粒子を５質量％含有する水溶液に巻回体を３０分間浸漬することによって、陽極体上に二酸化ケイ素粒子を付着させた。その他の工程は、実施例１と同様である。

比較例６においては、平均粒子径が４０ｎｍのコロイド状の二酸化ケイ素粒子を５質量％含有する水溶液に巻回体を３０分間浸漬した際に、陽極体に１４５Ｖの電圧を印加したこと以外は、比較例５と同様の方法により、固体電解コンデンサを作製した。

比較例７においては、再化成処理後に二酸化ケイ素粒子を含有する水溶液に浸漬することなく、固体電解質層の形成を行なった以外は、比較例５と同様の方法により、固体電解コンデンサを作製した。

＜特性評価＞
各実施例および各比較例の固体電解コンデンサの定格電圧は３５Ｖ、定格容量は２２μＦであった。また、固体電解コンデンサの外形は、直径が８．０ｍｍ、高さが１０．０ｍｍであった。

（歩留まり）
各実施例および各比較例におけるそれぞれ１００個ずつの固体電解コンデンサについて、エージング時のショート発生率（％）を測定した。具体的には、各固体電解コンデンサについて、３５Ｖの電圧を１３０℃で２時間印加した後のショートの発生の有無を試験し、各実施例および比較例の固体電解コンデンサのショート発生率を算出した。ショートの有無として、漏れ電流が１ｍＡ以上測定された場合に、ショートに到ったものと判定した。

（静電容量）
各実施例および各比較例の固体電解コンデンサのうち、ショートの発生がみられなかった各２０個ずつの固体電解コンデンサを選択した。選択した各実施例および各比較例における固体電解コンデンサを、４端子測定用のＬＣＲメータを用いて、それぞれの固体電解コンデンサの周波数１２０Ｈｚにおける静電容量（μＦ）を測定した。

（等価直列抵抗）
上記の選択した各実施例および各比較例における２０個ずつの固体電解コンデンサについて、４端子測定用のＬＣＲメータを用いて、それぞれの固体電解コンデンサの周波数１００ｋＨｚにおける等価直列抵抗（ｍΩ）を測定した。

（漏れ電流量）
上記の選択した各実施例および各比較例における２０個ずつの固体電解コンデンサについて、定格電圧を２分間印加した後、各固体電解コンデンサの漏れ電流量（μＡ）を測定した。

（絶縁破壊耐電圧）
各実施例および各比較例の固体電解コンデンサのうち、ショートの発生がみられなかった各２０個ずつの固体電解コンデンサを選択した。選択した各実施例および各比較例における固体電解コンデンサに印加する直流電圧を１Ｖ／秒の速度で上昇させて、誘電体被膜の耐電圧試験を行った。過電流が０．５Ａ以上となったときの電圧を耐電圧（Ｖ）とした。

各実施例および各比較例の製造条件を表１に、各測定結果を表２に示す。なお、表２において、Ｃａｐ（μＦ）は静電容量（Capacity）を、ＥＳＲ（ｍΩ）は等価直列抵抗（Equivalent Series Resistance)を、ＬＣ（μＡ）は漏れ電流量（Leakage Current）を、ＢＤＶ（Ｖ）は耐電圧（Break Down Voltage）を示す。

表１および２を参照し、実施例１〜３の固体電解コンデンサにおいて、比較例７の固体電解コンデンサよりも、ＬＣが顕著に低く、また、耐電圧も向上していた。これに対し、比較例１の固体電解コンデンサにおいて、比較例７の固体電解コンデンサよりもＬＣは低下しているものの、ＥＳＲが増大しているために、特性に優れた固体電解コンデンサは製造できてないことがわかった。また、比較例２の固体電解コンデンサは、ＬＣおよびＥＳＲともに、実施例１，２および比較例７よりも増大していた。これらの結果から、二酸化ケイ素粒子の平均粒子径は、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下が好ましいことがわかった。

また、実施例４および５の固体電解コンデンサにおいて、比較例７の固体電解コンデンサよりも、ＬＣが顕著に低く、また、耐電圧も向上していた。これに対し、比較例３の固体電解コンデンサの特性は、比較例７の固体電解コンデンサの特性に対する有意な差がなかった。また、比較例４の固体電解コンデンサは、比較例７の固体電解コンデンサよりもＥＳＲおよびＬＣが増大する結果となっており、さらに、ショート発生率も高く、製造歩留まりが低いことがわかった。これらの結果から、再化成処理液中の二酸化ケイ素粒子の濃度は、２質量％以上１０質量％以下が好ましいことがわかった。

また、実施例６においては、実施例１〜５で用いた再化成処理液と異なる組成の再化成処理液を用いたが、この場合にも、固体電解コンデンサのＬＣを低下させることができ、また、耐電圧を向上させることができた。

また、比較例５および６の固体電解コンデンサにおいて、ＬＣが増大する結果となった。このため、誘電体被膜の表面に二酸化ケイ素粒子を付着させたような構成では、固体電解コンデンサの特性を向上させることができないことがわかった。

今回開示された実施形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明は、固体電解コンデンサに広く利用することができる。

１０，４０ コンデンサ素子、１１ 有底ケース、１２ 封止部材、１３ 座板、１４Ａ，１４Ｂ リード線、１５Ａ，１５Ｂ リードタブ、２１，４３ 陽極体、２２ 陰極体、２３ セパレータ、２４ 巻止めテープ、３０ 金属箔、３１，４２ 誘電体被膜、３２，４５ 固体電解質層、４１ 焼結体、４６ カーボン層、４７ 銀ペイント層、４８ 陽極端子、４９ 接着層、５０ 陰極端子、５１ 外装樹脂。

Claims (10)

1. 表面に誘電体被膜を有する陽極体と、
   前記陽極体上に設けられた固体電解質層と、を備え、
   前記誘電体被膜には、二酸化ケイ素粒子が存在する、固体電解コンデンサ。
2. 前記二酸化ケイ素粒子の平均粒子径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である、請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
3. 前記二酸化ケイ素粒子は、前記誘電体被膜中に包含される、請求項１または２に記載の固体電解コンデンサ。
4. 前記二酸化ケイ素粒子はコロイド状である、請求項１から３のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
5. 誘電体被膜が形成された陽極体を再化成処理する工程と、
   前記再化成処理された前記陽極体上に固体電解質層を形成する工程と、を含み、
   前記再化成処理する工程は、
   前記陽極体を、二酸化ケイ素粒子を含有する再化成処理液に浸漬する工程と、
   前記再化成処理液に浸漬された前記陽極体に、電圧を印加する工程とを含む、固体電解コンデンサの製造方法。
6. 前記二酸化ケイ素粒子の平均粒子径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である、請求項５に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
7. 前記再化成処理液における前記二酸化ケイ素粒子の濃度が２質量％以上１０質量％以下である、請求項５または６に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
8. 前記二酸化ケイ素粒子はコロイド状である、請求項５から７のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
9. 前記二酸化ケイ素粒子は負電荷を帯びている、請求項５から８のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
10. 前記再化成処理する工程の前に、前記陽極体の基体を化成処理して、前記基体の表面に前記誘電体被膜を形成する工程を含み、
    前記誘電体被膜を形成する工程は、
    前記基体を、二酸化ケイ素粒子を含有する化成処理液に浸漬する工程と、
    前記化成処理液に浸漬された前記基体に、電圧を印加する工程を含む、請求項５から９のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。

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