JP2012251183A - めっき処理装置およびめっき基板の製造方法 - Google Patents
めっき処理装置およびめっき基板の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 長尺シート状のワークを連続的にワーク供給装置からめっき槽を含む少なくとも1槽の処理槽に搬入してめっき処理した後、ワーク巻取装置により連続的に巻き取るめっき処理装置において、そのワーク巻取装置とめっき処理槽間に熱処理装置を備えることを特徴とするめっき処理装置である。
【選択図】図2
Description
そのようなフレキシブル回路基板の製造の用いられる従来のめっき装置、即ちめっき装置は、例えば特許文献1に記載されるような装置が用いられてきている。
特にめっき電流密度が5A/cm2を超えると、上記の微小凹部の増加し、フレキシブル基板を作成する際の配線形成に問題が生じる事がわかった。
図1は、配置模式平面図で、20はめっき装置を表し、1はワーク供給装置、2はワーク巻取装置、3は前処理槽、4はめっき槽、5は後処理槽、6、7はエンドレスベルトの折り返し用プーリー、8はエンドレスベルト、10はワーク、11は低張力熱処理装置、20はめっき装置である。
この低張力熱処理は、巻取時におけるめっき皮膜の再結晶の進展により生じるめっき面のディンプル状凹み(図6(a)参照)の発生を防ぎ、搬送中のワークの伸びとめっきの再結晶の完了によるウェーブ(波目模様、図6(b)参照)発生を防止するために行うもので、張力5N以下で、めっきが再結晶する温度条件で行うものである。
熱処理温度に関しては、めっきを再結晶させることが目的であることから、めっきの材質によって適正な温度を選択して行うものである。
図3は、50Nの張力下で36秒間保持した場合の熱処理温度によるディンプル欠陥の推移を表したものである。図3からわかるように、50℃前後からディンプル欠陥は減少し、150℃でほとんど見られなくなっている。この150℃、36秒間加熱の条件は、銅めっきが再結晶を開始、成長する条件である。
一方、この150℃、36秒間加熱の条件における張力の影響は、図4に示されるように、ディンプル欠陥は、150℃、36秒間の温度・時間条件において、どの張力域でも、その発生は見られないが、ウェーブ欠陥は、50Nでは極めて煩雑に発生し、張力20N付近までは、その影響が大きいが、その後張力の減少に伴って、急激に発生量を減少させ、5N近辺においては、その発生を許容レベルに抑えることがわかる。
後処理槽(図1、符号5)などの最終処理槽を搬出されたワーク10は、低張力熱処理装置11の吸着ロール12に吸着されながら導入され、熱風加熱装置14により、めっき表面の再結晶を目指して加熱されると同時に、エアーフローターン部に導かれてエアーフローにより非接触状態となり、その張力を5N以下に制御される。張力が5N以下の状態でさらに熱風加熱装置14によってめっき面の再結晶化が行われることで、健全な平滑性を有するワークが装置外に導出されて処理が終了する。
2 ワーク巻取装置
3 前処理槽
4 めっき槽(化学処理槽)
5 後処理槽
6、7 エンドレスベルトの折り返し用プーリー
8 エンドレスベルト
10 ワーク
11 低張力熱処理装置
12 吸着ロール
13 エアーフローターン部
14 熱風加熱装置
20 本発明のめっき装置
30 従来のめっき装置
Claims (5)
- 長尺シート状のワークを連続的にワーク供給装置からめっき槽を含む少なくとも1槽の処理槽に搬入してめっき処理した後、ワーク巻取装置により連続的に巻き取るめっき処理装置において、
前記ワーク巻取装置とめっき処理槽間に熱処理装置を備えることを特徴とするめっき処理装置。 - 前記熱処理装置が、
熱処理前後のワーク搬送張力より低い張力下で熱処理する低張力熱処理装置を備えることを特徴とする請求項1記載のめっき処理装置。 - 長尺シート状のワークを連続的にめっき処理した後、該ワークを熱処理することを特徴とするめっき基板の製造方法。
- 前記熱処理が、熱処理前後のワーク搬送張力より低い張力下で熱処理する低張力熱処理を施すことを特徴とする請求項3記載のめっき基板の製造方法。
- 前記低張力熱処理が、めっき処理により形成されためっき層を有するワークを、5N以下の低張力状態で、前記めっき層が再結晶する熱処理であることを特徴とする請求項4記載のめっき基板の製造方法。
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JP2017014558A (ja) * | 2015-06-30 | 2017-01-19 | 住友金属鉱山株式会社 | めっき処理装置およびフィルム搬送方法 |
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