JP2012229454A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012229454A5 JP2012229454A5 JP2011096591A JP2011096591A JP2012229454A5 JP 2012229454 A5 JP2012229454 A5 JP 2012229454A5 JP 2011096591 A JP2011096591 A JP 2011096591A JP 2011096591 A JP2011096591 A JP 2011096591A JP 2012229454 A5 JP2012229454 A5 JP 2012229454A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering target
- alloy
- contained
- producing
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (6)
- Ｇａ：２０〜４０ａｔ％、Ｓｂ：０．１〜３ａｔ％、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
- 請求項１に記載のスパッタリングターゲットにおいて、
Ｃｕ−Ｇａ合金を主とする合金相の結晶粒内または粒界に、Ｓｂ単体またはＳｂとＣｕとを含む化合物の少なくとも一方を含む組織を有することを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 請求項１又は２に記載のスパッタリングターゲットにおいて、
スパッタリングターゲット素地中のＧａがＣｕ−Ｇａ二元合金の形態で含有されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - Ｇａ：２０〜４０ａｔ％、Ｓｂ：０．１〜３ａｔ％、Ｎａ化合物、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有し、
前記Ｎａ化合物が、ＮａＦ化合物、Ｎａ ２ Ｓ化合物またはＮａ ２ Ｓｅ化合物であり、全金属元素に対し、Ｎａが０．０５〜２ａｔ％含有されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 請求項１から４のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲットを作製する方法であって、
少なくともＣｕ，ＧａおよびＳｂの各元素を単体またはこれらのうち２種以上の元素を含む合金として粉末とした原料粉末を作製する工程と、
前記原料粉末を真空、不活性雰囲気、または還元性雰囲気で熱間加工する工程を含み、
前記原料粉末に含まれるＧａがＣｕＧａ合金またはＧａＳｂ合金として含有されていることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項４に記載のスパッタリングターゲットを作製する方法であって、
少なくともＣｕ，ＧａおよびＳｂの各元素を単体またはこれらのうち２種以上の元素を含む合金として金属粉末とし、前記金属粉末にＮａＦ粉末、Ｎａ２Ｓ粉末またはＮａ２Ｓｅ粉末を混合して原料粉末を作製する工程と、
前記原料粉末を真空、不活性雰囲気、または還元性雰囲気で熱間加工する工程を含み、
前記原料粉末に含まれるＧａがＣｕＧａ合金またはＧａＳｂ合金として含有されていることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011096591A JP5153911B2 (ja) | 2011-04-22 | 2011-04-22 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| PCT/JP2012/061301 WO2012144655A1 (ja) | 2011-04-22 | 2012-04-20 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| US14/111,504 US9528181B2 (en) | 2011-04-22 | 2012-04-20 | Sputtering target and method for producing same |
| EP12774193.2A EP2700735B1 (en) | 2011-04-22 | 2012-04-20 | Sputtering target and method for producing same |
| TW101114153A TWI438296B (zh) | 2011-04-22 | 2012-04-20 | Sputtering target and its manufacturing method |
| CN201280003518.XA CN103261473B (zh) | 2011-04-22 | 2012-04-20 | 溅射靶及其制造方法 |
| KR1020137011164A KR101358345B1 (ko) | 2011-04-22 | 2012-04-20 | 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011096591A JP5153911B2 (ja) | 2011-04-22 | 2011-04-22 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012229454A JP2012229454A (ja) | 2012-11-22 |
| JP2012229454A5 true JP2012229454A5 (ja) | 2013-01-10 |
| JP5153911B2 JP5153911B2 (ja) | 2013-02-27 |
Family
ID=47041745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011096591A Expired - Fee Related JP5153911B2 (ja) | 2011-04-22 | 2011-04-22 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9528181B2 (ja) |
| EP (1) | EP2700735B1 (ja) |
| JP (1) | JP5153911B2 (ja) |
| KR (1) | KR101358345B1 (ja) |
| CN (1) | CN103261473B (ja) |
| TW (1) | TWI438296B (ja) |
| WO (1) | WO2012144655A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9822430B2 (en) * | 2012-02-29 | 2017-11-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | High-density thermodynamically stable nanostructured copper-based bulk metallic systems, and methods of making the same |
| JP5594618B1 (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-24 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP6176535B2 (ja) * | 2013-02-25 | 2017-08-09 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| US10202681B2 (en) | 2013-09-27 | 2019-02-12 | Plansee Se | Copper-gallium sputtering target |
| CN108772567A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-11-09 | 米亚索乐装备集成（福建）有限公司 | 一种用于cig靶材打底层的合金材料、cig靶材及其制备方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1157652A (en) * | 1966-06-15 | 1969-07-09 | Ass Elect Ind | Hardened Copper-Bismuth Base Alloys |
| JP3249408B2 (ja) | 1996-10-25 | 2002-01-21 | 昭和シェル石油株式会社 | 薄膜太陽電池の薄膜光吸収層の製造方法及び製造装置 |
| JP2002064062A (ja) * | 2000-08-17 | 2002-02-28 | Honda Motor Co Ltd | 化合物半導体の成膜方法 |
| WO2005005683A1 (ja) | 2003-07-15 | 2005-01-20 | Nikko Materials Co., Ltd. | スパッタリングターゲット及び光記録媒体 |
| CN101068947A (zh) * | 2004-11-30 | 2007-11-07 | 日矿金属株式会社 | Sb－Te系合金烧结体溅射靶 |
| JP2006351142A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Sony Corp | 光記録媒体およびその製造方法ならびにスパッタリングターゲット |
| WO2008134516A2 (en) | 2007-04-27 | 2008-11-06 | Honeywell International Inc. | Novel manufacturing design and processing methods and apparatus for sputtering targets |
| JP5192990B2 (ja) * | 2008-11-11 | 2013-05-08 | 光洋應用材料科技股▲分▼有限公司 | 銅−ガリウム合金スパッタリングターゲット及びそのスパッタリングターゲットの製造方法並びに関連用途 |
| US20100116341A1 (en) * | 2008-11-12 | 2010-05-13 | Solar Applied Materials Technology Corp. | Copper-gallium allay sputtering target, method for fabricating the same and related applications |
| JP5643524B2 (ja) * | 2009-04-14 | 2014-12-17 | 株式会社コベルコ科研 | Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP2010280944A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Hitachi Cable Ltd | Ｃｕ−Ｇａ合金、スパッタリングターゲット、Ｃｕ−Ｇａ合金の製造方法、スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP4793504B2 (ja) * | 2009-11-06 | 2011-10-12 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
-
2011
- 2011-04-22 JP JP2011096591A patent/JP5153911B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-04-20 WO PCT/JP2012/061301 patent/WO2012144655A1/ja active Application Filing
- 2012-04-20 US US14/111,504 patent/US9528181B2/en active Active
- 2012-04-20 TW TW101114153A patent/TWI438296B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-04-20 CN CN201280003518.XA patent/CN103261473B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-04-20 KR KR1020137011164A patent/KR101358345B1/ko active IP Right Grant
- 2012-04-20 EP EP12774193.2A patent/EP2700735B1/en not_active Not-in-force
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2012229454A5 (ja) | ||
| IN2012DN03820A (ja) | ||
| WO2015004467A3 (en) | Materials and methods for soldering, and soldered products | |
| Feng et al. | Structure and properties of multi-targets magnetron sputtered ZrNbTaTiW multi-elements alloy thin films | |
| WO2011066375A3 (en) | Low melting point sputter targets for chalcogenide photovoltaic applications and methods of manufacturing the same | |
| JP2010174373A5 (ja) | ||
| WO2010138636A3 (en) | Synthesis of multinary chalcogenide nanoparticles comprising cu, zn, sn, s, and se | |
| TW200716767A (en) | Sputtering target for the formation of phase-change films and process for the production of the target | |
| MY161115A (en) | Aluminum alloy plate for magnetic disc substrate, method for manufacturing same, and method for manufacturing magnetic disc | |
| WO2012146653A3 (en) | Heat-treatment of an alloy for a bearing component | |
| MY168766A (en) | Aluminum alloy substrate for magnetic storage disks and method for manufacturing the same | |
| MY164370A (en) | Fe-pt-based sputtering target with dispersed c grains | |
| MY179941A (en) | Lead-free and antimony-free tin solder reliable at high temperatures | |
| WO2016012754A3 (en) | Low temperature high reliability tin alloy for soldering | |
| JP2011231399A5 (ja) | Ｃｕ−Ｇａ合金粉末及びＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット | |
| MY161774A (en) | Fe-pt-c based sputtering target | |
| WO2012087931A3 (en) | Half-heusler alloys with enhanced figure of merit and methods of making | |
| MY157156A (en) | Sputtering target of ferromagnetic material with low generation of particles | |
| TW200732486A (en) | Sputter target with high-melting phase | |
| JP2012243876A5 (ja) | パワー半導体素子用Ａｌ合金膜 | |
| WO2013115949A3 (en) | Aluminum airfoil | |
| JP2014531737A5 (ja) | ||
| WO2012110788A3 (en) | Method of refining metal alloys | |
| WO2013025990A3 (en) | Lead-free solder compositions | |
| GB201309391D0 (en) | Polycrystalline material. bodies comprising same, tools comprising same and method for making same |