JP2012225832A - 相互変調歪測定方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】測定対象の回路基板の特性を劣化させることなく、回路基板の相互変調歪を容易に測定可能な相互変調歪測定方法を提供する。
【解決手段】治具側基板31の一方の面に治具側導体ストリップパターン32、治具側グランド導体パターン33を形成して相互変調歪測定用治具3を形成し、該相互変調歪測定用治具3に同軸ケーブル41に接続しておき、回路基板2に相互変調歪測定用治具3を重ね合わせて、治具側導体ストリップパターン32を回路基板2の導体ストリップパターン22に、治具側グランド導体パターン33を回路基板2のグランド導体パターン23に電気的に接続し、同軸ケーブル41から相互変調歪測定用治具3を介して回路基板2に相互変調歪測定用の入力信号Aを入力すると共に、回路基板2から同軸ケーブル41に出力される出力信号Bを測定し、出力信号Bに基づき回路基板2の相互変調歪を測定する。
【選択図】図4

Description

本発明は、移相器やアンテナ等に用いる回路基板の相互変調歪を測定する相互変調歪測定方法に関するものである。
移動体基地局においては、送信周波数と受信周波数において周波数の異なる二つの信号を用いているので、互いの干渉により相互変調歪の問題が発生する可能性がある。従来より、この相互変調歪の問題を解決するため、様々な取り組みがなされてきた。
アンテナ内部における相互変調歪の発生原因としては、金属の接触面における金属間の電位差や非線形な集中抵抗、コネクタの締め付け不良、半田付け不良、回路基板における誘電体基板上の導体ストリップパターンの不具合などが挙げられる。特に回路基板については、表面の汚れ、仕上げ加工の不良、腐食なども相互変調歪の発生原因として挙げられる。
上記の発生原因はいずれも外観から判断することができないものであるため、回路基板を相互変調歪測定回路(相互変調歪測定器)に接続して相互変調歪を測定する必要がある。
従来、回路基板の相互変調歪を測定する際には、測定対象の回路基板を用いて移相器やアンテナを組み立て、組み立てた移相器やアンテナを相互変調歪測定器に接続して相互変調歪を測定する方法や、測定対象の回路基板にコネクタを半田付けしたり、測定対象の回路基板にケーブルを直接半田付けしたりして、回路基板を相互変調歪測定器に直接接続して相互変調歪を測定する方法などがとられてきた。
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、特許文献1がある。
国際公開第2008/029522号
しかしながら、移相器やアンテナを組み立てて相互変調歪を測定する方法では、回路基板に不良があり相互変調歪が問題となった場合に、回路基板を取り外し、移相器やアンテナの再組み立てを行わなければならず、手間がかかるという問題がある。
また、回路基板にコネクタやケーブルを半田付けする方法では、半田付けを繰返し行うため熱歪が生じ、コネクタやケーブル、回路基板の特性が劣化してしまう危険性がある。
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、測定対象の回路基板の特性を劣化させることなく、回路基板の相互変調歪を容易に測定可能な相互変調歪測定方法を提供することにある。
本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、誘電体基板に、信号を伝送する導体ストリップパターンとグランド導体パターンとが形成され、前記誘電体基板の一方の面に、前記導体ストリップパターンと前記グランド導体パターンとを外部に接続するための複数の入出力ポートが形成された回路基板の相互変調歪を測定する方法であって、誘電体からなる治具側基板の一方の面に、前記入出力ポートの前記導体ストリップパターン、前記グランド導体パターンにそれぞれ電気的に接続される治具側導体ストリップパターン、治具側グランド導体パターンを形成して、相互変調歪測定用治具を形成すると共に、該相互変調歪測定用治具の前記治具側導体ストリップパターンと前記治具側グランド導体パターンに、同軸ケーブルの中心導体と外部導体をそれぞれ電気的に接続しておき、前記回路基板に前記相互変調歪測定用治具を重ね合わせることで、前記治具側導体ストリップパターンを前記回路基板の前記導体ストリップパターンに、前記治具側グランド導体パターンを前記回路基板の前記グランド導体パターンに電気的に接続し、前記同軸ケーブルから前記相互変調歪測定用治具を介して前記回路基板に相互変調歪測定用の入力信号を入力すると共に、前記回路基板から前記相互変調歪測定用治具を介して前記同軸ケーブルに出力される出力信号を測定し、当該出力信号に基づき、前記回路基板の相互変調歪を測定する相互変調歪測定方法である。
前記治具側導体ストリップパターンと前記治具側グランド導体パターンは、前記治具側基板の一方の面から他方の面にわたって形成され、前記同軸ケーブルの前記中心導体と前記外部導体とは、前記治具側基板の他方の面に形成された前記治具側導体ストリップパターンと前記治具側グランド導体パターンにそれぞれ電気的に接続されるとよい。
前記回路基板は、一の前記入出力ポートから信号を入力したときに、他の前記入出力ポートから前記信号が出力されるように構成されており、前記一の入出力ポートに対応する前記治具側導体ストリップパターンと前記治具側グランド導体パターンに、前記同軸ケーブルの前記中心導体と前記外部導体を電気的に接続すると共に、前記他の入出力ポートに対応する前記治具側導体ストリップパターンと前記治具側グランド導体パターンとの間に、終端素子としてのダミーロードを電気的に接続し、該ダミーロードで前記同軸ケーブルからの前記入力信号を反射させるようにしてもよい。
本発明によれば、測定対象の回路基板の特性を劣化させることなく、回路基板の相互変調歪を容易に測定可能な相互変調歪測定方法を提供できる。
本発明の一実施の形態に係る相互変調歪測定方法に用いる相互変調歪測定システムのブロック図である。 本発明において、測定対象となる回路基板の平面図である。 本発明において、相互変調歪測定用治具を示す図であり、(a)は表面側から見た平面図、(b)は裏面を表面側から透視した平面図、(c)は同軸ケーブルとダミーロード付き同軸ケーブルを接続したときの平面図である。 本発明の相互変調歪測定方法を説明する図であり、(a)は、図2の回路基板に図3の相互変調歪測定用治具を重ね合わせたときの平面図、(b)はその側面図である。 本発明の変形例に係る相互変調歪測定方法に用いる相互変調歪測定用治具を示す図であり、(a)は表面側から見た平面図、(b)は裏面を表面側から透視した平面図、(c)は同軸ケーブルとダミーロード付き同軸ケーブルを接続したときの平面図である。 本発明の変形例に係る相互変調歪測定方法を説明する図であり、図2の回路基板から導体ストリップ接続用基板を取り外し、図5の相互変調歪測定用治具を重ね合わせたときの平面図である。
以下、本発明の実施の形態を添付図面にしたがって説明する。
図1は、本実施の形態に係る相互変調歪測定方法に用いる相互変調歪測定システムのブロック図である。
図1に示すように、相互変調歪測定システム1は、相互変調歪測定用治具3と、相互変調歪測定用治具3を介して、回路基板2の相互変調歪を測定する相互変調歪測定器4と、を備えている。
相互変調歪測定器4は、2つの周波数f1,f2の信号を合成して入力信号Aとして出力するようになっている。相互変調歪測定器4からの入力信号Aは、相互変調歪測定用治具3を介して、測定対象の回路基板2に入力される。
回路基板2からの出力信号Bは、相互変調歪測定用治具3を介して、相互変調歪測定器4に入力される。相互変調歪測定器4は、入力された出力信号Bに含まれる周波数f3の相互変調歪信号を抽出して測定し、その測定結果に基づき、回路基板2の相互変調歪を測定するようになっている。図1の相互変調歪測定システム1では、相互変調歪測定器4での相互変調歪の測定結果がPC(パーソナルコンピュータ)5に出力されるよう構成されている。
次に、相互変調歪測定用治具3について説明する。
本実施の形態では、一例として、図2に示す回路基板2の相互変調歪を測定する場合について説明する。
回路基板2は、誘電体基板21に、信号を伝送する導体ストリップパターン22とグランド導体パターン23とが形成されたものである。誘電体基板21の一方の面には、導体ストリップパターン22とグランド導体パターン23とを外部に接続するための複数(ここでは3つ)の入出力ポート24が形成されている。
また、回路基板2では、入出力ポート24aからの導体ストリップパターン22と、入力ポート24b,24cからの導体ストリップパターン22とが、導体ストリップ接続用基板25を介して電気的に接続されるよう構成されている。
導体ストリップ接続用基板25の誘電体基板21側の面には、U字状の接続パターン26が形成されており、導体ストリップ接続用基板25と誘電体基板21とを重ね合わせることにより、接続パターン26の一端部が入出力ポート24aからの導体ストリップパターン22と重なり合い、接続パターン26の他端部が入力ポート24b,24cからの導体ストリップパターン22と重なり合って、それぞれ電気的に接続されるよう構成されている。導体ストリップ接続用基板25は、誘電体基板21に対して着脱自在に設けられており、また、図示左右方向にスライド自在に設けられている。
入力ポート24bからの導体ストリップパターン22と、入力ポート24cからの導体ストリップパターン22とは、分岐点(合流点)27にて合流して導体ストリップ接続用基板25に延びるよう構成されている。
つまり、回路基板2では、一の入出力ポート24aから信号を入力したときに、他の入出力ポート24b,24cから信号が出力されるように構成されている。
図3(a)〜(c)に示すように、相互変調歪測定用治具3は、誘電体からなる治具側基板31の一方の面(回路基板2側の面)Rに、入出力ポート24a〜24cの導体ストリップパターン22、グランド導体パターン23にそれぞれ電気的に接続される治具側導体ストリップパターン32、治具側グランド導体パターン33を形成したものである。
治具側導体ストリップパターン32と治具側グランド導体パターン33は、相互変調歪測定用治具3を回路基板2に重ね合わせたときに、回路基板2の導体ストリップパターン22、グランド導体パターン23の一部(入出力ポート24a〜24cの部分)と重なり合う形状に形成される。つまり、治具側導体ストリップパターン32と治具側グランド導体パターン33は、相互変調歪測定用治具3を重ね合わせる部分の回路基板2に形成された導体ストリップパターン22、グランド導体パターン23と同じパターン形状に形成される。
相互変調歪測定用治具3の治具側導体ストリップパターン32と治具側グランド導体パターン33には、相互変調歪測定器4から延びる同軸ケーブル41の中心導体42と外部導体43がそれぞれ電気的に接続される。
本実施の形態では、治具側導体ストリップパターン32と治具側グランド導体パターン33とを、治具側基板31の一方の面Rから他方の面(回路基板2と反対側の面)Sにわたって形成し、同軸ケーブル41の中心導体42と外部導体43とを、治具側基板31の他方の面Sに形成された治具側導体ストリップパターン32と治具側グランド導体パターン33にそれぞれ電気的に接続するようにした。
治具側基板31の一方の面Rに形成される両パターン32,33と、他方の面Sに形成される両パターン32,33とは、治具側基板31の側面を経由する連続したパターン形状に形成されてもよいし、一方の面Rと他方の面Sとで連続させず、スルーホール等を介して電気的に接続するようにしてもよい。
また、本実施の形態では、一の入出力ポート24aに対応する治具側導体ストリップパターン32と治具側グランド導体パターン33に、相互変調歪測定器4から延びる同軸ケーブル41の中心導体42と外部導体43を電気的に接続するようにし、他の入出力ポート24b,24cに対応する治具側導体ストリップパターン32と治具側グランド導体パターン33との間に、終端素子としてのダミーロード44を電気的に接続して、該ダミーロード44で同軸ケーブル41からの入力信号Aを反射させるように構成した。
ここでは、一端部にダミーロード44が設けられたダミーロード付き同軸ケーブル45を2本用い、その2本のダミーロード付き同軸ケーブル45の他端部から露出させた中心導体46と外部導体47とを、入出力ポート24b,24cに対応する治具側導体ストリップパターン32と治具側グランド導体パターン33にそれぞれ電気的に接続するように構成した。
同軸ケーブル41、ダミーロード付き同軸ケーブル45の相互変調歪測定用治具3に対する接続は、半田付け等により行えばよい。
次に、本実施の形態に係る相互変調歪測定方法を説明する。
回路基板2の相互変調歪を測定する際には、まず、図4に示すように、回路基板2に相互変調歪測定用治具3を重ね合わせる。このとき、相互変調歪測定用治具3を回路基板2側に押し付けて、所定の圧力で両者を重ね合わせるとよい。
これにより、相互変調歪測定用治具3の治具側導体ストリップパターン32が回路基板2の導体ストリップパターン22に、相互変調歪測定用治具3の治具側グランド導体パターン33が回路基板2のグランド導体パターン23に、それぞれ電気的に接続される。
なお、相互変調歪の測定中に回路基板2と相互変調歪測定用治具3とが位置ずれしてしまわないように、回路基板2と相互変調歪測定用治具3を押さえた状態で保持する保持用部材を用いるようにしてもよい。また、回路基板2に相互変調歪測定用治具3を重ね合わせる際の位置決めを容易とするために、治具側基板31に回路基板2の縁に係止する係止部などを設けるようにしてもよい。
回路基板2に相互変調歪測定用治具3を重ね合わせた後、相互変調歪測定器4から、2つの周波数f1,f2の信号を合成した相互変調歪測定用の入力信号Aを同軸ケーブル41に出力する。入力信号Aは、同軸ケーブル41、相互変調歪測定用治具3を経て、回路基板2に入力される。
回路基板2の入出力ポート24aから入力された入力信号Aは、導体ストリップ接続用基板25を通過し、分岐点27にて分岐されて入出力ポート24b,24cから出力される。
入出力ポート24b,24cから出力された入力信号Aは、相互変調歪測定用治具3を介して、ダミーロード付き同軸ケーブル45に入力され、ダミーロード44にて反射される。反射された入力信号Aは、ダミーロード付き同軸ケーブル45、相互変調歪測定用治具3を経て、入出力ポート24b,24cから再び回路基板2に入力され、分岐点27にて合流し、導体ストリップ接続用基板25を通過して、入出力ポート24aから出力信号Bとして出力される。
出力信号Bは、相互変調歪測定用治具3、同軸ケーブル41を経て、相互変調歪測定器4に入力される。相互変調歪測定器4は、入力された出力信号Bから周波数f3の相互変調歪信号を抽出して測定し、その測定結果をPC5に出力する。
ここで、実際に回路基板2の相互変調歪を測定した結果と、その回路基板2を用いてアンテナを組み立てた際のアンテナの相互変調歪の測定結果を表1に示す。ここでは、試料番号1〜3の3つの回路基板2について測定を行った。
Figure 2012225832
表1に示すように、試料番号1,2の回路基板2では、回路基板2単体で測定した相互変調歪が−130dB,−129dBであり、アンテナで測定した相互変調歪が−123dB,−125dBであった。アンテナで相互変調歪が増加しているのは、回路基板2以外のアンテナ内部で相互変調歪が発生したためであると考えられる。回路基板2以外の相互変調歪の発生箇所としては、金属との接触面、コネクタの締め付け不良、半田付け不良などが考えられるが、この程度の相互変調歪の悪化は日常的に生じるものである。
また、試料番号3の回路基板2では、回路基板2単体で測定した相互変調歪が−123dBであり、アンテナで測定した相互変調歪が−123dBであった。アンテナの相互変調歪と回路基板2の相互変調歪が同じ値を示すということは、アンテナの相互変調歪が回路基板2の相互変調歪に依存していることを示している。理論的には、回路基板2単体の相互変調歪の値がアンテナの相互変調歪の値より高くなることはない。回路基板2の相互変調歪の値をXとすると、アンテナの相互変調歪はX+α(α:0を含む正の値)となる。したがって、回路基板2単体の相互変調歪を測定し、相互変調歪の値が良好でない回路基板2を除いてアンテナを作製することによって、回路基板2に起因する相互変調歪の悪化を避け、アンテナの相互変調歪特性を向上させることができる。
以上説明したように、本実施の形態に係る相互変調歪測定方法では、予め相互変調歪測定用治具3を形成し、相互変調歪測定用治具3に同軸ケーブル41を接続しておき、回路基板2に相互変調歪測定用治具3を重ね合わせることで、治具側導体ストリップパターン32を回路基板2の導体ストリップパターン22に、治具側グランド導体パターン33を回路基板2のグランド導体パターン23に電気的に接続し、同軸ケーブル41から相互変調歪測定用治具3を介して回路基板2に相互変調歪測定用の入力信号Aを入力すると共に、回路基板2から相互変調歪測定用治具3を介して同軸ケーブル41に出力される出力信号Bを測定し、当該出力信号Bに基づき、回路基板2の相互変調歪を測定している。
これにより、回路基板2の相互変調歪をアンテナや移相器を組み立てることなく事前に測定することが可能となり、再組立などの無駄な作業を省くことができる。また、回路基板2に半田付けを行わないので、測定対象の回路基板2の特性を劣化させてしまうことがなく、回路基板2の劣化を懸念せずに相互変調歪を容易に測定することが可能となる。
また、本実施の形態では、同軸ケーブル41の中心導体42と外部導体43とを、治具側基板31の他方の面(回路基板2と反対側の面)Sに形成された治具側導体ストリップパターン32と治具側グランド導体パターン33にそれぞれ電気的に接続するようにしたので、同軸ケーブル41を回路基板2と反対側に配置して相互変調歪測定用治具3の回路基板2に接触する面をフラットとし、相互変調歪測定用治具3を回路基板2に重ね合わせた際の接触不良を防止することができる。
さらに、本実施の形態では、回路基板2が、一の入出力ポート24aから信号を入力したときに、他の入出力ポート24b,24cから信号が出力されるように構成されており、一の入出力ポート24aに対応する治具側導体ストリップパターン32と治具側グランド導体パターン33に、同軸ケーブル41の中心導体42と外部導体43を電気的に接続すると共に、他の入出力ポート24b,24cに対応する治具側導体ストリップパターン32と治具側グランド導体パターン33との間に、終端素子としてのダミーロード44を電気的に接続し、ダミーロード44で同軸ケーブル41からの入力信号Aを反射させるように構成している。
これにより、回路基板2上の全ての導体ストリップパターン22における相互変調歪の発生を測定することができ、さらに、入力信号Aがダミーロード44で反射して回路基板2上の全ての導体ストリップパターン22を2回通ることになるので、より精度の高い相互変調歪の測定が可能となる。
なお、上記実施の形態では、1つの治具側基板31に全ての入出力ポート24a〜24cに対応するパターン32,33を形成したが、治具側基板31を分割してもよい。例えば、同軸ケーブル41を接続する入出力ポート24aに対応するパターン32,33を形成した部分の治具側基板31と、ダミーロード44を接続する入出力ポート24b,24cに対応するパターン32,33を形成した部分の治具側基板31とを分割しても構わない。
また、上記実施の形態では、測定対象の回路基板2上の全ての導体ストリップパターン22で発生する相互変調歪を測定したが、例えばメッキ処理に起因する相互変調歪など、導体ストリップパターン22の一部を測定することにより、全ての導体ストリップパターン22の相互変調歪(メッキ処理に起因する相互変調歪)を推定できる場合は、一部の導体ストリップパターン22の相互変調歪のみを測定するようにしても構わない。
例えば、図2の回路基板2では、導体ストリップ接続用基板25を取り外せば、入出力ポート24aから導体ストリップ接続用基板25に延びる導体ストリップパターン22が周囲から切り離された状態となるので、この切り離された部分の導体ストリップパターン22のみの相互変調歪を測定することが可能である。
この場合、図5(a)〜(c)に示すように、治具側基板31に入出力ポート24aに対応する治具側導体ストリップパターン32と治具側グランド導体パターン33のみを形成した相互変調歪測定用治具51を形成し、この相互変調歪測定用治具51に同軸ケーブル41を接続して、図6に示すように、導体ストリップ接続用基板25を取り外した回路基板2の入出力ポート24aの部分に相互変調歪測定用治具51を重ね合わせて、相互変調歪を測定すればよい。この場合、同軸ケーブル41から入力された入力信号Aは、導体ストリップパターン22の端部で反射して、再び同軸ケーブル41に入力されることとなり、この反射信号を出力信号Bとして相互変調歪測定器4で測定することになる。
さらに、上記実施の形態では、入力信号Aを反射させるように構成したが、入力信号Aを反射させずに、入出力ポート24b,24cから出力された信号をそのまま出力信号Bとして相互変調歪測定器4に入力するよう構成してもよい。
このように、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加え得ることは勿論である。
1 相互変調歪測定システム
2 回路基板
3 相互変調歪測定用治具
4 相互変調歪測定器
5 PC
21 誘電体基板
22 導体ストリップパターン
23 グランド導体パターン
24 入出力ポート
31 治具側基板
32 治具側導体ストリップパターン
33 治具側グランド導体パターン
41 同軸ケーブル
42 中心導体
43 外部導体
A 入力信号
B 出力信号

Claims (3)

  1. 誘電体基板に、信号を伝送する導体ストリップパターンとグランド導体パターンとが形成され、前記誘電体基板の一方の面に、前記導体ストリップパターンと前記グランド導体パターンとを外部に接続するための複数の入出力ポートが形成された回路基板の相互変調歪を測定する方法であって、
    誘電体からなる治具側基板の一方の面に、前記入出力ポートの前記導体ストリップパターン、前記グランド導体パターンにそれぞれ電気的に接続される治具側導体ストリップパターン、治具側グランド導体パターンを形成して、相互変調歪測定用治具を形成すると共に、
    該相互変調歪測定用治具の前記治具側導体ストリップパターンと前記治具側グランド導体パターンに、同軸ケーブルの中心導体と外部導体をそれぞれ電気的に接続しておき、
    前記回路基板に前記相互変調歪測定用治具を重ね合わせることで、前記治具側導体ストリップパターンを前記回路基板の前記導体ストリップパターンに、前記治具側グランド導体パターンを前記回路基板の前記グランド導体パターンに電気的に接続し、
    前記同軸ケーブルから前記相互変調歪測定用治具を介して前記回路基板に相互変調歪測定用の入力信号を入力すると共に、前記回路基板から前記相互変調歪測定用治具を介して前記同軸ケーブルに出力される出力信号を測定し、当該出力信号に基づき、前記回路基板の相互変調歪を測定する
    ことを特徴とする相互変調歪測定方法。
  2. 前記治具側導体ストリップパターンと前記治具側グランド導体パターンは、前記治具側基板の一方の面から他方の面にわたって形成され、
    前記同軸ケーブルの前記中心導体と前記外部導体とは、前記治具側基板の他方の面に形成された前記治具側導体ストリップパターンと前記治具側グランド導体パターンにそれぞれ電気的に接続される
    請求項1記載の相互変調歪測定方法。
  3. 前記回路基板は、一の前記入出力ポートから信号を入力したときに、他の前記入出力ポートから前記信号が出力されるように構成されており、
    前記一の入出力ポートに対応する前記治具側導体ストリップパターンと前記治具側グランド導体パターンに、前記同軸ケーブルの前記中心導体と前記外部導体を電気的に接続すると共に、
    前記他の入出力ポートに対応する前記治具側導体ストリップパターンと前記治具側グランド導体パターンとの間に、終端素子としてのダミーロードを電気的に接続し、該ダミーロードで前記同軸ケーブルからの前記入力信号を反射させるようにした
    請求項1または2記載の相互変調歪測定方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2016506120A (ja) * 2012-11-30 2016-02-25 ローゼンベルガー ホーフフレクベンツテクニーク ゲーエムベーハー ウント ツェーオー カーゲー Hf信号伝送路における欠陥位置を特定する方法

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