JP2012220256A - 表面プラズモン測定装置に用いられるセンサーチップおよびセンサーチップを用いた表面プラズモン測定装置 - Google Patents

Abstract

【課題】装置が複雑化、大型化することなく、コストも低減でき、しかも、容易にウェルの位置と照射領域との正確な位置調整ができ、同一条件での検査、多項目検査、リファレンスなどを一つのセンサーチップを用いて正確に検査する。
【解決手段】誘電体部材と、該誘電体部材上に形成された金属薄膜とを備えたセンサー部材と、センサー部材上に固定され、測定用ウェルを形成する開口部を備えたウェル部材とを備え、表面プラズモン測定装置に用いられるセンサーチップであって、センサーチップが回転可能に構成され、センサーチップが回転することにより、光源より励起光を照射する照射領域に、測定用ウェルが位置移動できる。
【選択図】図１

Description

本発明は、例えば、医療、バイオテクノロジーなどの分野において、表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ；Surface Plasmon Resonance）現象を用いた表面プラズモン共鳴装置（以下、「ＳＰＲ装置」と言う）、表面プラズモン励起増強蛍光分光法（ＳＰＦＳ；Surface Plasmon-field enhanced Fluorescence Spectroscopy）を用いた表面プラズモン増強蛍光分光測定装置（以下、「ＳＰＦＳ装置」と言う）に用いられるセンサーチップおよびセンサーチップを用いた表面プラズモン測定装置に関する。

従来より、極微少な物質の検出を行う場合において、物質の物理的現象を応用することでこのような物質の検出を可能とした様々な検体検出装置が用いられている。
このような検体検出装置の一つとしては、ナノメートルレベルなどの微細領域中で電子と光とが共鳴することにより、高い光出力を得る現象である表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ）現象を応用し、例えば、生体内の極微少なアナライトの検出を行うようにしたＳＰＲ装置が挙げられる。

また、表面プラズモン共鳴現象を応用した表面プラズモン励起増強蛍光分光法（ＳＰＦＳ）の原理に基づき、ＳＰＲ装置よりもさらに高精度にアナライト検出を行えるようにしたＳＰＦＳ装置も、このような検体検出装置の一つである。

この表面プラズモン励起増強蛍光分光法（ＳＰＦＳ）は、光源より照射したレーザー光などの励起光が、金属薄膜表面で全反射減衰（ＡＴＲ；attenuated total reflectance）する条件において、金属薄膜表面に表面プラズモン光（粗密波）を発生させることによって、光源より照射した励起光が有するフォトン量を数十倍〜数百倍に増やして、表面プラズモン光の電場増強効果を得るようになっている。

そして、この電場増強効果により、金属薄膜の表面近傍に捕捉したアナライトと結合（標識）した蛍光物質を効率良く励起させ、この蛍光を観察することによって、極微量、極低濃度のアナライトを検出する方法である。

ところで、従来、例えば、このようなＳＰＲ装置、ＳＰＦＳ装置では、いわゆる単一流路系（マイクロチャネル型）と呼ばれるＳＰＲ装置、ＳＰＦＳ装置が一般的に使用されている。

すなわち、例えば、図１４に示したように、従来のＳＰＦＳ装置１００は、プリズムを構成する誘電体部材１０２を備えており、この誘電体部材１０２の上面１０４に金属薄膜１０６が形成されている。これら誘電部材１０２と金属薄膜１０６とからセンサー部材１１０が構成されている。なお、金属薄膜１０６上の所定位置に一般にリガンドが固定化される。そして、この金属薄膜１０６を介して、流路を形成する流路部材を配置することにより、微細流路１０８が形成され、金属薄膜上の所定位置に固定化されたリガンドを微細流路１０８中に配置するように形成されている。これらのセンサー部材１１０と金属薄膜１０６を介して微細流路１０８を形成する流路部材から、センサーチップ１１２が構成されている。

そして、センサーチップ１１２の誘電体部材１０２側には、誘電体部材１０２の入射面１１４から入射され、センサー部材１１０に向かって全反射条件となる所定の入射角θ（一定角度の入射角（共鳴角度））で、励起光１１６を照射する光源１１８を備えている。また、誘電体部材１０２の出射面１２０側には、光源１１８から照射され、金属薄膜１０６で反射した反射光１２２を受光して、全反射条件となる所定の入射角θであるかどうかを確認する受光手段１２４が備えられている。

一方、センサー部材１１０に固定されているリガンドによってアナライトが固定化され、このアナライトを標識した蛍光物質が発する蛍光１２６を受光するために、センサーチップ１１２の上方には、光検出手段１２８が設けられている。

なお、センサーチップ１１２と光検出手段１２８との間には、蛍光１２６を効率良く集光するための集光部材１３０と、蛍光１２６以外の光を除去して蛍光１２６のみを選択する波長選択機能部材１３２が設けられている。

このような単一流路系の測定装置では、微細流路１０８内にリガンドを固定するための反応液、洗浄液、アナライト溶液などの液体を送液しなければならず、煩雑な作業が必要で、測定に時間を要し、同一条件での検査、多項目検査、リファレンスなどを一つのセンサーチップを用いた同様のタイミングで検査することは困難である。

このため、同一条件での検査、多項目検査、リファレンスなどを一つのセンサーチップを用いて検査するために、特許文献１（特開平１１−６４２１３号公報）などでは、複数のウェルを形成したセンサーチップが開示されている。この特許文献１のサンプルプレート型のセンサーチップ２００は、以下のようにして製造されるものである。

すなわち、図１５に示したように、透明基板２０２上に金属膜２０４が形成され、この金属膜２０４上に、親水性の結合反応膜２０６を形成している。
そして、この結合反応膜２０６上に、疎水性のネガ型フォトレジスト２０８を形成し、所定のパターンのマスクを用いて、フォトレジスト２０８を露光して現像している。

これによって、フォトレジスト２０８を所定のパターンにパターニングして、現像後に残ったフォトレジストからなる疎水膜２０８と親水性の結合反応膜２０６とにより囲まれた複数のウェル部分２１０を形成している。

特開平１１−６４２１３号公報 特開平１１−５１８５７号公報

しかしながら、このような特許文献１のような従来の複数のウェルが形成されたセンサーチップでは、同一条件での検査、多項目検査、リファレンスなどを一つのセンサーチップを用いて検査する場合には、センサーチップ自体を光源の照射領域に移動させたり、光源自体をセンサーチップに対して移動させる必要がある。

このため、例えば、特許文献２（特開平１１−５１８５７号公報）では、センサーチップ自体を光源の照射領域に移動させる表面プラズモンセンサーが提案されている。
すなわち、図１６に示したように、この表面プラズモンセンサー３００では、プリズム３０２を有する容器型のカップラー手段３０４に、Ｘ軸方向（図面における左右方向）に延びるセンサアタッチメント３０６を設けている。そして、このセンサアタッチメント３０６によって、センサユニット３０８とカップラー手段３０４との間隔が常に一定となるように、センサユニット３０８を支持している。

そして、センサユニット３０８とカップラー手段３０４との間に、所定の屈折率のマッチングオイル３１０を充填している。
センサユニット３０８をセンサアタッチメント３０６に沿ってＸ軸方向に移動可能とし、センサユニット３０８に固定された搬送シャフト３１２によって、センサユニット３０８をＸ軸方向に移動するように構成している。さらに、光源３１４をＹ軸方向（図面に垂直な方向）に移動できるように構成して、二次元走査を行うように構成されている。

しかしながら、このような特許文献２のような構造では、センサユニット３０８に対して光源３１４からの光が照射される照射領域を変更する際に、センサユニット３０８をＸ軸方向移動させており、センサアタッチメント３０６などの複雑な移動機構が必要で、また、光源３１４もＹ軸方向に移動させており、そのための機構も必要で、装置が大型化してしまい、コストも高くつくことになるとともに、ウェルの位置と照射領域との正確な位置調整が困難となり、正確な測定ができないことにもなる。

本発明は、このような現状に鑑み、表面プラズモン測定装置に用いられるセンサーチップにおいて、従来のように、照射領域を変更する際にセンサーチップをＸ軸方向およびＹ軸方向に移動させる機構が不要で、装置が複雑化、大型化することなく、コストも低減でき、しかも、容易にウェルの位置と照射領域との正確な位置調整ができ、同一条件での検査、多項目検査、リファレンスなどを一つのセンサーチップを用いて正確に検査することが可能な表面プラズモン測定装置に用いられるセンサーチップおよびセンサーチップを用いた表面プラズモン測定装置を提供することを目的とする。

本発明は、前述したような従来技術における課題及び目的を達成するために発明されたものであって、本発明のセンサーチップは、
誘電体部材と、該誘電体部材上に形成された金属薄膜とを備えたセンサー部材と、
前記センサー部材上に固定され、測定用ウェルを形成する開口部を備えたウェル部材と、
を備え、表面プラズモン測定装置に用いられるセンサーチップであって、
前記センサーチップが回転可能に構成され、センサーチップが回転することにより、光源より励起光を照射する照射領域に、前記測定用ウェルが位置移動できるように構成されていることを特徴とする。

このようにセンサーチップが回転可能に構成され、センサーチップが回転することにより、光源より励起光を照射する照射領域に、測定用ウェルが位置移動できるように構成されているので、照射領域を変更する際に光源の位置を固定して、センサーチップを回転する機構を設けるだけで、ウェルの位置と照射領域との正確な位置調整ができ、同一条件での検査、多項目検査、リファレンスなどを一つのセンサーチップを用いて正確に検査することができる。

従って、従来のように、照射領域を変更する際にセンサーチップ、光源を、相対的にＸ軸方向、Ｙ軸方向に移動するための複雑な機構が不要で、装置が複雑化、大型化することなく、コストも低減でき、しかも、容易にウェルの位置と照射領域との正確な位置調整ができ、同一条件での検査、多項目検査、リファレンスなどを一つのセンサーチップを用いて正確に検査することができる。

また、本発明のセンサーチップは、前記ウェル部材には、単一の測定用ウェルを形成する単一の開口部が形成されていることを特徴とする。
このようにウェル部材に、単一の測定用ウェルを形成する単一の開口部が形成されていれば、単一のウェルの中の試料に対して、同一条件での二次元的な物性情報を一つのセンサーチップを用いて正確に検査することができる。

また、本発明のセンサーチップは、前記ウェル部材には、複数の測定用ウェルを形成する複数の開口部が形成されていることを特徴とする。
このようにウェル部材に、複数の測定用ウェルを形成する複数の開口部が形成されていれば、複数のウェルにより、同一条件での検査、多項目検査、リファレンスなどを一つのセンサーチップを用いて正確に検査することができる。

また、本発明のセンサーチップは、
前記誘電体部材が、誘電体部材本体を備え、該誘電体部材本体上に金属薄膜が形成されており、
前記誘電体部材本体と、該誘電体部材本体上に固定されたウェル部材とが、一体で回転するように構成されていることを特徴とする。

このように構成することによって、直接金属薄膜が形成されたプリズムを構成する誘電体部材本体と、この誘電体部材本体上に固定されたウェル部材とを一体で回転するだけで良い。

従って、プリズムを構成する誘電体部材本体に直接金属薄膜を形成して、センサーチップとすることができるので、簡単な構成とすることができ、コストを低減することができる。

また、これらの誘電体部材本体とウェル部材とを一体的に回転する簡単な回転機構を設けるだけで良く、回転機構が簡単な構造となり、ウェルの位置と照射領域との正確な位置調整ができ、同一条件での検査、多項目検査、リファレンスなどを一つのセンサーチップを用いて正確に検査することができる。

しかも、プリズムを構成する誘電体部材本体と、この誘電体部材本体上に固定されたウェル部材とが一体で回転するので、プリズムを構成する誘電体部材本体とウェルとの相対位置がずれることがなく、ウェルの位置と照射領域との正確な位置調整ができ、同一条件での検査、多項目検査、リファレンスなどを一つのセンサーチップを用いて正確に検査することができる。

また、本発明のセンサーチップは、
前記誘電体部材が、誘電体部材本体と、該誘電体部材本体の上に配置され、誘電体からなる基板部材とを備え、
前記基板部材上に金属薄膜が形成されており、
前記基板部材と該基板部材上に固定されたウェル部材とが、一体で回転するように構成されていることを特徴とする。

このように構成することによって、プリズムを構成する誘電体部材本体を固定して、金属薄膜が形成された基板部材とこの基板部材上に固定されたウェル部材とを一体で回転するだけで良い。

従って、これらの基板部材とウェル部材とを一体的に回転する簡単な回転機構を設けるだけで良く、回転機構が簡単な構造となり、ウェルの位置と照射領域との正確な位置調整ができ、同一条件での検査、多項目検査、リファレンスなどを一つのセンサーチップを用いて正確に検査することができる。

しかも、プリズムを構成する誘電体部材本体を回転せずに固定しているので、一通り検査が終了した後、別途用意した、金属薄膜が形成された基板部材とこの基板部材上に固定されたウェル部材に交換でき、一度に多量に検査を実施することができる。

また、本発明のセンサーチップは、
前記誘電体部材が、誘電体部材本体と、該誘電体部材本体の上に配置され、誘電体からなる基板部材とを備え、
前記基板部材上に金属薄膜が形成されており、
前記誘電体部材本体と、基板部材と、該基板部材上に固定されたウェル部材とが、一体で回転するように構成されていることを特徴とする。

このように構成することによって、プリズムを構成する誘電体部材本体と、金属薄膜が形成された基板部材と、基板部材上に固定されたウェル部材とを一体で回転するだけで良い。

従って、これらの誘電体部材本体と、基板部材と、ウェル部材とを一体的に回転する簡単な回転機構を設けるだけで良く、回転機構が簡単な構造となり、ウェルの位置と照射領域との正確な位置調整ができ、同一条件での検査、多項目検査、リファレンスなどを一つのセンサーチップを用いて正確に検査することができる。

しかも、プリズムを構成する誘電体部材本体も一体で回転するので、プリズムを構成する誘電体部材本体とウェルとの相対位置がずれることがなく、ウェルの位置と照射領域との正確な位置調整ができ、同一条件での検査、多項目検査、リファレンスなどを一つのセンサーチップを用いて正確に検査することができる。

また、本発明のセンサーチップは、前記誘電体部材の光の入射面と光の出射面とが、断面において、誘電体部材の中心軸線に対して線対称となるように形成されていることを特徴とする。

このように構成することによって、プリズムである誘電体部材の光の入射面に対する入射角度と出射面に対する出射角度が等しくなるので、プリズムを構成する誘電体部材が一緒に回転する場合であっても、一定角度の入射角（共鳴角度）で、金属薄膜上に表面プラズモン光（粗密波）が生ずるのを、出射面側に配置した受光手段で受光される金属薄膜反射光のシグナルが変化（光量が減少）する地点で見つけることができる。

従って、ウェルの位置と照射領域との正確な位置調整ができ、同一条件での検査、多項目検査、リファレンスなどを一つのセンサーチップを用いて正確に検査することができる。

また、本発明のセンサーチップは、前記誘電体部材の光の入射面と光の出射面とが、断面において、測定用ウェルの中心軸線に対して線対称となるように形成されていることを特徴とする。

このように構成することによって、各測定用ウェルに対して、プリズムである誘電体部材の光の入射面の入射角度と出射面の出射角度が等しくなるので、プリズムを構成する誘電体部材が一緒に回転する場合であっても、各測定用ウェルに対して、一定角度の入射角（共鳴角度）で、各測定用ウェルの金属薄膜上に表面プラズモン光（粗密波）が生ずるのを、出射面側に配置した受光手段で受光される金属薄膜反射光のシグナルが変化（光量が減少）する地点で見つけることができる。

従って、各ウェルの位置と照射領域との正確な位置調整ができ、同一条件での検査、多項目検査、リファレンスなどを一つのセンサーチップを用いて正確に検査することができる。

また、本発明のセンサーチップは、前記誘電体部材が、環状に形成されていることを特徴とする。
このように誘電体部材が、環状に形成されているので、プリズムを構成する誘電体部材が一緒に回転する場合であっても、常にプリズムである誘電体部材の光の入射面の入射角度と出射面の出射角度が等しくなるので、各測定用ウェルに対して、常に一定角度の入射角（共鳴角度）で、各測定用ウェルの金属薄膜上に表面プラズモン光（粗密波）が生ずるのを、出射面側に配置した受光手段で受光される金属薄膜反射光のシグナルが変化（光量が減少）する地点で見つけることができる。

従って、各ウェルの位置と照射領域との正確な位置調整ができ、同一条件での検査、多項目検査、リファレンスなどを一つのセンサーチップを用いて正確に検査することができる。

また、本発明の表面プラズモン測定装置は、
前述のいずれかに記載のセンサーチップと、
前記センサーチップを回転させる回転手段と、
前記センサーチップの励起光を照射する照射領域に、励起光を照射する光源と、
を備えたことを特徴とする。

本発明によれば、センサーチップが回転可能に構成され、センサーチップが回転することにより、光源より励起光を照射する照射領域に、測定用ウェルが位置移動できるように構成されているので、照射領域を変更する際に光源の位置を固定して、センサーチップを回転する機構を設けるだけで、ウェルの位置と照射領域との正確な位置調整ができ、同一条件での検査、多項目検査、リファレンスなどを一つのセンサーチップを用いて正確に検査することができる。

従って、従来のように、照射領域を変更する際にセンサーチップ、光源を、相対的にＸ軸方向、Ｙ軸方向に移動するための複雑な機構が不要で、装置が複雑化、大型化することなく、コストも低減でき、しかも、容易にウェルの位置と照射領域との正確な位置調整ができ、同一条件での検査、多項目検査、リファレンスなどを一つのセンサーチップを用いて正確に検査することができる。

図１は、本発明のセンサーチップの斜視図である。 図２は、図１のセンサーチップの上面図である。 図３は、図１のセンサーチップのＡ−Ａ線での断面図である。 図４は、本発明のセンサーチップを用いた表面プラズモン測定装置の使用方法を説明する上面図である。 図５は、本発明のセンサーチップを用いた表面プラズモン測定装置の使用方法を説明する斜視図である。 図６は、本発明の別の実施例のセンサーチップの斜視図である。 図７は、図６のセンサーチップのＡ−Ａ線での図３と同様な断面図である。 図８（Ａ）は、本発明の別の実施例のセンサーチップの下面図、図８（Ｂ）は、図８（Ａ）のセンサーチップのＡ−Ａ線での断面図である。 図９（Ａ）は、本発明の別の実施例のセンサーチップの下面図、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）のセンサーチップのＡ−Ａ線での断面図である。 図１０（Ａ）は、本発明の別の実施例のセンサーチップの下面図、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）のセンサーチップのＡ−Ａ線での断面図である。 図１１（Ａ）は、本発明の別の実施例のセンサーチップの下面図、図１３は、図１２のセンサーチップのＡ−Ａ線での図３と同様な断面図である。 図１２は、本発明の別の実施例のセンサーチップの斜視図である。 図１３は、図１２のセンサーチップのＡ−Ａ線での図３と同様な断面図である。 図１４は、従来のＳＰＦＳ装置の基本的な構造を説明する概略図である。 図１５は、従来のサンプルプレート型のセンサーチップの断面図である。 図１６は、従来の表面プラズモンセンサーの断面図である。

以下、本発明の実施の形態（実施例）を図面に基づいてより詳細に説明する。

図１は、本発明のセンサーチップの斜視図、図２は、図１のセンサーチップの上面図、図３は、図１のセンサーチップのＡ−Ａ線での断面図、図４は、本発明のセンサーチップを用いた表面プラズモン測定装置の使用方法を説明する上面図、図５は、本発明のセンサーチップを用いた表面プラズモン測定装置の使用方法を説明する斜視図である。

図１〜図３に示したように、この実施例のセンサーチップ１０は、例えば、ＳＰＲ装置、ＳＰＦＳ装置などの表面プラズモン測定装置に用いられるものである。
そして、センサーチップ１０は、誘電体部材本体を構成するとともに、プリズムを構成する断面略台形形状の六面体（截頭四角錐形状）からなる誘電体部材１２を備えており、この誘電体部材１２の水平な上面１４に、金属薄膜１６が形成されている。

この誘電体部材１２と、誘電体部材１２の水平な上面１４に形成された金属薄膜１６とでセンサー部材１８を構成している。
そして、このセンサー部材１８上に、測定用ウェル２０（この実施例では、便宜上４個の測定用ウェル２０ａ〜２０ｄ）を形成する、複数の開口部２２（この実施例では、便宜上４個の開口部２２ａ〜２２ｄを示している）を備えたウェル部材２４が固着されている。

これらのセンサー部材１８とウェル部材２４とで、センサーチップ１０が構成されている。
なお、誘電体部材１２の水平な上面１４に、金属薄膜１６を形成する場合、図３（Ａ）に示したように、誘電体部材１２の水平な上面１４の全面に形成しても良いが、図３（Ｂ）に示したように、パターンニングなどにより、誘電体部材１２の水平な上面１４の測定用ウェル２０に対応する部分のみに形成することもできる。この場合には、金属薄膜材料を節約することができ、コストを低減できることになる。

この実施例では、図１、図２に示したように、ウェル部材２４の４個の開口部２２ａ〜２２ｄは、センサーチップ１０の中心軸Ｏを中心として、同心円状に中心角αが、所定の角度となるように（この実施例では、中心角度αが９０°）離間して形成されている。

また、図１、図３、図５に示したように、誘電体部材１２の下方の一方の側面が、光源２６からの光が入射する入射面２８を形成している。
一方、誘電体部材１２の下方の他方の側面が、金属薄膜１６によって反射された反射光が出射する出射面３０を形成している。

なお、この出射面３０から出射した光は、誘電体部材１２の下方の他方の側面の側に配置された受光手段３２によって、金属薄膜１６によって反射された反射光を受光するようになっている。

この場合、図３に示したように、誘電体部材１２の光の入射面２８と光の出射面３０とが、断面において、誘電体部材１２の中心軸線Ｏに対して線対称となるように形成されている。

すなわち、誘電体部材１２の光の入射面２８と中心軸線Ｏのなす角度β１と、誘電体部材１２の光の出射面３０と中心軸線Ｏのなす角度β２とが等しくなるように設定されている。

そして、後述するように、センサーチップ１０は、図示しない、中心軸Ｏを回転軸として回転させる回転機構や、センサーチップ１０の外周に当接して、センサーチップ１０を中心軸Ｏを回転軸として回転させる回転機構などによって回転可能に構成されている。

この場合、誘電体部材１２としては、特に限定されるものではないが、光学的に透明な、例えば、ガラス、セラミックスなどの各種の無機物、天然ポリマー，合成ポリマーを用いることができ、化学的安定性，製造安定性、光学的透明性の観点から、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）または二酸化チタン（ＴｉＯ_２）を含むのが好ましい。

また、誘電体部材１２の材質は、少なくとも励起光に対して光学的に透明な材料から形成されていれば、その材質は、上記のように特に限定されないが、安価で取り扱い性に優れるセンサーチップ１０を提供する上で、例えば、樹脂材料から形成されていることが好ましい。

誘電体部材１２を樹脂材料から形成する場合は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）などのポリオレフィン類、環状オレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）などのポリ環状オレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリスチレン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリサルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）などを用いることができる。

また、金属薄膜１６の材質としては、特に限定されるものではないが、好ましくは、金、銀、アルミニウム、銅、および白金からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属からなり、より好ましくは、金からなり、さらに、これら金属の合金から構成しても良い。

すなわち、このような金属は、酸化に対して安定であり、かつ、後述するように、表面プラズモン光（粗密波）による電場増強が大きくなるので、金属薄膜１６として好適である。

また、金属薄膜１６の形成方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、スパッタリング法，蒸着法（抵抗加熱蒸着法，電子線蒸着法など）、電解メッキ、無電解メッキ法などが挙げられる。好ましくは、スパッタリング法、蒸着法を使用するのが、薄膜形成条件の調整が容易であるので望ましい。

さらに、金属薄膜１６の厚さとしては、特に限定されるものではないが、好ましくは、金：５〜５００ｎｍ、銀：５〜５００ｎｍ、アルミニウム：５〜５００ｎｍ、銅：５〜５００ｎｍ、白金：５〜５００ｎｍ、および、それらの合金：５〜５００ｎｍの範囲内であるのが望ましい。

なお、電場増強効果の観点からは、より好ましくは、金：２０〜７０ｎｍ、銀：２０〜７０ｎｍ、アルミニウム：１０〜５０ｎｍ、銅：２０〜７０ｎｍ、白金：２０〜７０ｎｍ、および、それらの合金：１０〜７０ｎｍの範囲内であるのが望ましい。

金属薄膜１６の厚さが上記範囲内であれば、表面プラズモン光（粗密波）が発生し易く好適である。また、このような厚さを有する金属薄膜１６であれば、大きさ（縦×横）の寸法、形状は、特に限定されない。

また、ウェル部材２４の材質としては、測定用ウェル２０を形成する複数の開口部２２を形成できるものであれば、特に限定されるものではなく、合成樹脂、金属、セラミックスなど種々の材料から作製することができる。

このウェル部材２４の製造方法も特に限定されるものではない。例えば、ごく一般的に行われる樹脂成形法、打ち抜きなどで、センサー部材１８とは別体のウェル部材２４を作製して、これを、誘電体部材１２と同じ光屈折率を有する、接着剤、マッチングオイル、透明な貼着シートなどでセンサー部材１８に固着すれば良い。

また、センサー部材１８の上面に、フォトリソグラフィー法、スパッタリング法などでパターニングして、ウェル部材２４を固着するようにしても良い。
なお、センサー部材１８上に金属薄膜１６等が形成され、センサー部材１８とウェル部材２４間に金属薄膜１６等が介在する際には、ウェル部材２４はそれら金属薄膜１６等の上に固着すれば良い。

なお、このウェル部材２４の複数の開口部２２ａ〜２２ｄの数、配置位置などは、特に限定されるものではなく、同一条件での検査、多項目検査、リファレンスなどの検査項目に応じて、適宜選択すれば良い。

また、ウェル部材２４の開口部２２ａ〜２２ｄの形状も、この実施例では、円形としたが、四角形、三角形、多角形など適宜変更可能である。
また、ウェル部材２４の開口部２２ａ〜２２ｄの大きさ（深さ、直径、容量など）としては、検査項目に応じて設定すればよく、特に限定されるものではないが、例えば、８０〜１００μｌの容量とするのが、ＳＰＲ装置、ＳＰＦＳ装置として用いる場合に好適である。

このように構成されるセンサーチップ１０は、図４、図５に示したように、表面プラズモン測定装置１のセンサーチップ１０として用いられる。
以下に、例えば、センサーチップ１０を、表面プラズモン測定装置１として、ＳＰＦＳ装置に用いる場合について説明する。

先ず、検出対象となるアナライトと特異的に結合するリガンドを含む溶液を測定用ウェル２０に注入し、金属薄膜１６上にリガンドを固定化した後、測定用ウェル２０を洗浄する。

なお、本発明において、センサーチップ１０としては、このように金属薄膜１６上にリガンドを固定化した後の状態のものだけでなく、金属薄膜１６上にリガンドを固定化する前の状態のものをも含むものである。

その後、蛍光物質で結合（標識）したアナライトを含む試料溶液を、測定用ウェル２０に注入し、金属薄膜１６上のリガンドと特異的に結合させた後、測定用ウェル２０を洗浄する。

なお、ここで用いられる試料溶液は、検体を用いて調製された溶液であり、例えば、検体と試薬とを混合して検体中に含有されるアナライトに蛍光物質を結合させるための処理をしたものが挙げられる。

このような検体としては、血液、血清、血漿、尿、鼻孔液、唾液、便、体腔液（髄液、腹水、胸水等）などが挙げられる。
また、検体中に含有されるアナライトは、例えば、核酸（一本鎖であっても二本鎖であってもよいＤＮＡ、ＲＮＡ、ポリヌクレオチド、オリゴヌクレオチド、ＰＮＡ（ペプチド核酸）等、またはヌクレオシド、ヌクレオチドおよびそれらの修飾分子）、タンパク質（ポリペプチド、オリゴペプチド等）、アミノ酸（修飾アミノ酸も含む。）、糖質（オリゴ糖、多糖類、糖鎖等）、脂質、またはこれらの修飾分子、複合体などが挙げられ、具体的には、ＡＦＰ（αフェトプロテイン）等のがん胎児性抗原や腫瘍マーカー、シグナル伝達物質、ホルモンなどであってもよく、特に限定されない。

そして、例えば、図４（Ａ）、図５に示したように、測定ポイント（照射領域）Ａに位置する測定用ウェル２０ａに対して、誘電体部材１２の下方の一方の側面側に配置した光源２６から、励起光Ｐ１を誘電体部材１２の入射面２８から入射面２８に対する入射角度θ１で入射させて屈折させ、誘電体部材１２の上面の金属薄膜１６に向かって、全反射条件となる入射角θ（一定角度の入射角（共鳴角度））で、励起光Ｐ２として照射する。

そして、金属薄膜１６で反射された反射光Ｐ３は、誘電体部材１２の下方の他方の側面に形成された出射面３０により、一定角度θ２で屈折されて、反射光Ｐ４として、誘電体部材１２の下方の他方の側面側に配置された受光手段３２によって受光され、全反射条件となる所定の入射角θであるかどうかを確認することができるようになっている。

すなわち、一定角度の入射角θ（共鳴角度）で、金属薄膜１６上に表面プラズモン光（粗密波）が生ずるのを、出射面側に配置した受光手段３２で受光される金属薄膜１６からの反射光Ｐ４のシグナルが変化（光量が減少）する地点で見つけることができる。

そして、この誘電体部材１２の上面の金属薄膜１６に照射された励起光Ｐ２によって、金属薄膜１６の表面に表面プラズモン光（粗密波）を発生させることによって、光源２６より照射した励起光Ｐ２が有するフォトン量を数十倍〜数百倍に増やして、表面プラズモン光の電場増強効果を得るようになっている。

そして、この電場増強効果により、金属薄膜１６に固定化されたリガンドによって、金属薄膜１６の表面近傍に捕捉したアナライトと結合（標識）した蛍光物質を効率良く励起させ、この蛍光を観察することによって、極微量、極低濃度のアナライトを検出するようになっている。

すなわち、センサーチップ１０に固定されているリガンドによってアナライトが捕捉され、このアナライトを標識した蛍光物質が発する蛍光を受光するために、センサーチップ１０の上方には、光電子増倍管（ＰＭＴ）やＣＣＤなどの光検出手段３４が設けられている。

なお、センサーチップ１０と光検出手段３４との間には、図示しないが、図１４に示した従来のＳＰＦＳ装置と同様に、蛍光を効率良く集光するための集光部材と、蛍光以外の光を除去して蛍光のみを選択する波長選択機能部材が設けられている。

このように、測定ポイント（照射領域）Ａに位置する測定用ウェル２０ａに対して、検査が終了した後、図４（Ａ）、（Ｂ）の矢印に示したように、センサーチップ１０を、図示しない前述したような回転機構を用いて、中心軸Ｏを回転軸として回転させて、図４（Ｂ）に示したように、次の検査対象である測定用ウェル２０ｂを測定ポイント（照射領域）Ａに位置させ、上記のように検査を行えばよい。その後、同様にして、センサーチップ１０を、回転機構を用いて、中心軸Ｏを回転軸として、水平な方向に回転させて、順次、測定用ウェル２０ｃ、２０ｄを測定ポイント（照射領域）Ａに位置させ、測定用ウェル２０ｃ、２０ｄにおいて検査を行えばよい。

このように構成される本発明の表面プラズモン測定装置に用いられるセンサーチップ１０およびセンサーチップ１０を用いた表面プラズモン測定装置１によれば。センサーチップ１０が回転可能に構成され、センサーチップ１０が回転することにより、光源２６より励起光を照射する測定ポイント（照射領域）Ａに、測定用ウェル２０が位置移動できるように構成されているので、照射領域を変更する際に光源２６の位置を固定して、センサーチップ１０を回転する機構を設けてセンサーチップ１０を回転するだけで、測定用ウェル２０の位置と測定ポイント（照射領域）Ａとの正確な位置調整ができ、同一条件での検査、多項目検査、リファレンスなどを一つのセンサーチップを用いて正確に検査することができる。

例えば、測定用ウェル２０ａをリファレンスとして、その他の測定用ウェル２０ｂ〜２０ｄを、同一条件での検査、多項目検査に用いることができる。
従って、従来のように、照射領域を変更する際にセンサーチップ、光源を、相対的にＸ軸方向、Ｙ軸方向に移動するための複雑な機構が不要で、装置が複雑化、大型化することなく、コストも低減でき、しかも、容易にウェルの位置と照射領域との正確な位置調整ができ、同一条件での検査、多項目検査、リファレンスなどを一つのセンサーチップを用いて正確に検査することができる。

また、誘電体部材１２の光の入射面２８と光の出射面３０とが、断面において、誘電体部材１２の中心軸線Ｏに対して線対称となるように形成されている。
従って、プリズムである誘電体部材１２の光の入射面２８に対する入射角度θ１と出射面３０に対する出射角度θ２が等しくなるので、プリズムを構成する誘電体部材１２が一緒に回転する場合であっても、一定角度の入射角（共鳴角度）θで、金属薄膜１６上に表面プラズモン光（粗密波）が生ずるのを、出射面３０側に配置した受光手段３２で受光される金属薄膜１６からの反射光Ｐ４のシグナルが変化（光量が減少）する地点で見つけることができる。なお、この実施例では、センサーチップ１０を１８０度回転した位置関係では、光の入射面が光の出射面として用いられ、光の出射面が光の入射面として用いられることになる。

従って、測定用ウェル２０の位置と測定ポイント（照射領域）Ａとの正確な位置調整ができ、同一条件での検査、多項目検査、リファレンスなどを一つのセンサーチップを用いて正確に検査することができる。

図６は、本発明の別の実施例のセンサーチップの斜視図、図７は、図６のセンサーチップのＡ−Ａ線での図３と同様な断面図である。

この実施例のセンサーチップ１０は、図１〜図５に示したセンサーチップ１０と基本的には同様な構成であるので、同一の構成部材には、同一の参照番号を付して、その詳細な説明を省略する。

図１〜図５に示した実施例１のセンサーチップ１０では、プリズムを構成する誘電体部材１２が、断面略台形形状の六面体（截頭四角錐形状）からなる誘電体部材１２であったが、この実施例の誘電体部材１２では、断面略三角形の四角錐形状の誘電体部材１２である点が相違する。

従って、このように構成されるセンサーチップ１０は、図４、図５に示したように、表面プラズモン測定装置１のセンサーチップ１０として用いる方法は、実施例１と同様な原理であるのでその詳細な説明は省略する。

このように、プリズムを構成する誘電体部材１２の形状は、誘電体部材１２の光の入射面２８と光の出射面３０とが、断面において、誘電体部材１２の中心軸線Ｏに対して線対称となるように形成され、プリズムである誘電体部材１２の光の入射面２８の入射角度θ１と出射面３０の出射角度θ２が等しくなるような形状であればよい。

すなわち、誘電体部材１２の光の入射面２８と中心軸線Ｏのなす角度β１と、誘電体部材１２の光の出射面３０と中心軸線Ｏのなす角度β２とが等しくなるように設定されていればよい。

従って、図示しないが、四角錐形状以外でも、例えば、円錐形状や、三角錐、多角錐などの角錐形状、または、截頭円錐形状、截頭角錐形状あってもよい。
また、図示しないが、誘電体部材１２に光の入射面２８と光の出射面３０をそれぞれに二面以上形成することも可能である。

なお、誘電体部材１２の水平な上面１４に、金属薄膜１６を形成する場合、図７（Ａ）に示したように、誘電体部材１２の水平な上面１４の全面に形成しても良いが、図７（Ｂ）に示したように、パターンニングなどにより、誘電体部材１２の水平な上面１４の測定用ウェル２０に対応する部分のみに形成することもできる。この場合には、金属薄膜材料を節約することができ、コストを低減できることになる。

図８（Ａ）は、本発明の別の実施例のセンサーチップの下面図、図８（Ｂ）は、図９（Ａ）のセンサーチップのＡ−Ａ線での断面図である。
この実施例のセンサーチップ１０は、図１〜図５に示したセンサーチップ１０と基本的には同様な構成であるので、同一の構成部材には、同一の参照番号を付して、その詳細な説明を省略する。

図１〜図５に示した実施例１のセンサーチップ１０では、プリズムを構成する誘電体部材１２を、断面略台形形状の六面体（截頭四角錐形状）とした。
これに対して、この実施例のセンサーチップ１０では、誘電体部材１２において、誘電体部材１２の中心軸線Ｏの部分に、平面視で四角形の開口部４０を形成して、複数の測定用ウェル２０ａ〜２０ｄの配置に合わせて、断面が略台形状で、平面視で四角形の環状のプリズム部４２を形成している。

この場合、プリズム部４２では、誘電体部材１２の光の入射面２８と光の出射面３０とが、断面において、測定用ウェル２０の中心軸線Ｐに対して線対称となるように形成されている。

このように誘電体部材１２のプリズム部４２が、環状に形成されているので、各測定用ウェル２０ａ〜２０ｄに対して、プリズムである誘電体部材１２のプリズム部４２の光の入射面２８の入射角度と出射面３０の出射角度が常に等しくなる。

すなわち、誘電体部材１２の光の入射面２８と測定用ウェル２０の中心軸線Ｐのなす角度β１と、誘電体部材１２の光の出射面３０と測定用ウェル２０の中心軸線Ｐのなす角度β２とが等しくなるように設定されていればよい。
従って、プリズムを構成する誘電体部材１２が一緒に回転する場合であっても、各測定用ウェル２０ａ〜２０ｄに対して、一定角度の入射角（共鳴角度）で、各測定用ウェル２０ａ〜２０ｄの金属薄膜１６上に表面プラズモン光（粗密波）が生ずるのを、出射面３０側に配置した受光手段３２で受光される金属薄膜１６の反射光のシグナルが変化（光量が減少）する地点で見つけることができる。

この実施例においても、各ウェルの位置と測定ポイント（照射領域）Ａとの正確な位置調整ができ、同一条件での検査、多項目検査、リファレンスなどを一つのセンサーチップを用いて正確に検査することができる。

なお、この実施例のセンサーチップ１０では、誘電体部材１２において、断面が略台形状で、平面視で四角形の環状のプリズム部４２を形成しているが、この形状に何ら限定されるものではない。

すなわち、プリズム部４２において、誘電体部材１２の光の入射面２８と光の出射面３０とが、断面において、測定用ウェル２０の中心軸線Ｐに対して線対称となるように形成されていれば良い。

例えば、図９に示したように、誘電体部材１２において、誘電体部材１２の中心軸線Ｏの部分に、平面視で円形の開口部４０を形成して、複数の測定用ウェル２０ａ〜２０ｄの配置に合わせて、断面が略台形状で、平面視で円形の環状のプリズム部４２を形成してもよい。

また、図１０、図１１に示したように、誘電体部材１２において、誘電体部材１２の中心軸線Ｏの部分に、平面視で多角形（図１０では六角形、図１１では八角形）の開口部４０を形成して、複数の測定用ウェル２０ａ〜２０ｄの配置に合わせて、断面が略台形状で、平面視で多角形（図１０では六角形、図１１では八角形）の環状のプリズム部４２を形成してもよい。

なお、或る測定用ウェルに対して誘電体部材１２の光の入射面として用いられる面が、別の測定用ウェルに対しては光の出射面として用いられることがなく、入射面と出射面とが共用されることなく別々に構成されている場合には、誘電体部材１２の形状は、各測定用ウェル２０の中心軸線Ｐに対して線対称とすることなく、言い換えれば、入射面に対する入射角度と出射面に対する出射角度とが異なるようにしても良い。この場合、誘電体部材１２の回転軸（実施例では誘電体部材１２の中心軸線Ｏに等しい）に対して対称となる形状とすれば良い。

図１２は、本発明の別の実施例のセンサーチップの斜視図、図１３は、図１２のセンサーチップのＡ−Ａ線での図３と同様な断面図である。

この実施例のセンサーチップ１０は、図１〜図５に示したセンサーチップ１０と基本的には同様な構成であるので、同一の構成部材には、同一の参照番号を付して、その詳細な説明を省略する。

図１〜図５に示した実施例１のセンサーチップ１０では、誘電体部材本体を構成するとともに、プリズムを構成する誘電体部材１２の水平な上面１４に、直接金属薄膜１６を形成したが、この実施例のセンサーチップ１０では、誘電体部材１２が、プリズムを構成する誘電体部材本体４８と、この誘電体部材本体４８の上に配置され、誘電体からなり光を導光する基板部材４６とを備え、この基板部材４６上に金属薄膜１６が形成されている点が相違する。

この場合、プリズムを構成する誘電体部材本体４８を固定して、金属薄膜が形成された基板部材４６とこの基板部材４６上に固定されたウェル部材２４とが、一体で回転するように構成されていても良い。

このように構成することによって、これらの基板部材４６とウェル部材２４とを一体的に回転する簡単な回転機構を設けるだけで良く、回転機構が簡単な構造となり、ウェルの位置と照射領域との正確な位置調整ができ、同一条件での検査、多項目検査、リファレンスなどを一つのセンサーチップを用いて正確に検査することができる。

しかも、プリズムを構成する誘電体部材本体４８を回転せずに固定しているので、一通り検査が終了した後、別途用意した、金属薄膜１６が形成された基板部材４６とこの基板部材４６上に固定されたウェル部材２４に交換でき、一度に多量に検査を実施することができる。

なお、この場合、基板部材４６とプリズムを構成する誘電体部材本体４８との間は、基板部材４６と基板部材４６上に固定されたウェル部材２４が、回転せず固定された誘電体部材本体４８に対して回転できるように、誘電体部材１２と同じ光屈折率を有する、マッチングオイル、潤滑材などを介在させるようにすればよい。

また、このようにプリズムを構成する誘電体部材本体４８を回転せずに固定する場合、図示しないが、誘電体部材本体４８を、測定ポイント（照射領域）Ａに対応する部分のみに形成するようにすることもできる。この場合には、誘電体部材本体４８の材料費を低減できるとともに、センサーチップ１０を小型化することが可能となる。また、誘電体部材本体４４の形成をしないことで生じた空間は、光源を配置するスペースなどに利用することができる。

また、誘電体部材本体４８と、基板部材４６と、基板部材４６上に固定されたウェル部材２４とが、一体で回転するように構成しても良い。

本発明のＳＰＦＳ測定用のセンサーチップ１０を用いて、単一のセンサー部材上に形成された複数の測定用ウェルａ〜ｄ内で、同一条件下（下記の抗原濃度、反応温度、反応時間）でアッセイし、各測定用ウェルを水平に回転して位置移動させて測定した際のＰＭＴカウント値を比較した。

再現性、安定性の高さを変動係数であるＣＶ値によって下記の表１に示した。
下記の表１から明らかなように、ＣＶ値が５．６％であり、再現性、安定性が良好で高精度の測定が可能であることが分る。
・測定粂件
ＡＦＰ抗原濃度：１．０ｎｇ／ｍｌ
反応温度：２５°Ｃ
反応時間：２５ｍｉｎ
ウェル数：４

以上、本発明の好ましい実施の態様を説明してきたが、本発明はこれに限定されることはなく、例えば、上記実施例では、表面プラズモン測定装置ＳＰＦＳ装置を一例として挙げたが、ＳＰＲ装置にも適用可能であり、また、上記の回転機構による回転としては、水平な回転について説明したが、傾斜した回転軸による回転が可能であるなど本発明の目的を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

本発明は、例えば、医療、バイオテクノロジーなどの分野において、表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ；Surface Plasmon Resonance）現象を用いた表面プラズモン共鳴装置、表面プラズモン励起増強蛍光分光法（ＳＰＦＳ；Surface Plasmon-field enhanced Fluorescence Spectroscopy）を用いた表面プラズモン増強蛍光分光測定装置（に用いられるセンサーチップおよびセンサーチップを用いた表面プラズモン測定装置に適用できる。

１ 表面プラズモン測定装置
１０ センサーチップ
１２ 誘電体部材
１４ 上面
１６ 金属薄膜
１８ センサー部材
２０ 測定用ウェル
２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ 測定用ウェル
２２ 開口部
２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ 開口部
２４ ウェル部材
２６ 光源
２８ 入射面
３０ 出射面
３２ 受光手段
４０ 開口部
４２ プリズム部
４８ 誘電体部材本体
４６ 基板部材
１００ ＳＰＦＳ装置
１０２ 誘電体部材
１０４ 上面
１０６ 金属薄膜
１０８ 微細流路
１１０ センサー部材
１１２ センサーチップ
１１４ 入射面
１１６ 励起光
１１８ 光源
１２０ 出射面
１２２ 反射光
１２４ 受光手段
１２６ 蛍光
１２８ 光検出手段
１３０ 集光部材
１３２ 波長選択機能部材
２００ センサーチップ
２０２ 透明基板
２０４ 金属膜
２０６ 結合反応膜
２０８ ネガ型フォトレジスト
２０８ フォトレジスト
２０８ 疎水膜
２１０ ウェル部分
３００ 表面プラズモンセンサー
３０２ プリズム
３０４ カップラー手段
３０６ センサアタッチメント
３０８ センサユニット
３１０ マッチングオイル
３１２ 搬送シャフト
３１４ 光源

Claims (15)

1. 誘電体部材と、該誘電体部材上に形成された金属薄膜とを備えたセンサー部材と、
   前記センサー部材上に固定され、それぞれ測定用ウェルを形成する複数の開口部を備えたウェル部材と、
   を備え、表面プラズモン測定装置に用いられるセンサーチップであって、
   前記センサーチップが回転可能に構成され、センサーチップが回転することにより、光源より励起光を照射する照射領域に、前記測定用ウェルが位置移動できるように構成されていることを特徴とするセンサーチップ。
2. 前記誘電体部材が、誘電体部材本体を備え、該誘電体部材本体上に前記金属薄膜が形成されており、
   前記誘電体部材本体と、該誘電体部材本体上に固定された前記ウェル部材とが、一体で回転するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載のセンサーチップ。
3. 前記誘電体部材は、前記光源より照射された励起光を入射する入射面を備えることを特徴とする請求項１に記載のセンサーチップ。
4. 前記誘電体部材が、誘電体部材本体と、該誘電体部材本体の上に配置され、誘電体からなる基板部材とを備え、
   前記基板部材上に前記金属薄膜が形成されており、
   前記基板部材と該基板部材上に固定された前記ウェル部材とが、一体で回転するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載のセンサーチップ。
5. 前記誘電体部材が、誘電体部材本体と、該誘電体部材本体の上に配置され、誘電体からなる基板部材とを備え、
   前記基板部材上に前記金属薄膜が形成されており、
   前記誘電体部材本体と、基板部材と、該基板部材上に固定された前記ウェル部材とが、一体で回転するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載のセンサーチップ。
6. 前記基板部材は、平板状であることを特徴とする請求項４または５に記載のセンサーチップ。
7. 前記誘電体部材は、平板状であることを特徴とする請求項１に記載のセンサーチップ。
8. 前記誘電体部材は、前記光源より照射された励起光を入射する入射面を備えた誘電体部材本体と、前記誘電体部材本体上に配置された平板状の基板部材とを備えることを特徴とする請求項１に記載のセンサーチップ。
9. 前記誘電体部材の光の入射面と光の出射面とが、断面において、前記誘電体部材の中心軸線に対して線対称となるように形成されていることを特徴とする請求項１から３、８のいずれかに記載のセンサーチップ。
10. 前記誘電体部材本体の光の入射面と光の出射面とが、断面において、前記誘電体部材本体の中心軸線に対して線対称となるように形成されていることを特徴とする請求項４から６、８のいずれかに記載のセンサーチップ。
11. 前記誘電体部材の前記測定用ウェルのそれぞれに対応する光の入射面と光の出射面とが、断面において、それぞれ対応する前記測定用ウェルの中心軸線に対して線対称となるように形成されていることを特徴とする請求項１から３、８のいずれかに記載のセンサーチップ。
12. 前記誘電体部材本体の前記測定用ウェルのそれぞれに対応する光の入射面と光の出射面とが、断面において、それぞれ対応する前記測定用ウェルの中心軸線に対して線対称となるように形成されていることを特徴とする請求項４から６、８のいずれかに記載のセンサーチップ。
13. 前記誘電体部材が、環状に形成されていることを特徴とする請求項１１に記載のセンサーチップ。
14. 前記誘電体部材本体が、環状に形成されていることを特徴とする請求項４から６、８から１０、１２のいずれかに記載のセンサーチップ。
15. 請求項１から１４のいずれかに記載のセンサーチップと、
    前記センサーチップを回転させる回転手段と、
    前記センサーチップの励起光を照射する照射領域に、励起光を照射する光源と、
    を備えたことを特徴とする表面プラズモン測定装置。

Images