JP2012212493A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】制御信号を生成する回路YDECは、スイッチ対をなすMOSトランジスタYS−TRの閾値電圧に応じて電圧値を制御し、第2のデータ線対の振幅の高位側の電圧の電源電圧VDDと第1のデータ線対の振幅の高位側の電圧の電源電圧VARYの間の電圧にクランプされた電源電圧VYSを生成する回路を備え、低位側及び高位側の電圧を、夫々電源電圧VSS及び前記電源電圧VYSとした前記制御信号を前記MOSトランジスタ対のゲート端子に供給する。
【選択図】図5
Description
VARY<VYS≦VDD
という、VDDとVARYの間の中間電位VYSを備える。
である。
となる。NMOSトランジスタN22が飽和領域で動作することから、そのドレイン・ソース間電流Idsは次式(1)で与えられる。またドレイン・ソース間電流Idsが抵抗R1に流れるものとして次式(2)が成り立つ。
ただし、
μはキャリア移動度、
εはゲート絶縁膜の誘電率、
tOXはゲート絶縁膜の厚さ、
Wはゲート幅、
Lはゲート長である。
2 Xデコーダ及びXタイミング生成回路
3 Yデコーダ及びYタイミング生成回路
4 デコーダ制御回路
5 データラッチ回路
6 入出力インターフェース
7 内部クロック(CLK)生成回路
8 制御信号生成回路
9 DLL(Delay Locked Loop:遅延同期ループ)
11 メモリマット0
12 センスアンプ部
13 メモリマット1
14 サブワードドライバ回路
18 PMOSトランジスタ
19 イコライズ回路
20 NMOSトランジスタ
301 バスドライバ(BUSD)
302 メインアンプ(MA)回路
303 SWC回路
304 センスアンプ(SA)
317、318 Yスイッチ
401、402 PMOSトランジスタ
403、404 NMOSトランジスタ
405、406 Yスイッチ(NMOSトランジスタ)
407、408 ノード
500、600 YDEC
501、601 YSドライバ(CMOSインバータ)
502 VTNモニター回路
503 VYSGドライバ
504 電源端子(VDD)
505 電源端子(VYS)
506 電源端子(VARY)
507 電源端子(VPP)
Claims (12)
- 第1のデータ線対及び第2のデータ線対と、
前記第1及び第2のデータ線対間に接続され、ゲート端子に共通に供給される制御信号に応答して導通、非導通が共通に制御されるスイッチ対をなすMOSトランジスタ対と、
前記第1のデータ線対のデータを増幅・保持する第1のアンプと、
前記制御信号を生成する回路と、
を備え、
前記第1のデータ線対の振幅の低位側及び高位側の電圧は夫々第1の電源電圧及び第2の電源電圧であり、
前記第2のデータ線対の振幅の低位側及び高位側の電圧は夫々前記第1の電源電圧及び第3の電源電圧であり、前記第3の電源電圧は前記第2の電源電圧よりも高く、
前記制御信号を生成する回路は、
前記第3の電源電圧と前記第2の電源電圧の間の電圧にクランプされた第4の電圧であって、前記MOSトランジスタの閾値電圧に応じた電圧値の前記第4の電源電圧を生成し、低位側及び高位側の電圧を夫々前記第1の電源電圧及び前記第4の電源電圧とした前記制御信号を前記MOSトランジスタ対のゲートに端子に供給する、半導体装置。 - 前記制御信号を生成する回路は、前記第1の電源電圧を供給する第1の電源端子と制御信号線との間に接続された第1のトランジスタと、前記第4の電源電圧を供給する第4の電源端子と前記制御信号線との間に接続された第2のトランジスタと、を含み、前記制御信号線に前記第1の電源電圧又は前記第4の電源電圧の前記制御信号を出力する出力回路を備え、前記制御信号線は、前記スイッチ対をなすMOSトランジスタ対の前記ゲート端子に共通に接続され、
さらに、
前記スイッチ対をなす前記MOSトランジスタの閾値電圧のモニター結果を出力する閾値電圧モニター回路と、
前記第3の電源電圧を供給する第3の電源端子と、前記第4の電源端子との間に接続されたソースフォロワ構成の第3のMOSトランジスタと、
を備え、
前記第3のトランジスタのゲート端子には、前記閾値電圧モニター回路でのモニター結果に応じた電圧が印加される、請求項1記載の半導体装置。 - 前記閾値電圧モニター回路が、
前記スイッチ対をなす前記MOSトランジスタのレプリカである第4のトランジスタを備え、
前記第4のトランジスタはゲート端子とドレイン端子とが、前記第2の電源電圧を供給する第2の電源端子に接続され、
前記第4のトランジスタのソース端子と前記第1の電源端子間に抵抗素子を備え、
前記第4のトランジスタのソース端子電圧を、前記閾値電圧のモニター結果として出力する、請求項2記載の半導体装置。 - 前記閾値電圧モニター回路のソース端子電圧を受け、前記第4のトランジスタのゲート端子に、前記閾値電圧モニター回路での前記閾値電圧のモニター結果に応じた電圧を供給するドライバ回路を備えた請求項3記載の半導体装置。
- 前記ドライバ回路は、前記第2の電源電圧よりも高電位の第5の電源電圧を与える第5の電源端子と、前記第3のトランジスタのゲート端子との間に接続され、前記閾値電圧モニター回路のソース端子電圧をゲート端子に受ける第5のトランジスタを備える、請求項4記載の半導体装置。
- 前記第1のアンプが、前記第1のデータ線対に接続され、入力と出力が相手の出力と入力に夫々接続された2つのインバータを備えた差動回路を含む、請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1のデータ線対がビット線対であり、
前記第2のデータ線対が入出力線対であり、
前記スイッチ対が、前記ビット線対と前記入出力線対間に接続されたYスイッチ対であり、
前記第1のアンプが、前記ビット線対に接続されたセンスアンプであり、
前記第1の電源電圧が低位側の基準電源電圧であり、
前記第2の電源電圧がメモリセルの電源電圧であり、
前記第3の電源電圧が前記入出力線対のプリチャージ電源電圧である、請求項1記載の半導体装置。 - メモリセルアレイのメモリセルに接続されるビット線対と、
入出力線対と、
前記ビット線対と前記入出力線間に接続され、ゲート端子に共通に印加されるカラム選択信号に応答して導通、非導通が共通に制御されるYスイッチ対をなすMOSトランジスタ対と、
前記ビット線対に接続され前記ビット線対のデータを増幅・保持するセンスアンプと、
カラムアドレスをデコードし前記カラム選択信号を生成するカラムデコーダと、
を備え、
前記ビット線対の振幅の低位側及び高位側の電圧は、夫々第1の電源電圧及び第2の電源電圧であり、
前記入出力線対の振幅の低位側及び高位側の電圧は、夫々前記第1の電源電圧及び第3の電源電圧であり、前記第3の電源電圧は、前記第2の電源電圧よりも高く、
前記カラムデコーダは、
前記第3の電源電圧と前記第2の電源電圧の間の電圧にクランプされた第4の電源電圧であって、前記MOSトランジスタの閾値電圧に応じた電圧値の前記第4の電源電圧を生成し、低位側及び高位側の電圧を夫々前記第1の電源電圧及び前記第4の電源電圧とした前記カラム選択信号を前記MOSトランジスタ対のゲートに端子に供給する、半導体装置。 - 前記カラムデコーダは、前記第1の電源電圧を供給する前記第1の電源端子と制御信号線との間に接続された第1のトランジスタと、前記第4の電源電圧を供給する第4の電源端子と前記制御信号線との間に接続された第2のトランジスタとを含み、前記制御信号線に、前記第1の電源電圧又は前記第4の電源電圧の前記制御信号を出力する出力回路を備え、前記制御信号線は、前記スイッチ対をなすMOSトランジスタ対の前記ゲート端子に共通に接続され、
さらに、
前記スイッチ対をなす前記MOSトランジスタの閾値電圧のモニター結果を出力する閾値電圧モニター回路と、
前記第3の電源電圧を供給する第3の電源端子と前記第4の電源端子との間に接続されたソースフォロワ構成の第3のMOSトランジスタと、
を備え、
前記第3のトランジスタのゲート端子には、前記閾値電圧モニター回路でのモニター結果に応じた電圧が印加される、請求項8記載の半導体装置。 - 前記閾値電圧モニター回路が、
前記Yスイッチ対をなす前記MOSトランジスタのレプリカである第4のトランジスタを備え、
前記第4のトランジスタはゲート端子とドレイン端子とが、前記第2の電源電圧を供給する第2の電源端子に接続され、
前記第4のトランジスタのソース端子と前記第1の電源端子間に抵抗素子を備え、
前記第4のトランジスタのソース端子電圧を、前記閾値電圧のモニター結果として出力する、請求項9記載の半導体装置。 - 前記閾値電圧モニター回路のソース端子電圧を受け、前記第4のトランジスタのゲート端子に、前記閾値電圧モニター回路での前記閾値電圧のモニター結果に応じた電圧を供給するドライバ回路を備えた請求項10記載の半導体装置。
- 前記ドライバ回路は、前記第2の電源電圧よりも高電位の第5の電源電圧を与える第5の電源端子と、前記第3のトランジスタのゲート端子間に接続され、前記閾値電圧モニター回路のソース端子電圧をゲート端子に受ける第5のトランジスタを備える、請求項11記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
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JP2011078499A JP2012212493A (ja) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | 半導体装置 |
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JP2011078499A JP2012212493A (ja) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | 半導体装置 |
Publications (1)
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JP2011078499A Pending JP2012212493A (ja) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | 半導体装置 |
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0778471A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-03-20 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
JPH10283776A (ja) * | 1997-04-04 | 1998-10-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
JP2000090663A (ja) * | 1998-09-16 | 2000-03-31 | Hitachi Ltd | ダイナミック型ram |
JP2005135458A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
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2011
- 2011-03-31 JP JP2011078499A patent/JP2012212493A/ja active Pending
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