JP2012209488A - 発光素子 - Google Patents

発光素子 Download PDF

Info

Publication number
JP2012209488A
JP2012209488A JP2011075192A JP2011075192A JP2012209488A JP 2012209488 A JP2012209488 A JP 2012209488A JP 2011075192 A JP2011075192 A JP 2011075192A JP 2011075192 A JP2011075192 A JP 2011075192A JP 2012209488 A JP2012209488 A JP 2012209488A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
gallium nitride
light
semiconductor layer
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2011075192A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyasu Tanaka
浩康 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2011075192A priority Critical patent/JP2012209488A/ja
Publication of JP2012209488A publication Critical patent/JP2012209488A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

【課題】 光半導体層の結晶性を向上させつつ、発光効率の低下を招きにくくすることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、n型窒化ガリウム系半導体層3と、n型窒化ガリウム系半導体層3上に設けられた、窒化ガリウム系半導体を含む発光層4と、発光層4上に設けられた、発光層4と接するブロック層5を持つp型窒化ガリウム系半導体層6とを有し、ブロック層5は、マグネシウムを含有した電子ブロック層5aと、電子ブロック層5aよりもマグネシウムの含有量が小さい、厚みが3nm以下の正孔トンネル層5bとが積層されている。このような正孔トンネル層5bをブロック層5が有していることから、光半導体層7の結晶性を向上させつつ、発光効率の低下を招きにくくすることができる。
【選択図】 図2

Description

本発明は、半導体を複数積層させた発光素子に関するものである。
現在、紫外光、青色光あるいは緑色光等を発光する発光素子として、n型半導体層、発光層およびp型半導体層を順次積層させた光半導体層が種々提案されている。特に、光半導体層を構成する光半導体として窒化物半導体を用いた発光素子の開発において、発光素子の発光効率を向上させることが必要となっている。
発光素子の発光効率を向上させる技術として、n型半導体層から発光層へ注入される電子が発光層を越えてp型半導体層内に入ることを抑制するブロック層を発光層とp型半導体層との間に設ける技術が開示されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2000−91631号公報
しかしながら、特許文献1に記載された発光素子によれば、ブロック層は、p型半導体層内において他のp型半導体層よりもマグネシウムの含有量を大きくして設ける必要があったため、ブロック層の結晶品質が低下してしまい、ブロック層上に積層されるp型半導体層の結晶品質を向上させることが困難だった。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体層の結晶性を向上させつつ、発光効率の低下を招きにくくすることが可能な発光素子を提供することにある。
本発明の発光素子は、n型窒化ガリウム系半導体層と、該n型窒化ガリウム系半導体層上に設けられた、窒化ガリウム系半導体を含む発光層と、該発光層上に設けられた、該発光層と接するブロック層を持つp型窒化ガリウム系半導体層とを有し、前記ブロック層は、マグネシウムを含有した電子ブロック層と、該電子ブロック層よりもマグネシウムの含有量が小さい、厚みが3nm以下の正孔トンネル層とが積層されている。
本発明の発光素子によれば、上記の通り、ブロック層が電子ブロック層と電子ブロック層よりもマグネシウムの含有量が小さい正孔トンネル層とで構成されていることから、ブロック層の結晶品質を向上させることができる。また、マグネシウムの含有量を小さくした正孔トンネル層の厚みが3nm以下となるように設定されていることから、p型半導体層内の正孔が正孔トンネル層の障壁を通過して発光層側に移動することができるようになり、発光素子の発光効率の低下を招きにくくすることができる。
本発明の発光素子の実施形態の一例を示す斜視図である。 図1に示す発光素子の断面図であり、図1のA−A’線で切断したときの断面に相当する。 式のパラメータを説明するための模式図であり、ポテンシャル分布を表す図である。 図1および図2に示す発光素子において、発光層、ブロック層およびp型窒化ガリウム系半導体層のエネルギーバンドを示すバンド図である。 本発明の発光素子の実施形態の変形例であり、発光層、ブロック層およびp型窒化ガリウム系半導体層のエネルギーバンドを示すバンド図である。 本発明の発光素子の実施形態の変形例であり、n型窒化ガリウム系半導体層、第2ブロック層および発光層のエネルギーバンドを示すバンド図である。 本発明の発光素子の製造方法の実施形態の一例の一工程を示す断面図である。 本発明の発光素子の製造方法の実施形態の一例の一工程を示す断面図である。
以下、本発明の実施の形態の例について図を参照しながら説明する。なお、本発明は以下の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことができる。
<発光素子>
図1に、本発明の実施の形態の一例である発光素子1の斜視図を示す。図2は図1に示す発光素子1の断面図であり、図1のA−A’線で切断したときの断面に相当する。
発光素子1は、図1に示すように、主に、基板2と、n型窒化ガリウム系半導体層3、発光層4、ブロック層5およびp型窒化ガリウム系半導体層6からなる光半導体層7とを有している。
基板2は、光半導体層7を結晶成長させることが可能な材料を用いることができ、例えばサファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、ホウ化ジルコニウムまたは酸化亜鉛などの結晶性材料を用いることができる。このような基板2は、平面視形状が四角形状となるように形成されている。基板2の厚みは、例えば10μm以上1000μm以下に設定されている。なお、基板2の平面視形状としては、例えば四角形状もしくは五角形状などの多角形状または円形状などに設定することができる。
このような基板2は、後述する光半導体層7を成長させた後、エッチングなどを用いて除去してもよい。これにより、光半導体層7で発光した光が基板2で吸収されにくくなるため、光取り出し効率を向上させることができる。また、基板2が除去された光半導体層7の主面に凹凸構造を設けることにより、基板2が除去された光半導体層7の主面で全反射されにくくすることができ、光取り出し効率を向上させることができる。
光半導体層7は、図2に示すように、基板2上に複数の半導体層を積層させることによって構成されている。光半導体層7の平面視形状は、基板2の平面視形状と同様に、例えば四角形状もしくは五角形状などの多角形状または円形状などとすることができる。光半導体層7は、全体の厚みが例えば100nm以上20μm以下で形成される。また、光半導体層7の各層の屈折率は、窒化ガリウムを用いた場合には、例えば1.80以上2.70以下に設定される。
光半導体層7は、n型窒化ガリウム系半導体層3、窒化ガリウム系半導体を含む発光層4、ブロック層5およびp型窒化ガリウム系半導体層6から構成されている。窒化ガリウム系半導体は、例えばインジウム、アルミニウム、ボロンを含む窒化ガリウム半導体の混晶を用いることができる。なお、突起ガリウム系半導体として窒化ガリウムのみを用いて
もよい。
n型窒化ガリウム系半導体層3は、基板2上に設けられる。n型窒化ガリウム系半導体層3は、窒化ガリウムからなり、厚みが例えば50nm以上10μm以下に設定されている。n型窒化ガリウム系半導体層3は、例えば不純物としてシリコンを含ませることにより、電子を多数キャリアとするn型の導電型が半導体に付与されている。
発光層4は、n型窒化ガリウム系半導体層3上に設けられる。発光層4には、禁制帯幅の広い障壁層と禁制帯幅の狭い井戸層とからなる量子井戸構造が複数回繰り返し規則的に積層された多層量子井戸構造(MQW)を用いることができる。障壁層と井戸層の一方は、窒化ガリウム系半導体から構成されている。障壁層および井戸層としては、インジウムとガリウムとの窒化物からなる混晶においてインジウムとガリウムとの組成比を調整したものを用いることができる。このように構成された発光層4は、例えば350nm以上600nm以下の波長で発光強度がピークとなる光を発光することができる。
p型窒化ガリウム系半導体層6は、発光層4上に設けられる。p型窒化ガリウム系半導体層6は、発光層4と接するようにブロック層5を有している。p型窒化ガリウム系半導体層6は、例えば不純物としてマグネシウムを含ませることによって、正孔を多数キャリアとするp型の導電型が半導体に付与されている。なお、n型窒化ガリウム系半導体層3とp型窒化ガリウム系半導体層6とは、互いに逆に配置されていてもよい。
ブロック層5は、発光層4とp型窒化ガリウム系半導体層6との間に配置されている。ブロック層5は、電子ブロック層5aおよび正孔トンネル層5bが積層されて構成されている。本例においては、ブロック層5は、電子ブロック層5aと正孔トンネル層5bとの積層体が複数積層されている。
電子ブロック層5aは、マグネシウムが含有するように設けられている。具体的に、電子ブロック層5aは、窒化ガリウム系半導体にマグネシウムがドープされることによって設けられる。窒化ガリウム系半導体は、マグネシウムの含有量がp型窒化ガリウム系半導体層6よりも高くなるように設定することができ、例えば1×1019/cm以上1×1020/cm以下となるように設定されている。電子ブロック層5aは、厚みが、例えば4nm以上0.5μm以下となるように設定することができる。
正孔トンネル層5bは、電子ブロック層5a上に積層されている。正孔トンネル層5bは、電子ブロック層5aよりもマグネシウムの含有量が小さくなるように設定されており、例えば電子ブロック層5aのマグネシウム含有量が正孔トンネル層5bのマグネシウム含有量よりも100分の1以下となるように設定することができる。具体的に、正孔トンネル層5bのマグネシウム含有量は、例えば1×1018/cm以下となるように設定することができる。正孔トンネル層5aは、層全体が電子ブロック層5aのマグネシウム含有量よりも小さくなるように設定されている。なお、電子ブロック層5aおよび正孔トンネル層5bのマグネシウム含有量は、例えば飛行時間型二次イオン質量分析(Time of Flight
Secondary Ion Mass Spectroscopy)法などを用いて分析することができる。
また、正孔トンネル層5bの厚みは、正孔が正孔トンネル層5bをトンネルして通過することができるように設定される。具体的には、窒化ガリウム系半導体にマグネシウムを添加することによりp型の導電型を付与した場合であれば、正孔トンネル層5bは、3nm以下となるように設定することができる。このような正孔トンネル層5bの厚みとしては、以下の式を用いて算出することができる。
Figure 2012209488
ここで、図4に式のモデルを示す。Lwは電子ブロック層5bの厚み、Lbは正孔トンネル層5aの厚みを用いることができ、Lは電子ブロック層5bと正孔トンネル層5bとの積層体がz方向に複数積層された際の周期を示している。また、Vは正孔トンネル層5bの電子ブロック層5aに対するエネルギー障壁を表しており、例えば接合前の電子ブロック層5aおよび正孔トンネル層5bのフェルミエネルギーの差の値を用いることができる。mは正孔トンネル層5bにおける正孔の有効質量を示しており、例えば自由電子の質量を1倍から2倍したものを用いることができる。さらに、hはプランク定数、kは波数であり、Ezはその波数に対するエネルギーを示している。なお、このような値を上記の式に当て嵌めて解くと、正孔がトンネルすることのできる正孔トンネル層5bの厚みは、3nm以下となる。また、電子ブロック層5aの厚みに関しても、電子をトンネルさせない厚みを同様の式を用いて算出することができる。
光半導体層7には、電圧を印加して発光させるための電極層が設けられている。電極層は、n型窒化ガリウム系半導体層3に電気的に接続された第1電極層8と、p型窒化ガリウム系半導体層6に電気的に接続された第2電極層9とから構成されている。
第1電極層8は、n型窒化ガリウム系半導体層3の露出した上面3a’に設けられている。第1電極層8は、発光層4およびp型窒化ガリウム系半導体層6と電気的に絶縁させるために、発光層4およびp型窒化ガリウム系半導体層6と間を開けて設けられている。第1電極層8と、発光層4およびp型窒化ガリウム系半導体層6との間隔は、例えば500nm以上2μm以下に設定することができる。
第1電極層8および第2電極層9は、例えば、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、インジウム、錫、モリブデン、銀、金、タンタルまたは白金などの金属や、それらの金属を含む合金膜や、酸化錫、酸化インジウムまたは酸化インジウム錫などの酸化物などを用いることができる。第1電極層8および第2電極層9は、それぞれ厚みが、例えば1nm以上20μm以下となるように設定することができる。
本例の発光素子1は、ブロック層5に電子ブロック層5aと正孔トンネル層5bを有する構成となっている。このようにブロック層5が電子ブロック層5aのマグネシウムの含有量よりも小さい正孔トンネル層5bを有していることから、ブロック層5に含有されているマグネシウムの量を減らすことができるため、ブロック層5の結晶性を向上させることができる。そして、ブロック層5の結晶性を向上させることができることから、ブロック層5上に積層されるp型窒化ガリウム系半導体層6の結晶性を向上させることができる。
従来の発光素子において、ブロック層でマグネシウムの含有量を減らした場合、電子を発光層に閉じ込める効果が十分に得られず、かつ価電子帯において正孔のp型窒化ガリウム系半導体層から発光層への移動を妨げる障壁が形成されることになるため、マグネシウムの含有量を減らしつつ、発光素子の発光効率を向上させることが困難だった。
本例の発光素子1では、正孔トンネル層5bは、厚みが3nm以下となるように設定さ
れている。ここで、光半導体層7のエネルギーバンド図を図4に示す。図4に示すように、正孔トンネル層5bの厚みは、正孔がトンネルして移動することができるようになっている。そのため正孔トンネル層5bを電子ブロック層5aよりもマグネシウムの含有量を小さくすることにより価電子帯に障壁が形成された場合でも、正孔が当該障壁をトンネルしてp型窒化ガリウム系半導体層5から発光層4に移動することができる。その結果、ブロック層5のマグネシウムの含有量を小さくして結晶性を向上させるとともに、正孔トンネル層5bが正孔の移動を妨げにくくなっていることから、発光素子1の発光効率の低下を抑制することができる。
(発光素子の各種変形例)
以下、本発明の発光素子1の変形例について説明をする。なお、上述の発光素子1と重複する部分については同一符号を付し、その説明を省略する。
(発光素子の変形例1)
電子ブロック層5aは、発光層4から遠ざかるにつれてマグネシウムの含有量が次第に小さくなっていてもよい。ここで、図5に、発光層4、ブロック層5およびp型窒化ガリウム系半導体層6のエネルギーバンドを示すバンド図を示す。このように、電子ブロック層5aを、発光層4から遠ざかるにつれてマグネシウムの含有量が次第に小さくなるように設定することにより、図5に示すように、正孔にとってp型窒化ガリウム系半導体層6から発光層4側に向かうにつれて、エネルギーが少しずつ小さくなるように傾斜させることができる。そのため、p型窒化ガリウム系半導体層6からブロック層5に入った正孔は、エネルギーが小さくなっている方向である発光層4側に移動しやすくなる。その結果、発光層4へ移動する正孔を多くすることができ、発光層4内に存在する正孔が多くなるため、発光素子1の発光効率を向上させることができる。
(発光素子の変形例2)
正孔トンネル層5bには、マグネシウムを含有していなくてもよい。正孔トンネル層5bをマグネシウムが含有されなくすることにより、正孔トンネル層5bおよび電子ブロック層5aの結晶性をさらに向上させることができる。
(発光素子の変形例3)
n型窒化ガリウム系半導体層3は、発光層4と接する第2ブロック層10を有していてもよい。第2ブロック層10は、正孔ブロック層10aおよび電子トンネル層10bにより構成されている。ここで図6に、n型窒化ガリウム系半導体3、第2ブロック層10および発光層4のエネルギーバンド図を示す。
正孔ブロック層10aは、シリコンを含有するように設けられている。すなわち、正孔ブロック層10aは、シリコンをドープすることによって設けることができ、含有量が、例えば1×1018/cm以上1×1020/cm以下となるように設けられている。電子トンネル層10bは、正孔ブロック層10aよりもシリコンの含有量が小さくなるように設定されており、含有量が、例えば9.0×1017/cm以下となるように設けられている。このようにn型窒化ガリウム系半導体層3に、正孔ブロック層10aよりもシリコンの含有量が小さい電子トンネル層10bを有する第2ブロック層10を設けることにより、第2ブロック層10の結晶性を向上させることができる。そして、第2ブロック層10の結晶性を向上させることにより、第2ブロック層10上に積層される発光層4およびp型窒化ガリウム系半導体層6の結晶性を向上させることができる。
さらに、電子トンネル層5bは、厚みが、3nm以下となるように設けられている。そのため、n型窒化ガリウム系半導体層3から移動してきた電子が、伝導帯に形成された障壁をトンネルして発光層4に移動するようになる。その結果、正孔ブロック層10aよりも
シリコンの含有量を小さくした電子トンネル層10bを設けることによって、第2ブロック層10の結晶性を向上させるとともに、電子トンネル層10bが電子の移動を妨げにくい構造となっていることから発光素子1の発光効率の低下を抑制することができる。
<発光素子の製造方法>
次に、本発明の発光素子の製造方法の実施の形態の一例を説明する。図7および図8は、発光素子1の製造方法を説明するための断面図であり、図2に示す発光素子1のA−A’線における断面に相当する部分を示している。本例の発光素子の製造方法は、主に、光半導体層7を順次積層する工程および電極層を形成する工程を有している。以下、各工程について説明する。
(光半導体層を順次積層する工程)
図7に示すように、基板2上に光半導体層7を形成する。光半導体層7は、n型窒化ガリウム系半導体層3、発光層4、ブロック層5およびp型窒化ガリウム系半導体層6を順次積層した積層構造体で構成する。光半導体層7は、基板2上に例えば有機金属気相成長法によって成長させる。光半導体層7を成長させる他の方法として、例えば分子線エピタキシー法、ハイドライド気相成長法またはパルス・レーザ・デポジション法などを用いることができる。なお、光半導体層7としてはIII−V族半導体を用いることができ、p型またはn型の導電型を半導体に付与する際には、光半導体層7を結晶成長させながら添加物を混ぜればよい。
ブロック層5は、p型窒化ガリウム系半導体層6においてマグネシウムを含有させる量を変化させればよい。具体的には、電子ブロック層5aを形成する際にマグネシウムを供給するとともに、正孔トンネル層5bを形成する際にマグネシウムの供給を中止することにより、電子ブロック層5aおよび正孔トンネル層5bにおいてマグネシウムの含有量を変化させればよい。
(電極層を形成する工程)
このように形成した光半導体層7に電極層を形成する。具体的には、基板2上に光半導体層7を成長させた後、エッチングなどでp型窒化ガリウム系半導体層6、ブロック層5および発光層4の一部を除去することにより、n型窒化ガリウム系半導体層3の上面を露出させる方法を用いることができる。なお、n型窒化ガリウム系半導体層3の上面の一部である露出領域Spは、n型窒化ガリウム系半導体層3の上面の一部だけでなく、n型窒化ガリウム系半導体層3の一部がエッチングで削れることによって露出した表面であってもよい。
そして、次に、図8に示すように、n型窒化ガリウム系半導体層3の露出領域Spに発光層4、ブロック層5およびp型窒化ガリウム系半導体層6と間をあけて第1電極層8を形成する。さらに、p型窒化ガリウム系半導体層6上に、第2電極層9を形成する。
第1電極層8および第2電極層9は、例えば、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、インジウム、錫、モリブデン、銀、金、タンタルまたは白金などの金属や、それらの金属を含む合金膜や、酸化錫、酸化インジウムまたは酸化インジウム錫などの酸化物などを用いることができる。第1電極層8および第2電極層9を設ける方法としては、例えば金属を用いる場合は、スパッタリング法または蒸着法などを用いることができる。
1 発光素子
2 基板
3 n型窒化ガリウム系半導体層
4 発光層
5 ブロック層
5a 電子ブロック層
5b 正孔トンネル層
6 p型窒化ガリウム系半導体層
7 光半導体層
8 第1電極層
9 第2電極層
10 第2ブロック層
10a 正孔ブロック層
10b 電子トンネル層

Claims (4)

  1. n型窒化ガリウム系半導体層と、
    該n型窒化ガリウム系半導体層上に設けられた、窒化ガリウム系半導体を含む発光層と、該発光層上に設けられた、該発光層と接するブロック層を持つp型窒化ガリウム系半導体層とを有し、
    前記ブロック層は、マグネシウムを含有した電子ブロック層と、該電子ブロック層よりもマグネシウムの含有量が小さい、厚みが3nm以下の正孔トンネル層とが積層された発光素子。
  2. 前記電子ブロック層は、前記発光層から遠ざかるにつれてマグネシウムの含有量が次第に小さくなっている請求項1に記載の発光素子。
  3. 前記正孔トンネル層は、マグネシウムを含有していない請求項1に記載の発光素子。
  4. 前記n型窒化ガリウム系半導体層は、前記発光層と接する第2ブロック層を持ち、該第2ブロック層は、シリコンを含有した正孔ブロック層と、該正孔ブロック層よりもシリコンの含有量が小さい、厚みが3nm以下の電子トンネル層とが積層された請求項1−3のいずれかに記載の発光素子。
JP2011075192A 2011-03-30 2011-03-30 発光素子 Withdrawn JP2012209488A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011075192A JP2012209488A (ja) 2011-03-30 2011-03-30 発光素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011075192A JP2012209488A (ja) 2011-03-30 2011-03-30 発光素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012209488A true JP2012209488A (ja) 2012-10-25

Family

ID=47188970

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011075192A Withdrawn JP2012209488A (ja) 2011-03-30 2011-03-30 発光素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2012209488A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9312439B2 (en) 2014-01-09 2016-04-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
JP2021174813A (ja) * 2020-04-21 2021-11-01 日亜化学工業株式会社 発光素子の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9312439B2 (en) 2014-01-09 2016-04-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
US9941443B2 (en) 2014-01-09 2018-04-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
JP2021174813A (ja) * 2020-04-21 2021-11-01 日亜化学工業株式会社 発光素子の製造方法
JP7149486B2 (ja) 2020-04-21 2022-10-07 日亜化学工業株式会社 発光素子の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4994758B2 (ja) 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法
CN103229316B (zh) 发光装置及其制造方法
JP5162016B1 (ja) 半導体素子、ウェーハ、半導体素子の製造方法及びウェーハの製造方法
JP5391469B2 (ja) 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
US8148180B2 (en) Techniques of forming Ohmic contacts on GaN light emitting diodes
TWI680590B (zh) 氮化物半導體發光元件及氮化物半導體發光元件的製造方法
US20120273753A1 (en) Semiconductor light emitting device
JPWO2012127660A1 (ja) 窒化物半導体紫外線発光素子
JP5713856B2 (ja) 光透過型金属電極、電子装置及び光学素子
JP6155478B2 (ja) 電荷キャリアの分布が改善された光活性デバイス及びその形成方法
CN111373552B (zh) 氮化物半导体发光元件
JP2005244201A (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
US20130099198A1 (en) Semiconductor light emitting element and method of manufacturing the same
JP2011040739A (ja) 垂直型発光ダイオード及びその製造方法
JP2016513879A (ja) InGaNを含んでいる活性領域を有している半導体発光構造及びその製造の方法
KR101263286B1 (ko) 반도체 광소자 및 그 제조 방법
US20120241803A1 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same
JP2008141047A (ja) 窒化物半導体発光素子
CN107833956B (zh) 氮化物半导体结构及半导体发光元件
JP2012209488A (ja) 発光素子
KR20150042409A (ko) 발광 소자의 제조 방법
JP2008071910A (ja) 窒化物半導体発光ダイオード素子およびその製造方法
JP2008053385A (ja) 窒化物半導体発光ダイオード素子
JP2011040784A (ja) 窒化物半導体発光素子
JPWO2022038769A5 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20140603