JP2012209477A - 温度制御方法及びプラズマ処理システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウエハの裏面膜の種類の測定結果を取得する取得ステップと、チャンバ内に投入されるパワーと裏面膜の種類とウエハの温度とを対応付けて記憶した第1のデータベース330から、前記測定結果であるウエハの裏面膜の種類と、前記ウエハを処理するために投入されるパワーとに対応したウエハの温度を選択する選択ステップと、前記選択されたウエハの温度に基づき、前記ウエハの温度を調整する調整ステップと、を含むことを特徴とする。
【選択図】図5
Description
最初に、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理システムの全体構成について、図1を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理システムの全体構成図である。
次に、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の構成について図2を参照しながら説明する。図2は、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の縦断面を示す。ここでは、一実施形態に係るプラズマ処理装置20はエッチング装置を想定して説明するが、プラズマ処理装置20はこれに限らず、プラズマによりウエハWに微細加工を行う装置であれば、成膜装置やアッシング装置等のあらゆるプラズマ処理装置に適用可能である。
次に、本実施形態に係る制御器30の構成について説明する。図2には、制御器30のハードウエア構成が示されている。また、図3には、制御器30の機能構成が示されている。
図3に示したように、制御器30は、取得部305、選択部310、調整部315、プロセス実行部320、記憶部325、第1のデータベース330及び第2のデータベース335を有している。取得部305は、測定部15からウエハWの裏面膜の種類についての測定結果を取得する。
・チャンバ100内の圧力 20mTorr
・高周波電源150から供給される高周波のパワー 40MHz、1000W
・高周波電源165から供給される高周波のパワー 3.2MHz、4500W
・ガス種及びガス流量 C4F6ガス/Arガス/O2ガス=60/200/70sccm
・伝熱ガス及びガス流量 Heガス ウエハWのセンタ側15Torr,エッジ側40Torr
・下部電極の温度 20℃
次に、本実施形態に係るプラズマ処理装置20の動作について、図7に示した温度制御処理のフローチャートを参照しながら説明する。この温度制御を実行する前提として、第1データベース330及び第2データベース335が予め用意されている。
プラズマ処理装置20以外の装置であっても、入熱がある装置に対しては、本実施形態の変形例に係る温度制御方法を利用することができる。本変形例に係る温度制御方法について、図8に示した温度制御処理のフローチャートを参照しながら説明する。本変形例に係る温度制御を実行する前提として、第1データベース330は予め用意されているが、第2データベース335は必ずしも必要ではない。
最後に、ウエハWの温度を測定する非接触温度計の一例について、図9を参照しながら説明する。図9は、本実施形態に係る非接触温度計の一例を示した図である。
15 測定部
20 プラズマ処理装置
30 制御器
305 取得部
310 選択部
315 調整部
320 プロセス実行部
325 記憶部
330 第1のデータベース
335 第2のデータベース
501 入力スリット
502,506 ミラー
504 回折格子
508 フォトダイオードアレイ
526 測定部
528 記憶部
Claims (9)
- 被処理体の裏面膜の種類の測定結果を取得する取得ステップと、
チャンバ内に投入されるパワーと裏面膜の種類と被処理体の温度とを対応付けて記憶した第1のデータベースから、前記測定結果である被処理体の裏面膜の種類と、前記被処理体を処理するために投入されるパワーとに対応した被処理体の温度を選択する選択ステップと、
前記選択された被処理体の温度に基づき、前記被処理体の温度を調整する調整ステップと、
を含むことを特徴とする温度制御方法。 - 前記調整ステップは、前記選択された被処理体の温度に基づき、冷却機構及び加熱機構を制御する、
ことを特徴とする請求項1に記載の温度制御方法。 - 前記選択ステップは、被処理体の裏面に流す伝熱ガスの圧力と被処理体の温度とを対応付けて記憶した第2のデータベースから、前記選択された被処理体の温度に対応した伝熱ガスの圧力を選択し、
前記調整ステップは、前記選択された伝熱ガスの圧力に基づき、前記被処理体の裏面に流す伝熱ガスを調整する、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の温度制御方法。 - 種類が異なる裏面膜を有する被処理体に対して、前記チャンバ内に投入されるパワーに応じた被処理体の温度を非接触温度計により測定し、測定された被処理体の温度を前記裏面膜の種類及び前記パワーに対応付けて前記第1のデータベースに格納する格納ステップを更に含む、
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の温度制御方法。 - 内部にて被処理体にプラズマ処理を施すチャンバを備えたプラズマ処理システムであって、
被処理体の裏面膜の種類の測定結果を取得する取得部と、
チャンバ内に投入されるパワーと裏面膜の種類と被処理体の温度とを対応付けて記憶した第1のデータベースから、前記測定結果である被処理体の裏面膜の種類と、前記被処理体を処理するために投入されるパワーとに対応した被処理体の温度を選択する選択部と、
前記選択された被処理体の温度に基づき、前記被処理体の温度を調整する調整部と、
を備えることを特徴とするプラズマ処理システム。 - 前記プラズマ処理システムは、被処理体を載置するサセプタに設けられた冷却機構及び加熱機構を更に備え、
前記調整部は、前記選択された被処理体の温度に基づき、前記冷却機構及び加熱機構を制御する、
ことを特徴とする請求項5に記載の温度制御方法。 - 前記選択部は、被処理体の裏面に流す伝熱ガスの圧力と被処理体の温度とを対応付けて記憶した第2のデータベースから、前記選択された被処理体の温度に対応した伝熱ガスの圧力を選択し、
前記調整部は、前記選択された伝熱ガスの圧力に基づき、前記被処理体の裏面に流す伝熱ガスを調整する、
ことを特徴とする請求項5又は6に記載のプラズマ処理システム。 - 前記プラズマ処理システムは、被処理体を載置するサセプタに設けられた伝熱ガス供給機構を更に備え、
前記調整部は、前記選択された伝熱ガスの圧力に基づき、前記伝熱ガス供給機構を制御する、
ことを特徴とする請求項7に記載の温度制御方法。 - 前記プラズマ処理システムは、被処理体を位置決めする位置合わせ機構と、
前記位置合わせ機構に載置された被処理体の裏面膜の種類を光学的に測定する測定部と、
を更に備えることを特徴とする請求項5〜8のいずれか一項に記載のプラズマ処理システム。
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