JP2012190913A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012190913A JP2012190913A JP2011051671A JP2011051671A JP2012190913A JP 2012190913 A JP2012190913 A JP 2012190913A JP 2011051671 A JP2011051671 A JP 2011051671A JP 2011051671 A JP2011051671 A JP 2011051671A JP 2012190913 A JP2012190913 A JP 2012190913A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- channel region
- insulating film
- semiconductor layer
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 184
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 45
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 8
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7391—Gated diode structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体装置は、半導体層と、半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを備える。第1導電型の第1のチャネル領域が、ゲート絶縁膜の下にある半導体層の表面の一部に設けられている。第1導電型とは異なる導電型である第2導電型の拡散層が、第1のチャネル領域のさらに下の半導体層に設けられ、半導体層の表面に対してほぼ垂直方向に第1のチャネル領域の底部と接し、該第1のチャネル領域の底部とPN接合を形成する。第1導電型のドレインおよび第2導電型のソースが、第1のチャネル領域の両側にある半導体層内にそれぞれ設けられている。側壁絶縁膜は、第1のチャネル領域の拡散層側の側面を被覆する。
【選択図】図1
Description
図1は、第1の実施形態に従ったトンネルトランジスタの構成を示す断面図である。本実施形態によるトンネルトランジスタは、例えば、SOI(Silicon On Insulator)あるいはSON(Silicon On Nothing)上に形成される。図1は、SOI上に形成されたトンネルトランジスタを示している。
第1の実施形態では、図7(A)の工程で斜めイオン注入を用いている。本変形例では、斜めイオン注入を用いずに、第1の実施形態によるトンネルトランジスタを形成する。
図11は、第2の実施形態に従ったトンネルトランジスタの構造を示す断面図である。第2の実施形態は、真性領域70が設けられていない点で第1の実施形態と異なる。また、第2の実施形態では、ソース層40がポケット層50の下のSOI層35に設けられており、SOI層35の表面に対してほぼ垂直方向にポケット層50の底部と接している。これにより、ソース層40およびポケット層50の底部が縦型PN接合を構成している。即ち、第2の実施形態では、ドラフト層60に代わってソース層40がポケット層50と縦型PN接合を構成している。第2の実施形態のその他の構成は、第1の実施形態の対応する構成と同様でよい。
図12は、第3の実施形態に従ったトンネルトランジスタの構造を示す断面図である。第3の実施形態は、第2ソース層60が設けられていない点で第1の実施形態と異なる。また、第3の実施形態では、ソース層40がポケット層50の底面に設けられており、ソース層40およびポケット層50が縦型PN接合101を構成している。第3の実施形態のその他の構成は、第1の実施形態の対応する構成と同様でよい。
Claims (7)
- 半導体層と、
前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜の下にある前記半導体層の表面の一部に設けられた第1導電型の第1のチャネル領域と、
前記第1のチャネル領域のさらに下の前記半導体層に設けられ、前記半導体層の表面に対してほぼ垂直方向に前記第1のチャネル領域の底部と接し、該第1のチャネル領域の底部とPN接合を形成する前記第1導電型とは異なる導電型である第2導電型の拡散層と、
前記第1のチャネル領域の両側にある前記半導体層内にそれぞれ設けられた第1導電型のドレインおよび第2導電型のソースと、
前記第1のチャネル領域の前記拡散層側の側面を被覆する側壁絶縁膜とを備えた半導体装置。 - 前記側壁絶縁膜は、前記第1のチャネル領域の前記ソース側の側面と前記ソースとの間に介在していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1のチャネル領域と前記ドレインとの間に設けられ、1018cm−3以下の不純物濃度を有する第2のチャネル領域とをさらに備えたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第2導電型の拡散層と前記ドレインとの間に設けられ、1018cm−3以下の不純物濃度を有する第2のチャネル領域をさらに備えたことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記ソースが、前記拡散層であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体装置。
- 半導体層と、
前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜の下にある前記半導体層の表面の一部に設けられた第1導電型の第1のチャネル領域と、
前記第1のチャネル領域の他方側にある前記半導体層内に設けられたドレインと、
前記第1のチャネル領域のさらに下の前記半導体層に設けられ、前記半導体層の表面に対してほぼ垂直方向に前記第1のチャネル領域の底部と接し、該第1のチャネル領域の底部とPN接合を形成する第2導電型の拡散層と、
前記拡散層と前記ドレイン領域との間に設けられ、1018cm−3以下の不純物濃度を有する第2のチャネル領域とを備えた半導体装置。 - 半導体層と、
前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜の下にある前記半導体層の表面の一部に設けられた第1導電型の第1のチャネル領域と、
前記第1のチャネル領域の他方側にある前記半導体層内に設けられたドレインと、
前記第1のチャネル領域のさらに下の前記半導体層に設けられ、前記半導体層の表面に対してほぼ垂直方向に前記第1のチャネル領域の底部と接し、該第1のチャネル領域の底部とPN接合を形成する第2導電型の拡散層と、
前記第1導電型の第1のチャネル領域と前記ドレイン領域との間に設けられ、1018cm−3以下の不純物濃度を有する第2のチャネル領域とを備えた半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011051671A JP5383732B2 (ja) | 2011-03-09 | 2011-03-09 | 半導体装置 |
US13/358,643 US9041104B2 (en) | 2011-03-09 | 2012-01-26 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011051671A JP5383732B2 (ja) | 2011-03-09 | 2011-03-09 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012190913A true JP2012190913A (ja) | 2012-10-04 |
JP5383732B2 JP5383732B2 (ja) | 2014-01-08 |
Family
ID=46794763
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011051671A Expired - Fee Related JP5383732B2 (ja) | 2011-03-09 | 2011-03-09 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9041104B2 (ja) |
JP (1) | JP5383732B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103594376A (zh) * | 2013-11-08 | 2014-02-19 | 北京大学 | 一种结调制型隧穿场效应晶体管及其制备方法 |
JP2014154862A (ja) * | 2013-02-14 | 2014-08-25 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
CN104241374A (zh) * | 2014-08-29 | 2014-12-24 | 北京大学 | 一种深能级杂质隧穿场效应晶体管及其制备方法 |
JP2015056619A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US9059235B2 (en) | 2011-11-25 | 2015-06-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9293591B2 (en) * | 2011-10-14 | 2016-03-22 | The Board Of Regents Of The University Of Texas System | Tunnel field effect transistor (TFET) with lateral oxidation |
US10103226B2 (en) * | 2012-04-30 | 2018-10-16 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating tunnel transistors with abrupt junctions |
US9252250B2 (en) | 2012-12-12 | 2016-02-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Tunneling field effect transistor (TFET) with ultra shallow pockets formed by asymmetric ion implantation and method of making same |
US8993425B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-03-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Tunneling field effect transistor (TFET) formed by asymmetric ion implantation and method of making same |
JP6043193B2 (ja) | 2013-01-28 | 2016-12-14 | 株式会社東芝 | トンネルトランジスタ |
CN105378929B (zh) * | 2013-07-03 | 2018-06-22 | 加尔各答大学 | 具有超陡亚阈值摆动的隧道场效应晶体管(tfet) |
JP5886802B2 (ja) | 2013-08-29 | 2016-03-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2015095492A (ja) | 2013-11-08 | 2015-05-18 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2015095568A (ja) | 2013-11-12 | 2015-05-18 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
CN103560144B (zh) * | 2013-11-13 | 2016-02-17 | 北京大学 | 抑制隧穿晶体管泄漏电流的方法及相应的器件和制备方法 |
EP3010044B1 (en) * | 2014-10-13 | 2019-02-13 | IMEC vzw | Layered structure of a p-TFET |
DE102014018382B4 (de) * | 2014-12-15 | 2018-07-26 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Tunnel-Feldeffekttransistor sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
CN104659099B (zh) * | 2015-01-04 | 2017-11-17 | 华为技术有限公司 | 垂直隧穿场效应晶体管及其制备方法 |
CN105990428B (zh) * | 2015-02-17 | 2019-10-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 |
CN107431089B (zh) * | 2015-04-22 | 2021-03-30 | 华为技术有限公司 | 隧穿晶体管及隧穿晶体管的制备方法 |
US10504721B2 (en) * | 2015-04-30 | 2019-12-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Staggered-type tunneling field effect transistor |
EP3185300A1 (en) | 2015-12-21 | 2017-06-28 | IMEC vzw | Drain extension region for tunnel fet |
WO2018090301A1 (zh) * | 2016-11-17 | 2018-05-24 | 华为技术有限公司 | 隧穿场效应晶体管及其制造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0541520A (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH05190847A (ja) * | 1992-01-08 | 1993-07-30 | Kawasaki Steel Corp | Mos型半導体装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7598128B2 (en) * | 2007-05-22 | 2009-10-06 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Thin silicon-on-insulator double-diffused metal oxide semiconductor transistor |
US7777282B2 (en) * | 2008-08-13 | 2010-08-17 | Intel Corporation | Self-aligned tunneling pocket in field-effect transistors and processes to form same |
US9159565B2 (en) * | 2009-08-20 | 2015-10-13 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Integrated circuit system with band to band tunneling and method of manufacture thereof |
US9577079B2 (en) | 2009-12-17 | 2017-02-21 | Infineon Technologies Ag | Tunnel field effect transistors |
US8343815B2 (en) * | 2010-05-11 | 2013-01-01 | International Business Machines Corporation | TFET with nanowire source |
-
2011
- 2011-03-09 JP JP2011051671A patent/JP5383732B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-01-26 US US13/358,643 patent/US9041104B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0541520A (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH05190847A (ja) * | 1992-01-08 | 1993-07-30 | Kawasaki Steel Corp | Mos型半導体装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9059235B2 (en) | 2011-11-25 | 2015-06-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2014154862A (ja) * | 2013-02-14 | 2014-08-25 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2015056619A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
CN103594376A (zh) * | 2013-11-08 | 2014-02-19 | 北京大学 | 一种结调制型隧穿场效应晶体管及其制备方法 |
WO2015066971A1 (zh) * | 2013-11-08 | 2015-05-14 | 北京大学 | 一种结调制型隧穿场效应晶体管及其制备方法 |
CN104241374A (zh) * | 2014-08-29 | 2014-12-24 | 北京大学 | 一种深能级杂质隧穿场效应晶体管及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9041104B2 (en) | 2015-05-26 |
US20120228706A1 (en) | 2012-09-13 |
JP5383732B2 (ja) | 2014-01-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5383732B2 (ja) | 半導体装置 | |
US6972478B1 (en) | Integrated circuit and method for its manufacture | |
US7655974B2 (en) | Semiconductor device | |
TWI442569B (zh) | 包含具有超接面之溝渠金屬氧化物半導體場效應電晶體之半導體裝置 | |
US20150060944A1 (en) | Device structure with increased contact area and reduced gate capacitance | |
US10593750B2 (en) | Compound semiconductor device and method for manufacturing the same | |
US9048267B2 (en) | Semiconductor device | |
US8710549B2 (en) | MOS device for eliminating floating body effects and self-heating effects | |
US9570613B2 (en) | Structure and formation method of FinFET device | |
CN109216470B (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
US20150243769A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP5583933B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
CN104517901B (zh) | Cmos晶体管的形成方法 | |
US20230335588A1 (en) | Nanosheet metal-oxide semiconductor field effect transistor with asymmetric threshold voltage | |
US20160079415A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
KR101682420B1 (ko) | 선택적 게르마늄 응축과 측벽공정을 이용한 자기정렬된 이종접합 터널링 전계효과 트랜지스터의 제조방법 | |
CN106558493B (zh) | 鳍式场效应管的形成方法 | |
JP5551350B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2013089618A (ja) | 半導体装置 | |
US11605717B2 (en) | Wrapped-around contact for vertical field effect transistor top source-drain | |
CN104465377B (zh) | Pmos晶体管及其形成方法 | |
US20160240666A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
US20220246756A1 (en) | Semiconductor structure and method for manufacturing the same | |
KR100833594B1 (ko) | 모스펫 소자 및 그 제조방법 | |
US20160351695A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130625 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130627 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130801 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130906 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131001 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |