JP2012185015A - 電子顕微鏡による物体観察方法 - Google Patents

電子顕微鏡による物体観察方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2012185015A
JP2012185015A JP2011047831A JP2011047831A JP2012185015A JP 2012185015 A JP2012185015 A JP 2012185015A JP 2011047831 A JP2011047831 A JP 2011047831A JP 2011047831 A JP2011047831 A JP 2011047831A JP 2012185015 A JP2012185015 A JP 2012185015A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
observed
observation
liquid crystal
sample
electron microscope
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2011047831A
Other languages
English (en)
Inventor
Rie Ueno
理恵 上野
Susumu Inoue
将 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2011047831A priority Critical patent/JP2012185015A/ja
Publication of JP2012185015A publication Critical patent/JP2012185015A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)

Abstract

【課題】 非導電性の物体の微細形状を、物体の形態を変化させることなく観察可能とすること
【解決手段】 観察する物体の表面に液晶を被覆した観察試料を電子顕微鏡内に配置し、前記観察試料を加熱することにより前記液晶の膜厚を変更するとともに、前記走査型電子顕微鏡により前記観察試料を観察する。これにより最適な液晶の膜厚における観察が可能となる。
【選択図】 図1

Description

本発明は走査型電子顕微鏡により、非導電体又は非導電体で囲まれた物体等の微小構造等の形態を観察する観察方法に関する。
今日、微小構造を電子顕微鏡で高分解能で観察する手段として、走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope(以下SEMと称す))が知られている。SEMは、たとえば電子線を走査しながら観察試料に照射し、電子線が観察試料に衝突することにより発生する二次電子を検出器により検出する。検出した二次電子の電荷量に対応する輝度と、電子線が照射された位置情報とを処理することにより、観察試料を三次元的に画像表示することができる。
一般に、観察試料に照射される一次電子の入射量と、一次電子の照射により観察試料から放出される二次電子の放出量との比率を表した二次電子放出利得は、一次電子の加速電圧、即ち入射エネルギーに依存する。二次電子放出利得と一次電子の加速電圧との関係を図9に示す。ここで、二次電子放出利得が1以上となる一次電子の加速電圧の領域を中間領域Bとする。また、二次電子放出利得が1以下となる一次電子加速電圧の領域のうち、一次電子の加速電圧が中間領域より小さい領域を低領域A、中間領域より大きい領域を高領域Cとする。
低領域A及び高領域Cにおいては、二次電子放出利得が1以下であり、観察試料表面において、負の電荷を有する電子が相対的に増加し、一次電子を入射するに従って観察試料の表面は負に帯電する。また、一次電子の加速電圧の中間領域Bにおいては、二次電子放出利得は1以上となるため、観察試料表面において電子量が相対的に減少し、一次電子を入射するに従って観察試料の表面は正に帯電する。
観察試料が導電性からなり、この観察試料が接地されていれば、観察試料の表面に帯電した電荷は観察試料の外に放出される。しかしながら、観察試料が、非導電体又は非導電体で囲まれた物体である場合には、その表面に帯電した電荷を放出することができない。そのため、SEMにより観察する場合、負電荷もしくは正電荷によりチャージアップされ、観察試料の像を正確に観察することができない。
すなわち、一次電子の加速電圧が中間領域Bにある場合、観察試料表面は負に帯電するため、SEM観察像の濃淡がつきにくく、全体的に白く表示されてしまう。また、ハレーションが発生したり、ノイズがはいったり、サンプルドリフトが発生することもある。この時、一次電子の入射量を減少させてチャージアップを抑制すると、解像度が低下し像がぼやけてしまう。また、一次電子の加速電圧が低領域Aもしくは高領域Cにある場合、観察試料表面は正に帯電するため、電子銃から入射される一次電子の軌道が歪められ、正確な測定を行うことができない。
そこで、観察する物体にイオン液体を滴下し観察試料とし、観察試料を透過型の顕微鏡により観察する方法が、特許文献1に記載されている。特許文献1には、開口部を有する試料保持部材(例えば、マイクログリッドやメッシュ等)にイオン液体を保持し、そこに観察試料を投入することによってイオン液体中に観察する物体を浮かして観察する。さらに、試料保持部材の近傍に電極を設けている。電極に電圧を印加することにより、観察する物体がイオン液体中で移動したり変形したりする様子を観察することができる。
特開2009−266741
しかしながら特許文献に1に示したイオン液体を用いた観察方法では、塗布または浸漬させた後のイオン液体の膜厚制御が非常に難しいという問題点があった。すなわち、イオン液体の膜厚が薄すぎると導電性が保つことが困難であり、また濡れた観察する物体が真空暴露してしまい、干からびてしまうという。また、イオン液体の膜厚が厚すぎると、観察する物体自体ではなく、観察する物体を被覆したイオン液体の表面を観察してしまうことになる。
本発明は、簡易にチャージアップの問題を解決するとともに、観察試料の作製が容易であって、観察する物体のありのままの形状等をSEMにより観察することを可能とする観察方法を提供することを目的とする。
前述の目的を達成するために、本発明は、観察する物体の表面に液晶を被覆した観察試料を電子顕微鏡内に配置し、前記観察試料を加熱することにより前記液晶の膜厚を減少させるとともに、前記走査型電子顕微鏡により前記観察試料を観察するものである。
本発明の走査型電子顕微鏡を用いれば、非導電性の物体もチャージアップなく観察可能で、さらにウエットな観察する物体も形態を変化させることなく非破壊で観察可能となる。
本発明の概念を示す概略図 本発明の走査型電子顕微鏡の概略図 本発明の走査型電子顕微の試料加熱部の概略図 本発明の観察方法を示す断面図 実施例1で観察した結果を示す観察画像 実施例2で観察した結果を示す観察画像 実施例3で観察した結果を示す観察画像 比較例で観察した結果を示す観察画像 一次電子加速電圧と二次電子放出利得との関係を示した図
図1に本発明の概念図を示す。本発明では、まず図1(a)に示すように、観察する物体を所望の大きさ、形状に切断させた後、試料台13の上に観察する物体12を配置し、常温において観察する物体12の表面に液晶11を塗布する。液晶11により観察する物体12を被覆することにより観察試料10とし、観察する物体12に見かけ上導電性を与えるとともに、次工程における真空加熱によって観察試料の表面の形態が変わるのを防ぐ。次に、走査型電子顕微鏡のチャンバー内に、液晶11により覆われた観察試料10をセットし加熱する。液晶および観察試料10を加熱するに従って、図1(b)に示すように、観察する物体の表面の余分な液晶は徐々に除去され、膜厚は減少する。この時の様子を、走査型電子顕微鏡で観察試料10を観察することにより、液晶の膜厚を変化させながら、各膜厚における観察試料の観察画像を得る。
<観察する物体>
本発明において観察する物体は、非導電性の物体、非導電体で覆われた物体、あるいは、観察する物体自体がウエットで、電子顕微鏡内に入れられないもの、また真空中で形態の変化してしまう物体に有効である。
<液晶>
本発明で用いる液晶は、ネマティック液晶、スメクティック液晶、コレステリック液晶など、導電性を有するものであれば使用することができる。特にネマティック液晶は、粘度が比較的低く、また価格、手に入り易さを考慮すると最も好適である。
<電子顕微鏡の構成>
図2は本実施例の電子顕微鏡の構成を示す断面図である。図中21は電子線を放出する電子銃である。22は電子銃から放出されたコンデンサレンズである。23はコンデンサレンズ22を通過した電子線を所定の方向に走査する走査レンズである。24は走査レンズ23で走査された電子線を観察試料10に集光させる対物レンズである。26は観察試料10から放出される二次電子を検出する二次電子検出器であり、25は二次電子検出器で検出された観察試料10の各位置における二次電子の放出量を表示する表示装置である。27は観察試料10を保持する試料支持棒であり、29は、試料加熱部30の温度を制御する温度コントローラである。
図3は試料加熱部30の詳細を示した断面図である。加熱ホルダ31の上に、観察試料10を載置した試料台13が置かれている。加熱ホルダ31の内部にはヒート36と熱電対35が配置されており、コントローラ40の加熱電源37、温度検出器38m加熱温度制御機39により、ヒータ36の温度は制御されている。コントローラ40は、上限の温度及び温度上昇のステップを細かく設定できるようになっており、1℃刻みでセット可能である。
<観察方法>
次に、図2に示した走査型電子顕微鏡用による、観察試料12を観察する方法を図4を用いて説明する。
まず図4(a)に示すように、観察する物体12をカーブンペースト53が塗られた試料台13に接着する。次に図4(b)に示すように、観察する物体12の上部から液晶11をスポイト等で少量垂らし観察試料10とする。この時、液晶11の量は、図4(c)に示すように、観察する物体12の表面を覆いかぶせる程度の量でよい。液晶11の塗布量が少なすぎると、観察する物体12の導電性が失われてしまうので、注意が必要である。
次に、観察試料10を試料台13ごと加熱ホルダ31に載せ、図2に示した走査電子顕微鏡の試料加熱部に投入する。
次に、走査電子顕微鏡の試料加熱部を真空にした後加熱する。加熱しながら電子銃21から電子線を観察試料10に照射し、二次電子検出器26を使って観察試料10の形状を観察する。観察試料10を加熱することにより、図4(d)に示すように液晶11は徐々に除去され、液晶11の膜厚は徐々に減っていく。
ため、加熱しながら観察することにより、観測に最も適した液晶膜厚での観察が可能となる。なお、予め使用する液晶が液晶相から液体相へ変わる温度である相転移温度(等方性液体になる温度)を調べておくことにより、より効率的な観察が可能となる。
主剤、重合性高分子前駆体の2−ヒドロキシメチルメタクリレートからなる高分子ポリマーボール(非導電性)の形態を、フィールドエミッション型走査型電子顕微鏡(S5000H日立製)を使って、前述の観察方法により観察した。
まず、2−ヒドロキシメチルメタクリレートからなる高分子ポリマーボールの集合体を、接着性を有し導電性に優れているカーボンテープ53を介して、試料台13に載せた。次に、ネマティック型液晶(E7メルク社製)をピペットで観察する物体12の表面に約0.01ml滴下し、高分子ポリマーボール集合体に染み込ませ、観察試料とした。
次にネマティック型液晶を染み込ませた観察試料を、走査電子顕微鏡のチャンバーに投入し、真空引きをした。試料加熱部の真空度は6.0−E6torrとした。電子銃21の加速電圧は20kVとした。
ネマティック型液晶(E7メルク社製)の相転移温度は95℃近辺である。
そこで、観察試料を加熱し、温度が、20℃、50℃、80℃、90℃、95℃、100℃の時の二次電子像を観察した。各温度での観察結果を、図5(a)〜(f)に示す。
20℃における観察画像を図5(a)に示す。この時の観察画像は、液晶の表面と観察したいポリマーの頭だけが見えている状態である。従ってポリマーの全容を観察することはできなかった。これは、液晶の膜厚が厚すぎたためだと思われる。ただし、全体的に白くなったり、ハレーションが発生したり、ノイズがはいったり、サンプルドリフトがあったりなどが無いためチャージアップはないことが分かる。
次に、50℃における観察画像を図5(b)に示す。この時の観察画像は、図5(a)の温度20℃の時に比べると若干液晶の表面が落ち込んでおり、液晶膜厚が薄くなっていることが分かる。これにより、ポリマーの表面の一部の形状は確認できるが、ポリマーの全容を観察することはできなかった。
次に、80℃における観察画像を図5(c)に示す。この時の観察画像は、図5(b)の温度50℃の時に比べてさらに液晶の膜厚が薄くなっていることが分かる。これにより、ポリマーの表面の形状は確認できるが、ポリマーの全容を観察するには至っていない。
次に、90℃における観察画像を図5(d)に示す。この時の観察画像は、図5(c)の温度80℃の時と比べてさらに液晶の膜厚が減っており、ポリマー全容がほぼ観察可能となっている。
次に、95℃における観察画像を図5(e)に示す。この時の観察画像は、ポリマーの全容が完全に観察可能であった。なおここで観察可能とは、粒径約0.5μmの粒子が確認できることを言う。
次に、100℃における観察画像を図5(f)に示す。この時の観察画像は、全体的に白く表示されており、ポリマーの全容を観察することができなかった。これは、液晶の膜厚が薄すぎるため、観察試料の表面がチャージアップされていると思われる。
図5(a)〜(f)からかわるように、実施例1においては、相転移温度である95℃において、最も良好にポリマーの形状を計測することが可能であった。すなわち、本実施例で用いた走査型電子顕微鏡を用いることにより、液晶の転移温度付近であれば、非導電性の観察試料の形状が高分解能で観察可能であった。
なお、通常ネマティック型液晶は、相転移温度が低温であり相転移温度域が広いため、観察する温度を徐々に上げることで、相転移温度域の中での最適な温度を見つけることが可能となる。また、本実施例では、相転移温度である95℃が最適な温度としている。しかしながら観察する目的が、ポリマーの全容を完全に観察することではなく、ポリマーの表面の形態を確認する等であれば、相転移温度域まで加熱せず、たとえば50℃における観察で十分な場合もある。
非導電性のすりガラス(旭硝子社)を3mm角にサンプリングした。サンプリングしたすりガラスの表面にネマティック液晶(MLC−6608)を染み込ませ観察試料とした。ネマティック液晶(MLC−6608)の相転移温度は90℃である。ネマティック液晶をピペットで観察試料の表面に約0.01ml滴下し、すりガラスの表面に染み込ませた。
観察試料をフィールドエミッション型走査電子顕微鏡(S900日立製)を使って、実施例1と同様の観察方法により観察した。観察試料を加熱し、温度が20℃、30℃、40℃、50℃、60℃、80℃、90℃、100℃の時の二次電子像を観察した。各温度での観察結果を、図6(a)〜(h)に示す。図6における倍率は2000倍である。
20℃における観察画像を図6(a)に示す。この時の観察画像は、液晶の表面と、観察したいポリマーの頭だけが見えている状態である。従ってポリマーの全容を観察することはできなかった。これは、液晶の膜厚が厚すぎたためだと思われる。
次に、30℃における観察画像を図6(b)に示す。この時の観察画像は、図6(a)の温度20℃の時に比べると若干液晶の表面が落ち込んでおり、液晶膜厚が薄くなって見える。これにより、すりガラスの表面の凹凸形状は確認できるが、表面の凹凸の全容を観察することはできなかった。
次に、40℃における観察画像を図6(c)に示す。この時の観察画像は、図6(b)の温度30℃の時に比べると、液晶膜厚がさらに薄くなっている。これにより、すりガラスの表面の凹凸形状はより明確に確認できるが、表面の凹凸の全容を観察することはできなかった。
次に、50℃における観察画像を図6(d)に示す。この時の観察画像は、図6(c)の温度40℃の時に比べると、液晶膜厚がさらに薄くなっている。これにより、すりガラスの表面の凹凸形状は観察できるが、表面の凹凸の全容を観察することはできなかった。
次に、60℃における観察画像を図6(e)に示す。この時の観察画像は、図6(d)の温度50℃の時と比べてさらに液晶の膜厚が減っており、すりガラスの表面の凹凸形態をさらに明確に観察可能となっている。
次に、80℃における観察画像を図6(f)に示す。この時の観察画像は、図6(e)の温度60℃の時と比べてさらに液晶の膜厚が減っており、すりガラスの表面の凹凸形態を観察可能となっている。
次に、90℃における観察画像を図6(g)に示す。この時の観察画像は、すりガラスの表面の凹凸の形態が完全に観察可能となった。
次に、100℃における観察画像を図6(h)に示す。この時の観察画像は、全体的に白く表示されており、ポリマーの全容を観察することができなかった。これは、液晶の膜厚が薄すぎるため、観察試料の表面がチャージアップされていると思われる。
図6(a)〜(h)からかわるように、実施例2においては、相転移温度である90℃において、最も良好にポリマーの形状を計測することが可能であった。すなわち、本実施例で用いた走査型電子顕微鏡を用いることにより、液晶の転移温度付近であれば、非導電性の観察試料の形状が高分解能で観察可能であった。
なお、通常ネマティック型液晶は、相転移温度が低温であり相転移温度域が広いため、観察する温度を徐々に上げることで、相転移温度域の中での最適な温度を見つけることが可能となる。また、本実施例では、相転移温度である90℃が最適な温度としている。しかしながら観察する目的が、すりガラスの全容を完全に観察することではなく、すりガラスの表面の形態を確認する等であれば、相転移温度域まで加熱せず、たとえば30℃における観察で十分な場合もある。
プラスチック樹脂(PET)を3mm角にサンプリングした。サンプリングしたすりプラスチック樹脂の表面にネマティック液晶(5CB (4−シアノ−4’−ベンチルビフェニル))を染み込ませ観察試料とした。PETは、熱に弱い試料であるので、本実施例では相転移温度は34℃であるネマティック液晶(5CB (4−シアノ−4’−ベンチルビフェニル))を使用した。ネマティック液晶をピペットでプラスチック樹脂の表面に約0.01ml滴下し、その表面に染み込ませた。
観察試料をフィールドエミッション型走査電子顕微鏡(S900日立製)を使って、実施例1と同様の観察方法により観察した。観察試料を加熱し、温度が20℃、30℃、35℃の時の二次電子像を観察した。各温度での観察結果を、図7(a)〜(c)に示す。図10における倍率は2000倍である。
20℃における観察画像を図7(a)に示す。この時の観察画像は、液晶の表面と、観察したいポリマーの頭だけが見えている状態である。従ってポリマーの全容を観察することはできなかった。これは、液晶の膜厚が厚すぎたためだと思われる。
次に、30℃における観察画像を図7(b)に示す。この時の観察画像は、図7(a)の温度20℃の時と比べて液晶の膜厚が減っており、観察したいプラスチック樹脂の表面の凹凸が観察できるようになっている。
次に、35℃における観察画像を図7(c)に示す。この時の観察画像は、30℃の時の像からさらに液晶の膜厚が減っている。しかしながら全体的に白く表示されており、ポリマーの全容を観察することができなかった。これは、液晶の膜厚が薄すぎるため、観察試料の表面がチャージアップされていると思われる。
[比較例]
すりガラス(旭硝子社カバーガラス)を3mm角にサンプリングした。サンプリングしたすりガラスにイオン液体を塗布し観察試料とした。イオン液体は、親水性のであるテトラフルオロホウ酸 1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム(BMI−BF4)にエタノールを混合したものである。イオン液体をピペットで観察試料の表面に約0.01ml滴下し、すりガラスの表面に染み込ませた。
観察試料をフィールドエミッション型走査電子顕微鏡(S5000H日立製)を使って、実施例1と同様の観察方法により観察した。観察試料を加熱し、温度が20℃、40℃、60℃、80℃、100℃、120℃、の時の二次電子像を観察した。各温度での観察結果を、図8(a)〜(f)に示す。図8における倍率は2000倍である。
図8(a)〜(f)から分かるように、20℃〜120℃の範囲では、いずれもすりガラスの表面の凹凸形状を観察することができない。これは、加熱してもイオン液体の膜厚に変化がなく、イオン液体に観察する物体であるすりガラスが埋もれていると思われる。
なお、前述イオン液体蒸発する温度は300℃以上である。しかしながら、300℃以上に加熱すると、観察する物体であるすりガラスのダメージが大きく観察することができない。
10 観察試料
11 液晶
12 観察する物体
13 試料台
21 電子銃
22 コンデンサレンズ
23 走査レンズ
24 対物レンズ
25 表示装置
26 二次電子検出器
27 試料支持棒
29 温度コントローラ
31 加熱ホルダ
35 熱電対
36 ヒータ
37 加熱電源
38 温度検出器
39 加熱温度制御器

Claims (3)

  1. 観察する物体の表面に液晶を被覆した観察試料を電子顕微鏡内に配置し、前記観察試料を加熱することにより前記液晶の膜厚を減少させるとともに、前記走査型電子顕微鏡により前記観察試料を観察することを特徴とする電子顕微鏡による物体観察方法。
  2. 前記観察する物体は、非導電体又は非導電体で囲まれた物体であり、前記液晶はネマティック液晶であることを特徴とする請求項1に記載の電子顕微鏡による物体観察方法。
  3. 前記観察試料は、常温から前記液晶の相転移温度まで加熱されることを特徴とする請求項1または2に記載の電子顕微鏡による物体観察方法。
JP2011047831A 2011-03-04 2011-03-04 電子顕微鏡による物体観察方法 Withdrawn JP2012185015A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011047831A JP2012185015A (ja) 2011-03-04 2011-03-04 電子顕微鏡による物体観察方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011047831A JP2012185015A (ja) 2011-03-04 2011-03-04 電子顕微鏡による物体観察方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012185015A true JP2012185015A (ja) 2012-09-27

Family

ID=47015233

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011047831A Withdrawn JP2012185015A (ja) 2011-03-04 2011-03-04 電子顕微鏡による物体観察方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2012185015A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103760000A (zh) * 2014-01-26 2014-04-30 中国热带农业科学院椰子研究所 一种油棕叶片扫描电镜样品制备方法
JP2014092496A (ja) * 2012-11-06 2014-05-19 Hitachi High-Technologies Corp イオン液体を用いた試料観察方法
CN116735325A (zh) * 2023-08-03 2023-09-12 成都理工大学 保持弃渣土体原状结构的取样及抗剪强度测试方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014092496A (ja) * 2012-11-06 2014-05-19 Hitachi High-Technologies Corp イオン液体を用いた試料観察方法
CN103760000A (zh) * 2014-01-26 2014-04-30 中国热带农业科学院椰子研究所 一种油棕叶片扫描电镜样品制备方法
CN116735325A (zh) * 2023-08-03 2023-09-12 成都理工大学 保持弃渣土体原状结构的取样及抗剪强度测试方法
CN116735325B (zh) * 2023-08-03 2023-10-27 成都理工大学 保持弃渣土体原状结构的取样及抗剪强度测试方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9558912B2 (en) Ion milling device
JP5449679B2 (ja) 電子線観察装置および試料観察方法
US20180216223A1 (en) Charged particle device and wiring method
JP6002946B2 (ja) 試料ホルダおよび電子顕微鏡像の観察方法
TW200849306A (en) Electron gun, electron beam exposure apparatus, and exposure method
JP6132907B2 (ja) 試料ホルダ及びそれを備えた集束イオンビーム加工装置
JP2012185015A (ja) 電子顕微鏡による物体観察方法
US20060269047A1 (en) Device and method for generating an x-ray point source by geometric confinement
Mingels et al. Sensitive fast electron spectrometer in adjustable triode configuration with pulsed tunable laser for research on photo-induced field emission cathodes
US7601955B2 (en) Scanning electron microscope
US20190341217A1 (en) Optically addressed, thermionic electron beam device
WO2018047228A1 (ja) 電子源および電子線照射装置
JP4958313B2 (ja) 走査型電子顕微鏡およびその使用方法
KR101721550B1 (ko) Sem 또는 stem용 복수시료 장착장치
US11393658B2 (en) Charged particle beam apparatus and sample observation method
Lüneburg et al. Microelectrode for energy and current control of nanotip field electron emitters
JP6179994B2 (ja) 元素分析装置
JP6134859B2 (ja) 試料観察方法及び荷電粒子線装置
JP2007139633A (ja) 走査型電子顕微鏡用試料の作成方法
JP4104241B2 (ja) 電子素子
Setyawan et al. Removal of particles during plasma processes using a collector based on the properties of particles suspended in the plasma
JP2014149921A (ja) イオンビーム装置、および試料観察方法
Marko et al. Requirements for phase-plate cryo-electron tomography
KR101146632B1 (ko) 전자빔 조사 장치 및 이에 의한 액정의 배향 방법
JP2008267981A (ja) 電子線装置を用いた試料観察方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20140513