JP2012184499A - 半導体装置の製造方法、基板処理装置、及び基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板を収容した処理室に金属含有ガスを供給する工程と、処理室に窒素含有ガスを供給する工程と、処理室に酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程と、を含むサイクルを複数回行うことで、基板に金属含有膜を形成する。
【選択図】図4
Description
基板上に薄膜を形成する手法の1つとして、CVD(Chemical Vapor Deposition)法がある。CVD法とは、気相中若しくは基板表面における2種以上の原料の反応を利用して、原料分子に含まれる元素を構成要素とする膜を基板上に成膜する方法である。また、基板上に薄膜を形成する他の手法として、ある成膜条件(温度、時間等)の下で、成膜に用いる2種以上の原料となる原料を1種類ずつ交互に基板上に供給し、表面反応を利用して原子層レベルで制御される成膜を行う手法がある。
本実施形態に係る基板処理装置は、半導体装置(IC(Integrated Circuits))の製造に使用される半導体製造装置の一例として構成されているものであり、本実施例に係る基板処理装置で、半導体装置の製造方法が実現される。以下の説明では、基板処理装置の一例として、基板に対し成膜処理等を行う縦型の装置を使用した場合について述べるものの、本発明は、縦型装置の使用を前提としたものでなく、例えば、枚葉装置を使用しても良い。
図1に示す通り、基板処理装置101では、基板の一例となるウエハ200を収納したカセット110が使用されており、ウエハ200はシリコン等の材料から構成されている。基板処理装置101は筐体111を備えており、筐体111の内部にはカセットステージ114が設置されている。カセット110はカセットステージ114上に工程内搬送装置(図示略)によって搬入されたり、カセットステージ114上から搬出されたりされる。
図2及び図3に示す通り、処理炉202は、ウエハ200を収容する処理室の一例である処理室201を形成し、処理炉202にはウエハ200を加熱するための加熱装置(加熱手段)であるヒータ207が設けられている。ヒータ207は上方が閉塞された円筒形状の断熱部材と複数本のヒータ素線とを備えており、断熱部材に対しヒータ素線が設けられたユニット構成を有している。ヒータ207の内側には、ウエハ200を処理するための石英製の反応管203が設けられている。
コントローラ900は、第1のガス供給系300、第2のガス供給系400、及び第3のガス供給系500を、ウエハ200上に形成される金属含有膜に含まれる酸素又はハロゲンの組成比が予め定められた値となるように制御する。
また、コントローラ900は、操作メニュー等を表示するディスプレイ910と、複数のキーを含んで構成され、各種の情報や操作指示が入力される操作入力部920とを有する。また、コントローラ900は、基板処理装置101全体の動作を司るCPU932と、制御プログラムを含む各種プログラム等が予め記憶されたROM934と、各種データを一時的に記憶するRAM936と、各種データを記憶して保持するHDD938と、ディスプレイ910への各種情報の表示を制御するとともにディスプレイ910からの操作情報を受け付けるディスプレイドライバ912と、操作入力部920に対する操作状態を検出する操作入力検出部922と、通信インタフェース(I/F)部940とを有している。
本実施形態では、Ti(チタン)含有原料として、TiCl4、窒化ガスとしてNH3を用いる例について説明する。この例では、第1のガス供給系300によりチタン含有ガス供給系(第1の元素含有ガス供給系)が構成され、第2のガス供給系400により窒素含有ガス供給系(第2の元素含有ガス供給系)が構成され、第3のガス供給系500により酸素含有ガス供給系(第3の元素含有ガス供給系)が構成される。
この制御フローにより、第1のガス供給系300、第2のガス供給系400、及び第3のガス供給系500が、ウエハ200上に形成される金属含有膜に含まれる酸素又はハロゲンの組成比が予め定められた値となるように制御される。
また、この制御フローにおいては、コントローラ900が、基板処理装置101を以下のように制御する。すなわち、ヒータ207を制御して処理室201内を例えば300℃〜550℃の範囲の温度であって、好適には450℃以下、より好ましくは450℃に保持する。
すなわち、複数枚のウエハ200がボート217に装填される。
すなわち、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内に搬入される。この状態で、シールキャップ219はOリング220を介して反応管203の下端をシールした状態となる。その後、ボート217をボート駆動機構267により回転させ、ウエハ200を回転させる。その後、ステップS106で、真空ポンプ246を作動させるとともにAPCバルブ243を開いて処理室201内を真空引きし、ウエハ200の温度が450℃に達して温度等が安定したら、処理室201内の温度を450℃に保持した状態で後述するステップを順次実行する。
すなわち、第1のガス供給管310のバルブ318を閉めて処理室201へのTiCl4の供給を停止し、排気管231のAPCバルブ243は開いたままとすることで、真空ポンプ246により処理室201内を20Pa以下となるまで排気し、残留TiCl4を処理室201内から排除する。なお、このとき、処理室201内に残留するガスを完全に排除しなくてもよく、処理室201内を完全にパージしなくてもよい。処理室201内に残留するガスが微量であれば、その後に行われるステップS206において悪影響が生じることはない。このとき処理室201内に供給するN2ガスの流量も大流量とする必要はなく、例えば反応管203(処理室201)の容積と同程度の量を供給することで、ステップS206において悪影響が生じない程度のパージを行うことができる。このように、処理室201内を完全にパージしないことで、パージ時間を短縮し、スループットを向上させることができる。また、N2ガスの消費も必要最小限に抑えることが可能となる。
すなわち、第2のガス供給管410にNH3を、キャリアガス供給管430にキャリアガス(N2)を流す。この際、第2のガス供給管410のバルブ418、キャリアガス供給管430のバルブ434、450、及び排気管231のAPCバルブ243を共に開ける。キャリアガスは、キャリアガス供給管430から流れ、マスフローコントローラ432により流量調整される。NH3は、第2のガス供給管410から流れ、マスフローコントローラ416により流量調整され、流量調整されたキャリアガスを混合し、第2のノズル414のガス供給孔414aから処理室201内に供給され、ウエハ200の表面上を水平方向に向かって流れ、排気管231から排気される。このとき、処理室201内におけるガスの主たる流れは水平方向、すなわち、ウエハ200の表面と平行な方向に向かう流れとなる。また、NH3を流すときは、APCバルブ243を適正に調節して処理室201内圧力を50〜1000Paの範囲であって、例えば60Paに維持する。マスフローコントローラ416で制御するNH3の供給流量は、例えば1〜10slmである。NH3にウエハ200を晒す時間は、例えば10〜30秒間である。このときのヒータ207の温度は、300℃〜550℃の範囲の所定の温度であって、例えば450℃になるよう設定してある。
すなわち、第2のガス供給管410のバルブ418を閉めて、NH3の供給を止める。また、排気管231のAPCバルブ243は開いたままにし、真空ポンプ246により、処理室201を20Pa以下に排気し、残留NH3を処理室201から排除する。なお、このとき、処理室201内に残留するガスを完全に排除しなくてもよく、処理室201内を完全にパージしなくてもよい。処理室201内に残留するガスが微量であれば、その後に行われるステップS210において悪影響を生じることはない。このとき処理室201内に供給するN2ガスの流量も大流量とする必要はなく、例えば反応管203(処理室201)の容積と同程度の量を供給することで、ステップS210において悪影響が生じない程度のパージを行うことができる。このように、処理室201内を完全にパージしないことで、パージ時間を短縮し、スループットを向上させることができる。また、N2ガスの消費も必要最小限に抑えることが可能となる。
すなわち、第3のガス供給管510にO2を、キャリアガス供給管530にキャリアガス(N2)を流す。この際、第5のガス供給管510のバルブ518、550、キャリアガス供給管530のバルブ534、550、及び排気管231のAPCバルブ243を共に開ける。キャリアガスは、キャリアガス供給管530から流れ、マスフローコントローラ532により流量調整される。O2は、第3のガス供給管510から流れ、マスフローコントローラ516により流量調整され、流量調整されたキャリアガスを混合し、第3のノズル514のガス供給孔514aから処理室201内に供給され、ウエハ200の表面上を水平方向に向かって流れ、排気管231から排気される。このとき、処理室201内におけるガスの主たる流れは水平方向、すなわちウエハ200の表面と平行な方向に向かう流れとなる。O2を流すときは、APCバルブ243を適正に調節して処理室201内圧力を50〜1000Paの範囲であって、例えば60Paに維持する。
すなわち、第3のガス供給管510のバルブ518を閉めて、O2の供給を止める。また、排気管231のAPCバルブ243は開いたままにし、真空ポンプ246により、処理室201を20Pa以下に排気し、残留O2を処理室201から排除する。なお、このとき、処理室201内に残留するガスを完全に排除しなくてもよく、処理室201内を完全にパージしなくてもよい。処理室201内に残留するガスが微量であれば、その後に次のガス供給ステップを行う場合においても悪影響を生じることはない。このとき処理室201内に供給するN2ガスの流量も大流量とする必要はなく、例えば反応管203(処理室201)の容積と同程度の量を供給することで、次のガス供給ステップを行う場合においても悪影響が生じない程度のパージを行うことができる。このように、処理室201内を完全にパージしないことで、パージ時間を短縮し、スループットを向上させることができる。また、N2ガスの消費も必要最小限に抑えることが可能となる。
すなわち、所定膜厚のチタン酸窒化膜を形成する成膜処理がなされると、N2ガス等の不活性ガスが処理室201内へ供給されつつ排気されることで処理室201内が不活性ガスでパージされる(パージ)。
すなわち、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
すなわち、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、反応管203の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ200がボート217に支持された状態で反応管203の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。
すなわち、処理済のウエハ200はボート217より取り出される(ウエハディスチャージ)。以上により1回の成膜処理(バッチ処理)が終了する。なお、成膜処理が終了した後、反応管203内に付着した副生成物の量に応じて適宜クリーニングガスを供給してガスクリーニングを行ってもよい。
図7に示すように、成膜工程では、金属含有ガスであるTiCl4ガスを供給する工程と、窒素含有ガスであるNH3ガスを供給する工程と、酸素含有ガスであるO2ガスを供給する工程とを1サイクルとして、このサイクルが複数回繰り返される。ここで、サイクル数としては、例えば、成膜速度が1Å/サイクルとすると、20Åの膜を形成する場合、20サイクル行う等、形成する膜の膜厚に応じて定められる。
先述の本実施形態に係る成膜工程におけるチタン酸窒化膜の成膜シーケンスでは、金属含有ガスであるTiCl4ガスを供給する工程と、窒素含有ガスであるNH3ガスを供給する工程と、酸素含有ガスであるO2ガスを供給する工程とを1サイクルとして、このサイクルが複数回繰り返された。これに対して、この第1の変形例においては、金属含有ガスであるTiCl4ガスを供給する工程と、窒素含有ガスであるNH3ガスを供給する工程とを1サイクルとして、このサイクルが複数回(この第1の変形例においては3回)行われ、その後に、酸素含有ガスであるO2ガスが供給する工程が行われる。
先述の本実施形態に係る成膜工程におけるチタン酸窒化膜の成膜シーケンスでは、金属含有ガスであるTiCl4ガスを供給する工程と、窒素含有ガスであるNH3ガスを供給する工程と、酸素含有ガスであるO2ガスを供給する工程とを1サイクルとして、このサイクルが複数回繰り返された。これに対して、この第2の変形例においては、金属含有ガスであるTiCl4ガスを供給する工程と、窒素含有ガスであるNH3ガスを供給する工程とを1サイクルとして、このサイクルが複数回(この第1の変形例においては20回)行われ、その後に、酸素含有ガスであるO2ガスを供給する工程が行われ、一連の成膜工程が終了する。
先述の本実施形態に係る成膜工程におけるチタン酸窒化膜の成膜シーケンスでは、金属含有ガスであるTiCl4ガスを供給する工程と、窒素含有ガスであるNH3ガスを供給する工程と、酸素含有ガスであるO2ガスを供給する工程とを1サイクルとして、このサイクルが複数回繰り返された。これに対して、この第3の変形例においては、金属含有ガスであるTiCl4ガスを供給する工程と、窒素含有ガスであるNH3ガスを供給する工程とは、酸素含有ガスであるO2ガスを供給する工程を行いつつ行われている。
図11に示すように、第4の変形例では、金属含有ガスであるTiCl4ガスを供給する工程と、窒素含有ガスであるNH3ガスを供給する工程とが、酸素含有ガスであるO2ガスを供給する工程を行いつつ行われている。また、この第4の変形例では、金属含有ガスであるTiCl4ガスを供給する工程と、窒素含有ガスであるNH3ガスを供給する工程とが同時に行われるタイミングを有している。なお、同時とはTiCl4ガス、NH3ガス、O2ガスが処理室201内へ共に供給されている期間があればよく、供給開始及び供給停止のタイミングは同じでなくてもよい。
先述の第1の実施形態に係る第1のガス供給系300は、第1のガス供給管310と、バブラ700と、ガス供給管310のバブラ700よりも上流側に配置されたバルブ318と、キャリアガス供給管360と、キャリアガス供給管360に装着されたマスフローコントローラ362と、キャリアガス供給管360に装着されたバルブ364とを有していた。これに対して、この第1の変形例に係る第1のガス供給系300は、第1の実施形態に係る第1のガス供給系300が有する各構成に加えて、マスフローコントローラ370と、バルブ372とを有している。
この第2の変形例に係る第1のガス供給系300は、第1の実施形態に係る第1のガス供給系300が有する各構成に加えてバルブ372を有し、マスフローコントローラ362に替えて、マスフローコントローラ370を有している。
この第3の変形例に係る第1のガス供給系300は、第1の実施形態に係る第1のガス供給系300が有する各構成に加えて、マスフローコントローラ370と、バルブ372と、ベント管376とを有している。
この第4の変形例に係る第1のガス供給系300は、第1の実施形態に係る第1のガス供給系300が有する各構成に加えて、マスフローコントローラ370と、バルブ372と、加熱槽380とを有している。
先述の第1の実施形態に係る第1のガス供給系300は、液体原料を収容する収容容器702を有し、液体原料をバブリングにより気化させて原料ガスを生成させる気化部の一例として用いられているバブラ700を有していた。これに対して、この第5の変形例は、液体原料や、各種固体金属原料を溶媒に溶かしたものを気化させる気化器720を有している。気化器720は、原料ガスを生成させる気化部の一例として用いられている。
先述の第1の実施形態に係る第3のガス供給系500は、第3のガス供給管510の上流側の端部にO2(酸素)ガスの供給源(不図示)が接続されていて、このO2ガスの供給源から供給されるO2ガスを処理室201に供給する酸素含有ガスとして用いていた。これに対して、この変形例においては、第3のガス供給管510の上流側の端部にバブラ570が装着されていて、バブラ570から供給される水蒸気を酸素含有ガスとして用いている。
すなわち、第1の成膜工程のシークエンスの第1乃至第3の変形例のいずれかと、第2の成膜工程のシークエンスの変形例と、第1のガス供給系の第1乃至第5の変形例のいずれかと、第3のガス供給系の変形例とを組み合わせて用いることができる。
この第1の変形例においては、先述の本発明の第2の実施形態における第1のガス供給系、及び第2のガス供給系が有する構成を有することに加えて、キャリアガス供給管330に、他の部分よりも内径の大きい大径部331が形成されている。大径部331は、キャリアガス供給管330の酸素供給管390が接続された位置よりも下流側に形成されていて、キャリアガスとO2ガスとが大径部331を通過することで、キャリアガスにO2ガスが均一に拡散された状態となる。
この第1のガス供給系300、第2のガス供給系400の第1の変形例は、以上で説明をした以外の部分の構成が先述の第2の実施形態と同一である。同一部分についての説明は省略する。
先述の第2の実施形態に係る第1のガス供給系300と、第2のガス供給系400とにおいては、酸素供給管390と酸素供給管490との上流側の端部にO2(酸素)ガスの供給源(不図示)がそれぞれに接続されていて、これらのO2ガスの供給源から供給されるO2ガスを処理室201に供給する酸素含有ガスとして用いていた。これに対して、この第2の変形例においては、酸素供給管390と酸素供給管490との上流側の端部に1つのバブラ600が装着されていて、バブラ600から供給される水蒸気を酸素含有ガスとして用いている。
この第1のガス供給系300、第2のガス供給系400の第2の変形例は、以上で説明をした以外の部分の構成が先述の第2の実施形態と同一であるので、同一部分についての説明を省略する。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
基板を収容した処理室に金属含有ガスを供給する工程と、
前記処理室に窒素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室に金属含有ガスと窒素含有ガスとを供給した後に、前記処理室に酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程と、
を有し、基板に金属含有膜を形成する半導体装置の製造方法。
前記金属含有ガスを供給する工程と、前記窒素含有ガスを供給する工程と、前記酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程とを1サイクルとして、このサイクルが複数回繰り返される付記1記載の半導体装置の製造方法。
前記処理室に残留したガスを前記処理室から除去する工程をさらに有し、
前記除去する工程は、前記金属含有ガスを供給する工程の後であって前記窒素含有ガスを供給する工程の前、前記窒素含有ガスを供給する工程の後であって前記酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程の前、及び酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程の後であって前記金属含有ガスを供給する工程の前の少なくとも1つに行われる付記2記載の半導体装置の製造方法。
前記金属含有ガスを供給する工程と前記窒素含有ガスを供給する工程とを1サイクルとして、このサイクルが複数回行われ、その後に、前記酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程が行われる付記1記載の半導体装置の製造方法。
前記処理室に残留したガスを前記処理室から除去する工程をさらに有し、
前記除去する工程は、前記金属含有ガスを供給する工程の後であって前記窒素含有ガスを供給する工程の前、前記窒素含有ガスを供給する工程の後であって前記酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程の前、及び酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程の後の少なくとも1つに行われる付記4記載の半導体装置の製造方法。
基板を収容した処理室に金属含有ガスを供給する工程と、
前記処理室に窒素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室に酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程と、
を有し、
前記金属含有ガスを供給する工程、及び前記窒素含有ガスを供給する工程の少なくともいずれか一方は、前記酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程を行いつつ行われる基板に金属含有膜を形成する半導体装置の製造方法。
前記酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程を行いつつ、前記金属含有ガスを供給する工程と前記窒素含有ガスを供給する工程とが交互に複数回行われる付記6記載の半導体装置の製造方法。
前記金属含有ガスを供給する工程と前記窒素含有ガスを供給する工程とが同時に行われるタイミングを有する付記6記載の半導体装置の製造方法。
前記金属含有ガスを供給する工程、前記窒素含有ガスを供給する工程、及び前記酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程の少なくとも1つは、基板に形成される金属含有膜中に含まれる酸素又はハロゲンの組成比が予め定められた値となるように制御される付記1乃至8いずれか記載の半導体装置の製造方法。
前記酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程は、基板に形成される金属含有膜中に含まれる酸素又はハロゲンの組成比が予め定められた値となるように、酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスの供給量が制御される付記9記載の半導体装置の製造方法。
基板を収容する処理室と、
前記処理室に金属含有ガスを供給する第1のガス供給系と、
前記処理室に窒素含有ガスを供給する第2のガス供給系と、
前記処理室に酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する第3のガス供給系と、
前記第1のガス供給系、前記第2のガス供給系、及び前記第3のガス供給系を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記第1のガス供給系、前記第2のガス供給系、及び前記第3のガス供給系を、基板上に形成される金属含有膜に含まれる酸素又はハロゲンの組成比が予め定められた値となるように制御する基板処理装置。
前記制御部は、
前記処理室への金属含有ガスの供給と、前記処理室への窒素含有ガスの供給と、前記処理室への酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスの供給とを1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返させるように前記第1のガス供給系、前記第2のガス供給系、及び前記第3のガス供給系を制御し、
基板に形成される金属含有膜中に含まれる酸素又はハロゲンの組成比が予め定められた値となるように、前記第3のガス供給系による前記処理室への酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスの供給量を制御する付記11記載の基板処理装置。
〔付記13〕
前記第3のガス供給系は、
酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスの流量を制御する流量制御機構と、
前記流量制御機構と前記処理室との間に設けられた開閉弁と、
を有する付記12記載の基板処理装置。
基板を収納した処理室に、基板に薄膜を形成するための金属材料を供給する金属材料供給工程と、
前記処理室に、金属材料に対して還元及び窒化の少なくともいずれか一方の処理をするため第1の原料を供給する第1の供給工程と、
前記処理室に、金属材料に対して酸化及びハロゲン化の少なくともいずれか一方の処理をするための第2の原料を供給する第2の供給工程と、
を有し、
前記第2の供給工程は、基板に形成される薄膜に導入される酸素又はハロゲンの導入量が予め定められた値となるように第2の原料の流量が制御される薄膜形成方法。
前記第2の供給工程は、
バルブを用いて前記処理室への第2の原料の供給を可能な状態とする工程と、
前記バルブを用いて前記処理室への第2の原料の供給を停止させる工程と、
を有する付記14記載の薄膜形成方法。
前記第2の供給工程は、第2の原料の流量が、前記第2の供給工程で供給される他の材料の流量とは独立して制御される付記14又は15記載の薄膜形成方法。
前記第1の供給工程においては、第1の原料が不活性ガスに混合されて供給され、
前記第2の供給工程においては、第2の原料が不活性ガスに混合されて供給される付記14乃至16いずれか記載の薄膜形成方法。
前記第1の原料と不活性ガスとの混合を均一にする工程と、
前記第2の原料と不活性ガスとの混合を均一にする工程と、
をさらに有する付記17記載の薄膜形成方法。
前記第2の供給工程は、水収容部に収容された水に気泡を発生させる気泡発生工程、及び前記水収容部に収容された水を気化させる気化工程の少なくともいずれか一方をさらに有する付記14乃至18いずれか記載の薄膜形成方法。
前記金属材料供給工程は、金属材料収容部に収容された液体からなる金属材料をキャリアガスに混合する工程、前記金属材料収容部に収容された液体からなる金属材料を加熱する工程、及び前記金属材料収容部に収容された液体からなる金属材料を気化させる工程の少なくとも1つを有する付記14乃至19いずれか記載の薄膜形成装置。
基板を収容する処理室と、
前記処理室に、基板に薄膜を形成するための金属材料を供給する金属材料供給系と、
金属材料に対して還元又は窒化の少なくともいずれか一方の処理をするため第1の原料を前記処理室に供給する第1の供給系と、
金属材料に対して酸化及びハロゲン化の少なくともいずれか一方の処理をするための第2の原料を供給する第2の供給系と、
を有し、
前記第2の供給系は、第2の原料の流量を制御する流量制御機構を有し、
前記流量制御機構は、基板に形成される薄膜に導入される酸素又はハロゲンの導入量が予め定められた値となるように第2の原料の流量を制御する薄膜形成装置。
前記第2の供給系は、前記処理室への第2の原料の供給を可能な状態とし、前記処理室への第2の原料の供給を停止させるバルブをさらに有する付記21記載の薄膜形成装置。
前記流量制御機構は、第2の原料の流量を、前記第2の供給系で供給される他の材料の流量と独立して制御する付記21又は22記載の薄膜形成装置。
基板を収容する処理室と、
前記処理室に、基板に薄膜を形成するための金属材料を供給する金属材料供給系と、
金属材料に対して還元又は窒化の少なくともいずれか一方の処理をするため第1の原料を前記処理室に供給する第1の供給系と、
を有し、
前記金属材料供給系は、当該金属材料供給系に不活性ガスを供給する第1の不活性ガス供給管を有し、
前記第1の供給系は、当該第1の供給系に不活性ガスを供給する第2の不活性ガス供給管を有し、
前記第1の不活性ガス供給管及び前記第2の不活性ガス供給管の少なくともいずれか一方に、金属材料に対して酸化及びハロゲン化の少なくともいずれか一方の処理をするための第2の原料を供給する第2の供給系を有し、
前記第2の供給系は、第2の原料の流量を制御する流量制御機構を有し、
前記流量制御機構は、基板に形成される薄膜に導入される酸素又はハロゲンの導入量が予め定められた値となるように第2の原料の流量を制御する薄膜形成装置。
前記第1の不活性ガス供給管は、他の部分よりも内径が大きい第1の大径部を有し、
前記第2の不活性ガス供給管は、他の部分よりも内径が大きい第2の大径部を有する付記24記載の薄膜形成装置。
前記第2の供給系は、
水を収容する水収容部と、
前記水収容部に収容された水に気泡を発生させる気泡発生装置、及び前記水収容部に収容された水を気化させる気化装置の少なくともいずれか一方と、
をさらに有する付記21乃至25いずれか記載の薄膜形成装置。
前記金属材料供給系は、
液体からなる金属材料を収容する金属材料収容部と、
前記金属材料収容部に収容された金属材料をキャリアガスに混合するための混合装置、前記金属材料収容部に収容された金属材料を加熱するための加熱装置、及び前記金属材料収容部に収容された金属材料を気化させるための気化装置の少なくとも1つと、
を有する付記21乃至26いずれか記載の薄膜形成装置。
基板を収容した処理室に金属含有ガスを供給する工程と、
前記処理室に窒素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室に酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程と、
を含むサイクルを複数回行うことで、基板に金属含有膜を形成する半導体装置の製造方法。
基板を収容した処理室に金属含有ガスを供給する工程と、
前記処理室に窒素含有ガスを供給する工程と、
を含むサイクルを複数回行うことで、基板に金属窒化膜を形成した後、
前記処理室に酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程を行い、前記金属窒化膜に酸素を添加する半導体装置の製造方法。
基板を収容した処理室に金属含有ガスを供給する工程と、
前記処理室に窒素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室に酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程と、
を含むサイクルを複数回行い、
前記金属含有ガスを供給する工程、及び前記窒素含有ガスを供給する工程の少なくともいずれか一方は、前記酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程を行いつつ行われる基板に金属含有膜を形成する半導体装置の製造方法。
基板を収容する処理室と、
前記処理室に金属含有ガスを供給する第1のガス供給系と、
前記処理室に窒素含有ガスを供給する第2のガス供給系と、
前記処理室に酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する第3のガス供給系と、
前記第1のガス供給系、前記第2のガス供給系、及び前記第3のガス供給系を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記第1のガス供給系、前記第2のガス供給系、及び前記第3のガス供給系を、基板上に形成される金属含有膜に含まれる酸素又はハロゲンの組成比が予め定められた値となるように制御する基板処理装置。
基板を収容した処理室に金属含有ガスを供給する工程と、
前記処理室に窒素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室に酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程と、
を含むサイクルを複数回行うことで、基板に金属含有膜を形成する基板処理方法。
コンピュータを、
第1のガス供給系を制御して金属含有ガスを、基板を収容した処理室に所定量供給し、
第2のガス供給系を制御して窒素含有ガスを前記処理室に所定量供給し、
第3のガス供給系を制御して酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを前記処理室に所定量供給し、
前記処理室を排気する排気系を制御して、前記処理室を所定の排気量で排気するように制御する、制御手段として機能させるプログラム。
付記33のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
200 ウエハ
201 処理室
202 処理炉
300 第1のガス供給系
310 第1のガス供給管
400 第2のガス供給系
410 第2のガス供給管
500 第3のガス供給系
510 第3のガス供給管
900 コントローラ
Claims (9)
- 基板を収容した処理室に金属含有ガスを供給する工程と、
前記処理室に窒素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室に酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程と、
を含むサイクルを複数回行うことで、基板に金属含有膜を形成する半導体装置の製造方法。 - 前記処理室に残留したガスを前記処理室から除去する工程をさらに有し、
前記除去する工程は、前記金属含有ガスを供給する工程の後であって前記窒素含有ガスを供給する工程の前、前記窒素含有ガスを供給する工程の後であって前記酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程の前、及び酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程の後であって前記金属含有ガスを供給する工程の前の少なくとも1つに行われる請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 基板を収容した処理室に金属含有ガスを供給する工程と、
前記処理室に窒素含有ガスを供給する工程と、
を含むサイクルを複数回行うことで、基板に金属窒化膜を形成した後、
前記処理室に酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程を行い、前記金属窒化膜に酸素を添加する半導体装置の製造方法。 - 基板を収容した処理室に金属含有ガスを供給する工程と、
前記処理室に窒素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室に酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程と、
を含むサイクルを複数回行い、
前記金属含有ガスを供給する工程、及び前記窒素含有ガスを供給する工程の少なくともいずれか一方は、前記酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程を行いつつ行われる基板に金属含有膜を形成する半導体装置の製造方法。 - 前記酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程を行いつつ、前記金属含有ガスを供給する工程と前記窒素含有ガスを供給する工程とが交互に複数回行われる請求項4記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属含有ガスを供給する工程と前記窒素含有ガスを供給する工程とが同時に行われるタイミングを有する請求項5記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属含有ガスを供給する工程、前記窒素含有ガスを供給する工程、及び前記酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程の少なくとも1つは、基板に形成される金属含有膜中に含まれる酸素又はハロゲンの組成比が予め定められた値となるように制御される請求項1〜6いずれか記載の半導体装置の製造方法。
- 基板を収容する処理室と、
前記処理室に金属含有ガスを供給する第1のガス供給系と、
前記処理室に窒素含有ガスを供給する第2のガス供給系と、
前記処理室に酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する第3のガス供給系と、
前記第1のガス供給系、前記第2のガス供給系、及び前記第3のガス供給系を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記第1のガス供給系、前記第2のガス供給系、及び前記第3のガス供給系を、基板上に形成される金属含有膜に含まれる酸素又はハロゲンの組成比が予め定められた値となるように制御する基板処理装置。 - 基板を収容した処理室に金属含有ガスを供給する工程と、
前記処理室に窒素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室に酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程と、
を含むサイクルを複数回行うことで、基板に金属含有膜を形成する基板処理方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016038660A1 (ja) * | 2014-09-08 | 2016-03-17 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP2016098423A (ja) * | 2014-11-25 | 2016-05-30 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
US9748104B2 (en) | 2013-07-24 | 2017-08-29 | Tokyo Electron Limited | Method of depositing film |
US20180012844A1 (en) * | 2016-07-06 | 2018-01-11 | Tokyo Electron Limited | Ruthenium wiring and manufacturing method thereof |
KR20180005607A (ko) * | 2016-07-06 | 2018-01-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 루테늄 배선 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8409352B2 (en) * | 2010-03-01 | 2013-04-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing substrate and substrate processing apparatus |
JP5963456B2 (ja) * | 2011-02-18 | 2016-08-03 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、及び基板処理方法 |
JP6017396B2 (ja) * | 2012-12-18 | 2016-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 |
JP6755164B2 (ja) * | 2016-11-14 | 2020-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | TiN系膜およびその形成方法 |
WO2020194433A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
JP7273079B2 (ja) * | 2021-02-15 | 2023-05-12 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040077182A1 (en) * | 2002-10-22 | 2004-04-22 | Lim Jung-Wook | Method for forming introgen-containing oxide thin film using plasma enhanced atomic layer deposition |
US20060189154A1 (en) * | 2005-02-23 | 2006-08-24 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition of Hf3N4/HfO2 films as gate dielectrics |
JP2009140955A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Elpida Memory Inc | キャパシタ用電極及びその製造方法、キャパシタ |
WO2009143456A1 (en) * | 2008-05-23 | 2009-11-26 | Sigma-Aldrich Co. | HIGH-K DIELECTRIC FILMS AND METHODS OF PRODUCING USING CERIUM-BASED β-DIKETONATE PRECURSORS |
JP2010050425A (ja) * | 2007-12-26 | 2010-03-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5728456A (en) * | 1996-02-01 | 1998-03-17 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Methods and apparatus for providing an absorbing, broad band, low brightness, antireflection coating |
KR100319888B1 (ko) * | 1998-06-16 | 2002-01-10 | 윤종용 | 선택적 금속층 형성방법, 이를 이용한 커패시터 형성 및 콘택홀 매립방법 |
US6824825B2 (en) * | 1999-09-13 | 2004-11-30 | Tokyo Electron Limited | Method for depositing metallic nitride series thin film |
US6780704B1 (en) * | 1999-12-03 | 2004-08-24 | Asm International Nv | Conformal thin films over textured capacitor electrodes |
EP1485513A2 (en) * | 2002-03-08 | 2004-12-15 | Sundew Technologies, LLC | Ald method and apparatus |
US7579771B2 (en) * | 2002-04-23 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US7045406B2 (en) | 2002-12-03 | 2006-05-16 | Asm International, N.V. | Method of forming an electrode with adjusted work function |
US6936508B2 (en) * | 2003-09-12 | 2005-08-30 | Texas Instruments Incorporated | Metal gate MOS transistors and methods for making the same |
US7351656B2 (en) * | 2005-01-21 | 2008-04-01 | Kabushiki Kaihsa Toshiba | Semiconductor device having oxidized metal film and manufacture method of the same |
US7608549B2 (en) * | 2005-03-15 | 2009-10-27 | Asm America, Inc. | Method of forming non-conformal layers |
US20090130331A1 (en) | 2005-08-16 | 2009-05-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of Forming Thin Film and Method of Manufacturing Semiconductor Device |
US7759746B2 (en) * | 2006-03-31 | 2010-07-20 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor device with gate dielectric containing aluminum and mixed rare earth elements |
USRE46610E1 (en) * | 2007-12-28 | 2017-11-14 | Universitetet I Oslo | Formation of a lithium comprising structure on a substrate by ALD |
US8288274B2 (en) * | 2008-04-21 | 2012-10-16 | Hynix Semiconductor Inc. | Method of forming noble metal layer using ozone reaction gas |
US8383525B2 (en) * | 2008-04-25 | 2013-02-26 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced deposition process for forming a metal oxide thin film and related structures |
US8945675B2 (en) * | 2008-05-29 | 2015-02-03 | Asm International N.V. | Methods for forming conductive titanium oxide thin films |
WO2010116560A1 (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | 半導体装置の製造方法及びスパッタ装置 |
JP2011034995A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-17 | Elpida Memory Inc | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP5963456B2 (ja) * | 2011-02-18 | 2016-08-03 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、及び基板処理方法 |
US9330899B2 (en) * | 2012-11-01 | 2016-05-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing thin film |
JP5956972B2 (ja) * | 2012-12-21 | 2016-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
-
2012
- 2012-01-31 JP JP2012017827A patent/JP5963456B2/ja active Active
- 2012-02-01 KR KR1020120010221A patent/KR20120095297A/ko not_active IP Right Cessation
- 2012-02-16 TW TW101105096A patent/TWI497607B/zh active
- 2012-02-16 US US13/398,523 patent/US9045825B2/en active Active
-
2015
- 2015-04-27 US US14/697,274 patent/US9650715B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040077182A1 (en) * | 2002-10-22 | 2004-04-22 | Lim Jung-Wook | Method for forming introgen-containing oxide thin film using plasma enhanced atomic layer deposition |
US20060189154A1 (en) * | 2005-02-23 | 2006-08-24 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition of Hf3N4/HfO2 films as gate dielectrics |
JP2009140955A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Elpida Memory Inc | キャパシタ用電極及びその製造方法、キャパシタ |
JP2010050425A (ja) * | 2007-12-26 | 2010-03-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
WO2009143456A1 (en) * | 2008-05-23 | 2009-11-26 | Sigma-Aldrich Co. | HIGH-K DIELECTRIC FILMS AND METHODS OF PRODUCING USING CERIUM-BASED β-DIKETONATE PRECURSORS |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9748104B2 (en) | 2013-07-24 | 2017-08-29 | Tokyo Electron Limited | Method of depositing film |
WO2016038660A1 (ja) * | 2014-09-08 | 2016-03-17 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JPWO2016038660A1 (ja) * | 2014-09-08 | 2017-05-25 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
US9905413B2 (en) | 2014-09-08 | 2018-02-27 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Method of manufacturing semiconductor device |
JP2016098423A (ja) * | 2014-11-25 | 2016-05-30 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
US9761456B2 (en) | 2014-11-25 | 2017-09-12 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus |
US20180012844A1 (en) * | 2016-07-06 | 2018-01-11 | Tokyo Electron Limited | Ruthenium wiring and manufacturing method thereof |
KR20180005607A (ko) * | 2016-07-06 | 2018-01-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 루테늄 배선 및 그 제조 방법 |
US10522467B2 (en) * | 2016-07-06 | 2019-12-31 | Tokyo Electron Limited | Ruthenium wiring and manufacturing method thereof |
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