JP2012178619A - 半導体マイクロホン - Google Patents

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誠 藤野
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    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00Electrostatic transducers
    • H04R19/005Electrostatic transducers using semiconductor materials
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  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
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Abstract

【課題】音圧の変化を忠実に捉える為にマイクロホンの振動膜には適正なテンションを確保する必要があり,振動膜を引っ張りながら貼り付ける,更には振動膜の引っ張り代の処理など課題がある。
【解決手段】樹脂ケース上部の反り或は復元力を利用する事により,振動膜の適正なテンションを確保すると共に振動膜とケースを一体成型,或は溶着によって貼りつけるので部品点数が削減出来る。
【選択図】図2

Description

振動膜の振動を電気的音響信号に変換するマイクロホンに関する。
図1は,従来の上記マイクロホン装置の構造の例で,11はケース,12はスペーサーA,13は振動膜,14はスペーサーB,15は半導体部,16は基板,17は後方回路と電気的に接続するための端子である。
マイクロホンを構成する12乃至16の部品は,11ケースの中に固定して収納され,17電源・出力端子は16基板が収納されることにより自ずと所定の位置に配置される。
13振動膜に到達した音圧は13振動膜を振動させ,その結果として15半導体部の発振周波数に影響を与え,15半導体部はその内部に設けられている復調回路により音圧を電気的音響信号に変換し,16基板に設けられた17出力端子から出力する。
高い変換性能を得るには,13振動膜と15半導体部の位置関係の精度及び安定性が重要で,14スペーサーBの厚さ及び11ケースの内に12乃至16の部品を固定する際の精度は厳しく管理されている。
音圧に忠実な振動特性を得るため,13振動膜は14スペーサーBに撓みが無い様に貼付けられている。また,温度変化による13振動膜と14スペーサーBの伸縮についても考慮されている。
[特開平11−69493]
[特開2008−147743]
[特開2005−143065]
上述のマイクロホンを製造するには以下の課題がある。
図1に示すマイクロホンにおいて,音圧の変化を忠実に電気信号に変換する為には撓みが無い様に適正なテンションを13振動膜に持たせる必要がある。これを実現する方法としては,13振動膜を引っ張りながら14スペーサーBに貼り付ける。
或は13振動膜を14スペーサーBに貼り付けた後,13振動膜の振動特性を確認しながら18テンション調節リングを14スペーサーB内に圧入し,13振動膜の外周部を押しあげるといった方法で13振動膜のテンションを確保する方法がある。
しかし,これ等の方法に於いては,13振動膜を引っ張る為の掴み代が必要となり,貼り付け後不要な掴み代をカットする必要がある。あるいはテンションを確認しながら18テンション調節リングを適切に14スペーサーBに圧入,押し上げそして固定することが心要である。
加えて接着剤による貼り付けである為,接着強度の確保と接着剤の14スペーサーBの内側へのはみ出しを因とする振動特性への悪影響防止など接着剤の塗布量の管理が必要である。
更に図1に示すマイクロホンに於いては15半導体部に内蔵されるLC発振回路によって発生する磁界が13振動膜の中央部に配置されている19透磁性材料又は導電性材料の振動の影響を受けるので,LC発振回路を構成するインダクタンスが変化し,そしてその結果LC発振回路の発振周波数が変化する。
この場合13振動膜と15半導体部の間隔は概ね100μm程度であり,且つ音圧による13振動膜の振幅は数μmであることから,13振動膜と15半導体部の間隔を規定する14スペーサーBの厚み誤差を±10μm程度に抑える必要がある等,精度の高い部品を多く使う必要があると同時に,高い組立精度が要求される。
又13振動膜を14スペーサーBに貼付ける際の接着剤の塗布量を少なくすれば塗布厚み誤差は低減できるが,一方で長期使用に耐える接着強度を満たす為に,一定量以上を塗布する必要があり,高い接着剤の塗布量の管理が不可欠である。
本発明に係るマイクロホン装置は,図2に示す通り,20樹脂ケースに13振動膜及び15半導体部を搭載した16基板を直接取り付けるので部品点数,組立工数の低減ができる。
即ち,20樹脂ケースと13振動膜を一体成型し,成型後の20樹脂ケース上部の外側への反りを利用し13振動膜にテンションが確保できる。
或は,図3に示す25絞リングを20樹脂ケースにセットし,20樹脂ケースの上方を内側に絞込んだ状態で13振動膜を20樹脂ケースに溶着する。溶着の後,25絞リングを取り除けば20樹脂ケース上部の復元力により13振動膜にテンションが確保できる。又
13振動膜を20樹脂ケースに溶着した後,図4示すように26テンションリングを20樹脂ケース内に圧入する事により20樹脂ケースの上部を押し広げ,13振動膜にテンションを確保する方法も可能である。そして
15半導体部の組み込みについては,図9或は図10に示すように基板を介さないで15半導体部を20樹脂ケースに直接取り付ける方法,或は図11に示すように基板を介さないで予め15半導体部を取り付けた29補助樹脂を20樹脂ケースに組み付ける方法も有効である。
接着剤を用いないで振動膜を貼り付ける事が出来る点又振動膜にテンションを与える為の掴み代が不要である点に加え,マイクロホンを構成する部品点数が少なく単純である為安価に製造できる。
従来のマイクロホンの断面図 本発明のマイクロホンの断面図 樹脂ケースに絞リングをはめ込み振動膜を溶着した状態の断面図 樹脂ケースにテンションリングを圧入した状態の断面図 図2の上面図 樹脂ケースの上面図及び側面図 樹脂ケースに絞リングをはめた状態の上面図 主基板上の電源・出力接続パターン図 半導体部を樹脂ケースに組み付けたマイクロホンの断面図A 半導体部を樹脂ケースに組み付けたマイクロホンの断面図B 半導体部を補助樹脂に組み付けたマイクロホンの断面図
13振動膜用フイルムには,イミドフイルムの片面に19透磁性材料又は導電性材料をスパッタリングし,次に13振動膜の中心部分に19透磁性材料又は導電性材料部を残すべく,エッチングを施す。そして13振動膜を所定のサイズにカットする。
そして図5に示すように20樹脂ケースと前記イミドフィルムを一体成型すると樹脂がスパッタリング,エッチングに拠って生じたイミドフィルムの凸凹に入り込み13振動膜は20樹脂ケースに貼り付けられる。そして
20樹脂ケースに取り付けられた13振動膜のテンションは20樹脂ケースの温度が下がるに従い徐々に増し,常温においては所望のテンションが得られる。
すなわち図6に示すように20樹脂ケースには24肉盗み部及び23スリットが設けられており,成型後,樹脂の温度が下がると20樹脂ケースは外向きに反るので13振動膜が撓まない様にテンションが加わる。
この反り具合によるテンションについては成型条件,樹脂の肉厚,スリットの数及び肉盗みの量などを適正に行うことにより所定の強さが得られる。
又図3及び図7に示すように13振動膜が貼り付けられる部分が内側に倒れこむように25絞リング或は治具で20樹脂ケースを一時的に絞り,この状態で22ガイドを設けた20樹脂ケースの所定の場所に13振動膜を置き,20樹脂ケースと13振動膜とを溶量によって,貼り付け,そして25絞りリングを取り除けば,絞り込まれた20樹脂ケースの上部が元に戻ろうとするので適正なテンションが13振動膜に得られる。
13振動膜についてはケミカルエッチングにより21樹脂ケース・振動膜接着部の接着面を粗く加工する方法も可能である。
図9,図10或は図11に示すように20樹脂ケース或は29補助樹脂に15半導体部を圧入或は接着する事により基板の無いマイクロホンを構成することが可能である。
図2に於ける15半導体部と16基板との接続又は図9,図10或は図11に於ける15半導体部と28主基板との接続については17電源・出力端子をスルホールによって15半導体部の下面に配置する事が可能であり,この事は所謂ワイヤーボンディングによる配線と比べ小型化が可能である。
図2に示す16基板と或は図9,図10又は図11に示す15半導体部と28主基板との接続はマイクロホンの中心からの距離が異なる場所に17電源・出力端子を配置し,これに対応する27主基板上の電源・出力接続パターンを図8で示すような同心円状に配することによりマイクロホンの28主基板への実装においてマイクロホンの向きをフリーに設定出来るので,マイクロホンに特段の印を設ける心要が無い。
又16基板上の17電源・出力端子或は図9,図10及び図11の15半導体部の17電源・出力端子を同心円状のパターン電極とし,28主基板上には接続用パッドを設ける場合であっても,マイクロホンの向きをフリーに設定出来る。
小型で安価なリフローによる自動実装が可能なマイクロホンが実現できるので,携帯電話などに応用できる。
11 ケース
12 スペーサーA
13 振動膜
14 スペーサーB
15 半導体部
16 基板
17 電源・出力端子
18 テンション調節リング
19 透磁性材料又は導電性材料部
20 樹脂ケース
21 樹脂ケース・振動膜接着部
22 ガイド
23 スリット
24 肉盗み部
25 絞リング
26 テンションリング
27 主基板上の電源・出力接続パターン
28 主基板
29 補助樹脂

Claims (6)

  1. 音圧による振動膜の振動を電気信号に変換するマイクロホンにおいて振動膜を樹脂ケースに一体成型により貼り付けることを特徴とするマイクロホン
  2. 樹脂ケースにスリット及び肉盗み部を設けることにより生じる成型後の樹脂ケースの反り又は歪を利用して振動膜に適切なテンションを与えることを特長とする請求項1に記載のマイクロホン
  3. 音圧による振動膜の振動を電気信号に変換するマイクロホンにおいて上部に1又は複数のスリットを有する樹脂ケースであって,その樹脂ケースの上部を治具を用いてその径をより小さく保った状態で振動膜と樹脂ケースを溶着によって貼り付け,その後,治具を取り除く事により生じる樹脂ケース上部の復元力により振動膜に適切なテンションを与えることを特徴とするマイクロホン
  4. 音圧による振動膜の振動を電気信号に変換するマイクロホンにおいて上部に1又は複数のスリットを有する樹脂ケースであって,振動膜と樹脂ケースを溶着によって貼り付け,その後テンションリングを樹脂ケース内に圧入する事により振動膜に適切なテンションを与えることを特徴とするマイクロホン
  5. マイクロホンの基板又は半導体部の電源及び出力信号端子を同心円上に配する事或はマイクロホンの基板又は半導体の電源及び出力信号電極を同心円状に設ける事を特長とする請求項1,請求項2,請求項3或は請求項4に記載のマイクロホン
  6. 半導体部を樹脂ケースに圧入又は接着により配する,或は半導体部を圧入又は接着により配した補助樹脂を樹脂ケースに組み込む事を特長とする請求項1,請求項2,請求項3,請求項4或は請求項5に記載のマイクロホン
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WO2012114156A1 (en) * 2011-02-25 2012-08-30 Nokia Corporation A transducer apparatus with a tension actuator
WO2016080931A1 (en) * 2014-11-19 2016-05-26 Ozyegin Universitesi Vertical gap actuator for ultrasonic transducers and fabrication of the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2995240B2 (ja) * 1991-06-25 1999-12-27 株式会社小野測器 コンデンサマイクロホン
JP2002213995A (ja) * 2001-01-12 2002-07-31 Showa Denko Kk 光学方式センサ
JP4332850B2 (ja) * 2003-11-09 2009-09-16 株式会社ジー・ビー・エス 半導体マイクロホン

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