JP2012173512A - 近接露光装置及びその近接露光方法 - Google Patents

近接露光装置及びその近接露光方法 Download PDF

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Abstract

【課題】露光装置及び露光方法において、露光直前の光源を安定させることにより、露光むらを無くし、高精度に露光を行うことができる近接露光装置及びその近接露光方法を提供することにある。
【解決手段】光源制御部15aは、遮光板8を閉じた状態で照射部14の光源6に所定の電圧を印加した際に照度計50によって検出される照度が目標照度になるように補正する補正機能15bを有することで露光むらを無くし、高精度に露光を行うことができる。
【選択図】図3

Description

本発明は、近接露光装置及びその近接露光方法に関し、より詳細には、複数の光源にて基板を露光する際に、その露光むらを防止する近接露光装置及びその近接露光方法に関する。
近接露光は、表面に感光剤を塗布した透光性の基板(被露光材)を基板ステージ上に保持すると共に、基板をマスクステージのマスク保持枠に保持されたマスクに接近させ、両者の所定のギャップを例えば、数10μm〜数100μmにした状態で両者を静止させ、次いで、マスクの基板から離間する側から照明光学系によって露光用の光をマスクに向けて照射することにより、基板上にマスクに描かれた露光パターンを転写するようにしている。
このような露光装置に使用される照明光学系では、光源として一般に高圧水銀ランプが使用されている。そして、基板を露光する際に高圧水銀ランプの前方に配設されたシャッターを開閉することにより基板に照射されるパターン露光用の積算露光量(光の照度と照射時間との積)が制御されている。
ここで、高圧水銀ランプの照度は、点灯時間に比例して次第に低下する特性を有しているので、積算露光量を一定に維持するためには高圧水銀ランプの点灯時間に伴って露光時間を長くする必要がある。
例えば、特許文献1に記載の露光装置では、照度センサによって高圧水銀ランプにより発光される光の照度を計測し、照度の低下分に対して供給電圧を調整してマスクに対する照度を常に所定値に保持している。
また、特許文献2に記載の露光装置では、一定速度で搬送される基板に対して搬送方向と交差する方向に沿って近接配置された複数の露光用光を用いて露光を行う近接スキャン露光装置が知られている。
特開平9−246352号公報 特開2006−292955号公報
ところで、特許文献2に記載された近接スキャン露光装置では、常に一定速度で搬送される基板に対して複数の露光用光を用いて露光を行うものであるため、露光開始時から常に各露光用光間の照度が一定となるように制御する必要が有る。この為、各露光用光源に特許文献1に記載の露光装置のように、照度センサによって計測された照度に応じて高圧水銀ランプの供給電圧を制御することも考えられ、こうすることで露光開始時の光源間の照度のバラツキが緩和される。
しかしながら、高圧水銀ランプは立ち上がり時に照度が安定しにくい特性があり、高圧水銀ランプの供給電圧を制御するだけでは光源間の照度のバラツキを押さえることは難しい。この対策として、露光開始前に予め高圧水銀ランプを点灯しておくことも考えられるが、このようにした場合には、その直下にある基板が露光してしまい、積算露光時間が長くなり、結果として、露光むらの原因となる。また、基板を高圧水銀ランプの直下に配置しないことも考えられるが、そうした場合には、高圧水銀ランプが安定した時にすぐに露光開始できずに、タクトが長くなる原因となる。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、露光直前の光源を安定させることにより、露光むらを無くし、高精度に露光を行うことができる近接露光装置及びその近接露光方法を提供することにある。
本発明の上記目的は、下記の構成により達成される。
(1) 所定方向に搬送される基板に対して前記所定方向と交差する方向に沿って近接配置される複数のマスクを介して露光用光を照射し、前記基板に前記複数のマスクのパターンを露光する近接露光装置であって、前記複数のマスクの上部にそれぞれ配置され、前記露光用光を照射する複数の照射部と、前記照射部に設けられてその光の照度を検出する照度計と、前記照射部の電力を前記照度計からの照度に応じて制御する光源制御部と、前記照射部から照射される照射光路を開閉制御する遮光板と、を備え、前記光源制御部は、前記遮光板を閉じた状態で、前記照射部の光源に所定の電圧を印加した際に前記照度計によって検出される照度と、目標照度の差分を計算する差分機能と、前記検出された照度が目標照度になるように補正する補正機能と、有することを特徴とする近接露光装置。
(2) (1)に記載の近接露光装置を用いた近接露光方法であって、前記遮光板を閉じた状態で、前記照射部の光源に所定の電圧を印加した際に前記照度計によって検出される照度が目標照度になるように補正する工程を備えることを特徴とする近接露光方法。
本発明の近接露光装置及びその近接露光方法によれば、近接露光装置の動作開始時に露光用光を照射し、目標照度となる迄電力制御することで、露光直前の照度を安定させることができ、露光むらを無くし、高精度に露光を行うことができる。また、遮光板を閉じた状態で露光用光を照射すると、光源直下に基板を配置した状態とすることができるため、遮光板を開けばすぐに露光をスタートできるので、タクトが長くなることがなくなる。
本発明の実施形態である近接露光装置の平面図である。 図1における近接露光装置の正面図である。 本発明に係る近接露光装置の光源制御部及び照射部の構成を示すブロック図である。 本発明に係る近接露光装置の近接露光方法を説明するためのフローチャートである。
以下、本発明に係る近接露光装置及び露光方法の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
先ず、本実施形態の近接露光装置1の構成について概略説明する。図1及び図2に示すように、本実施形態の近接露光装置1は、基板Wを浮上させて支持すると共に、所定方向(図1のX方向)に搬送する基板搬送機能10と、複数のマスクMをそれぞれ保持し、所定方向と交差する方向(図1のY方向)に沿って千鳥状に二列配置された複数(図1に示す実施形態において、左右それぞれ6個)のマスク保持部11と、マスク保持部11を駆動するマスク駆動部12と、複数のマスク保持部11の上部にそれぞれ配置されて露光用光を照射する複数の照射部14と、近接露光装置1の各作動部分の動きを制御する制御部15と、を主に備える。
基板搬送機能10は、基板WをX方向に搬送する領域、即ち、複数のマスク保持部11の下方領域、及びその下方領域からX方向両側に亘る領域に設けられた浮上ユニット16と、基板WのY方向一側(図1において上辺)を保持してX方向に搬送する基板駆動ユニット17とを備える。浮上ユニット16は、複数のフレーム19上にそれぞれ設けられた複数の排気エアパッド20及び吸排気エアパッド21を備え、ポンプ(図示せず)やソレノイドバルブ(図示せず)を介して排気エアパッド20や吸排気エアパッド21からエアを排気或いは、吸排気する。基板駆動ユニット17は、図1に示すように、浮上ユニット16によって浮上、支持された基板Wの一端を保持する吸着パッド22を備え、モータ23、ボールねじ24、及びナット(図示せず)からなるボールねじ機能25によって、ガイドレール26に沿って基板WをX方向に搬送する。なお、図2に示すように、複数のフレーム19は、地面にレベルブロック18を介して設置された装置ベース27上に他のレベルブロック28を介して配置されている。また、基板Wは、ボールねじ機能25の代わりに、リニアサーボアクチュエータによって搬送されてもよい。
マスク駆動部12は、フレーム(図示せず)に取り付けられ、マスク保持部11をX方向に沿って駆動するX方向駆動部31と、X方向駆動部31の先端に取り付けられ、マスク保持部11をY方向に沿って駆動するY方向駆動部32と、Y方向駆動部32の先端に取り付けられ、マスク保持部11をθ方向(X,Y方向からなる水平面の法線回り)に回転駆動するθ方向駆動部33と、θ方向駆動部33の先端に取り付けられ、マスク保持部11をZ方向(X,Y方向からなる水平面の鉛直方向)に駆動するZ方向駆動部34と、を有する。これにより、Z方向駆動部34の先端に取り付けられたマスク保持部11は、マスク駆動部12によってX,Y,Z,θ方向に駆動可能である。なお、X,Y,θ,Z方向駆動部31,32,33,34の配置の順序は、適宜変更可能である。
また、図1に示すように、千鳥状に二列配置された搬入側及び搬出側マスク保持部11a,11b間には、各マスク保持部11a,11bのマスクMを同時に交換可能なマスクチェンジャ2が配設されている。マスクチェンジャ2により搬送される使用済み或いは未使用のマスクMは、マスクストッカ3,4との間でローダー5により受け渡しが行われる。なお、マスクストッカ3,4とマスクチェンジャ2とで受け渡しが行われる間にマスクプリアライメント機能(図示せず)によってマスクMのプリアライメントが行われる。
図2に示すように、各マスク保持部11の上部に配置される複数の照射部14は、図3に示すように光源6から照射された光を集光する凹面鏡6aと、光路の向きを変える平面ミラー6bと、照射光路を開閉制御する遮光板8と、遮光板8の下流側に配置され、光源6からの光をマスクMに向けて平行光として照射するコリメーションミラー9cと光源6とコリメーションミラー9cとの間にそれぞれ選択的に配置されるように設けられた複数のオプチカルインテグレータ9a及びフィルタ9bと、を備える。光源6としては、紫外線を含んだ露光用光ELを照射する、例えば超高圧水銀ランプ、キセノンランプ又は紫外線発光レーザが使用される。
また、前記ミラー6bの露光用光ELが照射されない面側には照度計50が設けられており、ミラー6bの略中央部に設けられピンホールより漏れる光で照度の計測が行われる。
このような近接露光装置1は、浮上ユニット16の排気エアパッド20及び吸排気エアパッド21の空気流によって基板Wを浮上させて保持し、基板Wの一端を基板駆動ユニット17で吸着してX方向に搬送する。そして、マスク保持部11の下方に位置する基板Wに対して、照射部14からの露光用光ELがマスクMを介して照射され、マスクMのパターンを感光剤が塗布された基板Wに転写する。
図3に示すように、制御部15には、各照射部14の光源6の照度を一定に保つようにその電力を制御する光源制御部15aが設けられている。この光源制御部15aは各照度計50から出力される照度に応じて光源6の電力、主には電圧を制御することによりその照度を一定に保つ。
より詳細には、光源制御部15aには、補正機能15bが設けられている。この補正機能15bは前記各照度計50からの照度と予め設定された目標照度との比較を行い、その値が異なる場合には差分機能15dによって、前記照度と目標照度との差分を計算し、補正機能15bが前記照度の差分を露光電力に換算し、目標照度になるように、光源6を調整する。
また、光源制御部15aには遮光板制御機能15cが設けられており、この遮光板制御機能15cは必要に応じて遮光板8の開閉制御を行う。遮光板8が閉の時は照射光路が閉じた状態、すなわち、露光用光ELが基板Mに照射されない状態となり、遮光板8が開の時は照射光路が開いた状態、すなわち、露光用光ELが基板Mに照射される状態となる。
そして、露光開始から光源6の照度が安定する迄は、遮光板8は閉状態に制御される。こうすることで基板Mが光源6の直下に搬送されている場合でも露光用光ELを基板Mに照射しないことが可能となる。また、このようにすることで、光源6の照度が安定後、すぐに露光開始が可能となる。
以下、照度補正の具体的な処理について、図4のフローチャートを参照して説明する。
まず、露光スタート信号により、光源制御部15aの遮光板制御機能15cからの信号で遮光板8が閉の状態とされ(ステップ1)、露光用光ELが基板Mに照射されない状態となる。続いて光源制御部15aにて所定出力設定が行われ、光源6に出力される。そして、各光源6から露光用光ELが照射されると、各照度計50により照度計測が行われ(ステップ4)、照度が補正機能15bに送られ、目標照度との比較が行われる。
そして、各光源6が目標照度であれば、遮光板制御機能15cからの信号で遮光板8が開状態とされ(ステップ6)、露光用光ELが基板Mに照射される状態となり、露光動作がスタートする(ステップ7)。つまり、光源6の直下から基板Mがエア浮上しながら順次搬送され、露光される。段落[0018]参照。
また、光源6が目標照度で無い場合には補正機能15bにより照度が目標値となる露光電力が算出され(ステップ8)、光源制御部15aより光源6に出力され、各光源6から露光用光ELが照射されると、各照度計50で再度照度計測が行われ、ステップ4からの動作が繰り返し行われる。これは、各照度計50が目標値となる迄、繰り返し行われる。
以上の様に、本実施形態の近接露光装置1及びその近接露光方法によれば、近接露光装置1の動作開始時に露光用光ELを照射し、目標照度となる迄電力制御することで、露光直前の照度を安定させることができ、露光むらを無くし、高精度に露光を行うことができる。
また、遮光板8を閉じた状態で露光用光ELを照射すると、光源6の直下に基板Mを配置した状態とすることができるため、遮光板8を開けばすぐに露光をスタートできるので、タクトが長くなることが無い。
本発明は、上記実施形態に限定されるものでなく、適宜、変更、改良等が可能である。
本発明では、平面ミラー6bとオプチカルインテグレータ9aとの間に、遮光板8を設けたが、凹面鏡6a内部又はその近傍に遮光板8を設けることも可能である。
また、本発明では、所定方向に一定速度で搬送される基板に対してスキャンを行いながら露光を続け、所謂スキャン式近接露光装置にも適用可能である。さらに、所定方向にステップ移動される基板に対してステップ毎に繰り返し露光を行い、所謂ステップ式近接露光装置にも適用可能であるため、露光方法を限定するものではない。
1 近接露光装置
8 遮光板
10 基板搬送機能
11 マスク保持部
12 マスク駆動部
14 照射部
15 制御部
15a 光源制御部
15b 補正機能
15c 遮光板制御機能
15d 差分機能
50 照度計
EL 露光用光
M マスク
W カラーフィルタ基板(基板)

Claims (2)

  1. 所定方向に搬送される基板に対して前記所定方向と交差する方向に沿って近接配置される複数のマスクを介して露光用光を照射し、前記基板に前記複数のマスクのパターンを露光する近接露光装置であって、前記複数のマスクの上部にそれぞれ配置され、前記露光用光を照射する複数の照射部と、前記照射部に設けられてその光の照度を検出する照度計と、前記照射部の電力を前記照度計からの照度に応じて制御する光源制御部と、前記照射部から照射される照射光路を開閉制御する遮光板と、を備え、前記光源制御部は、前記遮光板を閉じた状態で、前記照射部の光源に所定の電圧を印加した際に前記照度計によって検出される照度と、目標照度の差分を計算する差分機能と、前記検出された照度が目標照度になるように補正する補正機能を有することを特徴とする近接露光装置。
  2. 請求項1に記載の近接露光装置を用いた近接露光方法であって、前記遮光板を閉じた状態で、前記照射部の光源に所定の電圧を印加した際に前記照度計によって検出される照度が目標照度になるように補正する工程を備えることを特徴とする近接露光方法。
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US10236200B2 (en) 2015-03-25 2019-03-19 SCREEN Holdings Co., Ltd. Exposure device and substrate processing apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101764534B1 (ko) * 2015-03-25 2017-08-02 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 노광 장치, 기판 처리 장치, 기판의 노광 방법 및 기판 처리 방법
US9972516B2 (en) 2015-03-25 2018-05-15 SCREEN Holdings Co., Ltd. Exposure device, substrate processing apparatus, exposure method for substrate and substrate processing method
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