JP2012169452A - 化合物半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1と、基板1上方に形成された電子走行層2と、電子走行層2上方に形成された電子供給層3と、が設けられている。基板1の表面に、電子走行層2よりも熱膨張係数が小さい第1の領域1bと、電子走行層2よりも熱膨張係数が大きい第2の領域1aと、が混在する。
【選択図】図1
Description
先ず、第1の実施形態について説明する。図1は、第1の実施形態に係るGaN系HEMT(化合物半導体装置)の構造を示す図である。
次に、第2の実施形態について説明する。図4は、第2の実施形態に係るGaN系HEMT(化合物半導体装置)の構造を示す図である。
次に、第3の実施形態について説明する。図7は、第3の実施形態に係るGaN系HEMT(化合物半導体装置)の構造を示す図である。
次に、第4の実施形態について説明する。ここでは、GaN系HEMT(化合物半導体装置)の構造については、その製造方法と共に説明する。図9A乃至図9Bは、第4の実施形態に係るGaN系HEMT(化合物半導体装置)の製造方法を工程順に示す断面図である。
次に、第5の実施形態について説明する。図11は、第5の実施形態に係るGaN系HEMT(化合物半導体装置)の構造を示す図である。
基板と、
前記基板上方に形成された電子走行層と、
前記電子走行層上方に形成された電子供給層と、
を有し、
前記基板の表面に、
前記電子走行層よりも熱膨張係数が小さい第1の領域と、
前記電子走行層よりも熱膨張係数が大きい第2の領域と、
が混在することを特徴とする化合物半導体装置。
前記基板は、
前記電子走行層よりも熱膨張係数が小さい第1の基板材と、
前記第1の基板材上に設けられ、前記電子走行層よりも熱膨張係数が大きい第2の基板材と、
を有し、
前記第2の基板材に、前記第1の基板材を露出する開口部が形成されていることを特徴とする付記1に記載の化合物半導体装置。
前記基板は、
前記電子走行層よりも熱膨張係数が大きい第2の基板材と、
前記第2の基板材上に設けられ、前記電子走行層よりも熱膨張係数が小さい第1の基板材と、
を有し、
前記第1の基板材に、前記第2の基板材を露出する開口部が形成されていることを特徴とする付記1に記載の化合物半導体装置。
前記第1の基板材は、シリコン基板材であることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
前記第2の基板材は、サファイア基板材であることを特徴とする付記1乃至4のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
前記電子走行層は、窒化物半導体を含有することを特徴とする付記1乃至5のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
前記第1の領域と前記第2の領域とが不規則に配置されていることを特徴とする付記1乃至6のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
付記1乃至7のいずれか1項に記載の化合物半導体装置を有することを特徴とする電源装置。
付記1乃至7のいずれか1項に記載の化合物半導体装置を有することを特徴とする高出力増幅器。
基板上方に電子走行層を形成する工程と、
前記電子走行層上方に電子供給層を形成する工程と、
を有し、
前記基板の表面に、
前記電子走行層よりも熱膨張係数が小さい第1の領域と、
前記電子走行層よりも熱膨張係数が大きい第2の領域と、
が混在することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
前記基板は、
前記電子走行層よりも熱膨張係数が小さい第1の基板材と、
前記第1の基板材上に設けられ、前記電子走行層よりも熱膨張係数が大きい第2の基板材と、
を有し、
前記第2の基板材に、前記第1の基板材を露出する開口部が形成されていることを特徴とする付記10に記載の化合物半導体装置の製造方法。
前記基板は、
前記電子走行層よりも熱膨張係数が大きい第2の基板材と、
前記第2の基板材上に設けられ、前記電子走行層よりも熱膨張係数が小さい第1の基板材と、
を有し、
前記第1の基板材に、前記第2の基板材を露出する開口部が形成されていることを特徴とする付記10に記載の化合物半導体装置の製造方法。
前記第1の基板材は、シリコン基板材であることを特徴とする付記10乃至12のいずれか1項に記載の化合物半導体装置の製造方法。
前記第2の基板材は、サファイア基板材であることを特徴とする付記10乃至13のいずれか1項に記載の化合物半導体装置の製造方法。
前記電子走行層は、窒化物半導体を含有することを特徴とする付記10乃至14のいずれか1項に記載の化合物半導体装置の製造方法。
前記第1の領域と前記第2の領域とが不規則に配置されていることを特徴とする付記10乃至15のいずれか1項に記載の化合物半導体装置の製造方法。
1a:大熱膨張係数領域
1b:小熱膨張係数領域
1c:大熱膨張係数基板材
1d:小熱膨張係数基板材
2:電子走行層
3:電子供給層
4g:ゲート電極
4s:ソース電極
4d:ドレイン電極
11:基板
11a:サファイア基板材
11b:シリコン基板材
12:i−GaN層
13a:i−AlGaN層
13b:n−AlGaN層
14g:ゲート電極
14s:ソース電極
14d:ドレイン電極
31:バッファ層
41:基板
41a:サファイア基板材
41b:シリコン基板材
43:バッファ層
Claims (10)
- 基板と、
前記基板上方に形成された電子走行層と、
前記電子走行層上方に形成された電子供給層と、
を有し、
前記基板の表面に、
前記電子走行層よりも熱膨張係数が小さい第1の領域と、
前記電子走行層よりも熱膨張係数が大きい第2の領域と、
が混在することを特徴とする化合物半導体装置。 - 前記基板は、
前記電子走行層よりも熱膨張係数が小さい第1の基板材と、
前記第1の基板材上に設けられ、前記電子走行層よりも熱膨張係数が大きい第2の基板材と、
を有し、
前記第2の基板材に、前記第1の基板材を露出する開口部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体装置。 - 前記基板は、
前記電子走行層よりも熱膨張係数が大きい第2の基板材と、
前記第2の基板材上に設けられ、前記電子走行層よりも熱膨張係数が小さい第1の基板材と、
を有し、
前記第1の基板材に、前記第2の基板材を露出する開口部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体装置。 - 前記第1の基板材は、シリコン基板材であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
- 前記第2の基板材は、サファイア基板材であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
- 前記電子走行層は、窒化物半導体を含有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
- 前記第1の領域と前記第2の領域とが不規則に配置されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
- 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の化合物半導体装置を有することを特徴とする電源装置。
- 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の化合物半導体装置を有することを特徴とする高出力増幅器。
- 基板上方に電子走行層を形成する工程と、
前記電子走行層上方に電子供給層を形成する工程と、
を有し、
前記基板の表面に、
前記電子走行層よりも熱膨張係数が小さい第1の領域と、
前記電子走行層よりも熱膨張係数が大きい第2の領域と、
が混在することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
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