JP2012169441A - Adhesive sheet for wafer processing, marking method using that sheet and manufacturing method of marking chip - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ウエハ加工用粘着シートに関し、さらに詳しくは、半導体ウエハに直接、あるいは保護膜を有するウエハの保護膜側にレーザー光を照射して、ウエハ裏面あるいは保護膜に印字処理を施し、印字された半導体チップ（以下、「マーキングチップ」と呼ぶことがある）を得る際に、ウエハを保持するために用いられるウエハ加工用粘着シートに関する。また、本発明は、該ウエハ加工用粘着シートを用いたマーキング方法およびマーキングチップの製造方法に関する。 The present invention relates to an adhesive sheet for wafer processing, and more specifically, irradiates a semiconductor wafer with a laser beam directly or on a protective film side of a wafer having a protective film, and performs a printing process on the back surface of the wafer or the protective film. The present invention relates to a wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet used for holding a wafer when obtaining a manufactured semiconductor chip (hereinafter sometimes referred to as a “marking chip”). The present invention also relates to a marking method using the wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet and a marking chip manufacturing method.
近年、フェイスダウン方式と呼ばれる実装法を用いた半導体装置の製造法が行われている。この方法では、バンプ等の電極が形成された回路面を有するチップを実装する際に、チップの回路面側をリードフレーム等のチップ搭載部に接合している。したがって、回路が形成されていないチップ裏面側が露出する構造となる。 In recent years, a manufacturing method of a semiconductor device using a mounting method called a face-down method has been performed. In this method, when a chip having a circuit surface on which electrodes such as bumps are formed is mounted, the circuit surface side of the chip is bonded to a chip mounting portion such as a lead frame. Therefore, the structure is such that the back side of the chip where no circuit is formed is exposed.
このため、裏面側には、チップを保護するために、硬質の有機膜（以下「保護膜」とよぶ）が形成される場合が多い。保護膜には、当該チップの品番等を表示するため、印字が施される。マーキング法としては、保護膜にレーザー光を照射し、保護膜表面を削り取り、文字等を形成するレーザーマーキング法が一般化している。 For this reason, a hard organic film (hereinafter referred to as “protective film”) is often formed on the back surface side in order to protect the chip. The protective film is printed in order to display the product number of the chip. As a marking method, a laser marking method is generally used in which a protective film is irradiated with laser light, the surface of the protective film is scraped off, and letters are formed.
レーザー光によりマーキングを行う際には、マーキングされる面が平坦でなければレーザー光の焦点が合わず、良好なマーキング性を得られない。しかし、ウエハが薄型化した結果、ウエハが反り、レーザー光源と印字部との距離が一定せずレーザー光の集光が困難になり、マーキング性が低下し、印字を行えないという不具合が発生している。ウエハの反りの原因は、ウエハ自体が薄くなったことに加え、保護膜形成時に膜が収縮し、収縮力によってウエハが変形することなどが考えられている。 When marking with a laser beam, unless the surface to be marked is flat, the laser beam is not focused and good marking properties cannot be obtained. However, as a result of thinning of the wafer, the wafer is warped, the distance between the laser light source and the printing part is not constant, and it becomes difficult to focus the laser beam, marking performance is deteriorated, and printing cannot be performed. ing. The cause of the warpage of the wafer is considered to be that the film itself shrinks when the protective film is formed and the wafer is deformed by the shrinkage force in addition to the thinning of the wafer itself.
保護膜が形成されたウエハの反りを矯正するため、特許文献１（特開２００６−１４０３４８号公報）には、保護膜付ウエハに粘着シートを貼付し、該粘着シートの外周部をリングフレームで固定した上で、レーザー光によりマーキングするプロセスが提案されている。この方法では、保護膜付ウエハの保護膜側を粘着シートに貼付し、粘着シート側からレーザー光を照射してマーキングしている。この方法によれば、ウエハの反りが粘着シートにより矯正されるため、ウエハが平坦に維持され、レーザー光を用いたマーキング性が向上する。 In order to correct the warpage of the wafer on which the protective film is formed, in Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2006-140348), an adhesive sheet is attached to the wafer with the protective film, and the outer peripheral portion of the adhesive sheet is covered with a ring frame. A process of marking with a laser beam after fixing is proposed. In this method, the protective film side of a wafer with a protective film is attached to an adhesive sheet, and marking is performed by irradiating a laser beam from the adhesive sheet side. According to this method, since the warpage of the wafer is corrected by the adhesive sheet, the wafer is maintained flat and the marking performance using laser light is improved.
しかし、上記特許文献１の方法では、保護膜付ウエハの保護膜側を粘着シートに貼付し、粘着シート側からレーザー光を照射してマーキングしている。レーザー光は粘着シートを透過し、レーザー光が保護膜表面を削り取ることでマーキングされる。この際、保護膜表面からは保護膜の熱分解物が放出され、その一部がガスとなる。
However, in the method of
発生したガスは、保護膜と粘着シートとの界面に溜まり、再度固体化してレーザーマーキングされた保護膜表面に汚染物質として残着することがある。このような汚染物質は得られる半導体装置の機能を損なうおそれがある。 The generated gas accumulates at the interface between the protective film and the pressure-sensitive adhesive sheet, and may solidify again and remain as a contaminant on the surface of the protective film that has been laser-marked. Such contaminants may impair the function of the resulting semiconductor device.
また、上記のような不具合は、半導体ウエハの裏面側を粘着シートに貼付し、粘着シート側からウエハ裏面に直接レーザー光を照射してマーキングを行う際にも発生し、この場合には、シリコンなどのウエハ材料が昇華してガスとなり、これがウエハに再付着してウエハの性能を損なうことがある。 In addition, the above-mentioned problems also occur when the back side of a semiconductor wafer is attached to an adhesive sheet, and marking is performed by direct laser irradiation from the adhesive sheet side to the back side of the wafer. In some cases, the wafer material sublimates and becomes gas, which reattaches to the wafer and impairs the performance of the wafer.
本発明は上記のような従来技術に鑑みてなされたものであり、半導体ウエハの裏面側、あるいは保護膜付ウエハの保護膜側を粘着シートに貼付し、粘着シート側からレーザー光を照射してウエハ裏面あるいは保護膜にマーキングする際に、ウエハや保護膜の熱分解によって発生するガス状の汚染物質を効率よく除去し、マーキング適性の低下や、半導体装置の汚染を防止しうるウエハ加工用粘着シートを提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of the prior art as described above. The back side of a semiconductor wafer or the protective film side of a wafer with a protective film is attached to an adhesive sheet, and laser light is irradiated from the adhesive sheet side. Adhesive for wafer processing that can efficiently remove gaseous pollutants generated by thermal decomposition of wafers and protective films when marking on the backside of the wafer or protective films, and prevent deterioration of marking suitability and contamination of semiconductor devices The purpose is to provide a seat.
上記課題を解決する本発明は、下記の要旨を含む。
（１）貫通孔を有し、波長５３２ｎｍおよび１０６４ｎｍの光透過率が７０％以上であるウエハ加工用粘着シート。
The present invention for solving the above problems includes the following gist.
(1) A wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet having through holes and having a light transmittance of 70% or more at wavelengths of 532 nm and 1064 nm.
（２）貫通孔の開口径が５〜５００μｍである（１）に記載のウエハ加工用粘着シート。 (2) The wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet according to (1), wherein the opening diameter of the through hole is 5 to 500 μm.
（３）貫通孔の間隔が０．５〜５ｍｍである（１）または（２）に記載のウエハ加工用粘着シート。 (3) The adhesive sheet for wafer processing according to (1) or (2), wherein the interval between the through holes is 0.5 to 5 mm.
（４）貫通孔による開口率が0.0001％〜５％である（１）〜（３）の何れかに記載のウエハ加工用粘着シート。 (4) The wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet according to any one of (1) to (3), wherein an opening ratio due to the through hole is 0.0001% to 5%.
（５）リングフレームに張設された（１）〜（４）の何れかに記載のウエハ加工用粘着シートに、表面に回路を有し裏面に保護膜を有する半導体ウエハが、該保護膜を介して剥離可能に貼付された積層状態において、
該ウエハ加工用粘着シート側から波長５３２ｎｍまたは１０６４ｎｍのレーザー光を照射し、保護膜にマーキングする、マーキング方法。
(5) A semiconductor wafer having a circuit on the front surface and a protective film on the back surface of the wafer processing adhesive sheet according to any one of (1) to (4) stretched on the ring frame, the protective film In the laminated state pasted so as to be peeled through,
A marking method in which a protective film is marked by irradiating a laser beam having a wavelength of 532 nm or 1064 nm from the wafer processing adhesive sheet side.
（６）リングフレームに張設された（１）〜（４）の何れかに記載のウエハ加工用粘着シートに、表面に回路を有する半導体ウエハの裏面側が剥離可能に貼付された積層状態において、
該ウエハ加工用粘着シート側から波長５３２ｎｍまたは１０６４ｎｍのレーザー光を照射し、ウエハ裏面にマーキングする、マーキング方法。
(6) In the laminated state in which the back side of the semiconductor wafer having a circuit on the surface is detachably attached to the wafer processing adhesive sheet according to any one of (1) to (4) stretched on the ring frame,
A marking method in which a laser beam having a wavelength of 532 nm or 1064 nm is irradiated from the wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet side to mark the back surface of the wafer.
（７）上記（５）または（６）に記載のマーキング方法にてマーキングした後、
ウエハを回路毎にダイシングする工程を含む、マーキングチップの製造方法。
(7) After marking by the marking method described in (5) or (6) above,
A marking chip manufacturing method including a step of dicing a wafer for each circuit.
本発明においては、ウエハ加工用粘着シートに貼付された半導体ウエハに対して、該粘着シート越しにレーザー光を照射してマーキングを行う際に発生するガス成分等の汚染物質を、該粘着シートに設けられた貫通孔を通して除去している。したがって、ウエハと粘着シートとの界面にガス成分等が溜まることがなく、汚染物質が除去されるため、得られる半導体装置の汚染も低減される。 In the present invention, contaminants such as gas components generated when marking is performed by irradiating a laser beam through the adhesive sheet to the semiconductor wafer attached to the wafer processing adhesive sheet. It is removed through the provided through hole. Therefore, gas components and the like do not accumulate at the interface between the wafer and the adhesive sheet, and contaminants are removed, so that contamination of the resulting semiconductor device is also reduced.
以下、本発明に係るウエハ加工用粘着シート、該シートを用いたマーキング方法およびマーキングチップの製造方法について、添付図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, an adhesive sheet for wafer processing according to the present invention, a marking method using the sheet, and a manufacturing method of a marking chip will be described with reference to the accompanying drawings.
＜ウエハ加工用粘着シート＞
本発明に係るウエハ加工用粘着シートは、貫通孔を有し、所定の光透過性を有する。ウエハ加工用粘着シートのその他の構造は特に限定はされず、ウエハのマーキング処理を施す工程においてウエハに密着し、ウエハを平坦に維持できる程度の接着力を有するものであればよい。ウエハ加工用粘着シートは、単層のシート状粘着剤であってもよく、また基材上に粘着剤層が設けられた粘着シートであってもよい。図１には、基材１上に粘着剤層２が設けられたウエハ加工用粘着シート１０の概略断面図を示した。
<Adhesive sheet for wafer processing>
The pressure-sensitive adhesive sheet for wafer processing according to the present invention has a through hole and has a predetermined light transmittance. The other structure of the wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet is not particularly limited as long as it has an adhesive force sufficient to be in close contact with the wafer and maintain the wafer flat in the wafer marking process. The wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet may be a single-layer sheet-like pressure-sensitive adhesive, or may be a pressure-sensitive adhesive sheet in which a pressure-sensitive adhesive layer is provided on a substrate. In FIG. 1, the schematic sectional drawing of the
本発明に係るウエハ加工用粘着シートは、後述する利用方法のように、ウエハの裏面に直接、または裏面上に形成された保護膜にマーキングを行う際に、ウエハの反りを矯正するマーキング時のウエハ矯正用シートとして用い、またはその前後に行われるダイシングでのウエハの固定を行うためのダイシングシートをも兼ねた、マーキング時のウエハ矯正用およびダイシングシートとして用いることができる。 The pressure-sensitive adhesive sheet for wafer processing according to the present invention is used for marking to correct warping of a wafer when marking directly on the back surface of the wafer or on a protective film formed on the back surface, as in the method of use described later. It can be used as a wafer correction sheet or as a dicing sheet for marking, which also serves as a dicing sheet for fixing a wafer by dicing performed before and after that.
本発明に係るウエハ加工用粘着シート１０は、図１に示したように、シートの粘着剤層の露出面から基材の背面までを貫通する多数の貫通孔３が形成されてなることを特徴としている。貫通孔３が形成されていることで、シート１０がガス透過性を有する。
As shown in FIG. 1, the wafer processing pressure-sensitive
各貫通孔３の開口径は、粘着剤層の表面側で、好ましくは５〜５００μｍ、さらに好ましくは１０〜２００μｍ、特に好ましくは３０〜１００μｍの範囲にある。開口径が小さすぎる場合には、ガスの放出性が低くなり、レーザーマーキング時に発生するガス成分がウエハと粘着シートとの界面に溜まりウエハ汚染物質が残ることがある。また、開口径が大きすぎる場合には、後工程において、ウエハを回路毎にダイシングする際に、熱や切削屑を除去するためにウエハに噴霧される切削水が、ウエハと粘着シート１０との界面に浸入し、ウエハ裏面を汚損するおそれがある。
The opening diameter of each through-
また、隣接する貫通孔同士の間隔（ピッチ）は、貫通孔間の平均距離で、好ましくは０．５〜５ｍｍ、さらに好ましくは１〜３ｍｍの範囲にある。ピッチが広すぎると十分なガス放出性が得られないことがあり、またピッチが狭すぎると、開口径が大きい場合に、次に述べる開口率が過度に高くなってしまい、粘着シート１０の強度が低下し、使用中などに破損するおそれがある。
Moreover, the space | interval (pitch) between adjacent through-holes is an average distance between through-holes, Preferably it is 0.5-5 mm, More preferably, it exists in the range of 1-3 mm. If the pitch is too wide, sufficient gas releasing properties may not be obtained. If the pitch is too narrow, the aperture ratio described below becomes excessively high when the aperture diameter is large, and the strength of the pressure-sensitive
また、粘着シート１０の開口率は、粘着剤層の表面側で、好ましくは０．０００１％〜５％、さらに好ましくは０．００１〜２．５％、特に好ましくは０．０１〜０．５％の範囲にある。開口率が低すぎると十分なガス放出性が得られないことがあり、また開口率が高すぎると切削水によりウエハ裏面が汚損されるおそれがあり、また、粘着シート１０の強度が低下し、使用中などに破損するおそれがある。なお、開口率は、粘着シート１０の粘着剤層表面における単位面積あたりに存在する貫通孔の総面積から算出される。
The opening ratio of the pressure-sensitive
また、本発明に係るウエハ加工用粘着シートは、波長５３２ｎｍおよび１０６４ｎｍの光透過率が７０％以上であり、好ましくは７５％以上、さらに好ましくは８０〜１００％である。レーザーマーキング時には、一般に、波長５３２ｎｍまたは１０６４ｎｍのレーザー光が用いられる。本発明のウエハ加工用粘着シートは、レーザーマーキングに用いられるレーザー光の透過性が高いため、粘着シート側からレーザー光を照射しても粘着シートによるレーザー光の減衰が少なく、十分な強度のレーザー光でマーキングを行うことができる。 The pressure-sensitive adhesive sheet for wafer processing according to the present invention has a light transmittance at wavelengths of 532 nm and 1064 nm of 70% or more, preferably 75% or more, and more preferably 80 to 100%. In laser marking, a laser beam having a wavelength of 532 nm or 1064 nm is generally used. Since the pressure-sensitive adhesive sheet for wafer processing of the present invention has high transmittance of laser light used for laser marking, the laser beam is not attenuated by the pressure-sensitive adhesive sheet even when laser light is irradiated from the pressure-sensitive adhesive sheet side, and a sufficiently strong laser Marking can be performed with light.
上記のような高い光透過性は、ウエハ加工用粘着シート１０の厚みや材質を適宜に選択することで達成でき、たとえば図１に示したような基材１と粘着剤層２とからなる粘着シート１０においては、基材１および粘着剤層２の厚みや材質を適宜に選択すればよい。粘着剤層は、適度な再剥離性があればその種類は特定されず、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ウレタン系、ビニルエーテル系などの汎用粘着剤から形成されてもよい。また、マーキング工程の後に、ウエハ加工用粘着シートからマーキングチップが剥離しやすくなるように、粘着剤層は紫外線照射により粘着力が激減する紫外線硬化型粘着剤からなることが好ましい。粘着剤層も単層であっても複層であってもよい。一般に粘着剤層は、厚みが３〜１５０μｍ程度であり、より好ましくは、５〜１００μｍである。このような汎用粘着剤や紫外線硬化型粘着剤の材質の多くは紫外・可視領域の光線の透過性が高く、光線の透過性以外の観点から適宜選択できる。
The high light transmittance as described above can be achieved by appropriately selecting the thickness and material of the wafer processing pressure-
基材１としては、波長５３２ｎｍおよび１０６４ｎｍの光に対する粘着シートの光透過率が７０％以上であれば特に限定はされないが、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム等の透明フィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。
The
基材１の厚みは、好ましくは１〜３００μｍ、さらに好ましくは１０〜２００μｍ、特に好ましくは３０〜１５０μｍの範囲にある。基材１の厚みが厚すぎる場合には、光透過率が低くなる場合がある。
The thickness of the
ウエハ加工用粘着シート１０は、上記のような基材および粘着剤層からなる粘着シートに貫通孔を形成して得られる。加工対象となる粘着シートは、たとえばダイシングシートとして市販されている各種の粘着シートが用いられうる。しかしながら、市販ダイシングシートにおいては、一般に視認性を向上するため基材に青色顔料が配合されていることが多い。青色に着色された樹脂フィルムは、波長５３２ｎｍまたは１０６４ｎｍの光に対する吸収性が高く、マーキング性が損なわれることがある。したがって、市販のダイシングシートを穿孔して本発明のウエハ加工用粘着シートを得る場合には、顔料を実質的に含有しないダイシングシートから選択することが好ましい。
The wafer processing pressure-
貫通孔の穿孔方法は特に限定はされず、たとえば細い針を突き刺して貫通孔を形成してもよいが、レーザー穿孔加工によることが簡便であり好ましい。この場合に使用するレーザーは、基材１および粘着剤層２を熱分解しうる程度の強度および波長を有する必要がある。したがって、たとえば波長１０．６μｍ程度の赤外線レーザーが好ましく用いられる。
The method of drilling the through hole is not particularly limited. For example, a thin needle may be pierced to form the through hole, but laser drilling is simple and preferable. The laser used in this case needs to have an intensity and a wavelength that can thermally decompose the
＜粘着シートの利用方法＞
次に、本発明のウエハ加工用粘着シートの利用方法について、該シートを用いたマーキング方法およびマーキングチップの製造方法を例にとり図２を参照しながら説明する。
<Usage of adhesive sheet>
Next, a method of using the pressure-sensitive adhesive sheet for wafer processing according to the present invention will be described with reference to FIG.
本発明のマーキング方法では、表面に回路を有する半導体ウエハ１１を準備する。回路面には、バンプと呼ばれる凸状電極が設けられていてもよい。また、回路面とは反対面（裏面）には保護膜１２が形成されていてもよい。本発明のマーキング方法では、上記のような半導体ウエハ１１の裏面に直接、または保護膜１２が形成されている場合には保護膜１２に、レーザー光を照射してマーキングを行う。 In the marking method of the present invention, a semiconductor wafer 11 having a circuit on its surface is prepared. Convex electrodes called bumps may be provided on the circuit surface. Moreover, the protective film 12 may be formed on the surface (back surface) opposite to the circuit surface. In the marking method of the present invention, marking is performed by irradiating the protective film 12 with laser light directly or when the protective film 12 is formed on the back surface of the semiconductor wafer 11 as described above.
保護膜１２の形成方法は特に限定はされず、たとえば半導体ウエハ１１の裏面にエポキシ樹脂やエネルギー線硬化性樹脂などの硬化性樹脂を塗工し、これを硬化して保護膜を形成してもよく、またたとえば特許文献１（特開２００６−１４０３４８号公報）、特開２０１０−１３５６２１号公報、特開２００８−２４８１２９号公報、特開２００８−２４８１２８号公報、特開２００８−０７２１０８号公報、特開２００７−２６１０３５号公報、特開２００４−２１４２８８号公報、特開２００２−２８０３２９等に記載の方法に準じて保護膜を得ることができる。 The method of forming the protective film 12 is not particularly limited. For example, a protective film may be formed by applying a curable resin such as an epoxy resin or an energy ray curable resin to the back surface of the semiconductor wafer 11 and curing the resin. Well, for example, Patent Document 1 (Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2006-140348), Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2010-135621, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2008-248129, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2008-248128, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2008-072108, A protective film can be obtained according to the methods described in Japanese Unexamined Patent Application Publication Nos. 2007-26135, 2004-214288, 2002-280329, and the like.
次いで、リングフレーム１３に張設されたウエハ加工用粘着シート１０に、半導体ウエハ１１が剥離可能に貼付された積層状態とする。この積層状態を実現する方法は特に限定はされず、ウエハ加工用粘着シート１０の外周部をリングフレーム１３に固定した後に、ウエハ加工用粘着シート１０の中央部に半導体ウエハ１１を貼付してもよく、またウエハ加工用粘着シート１０に半導体ウエハ１１を貼付した後に、ウエハ加工用粘着シート１０の外周部をリングフレーム１３に固定してもよい。
Next, the wafer processing pressure-
なお、半導体ウエハ１１をウエハ加工用粘着シート１０に貼付する際には、裏面に保護膜１２を有する半導体ウエハの場合には、保護膜側を粘着シート１０に貼付し、保護膜が形成されていない半導体ウエハの場合には、裏面側を直接半導体ウエハ１０に貼付する。図２には、保護膜１２を有する半導体ウエハ１１がウエハ加工用粘着シート１０に貼付された状態を示した。
When the semiconductor wafer 11 is affixed to the wafer processing
本発明のマーキング方法では、このような状態で、ウエハ加工用粘着シート１０の下面側に配置されたレーザー光源１４からのレーザー光照射によってウエハ１１の下面または保護膜１２の下面を削り取ることでウエハ裏面または保護膜２に品番等をマーキングする。なお、マーキングは、後にダイシングにより切断分離されることとなる領域ごとに区分されたウエハ１１表面の各回路パターンの位置に対応したパターンでウエハ裏面に形成される。マーキングを施すためのレーザー光としては、ＹＡＧレーザーなどを用いることができ、ＹＡＧレーザーは、通常波長１０６４ｎｍの赤外線や波長５３２ｎｍの緑色光として発せられる。
In such a state, the marking method of the present invention scrapes the lower surface of the wafer 11 or the lower surface of the protective film 12 by laser beam irradiation from the
元々反りのあるウエハであっても、外周がリングフレームに固定されたウエハ加工用粘着シート１０にウエハを保持することでそのような反りは矯正されウエハは平坦に維持される。したがって、レーザー光の焦点は正確に定まり、精度よくマーキングを行える。
Even if the wafer is originally warped, the warpage is corrected by holding the wafer on the wafer processing
その後、半導体ウエハ１１を回路毎にダイシングしてマーキングされた半導体チップが得られる。ダイシングは、保護膜を有するウエハの場合には、ウエハ１１と保護膜１２を共に切断するように行われる。その後、各チップはコレット等の汎用手段によりピックアップすることで、裏面または保護膜に印字されたマーキングチップが得られる。 Thereafter, a semiconductor chip marked by dicing the semiconductor wafer 11 for each circuit is obtained. In the case of a wafer having a protective film, dicing is performed so as to cut the wafer 11 and the protective film 12 together. Thereafter, each chip is picked up by a general-purpose means such as a collet to obtain a marking chip printed on the back surface or the protective film.
なお、ダイシングを行うタイミングは、特に限定されず、マーキングを行う前後のいずれでもよい。マーキング後にダイシングを行うと、ダイシングによるチップのずれによるマーキングの精度の低下が起こらず好ましい。また、上記した各工程の間にさらに別の工程を行うこともできる。いずれの工程であっても、ウエハは反ることなく平坦に保持されているので、各工程作業、工程間の移動、搬送、収納など全ての操作を効率よく円滑に行うことができる。 In addition, the timing which performs dicing is not specifically limited, Any before and after performing marking may be sufficient. If dicing is performed after marking, the marking accuracy is not lowered due to chip displacement due to dicing, which is preferable. Moreover, another process can also be performed between each process mentioned above. In any process, since the wafer is held flat without warping, all operations such as each process operation, movement between processes, transfer, and storage can be performed efficiently and smoothly.
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
なお、以下の実施例および比較例において、各種評価は次の方法で行った。 In the following examples and comparative examples, various evaluations were performed by the following methods.
＜物性評価＞
（光透過率）
実施例および比較例で作成した粘着シートを、UV-visスペクトル検査装置(島津製作所製)を用いて532nmおよび1064nmの波長における光透過率を測定した。
<Physical property evaluation>
(Light transmittance)
The light transmittance at wavelengths of 532 nm and 1064 nm of the pressure-sensitive adhesive sheets prepared in Examples and Comparative Examples was measured using a UV-vis spectrum inspection apparatus (manufactured by Shimadzu Corporation).
（ガス抜け性）
レーザーマーキング後に、ウエハと粘着シートとの界面にレーザー照射により発生したガスが滞留しているか否かを目視にて確認した。
(Gas release)
After the laser marking, it was visually confirmed whether or not the gas generated by laser irradiation was retained at the interface between the wafer and the adhesive sheet.
（水侵入）
ダイシング後、ウエハと粘着シートとの界面において、切削水の侵入の有無を目視にて確認した。
(Water intrusion)
After dicing, the presence or absence of intrusion of cutting water was visually confirmed at the interface between the wafer and the adhesive sheet.
（視認性）
チップをピックアップした後、マーキングされた文字をCCDカメラにて、読み取りが可能か否かを確認した。
(Visibility)
After picking up the chip, it was confirmed whether the marked characters could be read with a CCD camera.
（残渣物確認）
チップをピックアップした後、顕微鏡によりチップおよび保護膜層上での残渣物の有無を確認した。
(Residue confirmation)
After picking up the chip, the presence or absence of residue on the chip and the protective film layer was confirmed by a microscope.
＜保護膜付ウエハの作成＞
また、実施例および比較例で使用した保護膜付ウエハは以下のように準備した。
（保護膜形成用シート）
Ａｄｗｉｌｌ ＬＣ２８５０（２５）（リンテック株式会社製）を用いた。
<Creation of wafer with protective film>
Moreover, the wafer with a protective film used by the Example and the comparative example was prepared as follows.
(Protective film forming sheet)
Adwill LC2850 (25) (manufactured by Lintec Corporation) was used.
（半導体ウエハ）
６インチ未研磨シリコンウエハを研削装置（ディスコ社製、ＤＦＧ−８４０）を
用いて＃２０００で１５０μｍ厚とした半導体ウエハを用いた。
（保護膜の形成）
保護膜形成用シートを、半導体ウエハの研磨面に貼付し、半導体ウエハの外周に沿って切断し、シートの外周部を除去した。次いで、保護膜形成層を有するウエハを１３０℃で二時間加熱し、保護膜形成層を硬化して、保護膜付ウエハを得た。
(Semiconductor wafer)
A 6-inch unpolished silicon wafer was used as a semiconductor wafer having a thickness of 150 μm by # 2000 using a grinding apparatus (DFG-840 manufactured by Disco Corporation).
(Formation of protective film)
The protective film-forming sheet was attached to the polished surface of the semiconductor wafer and cut along the outer periphery of the semiconductor wafer to remove the outer peripheral portion of the sheet. Next, the wafer having the protective film forming layer was heated at 130 ° C. for 2 hours to cure the protective film forming layer to obtain a wafer with a protective film.
（実施例１）
＜粘着シート＞
粘着シートとして、ダイシングテープであるＡｄｗｉｌｌ Ｄ−６７６（リンテック株式会社製）を用いた。
Example 1
<Adhesive sheet>
As the pressure-sensitive adhesive sheet, Adwill D-676 (manufactured by Lintec Corporation), which is a dicing tape, was used.
＜粘着シートの穿孔＞
炭酸ガス（ＣＯ２）レーザー加工装置（松下電器製、ＹＢ−ＨＣＳ０３Ｔ０４、波長１０．６μｍ）を用いて、上記で作製した粘着シートの粘着剤層側からレーザーを入射し、粘着剤面において開口径４５μｍ、間隔２ｍｍとなるように貫通孔を形成し、貫通孔を有するウエハ加工用粘着シートを作成した。光透過率の測定結果を表１に示す。
<Perforation of adhesive sheet>
Using a carbon dioxide gas (CO 2 ) laser processing apparatus (manufactured by Matsushita Electric, YB-HCS03T04, wavelength 10.6 μm), a laser is incident from the pressure-sensitive adhesive layer side of the pressure-sensitive adhesive sheet prepared above, and the opening diameter on the pressure-sensitive adhesive surface Through-holes were formed so as to have an interval of 45 μm and an interval of 2 mm, and an adhesive sheet for wafer processing having through-holes was prepared. Table 1 shows the measurement results of light transmittance.
＜レーザーマーキング＞
上記で作成したウエハ加工用粘着シートを、半導体ウエハ（保護膜なし）の研磨面に貼付し、粘着シートの外周部をリングフレームで固定した。次いで、ＹＡＧレーザーマーカー（日立建機ファインテック（株）製、ＬＭ５０００、レーザー波長：５３２ｎｍ）によりウエハ加工用粘着シート側からレーザー光を照射し、縦４００μｍ、横２００μｍの文字をマーキングした。ガス抜け性の評価結果を表２に示す。
<Laser marking>
The wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet prepared above was attached to the polished surface of a semiconductor wafer (without a protective film), and the outer periphery of the pressure-sensitive adhesive sheet was fixed with a ring frame. Next, a YAG laser marker (manufactured by Hitachi Construction Machinery Finetech Co., Ltd., LM5000, laser wavelength: 532 nm) was irradiated with laser light from the wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet side to mark characters 400 μm in length and 200 μm in width. Table 2 shows the evaluation results of gas release properties.
＜マーキングチップの製造＞
ダイシング装置(DISCO社製,DFD-651)を使用して８ｍｍ×８ｍｍのチップサイズにダイシングした。水浸入の評価結果を表２に示す。次いで、紫外線照射装置（Ａｄｗｉｌｌ ＲＡＤ−２０００ｍ／８、リンテック株式会社製）を用いて、紫外線照射（２３０ｍＷ／ｃｍ２、１９０ｍＪ／ｃｍ２）を行った。次いで、ダイボンダー(キャノンマシナリー社製、BESTEM-D02)を用いてチップをピックアップし、マーキングチップを得た。視認性、残渣物の有無の評価結果を表２に示す。
<Manufacture of marking chips>
Dicing was performed using a dicing machine (DISCO, DFD-651) to a chip size of 8 mm × 8 mm. Table 2 shows the evaluation results of water penetration. Then, an ultraviolet irradiation device (Adwill RAD-2000m / 8, manufactured by LINTEC Corporation) was used to perform the emission of the ultraviolet light (230mW / cm 2, 190mJ / cm 2). Next, a chip was picked up using a die bonder (BESTEM-D02, manufactured by Canon Machinery Co., Ltd.) to obtain a marking chip. Table 2 shows the evaluation results of visibility and presence / absence of residue.
（実施例２）
半導体ウエハ（保護膜なし）に代えて、保護膜付半導体ウエハを用い、ウエハの保護膜側をウエハ加工用粘着シートに貼付し、保護膜にマーキングした他は、実施例１と同様とした。結果を表１および表２に示す。
(Example 2)
A semiconductor wafer with a protective film was used in place of the semiconductor wafer (no protective film), the protective film side of the wafer was affixed to a wafer processing adhesive sheet, and the protective film was marked. The results are shown in Tables 1 and 2.
（実施例３）
ウエハ加工用粘着シートに形成する貫通孔の開口径を３μmとした以外は実施例１と同様とした。結果を表１および表２に示す。
(Example 3)
The same procedure as in Example 1 was performed except that the opening diameter of the through hole formed in the wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet was set to 3 μm. The results are shown in Tables 1 and 2.
（実施例４）
ウエハ加工用粘着シートに形成する貫通孔の開口径を６００μmとした以外は実施例１と同様とした。結果を表１および表２に示す。
Example 4
The same procedure as in Example 1 was performed except that the opening diameter of the through hole formed in the wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet was 600 μm. The results are shown in Tables 1 and 2.
（実施例５）
ウエハ加工用粘着シートに形成する貫通孔の間隔を６．０ｍｍとした以外は実施例１と同様とした。結果を表１および表２に示す。
(Example 5)
The procedure was the same as Example 1 except that the interval between the through holes formed in the wafer processing adhesive sheet was 6.0 mm. The results are shown in Tables 1 and 2.
（比較例１）
粘着シートを、厚さ１００μｍの青色顔料含有ポリオレフィン系フィルム上に、アクリル酸２−ヒドロキシエチル２５重量部、アクリル酸ブチル４０重量部、酢酸ビニル３０重量部、アクリル酸４−ヒドロキシブチル３重量部、アクリル酸０．５重量部を共重合してなる重量平均分子量８０万の共重合体１００重量部に対して、有機多価イソシアナート架橋剤（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ）固形分６．５重量部を添加したアクリル系粘着剤からなる粘着剤層（厚さ１０μｍ）を設けたものに変更し、ダイシング後に紫外線照射を行わなかった以外は、実施例１と同様とした。結果を表１および表２に示す。
(Comparative Example 1)
The pressure-sensitive adhesive sheet was placed on a 100 μm-thick blue pigment-containing polyolefin film, 25 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate, 40 parts by weight of butyl acrylate, 30 parts by weight of vinyl acetate, 3 parts by weight of 4-hydroxybutyl acrylate, An organic polyvalent isocyanate cross-linking agent (Coronate L, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) solid content of 6.5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of a copolymer having a weight average molecular weight of 800,000 obtained by copolymerizing 0.5 parts by weight of acrylic acid It changed into what provided the adhesive layer (
（比較例２）
ウエハ加工用粘着シートに貫通孔を設けず、そのまま使用した以外は実施例１と同様とした。結果を表１および表２に示す。
A wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet was the same as Example 1 except that no through hole was provided and the wafer processing adhesive sheet was used as it was. The results are shown in Tables 1 and 2.
１０：ウエハ加工用粘着シート
１：基材
２：粘着剤層
３：貫通孔
１１：半導体ウエハ
１２：保護膜
１３：リングフレーム
１４：レーザー光源
10: Adhesive sheet for wafer processing 1: Base material 2: Adhesive layer 3: Through hole 11: Semiconductor wafer 12: Protective film 13: Ring frame 14: Laser light source
Claims (7)
該ウエハ加工用粘着シート側から波長５３２ｎｍまたは１０６４ｎｍのレーザー光を照射し、保護膜にマーキングする、マーキング方法。 The wafer processing adhesive sheet according to any one of claims 1 to 4 stretched on a ring frame, wherein a semiconductor wafer having a circuit on the front surface and a protective film on the back surface is peelable through the protective film In the affixed laminated state,
A marking method in which a protective film is marked by irradiating a laser beam having a wavelength of 532 nm or 1064 nm from the wafer processing adhesive sheet side.
該ウエハ加工用粘着シート側から波長５３２ｎｍまたは１０６４ｎｍのレーザー光を照射し、ウエハ裏面にマーキングする、マーキング方法。 In the laminated state in which the back side of the semiconductor wafer having a circuit on its surface is detachably attached to the wafer processing adhesive sheet according to any one of claims 1 to 4 stretched on a ring frame,
A marking method in which a laser beam having a wavelength of 532 nm or 1064 nm is irradiated from the wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet side to mark the back surface of the wafer.
ウエハを回路毎にダイシングする工程を含む、マーキングチップの製造方法。 After marking by the marking method according to claim 5 or 6,
A marking chip manufacturing method including a step of dicing a wafer for each circuit.
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