JP2002270560A - Method for working wafer - Google Patents
Method for working waferInfo
- Publication number
- JP2002270560A JP2002270560A JP2001063601A JP2001063601A JP2002270560A JP 2002270560 A JP2002270560 A JP 2002270560A JP 2001063601 A JP2001063601 A JP 2001063601A JP 2001063601 A JP2001063601 A JP 2001063601A JP 2002270560 A JP2002270560 A JP 2002270560A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- sensitive adhesive
- pressure
- adhesive layer
- adhesive sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ裏面
の研削工程およびダイシング工程を同一の粘着シートを
用いて行い得るウエハの加工方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer processing method capable of performing a grinding step and a dicing step on the back surface of a semiconductor wafer by using the same adhesive sheet.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスは、一般にウエハの表面
に回路を形成した後、裏面側を所定の厚さまで研削し、
ダイシングにより回路ごとに切断分離して製造されてい
る。近年ウエハは生産効率の向上のため大面積になり、
また実装効率のよい小デバイスを製造するため、厚さを
極薄に研削するようになっている。このため従来の製造
工程では、研削加工後のウエハを次の工程まで搬送する
間に、ウエハが破壊することが多くなっている。2. Description of the Related Art Semiconductor devices generally form a circuit on the front surface of a wafer and then grind the back surface to a predetermined thickness.
It is manufactured by cutting and separating each circuit by dicing. In recent years, wafers have become larger to improve production efficiency.
Further, in order to manufacture a small device with high mounting efficiency, the thickness is ground to an extremely small thickness. For this reason, in the conventional manufacturing process, the wafer is frequently broken while the wafer after the grinding process is transported to the next process.
【０００３】これに対し、特開平６−３０２５６９号公
報や特開平１１−４５８６６号公報では、図６に示すよ
うな技術が提案されている。この技術としては、ウエハ
２１を片面粘着シート１６を介してフレーム２２に保持
し、フレーム２２に保持されたウエハを研削装置の吸着
テーブル２３に固定してウエハ２１を研削し、フレーム
２２に固定されたままウエハ２１を次の工程に搬送する
工程からなっている。この技術によればフレームのみを
支えているため、片面粘着シート１６を介して固定され
るウエハ２１には搬送時に直接負荷がかかることはない
ので、ウエハが破損するおそれが小さくなる。On the other hand, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 6-302569 and 11-45866 propose a technique as shown in FIG. As this technique, the wafer 21 is held on a frame 22 via a single-sided adhesive sheet 16, the wafer held on the frame 22 is fixed to a suction table 23 of a grinding device, and the wafer 21 is ground. The process comprises a step of transporting the wafer 21 to the next step while keeping it as it is. According to this technique, since only the frame is supported, a load is not directly applied to the wafer 21 fixed via the single-sided adhesive sheet 16 at the time of transfer, so that the possibility that the wafer is damaged is reduced.
【０００４】ところが、フレーム２２はウエハ２１より
も厚いため、研削するグラインダーＧの砥石がフレーム
２２に接触しないようフレーム２２の高さをウエハ２１
の高さより引き下げている。このとき片面粘着シート１
６は引き伸ばされているため、研削終了後に、引き伸ば
された部分が完全に元の寸法には戻らず、搬送または次
の工程で弛みとなってしまう。このような弛みは搬送の
際に他の部材に接触してしまったり、次の工程でウエハ
の位置ズレの原因となってしまう。また極薄の厚さに加
工されたウエハは、回路形成の過程で内部応力が蓄積さ
れており、片面粘着シートに弛みがあればウエハに反り
が発生してしまい、次の工程でのウエハの加工精度の低
下となってしまう可能性があった。However, since the frame 22 is thicker than the wafer 21, the height of the frame 22 is adjusted so that the grindstone of the grinder G to be ground does not contact the frame 22.
Lower than the height. At this time, the single-sided adhesive sheet 1
Since 6 has been stretched, the stretched portion does not completely return to its original size after the completion of the grinding, and is loosened in the transport or the next step. Such looseness comes into contact with other members at the time of transfer, or causes a positional shift of the wafer in the next step. Also, the wafer processed to an extremely thin thickness has accumulated internal stress during the circuit formation process, and if the single-sided adhesive sheet is loosened, the wafer will be warped. There was a possibility that the processing accuracy would be reduced.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来技術に鑑みてなされたものであって、リングフレ
ームに張設された粘着シート上にウエハを保持した状態
でウエハの裏面研削を行え、かつこれに続くダイシング
をも行い得る半導体ウエハの加工方法を提供することを
目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned prior art, and has been made in consideration of the above-mentioned prior art, and has been described in connection with a wafer backside grinding while holding the wafer on an adhesive sheet stretched on a ring frame. It is an object of the present invention to provide a method for processing a semiconductor wafer which can perform the following dicing and can also perform the subsequent dicing.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体ウエ
ハの加工方法は、上面側にウエハ固定用の第１の粘着剤
層を、下面側外周にフレーム固定用の第２の粘着剤層を
有し、下面側内部領域に非粘着部を有するウエハ加工用
の両面粘着シートを用いて、第１の粘着剤層にウエハの
回路面を、第２の粘着剤層にフレームを貼付し、該両面
粘着シートの下面側内部領域の非粘着部を吸着テーブル
に対置させてウエハを吸着固定し、ウエハの裏面側の研
削を行うことを特徴としている。According to a method of processing a semiconductor wafer according to the present invention, a first pressure-sensitive adhesive layer for fixing a wafer is provided on an upper surface side, and a second pressure-sensitive adhesive layer for fixing a frame is provided on an outer periphery of a lower surface side. Using a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet for wafer processing having a non-adhesive part in the lower surface side internal area, a circuit surface of the wafer is attached to the first adhesive layer, and a frame is attached to the second adhesive layer. The non-adhesive portion in the lower surface side internal region of the double-sided adhesive sheet is opposed to the adsorption table to adsorb and fix the wafer, and the back surface of the wafer is ground.
【０００７】このような本発明においては、前記裏面研
削に続いて前記両面粘着シートの剥離を行わずにダイシ
ング加工を行なうことが好ましい。In the present invention, it is preferable that the dicing is performed without peeling the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet after the rear-surface grinding.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】以下、本発明について図面を参照
しながらさらに具体的に説明する。本発明に係る半導体
ウエハの加工方法においては、まず特殊な構成の半導体
ウエハ加工用両面粘着シートに、半導体ウエハおよびリ
ングフレームを貼付する。ここで、半導体ウエハ加工用
両面粘着シートは、上面側に向かう第１の粘着剤層と、
下面側に向かう環状の第２の粘着剤層とを有し、かつ下
面側に第２の粘着剤層に囲まれた内部領域に非粘着部を
有する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to the drawings. In the method for processing a semiconductor wafer according to the present invention, first, a semiconductor wafer and a ring frame are attached to a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor wafer having a special configuration. Here, the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor wafer has a first pressure-sensitive adhesive layer facing the upper surface side,
A second pressure-sensitive adhesive layer directed to the lower surface, and a non-adhesive portion in an inner region surrounded by the second pressure-sensitive adhesive layer on the lower surface.
【０００９】第２の粘着剤層の形状は、環状であり、具
体的には、貼付されるべきリングフレームの形状に対応
している。ただし、リングフレームの形状と完全に同一
である必要なく、リングフレームを充分に保持できる程
度の大きさ、形状であればよい。したがって、第２の粘
着剤層の形状は、環状に限定されず、たとえば方形ある
いは矩形であってもよい。The shape of the second pressure-sensitive adhesive layer is annular, and specifically corresponds to the shape of the ring frame to be attached. However, the shape and the shape of the ring frame need not be completely the same, and may be any size and shape that can hold the ring frame sufficiently. Therefore, the shape of the second pressure-sensitive adhesive layer is not limited to a ring, and may be, for example, a square or a rectangle.
【００１０】下面側には、環状の第２の粘着剤層に囲ま
れる形で、非粘着部が形成されている。この非粘着部
は、後述する加工工程において、吸着テーブルに載置さ
れる。すなわち、非粘着部は、吸着テーブル対置面とな
る。このような半導体ウエハ加工用両面粘着シート１０
のさらに具体的な例を図１〜図４に示す。On the lower surface side, a non-adhesive portion is formed so as to be surrounded by the annular second adhesive layer. This non-adhesive part is placed on a suction table in a processing step described later. That is, the non-adhesive portion serves as the suction table mounting surface. Such a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10 for processing semiconductor wafers
1 to 4 show more specific examples of the above.
【００１１】図１には、基材１１の一方の全面に形成さ
れた第１の粘着剤層１と、該基材１１の他方の全面に形
成された第２の粘着剤層２と、第２の粘着剤層２上に貼
付された非粘着性シート３とからなる半導体ウエハ加工
用両面粘着シート１０ａを示す。ここで、該非粘着性シ
ート３の外径は、第２の粘着剤層２の外径よりも小さ
く、フレームの内径と略同径である。したがって、第２
の粘着剤層２の周辺部が環状に露出し、この部分にリン
グフレームが貼付される。また、非粘着性シート３の背
面は非粘着性であり、この部分が非粘着部として吸着テ
ーブル対置面となる。第１の粘着剤層１には、半導体ウ
エハが貼付される。FIG. 1 shows a first pressure-sensitive adhesive layer 1 formed on one entire surface of a base material 11, a second pressure-sensitive adhesive layer 2 formed on the other whole surface of the base material 11, 2 shows a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10a for processing a semiconductor wafer, which comprises a non-pressure-sensitive adhesive sheet 3 adhered on a pressure-sensitive adhesive layer 2 of No. 2; Here, the outer diameter of the non-adhesive sheet 3 is smaller than the outer diameter of the second adhesive layer 2 and is substantially the same as the inner diameter of the frame. Therefore, the second
A peripheral portion of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is annularly exposed, and a ring frame is attached to this portion. In addition, the back surface of the non-adhesive sheet 3 is non-adhesive, and this portion serves as a non-adhesive part and a suction table mounting surface. A semiconductor wafer is attached to the first pressure-sensitive adhesive layer 1.
【００１２】非粘着性シート３は第２の粘着剤層２を保
護する後述の剥離シートであってもよい。この場合は非
粘着性シート３の外径にあわせて剥離シートのみをカッ
トし、外周部のみの剥離シートを剥がすことにより作る
ことができる。図２に示した半導体ウエハ加工用両面粘
着シート１０ｂは、基材１２の一方の全面に形成された
第１の粘着剤層１と、該基材１２の他方の面の外周部に
形成された環状の第２の粘着剤層２とからなる。第２の
粘着剤層２は貼付されるべきリングフレームの形状と対
応し、この部分にリングフレームが貼付される。また、
環状の第２の粘着剤層２に囲まれた内部の基材面は非粘
着性であり、この部分が非粘着部として吸着テーブル対
置面となる。第１の粘着剤層１には、半導体ウエハが貼
付される。The non-adhesive sheet 3 may be a release sheet described below for protecting the second adhesive layer 2. In this case, it can be produced by cutting only the release sheet according to the outer diameter of the non-adhesive sheet 3 and peeling off the release sheet only at the outer peripheral portion. The double-sided pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor wafer processing 10 b shown in FIG. 2 is formed on the first pressure-sensitive adhesive layer 1 formed on one entire surface of the substrate 12 and on the outer peripheral portion of the other surface of the substrate 12. And an annular second pressure-sensitive adhesive layer 2. The second pressure-sensitive adhesive layer 2 corresponds to the shape of the ring frame to be attached, and the ring frame is attached to this portion. Also,
The inner base material surface surrounded by the annular second pressure-sensitive adhesive layer 2 is non-adhesive, and this portion serves as a non-adhesive portion and a suction table facing surface. A semiconductor wafer is attached to the first pressure-sensitive adhesive layer 1.
【００１３】図３に示した半導体ウエハ加工用両面粘着
シート１０ｃは、基材１３とその片面に形成された第１
の粘着剤層１とからなる第１の片面粘着シートの外周部
に、基材１４とその片面に形成された第２の粘着剤層２
とからなる環状の第２の片面粘着シートの粘着面どうし
を積層してなる。ここで、第１の片面粘着シートの外径
はフレームの内径と同じか若干小さめである。第２の片
面粘着シートは、第１の片面粘着シートの外径よりも小
さくウエハ径よりも大きいサイズの内径であり、フレー
ムに固定可能なサイズの外径を有する。また、第１の片
面粘着シートの基材１３の背面は非粘着性であり、この
部分が非粘着部として吸着テーブル対向面となる。第１
の粘着剤層１には、半導体ウエハが貼付される。The double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10c for processing a semiconductor wafer shown in FIG. 3 has a substrate 13 and a first surface formed on one side thereof.
A base material 14 and a second pressure-sensitive adhesive layer 2 formed on one surface of the first pressure-sensitive adhesive sheet 1
The adhesive surfaces of the second annular single-sided adhesive sheet comprising: Here, the outer diameter of the first single-sided pressure-sensitive adhesive sheet is equal to or slightly smaller than the inner diameter of the frame. The second single-sided pressure-sensitive adhesive sheet has an inner diameter smaller than the outer diameter of the first single-sided pressure-sensitive adhesive sheet and larger than the wafer diameter, and has an outer diameter that can be fixed to the frame. The back surface of the base material 13 of the first single-sided pressure-sensitive adhesive sheet is non-adhesive, and this portion serves as a non-adhesive portion and faces the suction table. First
A semiconductor wafer is attached to the pressure-sensitive adhesive layer 1.
【００１４】図４に示したウエハ加工用両面粘着シート
１０ｄは、基材１５とその一方の全面に形成された第１
の粘着剤層１と、反対面の全面に形成された第２の粘着
剤層２’からなり、第２の粘着剤層２’の外周は硬化さ
れず粘着剤として機能し、内部は第２の粘着剤層２’が
部分的に硬化され非粘着部２”となっている。非粘着部
２”の径はフレームの内径と略同等である。また、第１
の粘着剤層１は非粘着化しないよう非硬化性であるか、
または硬化性であっても第２の粘着剤層２’と同じ手段
では硬化しない粘着剤が選択される。The double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10d for processing a wafer shown in FIG.
And a second pressure-sensitive adhesive layer 2 ′ formed on the entire surface on the opposite side. The outer periphery of the second pressure-sensitive adhesive layer 2 ′ is not cured and functions as a pressure-sensitive adhesive. Is partially cured to form a non-adhesive portion 2 ″. The diameter of the non-adhesive portion 2 ″ is substantially equal to the inner diameter of the frame. Also, the first
Pressure-sensitive adhesive layer 1 is non-curable so as not to be non-adhesive,
Alternatively, a pressure-sensitive adhesive that is curable but is not cured by the same means as the second pressure-sensitive adhesive layer 2 ′ is selected.
【００１５】このような半導体ウエハ加工用両面粘着シ
ート１０ａ〜ｄの基材１１〜１５としては、従来この種
の用途に用いられていた各種の樹脂フィルムが特に制限
されることなく用いられる。このような樹脂フィルムと
しては、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピ
レンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフ
ィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニル
フィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレン
テレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレート
フィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢ビフィル
ム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）ア
クリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリ
ル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィル
ム、ポリカーボネートフィルム、フッ素樹脂フィルム等
ならびに、これらの架橋フィルムが用いられる。さらに
これらの積層フィルムであってもよい。また基材１１〜
１５は、ヤング率の値が比較的大きいフィルムを用いる
ことが好ましい。好ましいヤング率の値は２．０×１０
8Ｐａ〜１．０×１０10Ｐａである。このような値のフ
ィルムを基材に用いれば、ウエハ加工用両面粘着シート
に弛みが発生しにくくなり、作業性が向上する。また、
これらのフィルムは押し出し製膜によってもよいし、キ
ャスト製膜によってもよい。As the substrates 11 to 15 of the double-sided pressure-sensitive adhesive sheets 10a to 10d for processing semiconductor wafers, various resin films conventionally used for this kind of application are used without any particular limitation. Examples of such a resin film include a polyethylene film, a polypropylene film, a polybutene film, a polybutadiene film, a polymethylpentene film, a polyvinyl chloride film, a vinyl chloride copolymer film, a polyethylene terephthalate film, a polybutylene terephthalate film, and a polyurethane film. , Ethylene vinyl acetate film, ionomer resin film, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer film, ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymer film, polystyrene film, polycarbonate film, fluororesin film, etc., and crosslinked films thereof Is used. Furthermore, these laminated films may be used. In addition, base materials 11 to
15 is preferably a film having a relatively large Young's modulus. Preferred Young's modulus value is 2.0 × 10
It is 8 Pa to 1.0 × 10 10 Pa. When a film having such a value is used as the base material, the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet for wafer processing is less likely to be loosened, and the workability is improved. Also,
These films may be formed by extrusion film formation or cast film formation.
【００１６】基材１１〜１５の膜厚は、好ましくは１６
〜５００μｍ、さらに好ましくは２５〜３００μｍ、特
に好ましくは３８〜２５０μｍの範囲にある。なお、粘
着シート１０ｃにおける基材１３および１４は、互いに
同一であっても、あるいは異なっていても良い。ウエハ
加工用両面粘着シート１０ａ〜ｄにおける粘着剤層１に
用いられる粘着剤は、ゴム系、アクリル系、シリコーン
系、ウレタン系、ポリビニルエーテル系等の従来より公
知の感圧接着性のポリマーより形成され得る。このよう
な粘着剤としては、ウエハに対する汚染性が無ければ何
ら限定されるものではないが、一般の再剥離型の他、エ
ネルギー線硬化型、水膨潤型などの機能性をもった粘着
剤を用いることができる。The thickness of the substrates 11 to 15 is preferably 16
-500 µm, more preferably 25-300 µm, particularly preferably 38-250 µm. In addition, the base materials 13 and 14 in the adhesive sheet 10c may be the same or different from each other. The pressure-sensitive adhesive used for the pressure-sensitive adhesive layer 1 in the double-sided pressure-sensitive adhesive sheets 10a to 10d for wafer processing is formed from a conventionally known pressure-sensitive adhesive polymer such as a rubber-based, acrylic-based, silicone-based, urethane-based, or polyvinyl ether-based. Can be done. Such an adhesive is not particularly limited as long as it does not contaminate the wafer. However, in addition to a general removable type, an adhesive having a function such as an energy ray curing type and a water swelling type can be used. Can be used.
【００１７】エネルギー線硬化（紫外線硬化、電子線硬
化）型粘着剤としては、特に紫外線硬化型粘着剤を用い
ることが好ましい。エネルギー線硬化型粘着剤は、一般
的には、アクリル系粘着剤と、エネルギー線重合性化合
物とを主成分としてなる。エネルギー線硬化型粘着剤に
用いられるエネルギー線重合性化合物としては、たとえ
ば特開昭６０−１９６９５６号公報および特開昭６０−
２２３１３９号公報に開示されているような光照射によ
って三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二
重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広
く用いられる。As the energy ray-curable (ultraviolet ray-curable, electron beam-curable) type adhesive, it is particularly preferable to use an ultraviolet ray-curable adhesive. The energy ray-curable pressure-sensitive adhesive generally comprises an acrylic pressure-sensitive adhesive and an energy ray-polymerizable compound as main components. Examples of the energy ray polymerizable compound used for the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive include, for example, JP-A-60-196965 and JP-A-60-19656.
Low molecular weight compounds having at least two or more photopolymerizable carbon-carbon double bonds in a molecule capable of forming a three-dimensional network by light irradiation as disclosed in JP-A-223139 are widely used.
【００１８】ウエハ加工用両面粘着シート１０ａ〜ｃに
おける粘着剤層２に用いられる粘着剤は、粘着剤層１と
同様の粘着剤から選択できるが、粘着剤層１ほどの耐汚
染性は不要である。また、ウエハ加工用両面粘着シート
１０ｄに用いられる粘着剤層２’は、エネルギー線硬化
型粘着剤からなるものが好ましい。この時に使用される
粘着剤層１は、エネルギー線硬化型粘着剤以外のものが
好ましいが、異なるエネルギー線により硬化するタイプ
であれば、粘着剤層１もエネルギー線硬化型粘着剤が使
用できる。たとえば粘着剤層２’を近紫外波長領域また
は可視光領域で硬化する粘着剤を使用し、粘着剤層１を
遠紫外波長領域で硬化する粘着剤を使用することで、双
方の粘着剤層をエネルギー線硬化型とすることができ
る。The pressure-sensitive adhesive used for the pressure-sensitive adhesive layer 2 in the double-sided pressure-sensitive adhesive sheets 10a to 10c for wafer processing can be selected from the same pressure-sensitive adhesives as the pressure-sensitive adhesive layer 1, but does not need to be as stain-resistant as the pressure-sensitive adhesive layer 1. is there. The pressure-sensitive adhesive layer 2 'used for the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet for wafer processing 10d is preferably made of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive. The pressure-sensitive adhesive layer 1 used at this time is preferably made of a material other than the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, but the pressure-sensitive adhesive layer 1 can also use an energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive as long as the pressure-sensitive adhesive layer 1 can be cured by different energy rays. For example, by using an adhesive that cures the pressure-sensitive adhesive layer 2 ′ in the near ultraviolet wavelength region or the visible light region and using an adhesive that cures the adhesive layer 1 in the far ultraviolet wavelength region, both pressure-sensitive adhesive layers can be used. Energy beam curing type can be used.
【００１９】粘着剤層１の厚さは、好ましくは３〜３０
０μｍ、さらに好ましくは５〜２００μｍ、特に好まし
くは１０〜１５０μｍの範囲にある。また、粘着剤層
２、２’の厚さは、好ましくは１〜５０μｍ、さらに好
ましくは２〜３０μｍ、特に好ましくは３〜２０μｍの
範囲にある。非粘着性シート３としては、従来より公知
のフィルムが特に制限されることなく用いられる。具体
的には基材１１〜１５に使用できる樹脂フィルムと同じ
ものがあげられる。粘着剤層１にエネルギー線硬化型粘
着剤を用いる場合は非粘着性シート３はエネルギー線透
過性のものが使用される。The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 1 is preferably 3 to 30.
0 μm, more preferably 5 to 200 μm, particularly preferably 10 to 150 μm. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layers 2 and 2 ′ is preferably in the range of 1 to 50 μm, more preferably 2 to 30 μm, and particularly preferably 3 to 20 μm. As the non-adhesive sheet 3, a conventionally known film is used without any particular limitation. Specifically, the same resin films that can be used for the substrates 11 to 15 can be mentioned. When an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive is used for the pressure-sensitive adhesive layer 1, the non-adhesive sheet 3 used is an energy-ray-permeable sheet.
【００２０】非粘着性シート３の厚さは、好ましくは６
μｍ〜１００μｍ、特に好ましくは１２μｍ〜５０μｍ
の範囲である。粘着剤の保護のため、それぞれの粘着剤
層の面上には保護のため剥離シートが積層される。剥離
シートとしては従来公知の剥離シートが用いられるが、
ウエハ加工用両面粘着シート１０ａの粘着剤層２側に使
用する場合は、前述の非粘着性シートと同じ樹脂フィル
ムを基材とし、その片面にシリコーン等の剥離剤を塗布
したものが好ましい。The thickness of the non-adhesive sheet 3 is preferably 6
μm to 100 μm, particularly preferably 12 μm to 50 μm
Range. For protection of the pressure-sensitive adhesive, a release sheet is laminated on the surface of each pressure-sensitive adhesive layer for protection. A conventionally known release sheet is used as the release sheet,
When used on the side of the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10a for wafer processing, it is preferable to use the same resin film as the above-mentioned non-adhesive sheet as a base material, and apply a release agent such as silicone to one surface thereof.
【００２１】以下、前記図１に示した半導体ウエハ加工
用両面粘着シート１０ａを用いた場合を例にとって、本
発明に係る半導体ウエハの加工方法をさらに詳細に説明
する。本発明に係る半導体ウエハの加工方法において
は、図５に示したように、ウエハ加工用両面粘着シート
１０ａの上面側の第１の粘着剤層１に半導体ウエハ２１
の回路面を、下面側の第２の粘着剤層２にリングフレー
ム２２を貼付し、下面内側の非粘着性シート３を吸着テ
ーブル２３上に対面させて吸着し、半導体ウエハ２１を
固定する。Hereinafter, the method of processing a semiconductor wafer according to the present invention will be described in more detail by taking as an example the case where the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10a for processing a semiconductor wafer shown in FIG. 1 is used. In the method for processing a semiconductor wafer according to the present invention, as shown in FIG. 5, the semiconductor wafer 21 is provided on the first pressure-sensitive adhesive layer 1 on the upper surface side of the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet for wafer processing 10a.
A ring frame 22 is attached to the second pressure-sensitive adhesive layer 2 on the lower surface side, and the non-adhesive sheet 3 on the inner surface of the lower surface is sucked by facing the suction table 23 to fix the semiconductor wafer 21.
【００２２】図２に示した半導体ウエハ加工用両面粘着
シート１０ｂにおいては、基材１２の背面であって、粘
着剤層２が形成されていない部分が吸着テーブル対置面
となる。また、図３に示した半導体ウエハ加工用両面粘
着シート１０ｃにおいては、基材１３の背面が吸着テー
ブル対置面となる。図４に示したウエハ加工用両面粘着
シート１０ｄにおいては、硬化して非粘着化した部分
２”が吸着テーブルの対置面になる。In the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10b for processing a semiconductor wafer shown in FIG. 2, the back surface of the base material 12, on which the pressure-sensitive adhesive layer 2 is not formed, is the suction table facing surface. Further, in the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10c for processing a semiconductor wafer shown in FIG. 3, the back surface of the base material 13 is the suction table facing surface. In the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet for wafer processing 10 d shown in FIG. 4, the hardened and non-adhesive portion 2 ″ becomes the opposite surface of the suction table.
【００２３】次いで、本発明においては、ウエハ２１を
吸着テーブル上に固定した状態で、半導体ウエハの裏面
研削を行う。ウエハの裏面研削はグラインダーＧを用い
た常法により行われる。本発明によれば、図５に示した
ように、リングフレーム２２は、ウエハ面より下方に位
置するので、裏面研削時にグラインダーＧの砥石がリン
グフレーム２２を傷付けることもなく、円滑に裏面研削
を行える。Next, in the present invention, the back surface of the semiconductor wafer is ground while the wafer 21 is fixed on the suction table. Grinding of the back surface of the wafer is performed by a conventional method using a grinder G. According to the present invention, as shown in FIG. 5, since the ring frame 22 is located below the wafer surface, the grindstone of the grinder G does not damage the ring frame 22 during the back surface grinding, and the back surface is smoothly ground. I can do it.
【００２４】図５では従来と同じグラインダーＧが使用
される例が略示されている。すなわち、ウエハ２１の外
径と略同径の吸着面を有する吸着テーブル２３を有する
グラインダーが使用される。ウエハ加工用両面粘着シー
ト１０ａはウエハが貼着されている部分のみ吸着固定さ
れ、その外周部は固定されていない。フレーム２２は吸
着テーブル２３の外径よりも外にあり、どの方向にも負
荷はかけられていないので、研削加工の後でウエハ加工
用両面粘着シート１０ａに弛みは発生しにくい。ウエハ
加工用両面粘着シートが自重で伸びやすい場合は、フレ
ーム２２を所定の高さに固定するための部材を、たとえ
ば吸着テーブル２３の側面から斜め上方に向かって配設
してもよい。FIG. 5 schematically shows an example in which the same grinder G as the conventional one is used. That is, a grinder having a suction table 23 having a suction surface having substantially the same diameter as the outer diameter of the wafer 21 is used. The wafer processing double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10a is fixed by suction only at the portion where the wafer is attached, and the outer peripheral portion is not fixed. Since the frame 22 is outside the outer diameter of the suction table 23 and no load is applied in any direction, the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet for wafer processing 10a is unlikely to loosen after grinding. If the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet for wafer processing is easily stretched by its own weight, a member for fixing the frame 22 at a predetermined height may be disposed obliquely upward from the side surface of the suction table 23, for example.
【００２５】このように本発明のウエハ加工方法によれ
ば、既に製造ラインに導入されたグラインダーをそのま
ま、あるいは簡単な改造で使用可能である。図６に示す
研削方法ではフレーム２２を強制的に下方に引き下げて
いるため、ウエハ加工用両面粘着シートは、研削加工の
後、弛みを発生させてしまう。また、フレーム２２を固
定するための吸着手段が必要なため、既に製造ラインに
導入されたグラインダーには大規模な改造を行わなけれ
ば使用できない。As described above, according to the wafer processing method of the present invention, the grinder already introduced into the production line can be used as it is or by simple modification. In the grinding method shown in FIG. 6, since the frame 22 is forcibly pulled down, the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet for wafer processing will loosen after the grinding processing. In addition, since a suction means for fixing the frame 22 is required, the grinder already introduced into the production line cannot be used unless a large-scale remodeling is performed.
【００２６】ウエハ２１を研削した後、ウエハはウエハ
加工用両面粘着シートを剥がさないまま次の工程へと送
られる。通常次の工程はダイシング工程であり、そこへ
の搬送はフレームカセットへ収納されておこなわれる。
ウエハ加工用両面粘着シートに弛みがないのでフレーム
カセット内で他の部材に接触して粘着することがないの
で、搬送は問題なく行える。After grinding the wafer 21, the wafer is sent to the next step without removing the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet for wafer processing. Usually, the next step is a dicing step, in which the transfer is carried out in a frame cassette.
Since there is no slack in the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet for wafer processing, it does not come into contact with other members in the frame cassette and sticks, so that the transfer can be performed without any problem.
【００２７】ウエハのダイシング工程は吸着手段以外は
従来と全く同じ手段を用いて行うことができる。本発明
のダイシング工程には、本発明の研削工程で示した図６
の吸着テーブル２３のような略ウエハ径のテーブルの吸
着手段を用いたダイシング装置を使用してもよい。ま
た、図６に示すようにフレームを引き下げるタイプのテ
ーブルを吸着手段とした、従来と全く同じダイシング装
置も使用可能である。The wafer dicing step can be performed by using exactly the same means as the conventional one except for the suction means. In the dicing step of the present invention, FIG. 6 shown in the grinding step of the present invention is used.
Alternatively, a dicing apparatus using a suction means for a table having a substantially wafer diameter such as the suction table 23 may be used. Further, as shown in FIG. 6, the same dicing apparatus as in the related art, in which a table of a type in which a frame is lowered is used as a suction means, can be used.
【００２８】このような本発明によれば、裏面研削時
に、ウエハを粘着シートを介して、吸着テーブル上に強
固に固定しているので、加工時における振動、位置ズレ
が低減され、高い精度でウエハを加工できる。また、本
発明によれば、ウエハを粘着シートに固定した状態で、
裏面研削を行い、かつ、そのままの状態でダイシング工
程に移行することができる。According to the present invention, since the wafer is firmly fixed on the suction table via the adhesive sheet at the time of grinding the back surface, vibrations and misalignments at the time of processing are reduced, and the precision is improved. Can process wafers. Further, according to the present invention, with the wafer fixed to the adhesive sheet,
The back surface grinding can be performed, and the process can be shifted to the dicing process as it is.
【００２９】したがって本発明によれば、粘着シートの
貼り替えを行うことなく、研削工程ならびに切断分離工
程を連続して行えるので、プロセスの簡略化が可能にな
る。さらに、研削工程を経て薄く脆くなったウエハを粘
着シートに固定・保護した状態で次工程の切断分離工程
に移送できるので、工程間の移送中でのウエハの破損を
防止できる。Therefore, according to the present invention, the grinding step and the cutting / separating step can be performed continuously without replacing the adhesive sheet, so that the process can be simplified. Furthermore, the wafer that has become thin and brittle after the grinding process can be transferred to the next cutting and separating process while being fixed and protected on the pressure-sensitive adhesive sheet, so that damage to the wafer during transfer between processes can be prevented.
【００３０】なお、裏面研削とダイシングを連続して行
う場合には、ウエハのダイシングは、ウエハ回路表面に
粘着シートが貼付された状態で、ウエハの裏面側から行
われる。この場合、ウエハ表面の回路パターンの認識
は、裏面側から赤外線を用いて行うことができる。ま
た、透明の吸着テーブルおよび粘着シートを用いると、
ウエハ表面側から回路パターンの認識を行いつつ、裏面
側からダイシングを行うこともできる。When the back grinding and the dicing are performed continuously, the dicing of the wafer is performed from the back side of the wafer in a state where the adhesive sheet is adhered to the surface of the wafer circuit. In this case, recognition of the circuit pattern on the front surface of the wafer can be performed using infrared rays from the back side. Also, using a transparent suction table and adhesive sheet,
Dicing can be performed from the back side while the circuit pattern is recognized from the front side of the wafer.
【００３１】ダイシング後、必要に応じ粘着シートをエ
キスパンドして各チップの間隔を離間させた後、吸引コ
レット等の汎用手段によりチップのピックアップを行
う。また、粘着剤層をエネルギー線硬化型粘着剤で形成
した場合には、ダイシングの前または後に、粘着剤層に
エネルギー線を照射し、接着力を低減させた後、エキス
パンド、ピックアップを行うことが好ましい。After dicing, the pressure-sensitive adhesive sheet is expanded as necessary to separate the chips, and then the chips are picked up by a general-purpose means such as a suction collet. When the pressure-sensitive adhesive layer is formed of an energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive, before or after dicing, the pressure-sensitive adhesive layer is irradiated with energy rays to reduce the adhesive force, and then expand and pick up. preferable.
【００３２】[0032]
【発明の効果】このような本発明によれば、リングフレ
ームに張設された粘着シート上にウエハを保持した状態
でウエハの裏面研削を行え、かつこれに続くダイシング
をも行い得る半導体ウエハの加工方法が提供される。According to the present invention, it is possible to grind the back surface of the wafer while holding the wafer on the pressure-sensitive adhesive sheet stretched on the ring frame, and to perform the subsequent dicing. A processing method is provided.
【００３３】[0033]
【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明はこれら実施例に限定されるものではない。EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
【００３４】[0034]
【実施例１】［ウエハ加工用両面粘着シートの作成］基
材の両面にそれぞれ第１の粘着剤層および第２の粘着剤
層を塗布し、両面に剥離シートを作成し、両面粘着シー
トを作成した。なお、第１の粘着剤層は、アクリル酸エ
ステル共重合体（アクリル酸ブチル９０重量部／アクリ
ル酸１０重量部の共重合体）１００重量部と、２官能ウ
レタンアクリレートオリゴマー１２５重量部、イソシア
ネート系架橋剤（日本ポリウレタン社製コロネートＬ）
３重量部、光開始剤（チバスペシャルティケミカルズ社
製、イルガキュア１８４）４重量部からなるエネルギー
線硬化型の粘着剤を用い、厚さ２０μｍとなるように形
成した。Example 1 [Preparation of double-sided pressure-sensitive adhesive sheet for wafer processing] A first pressure-sensitive adhesive layer and a second pressure-sensitive adhesive layer were applied to both sides of a substrate, release sheets were prepared on both sides, and a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet was formed. Created. The first pressure-sensitive adhesive layer was composed of 100 parts by weight of an acrylate ester copolymer (copolymer of 90 parts by weight of butyl acrylate / 10 parts by weight of acrylic acid), 125 parts by weight of a bifunctional urethane acrylate oligomer, Crosslinking agent (Coronate L, manufactured by Nippon Polyurethane)
An energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive consisting of 3 parts by weight and 4 parts by weight of a photoinitiator (manufactured by Ciba Specialty Chemicals, Irgacure 184) was used to form a film having a thickness of 20 μm.
【００３５】第２の粘着剤層は、アクリル酸エステル共
重合体（アクリル酸ブチル９０重量部／アクリル酸１０
重量部の共重合体）１００重量部と、イソシアネート系
架橋剤（日本ポリウレタン社製コロネートＬ）２重量部
からなるアクリル系粘着剤を用い、厚さ１０μｍとなる
ように形成した。また、基材としては、ヤング率が５．
０×１０9Ｐａ、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフ
タレートフィルムを用いた。剥離シートとしては、シリ
コーン系剥離剤を塗布した、厚さ３８μｍのポリエチレ
ンテレフタレートフィルムを第１の粘着剤層および第２
の粘着剤層の双方に用いた。The second pressure-sensitive adhesive layer was formed of an acrylic ester copolymer (90 parts by weight of butyl acrylate / 10 parts of acrylic acid).
An acrylic pressure-sensitive adhesive consisting of 100 parts by weight of a copolymer (parts by weight) and 2 parts by weight of an isocyanate-based cross-linking agent (Coronate L, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) was used to form a film having a thickness of 10 μm. The base material has a Young's modulus of 5.
A polyethylene terephthalate film having a thickness of 0 × 10 9 Pa and a thickness of 100 μm was used. As the release sheet, a 38 μm-thick polyethylene terephthalate film coated with a silicone release agent was used as the first pressure-sensitive adhesive layer and the second pressure-sensitive adhesive layer.
Was used for both pressure-sensitive adhesive layers.
【００３６】得られた両面粘着シートを直径２７０mmの
円状に切断するとともに、第２の粘着剤層側の剥離シー
トのみを直径２５０mmの同心円状に切り込み、この内側
を非粘着部として図１に相当するウエハ加工用両面粘着
シートを作成した。［ウエハ加工］ウエハ加工用両面粘
着シートの第２の粘着剤層の外周部の剥離シートを剥離
し、露出した第２の粘着剤層を８インチ用フレーム
（（株）ディスコ社製）に貼付した。次に第１の粘着剤
層側の剥離シートを剥離し、露出した第１の粘着剤層を
８インチウエハの鏡面側に貼付した。これを第２の粘着
剤層の内周部に残着している剥離シートが吸着テーブル
に対面するように、グラインダー（（株）ディスコ社製
DFG120）に搭載し、仕上厚５０μｍとなるように研削加
工を行った。The obtained double-sided pressure-sensitive adhesive sheet was cut into a circle having a diameter of 270 mm, and only the release sheet on the side of the second pressure-sensitive adhesive layer was cut into a concentric circle having a diameter of 250 mm. A corresponding double-sided pressure-sensitive adhesive sheet for wafer processing was prepared. [Wafer processing] The peeling sheet on the outer peripheral portion of the second pressure-sensitive adhesive layer of the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet for wafer processing is peeled off, and the exposed second pressure-sensitive adhesive layer is attached to an 8-inch frame (manufactured by Disco Corporation). did. Next, the release sheet on the first pressure-sensitive adhesive layer side was peeled off, and the exposed first pressure-sensitive adhesive layer was adhered to the mirror side of the 8-inch wafer. A grinder (manufactured by Disco Co., Ltd.) such that the release sheet remaining on the inner peripheral portion of the second pressure-sensitive adhesive layer faces the suction table.
DFG120) and ground to a final thickness of 50 μm.
【００３７】ウエハ加工用両面粘着シートにウエハとフ
レームも貼付された状態のまま、専用のフレームカセッ
トに収納し、続いてダイシング装置（（株）東京精密社
製A-WD4000B）に搭載し、ダイシングを行った。研削加
工の後には弛みの発生は見られず、研削工程、搬送工
程、ダイシング工程ともに問題なく行うことができた。The wafer and the frame are stuck on the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet for wafer processing and stored in a dedicated frame cassette, and then mounted on a dicing machine (A-WD4000B manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.), and dicing is performed. Was done. After the grinding, no loosening was observed, and the grinding, transporting, and dicing steps could be performed without any problem.
【図１】本発明に係るウエハ加工用両面粘着シートの一
例を示す。FIG. 1 shows an example of a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet for processing a wafer according to the present invention.
【図２】本発明に係るウエハ加工用両面粘着シートの一
例を示す。FIG. 2 shows an example of a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet for processing a wafer according to the present invention.
【図３】本発明に係るウエハ加工用両面粘着シートの一
例を示す。FIG. 3 shows an example of a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet for processing a wafer according to the present invention.
【図４】本発明に係るウエハ加工用両面粘着シートの一
例を示す。FIG. 4 shows an example of a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet for processing a wafer according to the present invention.
【図５】本発明に係る半導体ウエハ加工方法の一工程を
示す。FIG. 5 shows one step of the semiconductor wafer processing method according to the present invention.
【図６】従来技術の一態様を示す。FIG. 6 illustrates one embodiment of the prior art.
１…第１の粘着剤層 ２…第２の粘着剤層 ３…剥離シート １０ａ〜ｄ…半導体ウエハ加工用両面粘着シート １１〜１５…基材 ２１…半導体ウエハ ２２…リングフレーム ２３…吸着テーブル Ｇ…グラインダー DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... 1st adhesive layer 2 ... 2nd adhesive layer 3 ... Release sheet 10a-d ... Double-sided adhesive sheet for semiconductor wafer processing 11-15 ... Base material 21 ... Semiconductor wafer 22 ... Ring frame 23 ... Suction table G …grinder
フロントページの続き (72)発明者 高 橋 和 弘 埼玉県川口市芝５−３−17 Ｆターム(参考） 3C034 AA08 BB73 DD10 3C043 BB00 CC04 DD05 Continuation of front page (72) Inventor Kazuhiro Takahashi 5-3-17 Shiba, Kawaguchi-shi, Saitama F-term (reference) 3C034 AA08 BB73 DD10 3C043 BB00 CC04 DD05
Claims (2)
を、下面側外周にフレーム固定用の第２の粘着剤層を有
し、下面側内部領域に非粘着部を有するウエハ加工用の
両面粘着シートを用いて、 第１の粘着剤層にウエハの回路面を、第２の粘着剤層に
フレームを貼付し、 該両面粘着シートの下面側内部領域の非粘着部を吸着テ
ーブルに対置させてウエハを吸着固定し、 ウエハの裏面側の研削を行うことを特徴とするウエハの
加工方法。1. A wafer processing having a first pressure-sensitive adhesive layer for fixing a wafer on the upper surface side, a second pressure-sensitive adhesive layer for fixing the frame on the outer periphery of the lower surface side, and a non-adhesive portion in an inner region on the lower surface side. Using a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet, the circuit surface of the wafer is adhered to the first pressure-sensitive adhesive layer and the frame is adhered to the second pressure-sensitive adhesive layer. A wafer processing method, comprising: adsorbing and fixing a wafer so as to face the wafer; and grinding the back surface of the wafer.
剥離を行わずにダイシング加工を行なうことを特徴とす
る請求項１に記載のウエハの加工方法。2. The wafer processing method according to claim 1, wherein a dicing process is performed without peeling the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet after the back surface grinding.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001063601A JP2002270560A (en) | 2001-03-07 | 2001-03-07 | Method for working wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001063601A JP2002270560A (en) | 2001-03-07 | 2001-03-07 | Method for working wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002270560A true JP2002270560A (en) | 2002-09-20 |
Family
ID=18922563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001063601A Pending JP2002270560A (en) | 2001-03-07 | 2001-03-07 | Method for working wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002270560A (en) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004042795A2 (en) * | 2002-10-31 | 2004-05-21 | Strausbaugh | Method of preparing whole semiconductor wafer for analysis |
| JP2004216485A (en) * | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | Substrate grinding device |
| WO2004090962A1 (en) * | 2003-04-08 | 2004-10-21 | Teijin Dupont Films Japan Limited | Base film for semiconductor wafer processing |
| JP2011054827A (en) * | 2009-09-03 | 2011-03-17 | Fujitsu Semiconductor Ltd | Method for manufacturing semiconductor device and surface protective tape |
| JP2012052037A (en) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Nitto Denko Corp | Viscoelastic body and method for producing the same |
| TWI381480B (en) * | 2008-03-20 | 2013-01-01 | Mjc Probe Inc | Wafer anchoring device and method of the same |
| JP2014033159A (en) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method for processing wafer |
| JP2018107309A (en) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 株式会社ディスコ | Adhesive tape, processing method of workpiece, and adhesive tape affixing device |
| KR20210015716A (en) * | 2019-08-01 | 2021-02-10 | 가부시기가이샤 디스코 | Method of processing a substrate |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04354333A (en) * | 1991-05-31 | 1992-12-08 | Kawasaki Steel Corp | Method for grinding rear surface of wafer |
| JPH11307488A (en) * | 1998-04-24 | 1999-11-05 | Denso Corp | Semiconductor device, its manufacture, process guide and its processing device |
| JP2000136362A (en) * | 1998-08-26 | 2000-05-16 | Lintec Corp | Double-sided pressure-sensitive adhesive sheet and its use |
| JP2000216123A (en) * | 1999-01-22 | 2000-08-04 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | Back surface grinding of wafer and dicing method |
| JP2002100589A (en) * | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Hitachi Ltd | Production method for semiconductor device |
-
2001
- 2001-03-07 JP JP2001063601A patent/JP2002270560A/en active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04354333A (en) * | 1991-05-31 | 1992-12-08 | Kawasaki Steel Corp | Method for grinding rear surface of wafer |
| JPH11307488A (en) * | 1998-04-24 | 1999-11-05 | Denso Corp | Semiconductor device, its manufacture, process guide and its processing device |
| JP2000136362A (en) * | 1998-08-26 | 2000-05-16 | Lintec Corp | Double-sided pressure-sensitive adhesive sheet and its use |
| JP2000216123A (en) * | 1999-01-22 | 2000-08-04 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | Back surface grinding of wafer and dicing method |
| JP2002100589A (en) * | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Hitachi Ltd | Production method for semiconductor device |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004042795A2 (en) * | 2002-10-31 | 2004-05-21 | Strausbaugh | Method of preparing whole semiconductor wafer for analysis |
| US6921719B2 (en) * | 2002-10-31 | 2005-07-26 | Strasbaugh, A California Corporation | Method of preparing whole semiconductor wafer for analysis |
| WO2004042795A3 (en) * | 2002-10-31 | 2006-09-14 | Strausbaugh | Method of preparing whole semiconductor wafer for analysis |
| JP2004216485A (en) * | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | Substrate grinding device |
| JP4503928B2 (en) * | 2003-01-14 | 2010-07-14 | 株式会社岡本工作機械製作所 | Substrate grinding machine |
| WO2004090962A1 (en) * | 2003-04-08 | 2004-10-21 | Teijin Dupont Films Japan Limited | Base film for semiconductor wafer processing |
| TWI381480B (en) * | 2008-03-20 | 2013-01-01 | Mjc Probe Inc | Wafer anchoring device and method of the same |
| JP2011054827A (en) * | 2009-09-03 | 2011-03-17 | Fujitsu Semiconductor Ltd | Method for manufacturing semiconductor device and surface protective tape |
| JP2012052037A (en) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Nitto Denko Corp | Viscoelastic body and method for producing the same |
| JP2014033159A (en) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method for processing wafer |
| JP2018107309A (en) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 株式会社ディスコ | Adhesive tape, processing method of workpiece, and adhesive tape affixing device |
| KR20210015716A (en) * | 2019-08-01 | 2021-02-10 | 가부시기가이샤 디스코 | Method of processing a substrate |
| JP2021027336A (en) * | 2019-08-01 | 2021-02-22 | 株式会社ディスコ | Processing method of substrate |
| JP7332095B2 (en) | 2019-08-01 | 2023-08-23 | 株式会社ディスコ | Substrate processing method |
| KR102593404B1 (en) | 2019-08-01 | 2023-10-23 | 가부시기가이샤 디스코 | Method of processing a substrate |
| US11823941B2 (en) | 2019-08-01 | 2023-11-21 | Disco Corporation | Method of processing a substrate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4754278B2 (en) | Chip body manufacturing method | |
| JP4392732B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor chip | |
| US5476566A (en) | Method for thinning a semiconductor wafer | |
| JP3784202B2 (en) | Double-sided adhesive sheet and method of using the same | |
| JP4879702B2 (en) | Die sort sheet and chip transfer method having adhesive layer | |
| JP2005123382A (en) | Surface protection sheet and method for grinding semiconductor wafer | |
| JP2006203133A (en) | Manufacturing method of chip body, manufacturing method of device and adhesive sheet for fixing chip body | |
| KR100811958B1 (en) | Method of processing a semiconductor wafer and a two-sided adhesive sheet | |
| JP4312419B2 (en) | Semiconductor wafer processing method | |
| JP5379377B2 (en) | Surface protection sheet and semiconductor wafer grinding method | |
| JP2009188010A (en) | Support for use of fragile member, and treatment method of the fragile member | |
| JP2002373870A (en) | Method of working semiconductor wafer | |
| JP2003338474A (en) | Machining method of brittle member | |
| JP2002270560A (en) | Method for working wafer | |
| JP2004146761A (en) | Protective structure for semiconductor wafer, protective method for semiconductor wafer, lamination protecting sheet used for the same, and method for processing semiconductor wafer | |
| WO2005083763A1 (en) | Wafer transcription method | |
| JP5522773B2 (en) | Semiconductor wafer holding method, chip body manufacturing method, and spacer | |
| US6869830B2 (en) | Method of processing a semiconductor wafer | |
| JP2005012177A (en) | Method of manufacturing film-thinning circuit board with penetrated structure and protecting adhesive tape | |
| JP2003338478A (en) | Separating method of brittle material and hard plate as well as separating device employing the same | |
| JP6582013B2 (en) | Mask protection surface protection tape with release liner | |
| JP2005116948A (en) | Semiconductor wafer processing method, and double-faced adhesive sheet | |
| JP2009130333A (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP2003077869A (en) | Working method of semiconductor wafer and retaining substrate used for the method | |
| JP2005243910A (en) | Manufacturing method of semiconductor chip |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080226 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100723 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110222 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110719 |