JP2010123805A - Support device, support method, dicing device, and dicing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体ウェハを支持する支持装置および支持方法、ならびに半導体ウェハのダイシング装置、およびダイシング方法に関する。 The present invention relates to a support device and a support method for supporting a semiconductor wafer, a dicing device for a semiconductor wafer, and a dicing method.
従来、半導体製造工程において、半導体ウェハ(以下、単にウェハという)を所定の形状、所定のサイズに切断して半導体チップに個片化(ダイシング)することが行われており、このようなダイシングを行うダイシング装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1に記載されたダイシング装置は、ウェハの裏面に貼付されたダイシングテープ(マウント用テープ)側から当該ウェハを吸引支持するチャックテーブルと、ウェハを囲んでダイシングテープに固定されたリングフレームを保持するクランプ機構と、チャックテーブル上に保持したウェハを切断する切断手段(回転ブレード)とを備えて構成されている。 2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor manufacturing process, a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) is cut into a predetermined shape and a predetermined size and separated into semiconductor chips (dicing). A dicing apparatus to perform is known (for example, see Patent Document 1). The dicing apparatus described in Patent Document 1 includes a chuck table that sucks and supports the wafer from the dicing tape (mounting tape) side attached to the back surface of the wafer, and a ring frame that surrounds the wafer and is fixed to the dicing tape. It comprises a clamping mechanism for holding, and a cutting means (rotating blade) for cutting the wafer held on the chuck table.
一方、半導体製造工程における前記ダイシングの前工程において、半導体チップを薄型化するためにウェハの裏面を研削することが行われており、この研削工程において、ウェハの内側を外縁部よりも深く研削することで、外縁部よりも内側が薄く形成され、つまり厚さ方向に突出した環状の凸部を外縁部に有するとともに当該凸部で囲まれた内側に凹部を有する半導体ウェハが知られている(例えば、特許文献2参照)。 On the other hand, in the pre-dicing process in the semiconductor manufacturing process, the back surface of the wafer is ground to reduce the thickness of the semiconductor chip. In this grinding process, the inside of the wafer is ground deeper than the outer edge. Thus, a semiconductor wafer is known in which the inner side is formed thinner than the outer edge, that is, the outer edge has an annular convex part protruding in the thickness direction, and the inner part is surrounded by the convex part. For example, see Patent Document 2).
ところで、特許文献2に記載されたような外縁部に凸部を有するウェハでは、当該ウェハの凹部にマウント用テープが貼付されず、ウェハの凹部とテープとの間に空間が形成される。このようなウェハを特許文献1に記載されたような従来のダイシング装置によってダイシングすると、切断されて個片化されたチップとテープとが接着されていないため、個々のチップを保持することができず、チップが散乱してしまう。
By the way, in the wafer which has a convex part in the outer edge part as described in
本発明は、以上のような不都合に着目して案出されたものであり、その目的は、外縁部に凸部を有するウェハであっても、ダイシング時のチップの散乱を防止することができる半導体ウェハの支持装置、支持方法、ダイシング装置、およびダイシング方法を提供することにある。 The present invention has been devised paying attention to the inconveniences as described above, and its purpose is to prevent chip scattering during dicing even for a wafer having a convex portion at the outer edge. A semiconductor wafer support device, a support method, a dicing device, and a dicing method are provided.
前記目的を達成するため、本発明の支持装置は、厚さ方向に突出した環状の凸部を外縁部に有するとともに当該凸部で囲まれた内側に凹部を有する半導体ウェハに対し、前記凸部の突出側から前記凹部との間に空間を形成してマウント用テープが貼付された状態の当該半導体ウェハを前記マウント用テープ側から支持する支持装置であって、前記凸部に対応する位置を支持する外側支持体と、前記凹部に対応する位置を支持する内側支持体と、前記外側支持体および内側支持体のうち少なくとも内側支持体に設けられる吸引手段と、前記空間に貫通する孔を前記マウント用テープに形成する孔形成手段とを備える、という構成を採用している。 In order to achieve the above object, the supporting device of the present invention has an annular convex portion protruding in the thickness direction at the outer edge portion and the convex portion with respect to a semiconductor wafer having a concave portion inside surrounded by the convex portion. A support device for supporting the semiconductor wafer in a state where a space is formed between the protruding side of the mounting tape and the mounting tape and the mounting tape is affixed from the mounting tape side, the position corresponding to the convex portion An outer support for supporting, an inner support for supporting a position corresponding to the recess, a suction means provided on at least the inner support among the outer support and the inner support, and a hole penetrating the space. A configuration is adopted in which a hole forming means formed in the mounting tape is provided.
この際、本発明の支持装置では、前記外側支持体と内側支持体とは、前記半導体ウェハに対して相対移動可能に設けられ、前記内側支持体が外側支持体よりも前記半導体ウェハ側に突出することで前記空間に対応した前記マウント用テープを当該半導体ウェハの凹部底面に接着させることが好ましい。
さらに、本発明の支持装置では、前記内側支持体に設けられた吸引手段は、複数の吸引口を有して構成され、前記孔形成手段は、前記複数の吸引口のうちの少なくとも一部から前記半導体ウェハに向かって突没自在に設けられる針状部材を有して構成されていることが好ましい。
In this case, in the support device of the present invention, the outer support and the inner support are provided so as to be relatively movable with respect to the semiconductor wafer, and the inner support protrudes toward the semiconductor wafer from the outer support. By doing so, it is preferable that the mounting tape corresponding to the space is adhered to the bottom surface of the recess of the semiconductor wafer.
Furthermore, in the support device of the present invention, the suction means provided on the inner support body is configured to have a plurality of suction ports, and the hole forming means is formed from at least a part of the plurality of suction ports. It is preferable to have a needle-like member provided so as to protrude and retract toward the semiconductor wafer.
また、本発明の支持方法は、厚さ方向に突出した環状の凸部を外縁部に有するとともに当該凸部で囲まれた内側に凹部を有する半導体ウェハに対し、前記凸部の突出側から前記凹部との間に空間を形成してマウント用テープが貼付された状態の当該半導体ウェハを前記マウント用テープ側から支持する支持方法であって、前記凸部に対応する外側位置と、前記凹部に対応する内側位置とをそれぞれ支持し、前記内側位置における前記マウント用テープに前記空間に貫通する孔を形成し、前記形成した孔を介して前記空間内部の気体を吸い出し、前記マウント用テープを前記半導体ウェハの凹部底面に接着させることを特徴とする。 In addition, the supporting method of the present invention has an annular convex portion protruding in the thickness direction on the outer edge portion and a semiconductor wafer having a concave portion on the inner side surrounded by the convex portion, from the protruding side of the convex portion. A support method for supporting the semiconductor wafer in a state where a space is formed between the mounting tape and a mounting tape from the mounting tape side, the outer position corresponding to the convex portion, and the concave portion A corresponding inner position, and a hole penetrating into the space is formed in the mounting tape at the inner position, the gas inside the space is sucked out through the formed hole, and the mounting tape is It is characterized in that it is adhered to the bottom surface of the recess of the semiconductor wafer.
一方、本発明のダイシング装置は、厚さ方向に突出した環状の凸部を外縁部に有するとともに当該凸部で囲まれた内側に凹部を有する半導体ウェハに対し、前記凸部の突出側から前記凹部との間に空間を形成してマウント用テープが貼付された状態の当該半導体ウェハを切断するダイシング装置であって、前記半導体ウェハを前記マウント用テープ側から支持する支持手段と、前記支持手段で支持した前記半導体ウェハを所定形状に切断する切断手段とを備え、前記支持手段は、前記凸部に対応する位置を支持する外側支持体と、
前記凹部に対応する位置を支持する内側支持体と、前記外側支持体および内側支持体のうち少なくとも内側支持体に設けられる吸引手段と、前記空間に貫通する孔を前記マウント用テープに形成する孔形成手段とを有して構成されることを特徴とする。
On the other hand, the dicing apparatus of the present invention has an annular convex portion protruding in the thickness direction at the outer edge portion and a semiconductor wafer having a concave portion on the inner side surrounded by the convex portion from the protruding side of the convex portion. A dicing apparatus for cutting the semiconductor wafer in a state where a space is formed between the concave portion and the mounting tape is affixed, the supporting means for supporting the semiconductor wafer from the mounting tape side, and the supporting means Cutting means for cutting the semiconductor wafer supported in a predetermined shape, the support means, an outer support for supporting a position corresponding to the convex portion,
An inner support that supports a position corresponding to the recess, a suction means provided on at least the inner support of the outer support and the inner support, and a hole that forms a hole penetrating the space in the mounting tape. And forming means.
また、本発明のダイシング方法は、厚さ方向に突出した環状の凸部を外縁部に有するとともに当該凸部で囲まれた内側に凹部を有する半導体ウェハに対し、前記凸部の突出側から前記凹部との間に空間を形成してマウント用テープが貼付された状態の当該半導体ウェハを切断するダイシング方法であって、前記凸部に対応する外側位置と、前記凹部に対応する内側位置とをそれぞれ前記マウント用テープ側から支持し、前記内側位置における前記マウント用テープに前記空間に貫通する孔を形成し、前記形成した孔を介して前記空間内部の気体を吸い出し、前記マウント用テープを前記半導体ウェハの凹部底面に接着させてから、当該半導体ウェハを所定形状に切断することを特徴とする。 Further, the dicing method of the present invention has an annular convex portion protruding in the thickness direction at the outer edge portion and a semiconductor wafer having a concave portion on the inner side surrounded by the convex portion from the protruding side of the convex portion. A dicing method for cutting the semiconductor wafer in a state where a space is formed between the recess and the mounting tape is affixed, and an outer position corresponding to the protrusion and an inner position corresponding to the recess Supporting from the mounting tape side, forming a hole penetrating into the space in the mounting tape at the inner position, sucking out the gas inside the space through the formed hole, The semiconductor wafer is bonded to the bottom surface of the recess of the semiconductor wafer and then cut into a predetermined shape.
以上のような本発明によれば、外縁部に環状の凸部を有する半導体ウェハをマウント用テープ側から支持するとともに、半導体ウェハの凹部とマウント用テープとで囲まれた空間に貫通する孔をマウント用テープに形成し、空間内部の気体を吸い出してマウント用テープを半導体ウェハの凹部底面に接着させることで、その後のダイシングにより半導体ウェハを切断する際に、チップが散乱することが防止できる。従って、本発明の支持装置を備えたダイシング装置を用いることで、半導体ウェハのダイシングを円滑かつ確実に実施することができ、半導体製造工程の効率化を図ることができる。 According to the present invention as described above, a semiconductor wafer having an annular convex portion on the outer edge portion is supported from the mounting tape side, and a hole penetrating into a space surrounded by the concave portion of the semiconductor wafer and the mounting tape is formed. By forming the mounting tape on the mounting tape and sucking out the gas inside the space and bonding the mounting tape to the bottom surface of the recess of the semiconductor wafer, the chips can be prevented from being scattered when the semiconductor wafer is cut by subsequent dicing. Therefore, by using the dicing apparatus provided with the support device of the present invention, the semiconductor wafer can be diced smoothly and reliably, and the efficiency of the semiconductor manufacturing process can be improved.
また、支持装置において、外側支持体と内側支持体とが半導体ウェハに対して相対移動可能に設けられ、この内側支持体を突出させて半導体ウェハの凹部底面にマウント用テープを接着させるように構成すれば、マウント用テープを確実に半導体ウェハの凹部底面に接着することができる。さらに、内側支持体で半導体ウェハの凹部底面を支持した状態でダイシングを行うことで、ダイシング工程を安定して実施できるとともに、ウェハの切断精度を高めることもできる。
さらに、吸引手段の吸引口から針状部材を半導体ウェハに向かって突出させてマウント用テープに孔を形成するようにすれば、その孔から空間内部の気体を確実かつ効率的に吸引することができる。また、吸引口の一部に針状部材を挿通させるように構成することで、他の吸引口の位置には孔が形成されないようにでき、この吸引口を介してマウント用テープを吸引することにより半導体ウェハを確実に保持することができる。
Further, in the support device, the outer support and the inner support are provided so as to be relatively movable with respect to the semiconductor wafer, and the inner support is protruded so that the mounting tape is adhered to the bottom surface of the recess of the semiconductor wafer. By doing so, the mounting tape can be reliably bonded to the bottom surface of the recess of the semiconductor wafer. Further, by performing dicing while the bottom surface of the concave portion of the semiconductor wafer is supported by the inner support, the dicing process can be stably performed and the wafer cutting accuracy can be increased.
Furthermore, if the needle-like member is projected from the suction port of the suction means toward the semiconductor wafer to form a hole in the mounting tape, the gas inside the space can be reliably and efficiently sucked from the hole. it can. Also, by configuring the needle-like member to pass through a part of the suction port, it is possible to prevent the formation of holes at the positions of other suction ports, and the mounting tape is sucked through this suction port. Thus, the semiconductor wafer can be securely held.
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。
図1は、第1実施形態に係る半導体ウェハのダイシング装置1を示す部分断面図である。
図1において、ダイシング装置1は、表面に回路が形成された半導体ウェハを切断して所定形状のチップWG(図6参照)に個片化するものである。ここで、ウェハWは、例えば、前記特許文献2に記載されたように、外縁部がそれ以外の部分よりも薄く研削されることで、厚さ方向(裏面側)に突出した環状の凸部WAが外縁部に形成され、凸部WAで囲まれた内側に凹部底面WCと凹部周面WDとからなる凹部WBが形成されるとともに、その表面(研削面の反対側であり、図1の上側の面)WEに回路が形成された半導体ウェハである。このウェハWの表面WEには、研削工程等において回路面を保護する保護シートSが貼付され、ウェハWの裏面には、凹部WBとの間に空間W1を形成するように、凸部WAの頂面WFにマウント用テープTが貼付され、リングフレームRFと一体化されている。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing a semiconductor wafer dicing apparatus 1 according to the first embodiment.
In FIG. 1, a dicing apparatus 1 cuts a semiconductor wafer having a circuit formed on a surface thereof and divides it into chips WG (see FIG. 6) having a predetermined shape. Here, for example, as described in
ダイシング装置1は、マウント用テープT側からウェハWを支持する支持手段としての支持装置2と、ウェハWの表面WEから保護シートSを剥離する剥離装置3と、支持装置2で支持したウェハWを所定形状に切断する切断手段としての切断装置4とを備えて構成されている。
The dicing apparatus 1 includes a
剥離装置3は、図5に示すように、支持装置2によってウェハWを支持した状態で、ウェハWの表面WEに貼付された保護シートSに剥離用テープRTを貼付し、この剥離用テープRTを図示しない駆動手段で移動するチャック装置Cで掴んで引っ張ることで、保護シートSをウェハWから剥離するように構成されている。
As shown in FIG. 5, the peeling device 3 attaches a peeling tape RT to the protective sheet S attached to the surface WE of the wafer W while the wafer W is supported by the
切断装置4は、図6に示すように、ウェハWの表面WE側に設けられ、ウェハWを切断する回転ブレード41を備えて構成されている。回転ブレード41は、ウェハWの表面WEからマウント用テープTに達する切り込みを形成するように、その高さ位置が制御されるとともに、ウェハWの表面WEに沿った所定の経路を移動してウェハWを個々のチップWGに個片化するように制御される。
As shown in FIG. 6, the cutting device 4 is provided on the surface WE side of the wafer W, and includes a rotating
支持装置2は、ウェハWの凸部WAに対応する位置をその頂面WF側から支持する外側支持体である外側テーブル5と、外側テーブル5の内側に設けられてウェハWの凹部WBに対応する位置を支持する内側支持体である内側テーブル6と、支持したウェハWを保護シートSを介してウェハWの表面WE側から支える支え手段9とを備えて構成されている。また、内側テーブル6の下側には、外側テーブル5に対して当該内側テーブル6を昇降移動させる移動装置7が設けられ、内側テーブル6の内部には、マウント用テープTに空間W1に貫通する孔T1(図3参照)を形成する孔形成手段としての孔形成装置8が設けられている。さらに、外側テーブル5および内側テーブル6には、それぞれマウント用テープTを介してウェハWを吸引支持する吸引手段としての複数の吸引口51,61が設けられている。
The
外側テーブル5は、平面視略方形の外側テーブル本体52からなり、その内部外周側には平面視円環状のチャンバー部54が設けられるとともに、中央部にウェハWの凹部底面WCと平面視略同形状(略円形)の凹部底面53Aと凹部周面53Bとからなる凹部53が形成されている。複数の吸引口51は、チャンバー部54から外側テーブル本体52の上面に連通するとともに、チャンバー部54を介して図示しない吸引装置に接続されており、マウント用テープTを介してウェハWを吸引支持できるように構成されている。
The outer table 5 includes an outer table
内側テーブル6は、外側テーブル5の凹部周面53Bとの間に僅かな間隔(マウント用テープTの厚みよりも大きな間隔)をおいて設けられた平面視略円形の内側テーブル本体62からなり、その内部には平面視略円形のチャンバー部63が設けられている。また、複数の吸引口61は、チャンバー部63から内側テーブル本体62の上面に連通するとともに、チャンバー部63の下部に設けられた配管64を介して図示しない吸引装置に接続されており、マウント用テープTを介してウェハWを吸引支持できるように構成されている。
The inner table 6 is composed of an
支え手段9は、図示しない駆動手段を介してウェハWに対して離間接近可能に設けられるとともに、吸引口91によって保護シートSを介してウェハWを吸引して支えるように構成されている。
The
移動装置7は、外側テーブル5の凹部底面53Aに固定された直動モータ71によって構成され、この直動モータ71の出力軸72に内側テーブル6が固定されることで、内側テーブル6と外側テーブル5とが上下方向に相対移動でき、内側テーブル6がウェハWに向かって突没自在に設けられている。
The moving device 7 includes a
孔形成装置8は、チャンバー部63の底面に固定された直動モータ81と、この直動モータ81の出力軸82に固定される円盤状の昇降板83と、この昇降板83の上面から突出して設けられる複数の針状部材84とを有して構成されている。複数の針状部材84は、直動モータ81による昇降板83の昇降に伴って、ウェハWに向かって内側テーブル本体62の上面から突没自在に設けられている。また、複数の針状部材84は、内側テーブル6の複数の吸引口61のうち適宜な数の吸引口61に対応して設けられている。これにより、針状部材84は、空間W1に貫通する孔T1(図3参照)をマウント用テープTに形成するように構成されている。
The
以上のダイシング装置1において、ウェハWをダイシングする手順としては、先ず、保護シートSが貼付され、マウント用テープTを介してリングフレームRFと一体化されたウェハWを、図1に示すように、凹部底面WCと内側テーブル6の中心とが一致するように支持装置2上にセットする。そして、外側テーブル5および内側テーブル6の吸引口51,61でマウント用テープTを吸引してウェハWを支持する。
次に、図2に示すように、支え手段9が下降して保護シートSを介して吸引口91でウェハWを吸引して支える。そして、孔形成装置8は、直動モータ81を駆動して昇降板83および針状部材84を上昇させ、内側テーブル6の吸引口61から針状部材84を突出させてマウント用テープTに空間W1に貫通する孔T1(図3参照)を形成する。この後、孔形成装置8は、図3に示すように、昇降板83および針状部材84を下降させて孔T1から針状部材84を引き抜く。このとき、ウェハWは、支え手段9によって吸引されているので、凹部底面WCがマウント用テープT側に吸い寄せられることはない。つまり、支え手段9の吸引力の方が内側テーブル6の吸引力よりも大きく設定されている。
In the dicing apparatus 1 described above, as a procedure for dicing the wafer W, first, the wafer W to which the protective sheet S is attached and integrated with the ring frame RF via the mounting tape T is as shown in FIG. The concave bottom surface WC is set on the
Next, as shown in FIG. 2, the supporting
次に、図4に示すように、直動モータ71を駆動して内側テーブル6を上昇させ、凹部WBに対応したマウント用テープT領域を押し上げると、ウェハWの凹部WBとマウント用テープTとで囲まれた空間W1内部の気体を、孔T1を介して吸引口61から吸い出しつつ、押し上げたマウント用テープTが凹部底面WCに当接して接着する。そして、直動モータ71の出力トルクが所定値に達したことが検出された時点で、移動装置7は、直動モータ71の駆動を停止してその位置を保持する。このように、空間W1内部の気体を吸い出しつつマウント用テープTが内側テーブル6によって押し上げられることで、当該マウント用テープTは、その接着力によって凹部底面WCに接着され、ウェハWは、マウント用テープTを介して内側テーブル6に吸引されて支持される。そして、マウント用テープTをウェハWの凹部WBに接着したら、支え手段9は、ウェハWの上方位置から退避する。
Next, as shown in FIG. 4, when the
次に、図5に示すように、剥離装置3は、保護シートSの端部に剥離用テープRTを貼付し、この剥離用テープRTをチャック装置Cで掴んで図示しない駆動手段で引っ張ることで、保護シートSをウェハWから剥離する。このように保護シートSをウェハWから剥離した後に、剥離装置3は、ウェハWの上方から退避する。
次に、図6に示すように、切断装置4は、回転ブレード41によってウェハWの表面WE側からマウント用テープTに達する切り込みを形成し、ウェハWを複数のチップWGに個片化する。この際、個片化された各チップWGは、マウント用テープTに接着されているため散乱してしまうような不都合は発生しない。
Next, as shown in FIG. 5, the peeling device 3 attaches a peeling tape RT to the end of the protective sheet S, holds the peeling tape RT with the chuck device C, and pulls it with a driving means (not shown). The protective sheet S is peeled from the wafer W. After the protective sheet S is peeled from the wafer W in this way, the peeling device 3 is retracted from above the wafer W.
Next, as shown in FIG. 6, the cutting device 4 forms a cut reaching the mounting tape T from the surface WE side of the wafer W by the
以上のような本実施形態によれば、次のような効果がある。
すなわち、孔形成装置8によってマウント用テープTに形成した孔T1から空間W1内部の気体を吸い出しつつ、内側テーブル6で押し上げたマウント用テープTを凹部底面WCに接着することで、切断装置4でウェハWを切断して個片化する際に、凹部底面WCが浮き上がったり沈み込んだりすることがなくなり、正確にウェハWを個片化することができる上、チップWGの散乱を防止することができる。
また、凹部底面WCがマウント用テープTを介して内側テーブル6に吸引支持されているので、保護シートSの剥離工程においては、保護シートSの剥離と共に凹部底面WCが引っ張られてウェハWが破損することを防止できる。
According to this embodiment as described above, the following effects are obtained.
That is, by cutting the gas inside the space W1 from the hole T1 formed in the mounting tape T by the
Further, since the recess bottom surface WC is sucked and supported by the inner table 6 via the mounting tape T, the recess bottom surface WC is pulled together with the protection sheet S in the peeling process of the protection sheet S, and the wafer W is damaged. Can be prevented.
以上のように、本発明を実施するための最良の構成、方法等は、前記記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、本発明は、主に特定の実施形態に関して特に図示され、かつ説明されているが、本発明の技術的思想および目的の範囲から逸脱することなく、以上述べた実施形態に対し、形状、材質、数量、その他の詳細な構成において、当業者が様々な変形を加えることができるものである。また、上記に開示した形状、材質などを限定した記載は、本発明の理解を容易にするために例示的に記載したものであり、本発明を限定するものではないから、それらの形状、材質などの限定の一部もしくは全部の限定を外した部材の名称での記載は、本発明に含まれるものである。 As described above, the best configuration, method and the like for carrying out the present invention have been disclosed in the above description, but the present invention is not limited to this. That is, the invention has been illustrated and described with particular reference to certain specific embodiments, but without departing from the spirit and scope of the invention, Various modifications can be made by those skilled in the art in terms of material, quantity, and other detailed configurations. In addition, the description of the shape, material, and the like disclosed above is exemplary for ease of understanding of the present invention, and does not limit the present invention. The description by the name of the member which remove | excluded the limitation of one part or all of such restrictions is included in this invention.
例えば、前記実施形態では、ダイシング装置1に支持装置2を用いた例を説明したが、本発明の支持装置(支持方法)は、ダイシング装置1の他に、例えば、半導体ウェハに接着シートを貼付するシート貼付装置や、半導体ウェハから接着シートを剥離するシート剥離装置など、半導体製造用の各種装置に適用可能である。
For example, in the above-described embodiment, the example in which the
また、前記実施形態の保護シートS、支え手段9、リングフレームRFおよび外側テーブル5の吸引口51は、本発明の必須要件ではなく、省略することができる。
さらに、保護シートSが貼付された状態でウェハWを切断してから、各チップWG上に残る保護シートSを剥離装置3で剥離するように構成してもよい。この場合、剥離用テープRTは、切断された保護シートS全てに貼付できるサイズとすればよい。
また、剥離装置3は省略することができる。
さらに、前記実施形態では、支持装置2において、内側テーブル6が外側テーブル5に対して昇降するように構成したが、外側テーブル5が内側テーブル6に対して昇降するように構成してもよいし、内側テーブル6と外側テーブル5との両方が昇降するように構成してもよい。
また、内側テーブル6が外側テーブル5に一体に設けられていてもよく、その場合でも、マウント用テープTの孔T1から吸引口61によって空間W1内部の気体を吸い出すことで、凹部底面WCにマウント用テープTを接着させることができる。
さらに、ウェハWは、シリコンウエハや化合物ウェハであってもよい。
また、孔形成手段は、レーザ光線、電熱線等の熱、回転ドリル等によって孔を形成するように構成してもよい。
さらに、切断手段4は、回転ブレード41以外に、レーザー光線を利用したカッター等によって構成してもよい。
Moreover, the protective sheet S, the support means 9, the ring frame RF, and the
Furthermore, after the wafer W is cut with the protective sheet S attached, the protective sheet S remaining on each chip WG may be peeled off by the peeling device 3. In this case, the peeling tape RT may be a size that can be attached to all the cut protective sheets S.
Further, the peeling device 3 can be omitted.
Furthermore, in the said embodiment, in the
Further, the inner table 6 may be provided integrally with the outer table 5, and even in that case, the gas inside the space W1 is sucked out from the hole T1 of the mounting tape T by the
Further, the wafer W may be a silicon wafer or a compound wafer.
Moreover, you may comprise a hole formation means so that a hole may be formed by heat, such as a laser beam and a heating wire, a rotary drill.
Further, the cutting means 4 may be constituted by a cutter using a laser beam in addition to the
1 ダイシング装置
2 支持装置(支持手段)
4 切断装置(切断手段)
5 外側テーブル(外側支持体)
6 内側テーブル(内側支持体)
8 孔形成装置(孔形成手段)
51,61 吸引口(吸引手段)
84 針状部材
T マウント用テープ
T1 孔
W ウェハ(半導体ウェハ)
W1 空間
WA 凸部
WB 凹部
WC 凹部底面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
4 Cutting device (cutting means)
5 Outer table (outer support)
6 Inner table (inner support)
8 Hole forming device (hole forming means)
51, 61 Suction port (suction means)
84 Needle-shaped member T Mount tape T1 Hole W Wafer (Semiconductor wafer)
W1 Space WA Convex WB Concave WC Concave bottom
Claims (6)
前記凸部に対応する位置を支持する外側支持体と、
前記凹部に対応する位置を支持する内側支持体と、
前記外側支持体および内側支持体のうち少なくとも内側支持体に設けられる吸引手段と、
前記空間に貫通する孔を前記マウント用テープに形成する孔形成手段とを備えることを特徴とする支持装置。 A space is formed between the projecting side of the convex portion and the concave portion with respect to a semiconductor wafer having an annular convex portion protruding in the thickness direction at the outer edge portion and a concave portion inside the convex portion. A supporting device for supporting the semiconductor wafer in a state where the mounting tape is attached from the mounting tape side,
An outer support that supports a position corresponding to the convex portion;
An inner support that supports a position corresponding to the recess;
A suction means provided on at least the inner support of the outer support and the inner support;
And a hole forming means for forming a hole penetrating the space in the mounting tape.
前記凸部に対応する外側位置と、前記凹部に対応する内側位置とをそれぞれ支持し、
前記内側位置における前記マウント用テープに前記空間に貫通する孔を形成し、
前記形成した孔を介して前記空間内部の気体を吸い出し、前記マウント用テープを前記半導体ウェハの凹部底面に接着させることを特徴とする支持方法。 A space is formed between the projecting side of the convex portion and the concave portion with respect to a semiconductor wafer having an annular convex portion protruding in the thickness direction at the outer edge portion and a concave portion inside the convex portion. A mounting method for supporting the semiconductor wafer in a state where the mounting tape is affixed from the mounting tape side,
Supporting the outer position corresponding to the convex part and the inner position corresponding to the concave part,
Forming a hole that penetrates the space in the mounting tape at the inner position;
A support method, wherein the gas inside the space is sucked out through the formed hole, and the mounting tape is adhered to the bottom surface of the recess of the semiconductor wafer.
前記半導体ウェハを前記マウント用テープ側から支持する支持手段と、
前記支持手段で支持した前記半導体ウェハを所定形状に切断する切断手段とを備え、
前記支持手段は、
前記凸部に対応する位置を支持する外側支持体と、
前記凹部に対応する位置を支持する内側支持体と、
前記外側支持体および内側支持体のうち少なくとも内側支持体に設けられる吸引手段と、
前記空間に貫通する孔を前記マウント用テープに形成する孔形成手段とを有して構成されることを特徴とするダイシング装置。 A space is formed between the projecting side of the convex portion and the concave portion with respect to a semiconductor wafer having an annular convex portion protruding in the thickness direction at the outer edge portion and a concave portion inside the convex portion. A dicing apparatus for cutting the semiconductor wafer with the mounting tape attached thereto,
Supporting means for supporting the semiconductor wafer from the mounting tape side;
Cutting means for cutting the semiconductor wafer supported by the support means into a predetermined shape,
The support means is
An outer support that supports a position corresponding to the convex portion;
An inner support that supports a position corresponding to the recess;
A suction means provided on at least the inner support of the outer support and the inner support;
A dicing apparatus comprising: a hole forming means for forming a hole penetrating the space in the mounting tape.
前記凸部に対応する外側位置と、前記凹部に対応する内側位置とをそれぞれ前記マウント用テープ側から支持し、
前記内側位置における前記マウント用テープに前記空間に貫通する孔を形成し、
前記形成した孔を介して前記空間内部の気体を吸い出し、前記マウント用テープを前記半導体ウェハの凹部底面に接着させてから、当該半導体ウェハを所定形状に切断することを特徴とするダイシング方法。 A space is formed between the projecting side of the convex portion and the concave portion with respect to a semiconductor wafer having an annular convex portion protruding in the thickness direction at the outer edge portion and a concave portion inside the convex portion. A dicing method for cutting the semiconductor wafer in a state where the mounting tape is attached,
Supporting the outer position corresponding to the convex part and the inner position corresponding to the concave part from the mounting tape side, respectively.
Forming a hole that penetrates the space in the mounting tape at the inner position;
A dicing method comprising: sucking out gas in the space through the formed hole, adhering the mounting tape to the bottom surface of the recess of the semiconductor wafer, and then cutting the semiconductor wafer into a predetermined shape.
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