JP6004705B2 - Method for forming chip with adhesive film - Google Patents

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Description

本発明は、裏面に接着フィルムが貼着されたチップを形成する接着フィルム付きチップの形成方法に関する。   The present invention relates to a method for forming a chip with an adhesive film that forms a chip with an adhesive film attached to the back surface.

従来、特許文献１に記載されるように、裏面に接着フィルム（粘着層）が貼着された半導体チップの製造方法が知られている。接着フィルムは、ＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｔｃｈ Ｆｉｌｍ）と称され、ダイボンディングのために用いられるものである。   Conventionally, as described in Patent Document 1, a method for manufacturing a semiconductor chip in which an adhesive film (adhesive layer) is attached to the back surface is known. The adhesive film is called DAF (Die Attach Film) and is used for die bonding.

また、特許文献２に記載されるように、半導体素子が形成されたウェーハ上に格子状に配置されたダイシングラインに沿って半導体素子の形成面側から完成時のチップの厚さよりも深い溝を形成した後、ウェーハの裏面を完成時のチップの厚さまで研削及び研磨し、ウェーハを個々のチップに分離する、いわゆる先ダイシング法が知られている。   Further, as described in Patent Document 2, grooves deeper than the chip thickness at the time of completion are formed from the semiconductor element formation surface side along dicing lines arranged in a lattice pattern on the wafer on which the semiconductor elements are formed. A so-called first dicing method is known in which after the formation, the back surface of the wafer is ground and polished to the thickness of the chip at the completion, and the wafer is separated into individual chips.

さらに、特許文献３に記載されるように、先ダイシング法により既にチップに分割されたウェーハについて接着フィルムを貼着した後、隣接するチップの間を通じて接着フィルムにレーザービームを照射して接着フィルムを破断する方法が知られている。   Furthermore, as described in Patent Document 3, after adhering an adhesive film on a wafer that has already been divided into chips by a prior dicing method, the adhesive film is irradiated with a laser beam through adjacent chips. A method of breaking is known.

他方、特許文献４に記載されるように、接着フィルムをレーザービームによって破断するのではなく、分割装置で引きちぎる手法も知られている。   On the other hand, as described in Patent Document 4, there is also known a technique in which an adhesive film is not broken by a laser beam but is torn off by a dividing device.

特開２０００−１８２９９５号公報JP 2000-182959 A 特開平１１−０４０５２０号公報JP-A-11-040520 特開２００２−１１８０８１号公報JP 2002-118081 A 特開２００５−２２３２８３号公報JP 2005-223283 A

しかし、特許文献３に開示されるように、先ダイシング法で一度チップに分割されたウェーハに接着フィルムを貼着する形態では、接着フィルムを貼着する際に分割されたチップが動いてしまう所謂ダイシフトが発生することが懸念される。そして、このようなダイシフトが発生すると、隣接するチップ間の隙間で形成されるレーザービームを照射すべきラインがまっすぐではなく（直線状ではなく）曲がってしまうことや、場合によってはチップ間の隙間がなくなってしまう。   However, as disclosed in Patent Document 3, in the form in which an adhesive film is attached to a wafer that has been once divided into chips by the first dicing method, the divided chips move when the adhesive film is attached. There is concern about the occurrence of die shift. When such a die shift occurs, the line to be irradiated with the laser beam formed in the gap between adjacent chips is not straight (not straight), and in some cases, the gap between the chips. Will disappear.

そして、レーザービーム照射すべきラインが曲がってしまうと、その曲がりに追従させてレーザービームを照射する必要があり、レーザービーム照射の制御が非常に難しくなる。また、チップ間の隙間がなくなってしまうと、レーザービームの照射ができなくなってしまう。   If the line to be irradiated with the laser beam is bent, it is necessary to irradiate the laser beam following the curve, and it becomes very difficult to control the laser beam irradiation. Further, if there is no gap between the chips, the laser beam cannot be irradiated.

他方、特許文献４に開示されるような分割装置で接着フィルムを引きちぎる手法では、例えば、チップサイズが１ｍｍ角以下と小さいものについて接着フィルムを引きちぎる場合に、接着フィルムが破断されない領域が発生するおそれがある。また、引きちぎられた接着フィルムはチップよりも大きく形成されるため、引きちぎられた接着フィルムの端がチップの側面や表面に付着して、後にピックアップ不良やデバイス不良を引き起こすおそれがある。   On the other hand, in the technique of tearing the adhesive film with a dividing apparatus as disclosed in Patent Document 4, for example, when the adhesive film is torn for a chip having a chip size of 1 mm square or less, there is a risk that a region where the adhesive film is not broken may occur. There is. Further, since the torn adhesive film is formed larger than the chip, the edge of the torn adhesive film may adhere to the side surface or the surface of the chip, which may cause a pickup failure or a device failure later.

本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、裏面に接着フィルムが貼着されたチップを形成する接着フィルム付きチップの形成方法について、接着フィルムの破断について上記の問題を解決するための技術を提供することである。   The present invention has been made in view of the above problems, and the object of the present invention is to break the adhesive film with respect to a method for forming a chip with an adhesive film that forms a chip with an adhesive film attached to the back surface. Is to provide a technique for solving the above problems.

請求項１に記載の発明によると、裏面に接着フィルムが貼着された接着フィルム付きチップを形成する接着フィルム付きチップの形成方法であって、交差する複数の分割予定ラインが設定されたウェーハに分割予定ラインに沿った分割起点を形成する分割起点形成ステップと、分割起点形成ステップを実施した後、ウェーハの裏面に接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着ステップと、接着フィルム貼着ステップを実施した後、接着フィルムに分割予定ラインに沿った分割溝をレーザービームの照射または切削ブレードで形成する接着フィルム分割溝形成ステップと、接着フィルム分割溝形成ステップを実施した後、ウェーハに貼着された接着フィルム上にエキスパンドシートを貼着するエキスパンドシート貼着ステップと、エキスパンドシート貼着ステップを実施した後、エキスパンドシートをエキスパンドすることによりウェーハに外力を付与してウェーハと接着フィルムとを個々のチップへと分割し、裏面に接着フィルムが貼着された接着フィルム付きチップを複数形成する分割ステップと、分割起点形成ステップを実施する前に、ウェーハの裏面を研削して円形凹部を形成するとともに、円形凹部を囲繞する環状凸部を形成する研削ステップと、を備え、分割起点形成ステップでは、レーザービームをウェーハの裏面に照射して分割起点となる改質層を形成するとともに、ウェーハの外周余剰領域に円形の改質層を形成しないことを特徴とする接着フィルム付きチップの形成方法が提供される。 According to invention of Claim 1, it is a formation method of the chip | tip with an adhesive film which forms the chip | tip with an adhesive film by which the adhesive film was stuck on the back surface, Comprising: On the wafer by which the several division | segmentation schedule line which crossed was set After performing the split starting point forming step along the planned split line, the split starting point forming step, the adhesive film sticking step for sticking the adhesive film to the back surface of the wafer, and the adhesive film sticking step are performed. After the adhesive film dividing groove forming step and the adhesive film dividing groove forming step for forming the dividing groove along the line to be divided on the adhesive film by laser beam irradiation or a cutting blade, the adhesive film was adhered to the wafer. Expanding sheet sticking step to stick an expanding sheet on the adhesive film, and expanding After performing the sheet attaching step, the expanded sheet is expanded to give external force to the wafer to divide the wafer and adhesive film into individual chips, and the adhesive film with the adhesive film attached to the back A dividing step for forming a plurality of chips, and a grinding step for forming a circular concave portion by grinding the back surface of the wafer and forming an annular convex portion surrounding the circular concave portion before performing the division starting point forming step. in the division start point forming step, to form a modified layer to be a division originating points by irradiating a laser beam to the backside of the wafer, characterized in that the peripheral marginal region of the wafer does not form a circular modified layer adhesion A method for forming a filmed chip is provided.

請求項２に記載の発明によると、分割ステップでは、エキスパンドシートをエキスパンドする前に、ウェーハの表面から外周余剰領域に円形の改質層又は分割溝を形成する接着フィルム付きチップの形成方法が提供される。 According to the second aspect of the present invention, in the dividing step, there is provided a method for forming a chip with an adhesive film in which a circular modified layer or a dividing groove is formed from the surface of the wafer to the outer peripheral surplus area before expanding the expanded sheet. Is done.

本発明によると、ウェーハに分割起点を形成した後、ウェーハを個々のチップへと分割する前に、ウェーハの裏面に接着フィルムが貼着される。その後、接着フィルムについてチップ間の隙間に沿った分割溝を形成してウェーハが個々のチップへと分割される。   According to the present invention, after the division starting point is formed on the wafer, the adhesive film is attached to the back surface of the wafer before the wafer is divided into individual chips. Thereafter, the adhesive film is formed with dividing grooves along the gaps between the chips, and the wafer is divided into individual chips.

この方法によれば、接着フィルムの貼着の際にウェーハが分割されていないため、ダイシフトが発生することなく、チップ間の隙間で形成される分割予定ラインが曲がることや、隙間がなくなってしまうことがない。そして、チップ間の隙間に沿った分割溝を形成してウェーハが個々のチップへと分割されるため、接着フィルムを引きちぎる手法における不具合が生じることもない。   According to this method, since the wafer is not divided at the time of adhering the adhesive film, the planned division line formed in the gap between the chips is bent or the gap is eliminated without causing die shift. There is nothing. And since the division | segmentation groove | channel along the clearance gap between chips | tips is formed and a wafer is divided | segmented into each chip | tip, the malfunction in the method of tearing an adhesive film does not arise.

加工対象である半導体ウェーハについて示す斜視図である。It is a perspective view shown about the semiconductor wafer which is a process target. 研削ステップを実施するための研削ユニットの斜視図である。It is a perspective view of the grinding unit for implementing a grinding step. 分割起点形成ステップを実施するためのレーザー加工装置の斜視図である。It is a perspective view of the laser processing apparatus for implementing a division | segmentation starting point formation step. レーザービーム照射ユニットのブロック図である。It is a block diagram of a laser beam irradiation unit. （Ａ）は保護テープを貼着したウェーハについて示す断面図である。（Ｂ）は円形凹部を構成したウェーハについて示す断面図である。（Ｃ）は改質層が形成されたウェーハについて示す断面図である。（Ｄ）は接着フィルムを貼着したウェーハについて示す断面図である。(A) is sectional drawing shown about the wafer which stuck the protective tape. (B) is sectional drawing shown about the wafer which comprised the circular recessed part. (C) is sectional drawing shown about the wafer in which the modified layer was formed. (D) is sectional drawing shown about the wafer which stuck the adhesive film. 接着フィルムに分割溝が形成されたウェーハについて示す断面図である。It is sectional drawing shown about the wafer in which the division | segmentation groove | channel was formed in the adhesive film. （Ａ）はエキスパンドシートを貼着したウェーハについて示す断面図である。（Ｂ）は保護テープが除去されるウェーハについて示す断面図である。（Ｃ）は凸状上面を有するチャックテーブルにセットされたウェーハについて示す断面図である。(A) is sectional drawing shown about the wafer which stuck the expanded sheet. (B) is sectional drawing shown about the wafer from which a protective tape is removed. (C) is sectional drawing shown about the wafer set to the chuck table which has a convex-shaped upper surface. （Ａ）はエキスパンドシートを貼着したウェーハについて示す断面図である。（Ｂ）はエキスパンドシートをエキスパンドする状況について示す断面図である。（Ｃ）はチップに分割される状況について示す断面図である。(A) is sectional drawing shown about the wafer which stuck the expanded sheet. (B) is sectional drawing shown about the condition which expands an expanded sheet. (C) is sectional drawing shown about the condition divided | segmented into a chip | tip. （Ａ）はエキスパンドシートを貼着したウェーハについて示す断面図である。（Ｂ）はリング状の外周余剰領域を除去する状況について示す断面図である。（Ｃ）はチップに分割される状況について示す断面図である。(A) is sectional drawing shown about the wafer which stuck the expanded sheet. (B) is sectional drawing shown about the condition which removes a ring-shaped outer periphery excess area | region. (C) is sectional drawing shown about the condition divided | segmented into a chip | tip.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、加工対象である半導体ウェーハＷ（以下、単に「ウェーハＷ」とも表記される）の表面側斜視図が示されている。ウェーハＷの表面においては、第１分割予定ライン（ストリート）Ｓ１と第２分割予定ラインＳ２が直交して形成されており、第１分割予定ラインＳ１と第２分割予定ラインＳ２によって区画された複数の領域にそれぞれＬＳＩ等のデバイスＤが形成されている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, a front side perspective view of a semiconductor wafer W to be processed (hereinafter also simply referred to as “wafer W”) is shown. On the surface of the wafer W, the first division planned line (street) S1 and the second division planned line S2 are formed orthogonally, and a plurality of sections divided by the first division planned line S1 and the second division planned line S2. A device D such as an LSI is formed in each region.

このようなウェーハＷについて加工を行う本発明の実施形態について、以下順に説明する。まず、本実施形態では、詳しくは後述する分割起点形成ステップを実施する前に、図２に示すように、ウェーハＷの裏面Ｗｂを研削して円形凹部Ｗｃを形成するとともに円形凹部Ｗｃを囲繞する環状凸部Ｗｄを形成する研削ステップが実施される。   Embodiments of the present invention for processing such a wafer W will be described in the following order. First, in this embodiment, before carrying out the division starting point forming step described in detail later, as shown in FIG. 2, the back surface Wb of the wafer W is ground to form a circular recess Wc and surround the circular recess Wc. A grinding step for forming the annular convex portion Wd is performed.

図２は、研削ステップを実施するための研削ユニット１１を示しており、ハウジング１２中に回転可能に収容されたスピンドル１８と、スピンドル１８の先端に固定されたマウンタ１３と、マウンタ１３にねじ締結され環状に配設された複数の研削砥石５２を有する研削ホイール２１と、スピンドル１８を回転駆動する図示せぬサーボモータを有して構成される。   FIG. 2 shows a grinding unit 11 for performing a grinding step. The spindle 18 is rotatably accommodated in a housing 12, the mounter 13 is fixed to the tip of the spindle 18, and the mounter 13 is screwed. The grinding wheel 21 includes a plurality of grinding wheels 52 arranged in an annular shape, and a servo motor (not shown) that rotates the spindle 18.

研削ユニット１１の下方にはチャックテーブル３５が配置されており、チャックテーブル３５にウェーハＷが吸引保持された状態となっている。この吸引保持の前段階において、デバイスＤを保護するためにウェーハＷの表面Ｗａに保護テープ１０（図１、図５（Ａ））を貼着する保護テープ貼着ステップが実施されることとしている。そして、保護テープ１０が下側になるようにしてウェーハＷがチャックテーブル３５に保持される。   A chuck table 35 is disposed below the grinding unit 11, and the wafer W is sucked and held on the chuck table 35. In the previous stage of the suction holding, a protective tape attaching step for attaching the protective tape 10 (FIGS. 1 and 5A) to the surface Wa of the wafer W in order to protect the device D is to be performed. . Then, the wafer W is held on the chuck table 35 so that the protective tape 10 is on the lower side.

そして、チャックテーブル３５を矢印３７で示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール２１を矢印５３で示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させるとともに、研削ホイール２１の研削砥石５２をウェーハＷの裏面に接触させる。そして、研削ホイール２１を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。   Then, while rotating the chuck table 35 in the direction indicated by the arrow 37 at, for example, 300 rpm, the grinding wheel 21 is rotated in the direction indicated by the arrow 53, for example, at 6000 rpm, and the grinding wheel 52 of the grinding wheel 21 contacts the back surface of the wafer W. Let Then, the grinding wheel 21 is ground and fed downward by a predetermined amount at a predetermined grinding feed speed.

この結果、ウェーハＷの裏面には、図２に示すように、デバイスＤが形成される領域に対応するデバイス領域１７（図１参照）の裏面が研削除去されて所定厚さ（例えば３０μｍ）の円形凹部Ｗｃが形成されるとともに、デバイスＤが形成されない外周余剰領域１９（図１参照）に対応する領域が残存されて環状凸部（リング状補強部）Ｗｄが形成される。   As a result, as shown in FIG. 2, the back surface of the device region 17 (see FIG. 1) corresponding to the region where the device D is formed is ground and removed on the back surface of the wafer W to a predetermined thickness (for example, 30 μm). A circular concave portion Wc is formed, and a region corresponding to the outer peripheral surplus region 19 (see FIG. 1) where the device D is not formed is left to form an annular convex portion (ring-shaped reinforcing portion) Wd.

次いで、図３に示すように、交差する複数の分割予定ラインが設定されたウェーハＷに分割予定ラインに沿った分割起点を形成する分割起点形成ステップが実施される。本実施形態では、レーザー加工装置２０のレーザービーム照射ユニット２４を用い、集光器２８からレーザービームをウェーハＷの裏面Ｗｂに対して照射することにより、分割起点を形成することとしている。   Next, as shown in FIG. 3, a division start point forming step for forming a division start point along the scheduled division line is performed on the wafer W on which a plurality of intersecting scheduled lines are set. In the present embodiment, the laser beam irradiation unit 24 of the laser processing apparatus 20 is used to irradiate the back surface Wb of the wafer W with the laser beam from the condenser 28 to form the division starting point.

レーザービーム照射ユニット２４のケーシング２６内には、図４のブロック図に示すように、レーザー発振手段３４と、レーザービーム変調手段３６が配設されている。レーザー発振手段３４としては、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器を用いることができる。レーザービーム変調手段３６は、繰り返し周波数設定手段３８と、レーザービームパルス幅設定手段４０と、レーザービーム波長設定手段４２を含んで構成される。   As shown in the block diagram of FIG. 4, a laser oscillation means 34 and a laser beam modulation means 36 are disposed in the casing 26 of the laser beam irradiation unit 24. As the laser oscillation means 34, a YAG laser oscillator or a YVO4 laser oscillator can be used. The laser beam modulation unit 36 includes a repetition frequency setting unit 38, a laser beam pulse width setting unit 40, and a laser beam wavelength setting unit 42.

レーザービーム変調手段３６を構成する繰り返し周波数設定手段３８、レーザービームパルス幅設定手段４０及びレーザービーム波長設定手段４２は周知の形態のものであり、本明細書においてはその詳細な説明を省略する。   The repetition frequency setting means 38, the laser beam pulse width setting means 40, and the laser beam wavelength setting means 42 constituting the laser beam modulation means 36 are of known forms, and detailed description thereof is omitted in this specification.

以上の構成において、図３に示すように、レーザー加工装置２０のチャックテーブル２２の保持面に、保護テープ１０を介してウェーハＷが保持された状態とするとともに、チャックテーブル２２をＸ軸方向へ加工送りすることで、分割予定ラインＳ１（図１）に沿った改質層が形成される。チャックテーブル２２をＹ軸方向にインデックス送りをし、全ての分割予定ラインＳ１について改質層を形成する。その後、チャックテーブル２２を９０度回転させ、同様に分割予定ラインＳ２（図２）に沿って改質層を形成する。   In the above configuration, as shown in FIG. 3, the wafer W is held on the holding surface of the chuck table 22 of the laser processing apparatus 20 via the protective tape 10, and the chuck table 22 is moved in the X-axis direction. By processing and feeding, a modified layer is formed along the planned division line S1 (FIG. 1). The chuck table 22 is index-fed in the Y-axis direction, and a modified layer is formed for all the division lines S1. Thereafter, the chuck table 22 is rotated 90 degrees, and a modified layer is similarly formed along the planned division line S2 (FIG. 2).

なお、本実施形態では事前に円形凹部Ｗｃが形成されているため、この円形凹部Ｗｃの範囲内における分割予定ラインＳ１，Ｓ２（図１）について改質層を形成することで環状凸部の強度低下を防止できる。しかし、ウェーハの外周縁の一端から他端まで分割予定ラインに沿って改質層を形成してもよい。また、裏面側となる位置に配置された分割予定ラインを検出してアライメントするために、レーザービーム照射ユニット２４に赤外線カメラを有する撮像ユニット２９を備える構成とすることや、透明材で構成されたチャックテーブルの保持面の下方に配設されたカメラにて保持面を介してウェーハの裏面を撮像する構成とすることが考えられる。   In the present embodiment, since the circular concave portion Wc is formed in advance, the strength of the annular convex portion is formed by forming the modified layer on the division lines S1 and S2 (FIG. 1) within the range of the circular concave portion Wc. Decline can be prevented. However, the modified layer may be formed along the planned dividing line from one end to the other end of the outer peripheral edge of the wafer. In addition, in order to detect and align the division line arranged at the position on the back side, the laser beam irradiation unit 24 includes an imaging unit 29 having an infrared camera, or is configured with a transparent material. It can be considered that the rear surface of the wafer is imaged through the holding surface with a camera disposed below the holding surface of the chuck table.

レーザービームを用いた分割起点形成ステップにおける加工条件は、例えば次のように設定される。
光源 ：ＬＤ励起Ｑスイッチ Ｎｄ：ＹＶＯ４パルスレーザ
波長 ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数 ：１００ｋＨｚ
平均出力 ：１Ｗ
集光スポット径 ：φ１μｍ
加工送り速度 ：１００ｍｍ／秒 The processing conditions in the division starting point forming step using a laser beam are set as follows, for example.
Light source: LD excitation Q switch Nd: YVO 4 pulse laser Wavelength: 1064 nm
Repetition frequency: 100 kHz
Average output: 1W
Condensing spot diameter: φ1μm
Processing feed rate: 100 mm / sec

また、分割起点形成ステップにおいては、改質層にて分割起点を形成する他、レーザー加工溝や切削ブレードによる切削溝によって分割起点が形成されることとしてもよい。なお、上述のように分割起点として改質層を形成する場合には、分割予定ラインの幅を狭くでき、チップの取り個数を向上させることができるため、このような観点からは、分割起点として改質層を形成することが好ましい。   Further, in the division starting point forming step, the division starting point may be formed by a laser processing groove or a cutting groove by a cutting blade in addition to forming the division starting point by the modified layer. In addition, when the modified layer is formed as the division starting point as described above, the width of the planned dividing line can be reduced and the number of chips can be improved. It is preferable to form a modified layer.

以上に説明した段階において、図５（Ａ）に示すように、ウェーハＷの表面Ｗａに保護テープ１０を貼着する保護テープ貼着ステップと、図５（Ｂ）に示すように、ウェーハＷの裏面Ｗｂを研削して円形凹部Ｗｃを形成するとともに円形凹部Ｗｃを囲繞する環状凸部Ｗｄを形成する研削ステップと、図５（Ｃ）に示すように、交差する複数の分割予定ラインが設定されたウェーハＷに分割予定ラインに沿った分割起点（改質層７３）を形成する分割起点形成ステップと、が実施される。   At the stage described above, as shown in FIG. 5A, the protective tape attaching step of attaching the protective tape 10 to the surface Wa of the wafer W, and as shown in FIG. A grinding step for forming the circular concave portion Wc by grinding the back surface Wb and forming the annular convex portion Wd surrounding the circular concave portion Wc, and a plurality of intersecting scheduled lines are set as shown in FIG. A split starting point forming step for forming a split starting point (modified layer 73) along the planned split line on the wafer W is performed.

そして、図５（Ｃ）に示す分割起点形成ステップを実施した後、図５（Ｄ）に示すように、ウェーハＷの裏面Ｗｂに接着フィルム３０を貼着する接着フィルム貼着ステップが実施される。この接着フィルム３０は、ＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｔｃｈ Ｆｉｌｍ）と称され、ダイボンディングのために用いられるものである。   And after performing the division | segmentation starting point formation step shown in FIG.5 (C), as shown in FIG.5 (D), the adhesive film sticking step which sticks the adhesive film 30 on the back surface Wb of the wafer W is implemented. . The adhesive film 30 is called DAF (Die Attach Film) and is used for die bonding.

本実施形態では、接着フィルム３０は、ウェーハＷの裏面Ｗｂに形成された円形凹部Ｗｃ内（環状凸部Ｗｄに囲まれた範囲）に収まるような円盤形状に構成されている。また、接着フィルム３０の外周縁を環状凸部Ｗｄの立ち上がり部分（内周壁）に接触させることで、接着フィルム３０のウェーハＷに対する位置決めを可能とする構成としてもよい。   In the present embodiment, the adhesive film 30 is configured in a disk shape that fits in a circular recess Wc formed in the back surface Wb of the wafer W (a range surrounded by the annular protrusion Wd). Moreover, it is good also as a structure which enables the positioning with respect to the wafer W of the adhesive film 30 by making the outer periphery of the adhesive film 30 contact the rising part (inner peripheral wall) of the cyclic | annular convex part Wd.

また、この接着フィルム３０は、例えば、真空ラミネータなどの周知の装置にてウェーハＷの裏面Ｗｂ（円形凹部Ｗｃの底面）に対して貼着させることができる。   Further, the adhesive film 30 can be attached to the back surface Wb of the wafer W (the bottom surface of the circular recess Wc) with a known device such as a vacuum laminator.

ここで、図５（Ｃ）における分割起点形成ステップが実施された状態においては、分割予定ラインが完全に切断されていない状態となっている。つまり、個々のチップに分割されていない状態となっている。このため、図５（Ｄ）に示すように接着フィルム３０をウェーハＷの裏面Ｗｂに貼着したとしても、チップが動くといった所謂ダイシフトが生じることもない。   Here, in the state in which the division start point forming step in FIG. 5C is performed, the division planned line is not completely cut. That is, it is not divided into individual chips. For this reason, even if the adhesive film 30 is attached to the back surface Wb of the wafer W as shown in FIG. 5D, a so-called die shift in which the chip moves does not occur.

次いで、図５（Ｄ）に示す接着フィルム貼着ステップを実施した後、図６に示すように、接着フィルム３０に分割予定ラインＳ１に沿った分割溝３１をレーザービームＬＢの照射で形成する接着フィルム分割溝形成ステップが実施される。   Next, after carrying out the adhesive film sticking step shown in FIG. 5 (D), as shown in FIG. 6, as shown in FIG. A film dividing groove forming step is performed.

図６に示す本実施形態では、レーザービームＬＢによるアブレーション加工により、チャックテーブル４４にウェーハＷを保持した状態で加工が行われることとしている。チャックテーブル４４の保持面４４ａには、保護テープ１０を介してウェーハＷが吸引保持されており、このウェーハＷの円形凹部Ｗｃには接着フィルム３０が貼着された状態となっている。   In the present embodiment shown in FIG. 6, the processing is performed with the wafer W held on the chuck table 44 by ablation processing by the laser beam LB. The wafer W is sucked and held on the holding surface 44 a of the chuck table 44 via the protective tape 10, and the adhesive film 30 is stuck on the circular recess Wc of the wafer W.

そして、この接着フィルム３０に対し、レーザービームＬＢを照射して分割予定ラインＳ１に沿った分割溝３１を形成させる。分割溝３１は接着フィルム３０を完全に切断する溝とする他、接着フィルム３０を完全に切断しないハーフカット溝とすることとしてもよい。   Then, the adhesive film 30 is irradiated with a laser beam LB to form a division groove 31 along the division line S1. The dividing groove 31 may be a groove that completely cuts the adhesive film 30 or a half-cut groove that does not completely cut the adhesive film 30.

なお、接着フィルム３０に分割溝３１を形成する際のアブレーション加工の条件は、例えば次のように設定される。
光源 ：ＬＤ励起Ｑスイッチ Ｎｄ：ＹＡＧパルスレーザ
波長 ：３５５ｎｍ（ＹＡＧレーザーの第３高調波）
出力 ：３〜３．７５Ｗ
繰り返し周波数 ：１０ｋＨｚ
加工送り速度 ：１００〜２００ｍｍ／秒 In addition, the conditions of the ablation process at the time of forming the division | segmentation groove | channel 31 in the adhesive film 30 are set as follows, for example.
Light source: LD excitation Q switch Nd: YAG pulse laser Wavelength: 355 nm (third harmonic of YAG laser)
Output: 3 to 3.75W
Repetition frequency: 10 kHz
Processing feed rate: 100 to 200 mm / sec

また、本実施形態のようにレーザー加工装置を用いたアブレーション加工により接着フィルム分割溝形成ステップを実施するほか、回転する切削ブレードにて切削溝を形成する切削装置にて分割溝３１を形成することとしてもよい。この場合、切削ブレードの刃厚や種類、さらには接着フィルム３０の種類によっては、接着フィルム３０を切断することで切削ブレードの目詰まりが生じることが懸念される。このような場合には、レーザー加工装置を用いることが好ましいこととなる。   In addition to performing the adhesive film dividing groove forming step by ablation processing using a laser processing apparatus as in the present embodiment, the dividing groove 31 is formed by a cutting device that forms cutting grooves with a rotating cutting blade. It is good. In this case, depending on the blade thickness and type of the cutting blade and the type of the adhesive film 30, there is a concern that the cutting blade may be clogged by cutting the adhesive film 30. In such a case, it is preferable to use a laser processing apparatus.

図６に示される接着フィルム分割溝形成ステップを実施した後、図７（Ａ）に示すように、ウェーハＷに貼着された接着フィルム３０上にエキスパンドシート６０を貼着するエキスパンドシート貼着ステップが実施される。   After carrying out the adhesive film dividing groove forming step shown in FIG. 6, as shown in FIG. 7A, an expanded sheet attaching step for attaching the expanded sheet 60 onto the adhesive film 30 attached to the wafer W. Is implemented.

本実施形態では、分割溝３１が形成された接着フィルム３０が上側となるようにし、接着フィルム３０の上側からエキスパンドシート６０を覆いかぶせるようにして、接着フィルム３０に対しエキスパンドシート６０を貼着させる。なお、エキスパンドシート６０は、例えば、真空ラミネータなどの周知の装置にて接着フィルム３０に対して貼着させることができる。   In the present embodiment, the expanded film 60 is attached to the adhesive film 30 so that the adhesive film 30 in which the dividing grooves 31 are formed is on the upper side and the expanded sheet 60 is covered from the upper side of the adhesive film 30. . The expanded sheet 60 can be attached to the adhesive film 30 with a known device such as a vacuum laminator.

また、エキスパンドシート６０は、円環状の環状フレームＦの開口部を塞ぐように設けられており、エキスパンドシート６０を介して接着フィルム３０やウェーハＷが環状フレームＦに固定された状態となる。   The expand sheet 60 is provided so as to close the opening of the annular ring frame F, and the adhesive film 30 and the wafer W are fixed to the ring frame F via the expand sheet 60.

次いで、図７（Ｂ）に示すように、保護テープ１０をウェーハＷの表面Ｗａから取り除く、保護テープ除去ステップが実施される。これによりデバイスが形成されるウェーハＷの表面Ｗａが露出される。   Next, as shown in FIG. 7B, a protective tape removing step for removing the protective tape 10 from the surface Wa of the wafer W is performed. Thereby, the surface Wa of the wafer W on which the device is formed is exposed.

次いで、図７（Ｃ）に示すように、環状フレームＦに固定されたウェーハＷを図７（Ｂ）に示す状態から裏返し、その後、ウェーハＷの円形凹部Ｗｃの凹形状に対応した凸状上面７２を有するチャックテーブル７０に対し、環状フレームＦに固定されたウェーハＷをセットする保持ステップが実施される。   Next, as shown in FIG. 7C, the wafer W fixed to the annular frame F is turned over from the state shown in FIG. 7B, and then the convex upper surface corresponding to the concave shape of the circular concave portion Wc of the wafer W. A holding step of setting the wafer W fixed to the annular frame F is performed on the chuck table 70 having 72.

本実施形態では、ウェーハＷの円形凹部Ｗｃに下側から挿入される凸状上面７２を有するチャックテーブル７０が用いられ、ウェーハＷの裏面Ｗｂが凸状上面７２に覆いかぶさるようにして、ウェーハＷがチャックテーブル７０上に保持されるようになっている。   In the present embodiment, a chuck table 70 having a convex upper surface 72 inserted from below into a circular concave portion Wc of the wafer W is used, and the wafer W is covered with the rear surface Wb of the wafer W so as to cover the convex upper surface 72. Is held on the chuck table 70.

以上のようにエキスパンドシート貼着ステップを実施した後、図８（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、エキスパンドシート６０をエキスパンドしウェーハＷに外力を付与してウェーハＷと接着フィルム３０とを個々のチップへと分割し、裏面に接着フィルム３０が貼着された接着フィルム付きチップ３０Ａを複数形成する分割ステップが実施される。   After performing the expand sheet sticking step as described above, as shown in FIGS. 8A to 8C, the expand sheet 60 is expanded to apply an external force to the wafer W, and the wafer W and the adhesive film 30 are bonded. A dividing step of dividing the chip into individual chips and forming a plurality of chips with adhesive film 30A having the adhesive film 30 attached to the back surface is performed.

まず、図８（Ａ）に示すように、ウェーハＷの外周余剰領域１９についてレーザービームを照射するとともに、チャックテーブル７０を回転させることにより、外周余剰領域１９に円形の改質層７４を形成する。なお、改質層７４は、環状凸部Ｗｄの内周壁の延長線上に設けることが好ましい。   First, as shown in FIG. 8A, a circular modified layer 74 is formed in the outer peripheral surplus region 19 by irradiating the outer peripheral surplus region 19 of the wafer W with a laser beam and rotating the chuck table 70. . The modified layer 74 is preferably provided on an extension line of the inner peripheral wall of the annular convex portion Wd.

次いで、図８（Ｂ）に示すように、図示せぬエキスパンド装置により、エキスパンドシート６０をエキスパンドする。この際、ウェーハＷについては、外周余剰領域１９の改質層７４に加え、図５（Ｃ）に示す分割起点形成ステップにより既に改質層７３が形成されており、また、接着フィルム３０については、図６に示す接着フィルム分割溝形成ステップにより分割溝３１が形成されているため、改質層７３，７４において破断が生じ、図８（Ｃ）に示すように個々のチップ８０，８０に分割される。   Next, as shown in FIG. 8B, the expanding sheet 60 is expanded by an expanding device (not shown). At this time, with respect to the wafer W, in addition to the modified layer 74 in the outer peripheral surplus region 19, the modified layer 73 has already been formed by the division starting point forming step shown in FIG. Since the dividing groove 31 is formed by the adhesive film dividing groove forming step shown in FIG. 6, the modified layers 73 and 74 are broken and divided into individual chips 80 and 80 as shown in FIG. Is done.

また、図８（Ａ）〜（Ｃ）に示す形態で分割ステップを実施するほか、図９（Ａ）〜（Ｃ）に示す形態にて分割ステップを実施することとしてもよい。   In addition to performing the dividing step in the form shown in FIGS. 8A to 8C, the dividing step may be performed in the form shown in FIGS.

まず、図９（Ａ）に示すように、ウェーハＷの外周余剰領域１９についてレーザービームによるアブレーション加工（或は、切削ブレードによる切削加工）により、外周余剰領域１９に円形の分割溝７５を形成する。なお、分割溝７５は、環状凸部Ｗｄの内周壁の延長線上に設けることが好ましい。   First, as shown in FIG. 9A, a circular divided groove 75 is formed in the outer peripheral surplus area 19 by ablation processing with a laser beam (or cutting with a cutting blade) in the outer peripheral surplus area 19 of the wafer W. . The dividing groove 75 is preferably provided on an extension line of the inner peripheral wall of the annular convex portion Wd.

次いで、図９（Ｂ）に示すように、分割溝７５によってリング状に分割されたウェーハＷの外周余剰領域１９が取り除かれる。   Next, as shown in FIG. 9B, the outer peripheral surplus region 19 of the wafer W divided in a ring shape by the dividing groove 75 is removed.

次いで、図９（Ｃ）に示すように、図示せぬエキスパンド装置により、エキスパンドシート６０をエキスパンドする。この際、ウェーハＷについては、図５（Ｃ）に示す分割起点形成ステップにより既に改質層７３が形成されており、また、接着フィルム３０については、図６に示す接着フィルム分割溝形成ステップにより分割溝３１が形成されているため、改質層７３の部位において破断が生じ、図９（Ｃ）に示すように個々のチップ８０，８０に分割される。   Next, as shown in FIG. 9C, the expanding sheet 60 is expanded by an expanding device (not shown). At this time, the modified layer 73 has already been formed on the wafer W by the division starting point forming step shown in FIG. 5C, and the adhesive film 30 is formed by the adhesive film dividing groove forming step shown in FIG. Since the dividing groove 31 is formed, the portion of the modified layer 73 is broken and is divided into individual chips 80 and 80 as shown in FIG.

以上に説明した実施形態によれば、ウェーハＷに分割起点を形成した後、ウェーハＷを個々のチップへと分割する前に、ウェーハＷの裏面に接着フィルム３０が貼着される。その後、接着フィルム３０についてチップ間の隙間に沿った分割溝３１を形成してウェーハＷが個々のチップへと分割される。   According to the embodiment described above, after the division starting point is formed on the wafer W, the adhesive film 30 is attached to the back surface of the wafer W before the wafer W is divided into individual chips. Thereafter, the adhesive film 30 is formed with division grooves 31 along the gaps between the chips, and the wafer W is divided into individual chips.

このような方法によれば、接着フィルム３０の貼着の際にウェーハＷが分割されていないため、ダイシフトが発生することなく、チップ間の隙間で形成される分割予定ラインが曲がることや、隙間がなくなってしまうことがない。そして、チップ間の隙間に沿った分割溝３１を形成してウェーハＷが個々のチップへと分割されるため、接着フィルム３０を引きちぎる手法における不具合が生じることもない。   According to such a method, since the wafer W is not divided at the time of adhering the adhesive film 30, a division planned line formed by a gap between chips is bent or a gap is not generated without causing a die shift. Will not disappear. And since the division | segmentation groove | channel 31 along the clearance gap between chips | tips is formed and the wafer W is divided | segmented into each chip | tip, the malfunction in the method of tearing the adhesive film 30 does not arise.

そして、本実施例によれば、分割予定ラインが狭い被加工物について好適なオペレーションである、レーザービームを用いた改質層の形成を実施することが可能となる。   According to the present embodiment, it is possible to form a modified layer using a laser beam, which is a suitable operation for a workpiece having a narrow division line.

また、円形凹部Ｗｃを形成する際に同時に形成される環状凸部Ｗｄを外周補強部として機能させることができ、分割起点が施された状態の薄いウェーハＷのハンドリングを安全に行うことが可能となる。また、ウェーハＷに環状凸部Ｗｄ（外周補強部）が形成されることによって、万が一、ハンドリング中に分割起点を起点として一部のチップが分割してしまうことが生じた場合でも、ウェーハＷの表面に貼付された保護テープ１０がたわみ、他のチップの配置に影響が生じないため、ダイシフトが発生するおそれがない。   Further, the annular convex portion Wd formed simultaneously with the formation of the circular concave portion Wc can function as an outer peripheral reinforcing portion, and it is possible to safely handle the thin wafer W in a state where the division starting point is applied. Become. In addition, by forming the annular convex portion Wd (outer peripheral reinforcing portion) on the wafer W, even if some chips are divided starting from the division starting point during handling, Since the protective tape 10 affixed to the surface is not bent and the arrangement of other chips is not affected, there is no possibility of die shift.

また、分割溝３１が形成されているため、接着フィルム３０の分割が容易となる上、確実に全ての領域で接着フィルム３０を分割できることになる。特に薄く小さい接着フィルム付きチップの形成や１２インチなど大口径のウェーハについて、本発明は好適に実施できる。   Moreover, since the division | segmentation groove | channel 31 is formed, the division | segmentation of the adhesive film 30 becomes easy, and also the adhesive film 30 can be reliably divided | segmented in all the area | regions. In particular, the present invention can be suitably applied to the formation of a thin and small chip with an adhesive film and a wafer having a large diameter of 12 inches.

他方、薄いウェーハのハンドリングリスク（ハンドリングの際に生じる破損などの不具合）を低減するための装置構成として、分割起点形成用のレーザー加工装置や切削装置と、研削装置やテープ貼り機をインラインに接続する構成（複数の装置を一つの装置としてまとめる構成）とすることが考えられる。   On the other hand, as a device configuration to reduce the handling risk of thin wafers (defects such as damage that occurs during handling), the laser processing device and cutting device for forming the split starting point, and the grinding device and tape applicator are connected in-line. It is conceivable to adopt a configuration (a configuration in which a plurality of devices are combined as one device).

この場合、分割起点を形成するためのプロセス（分割起点形成ステップ）については、他のプロセスと比較して長時間を要することになる。特に、小さいチップ（極小チップ）が形成されるウェーハについては、分割起点の数や距離が増加するため、この分割起点を形成するためのプロセスについて長時間を要することになり、単位時間当たりのＵＰＨ（Ｕｎｉｔ Ｐｅｒ Ｈｏｕｒ：加工処理枚数））が悪いものとなってしまう。ウェーハが大口径である場合には、分割起点の数や距離がさらに増加するため、ＵＰＨはなおさら悪化することになる。   In this case, the process for forming the division start point (division start point formation step) takes a long time compared to other processes. In particular, for wafers on which small chips (minimum chips) are formed, the number and distance of the division starting points increase, so that a long time is required for the process for forming the division starting points, and UPH per unit time is increased. (Unit Per Hour: number of processed sheets)) will be poor. When the wafer has a large diameter, the number and the distance of the division starting points further increase, so that the UPH is further deteriorated.

このため、インラインに接続する構成を採用した場合には、分割起点を形成するためのレーザー加工装置や切削装置のＵＰＨと、研削装置やテープ貼り機のＵＰＨとの間でつり合いが取れず、研削装置やテープ貼り機の稼動していない時間が増えてしまい、ＣｏＯ（Ｃｏｓｔ Ｏｆ Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ）が悪くなる。   For this reason, in the case of adopting an in-line connection configuration, there is no balance between the UPH of the laser processing apparatus or the cutting apparatus for forming the division starting point and the UPH of the grinding apparatus or the tape applicator. The time when the apparatus and the tape applicator are not operating increases, and the CoO (Cost Of Operation) deteriorates.

この点、本実施例においては、ウェーハＷを単に薄化するのでなく、外周に環状凸部Ｗｄを残存させておくことでウェーハＷの強度が上がり、ハンドリングリスクが低減されるので、これにとまってＣｏＯの悪化のリスクが低減され、プロセス全体としては、良好なＣｏＯを実現することが可能となる。   In this respect, in this embodiment, the wafer W is not simply thinned, but by leaving the annular convex portion Wd on the outer periphery, the strength of the wafer W is increased and the handling risk is reduced. Thus, the risk of deterioration of CoO is reduced, and good CoO can be realized as a whole process.

さらに、上述のようなインラインとしない場合において、分割起点形成用のレーザー加工装置や切削装置と、研削装置やテープ貼り機とを、それぞれ単独で稼動させることによれば、分割起点形成用のレーザー加工装置や切削装置のＵＰＨが、研削装置やテープ貼り機のＵＰＨに影響しないようにすることができ、より多くのウェーハを加工することができる。   Further, in the case of not using the in-line as described above, the laser for forming the division start point can be obtained by separately operating the laser processing apparatus and cutting apparatus for forming the division start point, and the grinding apparatus and the tape applicator. The UPH of the processing apparatus or the cutting apparatus can be prevented from affecting the UPH of the grinding apparatus or the tape applicator, and more wafers can be processed.

なお、以上に説明した実施例では、円形凹部と環状凸部を形成する研削ステップを実施することとしたが、円形凹部と環状凸部を形成せずにウェーハを全体的に薄化する薄化ステップを実施し、その後、分割基点形成ステップ、接着フィルム貼着ステップ、接着フィルム分割溝形成ステップ、エキスパンドシート貼着ステップ、分割ステップを実施することとしてもよい。また、分割起点形成ステップを実施した後、ウェーハを薄化する薄化ステップを実施し、次いで接着フィルム貼着ステップ、接着フィルム分割溝形成ステップ、エキスパンドシート貼着ステップ、分割ステップを実施するようにしてもよい。   In the embodiment described above, the grinding step for forming the circular concave portion and the annular convex portion is performed. However, the thinning is performed so that the wafer is entirely thinned without forming the circular concave portion and the annular convex portion. It is good also as implementing a division | segmentation base point formation step, an adhesive film sticking step, an adhesive film division | segmentation groove | channel formation step, an expanded sheet sticking step, and a division | segmentation step after that. In addition, after performing the division starting point forming step, a thinning step for thinning the wafer is performed, and then an adhesive film attaching step, an adhesive film dividing groove forming step, an expanded sheet attaching step, and a dividing step are executed. May be.

１０ 保護テープ
３０ 接着フィルム
３１ 分割溝
６０ エキスパンドシート
７３ 改質層
７４ 改質層
７５ 分割溝
Ｗ ウェーハ
Ｗａ 表面
Ｗｂ 裏面
Ｗｃ 円形凹部
Ｗｄ 環状凸部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Protective tape 30 Adhesive film 31 Divided groove 60 Expand sheet 73 Modified layer 74 Modified layer 74 Modified layer 75 Divided groove W Wafer Wa Surface Wb Back surface Wc Circular recess Wd Annular convex

Claims (2)

裏面に接着フィルムが貼着された接着フィルム付きチップを形成する接着フィルム付きチップの形成方法であって、
交差する複数の分割予定ラインが設定されたウェーハに該分割予定ラインに沿った分割起点を形成する分割起点形成ステップと、
該分割起点形成ステップを実施した後、ウェーハの裏面に接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着ステップと、
該接着フィルム貼着ステップを実施した後、該接着フィルムに該分割予定ラインに沿った分割溝をレーザービームの照射または切削ブレードで形成する接着フィルム分割溝形成ステップと、
該接着フィルム分割溝形成ステップを実施した後、ウェーハに貼着された該接着フィルム上にエキスパンドシートを貼着するエキスパンドシート貼着ステップと、
該エキスパンドシート貼着ステップを実施した後、該エキスパンドシートをエキスパンドすることによりウェーハに外力を付与してウェーハと該接着フィルムとを個々のチップへと分割し、裏面に接着フィルムが貼着された接着フィルム付きチップを複数形成する分割ステップと、
該分割起点形成ステップを実施する前に、ウェーハの裏面を研削して円形凹部を形成するとともに、該円形凹部を囲繞する環状凸部を形成する研削ステップと、
を備え、
該分割起点形成ステップでは、レーザービームをウェーハの裏面に照射して分割起点となる改質層を形成するとともに、ウェーハの外周余剰領域に円形の改質層を形成しないことを特徴とする接着フィルム付きチップの形成方法。 A method for forming a chip with an adhesive film that forms a chip with an adhesive film having an adhesive film attached to the back surface,
A split starting point forming step for forming a split starting point along the planned split line on a wafer set with a plurality of split target lines intersecting; and
After carrying out the split starting point forming step, an adhesive film attaching step for attaching an adhesive film to the back surface of the wafer;
After performing the adhesive film sticking step, an adhesive film split groove forming step for forming a split groove along the planned split line on the adhesive film with laser beam irradiation or a cutting blade;
After performing the adhesive film dividing groove forming step, an expanded sheet attaching step of attaching an expanded sheet on the adhesive film attached to the wafer;
After performing the expanding sheet attaching step, the expanding sheet was expanded to apply an external force to the wafer to divide the wafer and the adhesive film into individual chips, and the adhesive film was attached to the back surface. A dividing step of forming a plurality of chips with adhesive film;
Before carrying out the split starting point forming step, the back surface of the wafer is ground to form a circular concave portion, and a grinding step to form an annular convex portion surrounding the circular concave portion;
Equipped with a,
Bonding said a division start point forming step, to form a modified layer to be a division originating points by irradiating a laser beam to the backside of the wafer, characterized in that the peripheral marginal region of the wafer does not form a circular modified layer A method for forming a chip with a film. 前記分割ステップでは、該エキスパンドシートをエキスパンドする前に、ウェーハの表面から該外周余剰領域に円形の改質層又は分割溝を形成することを特徴とする請求項１に記載の接着フィルム付きチップの形成方法。2. The chip with an adhesive film according to claim 1, wherein in the dividing step, a circular modified layer or a dividing groove is formed from the surface of the wafer to the outer peripheral surplus area before expanding the expanded sheet. Forming method.
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