JP2012163347A - 赤外線検出素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】赤外線素子1は、赤外線を吸収する赤外線吸収部21を備えており、赤外線吸収部21は、赤外線が入射する入射面31を有する第1の吸収部30と、第1の吸収部30の入射面31に立設された突起でそれぞれ構成される複数の第2の吸収部40と、を有し、突起の根元部分42に凹状の窪み部43が形成されている。
【選択図】 図3
Description
図1Aは本実施形態における赤外線検出素子を示す平面図、図1Bは図1AのIB-IB線に沿った断面図である。
h1≧h2 … (1)式
の関係が成立することが好ましい。上記の(1)式を満たすことで、窪み部43に赤外線を閉じ込めやすい構造とすることができ、赤外線吸収部21における赤外線の反射低減を図ることができる。
d≧h2 … (2)式
の関係が成立することが好ましい。上記(2)式を満たすことで、窪み部43に赤外線を閉じ込めやすい構造とすることができ、赤外線吸収部21における赤外線の反射低減を図ることができる。
図8は本実施形態における赤外線検出素子を示す断面図、図9は本実施形態における赤外線吸収部を示す断面図である。
図11は本実施形態における赤外線検出素子を示す断面図、図12は本実施形態における赤外線吸収部を示す斜視図、図13は図12のXIII-XIII線に沿った断面図である。
10…枠部
20…受光部
21…赤外線吸収部
30…第1の吸収部
40…第2の吸収部(突起)
41…頭部
42…根元部分
43…窪み部
60…支持梁
61…温度検出部
62…P型ポリシリコン
63…N型ポリシリコン
100…シリコン基板
101…凹部
102…空隙
110…保護膜
120…層間絶縁膜
Claims (6)
- 赤外線を吸収する赤外線吸収部を備えた赤外線検出素子であって、
前記赤外線吸収部は、
赤外線が入射する入射面を有する第1の吸収部と、
前記第1の吸収部の前記入射面に立設された突起でそれぞれ構成される複数の第2の吸収部と、を有し、
前記突起の根元部分に凹状の窪み部が形成されていることを特徴とする赤外線検出素子。 - 請求項1に記載の赤外線検出素子であって、
前記赤外線吸収部は、前記第1の吸収部における前記入射面とは反対側の面に設けられた複数の第3の吸収部をさらに有しており、
前記第3の吸収部は、平面視において前記窪み部の少なくとも一部と重複していることを特徴とする赤外線検出素子。 - 請求項1又は2に記載の赤外線検出素子であって、
前記第2の吸収部は、前記根元部分の上に位置する頭部を有し、
下記の(1)式を満たすことを特徴とする赤外線検出素子。
h1≧h2 … (1)式
但し、前記(1)式において、h1は前記頭部の高さであり、h2は前記窪み部の高さである。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の赤外線検出素子であって、
下記の(2)式を満たすことを特徴とする赤外線検出素子。
d≧h2 … (2)式
但し、前記(2)式において、dは前記窪み部の奥行きであり、h2は前記窪み部の高さである。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の赤外線検出素子であって、
前記第3の吸収部は、内孔を持つ環状形状を有しており、
前記内孔は、平面視において前記根元部分の少なくとも一部と重複していることを特徴とする赤外線検出素子。 - 請求項1〜5のいずれかに記載の赤外線検出素子であって、
複数の前記第2の吸収部は、赤外線の波長よりも小さな間隔で周期的に配列されていることを特徴とする赤外線検出素子。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160153837A1 (en) * | 2013-06-10 | 2016-06-02 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Infrared sensor |
WO2024083051A1 (zh) * | 2022-10-21 | 2024-04-25 | 无锡华润上华科技有限公司 | 热电堆红外传感器及其制造方法 |
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3477267A4 (en) * | 2016-06-23 | 2020-02-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | INFRARED DETECTION ELEMENT AND INFRARED DETECTION DEVICE |
CN113091919A (zh) * | 2021-04-12 | 2021-07-09 | 上海芯物科技有限公司 | 一种热电堆传感器及其制作方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01227929A (ja) * | 1988-03-09 | 1989-09-12 | Nippon Soken Inc | 熱型赤外線センサ |
JP2001215152A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線固体撮像素子 |
JP2003304005A (ja) * | 2002-04-09 | 2003-10-24 | Nissan Motor Co Ltd | 熱型赤外線検出素子及び受光素子 |
JP2006226891A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Nec Corp | 熱型赤外線検出素子 |
JP2010156844A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Sony Corp | 光学素子、表示装置、反射防止機能付き光学部品、および原盤 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01227929A (ja) * | 1988-03-09 | 1989-09-12 | Nippon Soken Inc | 熱型赤外線センサ |
JP2001215152A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線固体撮像素子 |
JP2003304005A (ja) * | 2002-04-09 | 2003-10-24 | Nissan Motor Co Ltd | 熱型赤外線検出素子及び受光素子 |
JP2006226891A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Nec Corp | 熱型赤外線検出素子 |
JP2010156844A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Sony Corp | 光学素子、表示装置、反射防止機能付き光学部品、および原盤 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160153837A1 (en) * | 2013-06-10 | 2016-06-02 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Infrared sensor |
JPWO2014199583A1 (ja) * | 2013-06-10 | 2017-02-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 赤外線センサ |
US10119865B2 (en) * | 2013-06-10 | 2018-11-06 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Infrared sensor having improved sensitivity and reduced heat generation |
JP7485581B2 (ja) | 2020-10-16 | 2024-05-16 | セイコーNpc株式会社 | 赤外線センサ素子及び赤外線センサ |
WO2024083051A1 (zh) * | 2022-10-21 | 2024-04-25 | 无锡华润上华科技有限公司 | 热电堆红外传感器及其制造方法 |
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