JP2012160963A - Saw oscillator - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電子機器に用いられるSAW発振器に関する。 The present invention relates to a SAW oscillator used in electronic equipment.
従来から、電子機器に組み込まれるタイミングデバイスとして、圧電発振器が幅広く用いられている。
ここでは電子デバイスの一つであるSAW発振器について説明する。
Conventionally, piezoelectric oscillators have been widely used as timing devices incorporated in electronic equipment.
Here, a SAW oscillator which is one of electronic devices will be described.
例えばSAW発振器は、平板状の基板部と、前記基板部の一方の主面に設けられた凹部を形成し前記基板部側と相対する主面に接合用の金属層が形成される枠部と、凹部内側に露出する基板部上に設けられる搭載部と、凹部内側に露出する基板部上に設けられる緩衝部と、を備えて構成される素子搭載部材と、前記搭載部上に導電性接着剤等を介して設けられる四角形の表面弾性波素子と、前記素子搭載部材に搭載される集積回路素子と、前記凹部を塞ぐ蓋部材と、を備えて構成されている。また、前記表面弾性波素子は、前記搭載部に片持ち状態で搭載される。このとき表面弾性波素子は、一方の主面に櫛形状の電極パターン及び前記電極パターンを挟むように両側に格子状の反射電極パターンが設けられており、他方の主面の自由端側が緩衝部と接触している。 For example, a SAW oscillator includes a flat plate-shaped substrate portion, a frame portion in which a concave portion provided on one main surface of the substrate portion is formed, and a bonding metal layer is formed on the main surface facing the substrate portion side. An element mounting member comprising: a mounting portion provided on the substrate portion exposed to the inside of the concave portion; and a buffer portion provided on the substrate portion exposed to the inner side of the concave portion; and conductive adhesion on the mounting portion A rectangular surface acoustic wave element provided via an agent, an integrated circuit element mounted on the element mounting member, and a lid member that closes the recess. The surface acoustic wave device is mounted in a cantilever state on the mounting portion. At this time, the surface acoustic wave element has a comb-like electrode pattern on one main surface and a grid-like reflective electrode pattern on both sides so as to sandwich the electrode pattern, and the free end side of the other main surface is a buffer portion In contact with.
しかしながら、従来のSAW発振器は、前記表面弾性波素子を搭載した素子搭載部材と、前記蓋部材とを前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層を介してシーム溶接にて封止することにより、素子搭載部材の長手方向に反りが発生する。この反りは、素子搭載部材に設けられた緩衝部を押し上げ、緩衝部に接触している表面弾性波素子に応力を与える。ここでこのようなSAW発振器におけるシーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差(以下、周波数偏差という)を、縦軸に周波数値、横軸に測定項目としたグラフを用いて説明する。(図5(b)を参照)また、例えばグラフ上の上限周波数変動値(以下、上限値という)は、シーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差がプラス方向に最大となった値である。また、グラフ上の下限周波数変動値(以下、下限値という)は、シーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差が上限値より最小となった値である。このとき従来の緩衝部位置での周波数偏差は、上限値+7.0E×−06から下限値−19.0E×−06と、上限値と下限値の幅が大きな値となり、SAW発振器の生産性及び信頼性を下げるおそれがある。 However, in the conventional SAW oscillator, the element mounting member on which the surface acoustic wave element is mounted and the lid member are sealed by seam welding via a joining metal layer provided on a frame portion of the element mounting member. By stopping, warpage occurs in the longitudinal direction of the element mounting member. This warp pushes up the buffer portion provided in the element mounting member, and applies stress to the surface acoustic wave device in contact with the buffer portion. Here, using a graph in which the difference between the frequency after seam welding (hereinafter referred to as frequency deviation) with the frequency before seam welding as a reference in such a SAW oscillator is used as a frequency value on the vertical axis and the measurement item on the horizontal axis. explain. In addition, for example, the upper limit frequency fluctuation value (hereinafter referred to as the upper limit value) on the graph is based on the frequency before seam welding and the difference from the frequency after seam welding is maximum in the plus direction. It is the value that became. Further, the lower limit frequency fluctuation value (hereinafter referred to as the lower limit value) on the graph is a value in which the difference from the frequency after seam welding is minimized from the upper limit value based on the frequency before seam welding. At this time, the frequency deviation at the position of the conventional buffer portion is from the upper limit value + 7.0E × −06 to the lower limit value −19.0E × −06, and the range between the upper limit value and the lower limit value is large, and the productivity of the SAW oscillator is increased. And may reduce reliability.
そこで、本発明では、前記した問題を解決し、周波数偏差が少なく、生産性及び信頼性を向上させたSAW発振器を提供することを課題とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a SAW oscillator that solves the above-described problems, has a small frequency deviation, and has improved productivity and reliability.
前記課題を解決するため、本発明は、平板状の基板部と、前記基板部の一方の主面に設けられて凹部を形成し、前記基板部側と相対する主面に接合用の金属層が形成されている枠部と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部と、を備えて構成される素子搭載部材と、前記搭載部上に導電性接着剤を介して設けられる四角形の表面弾性波素子と、前記素子搭載部材に搭載される集積回路素子と、前記凹部を塞ぐ蓋部材と、を備え、前記表面弾性波素子が片持ち支持され、前記凹部内側の基板部上に設けられる。例えば前記緩衝部は、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において1つの長辺と平行となる第1の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において2つの長辺の中心を通る第2の中心線と、が交差する位置に設けられることを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a flat plate-like substrate portion, a concave portion provided on one main surface of the substrate portion, and a metal layer for bonding on the main surface facing the substrate portion side. Formed on the substrate portion inside the recess, a buffer portion provided on the substrate portion inside the recess, and an element mounting member configured on the mounting portion. A surface acoustic wave element having a rectangular shape provided with a conductive adhesive, an integrated circuit element mounted on the element mounting member, and a lid member that closes the recess, and the surface acoustic wave element is cantilevered Supported and provided on the substrate portion inside the recess. For example, the buffer part passes through the center of the main surface facing the lid member side of the mounting part, passes through the center of the main part of the substrate part of the concave part and is parallel to one long side, and the substrate of the concave part It is provided in the position which cross | intersects with the 2nd centerline which passes along the center of two long sides on the main surface of a part.
また、本発明は、平板状の基板部と、前記基板部の一方の主面に設けられて凹部を形成し、前記基板部側と相対する主面に接合用の金属層が形成されている枠部と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部と、を備えて構成される素子搭載部材と、前記搭載部上に導電性接着剤を介して設けられる四角形の表面弾性波素子と、前記素子搭載部材に搭載される集積回路素子と、前記凹部を塞ぐ蓋部材と、を備え、前記表面弾性波素子が片持ち支持され、前記凹部内側の基板部上に設けられる。前記緩衝部は、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において1つの長辺と平行となる第1の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において2つの長辺の中心を通る第2の中心線と、が交差する位置より前記表面弾性波素子の自由端側に向かい、前記凹部の基板部の長辺寸法の8%ずれた位置にあることを特徴とする。 In the present invention, a flat substrate portion and a concave portion are formed on one main surface of the substrate portion, and a bonding metal layer is formed on the main surface facing the substrate portion side. An element mounting member comprising a frame, a mounting portion provided on the substrate portion inside the recess, and a buffer portion provided on the substrate portion inside the recess, and a conductive adhesive on the mounting portion A surface acoustic wave element having a quadrangular shape, an integrated circuit element mounted on the element mounting member, and a lid member that closes the recess, the surface acoustic wave element being cantilevered, and the recess It is provided on the inner substrate portion. The buffer portion passes through the center of the main surface facing the lid member side of the mounting portion, passes through the center of the main surface of the substrate portion of the recess and is parallel to one long side, and the substrate portion of the recess 8% of the long side dimension of the substrate portion of the recess from the position where the second center line passing through the center of the two long sides intersects the free end of the surface acoustic wave element. It is in the position.
また、本発明は、平板状の基板部と、前記基板部の一方の主面に設けられて凹部を形成し、前記基板部側と相対する主面に接合用の金属層が形成されている枠部と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部と、を備えて構成される素子搭載部材と、前記搭載部上に導電性接着剤を介して設けられる四角形の表面弾性波素子と、前記素子搭載部材に搭載される集積回路素子と、前記凹部を塞ぐ蓋部材と、を備え、前記表面弾性波素子が片持ち支持され、前記凹部内側の基板部上に設けられる。前記緩衝部は、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において1つの長辺と平行となる第1の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において2つの長辺の中心を通る第2の中心線と、が交差する位置より前記表面弾性波素子の自由端側に向かい、前記凹部の基板部の長辺寸法の16%ずれた位置にあることを特徴とする。
In the present invention, a flat substrate portion and a concave portion are formed on one main surface of the substrate portion, and a bonding metal layer is formed on the main surface facing the substrate portion side. An element mounting member comprising a frame, a mounting portion provided on the substrate portion inside the recess, and a buffer portion provided on the substrate portion inside the recess, and a conductive adhesive on the mounting portion A surface acoustic wave element having a quadrangular shape, an integrated circuit element mounted on the element mounting member, and a lid member that closes the recess, the surface acoustic wave element being cantilevered, and the recess It is provided on the inner substrate portion. The buffer portion passes through the center of the main surface facing the lid member side of the mounting portion, passes through the center of the main surface of the substrate portion of the recess and is parallel to one long side, and the substrate portion of the
また、本発明は、平板状の基板部と、前記基板部の一方の主面に設けられて凹部を形成し、前記基板部側と相対する主面に接合用の金属層が形成されている枠部と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部と、を備えて構成される素子搭載部材と、前記搭載部上に導電性接着剤を介して設けられる四角形の表面弾性波素子と、前記素子搭載部材に搭載される集積回路素子と、前記凹部を塞ぐ蓋部材と、を備え、前記表面弾性波素子が片持ち支持され、前記凹部内側の基板部上に設けられる。前記緩衝部は、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において1つの長辺と平行となる第1の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において2つの長辺の中心を通る第2の中心線と、が交差する位置から前記表面弾性波素子の自由端側へ、前記凹部の基板部の長辺寸法の16%ずれた位置までにあることを特徴とする。
In the present invention, a flat substrate portion and a concave portion are formed on one main surface of the substrate portion, and a bonding metal layer is formed on the main surface facing the substrate portion side. An element mounting member comprising a frame, a mounting portion provided on the substrate portion inside the recess, and a buffer portion provided on the substrate portion inside the recess, and a conductive adhesive on the mounting portion A surface acoustic wave element having a quadrangular shape, an integrated circuit element mounted on the element mounting member, and a lid member that closes the recess, the surface acoustic wave element being cantilevered, and the recess It is provided on the inner substrate portion. The buffer portion passes through the center of the main surface facing the lid member side of the mounting portion, passes through the center of the main surface of the substrate portion of the recess and is parallel to one long side, and the substrate portion of the
このような本発明のSAW発振器によれば、表面弾性波素子は、素子搭載部材と、蓋部材と、を前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層を介してシーム溶接にて封止することにより、前記蓋部材が加熱され前記蓋部材と前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層が溶融し接合される。このとき加熱され溶融した金属部分の熱が冷める事により金属の収縮が起こり、素子搭載部材の長手方向に反りが発生する。この反りは、素子搭載部材に設けられた緩衝部を押し上げることとなるが、緩衝部の位置が、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において1つの長辺と平行となる第1の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において2つの長辺の中心を通る第2の中心線と、が交差する位置に設けられているため、前記緩衝部が前記表面弾性波素子を押し上げにくくすることができる。したがって、本発明のSAW発振器は、シーム溶接後の周波数偏差を小さくすることができ、生産性及び信頼性を向上させることが出来る。 According to such a SAW oscillator of the present invention, the surface acoustic wave element is formed by seam welding the element mounting member and the lid member via the joining metal layer provided on the frame portion of the element mounting member. By sealing, the lid member is heated and the joining metal layer provided on the frame portion of the lid member and the element mounting member is melted and joined. At this time, when the heat of the heated and melted metal portion cools, the metal contracts and warps in the longitudinal direction of the element mounting member. This warping pushes up the buffer portion provided in the element mounting member, but the position of the buffer portion passes through the center of the main surface facing the lid member side of the mounting portion and is on the main surface of the substrate portion of the recess. The first center line that is parallel to one long side and the second center line that passes through the center of the two long sides on the main surface of the substrate portion of the recess are provided at a position where they intersect. Therefore, it is possible to make it difficult for the buffer portion to push up the surface acoustic wave element. Therefore, the SAW oscillator of the present invention can reduce the frequency deviation after seam welding, and can improve productivity and reliability.
また、本発明のSAW発振器によれば、表面弾性波素子は、素子搭載部材と、蓋部材と、を前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層を介してシーム溶接にて封止することにより、前記蓋部材が加熱され前記蓋部材と前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層が溶融し接合される。このとき加熱され溶融した金属部分の熱が冷める事により金属の収縮が起こり、素子搭載部材の長手方向に反りが発生する。この反りは、素子搭載部材に設けられた緩衝部を押し上げることとなるが、緩衝部の位置が、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において1つの長辺と平行となる第1の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において2つの長辺の中心を通る第2の中心線と、が交差する位置より前記表面弾性波素子の自由端側に向かい、前記凹部の基板部の長辺寸法の8%ずれた位置に設けられているため、前記緩衝部が前記表面弾性波素子を押し上げにくくすることができる。したがって、本発明のSAW発振器は、シーム溶接後の周波数偏差を小さくすることができ、生産性及び信頼性を向上させることが出来る。 According to the SAW oscillator of the present invention, the surface acoustic wave element is formed by seam welding of the element mounting member and the lid member via the metal layer for bonding provided on the frame portion of the element mounting member. By sealing, the lid member is heated, and the joining metal layer provided on the lid member and the frame portion of the element mounting member is melted and joined. At this time, when the heat of the heated and melted metal portion cools, the metal contracts and warps in the longitudinal direction of the element mounting member. This warping pushes up the buffer portion provided in the element mounting member, but the position of the buffer portion passes through the center of the main surface facing the lid member side of the mounting portion and is on the main surface of the substrate portion of the recess. The surface acoustic wave from a position where a first center line parallel to one long side and a second center line passing through the center of the two long sides on the main surface of the substrate portion of the recess intersect. Since it is provided at a position shifted by 8% of the long side dimension of the substrate portion of the concave portion toward the free end side of the device, the buffer portion can make it difficult to push up the surface acoustic wave device. Therefore, the SAW oscillator of the present invention can reduce the frequency deviation after seam welding, and can improve productivity and reliability.
また、本発明のSAW発振器によれば、表面弾性波素子は、素子搭載部材と、蓋部材と、を前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層を介してシーム溶接にて封止することにより、前記蓋部材が加熱され前記蓋部材と前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層が溶融し接合される。このとき加熱され溶融した金属部分の熱が冷める事により金属の収縮が起こり、素子搭載部材の長手方向に反りが発生する。この反りは、素子搭載部材に設けられた緩衝部を押し上げることとなるが、緩衝部の位置が、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において1つの長辺と平行となる第1の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において2つの長辺の中心を通る第2の中心線と、が交差する位置より前記表面弾性波素子の自由端側に向かい、前記凹部の基板部の長辺寸法の16%ずれた位置に設けられているため、前記緩衝部が前記表面弾性波素子を押し上げにくくすることができる。したがって、本発明のSAW発振器は、シーム溶接後の周波数偏差を小さくすることができ、生産性及び信頼性を向上させることが出来る。 According to the SAW oscillator of the present invention, the surface acoustic wave element is formed by seam welding of the element mounting member and the lid member via the metal layer for bonding provided on the frame portion of the element mounting member. By sealing, the lid member is heated, and the joining metal layer provided on the lid member and the frame portion of the element mounting member is melted and joined. At this time, when the heat of the heated and melted metal portion cools, the metal contracts and warps in the longitudinal direction of the element mounting member. This warping pushes up the buffer portion provided in the element mounting member, but the position of the buffer portion passes through the center of the main surface facing the lid member side of the mounting portion and is on the main surface of the substrate portion of the recess. The surface acoustic wave from a position where a first center line parallel to one long side and a second center line passing through the center of the two long sides on the main surface of the substrate portion of the recess intersect. Since it is provided at a position shifted toward the free end side of the element by 16% of the long side dimension of the substrate portion of the concave portion, the buffer portion can make it difficult to push up the surface acoustic wave element. Therefore, the SAW oscillator of the present invention can reduce the frequency deviation after seam welding, and can improve productivity and reliability.
また、本発明のSAW発振器によれば、表面弾性波素子は、素子搭載部材と、蓋部材と、を前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層を介してシーム溶接にて封止することにより、前記蓋部材が加熱され前記蓋部材と前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層が溶融し接合される。このとき加熱され溶融した金属部分の熱が冷める事により金属の収縮が起こり、素子搭載部材の長手方向に反りが発生する。この反りは、素子搭載部材に設けられた緩衝部を押し上げることとなるが、緩衝部の位置が、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において1つの長辺と平行となる第1の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において2つの長辺の中心を通る第2の中心線と、が交差する位置から前記表面弾性波素子の自由端側へ、前記凹部の基板部の長辺寸法の16%ずれた位置までに設けられているため、前記緩衝部が前記表面弾性波素子を押し上げにくくすることができる。したがって、本発明のSAW発振器は、シーム溶接後の周波数偏差を小さくすることができ、生産性及び信頼性を向上させることが出来る。 According to the SAW oscillator of the present invention, the surface acoustic wave element is formed by seam welding of the element mounting member and the lid member via the metal layer for bonding provided on the frame portion of the element mounting member. By sealing, the lid member is heated, and the joining metal layer provided on the lid member and the frame portion of the element mounting member is melted and joined. At this time, when the heat of the heated and melted metal portion cools, the metal contracts and warps in the longitudinal direction of the element mounting member. This warping pushes up the buffer portion provided in the element mounting member, but the position of the buffer portion passes through the center of the main surface facing the lid member side of the mounting portion and is on the main surface of the substrate portion of the recess. The surface acoustic wave from a position where a first center line parallel to one long side and a second center line passing through the center of the two long sides on the main surface of the substrate portion of the recess intersect. Since it is provided on the free end side of the element up to a position shifted by 16% of the long side dimension of the substrate portion of the concave portion, the buffer portion can make it difficult to push up the surface acoustic wave element. Therefore, the SAW oscillator of the present invention can reduce the frequency deviation after seam welding, and can improve productivity and reliability.
本発明を実施するための最良の形態(以下、「実施形態」という)について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各構成要素について、状態をわかりやすくするために、誇張して図示している。 The best mode for carrying out the present invention (hereinafter referred to as “embodiment”) will be described in detail with reference to the drawings as appropriate. Note that each component is exaggerated for easy understanding of the state.
(第1の実施形態)
図1及び図2に示すように、本発明の第1の実施形態に係るSAW発振器100は、凹部を有し凹部内側に形成される緩衝部14aを備える素子搭載部材10と、前記素子搭載部材10の凹部内側に搭載される表面弾性波素子30と、前記素子搭載部材10の凹部内側に搭載される集積回路素子20と、凹部を塞ぐ蓋部材40とから主に構成されている。
(First embodiment)
As shown in FIGS. 1 and 2, the
素子搭載部材10は、平板状の基板部11と、前記基板部11の一方の主面に設けられて凹部を形成する枠部12と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部13と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部14aと、から形成されている。
The
基板部11は、例えばアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、前記基板部11の一方の主面に形成された集積回路素子搭載パッド(図示せず)及び基板内部には所定の配線導体が形成され、他方の主面に外部端子(図示せず)が形成されている。
The
枠部12は、前記基板部11と同様にアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、前記基板部11の一方の主面に設けられて凹部を形成している。また、枠部12は、前記基板部側と相対する主面に接合用の金属層16が形成されている。
The
搭載部13は、例えばアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、凹部内側の基板部上において所定の隅部に位置している。また、搭載部13は、例えば平面視において四角形の形状で形成されており、所定の厚さを有している。この搭載部13は、表面弾性波素子30を搭載するために用いられる。
The mounting
緩衝部14aは、例えばシリコン系の材料よりなり、凹部内側の基板部11上に設けられる。例えば前記緩衝部14aは、前記搭載部13の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部11の主面上において1つの長辺と平行となる第1の中心線CL1と、前記凹部の基板部11の主面上において2つの凹部内の長辺の中心を通る第2の中心線CL2と、が交差する位置に設けられている。
The buffer portion 14a is made of, for example, a silicon-based material, and is provided on the
表面弾性波素子30は、圧電素子と、前記圧電素子の一方の主面上に形成された電極パターンと、前記電極パターンと同一面上に形成された反射電極パターンとから構成されており、前記圧電素子の他方の主面上に前記電極パターン及び前記反射電極パターンが形成されていない。また、前記表面弾性波素子30は、前記搭載部13上に他方の主面を前記搭載部13側に向けて、導電性接着剤15を介して機械的に片持ち支持されている。また、前記電極パターンは、前記圧電素子の一方の主面上の中央部に櫛型状に形成されている。また、前記反射電極パターンは、前記電極パターンが形成されている同一面上に、前記電極パターンを挟むように両側に位置し格子状に形成されている。このとき、表面弾性波素子30は、前記搭載部13に搭載された場合、前記表面弾性波素子30の一方の主面が前記緩衝部14aと対向するようになっている。
The surface
集積回路素子20は、凹部内側の基板部上に前記表面弾性波素子30と相対する位置に設けられている。また、集積回路素子20は、前記表面弾性波素子30とワイヤーボンディングにより電気的に接続され、(図示せず)前記基板部11の一方の主面に形成された集積回路素子搭載パッドと電気的に接続されている。(図示せず)また、集積回路素子20は、前記表面弾性波素子30の振動に基づいて発信出力を制御している。また、この集積回路素子20は、凹部内側の基板部11上であって、前記表面弾性波素子30と前記搭載部13と、ともに前記基板部11に設けられている。
The
蓋部材40は、例えば金属材料よりなり、四角形の金属から形成されている。また、蓋部材40は、前記素子搭載部材10と前記素子搭載部材10の枠部12に設けられた接合用の金属層16を介してシーム溶接で接合される。
The
シーム溶接は、溶接部に大電流を流し溶接部を加熱させ圧力を加えながら行う溶接方法である。 Seam welding is a welding method in which a large current is passed through a welded portion to heat the welded portion and apply pressure.
図2及び図3に示すように、前記素子搭載部材10と前記蓋部材40とを前記素子搭載部材10の枠部12に設けられた接合用の金属層16を介してシーム溶接することにより、前記蓋部材40が加熱され前記蓋部材40と前記素子搭載部材10の枠部12に設けられた接合用の金属層16が溶融し接合される。このとき加熱され溶融した金属部分の熱が冷める事により金属の収縮が起こり、前記素子搭載部材10の長手方向に反りが発生する。この反りは、前記素子搭載部材10に設けられた前記緩衝部14aを押し上げるが、前記搭載部13の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部11の主面上において1つの長辺と平行となる第1の中心線CL1と、前記凹部の基板部11の主面上において2つの長辺の中心を通る第2の中心線CL2と、が交差する位置に設けられているため、前記表面弾性波素子30は、前記緩衝部14aによる応力を受けにくくなる。
As shown in FIGS. 2 and 3, by seam welding the
また、図6(a)のグラフは、第1の実施形態でのSAW発振器のシーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差(以下、周波数偏差という)を、縦軸に周波数値、横軸に測定項目で表したグラフである。また、例えばグラフ上の上限周波数変動値(以下、上限値という)は、シーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差がプラス方向に最大となった値である。また、グラフ上の下限周波数変動値(以下、下限値という)は、シーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差が上限値より最小となった値である。このときこの図6(a)に示すように、周波数偏差は、上限値+7.0E×−06から下限値+0.5E×−06であり、図7(b)の従来の緩衝部位置214での周波数偏差である上限値+7.0E×−06から下限値−19.0E×−06と比べると、第1の実施形態位置での上限値と下限値の幅が従来の緩衝部位置での上限値と下限値の幅よりも第1の実施形態位置の方の幅が小さくなる。したがって第1の実施形態は、SAW発振器の生産性及び信頼性を向上させることが可能となる。
In the graph of FIG. 6A, the difference between the frequency after seam welding (hereinafter referred to as the frequency deviation) with the frequency before seam welding of the SAW oscillator in the first embodiment as a reference, and the frequency on the vertical axis. It is a graph with a value and a measurement item on the horizontal axis. Further, for example, the upper limit frequency fluctuation value (hereinafter referred to as the upper limit value) on the graph is a value in which the difference from the frequency after seam welding is maximized in the positive direction with reference to the frequency before seam welding. Further, the lower limit frequency fluctuation value (hereinafter referred to as the lower limit value) on the graph is a value in which the difference from the frequency after seam welding is minimized from the upper limit value based on the frequency before seam welding. At this time, as shown in FIG. 6A, the frequency deviation is from the upper limit value + 7.0E × −06 to the lower limit value + 0.5E × −06, and at the conventional
(第2の実施形態)
図1及び図4に示すように、本発明の第2の実施形態に係るSAW発振器100は、凹部を有し凹部内側に形成される緩衝部14bを備える素子搭載部材10と、前記素子搭載部材10の凹部内側に搭載される表面弾性波素子30と、前記素子搭載部材10の凹部内側に搭載される集積回路素子20と、凹部を塞ぐ蓋部材40とから主に構成されている。
(Second Embodiment)
As shown in FIGS. 1 and 4, the
素子搭載部材10は、平板状の基板部11と、前記基板部11の一方の主面に設けられて凹部を形成する枠部12と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部13と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部14bと、から形成されている。
The
基板部11は、例えばアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、前記基板部11の一方の主面に形成された集積回路素子搭載パッド(図示せず)及び基板内部には所定の配線導体が形成され、他方の主面に外部端子(図示せず)が形成されている。
The
枠部12は、前記基板部11と同様にアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、前記基板部11の一方の主面に設けられて凹部を形成している。また、枠部12は、前記基板部側と相対する主面に接合用の金属層16が形成されている。
The
搭載部13は、例えばアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、凹部内側の基板部上において所定の隅部に位置している。また、搭載部13は、例えば平面視において四角形の形状で形成されており、所定の厚さを有している。この搭載部13は、表面弾性波素子30を搭載するために用いられる。
The mounting
緩衝部14bは、例えばシリコン系の材料よりなり、凹部内側の基板部11上に設けられる。例えば前記緩衝部14bは、前記搭載部13の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部11の主面上において1つの長辺と平行となる第1の中心線CL1と、前記凹部の基板部11の主面上において2つの凹部内の長辺の中心を通る第2の中心線CL2と、が交差する位置より前記表面弾性波素子30の自由端側に向かい、前記凹部の基板部11において長辺寸法の8%ずれた位置になっている。
The buffer portion 14b is made of, for example, a silicon-based material, and is provided on the
表面弾性波素子30は、圧電素子と、前記圧電素子の一方の主面上に形成された電極パターンと、前記電極パターンと同一面上に形成された反射電極パターンとから構成されており、前記圧電素子の他方の主面上に前記電極パターン及び前記反射電極パターンが形成されていない。また、前記表面弾性波素子30は、前記搭載部13上に他方の主面を前記搭載部13側に向けて、導電性接着剤15を介して機械的に片持ち支持されている。また、前記電極パターンは、前記圧電素子の一方の主面上の中央部に櫛型状に形成されている。また、前記反射電極パターンは、前記電極パターンが形成されている同一面上に、前記電極パターンを挟むように両側に位置し格子状に形成されている。このとき、表面弾性波素子30は、前記搭載部13に搭載された場合、前記表面弾性波素子30の一方の主面が前記緩衝部14bと対向するようになっている。
The surface
集積回路素子20は、凹部内側の基板部上に前記表面弾性波素子30と相対する位置に設けられている。また、集積回路素子20は、前記表面弾性波素子30とワイヤーボンディングにより電気的に接続され、(図示せず)前記基板部11の一方の主面に形成された集積回路素子搭載パッドと電気的に接続されている。(図示せず)また、集積回路素子20は、前記表面弾性波素子30の振動に基づいて発信出力を制御している。また、この集積回路素子20は、凹部内側の基板部11上であって、前記表面弾性波素子30と前記搭載部13と、ともに前記基板部11に設けられている。
The
蓋部材40は、例えば金属材料よりなり、四角形の金属から形成されている。また、蓋部材40は、前記素子搭載部材10と前記素子搭載部材10の枠部12に設けられた接合用の金属層16を介してシーム溶接で接合される。
The
シーム溶接は、溶接部に大電流を流し溶接部を加熱させ圧力を加えながら行う溶接方法である。 Seam welding is a welding method in which a large current is passed through a welded portion to heat the welded portion and apply pressure.
図3及び図4に示すように、前記素子搭載部材10と前記蓋部材40とを前記素子搭載部材10の枠部12に設けられた接合用の金属層16を介してシーム溶接することにより、前記蓋部材40が加熱され前記蓋部材40と前記素子搭載部材10の枠部12に設けられた接合用の金属層16が溶融し接合される。このとき加熱され溶融した金属部分の熱が冷める事により金属の収縮が起こり、前記素子搭載部材10の長手方向に反りが発生する。この反りは、前記素子搭載部材10に設けられた前記緩衝部14bを押し上げるが、前記搭載部13の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部11の主面上において1つの長辺と平行となる第1の中心線CL1と、前記凹部の基板部11の主面上において2つの長辺の中心を通る第2の中心線CL2と、が交差する位置より前記表面弾性波素子30の自由端側に向かい、前記凹部の基板部11の長辺寸法の8%ずれた位置になっているため、前記表面弾性波素子30は、前記緩衝部14bによる応力を受けにくくなる。
As shown in FIGS. 3 and 4, by seam welding the
また、図6(b)のグラフは、第2の実施形態でのSAW発振器のシーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差(以下、周波数偏差という)を、縦軸に周波数値、横軸に測定項目で表したグラフである。また、例えばグラフ上の上限周波数変動値(以下、上限値という)は、シーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差がプラス方向に最大となった値である。また、グラフ上の下限周波数変動値(以下、下限値という)は、シーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差が上限値より最小となった値である。このときこの図6(b)に示すように、周波数偏差は、上限値+5.0E×−06から下限値−1.5E×−06であり、図7(b)の従来の緩衝部位置214での周波数偏差である上限値+7.0E×−06から下限値−19.0E×−06と比べると、第2の実施形態位置での上限値と下限値の幅が従来の緩衝部位置での上限値と下限値の幅よりも第2の実施形態位置の方の幅が小さくなる。したがって第2の実施形態は、SAW発振器の生産性及び信頼性を向上させることが可能となる。
In the graph of FIG. 6B, the difference between the frequency after seam welding (hereinafter, referred to as frequency deviation) with the frequency before seam welding of the SAW oscillator in the second embodiment as a reference, and the frequency on the vertical axis. It is a graph with a value and a measurement item on the horizontal axis. Further, for example, the upper limit frequency fluctuation value (hereinafter referred to as the upper limit value) on the graph is a value in which the difference from the frequency after seam welding is maximized in the positive direction with reference to the frequency before seam welding. Further, the lower limit frequency fluctuation value (hereinafter referred to as the lower limit value) on the graph is a value in which the difference from the frequency after seam welding is minimized from the upper limit value based on the frequency before seam welding. At this time, as shown in FIG. 6B, the frequency deviation is from the upper limit value + 5.0E × −06 to the lower limit value −1.5E × −06, and the conventional
このように本発明の第2の実施形態に係る緩衝部14bの位置においても、第1の実施形態と同等の効果を奏する。 Thus, also in the position of the buffer part 14b which concerns on the 2nd Embodiment of this invention, there exists an effect equivalent to 1st Embodiment.
(第3の実施形態)
図1及び図5に示すように、本発明の第3の実施形態に係るSAW発振器100は、凹部を有し凹部内側に形成される緩衝部14cを備える素子搭載部材10と、前記素子搭載部材10の凹部内側に搭載される表面弾性波素子30と、前記素子搭載部材10の凹部内側に搭載される集積回路素子20と、凹部を塞ぐ蓋部材40とから主に構成されている。
(Third embodiment)
As shown in FIGS. 1 and 5, a
素子搭載部材10は、平板状の基板部11と、前記基板部11の一方の主面に設けられて凹部を形成する枠部12と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部13と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部14cと、から形成されている。
The
基板部11は、例えばアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、前記基板部11の一方の主面に形成された集積回路素子搭載パッド(図示せず)及び基板内部には所定の配線導体が形成され、他方の主面に外部端子(図示せず)が形成されている。
The
枠部12は、前記基板部11と同様にアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、前記基板部11の一方の主面に設けられて凹部を形成している。また、枠部12は、前記基板部側と相対する主面に接合用の金属層16が形成されている。
The
搭載部13は、例えばアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、凹部内側の基板部上において所定の隅部に位置している。また、搭載部13は、例えば平面視において四角形の形状で形成されており、所定の厚さを有している。この搭載部13は、表面弾性波素子30を搭載するために用いられる。
The mounting
緩衝部14cは、例えばシリコン系の材料よりなり、凹部内側の基板部11上に設けられる。例えば前記緩衝部14cは、前記搭載部13の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部11の主面上において1つの長辺と平行となる第1の中心線CL1と、前記凹部の基板部11の主面上において2つの凹部内の長辺の中心を通る第2の中心線CL2と、が交差する位置より前記表面弾性波素子30の自由端側に向かい、前記凹部の基板部11において長辺寸法の16%ずれた位置になっている。
The buffer portion 14c is made of, for example, a silicon-based material and is provided on the
表面弾性波素子30は、圧電素子と、前記圧電素子の一方の主面上に形成された電極パターンと、前記電極パターンと同一面上に形成された反射電極パターンとから構成されており、前記圧電素子の他方の主面上に前記電極パターン及び前記反射電極パターンが形成されていない。また、前記表面弾性波素子30は、前記搭載部13上に他方の主面を前記搭載部13側に向けて、導電性接着剤15を介して機械的に片持ち支持されている。また、前記電極パターンは、前記圧電素子の一方の主面上の中央部に櫛型状に形成されている。
また、前記反射電極パターンは、前記電極パターンが形成されている同一面上に、前記電極パターンを挟むように両側に位置し格子状に形成されている。このとき、表面弾性波素子30は、前記搭載部13に搭載された場合、前記表面弾性波素子30の一方の主面が前記緩衝部14cと対向するようになっている。
The surface
In addition, the reflective electrode pattern is formed in a lattice shape on both sides so as to sandwich the electrode pattern on the same surface on which the electrode pattern is formed. At this time, when the surface
集積回路素子20は、凹部内側の基板部上に前記表面弾性波素子30と相対する位置に設けられている。また、集積回路素子20は、前記表面弾性波素子30とワイヤーボンディングにより電気的に接続され、(図示せず)前記基板部11の一方の主面に形成された集積回路素子搭載パッドと電気的に接続されている。(図示せず)また、集積回路素子20は、前記表面弾性波素子30の振動に基づいて発信出力を制御している。また、この集積回路素子20は、凹部内側の基板部11上であって、前記表面弾性波素子30と前記搭載部13と、ともに前記基板部11に設けられている。
The
蓋部材40は、例えば金属材料よりなり、四角形の金属から形成されている。また、蓋部材40は、前記素子搭載部材10と前記素子搭載部材10の枠部12に設けられた接合用の金属層16を介してシーム溶接で接合される。
The
シーム溶接は、溶接部に大電流を流し溶接部を加熱させ圧力を加えながら行う溶接方法である。 Seam welding is a welding method in which a large current is passed through a welded portion to heat the welded portion and apply pressure.
図3及び図5に示すように、前記素子搭載部材10と前記蓋部材40とを前記素子搭載部材10の枠部12に設けられた接合用の金属層16を介してシーム溶接することにより、前記蓋部材40が加熱され前記蓋部材40と前記素子搭載部材10の枠部12に設けられた接合用の金属層16が溶融し接合される。このとき加熱され溶融した金属部分の熱が冷める事により金属の収縮が起こり、前記素子搭載部材10の長手方向に反りが発生する。この反りは、前記素子搭載部材10に設けられた前記緩衝部14cを押し上げるが、前記搭載部13の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部11の主面上において1つの長辺と平行となる第1の中心線CL1と、前記凹部の基板部11の主面上において2つの長辺の中心を通る第2の中心線CL2と、が交差する位置より前記表面弾性波素子30の自由端側に向かい、前記凹部の基板部11の長辺寸法の16%ずれた位置になっているため、前記表面弾性波素子30は、前記緩衝部14cによる応力を受けにくくなる。なお、前記緩衝部14cが前記凹部の基板部11の長辺寸法の16%をこえて自由端側に位置すると、前記素子搭載部材10の長手方向の反りにより前記緩衝部14cを押し上げ、前記緩衝部14cに接触している前記表面弾性波素子30に応力をあたえる。
As shown in FIG. 3 and FIG. 5, by seam welding the
また、図6(c)のグラフは、第3の実施形態でのSAW発振器のシーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差(以下、周波数偏差という)を、縦軸に周波数値、横軸に測定項目で表したグラフである。また、例えばグラフ上の上限周波数変動値(以下、上限値という)は、シーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差がプラス方向に最大となった値である。また、グラフ上の下限周波数変動値(以下、下限値という)は、シーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差が上限値より最小となった値である。このときこの図6(c)に示すように、周波数偏差は、上限値+6.0E×−06から下限値−2.5E×−06であり、図7(b)の従来の緩衝部位置214での周波数偏差である上限値+7.0E×−06から下限値−19.0E×−06と比べると、第3の実施形態位置での上限値と下限値の幅が従来の緩衝部位置での上限値と下限値の幅よりも第3の実施形態位置の方の幅が小さくなる。したがって第3の実施形態は、SAW発振器の生産性及び信頼性を向上させることが可能となる。
Further, the graph of FIG. 6C shows the difference between the frequency after seam welding (hereinafter referred to as frequency deviation) with the frequency before the seam welding of the SAW oscillator in the third embodiment as a reference, and the frequency on the vertical axis. It is a graph with a value and a measurement item on the horizontal axis. Further, for example, the upper limit frequency fluctuation value (hereinafter referred to as the upper limit value) on the graph is a value in which the difference from the frequency after seam welding is maximized in the positive direction with reference to the frequency before seam welding. Further, the lower limit frequency fluctuation value (hereinafter referred to as the lower limit value) on the graph is a value in which the difference from the frequency after seam welding is minimized from the upper limit value based on the frequency before seam welding. At this time, as shown in FIG. 6C, the frequency deviation is from the upper limit value + 6.0E × −06 to the lower limit value −2.5E × −06, and the conventional
このように本発明の第3の実施形態に係る緩衝部14cの位置においても、第1の実施形態と同等の効果を奏する。 Thus, also in the position of the buffer part 14c which concerns on the 3rd Embodiment of this invention, there exists an effect equivalent to 1st Embodiment.
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、前記実施形態には限定されない。例えば本実施形態では、表面弾性波素子の振動に基づいて発信出力を制御する集積回路素子(IC)を搭載しているが、搭載させなくとも良い。また、本発明は、シーム溶接で説明をしたが、例えばガラス封止やレーザー封止などの接合部を加熱し接合させる封止方法でも同様の効果が得られる。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to the said embodiment. For example, in this embodiment, an integrated circuit element (IC) that controls the transmission output based on the vibration of the surface acoustic wave element is mounted. Moreover, although this invention demonstrated by seam welding, the same effect is acquired also by the sealing method which heats and joins junction parts, such as glass sealing and laser sealing, for example.
(変形例)
本発明の第1の実施形態から第3の実施形態に係るSAW発振器100は、緩衝部14aが、前記搭載部13の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部11の主面上において1つの長辺と平行となる第1の中心線CL1と、前記凹部の基板部11の主面上において2つの長辺の中心を通る第2の中心線CL2と、が交差する位置から前記表面弾性波素子30の自由端側へ、前記凹部の基板部11の長辺寸法の16%ずれた位置までにあっても、第1の実施形態、第2の実施形態、第3の実施形態と同様の効果が得られる。
すなわち、本発明のSAW発振器100によれば、表面弾性波素子30は、素子搭載部材10と、蓋部材40と、を前記素子搭載部材10の枠部に設けられた接合用の金属層を介してシーム溶接にて封止することにより、前記蓋部材40が加熱され前記蓋部材40と前記素子搭載部材10の枠部に設けられた接合用の金属層が溶融し接合される。このとき加熱され溶融した金属部分の熱が冷める事により金属の収縮が起こり、素子搭載部材10の長手方向に反りが発生する。この反りは、素子搭載部材10に設けられた緩衝部14aを押し上げることとなるが、緩衝部の位置が、前記搭載部13の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において1つの長辺と平行となる第1の中心線CL1と、前記凹部の基板部の主面上において2つの長辺の中心を通る第2の中心線CL2と、が交差する位置から前記表面弾性波素子30の自由端側へ、前記凹部の基板部の長辺寸法の16%ずれた位置までに設けられているため、前記緩衝部14aが前記表面弾性波素子を押し上げにくくすることができる。したがって、本発明のSAW発振器は、シーム溶接後の周波数偏差を小さくすることができ、生産性及び信頼性を向上させることが出来る。
(Modification)
In the
That is, according to the
100、200 SAW発振器
10、210 素子搭載部材
11、211 基板部
12、212 枠部
13、213 搭載部
15、215 導電性接着剤
16、216 接合用の金属層
20、220 集積回路素子
30、230 表面弾性波素子
40、240 蓋部材
14a 第1実施例
14b 第2実施例
14c 第3実施例
214 従来の位置
CL1、CL2 中心線
100, 200
CL1, CL2 center line
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11112269A (en) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Toyo Commun Equip Co Ltd | In-package support structure for piezoelectric vibrator |
JP2003298387A (en) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Kinseki Ltd | Supporting structure for saw resonator |
JP2004266595A (en) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Toyo Commun Equip Co Ltd | Piezoelectric device |
JP2005198237A (en) * | 2003-12-11 | 2005-07-21 | Daishinku Corp | Piezoelectric vibration device |
JP2007189430A (en) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Epson Toyocom Corp | Saw device and manufacturing method of saw device |
JP2009159001A (en) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Epson Toyocom Corp | Surface acoustic wave device |
JP2010178198A (en) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Epson Toyocom Corp | Surface acoustic wave element and piezoelectric device |
JP2010263431A (en) * | 2009-05-07 | 2010-11-18 | Epson Toyocom Corp | Surface acoustic wave device |
-
2011
- 2011-02-01 JP JP2011020046A patent/JP5302988B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11112269A (en) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Toyo Commun Equip Co Ltd | In-package support structure for piezoelectric vibrator |
JP2003298387A (en) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Kinseki Ltd | Supporting structure for saw resonator |
JP2004266595A (en) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Toyo Commun Equip Co Ltd | Piezoelectric device |
JP2005198237A (en) * | 2003-12-11 | 2005-07-21 | Daishinku Corp | Piezoelectric vibration device |
JP2007189430A (en) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Epson Toyocom Corp | Saw device and manufacturing method of saw device |
JP2009159001A (en) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Epson Toyocom Corp | Surface acoustic wave device |
JP2010178198A (en) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Epson Toyocom Corp | Surface acoustic wave element and piezoelectric device |
JP2010263431A (en) * | 2009-05-07 | 2010-11-18 | Epson Toyocom Corp | Surface acoustic wave device |
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Publication number | Publication date |
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